JP2004347434A - 微小欠陥検査装置及び回路基板の製造方法 - Google Patents

微小欠陥検査装置及び回路基板の製造方法 Download PDF

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Abstract

【課題】微小欠陥検査装置の光学性能及び光学的分解能を上げることなく、従来より高い分解能で検査対象物の微小欠陥を検出する(検査用の照射光の焦点径より微細な欠陥を検出する)微小欠陥検査装置を提供する。
【解決手段】本発明の微小欠陥検査装置は、検査対象物上にコヒーレンス性の高い微小光を垂直に照射する光源と、前記検査対象物からの反射光をフーリエ変換するフーリエ変換光学系と、フーリエ変換された反射光により、フーリエ変換面に生成されるフーリエ変換光パターンの光量分布を検出する光検出手段と、前記フーリエ変換光パターンの光量分布から、前記検査対象物の微小欠陥を検出する欠陥検出手段と、を有する。
【選択図】 図1

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は微小欠陥検査装置及び回路基板の製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
電子部品の小型化及び回路基板における部品実装の高密度化に伴い、部品を実装し半田付けした回路基板の微小欠陥(典型的には半田抜け、半田ボール及び半田ブリッジ等の半田付け不良)を肉眼で検出することが不可能になってきている。部品を実装し半田付けした回路基板の微小欠陥を自動的に検出する微小欠陥検査装置が開発されている。特許文献1に、三角測量の原理を用いて部品を実装し半田付けした回路基板の三次元の形状を計測し、計測した形状に基づいて回路基板の欠陥を検出する従来例の微小欠陥検査装置が提案されている。
【0003】
図6を用いて、従来例の微小欠陥検査装置について説明する。図6は、三角測量の原理に基づいて検査対象物の表面形状データを計測する従来例の三次元形状計測装置の動作原理を示す図である。三次元形状計測装置601は、検査対象物612の三次元形状を計測する。三次元形状計測装置601は、レーザ光631を出力するレーザユニット611、第1のPSD(Position Sensitive Detector)613、第2のPSD614、第3のPSD615、第4のPSD616を有する。
レーザユニット611は、レーザユニット611のレーザ照射源座標(X,Y,Z)621から検査対象物612上の照射座標(X,Y)622にレーザ光631を照射する。検査対象物612上のレーザ光631の焦点径は、10〜100μm程度である。4個のPSD613〜616は、レーザ光631が検査対象物612上で反射した反射光632を信号受信座標(X,Y,Z)623、624等で受信する(第2のPSD614及び第3のPSD615の信号受信座標は図示せず。)。
【0004】
下記の計算式(1)より、検査対象物612の照射位置における高さH(x,y)を算出する。
Figure 2004347434
Ia(x,y)、Ib(x,y)はPSD613から出力される信号値であり、同様にPSD614、PSD615、PSD616からも信号値Ia(x,y)、Ib(x,y)が出力される。また、下記の計算式(2)より、検査対象物612の照射位置における輝度値B(x,y)を算出する。
B(x,y)=Ia(x,y)+Ib(x,y) …(2)
三次元形状計測装置601では、エネルギー照射系(レーザユニット611及び4個のPSD613〜616)を固定したまま、検査対象物612をXY平面(回路基板面に平行な平面)内で平行移動させ、繰り返し信号計測を行う。
上記方法に基づき計測した三次元の形状と設計値(例えば部品を半田付けした良品の回路基板を計測して得た高さH(x,y)及び輝度値B(x,y)の値)とを比較して、微小欠陥を検出する。
【0005】
【特許文献1】
特開2000−230815号公報
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、例えば部品を半田付けした回路基板(以下、「実装済み回路基板」と呼ぶ。)上の微小欠陥であるマイクロブリッジ(微小な半田ブリッジ)の短辺方向の幅は、数μm程度であり、従来の検査装置の検査対象物に照射するレーザ光の焦点径サイズは、10〜100μm程度であった。従来の検査装置を用いて実装済みプリント基板(部品実装基板)上の微小欠陥を検出するためには、回路基板と平行な平面方向の分解能を向上し、且つ、回路基板に垂直な高さ方向のダイナミックレンジ及び分解能を上げる必要があった。つまり、検査対象物に照射するレーザ光の焦点径サイズを微小欠陥より小さくする必要があった。しかし、光学的性能、光学的分解能を大幅に向上させることは困難である。
【0007】
もしレーザ光の焦点径サイズが数μm以下である従来の検査装置が製造可能であったとしても、その検査装置で実装済み回路基板の検査を行った場合、レーザ光の焦点径サイズが10〜100μm程度である従来の(現在実際に存在する)検査装置で同一の実装済み回路基板の検査を行った場合と比較して、平面の2方向及び高さ方向の計測データ量がそれぞれ1桁程度増えてしまう。この場合、検査に必要となるデータ量が1000倍程度に増えてしまう。その結果、検査時間が大幅に増加するという問題があった。
【0008】
三角測量により検査対象物の三次元形状を計測する従来例の検査装置は、検査対象物上の結像点から受光センサ(例えばPSD)までの光路上に例えば背の高い部品等の遮蔽物があった場合、その領域については三次元形状を計測出来ないという問題があった。
【0009】
従来例の検査装置は、計測した三次元の形状と設計値(目標値)とを比較し、その差異に基づいて検査対象物の微小欠陥(例えば)を検出した。
しかし、実装済み回路基板の外観形状は極めて多様である。それ故に、実装済み回路基板の微小欠陥検査装置においては、設計値として一定の三次元の形状を登録することが事実上困難であった。
実装済み回路基板においては、良好な半田付け部分といえども、必ずしも一定の形状を有するわけではない。それ故に、実装済み回路基板の微小欠陥検査装置においては、計測した三次元の形状と、設計値として登録した一定の形状とを比較し、その間の差異が大きい部分を欠陥部分として抽出する方法では、微小欠陥のみを抽出することが困難である(微小欠陥部分と、良好な部分とを合わせて抽出してしまい、抽出された全ての部分について、ベテラン作業者が微小欠陥の有無を判定を重ねて行う必要がある)という問題があった。
【0010】
本発明は上記のような課題を解決するもので、微小欠陥検査装置の光学性能及び光学的分解能を上げることなく、従来より高い分解能で検査対象物の微小欠陥を検出する(検査用の照射光の焦点径より微細な欠陥を検出する)微小欠陥検査装置を提供することを目的とする。
本発明は、従来と同等の計測データ量で(従来と同じ検査速度で)従来より高い分解能で検査対象物の微小欠陥を検出する(検査用の照射光の焦点径より微細な欠陥を検出する)微小欠陥検査装置を提供することを目的とする。
【0011】
本発明は、背の高い部品等の遮蔽物に邪魔されることなく、直接外部に露出している部分であれば検査対象物のどの領域においても微小欠陥を検出可能な微小欠陥検査装置を提供することを目的とする。
本発明は、良否判定の基準値として、各領域の形状の設計値を定量的に登録することなく、各領域に微小欠陥が存在するか否かを検査可能な微小欠陥検査装置を提供することを目的とする。
