KR101018207B1 - 빔 스캐너 및 표면 측정 장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 빔 스캐너 및 표면 측정 장치에 관한 것으로서, 본 발명의 일 측면은, 상부 및 하부 반사면과 상기 상부 및 하부 반사면 사이에 위치한 복수의 측 반사면을 구비하며, 상기 상부 및 하부 반사면을 관통하는 회전축을 중심으로 회전하여 상기 측 반사면에 입사된 빔을 일 방향으로 주사하는 회전미러와, 제1 빔을 상기 측 반사면에 조사하는 제1 광원과, 제2 빔을 상기 상부 및 하부 반사면 중 적어도 하나의 면에 조사하는 제2 광원 및 상기 제2 빔 중 상기 회전미러에 의해 반사된 빔을 수광하는 검출부를 포함하며, 상기 검출부는 상기 회전미러의 상하 움직임에 따른 상기 제1 빔의 주사 위치를 보정하는 보정부인 빔 스캐너를 제공한다.
본 발명에 따르면, 빔 스캔용 회전 미러의 움직임에 따른 오차를 최소화함으로써 고속·고분해능의 표면 측정이 가능한 빔 스캐너 및 표면 측정 장치를 얻을 수 있다.
표면 측정, 표면 검사, 빔 스캐너, 회전미러, 폴리곤 미러, 흔들림

Description

빔 스캐너 및 표면 측정 장치 {BEAM SCANNER AND SURFACE MEASUREMENT APPARATUS}
본 발명은 빔 스캐너 및 표면 측정 장치에 관한 것으로서, 특히, 빔 스캔용 회전 미러의 움직임에 따른 오차를 최소화할 수 있는 빔 스캐너 및 표면 측정 장치에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 집적회로는 웨이퍼 상에 포토 리소그래피 공정 등에 따라서 회로를 형성하는 방식으로 제조된다. 이 경우, 웨이퍼 상에 다수의 동일한 집적회로가 배치되며, 그것들을 분리하여 개개의 집적 회로 칩이 제조된다. 이러한 반도체 집적회로에서 웨이퍼 상에 이물 등이 존재한다면, 이물 등이 존재하는 부분에 형성되는 회로 패턴에 결함이 생기기 쉬우며, 이에 따라, 해당 집적 회로의 사용이 불가능해지게 될 수 있다. 그 결과 한 장의 웨이퍼로부터 얻을 수 있는 집적회로의 수가 감소하고 수율 저하를 초래한다. 반도체 집적회로 이외도 마이크로미터 크기의 이물이나 결함이 불량의 원인이 되는 첨단 소재는 디스플레이용 유리와 기판회로 소재 등을 예로 들 수 있다. 따라서, 이러한 이물이나 결함을 측정 및 검사할 수 있는 장비가 요구된다.
일반적으로 웨이퍼 상의 이물이나 결함을 측정하는 방법으로는 웨이퍼 표면에 레이저를 집광하고 그 집광점으로부터 흩어지는 산란 빛을 수광하고 그 신호로부터 이물 등을 검출하는 방법이 사용되고 있다.
도 1은 종래 기술에 따른 표면 측정 장치의 개략적인 구조를 나타내는 사시도이다.
도 1을 참조하면, 종래 기술에 따른 표면 측정 장치(10)는 레이저빔(L)을 출사하는 광원, 웨이퍼 등의 측정대상물(11), 제1 및 제2 빔 검출부(12,13)를 포함하여 구성된다. 이 경우, 상기 제1 빔 검출부(12)는 상기 웨이퍼(11)로부터 산란됨 빔(Ls)를 검출한다. 즉, 상기 웨이퍼(11) 상의 집광 점으로부터의 산란 되는 빛을 렌즈를 이용하여 광전 변환기에 해당하는 제1 빔 검출부(12)에 수집되는 것이다. 산란 되는 빛을 수집한 상기 제1 빔 검출부는 레이저빔(L)이 이물 등에 의해 산란된 빔의 강도에 따르는 펄스모양의 신호를 출력하고, 그 신호출력의 크기에 따라서 이물 물체의 크기를 판단할 수 있다. 또한, 상기 제2 빔 검출부(13)는 상기 웨어퍼(11)에 의해 반사된 빔(Lr)을 검출한다. 이와 같이, 상기 표면 측정 장치(10)는 산란빔과 반사빔에 의한 신호를 모두 검출함으로써, 웨이퍼(11) 상의 이물의 존재 유무와 이물의 크기를 측정하고, 나아가 반사되는 빔의 각도를 측정하여 3차원 형상을 측정할 수 있다.
