KR100995472B1 - 프로젝션 노광 장치의 프로젝션 대물렌즈 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 193㎚ 이하의 파장을 갖는 전자기 복사 방출을 위한 일차 광원을 구비하는 프로젝션 노광 장치를 위한 프로젝션 대물렌즈에 관한 것이다. 프로젝션 대물렌즈는 물체 평면, 제1 미러, 제2 미러, 제3 미러, 제4 미러 및 영상 평면을 포함한다. 물체 평면, 제1 미러, 제2 미러, 제3 미러, 제4 미러 및 영상 평면은 공통 광축을 중심으로 정렬된다. 제1 내지 제4 미러들은 물체 평면과 영상 평면 사이에 위치한다. 물체 평면상에 위치하는 대상체로 입사되는 전자기 복사의 주광선은 일차 광원으로부터 영상 평면 내의 영상을 향하는 방향을 따라 광축으로부터 경사진다.
Description
본 발명은 프로젝션 대물렌즈 및 193㎚ 이하의 파장을 위한 프로젝션 대물렌즈를 구비하는 프로젝션 노광 장치에 관한 것이다.
특히, 서브마이크론 단위의 전자 부품들의 구조적인 폭을 보다 감소시키기 위하여, 마이크로 식각 공정에 이용되는 광의 파장을 감소시킬 것이 요구된다. 이른바 진공 자외선(vacuum ultraviolet: VUV) 식각으로도 일컬어지는 원자외선(deep UV) 복사를 이용하는 식각 공정 또는 극자외선(extreme UV: EUV) 식각으로도 일컬어지는 무른 X선 복사를 이용하는 식각 공정에는, 예를 들면, 193㎚ 보다 작은 파장의 광을 고려할 수 있다.
미국특허 제5,353,322호에는 X선 복사 소스, 웨이퍼 및 상기 웨이퍼 상에 영상화되는 마스크를 구비하는 X선 프로젝션 식각 카메라를 위한 렌즈 시스템이 개시되어 있다. 상기 미국특허 제5,353,322호에 따르면, 상기 마스크 상에 입사되는 복사의 주광으로 불리는 주광선은 상기 소스로부터 상기 마스크를 향하는 방향을 따라 상기 렌즈 시스템의 광축으로부터 경사지게 된다. 상기 미국특허 제5,353,322호 에 제시된 프로젝션 렌즈는 3개의 미러들을 갖는 프로젝션 대물렌즈이다. 상기 미국특허 제5,353,322호에 개시된 프로젝션 대물렌즈는 작은 수치 구경을 가진다는 단점이 있다.
미국특허 제5,686,728호에는 6개의 미러들을 갖는 프로젝션 대물렌즈가 개시되어 있다. 이러한 프로젝션 대물렌즈는 100 내지 300㎚의 파장을 갖는 자외선을 위해서만 사용된다. 이와 같은 프로젝션 대물렌즈의 미러들은 ㅁ50㎛ 정도의 매우 높은 비구면성(asphericity)을 가질 뿐만 아니라 대략 38ㅀ 정도의 매우 큰 입사 각도를 가진다. 이러한 비구면성 및 입사 각도는 EUV에 적용하기에는 용이하지 않다. 상기 미국특허 제5,686,728호에 개시된 6개의 미러들을 갖는 대물렌즈의 구경 제한판은 제2 미러와 제3 미러 사이에 위치한다. 제1 미러와 제2 미러 사이의 200.525㎜ 정도의 작은 간격으로 인하여 상기 구경 제한판은 상기 제1 및 제2 미러들 사이의 위치에서 매우 작은 범위로만 변화될 수 있다. 이에 따라, 원심성(telecentricity) 오차의 보정과 상기 구경 제한판의 위치를 이동함에 따른 코마(coma) 또는 비점수차소거(astigmatism)가 매우 작은 범위로만 가능해진다.
전술한 특허들은 참조 문헌으로 포함되어 있다.
상술한 종래 기술을 설명한 참조 문헌들 가운데 어떠한 것에도 넓은 범위에서 원심성 오차뿐만 아니라 코마 및 비점수차소거를 보정할 수 있는 프로젝션 대물 렌즈에 대해서는 기재되어 있지 않다. 또한, 전술한 문헌들 중 어떠한 것도 영상 평면 내의 필드의 균일한 조명을 구비하며, 그로 입사되는 광 강도의 높은 투과율을 갖는 프로젝션 노광 장치에 대해서는 도시하고 있지 않다.
본 발명의 목적은 넓은 범위에 걸쳐 원심성 오차뿐만 아니라 코마 및 비점수차소거를 보정할 수 있는 프로젝션 대물렌즈를 제공하는 것이다. 이와 같은 목적은 자유롭게 접근 가능한 구경 제한판 및 프로젝션 대물렌즈의 광축을 따라 배치될 수 있는 구경 제한판을 구비하는 프로젝션 대물렌즈를 통하여 구현된다. 2개의 인접하는 미러들, 예를 들면 제1 및 제2 미러들 또는 제2 및 제3 미러들 사이의 긴 거리 또는 소위 긴 유동부로 인하여, 이러한 인접하는 미러들 사이의 구경 제한판은 큰 간격으로 배치될 수 있다. 제1 위치에 상기 구경 제한판을 큰 간격으로 배치함에 따라, 원심성이 보정될 수 있다. 제2 위치에서는, 코마 및 비점수차소거가 보정될 수 있다.
본 발명의 바람직한 실시예에 있어서, 상기 구경 제한판은 미러 표면상에 또는 근접하여 위치하지 않는다. 이러한 실시예에 있어서, 상기 구경 제한판을 통하여 물체 평면으로부터 영상 평면으로 진행하는 광속이 한 번만 통과한다. 예를 들면, 상기 프로젝션 대물렌즈의 물체 평면 내에 상기 프로젝션 대물렌즈에 의해 영상 평면 내로 영상화되는 마스크가 위치하며, 상기 프로젝션 대물렌즈의 영상 평면 내에 감광성 기판이 위치한다. 상기 구경 제한판을 1회만 통과함으로써, 상기 구경 제한판에 의한 비네팅 효과(vignetting effect)가 방지될 수 있다.
본 발명의 바람직한 실시예에 있어서, 상기 프로젝션 대물렌즈는 광축을 중심으로 정렬된 제1 미러, 제2 미러, 제3 미러, 제4 미러, 제5 미러 및 제6 미러 등의 6개의 미러들을 구비한다.
이 경우에 상기 미러들의 모든 표면들은 공통 광축 주위에 회전 대칭이 된다. 상기 공통 광축은 주광축(PA)으로도 일컬어진다.
이 경우에 미러의 표면의 정점은 상기 주광축(PA)과 상기 미러 표면의 교차점으로 정의된다.
각 미러는 미러 표면을 가진다. 상기 미러 표면은 상기 물체 평면으로부터 상기 영상 평면까지 상기 대물렌즈들 통하여 진행하는 광속이 조사되는 물리적인 표면에 해당된다. 상기 물리적인 미러 표면 또는 미러의 사용된 영역은 상기 주광축에 대하여 축선을 벗어나거나 축선 상의 일부분일 수 있다.
접근 가능한 구경 제한판을 갖는 축소된 디자인을 제공하는 동시에 상기 물체 평면으로부터 상기 영상 평면으로 진행하는 모호하지 광속의 않은 광 경로를 구 현하기 위하여, 상기 프로젝션 대물렌즈는 상기물체 평면 내에 위치하는 대상물의 중간 영상이 형성되도록 설계된다. 상기 물체 평면 내에 위치하는 상기 대상물은, 예를 들면, 패턴을 갖는 마스크에 해당된다. 이러한 대상물은 상기 프로젝션 대물렌즈에 의해 상기 영상 평면 내의 웨이퍼와 같은 감광성 기판 상으로 영상화된다. 본 발명의 바람직한 실시예에 있어서, 상기 프로젝션 대물렌즈는 제1, 제2, 제4 및 제4 미러들을 포함하는 제1 하위 시스템과 제1 및 제6 미러들을 포함하는 제2 하위 시스템으로 구분된다. 상기 제1 하위 시스템은 대상물, 특히 물체 평면 내에 위치한 패턴을 갖는 마스크를 실제 중간 영상으로 영상화한다. 상기 제2 하위 시스템은 상기 중간 영상을 상기 영상 평면 내의 영상으로 영상화시킨다. 바람직하게는, 상기 프로젝션 대물렌즈는 예를 들면 제2 및 제3 미러들의 정점들 사이에 자유롭게 접근 가능한 구경 제한판을 구비한다.
