KR19990065460A

KR19990065460A - 포토레지스트 조성물

Info

Publication number: KR19990065460A
Application number: KR1019980000750A
Authority: KR
Inventors: 문성윤; 이상균; 구재선; 오승훈; 이태영; 허대현
Original assignee: 유현식; 삼성종합화학 주식회사
Priority date: 1998-01-13
Filing date: 1998-01-13
Publication date: 1999-08-05
Also published as: KR100240823B1

Abstract

본 발명은 히드록시스티렌과 알칼리 불용성기를 포함하는 스티렌계 단량체의 공중합체 또는 히드록시스티렌과 알칼리 불용성기를 포함하는 스티렌계 단량체 및 아크릴계 단량체의 삼원공중합체를 매트릭스 수지로 하고 4,4'-비스-[4-비닐옥시에톡시(4-메톡시페닐)] 설포늄 메탄설포네이트계 2가교형 광산발생제를 함유시킨 2성분계 포토레지스트 조성물에 관한 것이다. 본 발명의 포토레지스트 조성물은 soft baking시 고온의 불용화 온도를 낮추어 공정 적용상의 효율성을 높일 수 있다.

Description

포토레지스트 조성물

본 발명은 2성분계 포토레지스트 조성물에 관한 것이다. 보다 구체적으로 본 발명은 히드록시스티렌과 알칼리 현상액에 불용성기를 가지는 스티렌의 공중합체 또는 히드록시스티렌과 알칼리 현상액에 불용성기를 가지는 스티렌 및 아크릴계 단량체의 삼원공중합체를 매트릭스 수지로 하고 4,4'-비스-[4-비닐옥시에톡시(4-메톡시페닐)] 설포늄 메탄설포네이트계 2가교형 광산발생제를 함유시킨 2성분계 포토레지스트 조성물에 관한 것이다.

포토레지스트는 반도체 초미세가공시 노광과 현상, 에칭 등의 과정을 거칠 때 레지스트로 작용하여 기질에 미세 패턴을 형성하게 하는 고분자 재료를 말한다. 노광시 광원을 G-선(436 nm)부터 I-선(365 nm), KrF 엑사이머 레이저(excimer laser)(248 nm), ArF 엑사이머 레이저(193 nm)까지 파장범위에 따라 분류된다. 미세선폭을 결정하는 주 요인인 광원을 기존의 I-선 단파장의 KrF 엑사이머 레이저 또는 원자외선(DUV)(248 nm)이 주로 사용되고 있다.

기존의 I-선(365 nm)용 포토레지스트에서는 노볼락(novolak)과 디아조계화합물을 조합하여 사용하였으나 노볼락 수지는 단파장 영역에서 광흡수도가 크므로 이를 개선한 새로운 레지스트가 요구됨에 따라 80년대 초부터 새로운 개념의 화학증폭형(chemical-amplification) 레지스트가 개발되었다.

KrF 엑사이머 레이저 또는 원자외선에 사용되는 레지스트는 전형적으로 화학증폭형이며 이들의 조성물은 알칼리 가용성 수지, 광산발생제, 가교제, 용해억제제 등으로 이루어진다. 2성분계 포지티브형 포토레지스트 조성물로 잘 알려져 있는 IBM의 ESCAP은 폴리(t-부틸옥시카보닐옥시)스티렌과 트리페닐술포늄염의 초강산 발생제로 이루어져 있다(US 4,491,628). 해상도(Resolution)를 향상시키기 위해 알칼리 가용성 수지와 광산 발생제에 용해억제제를 첨가시킨 3성분계 레지스트 조성물도 개발되었다(JP 5,094,017, US 5,342,734, US 5,362,607).