本発明は、簡単な構成で小型・軽量の微小欠陥検査装置を提供することを目的とする。
【0012】
【課題を解決するための手段】
前記従来課題を解決するために、本発明は以下の構成をとる。請求項1に記載の発明は、検査対象物上にコヒーレンス性の高い微小光を垂直に照射する光源と、前記検査対象物からの反射光をフーリエ変換するフーリエ変換光学系と、フーリエ変換された反射光により、フーリエ変換面に生成されるフーリエ変換光パターンの光量分布を検出する光検出手段と、前記フーリエ変換光パターンの光量分布から、前記検査対象物の微小欠陥を検出する欠陥検出手段と、を有することを特徴とする微小欠陥検査装置である。
【0013】
本発明は、光学フーリエ変換によって実空間から周波数空間へデータ変換することによって、照射光よりも小さい欠陥を検査可能な微小欠陥検査装置を実現する。本発明は、微小欠陥検査装置の光学性能及び光学的分解能を上げることなく、従来より高い分解能で検査対象物の微小欠陥を検出する(検査用の照射光の焦点径より微細な欠陥を検出する)微小欠陥検査装置を実現する。
本発明は、従来と同等の計測データ量で(従来と同じ検査速度で)従来より高い分解能で検査対象物の微小欠陥を検出する(検査用の照射光の焦点径より微細な欠陥を検出する)微小欠陥検査装置を実現する。
【0014】
本発明は、背の高い部品等の遮蔽物に邪魔されることなく、直接外部に露出している部分であれば検査対象物のどの領域においても微小欠陥を検出可能な微小欠陥検査装置を実現する。
本発明は、良否判定の基準値として、各領域の形状の設計値を定量的に登録することなく、各領域に微小欠陥が存在するか否かを検査可能な微小欠陥検査装置を実現する。
本発明は、簡単な構成で小型・軽量の微小欠陥検査装置を実現する。
【0015】
「コヒーレンス性の高い光」とは、典型的にはレーザ光である。「微小光」とは、検査対象物上で光が結像されて小さな径のビームスポットを形成した光のことを意味する。「フーリエ変換面」とは、フーリエ変換された反射光が結像する平面を意味する。「フーリエ変換光パターン」は、フーリエ変換された反射光(以下、「フーリエ変換光」と呼ぶ。)の結像パターンを意味する。フーリエ変換光学系は、その焦点から放射してその開口部に入力した光の低周波成分に応じた光を、その中心部から出力し、その開口部に入力した光の高周波成分に応じた光を、その周辺から出力する。例えばフーリエ変換光学系がその開口部全体に一様な強度の光(空間的に低周波成分のみを有する光)を入力すると、フーリエ変換光学系は、中心部のみから光(フーリエ変換光)を出力する。例えばフーリエ変換光学系がその開口部の中心のみに光を入力し、その開口部の周辺から光を入力しないと(空間的に高周波成分を有する光を入力すると)、フーリエ変換光学系は、開口部全体から光(フーリエ変換光)を出力する。
【0016】
請求項2に記載の発明は、前記フーリエ変換光学系が、前記微小光を前記検査対象物上に結像させる結像光学系を兼ねていることを特徴とする請求項1に記載の微小欠陥検査装置である。本発明は、専用の結像光学系を省略することにより、さらに小型で軽量の微小欠陥検査装置を実現する。
【0017】
請求項3に記載の発明は、前記光源と前記フーリエ変換光学系との間の光路中に、光軸が前記照射光と一致している前記フーリエ変換された反射光を偏向させ、前記光検出手段に導く偏向光学系を更に有することを特徴とする請求項2に記載の微小欠陥検査装置である。本発明によれば、簡単な構成で、照射光とフーリエ変換光とを分離できる。
【0018】
請求項4に記載の発明は、前記微小光を前記検査対象物上に結像させる結像光学系を更に有することを特徴とする請求項1に記載の微小欠陥検査装置である。フーリエ変換光学系と結像光学系とを別個に設けることにより、光学系の設計自由度を増すことが出来、且つ照射光の焦点径サイズを小さく出来る(より高い分解能でマイクロブリッジを検出出来る。)。
【0019】
請求項5に記載の発明は、前記結像光学系と前記検査対象物との間の光路中に、前記反射光を偏向させ、前記フーリエ変換光学系に導く偏向光学系を更に有することを特徴とする請求項4に記載の微小欠陥検査装置である。本発明によれば、簡単な構成で、照射光とフーリエ変換光とを分離できる。
【0020】
請求項6に記載の発明は、前記偏向光学系が、ハーフミラーであることを特徴とする請求項3又は請求項5に記載の微小欠陥検査装置である。偏向光学系をハーフミラーにすることにより、照射光を遮ることなく、照射光とフーリエ変換光とを分離できる。
【0021】
請求項7に記載の発明は、前記偏向光学系が、穴あきミラーであることを特徴とする請求項3又は請求項5に記載の微小欠陥検査装置である。本発明によれば、簡単な構成で、照射光とフーリエ変換光とを分離できる。偏向光学系を穴あきミラーにすることにより、照射光をほとんどロスすることなく検査対象物に照射できる故、フーリエ変換面で大きな光量が得られる。フーリエ変換光の低周波成分は穴あきミラーの真中の穴を突き抜けてしまうためフーリエ変換面に到達しない。本発明により低周波成分以外の光成分のみがフーリエ変換面に到達する故、光検出手段の出力信号は、周波数選択性を有する。これにより、微小な欠陥(例えばマイクロブリッジ)を容易に検出できる。
【0022】
請求項8に記載の発明は、前記光検出手段は、前記フーリエ変換面毎に配置された前記フーリエ変換光パターンを光電変換する複数の領域に分割された光電変換手段であって、前記欠陥検出手段は、前記光電変換手段の各領域から出力される電気信号を演算し、前記フーリエ変換光パターンの輝度分布を求め、微小欠陥の有無、又は微小欠陥の有無及び微小欠陥の発生方向を検出することを特徴とする請求項1に記載の微小欠陥検査装置である。本発明の微小欠陥検査装置によれば、複雑な演算処理を行うことなく、高速で微小欠陥の検出処理を行うことが出来る。
【0023】
請求項9に記載の発明は、前記光電変換手段が、互いに独立した電気信号を出力するように表面分割されたフォトダイオードであることを特徴とする請求項8に記載の微小欠陥検査装置である。フォトダイオードにより、光電変換を高速に行うことができる。
【0024】
請求項10に記載の発明は、前記光電変換手段が、フーリエ変換光パターンの空間周波数分布を検出することを特徴とする請求項8に記載の微小欠陥検査装置である。本発明によれば、周波数成分を検出するとともに、その空間上の方向性を検出することができる。
「フーリエ変換光パターンの空間周波数分布を検出する」とは、フーリエ変換面(2次元平面)上で、少なくとも2方向の光成分の周波数分布を検出することを意味する。「周波数分布」とは、所定の帯域の周波数成分の相対値、絶対値又はその帯域の周波数成分の有無(有るか又は無いかの2値)を検出することを意味する。各帯域の周波数及び各帯域の光成分強度を定量的に検出しても良く、定性的に検出しても良い。例えば高い周波数成分の強度が所定の閾値より高いことを検出すると、欠陥検出手段は検査対象物に微小欠陥が存在すると判断する。この場合、例えば高い周波数の下限周波数、その周波数成分の強度測定条件及び閾値の各値が厳密に規定されていれば定量的検出であり、各値がそれほど厳密性を要求されていなければ、定性的検出である。
【0025】
請求項11に記載の発明は、前記検査対象物が部品を半田付けした回路基板であって、前記欠陥検出手段は、前記フーリエ変換光パターンの輝度分布において、所定の空間周波数よりも高い周波数成分が所定値より大きい場合、その測定点に半田ブリッジ又は半田ボールが存在すると判断することを特徴とする請求項8に記載の微小欠陥検査装置である。部品を半田付けした回路基板の検査装置において、本発明により、従来より正常部分を誤って欠陥部分と検知したり、又は欠陥部分を正常であると誤認識したりすることを低減できる。