본 발명의 제1 실시예에 있어서, 상기 구경 제한판은 상기 제2 미러 표면의 정점 상에 또는 근접하여 위치한다. 이러한 실시예에 있어서, 상기 구경 제한판은 상기 제2 미러의 표면에 인접하여 위치하여야 하며, 이에 따라 상기 구경 제한판을 2회 통과함에 따른 비네팅 효과가 최소화된다. 상기 구경 제한판을 상기 제2 미러의 표면에 인접하여 위치시킴에 따라, 식각 공정의 임계 치수(critical dimension: CD)의 원하지 않는 변화를 유발시키는 비네팅 효과가 최소화된다. 식각 공정의 임계 치수(CD)는 상기 프로젝션 대물렌즈에 의해 해상되어야 하는 최소 구조 사이즈에 해당된다. 프로젝션 대물렌즈의 임계 치수는, 예를 들면, 50㎚ 정도의 선폭에 해당된다.
본 발명의 다른 바람직한 실시예에 따르면, 상기 구경 제한판은, 상기 제2 미러의 표면의 정점과 상기 제3 미러의 표면의 정점 사이의 상기 물체 평면으로부터 상기 영상 평면까지 진행하는 광 경로 상에 위치한다.
본 발명의 가장 바람직한 실시예에 따르면, 상기 제1 미러는 상기 제6 미러의 표면의 정점과 상기 영상 평면 사이에 구조적으로 위치한다. 이러한 배열은 상기 제1 하위 시스템에서 상기 제1, 제2, 제3 및 제4 미러들의 미러 표면들 및 상기 마스크 상으로 조사되는 광선들의 입사 각도를 매우 낮게 구현할 수 있는 이점이 있다.
상기 프로젝션 대물렌즈 외에 본 발명은 대물렌즈를 구비하는 프로젝션 노광 장치를 제공한다.
이러한 프로젝션 노광 장치는, 일차 광원과 상기 프로젝션 대물렌즈의 영상 평면과 일치하는 영상 평면 및 상기 일차 광원으로부터 광을 수용하기 위한 복수 개의 래스터 부재들을 구비하는 조명 시스템, 그리고 상기 조명 시스템의 상기 영상 평면 내에 위치하는 패턴을 갖는 마스크를 위한 프로젝션 렌즈를 포함한다. 상기 조명 시스템은 상기 복수 개의 래스터 부재들로부터의 광을 이용하여 상기 영상 평면 내에 복수 개의 필드 점들을 갖는 필드를 형성하고, 상기 복수 개의 필드 점들에 각기 연계된 주광선을 포함하여 복수 개의 주광선들을 정의한다. 상기 패턴을 갖는 마스크는 상기 프로젝션 대물렌즈의 영상 평면 내의 감광성 대상물 상의 상기 프로젝션 대물렌즈의 물체 평면에 부합된다. 상기 프로젝션 대물렌즈는 본 실시예에서 주광축(PA)으로 표시되는 광축을 포함한다. 본 실시예에 있어서, 상기 일차 광원으로부터 상기 조명 시스템의 상기 영상 평면 내의 패턴을 갖는 마스크를 향하는 방향을 따라 상기 패턴을 갖는 마스크에 조사되는 복수 개의 주광선들은 상기 프로젝션 대물렌즈의 광축 또는 소위 주광축으로부터 경사진다.
전술한 프로젝션 노광 장치는 상기 패턴을 갖는 마스크에 균일한 조명을 확보할 수 있으며, 가능한 한 적은 수의 광학적 부품들을 구비한다는 장점을 가진다.
EUV 식각 공정에 있어서, 각 광학적 부품들의 광 손실은 10 내지 40% 정도의 범위에 이르기 때문에, 가능한 한 적은 수의 광학적 부재들을 갖는 프로젝션 대물렌즈를 구비하는 프로젝션 노광 장치와 같은 시스템은 그를 향하여 입사되는 광의 투과율을 크게 향상시킬 수 있으며, 또한, 크게 축소된 사이즈를 가질 수 있다. 즉, 광선 경로의 부피가 감소된다. EUV 식각 시스템에 있어서 전체 광선의 경로가 진공 내에 위치하여야 하기 때문에 이와 같은 장점은 특히 유리하다.
이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 상세 하게 설명하지만, 본 발명이 하기 실시예에 의해 제한되거나 한정되는 것은 아니다.
도 1은 대물렌즈의 물체 평면 내의 고리형 필드를 도시한 도면이다.
도 2는 중간 영상, 제2 미러 상의 자유롭게 허용 가능한 구경 제한판 그리고 제6 미러와 영상 평면, 즉 웨이퍼 평면 사이에 위치하는 제1 미러를 구비하는 본 발명의 제1 실시예를 도시한 것이다.
도 3은 제2 미러와 제3 미러 사이에 구경 제한판이 구비된 본 발명의 제2 실시예를 도시한 것이다.
도 4는 제2 미러와 제3 미러 사이에 구경 제한판이 구비된 본 발명의 제3 실시예를 도시한 것이다.
도 5는 제2 미러와 제3 미러 사이에 구경 제한판이 구비된 갖는 본 발명의 제4 실시예를 도시한 것이다.
도 6a 및 도 6b는 상이한 물리적인 미러 표면들의 사용 직경 또는 미러의 사용 면적을 나타내는 도면들이다.
도 7은 프로젝션 대물렌즈를 구비하는 프로젝션 노광 장치의 제1 실시예에 따른 구성도이다.
도 8은 도 7에 도시한 시스템의 입사 동공의 구성도이다.
도 9는 프로젝션 대물렌즈를 구비하는 프로젝션 노광 장치의 제2 실시예에 따른 구성도이다.
도 1에는 본 발명에 따른 프로젝션 대물렌즈의 영상 평면 내의 프로젝션 노광 장치의 대물 필드(1100)가 도시되어 있다. 상기 영상 평면 내의 대상물은, 감광성 기판, 예를 들면, 상기 프로젝션 대물렌즈의 영상 평면 내에 정렬된 감광성 물질을 구비하는 웨이퍼 상의 프로젝션 대물렌즈에 의해 영상화된다. 상기 영상 평면 내의 상기 영상 필드는 물체 평면 내의 대물 필드와 동일한 형상을 갖지만, 배율에 따라 감소된 사이즈를 가진다. 상기 물체 평면 또는 영상 평면(1100)은 고리형 필드의 일부분의 구성을 가지며, 상기 고리형 필드는 대칭축(1200)을 구비한다.
또한, 도 1에는 상기 영상 평면으로 연장되는 대칭축(1200), X축 및 Y축이 도시되어 있다. 도 1에 도시한 바와 같이, 상기 고리형 필드의 대칭축(1200)은 상기 Y축 방향을 따라 연장된다. 상기 Y축은 고리형 필드 스캐너로 설계된 프로젝션 노광 장치의 스캐닝 방향과 일치한다. 따라서, 상기 X축은 상기 영상 평면 내에서 상기 스캐닝 방향과 직교한다. 상기 고리형 필드는, 프로젝션 대물렌즈의 주축(PA)으로부터의 상기 대물 필드의 중앙 필드점(1500)의 거리에 의해 정의되는 소위 고리형 필드 반경(R)을 가진다. 상기 물체 평면 및 상기 영상 평면 내의 아크 형상의 필드는 스캐닝 또는 Y축 방향 및 분할 길이(SL)를 따라 상기 필드가 연장되는 아크형 필드 폭(W)을 가진다.
도 2, 도 3, 도 4 및 도 5는 본 발명에 따라 6개의 미러들을 구비하는 프로젝션 대물렌즈들의 배열이 도시되어 있다.
본 발명의 모든 실시예들에 있어서, 동일한 부재들에 대해서는 다음과 같은 동일한 참조 부호를 사용한다.
제1 미러(S1), 제2 미러(S2), 제3 미러(S3), 제4 미러(S4), 제5 미러(S5) 및 제6 미러(S6).