본 발명의 일 목적은 빔 스캔용 회전 미러의 움직임에 따른 오차를 최소화함으로써 고속·고분해능의 표면 측정이 가능한 빔 스캐너 및 표면 측정 장치를 제공하는 것에 있다.
상기한 목적을 달성하기 위해서, 본 발명의 일 측면은,
상부 및 하부 반사면과 상기 상부 및 하부 반사면 사이에 위치한 복수의 측 반사면을 구비하며, 상기 상부 및 하부 반사면을 관통하는 회전축을 중심으로 회전하여 상기 측 반사면에 입사된 빔을 일 방향으로 주사하는 회전미러와, 제1 빔을 상기 측 반사면에 조사하는 제1 광원과, 제2 빔을 상기 상부 및 하부 반사면 중 적어도 하나의 면에 조사하는 제2 광원 및 상기 제2 빔 중 상기 회전미러에 의해 반사된 빔을 수광하는 검출부를 포함하며, 상기 검출부는 상기 폴리곤 미러의 상하 움직임을 보정하는 보정부인 빔 스캐너를 제공한다.
본 발명의 일 실시 예에서, 상기 회전미러는 폴리곤 미러일 수 있다.
본 발명의 빔 스캐너는 상부 및 하부 반사면과 상기 상부 및 하부 반사면 사이에 위치한 복수의 측 반사면을 구비하며, 상기 상부 및 하부 반사면을 관통하는 회전축을 중심으로 회전하여 상기 측 반사면에 입사된 빔을 일 방향으로 주사하는 회전미러와, 제1 빔을 상기 측 반사면에 조사하는 제1 광원과, 제2 빔을 상기 상부 및 하부 반사면 중 적어도 하나의 면에 조사하는 제2 광원 및 상기 제2 빔 중 상기 회전미러에 의해 반사된 빔을 수광하는 검출부를 포함하며, 상기 검출부는 사중극자 위치 신호 검출기일 수 있다.
삭제
측정대상물을 수용하는 스테이지와, 상부 및 하부 반사면과 상기 상부 및 하부 반사면 사이에 위치한 복수의 측 반사면을 구비하며, 상기 상부 및 하부 반사면을 관통하는 회전축을 중심으로 회전하여 상기 측 반사면에 입사된 빔을 일 방향으로 주사하는 회전미러와, 제1 빔을 상기 측 반사면에 조사하는 제1 광원과, 제2 빔을 상기 상부 및 하부 반사면 중 적어도 하나의 면에 조사하는 제2 광원과, 상기 회전미러에 의해 주사된 상기 제1 빔 중 상기 측정대상물에 의해 반사된 빔을 수광하는 제1 검출부 및 상기 제2 빔 중 상기 회전미러에 의해 반사된 빔을 수광하는 제2 검출부를 포함하며, 상기 제2 검출부는 상기 폴리곤 미러의 상하 움직임을 보정하는 보정부인 표면 측정 장치를 제공한다.
본 발명의 일 실시 예에서, 상기 제1 검출부는 위치신호 검출부 및 반사광량 검출부를 구비할 수 있다.
본 발명의 표면 측정 장치는 측정대상물을 수용하는 스테이지와, 상부 및 하부 반사면과 상기 상부 및 하부 반사면 사이에 위치한 복수의 측 반사면을 구비하며, 상기 상부 및 하부 반사면을 관통하는 회전축을 중심으로 회전하여 상기 측 반사면에 입사된 빔을 일 방향으로 주사하는 회전미러와, 제1 빔을 상기 측 반사면에 조사하는 제1 광원과, 제2 빔을 상기 상부 및 하부 반사면 중 적어도 하나의 면에 조사하는 제2 광원과, 상기 회전미러에 의해 주사된 상기 제1 빔 중 상기 측정대상물에 의해 반사된 빔을 수광하는 제1 검출부 및 상기 제2 빔 중 상기 회전미러에 의해 반사된 빔을 수광하는 제2 검출부를 포함하며, 상기 제1 및 제2 검출부에 수광되는 신호는 서로 동기화되는 것이 바람직하다.