【0026】
請求項12に記載の発明は、前記欠陥検出手段は、前記フーリエ変換光パターンの輝度分布において、所定の空間周波数よりも高い周波数成分が所定値より大きく且つ空間周波数の存在する方向が所定の方向を示す場合、半田ブリッジとして認識し、所定の空間周波数よりも高い周波数成分が所定値より大きく且つ空間周波数の分布が特定の方向性を示さない場合、半田ボールとして認識することを特徴とする請求項11のいずれかに記載の微小欠陥検査装置である。本発明により、高い精度で欠陥部分を検出できる。
【0027】
請求項13に記載の発明は、前記光検出手段は、前記フーリエ変換面毎に配置された前記フーリエ変換光パターンを光電変換する複数の領域に分割された光電変換手段であって、前記光電変換手段の各領域から出力される全ての電気信号を加算することにより、検査対象物の輝度を検出し、前記輝度を用いて、検査対象物の形状を検出する形状検出手段を更に有することを特徴とする請求項1に記載の微小欠陥検査装置である。フーリエ変換光から、特性の異なるデータを生成できる。例えば欠陥検出手段の出力データと形状検出手段の出力データとを組み合わせて、更に高精度の欠陥検出をすることが出来る。
【0028】
請求項14に記載の発明は、結像光をX軸方向に移動させるX軸移動手段と、検査対象物を載置するステージを少なくともY軸方向に移動するY軸移動手段と、を更に有することを特徴とする請求項1〜13のいずれかに記載の微小欠陥検査装置である。本発明により、広い検査領域を有する検査対象物を効率的に検査できる。X軸移動手段が検査対象物のX軸方向の端から端まで結像光を走査させても良い。又は、X軸移動手段が検査対象物のX軸方向の所定の幅の範囲内で結像光を走査させ、第2のX軸移動手段が検査対象物を載置するステージをX軸方向にその所定の幅だけ順次移動させても良い。
【0029】
請求項15に記載の発明は、前記X軸移動手段が、ポリゴンミラーであることを特徴とする請求項14に記載の微小欠陥検査装置である。本発明によれば、広い検査領域を有する検査対象物を高速に検査できる。
【0030】
請求項16に記載の発明は、拡散する前記反射光を計測する1つ以上の他の光検出手段と、前記他の光検出手段の出力信号を用いて、三角測量の原理に基づき前記検査対象物の三次元の形状を計測する三次元計測手段と、を更に有し、前記欠陥検出手段は、前記フーリエ変換光パターンの光量分布と、計測された前記三次元の形状とに基づいて、前記検査対象物の欠陥を検出することを特徴とする請求項1から請求項15のいずれかの請求項に記載の微小欠陥検査装置である。三次元形状とフーリエ変換光パターンとの双方の情報を用いて欠陥検査を行うことで、より信頼性の高い微小欠陥検査をすることが出来る。例えば、照射光のビームスポット径より大きな欠陥は三次元形状に基づいて検知し、照射光のビームスポット径より小さな欠陥はフーリエ変換光パターンの光量分布に基づいて検出する。
好ましくは同一のレーザ光からの反射光を用いて、検査対象物上のレーザ光の焦点径より小さな欠陥の検出(フーリエ変換レンズによる欠陥検出)と、検査対象物上のレーザ光の焦点径より大きな欠陥の検出(三角測量法による欠陥検出)とを行う。平行レーザ光及び結像光の光軸(検査対象物に垂直な)方向に反射する反射光を用いて、フーリエ変換レンズによる欠陥検出を行い、それ以外の(検査対象物に垂直でない)方向に拡散する反射光を用いて、三角測量法による欠陥検出を行う。
【0031】
請求項17に記載の発明は、回路基板に部品を載置し、半田付けする回路基板組立ステップと、部品を半田付けした前記回路基板を前記検査対象物として、請求項1から請求項16のいずれかの請求項に記載の微小欠陥検査装置を用いて、前記検査対象物の微小欠陥を検出し、微小欠陥が検出されなかった前記回路基板のみを良品と判断して、次ステップに送る微小欠陥検査ステップと、を有することを特徴とする回路基板の製造方法である。
本発明により、高品質の部品を半田付けした回路基板(部品実装基板)を完成させることが出来る。「次ステップ」は、例えば部品実装基板の動作検査を行うステップ、部品実装基板を梱包出荷するステップ、部品実装基板を機器に組み込むステップである。
【0032】
【発明の実施の形態】
本発明の各実施の形態における微小欠陥検査装置について、図面を参照しながら説明する。
【0033】
《実施の形態1》
図1〜図3を用いて、本発明の実施の形態1の微小欠陥検査装置について説明する。はじめに、本発明の実施の形態1の微小欠陥検査装置の概要について説明する。図1は、本発明の実施の形態1の微小欠陥検査装置101の概略的な構成を示すブロック図である。微小欠陥検査装置101は、平行レーザ光131を出力するレーザユニット111(例えばレーザ発振器とコリメータレンズとを有する。)、平行レーザ光131を検査対象物である部品実装基板(部品が実装されて半田付けされたプリント基板(回路基板))112上に集光し且つ部品実装基板112からの反射光133をフーリエ変換する結像兼フーリエ変換レンズ群114、フーリエ変換された反射光(フーリエ変換光)133を偏向する(光の進路を変える)ビームスプリッタ(偏向光学系)115(平行レーザ光131を所定の比率で透過させる。)、フーリエ変換面116に配置され、フーリエ変換光パターンを電気信号に変換する光電変換素子で構成される検出器117、拡散光134を位置検出器122の受光面上に集光する1つまたは、複数の結像レンズ群121、集光された拡散光134の集光位置に応じて、電気信号を出力する1つまたは、複数の位置検出器122、部品実装基板112(検査対象物)の欠陥を検出する演算処理手段(欠陥検出手段)123を有する。116は、偏向されたフーリエ変換光133が結像してフーリエ変換光パターンを生成するフーリエ変換面である。
【0034】
演算処理手段123は、検出器117より出力される電気信号を演算し、光ビームスポットの径(照射光の焦点径)より小さな微小欠陥の有無等の判定を行い、位置検出器122より出力される電気信号を演算し、検査対象物の形状計測を行って、光ビームスポットの径より大きな欠陥の有無等の判定を行う。
一般に結像兼フーリエ変換レンズ群114、フーリエ変換レンズ群418及び518、結像レンズ群121、421、519及び521は複数のレンズで構成されるが、図面(図1、4及び5)上では簡略化して1個のレンズで表している。
図1において、光ビームが照射されている検査対象物である部品実装基板112の部分には、微小な半田(反射率が高い物)113が付着している。
【0035】
部品実装基板112の表面から結像兼フーリエ変換レンズ群114までの光路長は、結像兼フーリエ変換レンズ群114の焦点距離と一致する。結像兼フーリエ変換レンズ群114からフーリエ変換面116までの光路長は、結像兼フーリエ変換レンズ群114の焦点距離と一致する。
実施の形態1のビームスプリッタ115は、ハーフミラーである。実施の形態1の検出器117の光電変換素子は、フォトダイオードである。実施の形態1の位置検出器122は、PSDである。
【0036】
