KR100999904B1 - 다기능 인쇄회로기판의 칩 내장을 위한 인터커넥션 형성 방법 - Google Patents

다기능 인쇄회로기판의 칩 내장을 위한 인터커넥션 형성 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR100999904B1
KR100999904B1 KR1020090025642A KR20090025642A KR100999904B1 KR 100999904 B1 KR100999904 B1 KR 100999904B1 KR 1020090025642 A KR1020090025642 A KR 1020090025642A KR 20090025642 A KR20090025642 A KR 20090025642A KR 100999904 B1 KR100999904 B1 KR 100999904B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
conductive layer
carrier
chip
printed circuit
stud bumps
Prior art date
Application number
KR1020090025642A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20100107538A (ko
Inventor
윤관선
이한성
Original Assignee
대덕전자 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 대덕전자 주식회사 filed Critical 대덕전자 주식회사
Priority to KR1020090025642A priority Critical patent/KR100999904B1/ko
Publication of KR20100107538A publication Critical patent/KR20100107538A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100999904B1 publication Critical patent/KR100999904B1/ko

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/18Printed circuits structurally associated with non-printed electric components
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/18High density interconnect [HDI] connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/19Manufacturing methods of high density interconnect preforms
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/30Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H01L21/568Temporary substrate used as encapsulation process aid
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/04105Bonding areas formed on an encapsulation of the semiconductor or solid-state body, e.g. bonding areas on chip-scale packages
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/18High density interconnect [HDI] connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/19Manufacturing methods of high density interconnect preforms
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/18High density interconnect [HDI] connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/23Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process
    • H01L2224/24Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process of an individual high density interconnect connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321Disposition
    • H01L2224/32151Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321Disposition
    • H01L2224/32151Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32245Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732Location after the connecting process
    • H01L2224/73251Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73267Layer and HDI connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/91Methods for connecting semiconductor or solid state bodies including different methods provided for in two or more of groups H01L2224/80 - H01L2224/90
    • H01L2224/92Specific sequence of method steps
    • H01L2224/922Connecting different surfaces of the semiconductor or solid-state body with connectors of different types
    • H01L2224/9222Sequential connecting processes
    • H01L2224/92242Sequential connecting processes the first connecting process involving a layer connector
    • H01L2224/92244Sequential connecting processes the first connecting process involving a layer connector the second connecting process involving a build-up interconnect

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)

Abstract

본 발명은 인쇄회로기판 제조 방법에 관한 것으로, 특히 칩을 내장한 인쇄회로기판에 있어서 칩의 층간 접속(인터커넥션; interconnection) 형성 방법에 관한 것이다. 본 발명은 캐리어가 부착된 도전층에 범프 돌출을 위한 공간을 확보하고, 도전층이 개구된 영역과 칩 패드 위에 돌출된 범프의 위치가 일치하도록 접합물질을 사용하여 실장한 후, 절연층과 도전층을 사용하여 라미네이션함으로써 칩을 기판 속에 내장하게 된다. 캐리어와 도전층을 분리한 후 범프 주위에 있던 접합물질을 제거하여 도금공정을 실시함으로써 칩 패드에 형성된 범프와 기판의 도전층과의 연결을 완료한다.
내장형 인쇄회로기판, 비아, 칩, 표면 실장, 인터커넥션.