도 2 내지 도 5에 도시한 모든 실시예들에 있어서, 프로젝션 대물렌즈의 물체 평면(2)(즉, 레티클 평면)으로부터 프로젝션 대물렌즈의 영상 평면(4)(즉, 웨이퍼 평면)까지의 광 경로와 함께 제1 미러(S1), 제2 미러(S2), 제3 미러(S3), 제4 미러(S4), 제5 미러(S5) 및 제6 미러(S6)의 6개의 미러들을 갖는 프로젝션 대물렌즈가 도시되어 있다. 도 2 내지 도 5에 도시한 모든 실시예들은 제1 하위 시스템 및 제2 하위 시스템으로 구분된다. 상기 제1 하위 시스템은 제1 미러(S1), 제2 미러(S2), 제3 미러(S4) 및 제4 미러(S4)로부터 형성되는 4개의 미러 시스템이다. 상기 제1 하위 시스템은 중간 영상(Z)으로서 상기 영상 평면 내의 대상물의 축소된 실상을 생성 및 제공한다. 결국, 2개의 미러들을 갖는 시스템(S5, S6)이 원심성(telecentricity)의 요건을 유지하면서 웨이퍼 평면(4) 내의 중간 영상(Z)을 영상 화한다. 4개의 미러들을 갖는 시스템 및 2개의 미러들을 갖는 시스템의 수차들은 서로에 대하여 균형이 유지되어 전체 시스템은 집적 회로 조립에서 높은 광 효율을 가진다.
또한, 도 2 내지 도 5에 도시한 본 발명의 모든 실시예들에 있어서, 프로젝션 대물렌즈들은 주축(PA)으로 표시된 광축을 구비한다. 본 발명에 따르면, 프로젝션 대물렌즈의 영상 평면(2) 내에 위치하는 패턴을 갖는 마스크에 작용할 경우, 복수 개의 주광선들은 프로젝션 대물렌즈의 상기 광축 또는 소위 주축(PA)으로부터 경사지게 된다.
상기 광축으로부터 상기 주광선들이 경사짐에 따라, 프로젝션 대물렌즈가 긴 유동부를 구비하고, 상기 마스크 및 6개의 미러들(S1∼S6) 상으로 낮은 입사 각도를 갖도록 설계하는 것이 가능해진다. 이러한 유동부는 2개의 연속되는 미러들의 정점들 사이의 광학적 거리를 의미한다. 상기 광학적 거리는 하나의 미러로부터 인접하는 미러까지, 즉 상기 제4 미러로부터 상기 제5 미러까지의 광 경로 내의 거리에 해당된다.
상기 주광선들은 다음과 같이 정의된다.
상기 프로젝션 대물렌즈의 영상 평면 내의 필드의 각 점으로부터 광속(light bundle)이 출사된다. 각 광속은 복수 개의 광선을 포함한다. 상기 광속의 주광선(CR)은, 프로젝션 대물렌즈의 구경 제한판이 위치하는 평면 내의 프로젝션 대물렌즈의 상기 광축을 가로지르는 상기 복수 개의 광선으로부터 이탈되는 광선에 해당된다.
도 3 내이 도 5에 도시한 실시예들에 있어서, 프로젝션 대물렌즈의 상기 주축(PA)에 대한 상기 주광선들의 각도(α)들은 6° 미만이 된다. 도 2에 도시한 실시예에 있어서, 상기 각도(α)는 7° 미만이다. 전술한 바와 같이, 주광선(CR)은 예를 들면 도 1에 도시한 대물 필드와 같은 상기 대물 필드의 각 필드 점들에 연계된다.
도 2에 도시한 실시예에 있어서, 물리적 구경 제한판(B)은 제2 미러(S2) 상에 정렬된다. 도 2에 도시한 바와 같이, 상기 구경 제한판은 접근 가능하다. 도 2에 도시한 실시예에 있어서, 제1 미러(S1)의 정점(V1)은 영상 평면(4)에 근접하여 위치한다. 이에 따라, 상기 마스크와 상기 제1 미러 사이 및 제1 미러(S1)와 상기 제2 미러(S2) 사이에 긴 유동부가 제공되며, 상기 마스크와 상기 미러들(S1, S2)에 영향을 미치는 광선들의 낮은 입사 각도가 확보된다. 본 실시예에 있어서, 구경 제한판(B)은 상기 제2 미러의 정점(V2) 상에 또는 근접하여 위치한다. 상기 2개의 인접하는 미러들, 예들 들면, 제1 미러(S1)와 제2 미러(S2) 사이에 상기 구경을 자유롭게 접근할 수 있도록 위치시키기 위하여 상기 마스크와 상기 제1 미러 사이 및 상기 제1 미러와 상기 제2 미러 사이의 긴 유동부에 대한 약간 상이한 설계도 가능할 것이다.
또한, 도 2에 도시한 실시예에 있어서, 상기 주광선이 상기 광축으로부터 경사져 있기 때문에, 프로젝션 대물렌즈의 제1 미러(S1)는 제6 미러(S6)와 영상 평면(4) 사이에 물리적으로 위치한다. 상기 영상 평면 내에 감광성 기판, 예를 들면, 웨이퍼가 위치한다. 이에 따라, 프로젝션 대물렌즈의 사이즈를 축소할 수 있으며, 각 미러(S1∼S6)에 영향을 미치는 광선들의 낮은 입사 각도를 제공할 수 있으므로 광학적인 오차를 감소시킬 수 있다. 특히, 이러한 설계에 따라 입사 각도에 의존하는 코팅 유도 위상 오차를 최소화할 수 있다. 도 2에 도시한 실시예에 따른 코드-V-데이터를 표 1에 나타낸다. 대상물은 상기 레티클이 위치하는 물체 평면(2)을 정의하며, 영상은 상기 감광성 기판, 즉 상기 웨이퍼가 위치하는 영상 평면(4)을 정의한다. 참조 부호 S1, S2, S3, S4, S5 및 S6은 각기 제1, 제2, 제3, 제4, 제5 및 제6 미러들 나타낸다.
[표 1]도 2에 도시한 프로젝션 대물렌즈의 코드-V-데이터
조립 데이터
실시예 1
도 3 내지 도 5에는 본 발명의 다른 실시예들이 도시되어 있다. 상기 제2 실시예, 제3 실시예 및 제4 실시예에 따른 데이터를 표 2 내지 표 4에 나타낸다. 모든 실시예들에 있어서, 구경 제한판(B)은 제2 미러(S2)와 제3 미러(S3) 사이에 자유롭게 접근 가능하게 위치한다.
이러한 실시예들에 있어서, 상기 구경 제한부가 2개의 인접하는 미러들 사이에 위치하기 때문에, 상기 영상 평면으로부터 상기 물체 평면까지 진행하는 광속이 한 번만 상기 구경 제한판을 통과하게 된다. 상기 구경 제한판을 1회만 통과함으로써, 비네팅 효과(vignetting effect)를 방지할 수 있다. 또한, 구경 제한판(B)은 상기 제1 미러와 상기 제3 미러 사이의 다양한 위치에 위치할 수 있으며, 이에 따라 원심성 오차(제1 위치에서)와 코마(coma) 및 비점수차소거(astigmatism)(제2 위치에서)를 용이하게 보정할 수 있다. 도 3 내지 도 5에 도시한 모든 디자인들은 중간 영상(Z)을 구비한다. 코드-V-포맷의 광학적 데이터를 다음 표 2 내지 표 4에 나타낸다. 여기서, 모든 수차는 표 1의 수차와 동일하다.
[표 2]도 3에 도시한 프로젝션 대물렌즈의 코드-V-데이터
조립 데이터
실시예 2
[표 3]도 4에 도시한 프로젝션 대물렌즈의 코드-V-데이터
조립 데이터
실시예 3
[표 4]도 5에 도시한 프로젝션 대물렌즈의 코드-V-데이터
조립 데이터
실시예 4
도 6A 및 도 6B에는 상술한 실시예들과 같이 사용된 직경(D)이 도시되어 있다. 제1 예로서, 도 6A의 미러 상의 조명된 필드(100)는 사각형 필드이다. 상기 조명된 필드는 영상 평면(2)으로부터 물체 평면(4)까지 상기 대물렌즈를 통과한 광선 다발이 조사되는 미러 상의 영역에 해당된다. 도 6A에 따라 사용된 직경(D)은 사각형(100)의 모서리들(104)이 포락원(envelope circle)(102) 상에 위치하는 사각형 (100)을 둘러싸는 포락원(102)의 직경에 해당된다. 보다 실제적인 예는 도 6B에 도시되어 있다. 조명된 필드(100)는, 상기 영상 평면 내의 필드 및 상기 물체 평면 내의 필드가 도 1에 도시한 바와 같이 아크 형상일 경우에 상기 미러들(S1∼S6)의 물리적 미러 표면들을 또는 상기 미러들(S1∼S6)의 소위 사용된 영역들을 예정하는 콩팥 형상을 가진다. 포락원(102)은 상기 콩팥 형상을 완전히 둘러싸며, 2개의 점들(106, 108)에서 상기 콩팥 형상의 에지(110)에 일치된다. 상기 미러들(S1∼S6)의 사용된 영역 또는 물리적인 미러 표면들의 사용된 직경(D)은 포락원(102)의 직경으로 표시된다.