レーザユニット111は、部品実装基板112に垂直にコヒーレンス性が高い平行レーザ光131を照射する。ビームスプリッタ115は、平行レーザ光131を所定の分割比率で透過させる。結像兼フーリエ変換レンズ群114は、透過平行レーザ光131を部品実装基板112上に結像させる。部品実装基板112上の結像光132の焦点径は、10〜100μm程度である。結像光132は、部品実装基板112上で反射する(以下、平行レーザ光131及び結像光132の光軸方向に反射する光を反射光133、それ以外の方向に放射する光を拡散光134と言う。)。
【0037】
反射光133は、結像兼フーリエ変換レンズ群114により、光学フーリエ変換される。反射光133は、光学フーリエ変換によって、実空間から周波数空間へデータ変換される。フーリエ変換された反射光133(フーリエ変換光)は、ビームスプリッタ115により所定の分割比率で偏向される(進行方向を変更する)。進行方向を変更した反射光133(フーリエ変換光)は、フーリエ変換面116にフリーエ変換光パターンを生成する。検出器117は、フーリエ変換光パターンを電気信号に変換する。検出器117が出力する電気信号に基づき、演算処理手段123は、結像光132の焦点径より小さな部品実装基板112の微小欠陥を検出する(詳細は後述)。
【0038】
拡散光134は、結像レンズ群121により、位置検出器(PSD)122の受光面上に集光する。PSD122は、拡散光134の受光位置に応じて2つの電気信号を出力する。例えば回路基板112上に部品又は半田が存在して、結像光132の反射高さが変化すると、PSD122が拡散光134を受光する位置が変化し、PSD122が出力する2つの電気信号が変化する。従来例と同様に、演算処理手段123は、PSD122の出力電気信号から三角測量の原理により部品実装基板112の照射位置における高さ及び輝度値を算出する。演算処理手段123は、計測した三次元の形状と設計値(例えば良品の部品実装基板を計測して得た高さH(x,y)及び輝度値B(x,y)の値)とを比較して、結像光132の焦点径より大きな部品実装基板112の欠陥を検出する。演算処理手段123が計測した三次元の形状と設計値とを比較して部品実装基板112の欠陥を検出する方法は、従来例と同様の公知の方法である。その検出方法の説明を省略する。
【0039】
次に、本発明の実施の形態1に特有の微小欠陥検査方法(検出器117が出力する電気信号に基づき、演算処理手段123が、結像光132の焦点径より小さな部品実装基板112の微小欠陥を検出する方法)について説明する。図2は、図1における部品実装基板112の表面の形状とその反射光によるフーリエ変換光パターンとの相関例を示す図である。
図2(a1)は、部品実装基板112上に存在するX軸方向に伸びた形状を有する反射率の高い物(典型的には半田)213に結像光232が照射された場合を示している。反射率の高い物213は、例えば部品実装基板112上に発生するX軸方向の半田ブリッジ(マイクロブリッジ)である。図2(a1)の反射率の高い物213に結像光232が照射された場合、その反射光133のレベルはX軸方向に一様であり(X軸方向には低周波成分のみを有する。)、Y軸方向に変化する(Y軸方向には高周波成分を有する。)。フーリエ変換面116に形成されるそのフーリエ変換光パターン218は、検査対象物が伸びた方向(X軸方向)に狭く、X軸と直交するY軸方向に伸びた輝度分布を有する(図2(a2))。
【0040】
図2(b1)は、Y軸方向に伸びた形状を有する反射率の高い物213に結像光232が照射された場合を示している。反射率の高い物213は、例えば部品実装基板112上に発生するY軸方向の半田ブリッジ(マイクロブリッジ)である。図2(b1)の反射率の高い物213に結像光232が照射された場合、その反射光133のレベルはY軸方向に一様であり(Y軸方向には低周波成分のみを有する。)、X軸方向に変化する(X軸方向には高周波成分を有する。)。フーリエ変換面116に形成されるそのフーリエ変換光パターン218は、検査対象物が伸びた方向(Y軸方向)に狭く、Y軸と直交するX軸方向に伸びた輝度分布を有する(図2(b2))。
図2(c1)は、部品実装基板112上に反射率の高い物213が存在しない場合を示している。この様に反射率の高い物213のない部品実装基板112に結像光232が照射された場合、フーリエ変換面116に形成されるそのフーリエ変換光パターン218は、輝度レベルが所定の閾値を超える部分がない(図2(c2))。
【0041】
図2(d1)は、反射率の高い物213が結像光232の焦点径より広い形状である場合を示している。その反射光133のレベルはX軸方向及びY軸方向に一様である(X軸方向及びY軸方向には低周波成分のみを有する。)。フーリエ変換面116に形成されるそのフーリエ変換光パターン218は、点状の輝度分布を有する(図2(d2))。
図2(e1)は、反射率の高い物213の形状が点状であり、且つ結像光232の焦点径より小さい形状である場合を示している。反射率の高い物213は、例えば部品実装基板112にくっついた微小な半田ボール(プリント基板上に飛び散ったクリーム半田の飛沫が溶解し固化して形成された半田粒子)である。図2(e1)の反射率の高い物213に結像光232が照射された場合、その反射光133のレベルはX軸方向及びY軸方向に変化する(X軸方向及びY軸方向に高周波成分を有する。)。フーリエ変換面116に形成されるそのフーリエ変換光パターン218は、XY方向それぞれに広がりを持った輝度分布を有する(図2(e2))。
【0042】
部品実装基板112上に、例えばマイクロブリッジと呼ばれる半田の微小欠陥が存在した場合について説明する。部品実装基板112上の結像光132の焦点径は、10〜100μm程度である。マイクロブリッジの短辺方向の幅は、数μm程度である。マイクロブリッジの短辺方向の幅は、照射光の焦点径より小さいため、結像光132の焦点領域の一部分でのみ高効率の反射が行われる。この様な照射領域からの反射光133が、結像兼フーリエ変換レンズ群114に入射し、フーリエ変換される。フーリエ変換された反射光133は、ビームスプリッタ115で所定の分割比率で反射する(進行方向を変更する。)。進行方向を変えた反射光133は、結像兼フーリエ変換レンズ群114から焦点距離だけ離れた位置(フーリエ変換面116)に、図2(a2)及び(b2)に示すフーリエ変換光パターン218を形成する。同様に微小な半田ボールが存在すれば、そこに照射されたレーザ光の反射光は、図2(e2)に示すフーリエ変換光パターン218を形成する。
【0043】
プリント基板上に形成された正常な半田付け領域は、X軸及びY軸のいずれの方向にも照射光の焦点径より大きな幅を有する。従って、X軸及び/又はY軸方向に照射光の焦点径より小さな幅を有する半田付け領域は、欠陥部分である。図2に示すフーリエ変換光パターン218の中で、図2(a2)、(b2)及び(e2)のパターンを示す領域は半田ブリッジ及び半田ボールが存在する欠陥部分であり、図2(c2)及び(d2)のパターンを示す領域は正常である(少なくとも照射光の焦点径より小さな微小欠陥は存在しない。)。演算処理手段123は、計測したフーリエ変換光パターン218が、図2(a2)〜(e2)のどのパターンを示すかに基づいて、その領域に欠陥があるか否かを判断し、判断結果を図示しないディスプレイ及びプリンタ出力する。
【0044】
図3は、実施の形態1の検出器117(図1)が有する検出領域の分割形状を示す図である。図3に示す複数の分割された検出領域を有する検出器117が、フーリエ変換光パターン218(図2(a2)〜(e2))を入力して電気信号に変換して出力する。