Description

다기능 인쇄회로기판의 칩 내장을 위한 인터커넥션 형성 방법{METHOD OF FABRICATING AN INTERCONNECTION FOR MULTI-FUNCTIONAL CHIP EMBEDDED PRINTED CIRCUIT BOARD}
본 발명은 인쇄회로기판 제조 방법에 관한 것으로, 특히 칩을 내장한 인쇄회로기판에 있어서 칩의 층간 접속(인터커넥션; interconnection) 형성 방법에 관한 것이다. 더욱 상세하게는, 본 발명은 다기능 인쇄회로기판 제조 시에 칩을 기판에 내장한 후 기판과의 인터커넥션을 형성하는 방법에 있어서 기존 종래기술에 비해 간단한 공정으로 층간 접속 신뢰성을 보장하기 위한 기술에 관한 것이다.
최근 들어 반도체 칩과 같은 능동 소자를 인쇄회로기판에 내장하여 제작하는 칩 내장 인쇄회로기판(Embedded PRINTED CIRCUIT BOARD) 기술이 발전하고 있다. 칩을 기판에 내장하게 되면, 전자부품의 사이즈가 축소되어 전자기기의 소형화 및 경량화에 도움이 되며 회로 동작 주파수를 증대시킬 수 있음은 물론 잡음 등 전자파의 영향을 차단하는 장점이 있다.
도1a 내지 도1f는 종래기술에 따라 칩을 기판에 내장하고 인터커넥션을 형성하는 방법을 나타낸 도면이다.
도1a를 참조하면, 종래기술은 기판(100)에 다이 어태치 필름(die attach film) 또는 기타 접착제(110)를 도포하고 그 위에 실리콘 다이와 같은 칩(120)을 올려놓게 된다. 이때에, 실리콘 다이 또는 칩(120)은 패드(121)를 구비하고 있으며 패드(121)는 기판과 적절히 전기적으로 접속이 되어야 한다.
도1b를 참조하면, 일반적으로 당업계에서는 레진 계열의 절연층(125)를 재단하여 정렬하고, 절연층(130)과 동박(140)을 적층 라미네이션함으로써 칩을 실장 완료하게 된다. 도1c는 기판(100)에 실장한 칩(120) 위에 절연층(125, 130)과 동박(140)을 적층 라미네이션 한 후의 구조물의 단면을 나타낸 도면이다.
도1d를 참조하면, 도전층인 동박(140)을 개구한다. 이어서, 도1e를 참조하면, 홀가공을 진행함으로써 칩(120)의 패드(121) 위에 덮여 있던 절연층을 부분 식각하여 패드(121)의 표면을 노출한다. 이때에 통상적으로 레이저 드릴을 진행하여 홀가공을 수행한다. 그리고나면 최종적으로 동도금을 수행하여 상층의 동박(140)과 칩(120)의 패드(121)를 서로 인터커넥션하게 된다(도1f).
그런데, 종래기술의 경우 도1d에서 도시한 바와 같이 홀 가공을 위하여 동박(140)을 개구하는 단계가 필요하며, 이어서 레이저가공을 진행하여 절연층 비아를 형성하여야 하는 기술상의 복잡함이 있다. 그 결과 공정 비용이 증가하고 프로세스 경유 시간이 지체되는 기술상의 제약이 있다.
따라서, 본 발명의 목적은 칩을 기판에 내장하여 기판 회로와 칩의 패드를 전기적으로 접속하는데 있어서, 동박을 개구하는 프로세스와 비아홀 가공을 하는 프로세스를 생략하여 제조를 단순화할 수 있는 칩 인터커넥션 방법을 제공하는 데 있다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 캐리어가 부착된 도전층에 범프 돌출을 위한 공간을 확보하고, 도전층이 개구된 영역과 칩 패드 위에 돌출된 범프의 위치가 일치하도록 접합물질을 사용하여 실장한 후, 절연층과 도전층을 사용하여 라미네이션함으로써 칩을 기판 속에 내장하게 된다. 캐리어와 도전층을 분리한 후 범프 주위에 있던 접합물질을 제거하여 도금공정을 실시함으로써 칩 패드에 형성된 범프와 기판의 도전층과의 연결을 완료한다.
이상과 같이, 본 발명에 따른 칩 인터커넥션 방법은 종래기술과 달리 레이저 가공을 위한 동박을 개구하는 과정과 비아홀 가공 과정을 생략할 수 있으므로 소자와 기판 사이의 연결에 필요한 공정 단가 및 시간을 절약할 수 있다. 또한, 본 발명은 도금을 통해 인터커넥션을 형성하기 때문에 물리적 가압에 의한 이종 메탈간의 접합보다는 전기적 특성 측면에서 더욱 높은 신뢰성을 보장받게 된다.
본 발명은 칩이 내장된 인쇄회로기판의 칩과 기판을 서로 전기적으로 접속하는 방법에 있어서, (a) 벗겨져 분리될 수 있는 제1 도전층을 표면에 피복하고 있는 캐리어에 대해서, 상기 제1 도전층을 개구하고 개구된 제1 도전층의 개구부을 통해 서 상기 캐리어를 부분적으로 식각하여 홀을 형성하는 단계; (b) 상기 홀에 스터드 범프가 삽입되도록 스터드 범프를 패드 위에 형성한 칩을 정렬하고 접합제를 이용해서 칩을 캐리어의 제1 도전층 위에 실장하는 단계; (c) 캐리어의 제1 도전층에 형성한 홀에 상기 스터드 범프가 정렬되도록 실장한 칩 위에 절연층과 제2 도전층을 정렬하여 라미네이션한 후 캐리어를 벗겨내어 박리 제거하는 단계; (d) 상기 캐리어를 박리 제거한 후 상기 스터드 범프 주위를 에워싸고 있는 접합제를 부분적으로 제거함으로써 상기 스터드 범프를 노출하고 도금을 형성함으로써 상기 제1 도전층과 상기 스터드 범프를 서로 전기 접속하는 단계; 및 (e) 상기 제1, 제2 도전층을 소정의 패턴에 따라 선택 식각함으로써 회로를 형성하는 단계를 포함하는 방법을 제공한다.
