KR100597471B1 - 네개의 거울을 지니는 초 자외선 투영 광학 시스템 - Google Patents

네개의 거울을 지니는 초 자외선 투영 광학 시스템 Download PDF

Info

Publication number
KR100597471B1
KR100597471B1 KR1019980038158A KR19980038158A KR100597471B1 KR 100597471 B1 KR100597471 B1 KR 100597471B1 KR 1019980038158 A KR1019980038158 A KR 1019980038158A KR 19980038158 A KR19980038158 A KR 19980038158A KR 100597471 B1 KR100597471 B1 KR 100597471B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
concave mirror
mirror
optical system
projection optical
reduction projection
Prior art date
Application number
KR1019980038158A
Other languages
English (en)
Other versions
KR19990029826A (ko
Inventor
데이비드 엠. 윌리암슨
Original Assignee
에스브이지 리도그래피 시스템즈, 아이엔씨.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 에스브이지 리도그래피 시스템즈, 아이엔씨. filed Critical 에스브이지 리도그래피 시스템즈, 아이엔씨.
Publication of KR19990029826A publication Critical patent/KR19990029826A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100597471B1 publication Critical patent/KR100597471B1/ko

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216—Mask projection systems
    • G03F7/70233—Optical aspects of catoptric systems, i.e. comprising only reflective elements, e.g. extreme ultraviolet [EUV] projection systems
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B13/00—Optical objectives specially designed for the purposes specified below
    • G02B13/14—Optical objectives specially designed for the purposes specified below for use with infrared or ultraviolet radiation
    • G02B13/143—Optical objectives specially designed for the purposes specified below for use with infrared or ultraviolet radiation for use with ultraviolet radiation
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B17/00—Systems with reflecting surfaces, with or without refracting elements
    • G02B17/02—Catoptric systems, e.g. image erecting and reversing system
    • G02B17/06—Catoptric systems, e.g. image erecting and reversing system using mirrors only, i.e. having only one curved mirror
    • G02B17/0647—Catoptric systems, e.g. image erecting and reversing system using mirrors only, i.e. having only one curved mirror using more than three curved mirrors
    • G02B17/0657—Catoptric systems, e.g. image erecting and reversing system using mirrors only, i.e. having only one curved mirror using more than three curved mirrors off-axis or unobscured systems in which all of the mirrors share a common axis of rotational symmetry
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216—Mask projection systems
    • G03F7/70358—Scanning exposure, i.e. relative movement of patterned beam and workpiece during imaging

Abstract

본원에는 반도체 웨이퍼의 제조에 사용되는 주사식 포토리도그래프에서 사용하는 모든 반사 링 시야 투영 광학 시스템이 개시되어 있다. 그러한 투영 광학기기는 11 내지 l3nm 의 초자외선(extreme ultraviolet) 파장이 단면 감소 단계 및 주 사식 포토리도그래피 시스템용으로 아치형 이미지 시야를 제공하도록 설계되어 있다. 긴 공역(conjugate) 단부에서 짧은 공역 단부까지의 거울의 순서 또는 구성은 철(凸)면, 요(凹)면, 철면, 및 요면 거울로 이루어져 있으며 개구 조리개는 제 2 철면 거울에나 그 부근에 형성되어 있다. 이러한 거울 파워(mirror power) 의 순서는 900mm 미만의 비교적 촘촘한 레티클 웨이퍼 간격을 유지하면서 비교적 대형인 이미지 시야 사이즈를 제공한다. 그러한 투영 광학기기는 웨이퍼에서 최대 50mm ×2mm 인 순간적 환형 시야를 형성하여, 최소한 50mm ×50mm 의 웨이퍼상의 시야를 포함하도록 주사하는 것을 허용함으로써, 처리능력을 대단히 증가시킨다. 그러한 광학 투영 시스템은 0.05 마이크론 만큼 작은 배선을 인쇄할 수 있다.