상술한 바와 같이, 본 발명에 따르면, 빔 스캔용 회전 미러의 움직임에 따른 오차를 최소화함으로써 고속·고분해능의 표면 측정이 가능한 빔 스캐너 및 표면 측정 장치를 얻을 수 있다. 특히, 본 발명을 사용할 경우, 상대적으로 가격이 저렴한 폴리곤 미러를 이용하여 높은 정밀도의 표면 측정을 수행할 수 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시형태들을 설명한다.
그러나, 본 발명의 실시형태는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 이하 설명하는 실시형태로 한정되는 것은 아니다. 또한, 본 발명의 실시형태는 당 업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서, 도면에서의 요소들의 형상 및 크기 등은 보다 명확한 설명을 위해 과장될 수 있으며, 도면상의 동일한 부호로 표시되는 요소는 동일한 요소이다.
도 2는 본 발명의 일 실시 형태에 따른 빔 스캐너를 나타내는 사시도이다. 도 2를 참조하면, 본 실시 형태에 따른 빔 스캐너(100)는 제1 광원(101), 회전미러(102), 제2 광원(103) 및 검출부(104)를 갖추어 구성된다.
상기 제1 광원(101)은 제1 빔(L1)을 상기 회전미러(102)의 측부에 위치한 반사면(S1, 이하, '측 반사면'이라 함)에 조사하며, 상기 회전미러(102)의 회전에 의해 상기 제1 빔(L1)은 일 방향으로 주사될 수 있다. 이렇게 주사된 제1 빔(L1)은 후술할 바와 같이 웨이퍼 등의 이물을 검출하는 데 이용될 수 있다. 상기 제1 광원(101)은 웨이퍼와 같은 측정대상물의 표면 상태를 측정하도록 측정대상물에 의해 반사 및 산란이 가능한 빔, 예컨대 레이저빔을 출사한다.
상기 회전미러(102)는 상부 및 하부 반사면을 구비하며, 상기 상부 및 하부 반사면 사이에는 상기 측 반사면(S1)이 위치한다. 상기 회전미러(102)로는 도 2에 도시된 것과 같이 폴리곤 미러를 사용할 수 있으며, 이 외에도 갈바노 미러, 원통형 미러 등을 사용할 수 있을 것이다. 다만, 비용 절감 차원에서 폴리곤 미러를 사용하는 것이 가장 바람직하다.
상술한 바와 같이, 상기 회전미러(102)는 상기 상부 및 하부 반사면을 관통하는 회전축을 중심으로 회전함으로써 제1 빔(L1)을 일 방향에 주사하며, 회전 운동 과정에서 의도되지 않은 움직임이 발생할 수 있다. 특히, 본 실시 형태와 같이, 폴리곤 미러를 사용할 경우, 회전미러(102)의 상하 방향 흔들림(wobbling)이 발생할 수 있다. 여기서, 상하 방향 흔들림이란 회전축 방향으로 회전미러(102)가 규칙적 또는 불규칙적으로 진동하는 것을 예로 들 수 있다. 이러한 회전미러(102)의 상하 방향 흔들림은 이와 수직 방향, 즉, 측 방향의 움직임에 비하여 상기 제1 빔(L1)이 주사되는 방향에 큰 영향을 미치며, 이물 등을 측정할 시 위치나 크기에 오차를 가져올 수 있다.
이러한 상하 방향 흔들림 문제를 해소하기 위하여 본 실시 형태에서는 상기 회전미러(102)의 상부 반사면(S2)에 제2 빔(L2)을 조사하는 제2 광원(103)과 상기 제2 빔(L2) 중 상기 상부 반사면(S2)에 의해 반사된 빔을 수광하는 검출부(104)를 채용하였다. 이 경우, 도 2에서는 회전미러(102)의 상부 반사면(S2)에만 빔을 조사하고 있으나, 하부 반사면에만 빔이 조사될 수 있으며, 나아가, 상부 및 하부 반사면 모두에 빔을 조사하여 정밀도를 더욱 향상시킬 수도 있을 것이다.