이하에서는, 첨부 도면 도2a 내지 도2h를 참조하여 본 발명의 양호한 실시예를 상세히 설명한다. 도2a를 참조하면, 본 발명은 캐리어(200)에 도전층(210)을 적층한 구조물에서 시작한다. 본 발명의 양호한 실시예로서, 도전층(210)은 동박일 수 있으며 약간의 물리적 충격에 의해 벗겨질 수 있는(peelable), 즉 캐리어(200)로부터 박리 가능한 도전층임을 특징으로 한다.
도2b를 참조하면, 칩을 내장하고자 하는 부위에 대해 레이저 가공을 진행하여 홀(220)을 형성한다. 이때에 홀(220)은 도전층(210)을 식각하여 캐리어(200)을 부분적으로 식각함으로써 형성된다. 본 발명은 실리콘 다이 또는 칩(120)의 패드(121)에 스터드 범프(122)가 형성되어 있는 것을 특징으로 한다. 스터드 범프를 형성하는 기술은 대한민국 특허공개 제10-2008-0043207호(2008. 5. 16.)에 상술되 어 있다.
도2c를 참조하면, 패드(121) 위에 스터드 범프(122)를 형성하고 있는 칩(120)의 스터드 범프(122)가 도2b의 공정에서 형성한 홀(220)에 삽입될 수 있도록 정렬하고 접합제(adhesive; 230)를 도포하여 칩(120)을 캐리어(200)에 실장한다.
도2d를 참조하면, 칩을 실장한 후 절연층(240)과 동박과 같은 도전층(250)을 적층하여 라미네이션 한다. 이어서, 구조물로부터 캐리어를 필오프(peel off) 제거하면 도2e와 같은 형상을 얻게 된다.
그리고 나면, 도2f에 도시한 바와 같이 플라즈마 식각, 또는 화학적 식각 처리를 하거나 또는 레이저 가공을 진행해서 돌출된 스터드 범프(122) 주위의 접합제(230)을 클린닝함으로써 부분 제거함으로써 스터드 범프(122)의 뾰족한 부분이 노출되도록 한다.
이어서, 기판 양면에 대해 전기도금을 실시하면 도2g에 도시한 대로 기판 상부면과 하부면에 동박층(210', 250')이 형성된다. 이어서, 드라이 필름(D/F; 도시하지 않음)을 밀착하고 사진/현상/식각 공정을 진행하여 소정의 회로패턴을 전사하면 동박 회로가 형성된다. 도2h를 참조하면, 기판의 동박회로(210')와 칩(120)의 패드(121)가 스터드 범프와 동도금층에 의해 서로 전기적으로 확실하게 접속되어 있다.
전술한 내용은 후술할 발명의 특허 청구 범위를 더욱 잘 이해할 수 있도록 본 발명의 특징과 기술적 장점을 다소 폭넓게 개선하였다. 본 발명의 특허 청구 범위를 구성하는 부가적인 특징과 장점들이 이하에서 상술될 것이다. 개시된 본 발명의 개념과 특정 실시예는 본 발명과 유사 목적을 수행하기 위한 다른 구조의 설계나 수정의 기본으로서 즉시 사용될 수 있음이 당해 기술 분야의 숙련된 사람들에 의해 인식되어야 한다.
또한, 본 발명에서 개시된 발명 개념과 실시예가 본 발명의 동일 목적을 수행하기 위하여 다른 구조로 수정하거나 설계하기 위한 기초로서 당해 기술 분야의 숙련된 사람들에 의해 사용될 수 있을 것이다. 또한, 당해 기술 분야의 숙련된 사람에 의한 그와 같은 수정 또는 변경된 등가 구조는 특허 청구 범위에서 기술한 발명의 사상이나 범위를 벗어나지 않는 한도 내에서 다양한 진화, 치환 및 변경이 가능하다.
본 발명에 따른 칩 인터커넥션 방법은 종래기술과 달리 레이저 가공을 위한 동박을 개구하는 과정과 비아홀 가공 과정을 생략할 수 있으므로 소자와 기판 사이의 연결에 필요한 공정 단가 및 시간을 절약할 수 있다. 또한, 본 발명은 도금을 통해 인터커넥션을 형성하기 때문에 물리적 가압에 의한 이종 메탈간의 접합보다는 전기적 특성 측면에서 더욱 높은 신뢰성을 보장받게 된다.
도1a 내지 도1f는 종래기술에 따라 칩의 패드와 기판을 비아를 통해 접속하는 방법을 나타낸 도면.
도2a 내지 도2h는 본 발명에 따라 칩의 패드와 기판을 전기 접속한 방법을 나타낸 도면.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
100 : 기판
120 : 칩
121 : 패드
122 : 스터드 범프
125, 130 : 절연층
140 : 동박
200 : 캐리어
210, 250 : 도전층
220 : 홀
230 : 접합제
240 : 절연층