도 7 내지 도 9에는 본 발명의 바람직한 실시예들에 따라 높은 투과율을 가지며 프로젝션 대물렌즈를 구비하는 프로젝션 노광 장치가 도시되어 있다. 모든 시스템들은 광축과 상기 일차 광원으로부터 상기 레티클을 향하는 방향을 따라 상기 레티클 상에 조사되는 복수 개의 주요한 광선들 또는 소위 주광선들을 갖는 프로젝션 대물렌즈를 구비한다, 본 발명에 따르면, 상기 주광선들은 반사되는 경우에 상기 광축으로부터 경사지게 된다. 도 7 내지 도 9에 도시한 프로젝션 노광 장치의 프로젝션 대물렌즈의 상기 입사 동공은 상기 레티클 전에 상기 일차 광원으로부터 상기 레티클을 향해 진행하는 광의 광 경로 상에 위치한다.
도 7에는 본 발명에 따른 프로젝션 노광 장치의 제1 실시예가 도시되어 있다.
상기 제1 실시예에 따른 프로젝션 노광 장치는 일차 광원(8501) 및 콜렉터(8503)라고 불리는 집광 광학 부재를 구비한다. 콜렉터(8503)는, 예를 들면, WO 02/27400 A2에 개시한 바와 같이 둥지형 스침 입사(grazing incidence) 콜렉터이다. 상기 복사는 구경 제한판(8504)과 함께 격자 부재(8502)에 의해 분광 필터링된다. 상기 격자 부재는 상기 격자 부재 상에 조사되는 광을 상이한 굴절율, 예를 들면, -1의 굴절율로 굴절시킨다. 구경 제한판(8504)은 상기 -1의 굴절율로 상기 일차 광원의 중간 영상(8506) 내에 또는 근접하여 위치한다. 상기 프로젝션 노광 장치는 제1 또는 소위 필드 래스터(raster) 부재(8509)를 갖는 제1 광학 부재 그리고 제2 또는 소위 동공 래스터 부재(8515)를 갖는 제2 광학 부재를 포함하는 제1 광학 요소를 더 구비한다. 필드 래스터 부재들을 포함하는 상기 제1 광학 부재는 일차 광원(8501)의 방향으로부터 필드 래스터 부재들(8509)을 갖는 상기 플레이트 상으로 조사되는 복수 개의 광속들로부터 상기 광속을 분해한다. 각 광속은 집광되며, 동공 래스터 부재들(8515)을 갖는 상기 플레이트가 위치한 지점에서 이차 광원을 형성한다. 도 7에 도시한 프로젝션 노광 장치의 상기 조명 시스템은 제2 광학 요소를 더 포함한다. 상기 제2 광학 요소는, 레티클(8567)이 위치하는 영상 평면(8529) 내에 상기 아크형 필드를 형성하기 위한 제1 필드 미러(8525)를 포함한다. 영상 평면(8529) 내의 상기 아크형 필드의 각 점에 주요한 광선 또는 소위 주광선이 연계되어 복수 개의 주광선들을 형성한다. 도 7에 있어서, 영상 평면(8529) 내의 상기 아크형 필드의 중심 필드 점(0, 0)을 위한 주광선만이 참조부호 8527로 표시되었 다.
레티클(8567)은지지 시스템(8569)에 의해 위치된다. 상기 프로젝션 시스템의 상기 물체 평면에 부합되는 상기 조명 시스템의 영상 평면(8529) 내의 레티클(8529)은지지 시스템(8575)에 의해 위치하는 감광성 기판, 예를 들면, 웨이퍼(8573) 상의 프로젝션 대물렌즈(8571)에 의해 영상화된다. 본 실시예에 따른 프로젝션 대물렌즈(8571)는, 도 2 내지 도 5에 도시한 바와 같이, 제1 미러(8591), 제2 미러(8592), 제3 미러(8593), 제4 미러(8594), 제5 미러(8595) 및 제6 미러(8596)와 같이 6개의 미러들을 구비한다. 프로젝션 대물렌즈(8571)의 상기 6개의 미러들(8591, 8592, 8593, 8594, 8595, 8596)은 공통 직선 광축(8547)을 중심으로 위치한다. 상기 프로젝션 대물렌즈는 제4 미러(8594)와 제5 미러(8595) 사이에 중간 영상(8599)을 가진다. 그러나, 본 발명이 6개의 미러를 갖는 프로젝션 대물렌즈에 국한되는 것은 아니다. 해당 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 193㎚ 이하의 파장을 위한 모든 다른 프로젝션 대물렌즈들, 예를 들면, 미국특허 제6,244,717호에 개시된 4개의 미러들을 갖는 대물렌즈를 본 발명에 적용할 수 있을 것이다.
본 발명에 따르면, 일차 광원(8501)으로부터 레티클(8567)을 향하는 방향을 따라 레티클(8567) 상에 조사되는 광속에 연계된 상기 중심 필드 점의 주광선(8597)은 상기 프로젝션 대물렌즈에 의해 정의되는 광축(8547)으로부터 경사진다.
도 7에 도시한 실시예의 레티클(8547)은 반사 마스크이다. 따라서, 복수 개의 주광선들이 상기 반사 마스크로부터 반사되어 프로젝션 대물렌즈(8571) 내로 분산된다.
복수 개의 주광선들은 각기 프로젝션 대물렌즈의 광축(8547) 상에서 또는 근접하여 상기 프로젝션 대물렌즈의 입사 동공 평면을 가로지른다. 본 발명에 따르면, 상기 프로젝션 대물렌즈 내로 분산되는 복수 개의 주광선들을 위한 상기 입사 동공은 영상 평면(8529) 전에 일차 광원(8501)으로부터 레티클(8567)까지의 광 경로 상에 위치한다. 상기 프로젝션 대물렌즈는, 도 2 내지 도 5에 도시한 바와 같이 예를 들면 6개의 미러들을 갖는 프로젝션 대물렌즈에 해당된다. 그러나, 상기 프로젝션 대물렌즈가 6개의 미러들을 갖는 프로젝션 대물렌즈에 국한되는 것은 아니다. 또한, 적어도 4개의 미러들을 갖는 다른 반사형 프로젝션 대물렌즈들도 적용 가능하다.
도 7에 도시한 실시예의 경우와 같이 필드 미러가 필드 형성 부재로 사용될 경우, 상기 입사 동공은 가상적인 입사 동공이 된다. 이러한 점은 도 8로부터 명백해진다.
도 8은 도 7에 도시한 시스템의 입사 동공의 구성을 도시한 것이다. 도 7에 대응하는 부재들에 대해서는 100을 더한 참조 부호를 사용한다. 제1 필드 미러 (8625)로부터의 광속은 레티클(8667)에 의해 반사되어 도시하지는 않았으나 프로젝션 대물렌즈 내로 분산된다. 도 8에 있어서, 중심 필드 점에 연계되는 주광선은 참조 부호 8697로 표시하였다. 상기 입사 동공을 구성하기 위하여, 상기 레티클에서 상기 프로젝션 대물렌즈 내로 반사되는 상기 중심 필드 점의 주요 광선 또는 소위 주광선(8697)은 상기 반사 레티클(8667) 후방의 방향을 따라 진행하여, 상기 프로젝션 대물렌즈의 광축(8647)과 함께 교차점(8698)을 형성하지만 도시되지는 않았다. 이러한 교차점(8698)은 상기 프로젝션 대물렌즈의 입사 동공(8688)의 위치를 정의한다. 레티클(8667)에서 광선의 경로의 반사로 인하여 상기 입사 동공의 위치는 상기 레티클에서 영상화되어 레티클(8667)을 넘어서 상기 입사 동공의 영상, 이른 바 가상적인 입사 동공(8689)을 형성한다. 본 발명에 따르면, 상술한 바에 따라 구성된 입사 동공은 상기 레티클 전의 상기 일차 광원으로부터 상기 레티클까지의 광 경로 상에 위치한다.