상기 제2 광원(103)은 상기 제1 광원(101)과 동일한 광원을 사용할 수 있으며, 상기 검출부(104)는 상기 회전미러(102)의 고속 회전 과정에서 발생하는 흔들림에 의한 위치 정보를 측정한다. 이를 위해 상기 검출부(104)는 사중극자 위치 신호 검출기(Quadruple Position Sensitive Detector, QPSD)를 사용하여 다수의 축에 대한 위치 정보를 측정할 수 있다. 상기 빔 스캐너(100)를 도 3에 도시된 것과 같이 표면 측정 장치로 사용할 경우, 상기 검출부(104)에서 측정된 신호는 시간 축 상에서 측정대상물에 의해 반사됨 제1 빔(L1) 또는 산란된 빔의 신호와 동기화되며, 측정대상물 표면에서 이물 등의 위치를 정확히 보정할 수 있는 정보를 제공할 수 있다.
이와 같이, 본 실시 형태에 따른 빔 스캐너(100)는 회전미러(102)의 흔들림을 보정하여 높은 정밀도를 갖는 표면 측정 장치에 사용될 수 있으며, 특히, 비교적 가격이 저렴한 폴리곤 미러를 사용하여 고속·고분해능의 표면 측정이 가능할 수 있다.
도 3은 본 발명의 다른 실시 형태에 따른 표면 측정 장치를 나타내는 사시도이다. 도 3을 참조하면, 본 실시 형태에 따른 표면 측정 장치(200)는 빔 스캐너(100), 스테이지(201), 제1 및 제2 렌즈(202, 203), 반사빔 검출부(204) 및 산란빔 검출부(205)를 갖추어 구성된다.
상기 빔 스캐너(100)는 상세히 도시하지는 않았으나, 도 2에서 설명한 구조 를 가질 수 있다. 즉, 상기 빔 스캐너(100)로부터 주사되는 빔은 도 2의 제1 빔(L1)에 해당한다.
상기 스테이지(201)는 웨이퍼 등의 측정대상물(미도시)을 상면에 수용하며, 상기 측정대상물(102)을 직선 운동이 되도록 한다. 이러한 직선 운동과 상기 빔 스캐너(100)의 일 방향 주사 효과에 의해 상기 빔 스캐너를 움직이지 않고도 측정대상물 표면 전체를 측정할 수 있다.
상기 빔 스캐너(100)로부터 출사된 주사 빔은 제1 렌즈(202)를 거쳐 스테이지(201) 상의 측정 대상물에 조사되며, 이로부터 반사된 빔(Lr)은 제2 렌즈(203)를 거쳐 상기 반사빔 검출부(204)에 수광된다. 이 경우, 상기 제1 및 제2 렌즈(202, 203)는 에프쎄타 렌즈를 사용할 수 있다. 또한, 측정대상물에 의해 산란된 빔(Ls)은 집광렌즈(206)를 거쳐 측정대상물 상부에 위치한 산란빔 검출부(205)에 수광될 수 있다.
상기 반사빔 검출부(204) 및 산란빔 검출부(205)는 광 신호를 전기 신호로 변환하여 이를 분석할 수 있는 장치이다. 상기 산란빔 검출부(205)는 측정대상물 상에 배치되며, 광신호를 전류신호로 변환하여 이를 해석함으로써 상기 측정대상물의 위치 등을 판단할 수 있으며, 반사빔 검출부(204)의 출력을 보정하는데 이용될 수 있다. 즉, 상기 산란빔 검출부(205)는 상기 측정대상물(204)로부터 산란된 빔, 즉, 표면에 존재하는 이물 등에 의해 난반사된 잡음 신호(Ls)를 검출하기 위한 것 이다. 측정대상물 표면에서 빔이 주사되는 과정에서 이물이나 흠집 등이 없는 경우에는 대부분의 빔은 산란되지 않고 반사되어 반사빔 검출부(204)에 수광되나, 이물 등이 존재하는 경우에는 순간적으로 산란빔(Ls)의 강도가 증가되며, 이러한 신호와 반사된 빔을 함께 분석하여 이물이 존재하는 위치나 이물의 크기 등을 알아낼 수 있다.