Claims (3)

  1. 칩이 내장된 인쇄회로기판의 칩과 기판을 서로 전기적으로 접속하는 방법에 있어서,
    (a) 벗겨져 분리될 수 있는 제1 도전층을 표면에 피복하고 있는 캐리어에 대해서, 상기 제1 도전층을 개구하고 개구된 제1 도전층의 개구부을 통해서 상기 캐리어를 부분적으로 식각하여 홀을 형성하는 단계;
    (b) 상기 홀에 스터드 범프가 삽입되도록 스터드 범프를 패드 위에 형성한 칩을 정렬하고 접합제를 이용해서 칩을 캐리어의 제1 도전층 위에 실장하는 단계;
    (c) 캐리어의 제1 도전층에 형성한 홀에 상기 스터드 범프가 정렬되도록 실장한 칩 위에 절연층과 제2 도전층을 정렬하여 라미네이션한 후 캐리어를 벗겨내어 박리 제거하는 단계;
    (d) 상기 캐리어를 박리 제거한 후 상기 스터드 범프 주위를 에워싸고 있는 접합제를 부분적으로 제거함으로써 상기 스터드 범프를 노출하고 도금을 형성함으로써 상기 제1 도전층과 상기 스터드 범프를 서로 전기 접속하는 단계; 및
    (e) 상기 제1, 제2 도전층을 소정의 패턴에 따라 선택 식각함으로써 회로를 형성하는 단계
    를 포함하는 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 단계 (a)의 홀 형성은 레이저 가공을 통해 진행하는 것을 특징으로 하는 방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 단계 (d)의 접합제 제거는 플라즈마 식각, 또는 화학적 식각 처리, 또는 레이저 가공을 통해 진행하는 것을 특징으로 하는 방법.
KR1020090025642A 2009-03-26 2009-03-26 다기능 인쇄회로기판의 칩 내장을 위한 인터커넥션 형성 방법 KR100999904B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020090025642A KR100999904B1 (ko) 2009-03-26 2009-03-26 다기능 인쇄회로기판의 칩 내장을 위한 인터커넥션 형성 방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020090025642A KR100999904B1 (ko) 2009-03-26 2009-03-26 다기능 인쇄회로기판의 칩 내장을 위한 인터커넥션 형성 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20100107538A KR20100107538A (ko) 2010-10-06
KR100999904B1 true KR100999904B1 (ko) 2010-12-09

Family

ID=43129219

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020090025642A KR100999904B1 (ko) 2009-03-26 2009-03-26 다기능 인쇄회로기판의 칩 내장을 위한 인터커넥션 형성 방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100999904B1 (ko)

Also Published As

Publication number Publication date
KR20100107538A (ko) 2010-10-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102450822B1 (ko) 반도체 장치의 제조 방법
KR101058621B1 (ko) 반도체 패키지 및 이의 제조 방법
JP6342120B2 (ja) 超薄埋設ダイモジュール及びその製造方法
US8309860B2 (en) Electronic component built-in substrate and method of manufacturing the same
US7768116B2 (en) Semiconductor package substrate having different thicknesses between wire bonding pad and ball pad and method for fabricating the same
JP2006019368A (ja) インターポーザ及びその製造方法並びに半導体装置
KR100956688B1 (ko) 인쇄회로기판 및 그 제조방법
JP2013243345A5 (ko)
TW200952588A (en) Circuit board with buried conductive trace formed thereon and method for manufacturing the same
CN108780791A (zh) 半导体装置、电子模块、电子设备和用于生产半导体装置的方法
KR102194718B1 (ko) 임베디드 기판 및 임베디드 기판의 제조 방법
JP2009253261A (ja) 高密度回路基板及びその形成方法
KR20160032985A (ko) 패키지 기판, 패키지 기판의 제조 방법 및 이를 포함하는 적층형 패키지
KR20060046532A (ko) 회로 장치의 제조 방법
JP5357239B2 (ja) 配線基板、半導体装置、及び配線基板の製造方法
KR20090096809A (ko) 반도체 부품 내장형 인쇄회로기판 제조 방법
CN115831907A (zh) 将玻璃通孔的金属焊盘与玻璃表面分隔开的电介质层
JP5982760B2 (ja) 電子デバイス及びその製造方法
JP2012084826A (ja) 半導体パッケージの製造方法
KR101100034B1 (ko) 인터포저 일체형 인쇄회로기판 및 제조 방법
TW200926372A (en) Packing substrate and method for manufacturing the same
KR100999904B1 (ko) 다기능 인쇄회로기판의 칩 내장을 위한 인터커넥션 형성 방법
JP2008211254A (ja) 部品内蔵多層回路基板
KR101574019B1 (ko) 인쇄회로기판의 제조 방법
KR101158213B1 (ko) 전자부품 내장형 인쇄회로기판 및 이의 제조 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20131216

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20141201

Year of fee payment: 5

LAPS Lapse due to unpaid annual fee