가장 최근에는 알칼리 가용성 수지에 용해억제형 광산발생제를 포함하는 새로운 조성의 레지스트 조성물인 SUCCESS가 BASF에 의해 개발되었다(EP 337258A2). 용해억제형 광산 발생제(PAG)란 동일분자내에 용해억제제와 산발생제의 기능을 통합시킨 화합물을 말한다. 이는 알칼리 가용성 수지에 대해서는 용해를 억제시키는 기능을 하나 광에 의해 자체적으로 발생된 산에 의해 동일분자내의 보호기를 파괴시킴으로써 알칼리 가용성 수지에 대한 용해촉진 효과를 나타내는 기능을 하기도 한다. 이와 같은 계는 비교적 높은 감도와 해상력을 갖는 것으로 알려져 있으나 수지와 산발생제간의 물리적 상호작용에 기인한 현상후의 미노광부의 잔막손실을 가져온다.

한편 비닐에테르기를 페놀수지의 측쇄에 포함하는 새로운 형태의 레지스트 조성물이 개발되었다(Chem. Mater, 1993, 5, 1315). 이것은 비닐에테르기를 폴리머에 직접 화학적으로 결합시키고 광산발생제를 별도로 함유시킨 조성물이다. 이 시스템의 탈가교 메카니즘은 광산발생된 산에 의한 산촉매 메카니즘에 의존한다. 그러나 산발생제는 광분해 및 소수성 물질을 생성하여 노광부의 용해를 억제하여 감도가 약하고 특히 트리페닐설포늄트리플레이트를 산발생제로 사용하는 경우 KrF 엑사이머 레이저에서 100mJ/cm²이상의 저감도를 나타내는 단점이 있다.

상기한 바와 같이 248 nm 레지스트의 필수적 요소인 광산발생제의 개발이 많이 이루어졌는데 주로 술포늄, 요오드늄염 등의 오니움염이 알려져 있다(US 4,760,013, US 5,397,680, EP 615163A1, EP 337258A2, JP 05,134,414, JP 05,255,240). 최근 들어서는 레지스트에서의 상용성(compatability)이다. 산의 확산등의 문제에 따라 비이온형 유기광산 발생제의 개발도 활발히 이루어지고 있다(EP 330386A, EP 388343A0, JP 0,291,832, US 5,191,069). 한편 기존에 알려진 오니움염과 같이 초강산을 발생하는 광산발생제 4,4'-비스-[4-비닐옥시에톡시(4-메톡시페닐)설포늄 메탄설포네이트에 가교형 비닐에테르를 치환시킨 후 히드록실기에 보호기가 아닌 가교형 기로 사용한 새로운 개념의 포토레지스트(Society of Plastics Engineering; 11th International Conference Photopolymers 1997)에 대한 연구개발의 결과도 알려져 있다. 그러나 이러한 가교형 비닐에테르를 이용한 광산발생제를 도입한 포토레지스트의 경우 soft baking시 불용화 시키기 위해 고온의 soft baking 조건으로 인하여 고비용 및 생산수율 저하등의 문제점을 나타내었다. 또한 과량의 광산발생제(2 몰% 이상)의 사용으로 인하여 투과율이 감소하는 문제점이 있다.

따라서 본 발명자들은 상기의 고온의 soft baking 조건으로 인한 공정 적용상의 비효율성 및 과량의 광산발생제 사용으로 인한 문제점을 해결하고자 종래에 사용된 폴리히드록시스티렌 단독중합체 대신에 히드록시스티렌과 알칼리 현상액에 불용성인 기를 함유하는 단량체의 공중합체 또는 삼원공중합체를 매트릭스 수지로 사용하고 2가교형 광산발생제를 함유시킨 포토레지스트 조성물을 개발하기에 이르렀다.

본 발명이 이루고자하는 기술적 과제는 히드록시스티렌과 알칼리 불용성기를 포함하는 단량체의 공중합체 또는 삼원공중합체를 사용함으로써 저온의 soft baking 조건에 적합한 포토레지스트 조성물을 제공하기 위한 것이다.

본 발명이 이루고자하는 다른 기술적 과제는 상대적으로 적은 양의 광산발생제를 사용함으로써 투과도를 현저히 개선시키는 포토레지스트 조성물을 제공하기 위한 것이다.