이러한 이물 검출 과정에서 상기 빔 스캐너(100)에 포함된 회전미러(102)의 상하 흔들림 신호를 측정하는 검출부(104)와 상기 반사빔 검출부(204)는 서로 동기화되며, 상기 검출부(104)가 제공하는 회전미러(102)의 흔들림 정보에 의해 이물의 위치나 형상은 보다 정밀하게 보정될 수 있다. 이에 따라, 본 실시 형태의 표면 측정 장치(200)에 의해, 폴리곤 미러의 고속 흔들림이 있더라도 1㎛ 급의 고분해능을 얻을 수 있다.
한편, 상기 반사빔 검출부(204)는 반사광량 측정부 및 위치신호 검출부(PSD)를 구비할 수 있으며, 이에 의해, 3차원 형상의 측정이 가능하다. 즉, 위치신호 검출부는 반사된 빔 각도의 변화를 측정할 수 있으며, 이러한 측정값을 토대로 삼각측정법으로써 3차원 형상의 측정이 가능하다. 이에 따라, 모폴로지(morphology) 변화에 따른 3차원 형상을 측정할 수 있다.
본 발명은 상술한 실시 형태 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니며, 첨부된 청구범위에 의해 한정하고자 한다. 따라서, 청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 당 기술분야의 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 형태의 치환, 변형 및 변경이 가능할 것이며, 이 또한 본 발명의 범위에 속한다고 할 것이다.
도 1은 종래 기술에 따른 표면 측정 장치의 개략적인 구조를 나타내는 사시도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시 형태에 따른 빔 스캐너를 나타내는 사시도이다.
도 3은 본 발명의 다른 실시 형태에 따른 표면 측정 장치를 나타내는 사시도이다.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
101: 제1 광원 102: 회전미러
103: 제2 광원 104: 검출부
100: 빔 스캐너 202, 203: 제1 및 제2 렌즈
204: 반사빔 검출부 205: 산란빔 검출부
206: 집광렌즈

Claims (10)

  1. 상부 및 하부 반사면과 상기 상부 및 하부 반사면 사이에 위치한 복수의 측 반사면을 구비하며, 상기 상부 및 하부 반사면을 관통하는 회전축을 중심으로 회전하여 상기 측 반사면에 입사된 빔을 일 방향으로 주사하는 회전미러;
    제1 빔을 상기 측 반사면에 조사하는 제1 광원;
    제2 빔을 상기 상부 및 하부 반사면 중 적어도 하나의 면에 조사하는 제2 광원; 및
    상기 제2 빔 중 상기 회전미러에 의해 반사된 빔을 수광하는 검출부;
    를 포함하며,
    상기 검출부는 상기 회전미러의 상하 움직임에 따른 상기 제1 빔의 주사 위치를 보정하는 보정부인 것을 특징으로하는 빔 스캐너.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 회전미러는 폴리곤 미러인 것을 특징으로 하는 빔 스캐너.
  3. 삭제
  4. 상부 및 하부 반사면과 상기 상부 및 하부 반사면 사이에 위치한 복수의 측 반사면을 구비하며, 상기 상부 및 하부 반사면을 관통하는 회전축을 중심으로 회전하여 상기 측 반사면에 입사된 빔을 일 방향으로 주사하는 회전미러;
    제1 빔을 상기 측 반사면에 조사하는 제1 광원;
    제2 빔을 상기 상부 및 하부 반사면 중 적어도 하나의 면에 조사하는 제2 광원; 및
    상기 제2 빔 중 상기 회전미러에 의해 반사된 빔을 수광하는 검출부;
    를 포함하며,
    상기 검출부는 사중극자 위치 신호 검출기인 것을 특징으로 하는 빔 스캐너.