演算処理手段123は、検出器117の分割領域Aの出力信号レベル(Aと記す。)が第1の閾値TH1より大きいか否かを計算し(A−(第1の閾値TH1)>0?)、分割領域B及びCの出力信号レベル(それぞれB、Cと記す。)の和から分割領域D及びEの出力信号レベル(それぞれD、Eと記す。)の和を差し引いた値が第2の閾値TH2より大きなレベル差を有するか否かを計算し((B+C)−(D+E)>(第2の閾値TH2)、又は(B+C)−(D+E)<−TH2、又は−TH2≦(B+C)−(D+E)≦TH2?)、分割領域B〜Eの出力信号レベルの和が第3の閾値TH3より大きいか否かを計算する((B+C+D+E)−(第3の閾値TH3)>0?)(TH1、TH2及びTH3は正の一定値)。演算処理手段123は、上記の3つの演算結果に基づいて、入力したフーリエ変換光パターン218が図2(a2)〜(e2)のどのパターンかを判断する。
【0045】
表1は、演算処理手段123が計算した上記の3つの演算結果と、図2(a2)〜(e2)の各フーリエ変換光パターン218との関係を示す表である。表1においてAの欄に、(A−TH1)>0の場合に+と表示し、(A−TH1)≦0の場合に0と記す。(B+C)−(D+E)の欄に、((B+C)−(D+E))>TH2の場合に+と記し、((B+C)−(D+E))<−TH2の場合に−と記し、−TH2≦((B+C)−(D+E))≦TH2の場合に0と記す。(B+C)+(D+E)の欄に、(B+C+D+E)−TH3>0の場合に+と表示し、(B+C+D+E)−TH3≦0の場合に0と記す。
【0046】
【表1】
Figure 2004347434
【0047】
例えば図2(a2)のフーリエ変換光パターン218がフーリエ変換面116に形成された場合、検出器117の分割領域Aの出力信号レベルが+であり(A>TH1)、分割領域B及びCの出力信号レベルの和から分割領域D及びEの出力信号レベルの和を差し引いた値がTH2より大きく((B+C)−(D+E)>TH2)、分割領域B〜Eの出力信号レベルの和が+である(B+C+D+E>TH3)。演算処理手段123は、上記演算を行い、表1より計測部分が図2(a2)の形状の微小欠陥を有すると判定する。
【0048】
図2(b2)〜(e2)のフーリエ変換光パターン218がフーリエ変換面116に形成された場合も同様に、演算処理手段123は、検出器117のそれぞれの分割領域A〜Eの出力信号レベルから表1に示す簡易な演算式を用いて演算し、それぞれのフーリエ変換光パターン218が形成されていることを検出する。演算処理手段123は、表1より計測部分のフーリエ変換光パターン218が図2(a2)、(b2)又は(e2)のパターンを有すれば、計測部分が微小欠陥を有すると判定し、計測部分のフーリエ変換光パターン218が図2(c2)又は(d2)のパターンを有すれば、計測部分が正常である(少なくとも照射光の焦点径より小さな微小欠陥を有していない)と判定する。これにより、本発明の実施の形態1の微小欠陥検査装置は、マイクロブリッジ等の微小欠陥の有無、及び微小欠陥の発生方向を検出できる。
【0049】
実施の形態1では、平行レーザ光131を用いたが、レーザ光は完全な平行光である必要はなく、部品実装基板112上に必要な焦点像を形成できるのであれば、レーザユニット111の光学系は発散光学系または集光光学系でもよい。
実施の形態1では、ビームスプリッタ115はハーフミラーであったが、これに代えて、ビームスプリッタ115は穴あきミラーであってもよい。
実施の形態1では、3次元計測を行うために、結像レンズ群121と位置検出器122とで構成される高さ及び輝度計測ユニットを2個で構成していた。これに代えて、高さ及び輝度計測ユニットを単体で構成することも可能である。また、2個以上の高さ及び輝度計測ユニットをそれぞれ異なる方向に配置することも可能である。これにより、三角測量において生じる死角の削減や、S/Nの改善が可能となる。
【0050】
実施の形態1では、検出器117の検出領域は、図3に示す形状に分割されていた。この検出器に代えて、放射状に領域分割されたフォトダイオードや、CCD等の光電変換検出器を用いても、同様に計測可能である。また、検出器117の分割された各領域が検出するデータを全て足し合わせることにより(A+B+C+D+E)、検査対象物からの輝度データを生成することも可能である。輝度データに基づいて、検査対象物の形状計測をすることができる。輝度データに基づく検査対象物の形状計測を行い、又は輝度データに基づく検査対象物の形状計測と三次元形状計測とを組み合わせ、計測値と設計値との差異を演算して、照射光の焦点径より大きな欠陥を検出しても良い。
実施の形態1では、三次元形状計測と合わせて微小欠陥検出を行っているが、三次元形状計測と微小欠陥検出とを異なる装置で行ってもよい。
【0051】
実施の形態1によれば、三次元形状計測と同時に前述の微小欠陥検出を行うことで、実装部品の電極付近に発生するマイクロブッリジ等の微小欠陥の有無及び微小欠陥の発生方向を検出することが可能となる。部品実装基板(検査対象物)に照射するレーザ光の焦点径を小さくすることなく、フーリエ変換パターンの計測と従来の三角測量の原理に基づく形状計測とを併せて行い(結像光132の焦点径より大きな部品実装基板112の欠陥を検出する他の方法と組み合わせても良い。)、簡易な演算を行うことにより、高精度な部品実装基板の検査が可能となる。
【0052】
《実施の形態2》
図4を用いて、本発明の実施の形態2の微小欠陥検査装置について説明する。実施の形態2の微小欠陥検査装置が実施の形態1と異なる点は、フーリエ変換レンズ418と別個に結像レンズ414を設け、結像レンズ414と部品実装基板112との間の光路中にビームスプリッタ415を配置し、ビームスプリッタ415により偏向させた反射光の経路にフーリエ変換レンズ418を設けたことである。実施の形態1の結像兼フーリエ変換レンズ群114の光学素子を、実施の形態2は結像レンズ414とフーリエ変換レンズ群418の2種類の光学素子で構成する。これにより、実施の形態1よりも高い自由度で光学系を設計することが出来る。
【0053】
はじめに、本発明の実施の形態2の微小欠陥検査装置の概要について説明する。図4は、本発明の実施の形態2の微小欠陥検査装置401の概略的な構成を示すブロック図である。微小欠陥検査装置401は、平行レーザ光431を出力するレーザユニット411(例えばレーザ発振器とコリメータレンズとを有する。)、平行レーザ光431を検査対象物である部品実装基板412上に集光する結像レンズ(結像光学系)414、部品実装基板412からの反射光433を所定の分割比率で偏向するビームスプリッタ(偏向光学系)415(結像レンズ414が出力する照射光(結像光)432を所定の比率で透過させる。)、偏向された反射光433をフーリエ変換するフーリエ変換レンズ群418、フーリエ変換面416に配置され、フーリエ変換光パターンを電気信号に変換する光電変換素子で構成される検出器417、拡散光434を位置検出器422の受光面上に集光する複数の結像レンズ群421、集光された拡散光434の集光位置に応じて、電気信号を出力する複数の位置検出器422、部品実装基板412(検査対象物)の欠陥を検出する演算処理手段(欠陥検出手段)423を有する。416は、フーリエ変換された反射光433のフーリエ変換光パターンが形成されるフーリエ変換面である。
【0054】
演算処理手段423は、検出器417より出力される電気信号を演算し、光ビームスポットの径より小さな微小欠陥の有無等の判定を行い、位置検出器422より出力される電気信号を演算し、検査対象物の形状計測を行って、光ビームスポットの径より大きな欠陥の有無等の判定を行う。