본 발명이 이루고자하는 또 다른 기술적 과제는 유리전이온도가 낮은 공중합체를 사용함으로써 soft baking 온도를 낮추어 실제 공정상 적용하기에 용이하게 하기 위한 것이다.

도 1은 실시예 4 및 비교실시예 2에 따라 제조된 포토레지스트에 대한 자외선 스팩트럼을 나타낸 그래프이다.

본 발명은 하기 화학식 1로 나타내어지는 히드록시스티렌과 알칼리 불용성기를 포함하는 스티렌계 단량체의 공중합체 또는 하기 화학식 2로 나타내어지는 히드록시스티렌과 알칼리 불용성기를 포함하는 스티렌계 단량체 및 아크릴계 단량체의 삼원공중합체를 매트릭스 수지로 하고 하기 화학식 3으로 나타내어지는 광산발생제를 함유시킨 포토레지스트 조성물에 관한 것이다:

상기 화학식 1에서 R₁과 R₂는 H 또는 C₁-C₁₀알킬이고, X는 H, C_1-5알콕시 또는 C_2-5알킬이고, m : n은 5-9 : 5-1이며, 8-9 : 2-1인 것이 바람직하다.

상기 화학식 2에서 R₁과 R₂는 H 또는 C_1-10알킬이고, Y는 C_1-5알콕시이고, a : b : c는 5-8 : 0.5-2.5 : 0.5-2.5 이며, 8 : 1 : 1인 것이 바람직하다.

상기 화학식 3에서 A는 Cl, CH₃SO₃또는 CF₃SO₃이고, B는 -(CH)_k-OCH=CH₂이고 k는 0∼5의 정수이고, C는 H 또는 CH₃이고, D는 H 또는 C_1-6알킬이다.

본 발명의 포토레지스트 조성물은 스티렌계 공중합체 또는 삼원공중합체 및 2가교형 광산발생제로 이루어지며 각각의 성분을 하기에서 상세히 설명한다.

상기 공중합체는 상기 화학식 1로 나타내어지는 히드록시 스티렌과 알칼리 현상액에 불용성인 기를 포함하는 스티렌계 단량체의 공중합체이며 단량체비 5-9 : 5-1로 중합되며 8-9 : 2-1로 중합되는 것이 바람직하다. 이러한 스티렌계 단량체로는 tert-부틸옥시카르보닐스티렌이 바람직하게 사용된다.

상기 삼원공중합체는 상기 화학식 2로 나타내어지는 히드록시스티렌과 알칼리 현상액에 불용성인 기를 포함하는 스티렌계 단량체 및 아크릴계 단량체의 삼원공중합체이며 단량체비 5-8.5 : 0.5-2.5 : 0.5-2.5로 중합되며 8 : 1 : 1로 중합되는 것이 바람직하다.

바람직하게 사용될 수 있는 스티렌계 단량체로는 tert-부틸옥시카르보닐스티렌이 있고 아크릴계 단량체도 tert-부틸옥시카르보닐기를 포함하는 것이 바람직하다.

본 발명의 포토레지스트 조성물의 매트릭스 수지로 사용되는 삼원공중합체는 중량평균분자량 5,000∼20,000인 것이 바람직하며 9,500인 것이 더 바람직하다.

종전에 사용되었던 폴리히드록시스티렌 단독 중합체의 유리전이온도가 180℃임에 비하여 알칼리 불용성기를 포함하는 단량체를 함유시킨 공중합체의 경우 100∼130℃까지 낮출 수 있고 삼원공중합체의 경우에는 90∼110℃까지 낮출 수 있다. 따라서 soft baking 온도가 훨씬 감소하여 공정 적용상의 효율성을 높일 수 있게 된다.

또한 soft baking시 히드록시스티렌에 의한 산도가 증가되고 활성화 에너지가 감소됨으로써 다른 공단량체에 tert-부틸옥시 카르보닐기와 같은 산 불안정성 기가 쉽게 탈보호되고, 본 발명에서 사용된 가교형 광산발생제와 상기 반응에 의해 탈보호된 부분과의 화학결합이 히드록시스티렌 단독중합체의 경우보다 더욱 강하게 반응함으로써 상대적으로 적은 양의 광산발생제가 소요되어 과량의 광산발생제 사용으로 인한 투과도 저하 문제를 크게 개선(20% 이상 증진)시키는 이중의 효과를 나타낸다.