도 9에는 본 발명의 제2 실시예가 도시되어 있다. 도 7과 대응하는 부재들에 대해서는 200을 증가시킨 참조 부호를 사용한다. 도 7에 도시한 실시예와 도 9에 도시한 실시예의 차이점은 영상 평면 내에서 아크 형상의 필드를 형성하는 필드에 있다. 도 9에 도시한 실시예에 따르면, 어떠한 필드 형성 미러도 더 이상 요구되지 않는다. 이에 따라, 도 9에 도시된 시스템은 가장 축소된 사이즈를 가진다. 즉, 상기 시스템은 미국특허 제6,198,793호에 개시된 종래의 프로젝션 노광 장치에 비하여 크게 감소된 광학적 부재들을 포함한다.
도 9에 도시된 실시예에 따른 필드는 영상 평면(8729) 내에서 조명되는 필드의 형상을 갖는 제1 래스터 부재들(8709)에 의해 형성된다. 영상 평면(8729) 내의 아크형 필드를 위하여, 상기 필드 래스터 부재들 또는 제1 래스터 부재들은 아치 형상을 가진다.
상기 시스템의 실제 입사 동공(8788)은 상기 조명 시스템의 영상 평면 내의 각 필드 점에 연계된 복수 개의 주광선들의 교차점(8798)과 상기 프로젝션 대물렌즈의 광축(8747)에 의해 정의된다. 도 9에 있어서, 중심 필드 점(0,0)을 위한 주광선(8797)은 참조 부호 8797로 표시하였다. 본 발명에 따르면, 전술한 방법으로 정의된 상기 입사 동공은 레티클(8767) 전의 일차 광원(8701)으로부터 레티클(8767)까지의 광 경로 상에 위치한다. 상기 입사 동공에 의해 정의되는 평면 내에 제2 광학적 부재가 동공 래스터 부재들(8715)과 함께 직접 위치할 수 있다. 도 9에 도시한 장치는, 예를 들면 미국특허 제6,198,793호에 개시된 장치와 같이, 이차 광원을 형성하기 위한 영상화 광학 부재 또는 상기 프로젝션 대물렌즈의 입사 동공(8798) 내의 각 이차 광원에 연계된 동공 래스터 부재들(8715)을 요구하지 않는다.
따라서, 종래의 경우에 비하여 광학 부재들의 수가 현저하게 감소된다.
도 7 내지 도 9에 도시한 상기 레티클 전에 상기 일차 광원으로부터 상기 레 티클까지의 광 경로 상에 위치하는 입사 동공을 구비하는 프로젝션 노광 장치를 도시하였지만, 상기 프로젝션 노광 장치는 제2 또는 제3 필드 미러와 같은 광학적 구성 요소들을 더 포함할 수 있다.
전술한 바와 같이, 이러한 제1 또는 제3 필드 미러를 구비하는 시스템은 상기 레티클 전에 상기 일차 광원으로부터 상기 레티클까지의 광 경로 상에 위치하는 입사 동공을 포함할 수 있다.
상기 시스템은 상기 물체 평면 내의 상기 레티클에서 예를 들면, 0.0625 정도의 수치 구경(NAret)을 가진다. 이상적인 시스템에 있어서, 모든 필드 점들의 주광선들은 상기 입사 동공 내에서 상기 광축을 가로지른다. 비 이상적인 시스템에 있어서는, 상기 주광선은 상기 입사 동공 내에서 상기 광축으로부터 소정의 거리로 이격된다. 이러한 거리는 작지만, 바람직한 최대 허용 가능한 구경의 편차가 존재한다. 바람직한 최대 허용 가능한 편차는 다음 수학식으로 표현된다.
[수학식]
△NAret/NA<2%
본 발명에 있어서, "에 또는 근접하여" 및 "내에 또는 근접하여"는 상기 수치 구경(NAret)의 허용 가능한 편차(△NAret)로 정의되며, 상기 허용 가능한 편차(△NAret)는 △NAret/NA<2%로 정의된다. 예를 들면, "광축 내에 또는 근접하여"는 상기 광축으로부터의 최대 거리가 전술한 관계에 따라 상기 허용 가능한 편차(△NAret)에 의해 정의됨을 의미한다.
상술한 바와 같이, 본 방명에 따른 프로젝션 대물렌즈는 넓은 범위에 걸쳐 원심성 오차뿐만 아니라 코마 및 비점수차소거를 보정할 수 있다. 또한, 본 발명에 따른 프로젝션 노광 장치는 패턴을 갖는 마스크에 균일한 조명을 확보할 수 있으며 가능한 한 적은 수의 광학적 부품들을 구비한다. 본 발명에 따라 가능한 한 적은 수의 광학적 부재들을 갖는 프로젝션 대물렌즈를 구비하는 프로젝션 노광 장치와 같은 시스템은 그를 향하여 입사되는 광의 투과율을 크게 향상시킬 수 있으며, 또한, 크게 축소된 사이즈를 가질 수 있다.
Claims (53)
193㎚ 이하의 파장을 갖는 전자기 복사 방출을 위한 일차 광원을 구비하는 프로젝션 노광 장치의 프로젝션 대물렌즈에 있어서,
물체 평면(2);
제1 미러(S1), 제2 미러(S2), 제3 미러(S3), 제4 미러(S4), 제5 미러(S5) 및 제6 미러(S6); 및
영상 평면(4)을 구비하며,
상기 물체 평면(2), 상기 여섯 개의 미러들(S1, S2, S3, S4, S5, S6) 및 상기 영상 평면(4)이 공통 광축(PA)을 중심으로 정렬되고,
상기 여섯 개의 미러들(S1, S2, S3, S4, S5, S6)이 상기 물체 평면(2)과 상기 영상 평면(4) 사이에 위치하며,
상기 물체 평면(2) 상에 위치하는 대상물로 입사되는 상기 전자기 복사의 주광선(CR)이 상기 일차 광원으로부터 상기 영상 평면(4) 내의 영상을 향하는 방향을 따라 상기 광축(PA)으로부터 경사지는 것을 특징으로 하는 프로젝션 대물렌즈.
193㎚ 이하의 파장을 갖는 전자기 복사 방출을 위한 일차 광원을 구비하는 프로젝션 노광 장치의 프로젝션 대물렌즈에 있어서,
물체 평면(2);
제1 미러(S1), 제2 미러(S2), 제3 미러(S3) 및 제4 미러(S4); 및
영상 평면(4)을 구비하며,
상기 물체 평면(2), 상기 네 개의 미러들(S1, S2, S3, S4) 및 상기 영상 평면(4)이 공통 광축(PA)을 중심으로 정렬되고,
상기 네 개의 미러들(S1, S2, S3, S4)이 상기 물체 평면(2)과 상기 영상 평면(4) 사이에 위치하고,
상기 물체 평면으로부터 상기 영상 평면으로 향하는 광 경로에 중간 영상(intermediate image)이 형성되며, 상기 중간 영상은 상기 물체 평면(2)과 상기 영상 평면(4) 사이에 위치하고,
상기 중간 영상은 상기 영상 평면(4)에 영상으로 영상화되며,
상기 물체 평면(2) 상에 위치하는 대상물로 입사되는 상기 전자기 복사의 주광선(CR)이 상기 일차 광원으로부터 상기 영상 평면(4)의 영상을 향하는 방향을 따라 상기 광축(PA)으로부터 경사지는 것을 특징으로 하는 프로젝션 대물렌즈.
제2항에 있어서, 제5 미러(S5) 및 제6 미러(S6)를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 프로젝션 대물렌즈.
제1항에 있어서, 상기 물체 평면(2)의 대상물은, 상기 제1, 제2, 제3 및 제4 미러들(S1, S2, S3, S4)을 포함하는 제1 하위 시스템에 의해 중간 영상(Z)으로 영상화되며, 상기 중간 영상(Z)은 상기 제5 및 제6 미러들(S5, S6)을 포함하는 제2 하위 시스템에 의해 상기 영상 평면(4)에 영상으로 영상화되는 것을 특징으로 하는 프로젝션 대물렌즈.
제1항 또는 제2항에 있어서, 구경 제한판(aperture stop)(B)이 상기 제2 미러(S2)의 표면의 정점(V2) 또는 그 주변에 위치하는 것을 특징으로 하는 프로젝션 대물렌즈.