図4において、光ビームが照射されている検査対象物である部品実装基板412の部分には、微小な半田(反射率が高い物)413が付着している。
【0055】
部品実装基板412の表面からフーリエ変換レンズ群418までの光路長は、フーリエ変換レンズ群418の焦点距離と一致する。フーリエ変換レンズ群418からフーリエ変換面416までの光路長は、フーリエ変換レンズ群418の焦点距離と一致する。
実施の形態2のビームスプリッタ415は、ハーフミラーである。実施の形態2の検出器417の光電変換素子は、図3に示す分割された検出領域を有するフォトダイオードである。実施の形態2の位置検出器422は、PSDである。
【0056】
レーザユニット411は、部品実装基板412に垂直にコヒーレンス性が高い平行レーザ光431を照射する。結像レンズ414は、平行レーザ光431を入力し、その出力である結像光を部品実装基板412上に結像させる。ビームスプリッタ415は、部品実装基板412に照射される前の結像光432を所定の分割比率で透過させる。部品実装基板412上の結像光432の焦点径は、10〜100μm程度である。結像光432は、部品実装基板412上で反射する(以下、結像光432の光軸方向に反射する光を反射光433、それ以外の方向に放射する光を拡散光434と言う。)。
【0057】
反射光433は、ビームスプリッタ415で所定の分割比率で偏向される(進行方向を変更する)。進行方向を変更した反射光433は、フーリエ変換レンズ群418により、光学フーリエ変換される。反射光433は、光学フーリエ変換によって、実空間から周波数空間へデータ変換される。フーリエ変換された反射光433は、フーリエ変換面416にフリーエ変換光パターンを生成する。検出器417は、フーリエ変換光パターンを電気信号に変換する。検出器417が出力する電気信号に基づき、演算処理手段423は、結像光432の焦点径より小さな部品実装基板412の微小欠陥を検出する。
【0058】
拡散光434は、実施の形態1と同様に処理される。演算処理手段423は、拡散光434を入力した位置検出記422の出力電気信号から三角測量の原理により部品実装基板412の照射位置における高さ及び輝度値を算出する。演算処理手段423は、計測した三次元の形状と設計値(例えば良品の部品実装基板を計測して得た高さH(x,y)及び輝度値B(x,y)の値)とを比較して、結像光432の焦点径より大きな部品実装基板412の欠陥を検出する。
以下本発明の実施の形態2の微小欠陥検査方法については、実施の形態1と同様であるため説明を省略する。
【0059】
実施の形態2では、平行レーザ光431を用いたが、レーザ光は完全な平行光である必要はなく、部品実装基板412上に必要な焦点像を形成できるのであれば、レーザユニット411の光学系は発散光学系または集光光学系でもよい。
実施の形態2では、ビームスプリッタ415はハーフミラーであったが、これに代えて、ビームスプリッタ415は穴あきミラーであってもよい。
実施の形態2では、三次元計測を行うために、結像レンズ群421と位置検出器422とで構成される高さ及び輝度計測ユニットを2個で構成していた。これに代えて、高さ及び輝度計測ユニットを単体で構成することも可能である。また、2個以上の高さ及び輝度計測ユニットをそれぞれ異なる方向に配置することも可能である。これにより、三角測量において生じる死角の削減や、S/Nの改善が可能となる。
【0060】
実施の形態2では、検出器417の検出領域は、図3に示す形状に分割されていた。この検出器に代えて、放射状に領域分割されたフォトダイオードや、CCD等の光電変換検出器を用いても、同様に計測可能である。また、検出器417の分割された各領域が検出するデータを全て足し合わせることにより(A+B+C+D+E)、検査対象物からの輝度データを生成することも可能である。輝度データに基づいて、検査対象物の形状計測をすることができる。輝度データに基づく検査対象物の形状計測を行い、又は輝度データに基づく検査対象物の形状計測と三次元形状計測とを組み合わせ、計測値と設計値との差異を演算して、照射光の焦点径より大きな欠陥を検出しても良い。
実施の形態2では、三次元形状計測と合わせて微小欠陥検出を行っているが、三次元形状計測と微小欠陥検出とを異なる装置で行ってもよい。
【0061】
実施の形態2によれば、三次元形状計測と同時に前述の微小欠陥検出を行うことで、実装部品の電極付近に発生するマイクロブッリジ等の微小欠陥の有無及び微小欠陥の発生方向を検出することが可能となる。部品実装基板(検査対象物)に照射するレーザ光の焦点径を小さくすることなく、フーリエ変換パターンの計測と従来の三角測量の原理に基づく形状計測とを併せて行い(結像光432の焦点径より大きな部品実装基板412の欠陥を検出する他の方法と組み合わせても良い。)、簡易な演算を行うことにより、高精度な部品実装基板の検査が可能となる。
【0062】
《実施の形態3》
図5を用いて、本発明の実施の形態3の微小欠陥検査装置について説明する。実施の形態3の微小欠陥検査装置が実施の形態1と異なる点は、ポリゴンミラーを組み込んだことである。これにより、照射光は高速且つ正確にX軸方向を走査する。Y軸方向に検査対象物である部品実装基板512を載置したX−Yステージを移動させることにより、部品実装基板512の全ての領域を検査出来る。ポリゴンミラーが部品実装基板512のX軸方向の所定の幅の範囲内で結像光を走査させ、部品実装基板512を載置したX−YステージがX軸方向にその所定の幅だけ順次移動しても良い。
【0063】
はじめに、本発明の実施の形態3の微小欠陥検査装置の概要について説明する。図5は、本発明の実施の形態3の微小欠陥検査装置501の概略的な構成を示すブロック図である。微小欠陥検査装置501は、平行レーザ光531を出力するレーザユニット511(例えばレーザ発振器とコリメータレンズとを有する。)、平行レーザ光531を検査対象物である部品実装基板512上に垂直に集光するfθレンズ群514、部品実装基板512からの反射光533を所定の分割比率で偏向するビームスプリッタ(偏向光学系)515(レーザユニット511が出力する平行レーザ光531を所定の比率で透過させる。)、偏向された反射光533を結像する結像レンズ群519、結像レンズ群519により結像された反射光533をフーリエ変換するフーリエ変換レンズ群518、フーリエ変換面516に配置され、フーリエ変換光パターンを電気信号に変換する光電変換素子で構成される検出器517、拡散光534を位置検出器522の受光面上に集光する複数の結像レンズ群521、集光された拡散光534の集光位置に応じて、電気信号を出力する複数の位置検出器522、部品実装基板512(検査対象物)の欠陥を検出する演算処理手段(欠陥検出手段)523、回転しながら平行レーザ光531を走査させ、反射光533を偏向するポリゴンミラー524を有する。516は、フーリエ変換された反射光533のフーリエ変換光パターンが形成されるフーリエ変換面である。
【0064】
演算処理手段523は、検出器517より出力される電気信号を演算し、光ビームスポットの径より小さな微小欠陥の有無等の判定を行い、位置検出器522より出力される電気信号を演算し、検査対象物の形状計測を行って、光ビームスポットの径より大きな欠陥の有無等の判定を行う。
図5において、光ビームが照射されている検査対象物である部品実装基板512の部分には、微小な半田(反射率が高い物)513が付着している。