본 발명의 포토레지스트 감광성 조성물을 이용하여 포지티브형 패턴형성의 공정과정은 다음과 같다. 히드록시스티렌과 알칼리 불용성기를 포함하는 스티렌 단량체의 공중합체의 경우에는 2가교형 광산발생제 2-5 몰%와 혼합시키고 히드록시스티렌과 알칼리 불용성기를 포함하는 스티렌 단량체 및 아크릴계 단량체의 삼원공중합체의 경우에는 2가교형 광산발생제 1-5 몰% 혼합시킨다. 그런 다음 상기 혼합물을 프로필렌글리콜메틸에테르아세테이트 또는 시클로헥사논에 녹인 후 0.2㎛로 필터하여 불순물을 제거한 후 6인치 실리콘 웨이퍼(silicone wafer)에 스핀도포한다. 이때의 회전속도는 1,000∼2,500 rpm으로서 레지스트막 두께는 6,000∼7,000Å을 유지한다. 도포된 웨이퍼를 약 50∼120℃에서 전열처리한다. 이때 레지스트내에서 알칼리 가용성 수지의 히드록실기와 산발생제 비닐옥시기 사이의 열가교반응이 일어나 레지스트는 불용화한다. 에너지 간격은 0.5 내지 5 mJ로 하여 단계적으로 노광하고 노광후 열처리는 실온에서 170℃까지 변화시킨다. 현상은 NMD-3 (2.38 wt% TMAH 용액)에 50초간 푸들(puddle), 40초간 분사(spray) 방식으로 하며 초순수로 세척한다. 현상 공정시 노광부는 발생된 산에 의해 분해 되어 알칼리 현상액에 가용화하고 미노광부는 가교 불용화의 상태로 그대로 남기 때문에 알칼리 수용액에 불용성이다. 따라서 고감도와 고해상도를 가지는 포지티브형 패턴을 보인다.

본 발명은 하기의 실시예에 의하여 명백하여질 것이며 하기의 실시예는 예시 목적이며 첨부된 특허청구범위의 보호범위를 제한하고자 하는 것은 아니다.

실시예

하기 실시예와 비교실시예에 사용되는 중합체와 광산발생제는 다음과 같이 합성하였다.

히드록시스티렌/tert-부틸옥시카르보닐스티렌 공중합체

1L 용량의 플라스크에 600ml의 정제된 톨루엔을 넣은 후, 여기에 1g의 스티렌 및 10g의 tert-부틸옥시카르보닐스티렌의 단량체에 개시제로서 0.05g의 2,2'-아조비스부틸로니트릴을 넣고 70℃에서 24시간 반응시킨 후 메탄올에 침전시켜 건조한 다음, 중합체를 메탄올 500 ml에 넣은 후 여기에 진한 염산 10 ml 넣고 80℃에서 24시간 반응후 탈보호된 히드록시스티렌/tert-부틸옥시카르보닐스티렌 중합체를 단량체비(5-9 : 4-1)를 변화시키면서 공중합체를 제조하였다.

히드록시스티렌/tert-부틸옥시카르보닐스티렌/tert-부틸옥시카르보닐아크릴레이트 삼원공중합체

1L 용량의 플라스크에 600ml의 정제된 톨루엔을 넣은 후, 여기에 10g의 p-히드록시스티렌, 0.3g의 tert-부틸옥시카르보닐스티렌 및 1g의 tert-부틸옥시카르보닐아크릴레이트의 단량체에 개시제로서 0.03g의 2,2'-아조비스부티로니트릴(AIBN)을 넣고 80℃에서 48시간 반응시킨 후 메탄올에 침전시켜 건조한 다음 중합체를 메탄올 1000ml에 넣은 후 3차례 세척 건조 후 중합체를 얻었다. 상기와 동일한 방법으로 히드록시스티렌/tert-부틸옥시카르보닐스티렌/tert-부틸옥시카르보닐아크릴레이트 삼원공중합체의 단량체비(5-8.0 : 0.5-2.5 : 0.5-2.5)를 변화 시키면서 삼원공중합체를 제조하였다.