제1항 또는 제2항에 있어서, 구경 제한판(B)이 상기 제1 미러(S1)의 표면의 정점(V1) 및 상기 제2 미러(S2)의 표면의 정점(V2) 사이의 상기 물체 평면(2)으로부터 상기 영상 평면(4)까지의 광 경로 상에 위치하는 것을 특징으로 하는 프로젝션 대물렌즈.
제1항 또는 제2항에 있어서, 구경 제한판(B)이 상기 제2 미러(S2)의 표면의 정점(V2) 및 상기 제3 미러(S3)의 표면의 정점(V3) 사이의 상기 물체 평면(2)으로부터 상기 영상 평면(4)까지의 광 경로 상에 위치하는 것을 특징으로 하는 프로젝션 대물렌즈.
제1항에 있어서, 상기 제1 미러(S1)는 상기 제6 미러(S6)의 표면의 정점(V6)과 상기 영상 평면(4) 사이에 위치하는 것을 특징으로 하는 프로젝션 대물렌즈.
193㎚ 이하의 파장을 사용하는 미세가공(microlithography)을 위한 프로젝션 노광 장치에 있어서,
(A) 일차 광원(8501);
(B) (1) 영상 평면(8529), (2) 상기 일차 광원(8501)으로부터 광을 수용하는 복수 개의 래스터 부재들을 구비하며, 상기 복수 개의 래스터 부재들로부터의 광을 이용하여 상기 영상 평면(8529) 내에 복수 개의 필드 점들을 갖는 필드를 형성하고, 상기 복수 개의 필드 점들에 각각 연계되어 복수 개의 주광선들을 정의하는 주광선(8597)을 갖는 조명 시스템; 및
(C) 광축(8547)을 구비하고, 영상 평면에서 패턴을 갖는 마스크(8567)를 감광 물체(8573)에 영상화하는 프로젝션 대물렌즈를 포함하며,
상기 복수 개의 주광선들이 상기 조명 시스템의 상기 영상 평면 내에서 상기 일차 광원(8501)으로부터 상기 패턴을 갖는 마스크(8567)를 향하는 방향을 따라 상기 패턴을 갖는 마스크(8567)에 조사될 때, 상기 복수 개의 주광선들은 상기 광축(8547)으로부터 경사지고,
상기 복수 개의 주광선들은 상기 광축 또는 그 주변에서 상기 프로젝션 대물렌즈의 입사 동공을 가로지르며, 상기 입사 동공은 상기 일차 광원으로부터 상기 영상 평면까지의 광 경로 상의 상기 조명 시스템의 상기 영상 평면 앞에 위치하는 것을 특징으로 하는 프로젝션 노광 장치.
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제9항에 있어서, 주광선과 상기 광축 사이의 각도 α가 정의되며, 상기 각도 α는 7° 미만인 것을 특징으로 하는 프로젝션 노광 장치.
제9항에 있어서, 상기 복수 개의 래스터 부재들이 아치(arcuate) 형상이며, 상기 필드는 아크(arc) 형상인 것을 특징으로 하는 프로젝션 노광 장치.
제9항에 있어서, 상기 복수 개의 래스터 부재들은 복수 개의 제1 래스터 부재들이며, 상기 조명 시스템은 상기 복수 개의 제1 래스터 부재들로부터 상기 광을 수용하고 상기 광을 상기 필드 미러로 향하게 하는 복수 개의 제2 래스터 부재들을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 프로젝션 노광 장치.
제13항에 있어서, 상기 복수 개의 제1 래스터 부재들 각각은 상기 복수 개의 제2 래스터 부재들 각각에 대응되며, 상기 복수 개의 제1 래스터 부재들 각각은 복수 개의 입사 광속들(incoming ray bundles)을 상기 대응되는 복수 개의 제2 래스터 부재들 각각으로 편향시키는 것을 특징으로 하는 프로젝션 노광 장치.
제13항에 있어서, 상기 복수 개의 주광선들은 상기 광축 또는 그 주변에서 상기 프로젝션 대물렌즈의 입사 동공을 가로지르고, 상기 입사 동공은 상기 일차 광원으로부터 레티클까지의 광 경로 상의 상기 영상 평면 전에 위치하며, 상기 복수 개의 제2 래스터 부재들은 상기 입사 동공 또는 그 주변에 위치하는 것을 특징으로 하는 프로젝션 노광 장치.
제9항에 있어서, 상기 복수 개의 래스터 부재들은 복수 개의 입사 광속들을 편향시켜 편향 각도를 갖는 복수 개의 편향된 광속들을 생성하며, 상기 편향 각도들 중 적어도 2개는 서로 상이한 것을 특징으로 하는 프로젝션 노광 장치.
제9항에 있어서, 상기 조명 시스템은 상기 복수 개의 래스터 부재들로부터의 광을 수용하여 상기 필드를 형성하는 필드 미러를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 프로젝션 노광 장치.
제9항에 있어서, 상기 일차 광원은 집광 광학 부재를 갖는 집광 광학 시스템을 포함하는 것을 특징으로 하는 프로젝션 노광 장치.
193㎚ 이하의 파장을 사용하는 미세가공을 위한 프로젝션 노광 장치에 있어서,
(A) 일차 광원(8501);
(B) (1) 제1 영상 평면(8529), (2) 상기 일차 광원(8501)으로부터 광을 수용하는 복수 개의 래스터 부재들을 구비하며, 상기 래스터 부재들로부터의 광을 이용하여 상기 제1 영상 평면(8529) 내에 복수 개의 필드 점들을 갖는 필드를 형성하고, 상기 복수 개의 필드 점들에 각각 연계되어 복수 개의 주광선들을 정의하는 주광선(8597)을 갖는 조명 시스템; 및
(C) 광축(8547)을 가지며, 상기 조명 시스템의 제1 영상 평면(8529)과 일치하는(coincide) 물체 평면 및 패턴을 갖는 마스크(8567)가 투영되는 제2 영상 평면(8573)을 갖는 프로젝션 대물 렌즈를 포함하며,
상기 복수 개의 주광선들이 상기 조명 시스템의 상기 제1 영상 평면(8529) 내에서 상기 일차 광원(8501)으로부터 상기 패턴을 갖는 마스크(8567)를 향하는 방향을 따라 상기 패턴을 갖는 마스크(8567)에 조사될 때, 상기 복수 개의 주광선들은 상기 광축(8547)으로부터 경사지며,
상기 프로젝션 대물 렌즈는 공통 광축(PA)을 중심으로 정렬된 상기 제2 영상 평면(8573) 및 상기 물체 평면 사이에 위치하는 네 개의 미러들(S1, S2, S3, S4)를 포함하고,
상기 물체 평면으로부터 상기 제2 영상 평면(8573)으로 향하는 광 경로에 중간 영상(intermediate image)이 형성되며, 상기 중간 영상(8599)은 상기 물체 평면과 상기 제2 영상 평면(8573) 사이에 위치하고,
상기 중간 영상(8599)은 상기 제2 영상 평면(8573)에 영상으로 영상화되는 것을 특징으로 하는 프로젝션 노광 장치.
제19항에 있어서, 상기 광축(PA)을 중심으로 정렬된 제5 미러(S5) 및 제6 미러(S6)를 더 포함하는 프로젝션 노광 장치.
제20항에 있어서, 상기 물체 평면의 대상물은 상기 제1, 제2, 제3 및 제4 미러(S1, S2, S3, S4)로 이루어진 제1 하위 시스템에 의해 중간 영상(8599)으로 투영되고, 상기 중간 영상(8599)은 제5 및 제6 미러(S5, S6)로 이루어진 제2 하위 시스템에 의해 상기 제2 영상 평면(8573)에 영상으로 투영되는 것을 특징으로 하는 프로젝션 노광 장치.
제20항에 있어서, 구경 제한판(B)이 상기 제2 미러(S2)의 표면의 정점(V2) 또는 그 주변에 위치하는 것을 특징으로 하는 프로젝션 노광 장치.
제20항에 있어서, 구경 제한판(B)이 상기 제1 미러(S1)의 표면의 정점(V1) 및 상기 제2 미러(S2)의 표면의 정점(V2) 사이의 상기 물체 평면으로부터 상기 제2 영상 평면(8573)까지의 광 경로 상에 위치하는 것을 특징으로 하는 프로젝션 노광 장치.
제19항 또는 제20항에 있어서, 구경 제한판(B)이 상기 제2 미러(S2)의 표면의 정점(V2) 및 상기 제3 미러(S3)의 표면의 정점(V3) 사이의 상기 물체 평면으로부터 상기 제2 영상 평면(8573)까지의 광 경로 상에 위치하는 것을 특징으로 하는 프로젝션 노광 장치.