【0065】
部品実装基板512の表面からfθレンズ群514までの光路長は、fθレンズ群514の焦点距離と一致する。fθレンズ群514からポリゴンミラー524までの光路長は、fθレンズ群514の焦点距離と一致する。ポリゴンミラー524から結像レンズ群519までの光路長は、結像レンズ群519の焦点距離と一致する。結像レンズ群519からフーリエ変換レンズ群518までの光路長は、結像レンズ群519とフーリエ変換レンズ群518の焦点距離の和と一致する。フーリエ変換レンズ群518から検出器517までの光路長は、フーリエ変換レンズ群518の焦点距離と一致する。
実施の形態3のビームスプリッタ515は、ハーフミラーである。実施の形態3の検出器517の光電変換素子は、フォトダイオードである。実施の形態3の位置検出器522は、PSDである。
【0066】
レーザユニット511は、コヒーレンス性が高い平行レーザ光531を照射する。ビームスプリッタ515は、平行レーザ光531を所定の分割比率で透過させる。透過平行レーザ光531は、回転駆動するポリゴンミラー524により進行方向を変更する。fθレンズ群514は、進行方向を変更した平行レーザ光531を部品実装基板512上に垂直に結像する。部品実装基板512上の結像光532の焦点径は、10〜100μm程度である。ポリゴンミラー524の回転により平行レーザ光531の偏向角度が変化することにともない、結像光532は部品実装基板512上をX軸方向に走査する。部品実装基板512を載置したX−Yステージ(図示しない。)がY軸方向に部品実装基板512を移動させることにより、部品実装基板512上の全ての領域を検査することが出来る。結像光532は、部品実装基板512上で反射する(以下、結像光532の光軸方向に反射する光を反射光533、それ以外の方向に放射する光を拡散光534と言う。)。
【0067】
反射光533は、fθレンズ群514を透過する。fθレンズ群514を透過した反射光533は、ポリゴンミラー524上で結像すると共に、ポリゴンミラー524により偏向され(進行方向を変更し)、さらにビームスプリッタ515により所定の分割比率で偏向される(進行方向を変更する)。進行方向を変更した反射光533は、結像レンズ群519に入力される。結像レンズ群519を透過した反射光533は、結像レンズ群519の焦点(フーリエ変換レンズ群518の焦点でもある。)に結像した後、フーリエ変換レンズ群518に入力される。反射光533は、フーリエ変換レンズ群518により、光学フーリエ変換される。反射光533は、光学フーリエ変換によって、実空間から周波数空間へデータ変換される。フーリエ変換された反射光533は、フーリエ変換面516にフリーエ変換光パターンを生成する。検出器517は、フーリエ変換光パターンを電気信号に変換する。検出器517が出力する電気信号に基づき、演算処理手段523は、結像光532の焦点径より小さな部品実装基板512の微小欠陥を検出する。
【0068】
拡散光534は、実施の形態1と同様に処理される。演算処理手段523は、拡散光534を入力した位置検出記522の出力電気信号から三角測量の原理により部品実装基板512の照射位置における高さ及び輝度値を算出する。演算処理手段523は、計測した三次元の形状と設計値(例えば良品の部品実装基板を計測して得た高さH(x,y)及び輝度値B(x,y)の値)とを比較して、結像光532の焦点径より大きな部品実装基板512の欠陥を検出する。
以下本発明の実施の形態3の微小欠陥検査方法については、実施の形態1と同様であるため説明を省略する。
【0069】
実施の形態3では、平行レーザ光531を用いたが、レーザ光は完全な平行光である必要はなく、部品実装基板512上に必要な焦点像を形成できるのであれば、レーザユニット511の光学系は発散光学系または集光光学系でもよい。
実施の形態3では、ビームスプリッタ515はハーフミラーであったが、これに代えて、ビームスプリッタ515は穴あきミラーであってもよい。
実施の形態3では、三次元計測を行うために、結像レンズ群521と位置検出器522とで構成される高さ及び輝度計測ユニットを2個で構成していた。これに代えて、高さ及び輝度計測ユニットを単体で構成することも可能である。また、2個以上の高さ及び輝度計測ユニットをそれぞれ異なる方向に配置することも可能である。これにより、三角測量により発生する死角の削減や、S/Nの改善が可能となる。
【0070】
実施の形態3では、検出器517の検出領域は、図3に示す形状に分割されていた。この検出器に代えて、放射状に領域分割されたフォトダイオードや、CCD等の光電変換検出器を用いても、同様に計測可能である。また、検出器417の分割された各領域が検出するデータを全て足し合わせることにより(A+B+C+D+E)、検査対象物からの輝度データを生成することも可能である。輝度データに基づいて、検査対象物の形状計測をすることができる。輝度データに基づく検査対象物の形状計測を行い、又は輝度データに基づく検査対象物の形状計測と三次元形状計測とを組み合わせ、計測値と設計値との差異を演算して、照射光の焦点径より大きな欠陥を検出しても良い。
実施の形態3では、三次元形状計測と合わせて微小欠陥検出を行っているが、三次元形状計測と微小欠陥検出とを異なる装置で行ってもよい。
【0071】
実施の形態3によれば、三次元形状計測と同時に前述の微小欠陥検出を行うことで、実装部品の電極付近に発生するマイクロブッリジ等の微小欠陥の有無及びその発生方向を検出することが可能となる。部品実装基板(検査対象物)に照射するレーザ光の焦点径を小さくすることなく、フーリエ変換パターンの計測と従来の三角測量の原理に基づく形状計測とを併せて行い(結像光532の焦点径より大きな部品実装基板512の欠陥を検出する他の方法と組み合わせても良い。)、簡易な演算を行うことにより、高精度な部品実装基板の検査が可能となる。
実施の形態3によれば、ポリゴンミラーで構成された走査手段を組み込むことで、部品実装基板を1方向に移動するだけで、部品実装基板上の全ての領域の微小欠陥検査をすることが出来る。
【0072】
上記の実施の形態の微小欠陥検査装置を用いた回路基板の製造方法を説明する。最初に、回路基板に部品を載置し、半田付けする(回路基板組立ステップ)。次ぎに、部品を半田付けした回路基板(部品実装基板)を検査対象物として、実施の形態1(又は他の実施の形態)の微小欠陥検査装置を用いて、検査対象物の微小欠陥を検出し、微小欠陥が検出されなかった部品実装基板のみを良品と判断して、次ステップ(例えば部品実装基板の動作検査ステップ、部品実装基板の梱包出荷ステップ又は部品実装基板をアッセンブリして機器を組み立てる組立ステップ)に送る(微小欠陥検査ステップ)。微小欠陥検査ステップにおいて、欠陥が発見された部品実装基板は、特定されている欠陥個所を修理し、再び微小欠陥検査ステップを繰り返し、良品と判断すれば次ステップに送る。
【0073】
上記の実施の形態においては、微小欠陥検査装置は、部品実装基板を検査対象物とした。本発明の微小欠陥検査装置の検査対象物はこれに限られる物ではなく、フーリエ変換パターンに基づいて欠陥を検出可能な任意の検査対象物を検査することが出来る。
【0074】
【発明の効果】
本発明によれば、微小欠陥検査装置の光学性能及び光学的分解能を上げることなく、従来より高い分解能で検査対象物の微小欠陥を検出する(検査用の照射光の焦点径より微細な欠陥を検出する)微小欠陥検査装置を実現できるという有利な効果が得られる。