히드록시스티렌 단독중합체

1L 용량의 플라스크에 용매로 톨루엔 700 ml를 넣고 여기에 20g의 tert-부틸옥시카르보닐 스티렌 단량체에 개시제 0.01g의 2,2'-아조비스이소부티로니트릴을 함께 넣고 80℃에서 12시간 반응시킨 후 메탄올에 침전시켜 건조시킨 다음, 중합체를 메탄올 500 ml에 넣은 후 여기에 진한염산 10ml 넣고 80℃에서 24시간 반응후 탈보호된 히드록시스티렌 단독중합체를 얻었다.

광산발생제 합성

본 발명의 포토레지스트에 사용된 광산발생제의 합성은 (Society of Plastics Engineering; 11th International Conference Photopolymers 1997)에 나타난 바와 같이 합성하였다. 즉 디-(4-히드록시페닐)-4-메톡시 페닐 설포늄 메탄-설포네이트 1 mol과 비닐-2-클로로에틸 에테르 2.2 mol 및 NaOH 2.2 mol을 DMSO 1000㎖에 넣어준 후 4시간동안 70∼110℃ 사이의 온도를 유지하며 반응시켰다. 침전으로 떨어진 NaCl과 용매로 사용된 DMSO를 제거한 후 MC 또는 클로로포름과 같은 용매 1000㎖에 녹인 후 NaOTf 1 mol을 녹인 물 1000㎖를 섞어준 후 10시간 교반시켰다. 물에 섞이지 않는 용액층을 분리하고 진공건조시킨 후 비스(4-비닐옥시에폭시-페닐)-4-메톡시페닐 설포늄 트리플레이트를 끈끈한 상태의 액체로 얻었으며 순도를 높이기 위하여 컬럼 크라마토그래피에 의한 정제를 하면 99%이상 순수한 비스[4-비닐옥시-에폭시 페닐(4-메톡시페닐)]설포늄 트리플레이트를 얻었고 수율은 75%이었다.

실시예 1

히드록시 스티렌/tert-부틸옥시카르보닐 스티렌(단량체비 9:1)공중합체와 2가교형 광산발생제인 비스[4-비닐옥시-에톡시페닐(4-메톡시페닐)]설포늄 트리플레이트 2몰%를 프로필렌글리콜메틸에테르아세테이트 용매에 녹여 용매을 만든 후 스핀도포한 다음, 130℃에서 90초간 열가교하였다. 5mJ부터 0.5간격으로 53mJ까지 단계적으로(stepwise) 노광하였고 노광후 열처리는 160℃에서 각각 90초간 수행하였다. 현상후 주사 전자 현미경 (SEM)로 확인한 결과 40mJ 노광하여 0.56 μm의 미세패턴을 얻었다.

실시예 2

히드록시스티렌/tert-부틸옥시카르보닐 스티렌(단량체비 8.5:1.5) 공중합체와 2가교형 광산발생제인 비스[4-비닐옥시-에톡시페닐(4-메톡시페닐)]설포늄 트리플레이트 2몰%을 프로필렌글리콜 메틸에테르아세테이트 용매에 녹여 용액을 만든후 스핀도포 한 다음, 110℃에서 60초간 열가교하였다.

5mJ부터 1mJ간격으로 53mJ까지 하였고 노광후 열처리는 120℃에서 각각 90초간 수행하였다. 현상후 주사 전자 현미경(SEM)로 확인한 결과 15mJ 노광하여 0.34μm의 미세패턴을 얻었다.