제20항에 있어서, 상기 제1 미러(S1)는 상기 제6 미러(S6)의 표면의 정점(V6) 및 상기 제2 영상 평면(8573) 사이에 위치하는 것을 특징으로 하는 프로젝션 노광 장치.
제9항 또는 제19항 중 어느 한 항에 따른 프로젝션 노광 장치로 마이크로 전자 부품들을 제조하는 방법.
193㎚ 이하의 파장을 사용하는 미세가공을 위한 프로젝션 노광 장치에 있어서,
동공 래스터 부재(pupil raster element)를 갖는 광학 부재; 및
입사 동공(entrance pupil)을 갖는 프로젝션 대물렌즈를 포함하며,
상기 광학 부재는 상기 입사 동공에 의해 정의되는 평면 또는 그 주변에 위치하는 것을 특징으로 하는 프로젝션 노광 장치.
제27항에 있어서, 상기 광학 부재는 복수 개의 동공 래스터 부재들을 갖는 것을 특징으로 하는 프로젝션 노광 장치.
제27항에 있어서, 광원으로부터 필드가 조명되는 평면까지의 광 경로 상에, 상기 동공 래스터 부재를 갖는 상기 광학 부재 앞에 필드 래스터 부재를 갖는 광학 부재가 더 배치되는 것을 특징으로 하는 프로젝션 노광 장치.
제29항에 있어서, 상기 광학 부재는 복수 개의 필드 래스터 부재들을 갖는 것을 특징으로 하는 프로젝션 노광 장치.
제29항에 있어서, 상기 필드 래스터 부재는 상기 필드의 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 프로젝션 노광 장치.
제31항에 있어서, 상기 필드 래스터 부재는 아치(arcuate) 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 프로젝션 노광 장치.
제27항에 있어서, 광원으로부터 필드가 조명되는 평면까지의 광 경로 상에 다른 광학 부품이 배치되지 않는 것을 특징으로 하는 프로젝션 노광 장치.
제27항에 있어서, 상기 프로젝션 대물렌즈는 적어도 네 개의 미러들을 구비하는 것을 특징으로 하는 프로젝션 노광 장치.
제27항에 따른 프로젝션 노광 장치를 채용하여 마이크로 전자 부품을 제조하는 방법.
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Families Citing this family (40)
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---|---|---|---|---|
DE10053587A1 (de) * | 2000-10-27 | 2002-05-02 | Zeiss Carl | Beleuchtungssystem mit variabler Einstellung der Ausleuchtung |
US7466489B2 (en) * | 2003-12-15 | 2008-12-16 | Susanne Beder | Projection objective having a high aperture and a planar end surface |
US7023524B2 (en) * | 2003-12-18 | 2006-04-04 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7105837B2 (en) * | 2004-05-13 | 2006-09-12 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method and radiation system |
IL162617A (en) | 2004-06-17 | 2010-04-15 | Nova Measuring Instr Ltd | Reflective optical system |
WO2006021419A2 (en) * | 2004-08-23 | 2006-03-02 | Carl Zeiss Smt Ag | Illumination system of a microlithographic exposure apparatus |
DE102005042005A1 (de) | 2004-12-23 | 2006-07-06 | Carl Zeiss Smt Ag | Hochaperturiges Objektiv mit obskurierter Pupille |
US7196343B2 (en) * | 2004-12-30 | 2007-03-27 | Asml Netherlands B.V. | Optical element, lithographic apparatus including such an optical element, device manufacturing method, and device manufactured thereby |
EP1856578B1 (en) | 2005-03-08 | 2010-05-19 | Carl Zeiss SMT AG | Microlithography projection system with an accessible diaphragm or aperture stop |
KR101309880B1 (ko) * | 2005-05-13 | 2013-09-17 | 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 | 낮은 입사각을 갖는 육-미러 euv 프로젝션 시스템 |
KR101127346B1 (ko) | 2005-09-13 | 2012-03-29 | 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 | 마이크로리소그라피 투영 광학 시스템, 디바이스 제작 방법 및 광학 표면을 설계하기 위한 방법 |
JP2007150295A (ja) * | 2005-11-10 | 2007-06-14 | Carl Zeiss Smt Ag | ラスタ要素を有する光学装置、及びこの光学装置を有する照射システム |
WO2007093433A1 (de) | 2006-02-17 | 2007-08-23 | Carl Zeiss Smt Ag | Beleuchtungssystem für die mikro-lithographie, projektionsbelichtungsanlage mit einem derartigen beleuchtungssystem |
DE102006014380A1 (de) | 2006-03-27 | 2007-10-11 | Carl Zeiss Smt Ag | Projektionsobjektiv und Projektionsbelichtungsanlage mit negativer Schnittweite der Eintrittspupille |
DE102006026032B8 (de) * | 2006-06-01 | 2012-09-20 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Beleuchtungssystem zur Ausleuchtung eines vorgegebenen Beleuchtungsfeldes einer Objektoberfläche mit EUV-Strahlung |
DE102006039760A1 (de) * | 2006-08-24 | 2008-03-13 | Carl Zeiss Smt Ag | Beleuchtungssystem mit einem Detektor zur Aufnahme einer Lichtintensität |
DE102006059024A1 (de) * | 2006-12-14 | 2008-06-19 | Carl Zeiss Smt Ag | Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie, Beleuchtungsoptik für eine derartige Projektionsbelichtungsanlage, Verfahren zum Betrieb einer derartigen Projektionsbelichtungsanlage, Verfahren zur Herstellung eines mikrostrukturierten Bauteils sowie durch das Verfahren hergestelltes mikrostrukturiertes Bauteil |
DE102007023411A1 (de) | 2006-12-28 | 2008-07-03 | Carl Zeiss Smt Ag | Optisches Element, Beleuchtungsoptik für die Mikrolithographie mit mindestens einem derartigen optischen Element sowie Beleuchtungssystem mit einer derartigen Beleuchtungsoptik |
JP5218994B2 (ja) | 2007-02-20 | 2013-06-26 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | 複数の1次光源を有する光学要素 |
EP2153282B1 (en) * | 2007-06-07 | 2013-04-03 | Carl Zeiss SMT GmbH | Catoptric illumination system for microlithography tool |
US20090015814A1 (en) | 2007-07-11 | 2009-01-15 | Carl Zeiss Smt Ag | Detector for registering a light intensity, and illumination system equipped with the detector |
DE102008002377A1 (de) | 2007-07-17 | 2009-01-22 | Carl Zeiss Smt Ag | Beleuchtungssystem sowie Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithografie mit einem derartigen Beleuchtungssystem |
US8027022B2 (en) | 2007-07-24 | 2011-09-27 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Projection objective |
DE102008054581A1 (de) | 2008-02-29 | 2009-09-03 | Carl Zeiss Smt Ag | Projektionssystem für eine Projektionsbelichtungsanlage sowie Komponentenhalterung, Retikel-Halteeinrichtung und Wafer-Halteeinrichtung für ein derartiges Projektionssystem |
CN102819196B (zh) * | 2008-03-20 | 2016-03-09 | 卡尔蔡司Smt有限责任公司 | 用于微光刻的投射物镜 |
DE102008001511A1 (de) * | 2008-04-30 | 2009-11-05 | Carl Zeiss Smt Ag | Beleuchtungsoptik für die EUV-Mikrolithografie sowie Beleuchtungssystem und Projektionsbelichtungsanlage mit einer derartigen Beleuchtungsoptik |
DE102008002749A1 (de) | 2008-06-27 | 2009-12-31 | Carl Zeiss Smt Ag | Beleuchtungsoptik für die Mikrolithografie |
WO2010099807A1 (de) * | 2009-03-06 | 2010-09-10 | Carl Zeiss Smt Ag | Beleuchtungsoptik sowie optische systeme für die mikrolithographie |
DE102009045135A1 (de) | 2009-09-30 | 2011-03-31 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Beleuchtungsoptik für die Mikrolithographie |
DE102009045491A1 (de) | 2009-10-08 | 2010-11-25 | Carl Zeiss Smt Ag | Beleuchtungsoptik |
US8743342B2 (en) * | 2009-11-17 | 2014-06-03 | Nikon Corporation | Reflective imaging optical system, exposure apparatus, and method for producing device |
JPWO2011065374A1 (ja) | 2009-11-24 | 2013-04-18 | 株式会社ニコン | 結像光学系、露光装置、およびデバイス製造方法 |
DE102011004615A1 (de) * | 2010-03-17 | 2011-09-22 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Beleuchtungsoptik für die Projektionslithografie |
DE102013212613B4 (de) | 2013-06-28 | 2015-07-23 | Carl Zeiss Sms Gmbh | Beleuchtungsoptik für ein Metrologiesystem sowie Metrologiesystem mit einer derartigen Beleuchtungsoptik |
DE102015208514A1 (de) | 2015-05-07 | 2016-11-10 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Facettenspiegel für die EUV-Projektionslithografie sowie Beleuchtungsoptik mit einem derartigen Facettenspiegel |