本発明によれば、従来と同等の計測データ量で(従来と同じ検査速度で)従来より高い分解能で検査対象物の微小欠陥を検出する(検査用の照射光の焦点径より微細な欠陥を検出する)微小欠陥検査装置を実現できるという有利な効果が得られる。
【0075】
本発明によれば、背の高い部品等の遮蔽物に邪魔されることなく、直接外部に露出している部分であれば検査対象物のどの領域においても微小欠陥を検出可能な微小欠陥検査装置を実現できるという有利な効果が得られる。
本発明によれば、良否判定の基準値として、各領域の形状の設計値を定量的に登録することなく、各領域に微小欠陥が存在するか否かを検査可能な微小欠陥検査装置を実現できるという有利な効果が得られる。
本発明によれば、簡単な構成で小型・軽量の微小欠陥検査装置を実現できるという有利な効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態1の微小欠陥検査装置の概略的な構成を示すブロック図
【図2】部品実装基板の表面の形状とその反射光によるフーリエ変換光パターンとの相関例を示す図
【図3】本発明の実施の形態1〜3の検出器が有する検出領域の分割形状を示す図
【図4】本発明の実施の形態2の微小欠陥検査装置の概略的な構成を示すブロック図
【図5】本発明の実施の形態3の微小欠陥検査装置の概略的な構成を示すブロック図
【図6】三角測量の原理に基づいて検査対象物の表面形状を計測する従来例の計測装置を示す図
【符号の説明】
101、401、501 微小欠陥検査装置
111、411、511、611 レーザユニット
112、412、512 部品実装基板
113、213、413、513、612 反射率の高い物
114 結像兼フーリエ変換レンズ群
115、415、515 ビームスプリッタ
116、416、516 フーリエ変換面
117、417、517 検出器
121、421、521 結像レンズ群
122、422、522 位置検出器
123、423、523 演算処理手段
131、431、531 平行レーザ光
132、232、432、532 結像光
133、433、533、632 反射光
134、434、534 拡散光
218、518 フーリエ変換光パターン
414 結像レンズ
418 フーリエ変換レンズ群
514 fθレンズ群
519 結像レンズ群
524 ポリゴンミラー
613 第1のPSD
614 第2のPSD
615 第3のPSD
616 第4のPSD
621 レーザ照射源座標
622 照射座標
623、624 信号受信座標
631 レーザ光

Claims (17)

  1. 検査対象物上にコヒーレンス性の高い微小光を垂直に照射する光源と、
    前記検査対象物からの反射光をフーリエ変換するフーリエ変換光学系と、
    フーリエ変換された反射光により、フーリエ変換面に生成されるフーリエ変換光パターンの光量分布を検出する光検出手段と、
    前記フーリエ変換光パターンの光量分布から、前記検査対象物の微小欠陥を検出する欠陥検出手段と、
    を有することを特徴とする微小欠陥検査装置。
  2. 前記フーリエ変換光学系が、前記微小光を前記検査対象物上に結像させる結像光学系を兼ねていることを特徴とする請求項1に記載の微小欠陥検査装置。
  3. 前記光源と前記フーリエ変換光学系との間の光路中に、光軸が前記照射光と一致している前記フーリエ変換された反射光を偏向させ、前記光検出手段に導く偏向光学系を更に有することを特徴とする請求項2に記載の微小欠陥検査装置。
  4. 前記微小光を前記検査対象物上に結像させる結像光学系を更に有することを特徴とする請求項1に記載の微小欠陥検査装置。
  5. 前記結像光学系と前記検査対象物との間の光路中に、前記反射光を偏向させ、前記フーリエ変換光学系に導く偏向光学系を更に有することを特徴とする請求項4に記載の微小欠陥検査装置。
  6. 前記偏向光学系が、ハーフミラーであることを特徴とする請求項3又は請求項5に記載の微小欠陥検査装置。
  7. 前記偏向光学系が、穴あきミラーであることを特徴とする請求項3又は請求項5に記載の微小欠陥検査装置。
  8. 前記光検出手段は、前記フーリエ変換面毎に配置された前記フーリエ変換光パターンを光電変換する複数の領域に分割された光電変換手段であって、
    前記欠陥検出手段は、前記光電変換手段の各領域から出力される電気信号を演算し、前記フーリエ変換光パターンの輝度分布を求め、微小欠陥の有無、又は微小欠陥の有無及び微小欠陥の発生方向を検出することを特徴とする請求項1に記載の微小欠陥検査装置。
  9. 前記光電変換手段が、互いに独立した電気信号を出力するように表面分割されたフォトダイオードであることを特徴とする請求項8に記載の微小欠陥検査装置。
  10. 前記光電変換手段が、フーリエ変換光パターンの空間周波数分布を検出することを特徴とする請求項8に記載の微小欠陥検査装置。
  11. 前記検査対象物が部品を半田付けした回路基板であって、前記欠陥検出手段は、前記フーリエ変換光パターンの輝度分布において、所定の空間周波数よりも高い周波数成分が所定値より大きい場合、その測定点に半田ブリッジ又は半田ボールが存在すると判断することを特徴とする請求項8に記載の微小欠陥検査装置。
  12. 前記欠陥検出手段は、前記フーリエ変換光パターンの輝度分布において、所定の空間周波数よりも高い周波数成分が所定値より大きく且つ空間周波数の存在する方向が所定の方向を示す場合、半田ブリッジとして認識し、所定の空間周波数よりも高い周波数成分が所定値より大きく且つ空間周波数の分布が特定の方向性を示さない場合、半田ボールとして認識することを特徴とする請求項11のいずれかに記載の微小欠陥検査装置。
  13. 前記光検出手段は、前記フーリエ変換面毎に配置された前記フーリエ変換光パターンを光電変換する複数の領域に分割された光電変換手段であって、
    前記光電変換手段の各領域から出力される全ての電気信号を加算することにより、検査対象物の輝度を検出し、前記輝度を用いて、検査対象物の形状を検出する形状検出手段を更に有することを特徴とする請求項1に記載の微小欠陥検査装置。
  14. 結像光をX軸方向に移動させるX軸移動手段と、
    検査対象物を載置するステージを少なくともY軸方向に移動するY軸移動手段と、
    を更に有することを特徴とする請求項1〜13のいずれかに記載の微小欠陥検査装置。
  15. 前記X軸移動手段が、ポリゴンミラーであることを特徴とする請求項14に記載の微小欠陥検査装置。
  16. 拡散する前記反射光を計測する1つ以上の他の光検出手段と、
    前記他の光検出手段の出力信号を用いて、三角測量の原理に基づき前記検査対象物の三次元の形状を計測する三次元計測手段と、
    を更に有し、
    前記欠陥検出手段は、前記フーリエ変換光パターンの光量分布と、計測された前記三次元の形状とに基づいて、前記検査対象物の欠陥を検出することを特徴とする請求項1から請求項15のいずれかの請求項に記載の微小欠陥検査装置。
  17. 回路基板に部品を載置し、半田付けする回路基板組立ステップと、
    部品を半田付けした前記回路基板を前記検査対象物として、請求項1から請求項16のいずれかの請求項に記載の微小欠陥検査装置を用いて、前記検査対象物の微小欠陥を検出し、微小欠陥が検出されなかった前記回路基板のみを良品と判断して、次ステップに送る微小欠陥検査ステップと、
    を有することを特徴とする回路基板の製造方法。
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