실시예 3

히드록시스티렌/tert-부틸옥시카르보닐스티렌(단량체비 8:2)와 2가교형 광산발생제인 비스[4-비닐옥시-에톡시페닐(4-메톡시페닐)]설포늄 트리플레이트 2몰%를 프로필렌글리콜메틸에테르아세테이트 용매에 녹여 용액을 만든 후 스핀도포한 다음 90℃에서 60초간 열가교하였다. 현상후 주사 전자 현미경 (SEM)로 확인한 결과 48mJ 노광하여 0.60μm의 미세패턴을 얻었다.

실시예 4

중량평균분자량이 9,500인 히드록시스티렌/tert-부틸옥시카르보닐 스티렌/tert-부틸옥시카르보닐 아크릴레이트(단량체비 8 : 1 : 1)과 2가교형 광산발생제인 비스[4-비닐옥시-에톡시페닐(4-메톡시페닐)]설포늄 트리플레이트 0.5몰%를 프로필렌글리콜메틸에테르아세테이트 용매에 녹여 용액을 만든 후 스핀도포한 다음, 110℃에서 90초간 열가교하였다. 5mJ부터 0.5간격으로 53mJ까지 단계적으로 노광하였고 노광후 열처리는 160℃에서 각각 90초간 수행하였다. 현상후 주사 전자 현미경 (SEM)로 확인한 결과 30mJ 노광하여 0.46μm의 미세패턴을 얻었으며 자외선(248nm) 투과도를 측정한 결과 51%였다.

실시예 5

중량평균분자량이 10,000인 히드록시스티렌/tert-부틸옥시카르보닐 스티렌/tert-부틸옥시카르보닐 아크릴레이트(단량체비 9 : 0.5 : 0.5)와 2가교형 광산발생제인 비스[4-비닐옥시-에톡시페닐(4-메톡시페닐)]설포늄 트리플레이트 0.5몰%를 프로필렌글리콜 메틸에테르아세테이트 용매에 녹여 용액을 만든 후 스핀도포한 다음 110℃에서 60초간 열가교하였다. 5mJ부터 1mJ간격으로 53mJ까지 하였고 노광후 열처리는 120℃에서 각각 90초간 수행하였다. 현상후 주사 전자 현미경 (SEM)로 확인한 결과 15mJ 노광하여 0.34μm의 미세패턴을 얻었으며 자외선(248nm) 투과도를 측정한 결과 58%였다.

실시예 6

중량평균분자량이 11,000인 히드록시스티렌/tert-부틸옥시카르보닐스티렌/tert-부틸옥시카르보닐 아크릴레이트(단량체비 7 : 1.5 : 1.5)와 2가교형 광산발생제인 비스[4-비닐옥시-에톡시페닐(4-메톡시페닐)]설포늄 트리플레이트 0.5몰%를 프로필렌글리콜메틸에테르아세테이트 용매에 녹인후 스핀도포한 다음 90℃에서 60초간 열가교하였다. 현상후 주사 전자 현미경 (SEM)로 확인한 결과 48mJ 노광하여 0.60μm의 미세패턴을 얻었으며 자외선 (248nm) 투과도를 측정한 결과 55%였다.

비교실시예 1

히드록시스티렌 단독중합체와 2가교형 광산발생제인 비스[4-비닐옥시-에톡시페닐(4-메톡시페닐)]설포늄 트리플레이트 2몰%를 프로필렌글리콜메틸에테르아세테이트 용매에 녹여 용액을 만든 후 스핀도포한 다음, 130℃에서 90초간 열가교하였으나 가교되지 않았으며 soft baking 조건 변화 후 170℃ 이상의 온도에서 가교가 이루어졌다.

비교실시예 2

중량평균분자량이 9,700인 히드록시스티렌 단독중합체와 2가교형 광산발생제인 비스[4-비닐옥시-에톡시페닐(4-메톡시페닐)]설포늄 트리플레이트 0.5몰%를 프로필렌글리콜메틸에테르아세테이트 용매에 녹여 용액을 만든 후 스핀도포한 다음 130℃에서 90초간 열가교하였으나 가교가되지 않았으며 soft baking 조건 변화 후 180℃ 이상의 온도에서 가교가 이루어졌으며 자외선(248nm) 투과도를 측정한 결과 31%였다.