  5. 측정대상물을 수용하는 스테이지;
    상부 및 하부 반사면과 상기 상부 및 하부 반사면 사이에 위치한 복수의 측 반사면을 구비하며, 상기 상부 및 하부 반사면을 관통하는 회전축을 중심으로 회전하여 상기 측 반사면에 입사된 빔을 일 방향으로 주사하는 회전미러;
    제1 빔을 상기 측 반사면에 조사하는 제1 광원;
    제2 빔을 상기 상부 및 하부 반사면 중 적어도 하나의 면에 조사하는 제2 광원;
    상기 회전미러에 의해 주사된 상기 제1 빔 중 상기 측정대상물에 의해 반사된 빔을 수광하는 제1 검출부; 및
    상기 제2 빔 중 상기 회전미러에 의해 반사된 빔을 수광하는 제2 검출부;
    를 포함하며,
    상기 제2 검출부는 상기 회전미러의 상하 움직임에 따른 상기 제1 빔의 주사 위치를 보정하는 보정부인 것을 특징으로 하는 표면 측정 장치.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 회전미러는 폴리곤 미러인 것을 특징으로 하는 표면 측정 장치.
  7. 제5항에 있어서,
    상기 제1 검출부는 위치신호 검출부 및 반사광량 검출부를 구비하는 것을 특징으로 하는 표면 측정 장치.
  8. 삭제
  9. 측정대상물을 수용하는 스테이지;
    상부 및 하부 반사면과 상기 상부 및 하부 반사면 사이에 위치한 복수의 측 반사면을 구비하며, 상기 상부 및 하부 반사면을 관통하는 회전축을 중심으로 회전하여 상기 측 반사면에 입사된 빔을 일 방향으로 주사하는 회전미러;
    제1 빔을 상기 측 반사면에 조사하는 제1 광원;
    제2 빔을 상기 상부 및 하부 반사면 중 적어도 하나의 면에 조사하는 제2 광원;
    상기 회전미러에 의해 주사된 상기 제1 빔 중 상기 측정대상물에 의해 반사된 빔을 수광하는 제1 검출부; 및
    상기 제2 빔 중 상기 회전미러에 의해 반사된 빔을 수광하는 제2 검출부;
    를 포함하며,
    상기 제2 검출부는 사중극자 위치 신호 검출기인 것을 특징으로 하는 표면 측정 장치.
  10. 측정대상물을 수용하는 스테이지;
    상부 및 하부 반사면과 상기 상부 및 하부 반사면 사이에 위치한 복수의 측 반사면을 구비하며, 상기 상부 및 하부 반사면을 관통하는 회전축을 중심으로 회전하여 상기 측 반사면에 입사된 빔을 일 방향으로 주사하는 회전미러;
    제1 빔을 상기 측 반사면에 조사하는 제1 광원;
    제2 빔을 상기 상부 및 하부 반사면 중 적어도 하나의 면에 조사하는 제2 광원;
    상기 회전미러에 의해 주사된 상기 제1 빔 중 상기 측정대상물에 의해 반사된 빔을 수광하는 제1 검출부; 및
    상기 제2 빔 중 상기 회전미러에 의해 반사된 빔을 수광하는 제2 검출부;
    를 포함하며,
    상기 제1 및 제2 검출부에 수광되는 신호는 서로 동기화되는 것을 특징으로 하는 표면 측정 장치.
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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH115181A (ja) * 1997-06-13 1999-01-12 Sumitomo Heavy Ind Ltd レーザによるガラス基板の加工方法及び加工装置
KR20080098811A (ko) * 2007-05-07 2008-11-12 삼성전기주식회사 표면 측정 장치

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0429005A (ja) 1990-05-24 1992-01-31 Sharp Corp クリーム半田印刷基板の検査装置
JPH11179579A (ja) 1997-12-22 1999-07-06 Sony Corp 光軸補正方法、装置及びそれを利用した露光加工装置
JP2006084331A (ja) * 2004-09-16 2006-03-30 Matsushita Electric Ind Co Ltd ポリゴンミラーモータの偏心測定装置
JP4661167B2 (ja) * 2004-11-02 2011-03-30 パナソニック株式会社 ポリゴンミラーモータの測定装置

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH115181A (ja) * 1997-06-13 1999-01-12 Sumitomo Heavy Ind Ltd レーザによるガラス基板の加工方法及び加工装置
KR20080098811A (ko) * 2007-05-07 2008-11-12 삼성전기주식회사 표면 측정 장치

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