DE102015209175A1 (de) | 2015-05-20 | 2016-11-24 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Pupillenfacettenspiegel |
DE102015224598A1 (de) | 2015-12-08 | 2016-03-03 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Beleuchtungsoptik |
DE102017200663A1 (de) | 2017-01-17 | 2017-03-02 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Verfahren zur Zuordnung von Ausgangs-Kippwinkeln von kippbaren Feldfacetten eines Feldfacettenspiegels für eine Projektionsbelich-tungsanlage für die Projektionslithografie |
DE102018201457A1 (de) | 2018-01-31 | 2019-08-01 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Beleuchtungsoptik für die Projektionslithographie |
EP3582009A1 (en) * | 2018-06-15 | 2019-12-18 | ASML Netherlands B.V. | Reflector and method of manufacturing a reflector |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11219900A (ja) * | 1997-11-14 | 1999-08-10 | Nikon Corp | 露光装置及び露光方法 |
Family Cites Families (43)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4195913A (en) | 1977-11-09 | 1980-04-01 | Spawr Optical Research, Inc. | Optical integration with screw supports |
DE2910280C2 (de) | 1978-03-18 | 1993-10-28 | Canon Kk | Optische Abbildungssysteme |
US4458302A (en) | 1981-06-03 | 1984-07-03 | Hitachi, Ltd. | Reflection type optical focusing apparatus |
US4389115A (en) | 1981-08-06 | 1983-06-21 | Richter Thomas A | Optical system |
JPS5964830A (ja) | 1982-10-05 | 1984-04-12 | Canon Inc | 照明装置 |
US4688932A (en) * | 1985-02-12 | 1987-08-25 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure apparatus |
US4651012A (en) | 1985-03-21 | 1987-03-17 | Martin Marietta Corporation | High brilliance lensless projection system of test patterns |
US5148442A (en) | 1986-09-30 | 1992-09-15 | The United States Of America As Represented By The Department Of Energy | Dye lasing arrangement including an optical assembly for altering the cross-section of its pumping beam and method |
US4740276A (en) | 1987-05-08 | 1988-04-26 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Fabrication of cooled faceplate segmented aperture mirrors (SAM) by electroforming |
US4996441A (en) | 1988-09-16 | 1991-02-26 | Siemens Aktiengesellschaft | Lithographic apparatus for structuring a subject |
US5071240A (en) * | 1989-09-14 | 1991-12-10 | Nikon Corporation | Reflecting optical imaging apparatus using spherical reflectors and producing an intermediate image |
US5222112A (en) | 1990-12-27 | 1993-06-22 | Hitachi, Ltd. | X-ray pattern masking by a reflective reduction projection optical system |
US5402267A (en) | 1991-02-08 | 1995-03-28 | Carl-Zeiss-Stiftung | Catadioptric reduction objective |
US5353322A (en) | 1992-05-05 | 1994-10-04 | Tropel Corporation | Lens system for X-ray projection lithography camera |
JP2698521B2 (ja) * | 1992-12-14 | 1998-01-19 | キヤノン株式会社 | 反射屈折型光学系及び該光学系を備える投影露光装置 |
CZ378092A3 (en) | 1992-12-21 | 1994-06-15 | Miroslav Hanecka | Lighting system for lighting fittings, projection and enlarging apparatus |
JP2655465B2 (ja) | 1993-01-20 | 1997-09-17 | 日本電気株式会社 | 反射型ホモジナイザーおよび反射型照明光学装置 |
US5581605A (en) | 1993-02-10 | 1996-12-03 | Nikon Corporation | Optical element, production method of optical element, optical system, and optical apparatus |
US5439781A (en) | 1993-05-10 | 1995-08-08 | At&T Corp. | Device fabrication entailing synchrotron radiation |
US5361292A (en) | 1993-05-11 | 1994-11-01 | The United States Of America As Represented By The Department Of Energy | Condenser for illuminating a ring field |
US5339346A (en) | 1993-05-20 | 1994-08-16 | At&T Bell Laboratories | Device fabrication entailing plasma-derived x-ray delineation |
US5677939A (en) | 1994-02-23 | 1997-10-14 | Nikon Corporation | Illuminating apparatus |
USRE38438E1 (en) * | 1994-08-23 | 2004-02-24 | Nikon Corporation | Catadioptric reduction projection optical system and exposure apparatus having the same |
JPH08179216A (ja) * | 1994-12-27 | 1996-07-12 | Nikon Corp | 反射屈折光学系 |
JPH08211294A (ja) * | 1995-02-02 | 1996-08-20 | Nikon Corp | 投影露光装置 |
US5512759A (en) | 1995-06-06 | 1996-04-30 | Sweatt; William C. | Condenser for illuminating a ringfield camera with synchrotron emission light |
US5755503A (en) | 1995-11-13 | 1998-05-26 | Industrial Technology Research Institute | Optical illumination system having improved efficiency and uniformity and projection instrument comprising such a system |
US5737137A (en) | 1996-04-01 | 1998-04-07 | The Regents Of The University Of California | Critical illumination condenser for x-ray lithography |
JP3862347B2 (ja) | 1996-04-11 | 2006-12-27 | キヤノン株式会社 | X線縮小露光装置およびこれを利用したデバイス製造方法 |
JP3284045B2 (ja) | 1996-04-30 | 2002-05-20 | キヤノン株式会社 | X線光学装置およびデバイス製造方法 |
US5686728A (en) | 1996-05-01 | 1997-11-11 | Lucent Technologies Inc | Projection lithography system and method using all-reflective optical elements |
JPH1152289A (ja) | 1997-08-05 | 1999-02-26 | Minolta Co Ltd | 二次元照明光学系及びこれを用いた液晶プロジェクター |
JP4238390B2 (ja) | 1998-02-27 | 2009-03-18 | 株式会社ニコン | 照明装置、該照明装置を備えた露光装置および該露光装置を用いて半導体デバイスを製造する方法 |
US6438199B1 (en) | 1998-05-05 | 2002-08-20 | Carl-Zeiss-Stiftung | Illumination system particularly for microlithography |
EP0955641B1 (de) | 1998-05-05 | 2004-04-28 | Carl Zeiss | Beleuchtungssystem insbesondere für die EUV-Lithographie |
DE10053587A1 (de) * | 2000-10-27 | 2002-05-02 | Zeiss Carl | Beleuchtungssystem mit variabler Einstellung der Ausleuchtung |
US6255661B1 (en) * | 1998-05-06 | 2001-07-03 | U.S. Philips Corporation | Mirror projection system for a scanning lithographic projection apparatus, and lithographic apparatus comprising such a system |
DE19923609A1 (de) * | 1998-05-30 | 1999-12-02 | Zeiss Carl Fa | Ringfeld-4-Spiegelsysteme mit konvexem Primärspiegel für die EUV-Lithographie |
US6213610B1 (en) * | 1998-09-21 | 2001-04-10 | Nikon Corporation | Catoptric reduction projection optical system and exposure apparatus and method using same |
US6195201B1 (en) | 1999-01-27 | 2001-02-27 | Svg Lithography Systems, Inc. | Reflective fly's eye condenser for EUV lithography |
US6867913B2 (en) * | 2000-02-14 | 2005-03-15 | Carl Zeiss Smt Ag | 6-mirror microlithography projection objective |
EP1202100A3 (de) * | 2000-10-27 | 2005-04-06 | Carl Zeiss SMT AG | Beleuchtungssystem mit reduzierter Wärmebelastung |
EP1679550A1 (en) * | 2000-11-07 | 2006-07-12 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
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Patent Citations (1)
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JPH11219900A (ja) * | 1997-11-14 | 1999-08-10 | Nikon Corp | 露光装置及び露光方法 |
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