비교실시예 3

중량평균분자량이 10,000인 히드록시스티렌 단독중합체와 2가교형 광산발생제인 비스[4-비닐옥시-에톡시페닐(4-메톡시페닐)]설포늄 트리플레이트 0.5몰%를 프로필렌글리콜메틸에테르아세테이트 용매에 녹여 용액을 만든 후 스핀도포한 다음 130℃에서 90초간 열가교하였으나 가교되지 않았으며 soft baking 조건 변화 후 180℃ 이상의 온도에서 가교가 이루어졌으며 자외선(248nm) 투과도를 측정한 결과 35%였다.

본 발명의 포토레지스트 조성물은 폴리히드록시스티렌과 알칼리 불용성기를 포함하는 단량체의 공중합체 또는 삼원공중합체를 사용함으로써 저온의 soft baking 조건에 적합하고, 상대적으로 적은 양의 광산발생제를 사용함으로써 투과도를 현저히 개선시키고 유리전이온도가 낮은 공중합체를 사용함으로써 soft baking 온도를 낮추어 실제 공정상 적용하기에 용이한 발명의 효과를 가진다.

본 발명의 단순한 변형 내지 변경은 이 분야의 통상의 지식을 가진 자에 의하여 용이하게 이용될 수 있으며, 이러한 변형이나 변경은 모두 본 발명의 영역에 포함되는 것으로 볼 수 있다.

Claims

하기의 화학식 1로 나타내어지는 스티렌계 공중합체와 하기 화학식 3으로 나타내어지는 2가교형 광산발생제 1∼30중량%로 이루어지는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 조성물:

화학식 1

상기 화학식 1에서 R₁과 R₂는 H 또는 C_1-10알킬이고, X는 H, C_1-5 알콕시 또는 C_2-5알킬이고, m : n의 비는 5-9 : 5-1임;

화학식 3

상기 화학식 3에서 A는 Cl, CH₃SO₃또는 CF₃SO₃이고, B는 -(CH)_k-OCH=CH₂이고 k는 0∼5의 정수이고, C는 H 또는 CH₃이고, D는 H 또는 C_1-6알킬임.
제1항에 있어서, 상기 화학식 1의 단량체비 m : n이 8-9 : 2-1인 것을 특징으로 하는 포토레지스트 조성물.
제1항에 있어서 상기 스티렌계 공중합체가 히드록시스티렌/tert-부틸옥시카르보닐스티렌 공중합체인 것을 특징으로 하는 포토레지스트 조성물.
하기 화학식 2로 나타내어지는 스티렌계 삼원공중합체와 하기 화학식 3으로 나타내어지는 2가교형 광산발생제 1∼20 중량%로 이루어지는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 조성물:

화학식 2

상기 화학식 2에서 R₁과 R₂는 H 또는 C_1-10알킬이고, Y는 C_1-5알콕시이고, a : b : c는 5-8 : 0.5-2.5 : 0.5-2.5 임;

화학식 3

상기 화학식 3에서 A는 Cl, CH₃SO₃또는 CF₃SO₃이고, B는 -(CH)_k-OCH=CH₂이고 k는 0∼5의 정수이고, C는 H 또는 CH₃이고, D는 H 또는 C_1-6알킬임.
제4항에 있어서, 상기 화학식 2의 단량체비 a : b : c의 비는 8 : 1 : 1인 것을 특징으로 하는 포토레지스트 조성물.
제4항에 있어서, 상기 삼원공중합체가 히드록시스티렌/tert-부틸옥시카르보닐스티렌/tert-부틸옥시카르보닐 아크릴레이트 삼원공중합체인 것을 특징으로 하는 포토레지스트 조성물.
제4항에 있어서, 상기 삼원공중합체의 중량평균분자량이 5,000∼20,000인 것을 특징으로 하는 포토레지스트 조성물.