Description

네개의 거울을 지니는 초 자외선 투영 광학 시스템
발명의 분야
본 발명은 일반적으로는 포토리도그래피 또는 마이크로리도그래피를 사용하는 반도체 제조에 관한 것이며, 보다 구체적으로 기술하면, 예를 들면 11 내지 13nm 의 초 자외선 파장 영역에서 사용하는 광학 투영 시스템에 관한 것이다.
발명의 배경
반도체 디바이스는 감광 레지스트로 도포된 웨이퍼상에 회로 패턴을 포함하는 레티클의 이미지를 투영함으로써 제조되는 것이 전형적이다. 회로 요소들의 특징 사이즈가 점점 소형화됨에 따라, 감광 레지스트로 도포된 웨이퍼를 노출시키는 데 사용되는 광 또는 전자(電磁) 방사선의 보다 작거나 짧은 파장을 사용할 필요가 있다. 그러나, 초 자외선 또는 연한(soft) X-선 영역에서의 전자 방사선의 필요한 짧은 파장으로 감광 기판상에 레티클의 이미지를 투영시키기 위한 광학적 설계를 개발하는 데에는 어려운 점들이 많이 생긴다. 그러한 하나의 광학 투영 시스템은 발명의 명칭이 "Lens Systems For X-Ray Projection Lithography Camera"로서 1994년 10월 4일자 Bruning과 그의 동료 명의로 특허 허여된 미국 특허 제5,353,322호에 개시되어 있다. 상기 미국 특허에는 웨이퍼 상에 마스크의 이미지를 형성하도록 X-선 파장으로 리도그래피에서 사용되는 3개의 거울을 지니는 투영 시스템이 개시되어 있다. 또한 상기 미국 특허에는 한 좌표로서 철(凸)면 거울의 배율에 의해 한정된 2 차원 배율 공간의 영역에 내재하는 최적의 해(解)를 제공하고 다른 한 좌표로서 선택적으로는 철면 거울의 대립 측면상에 있는 한쌍의 요(凹)면 거울의 배율을 제공하는 방법이 개시되어 있다. 이미지로부터 물체 단부까지 요면 거울, 철면 거울, 및 요면 거울을 지니는 광학 시스템이 개시되어 있다. Bruning 과 그의 동료는 특히 다른 2개 및 4개의 거울을 지니는 시스템과는 반대로 3개의 거울을 지니는 시스템의 사용을 주장하고 있다. 이러한 광학 시스템이 비교적 넓은 시야에 걸쳐 작은 잔류 수차를 허용하지만, 접근 가능한 개구 조리개가 존재하지 않는다. 그 이외에도, 실효 개구수, 결과적으로는 환형 시야주위의 이미지 사이즈의 포착 불가능한 변화가 존재하는 단점이 있다. 다른 한 투영 광학 시스템은 발명의 명칭이 "Ring Field Lithography "로서 1994년 5월 24일자 Jewell과 그의 동료명의로 특허허여된 미국특허 제5,315,629호에 개시되어 있다. 상기 Jewell 과 그의 동료명의의 미국특허에는 최소한 0.5mm의 비교적 큰 슬릿 폭을 지니는 X - 선 방사와 함께 사용하는 링 시야 투영 장치가 개시되어 있다. 또한, 투영 광학기기가 마스크와 웨이퍼사이에 배치될 수 있는 접는 거울이 개시되어 있다. 상기 Jewell과 그의 동료명의의 미국특허에는 레티클 또는 물체로부터 웨이퍼 또는 요면 거울, 철면 거울, 요면 거울, 및 철면 거울의 이미지까지의 거울 구성 또는 순서가 개시되어 있다. Jewell과 그의 동료는 특히 네가티브 또는 철면 제1거울의 사용없이 교습함으로써 비차폐 구조에서의 텔레센트릭(telecentric) 요건이 만족될 수 없다고 밝혀진 것을 나타낸다. 선행기술의 투영 광학 시스템이 여러 용도에 적절하다고 입증되었지만, 그러한 투영 광학 시스템은 모든 용도에서 최적의 해결책을 제공할 수 있는 설계 절충안을 지니고 있지 않다. 그러므로, 처리 능력을 개선하기 위해 허용가능한 비교적 대형인 이미지 시야를 지니는 초 자외선(extreme ultraviolet; EUV) 또는 연한 X-선 파장 영역에서 사용될 수 있는 투영 광학 시스템에 대한 필요성이 존재한다. 또한, 이미지 시야가 허용 가능한 영상비(aspect ratio)를 지니는 것이 바람직스럽다. 이는 높은 영상비를 갖는 좁은 슬릿에 비하여 조명 균일성을 제공하는 데 있어서의 어려운 점을 감소시킨다.
따라서, 본 발명의 한 목적은 비교적 대형인 이미지 시야 사이즈를 지니는 투영 광학 시스템을 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 한 목적은 접근가능한 개구 조리개를 제공하는 것이다.
발명의 개요
본 발명은 11 내지 13nm 범위의 파장을 포함하는 초 자외선, 또는 연한 X - 선의 파장과 함께 사용하도록 설계된 모든 반사 링 시야 투영 광학 시스템에 관한 것이다. 본 발명은 긴 공역(conjugate) 단부에서 짧은 공역 단부까지의 축소를 제공하는 복수개의 만곡 거울을 포함한다. 긴 공역 단부에서 짧은 공역 단부까지의 거울 서열이나 순서는 제1의 네가티브 파워(negative power) 철면 거울, 제1의 포지티브 파워(positive power) 요면 거울, 제2의 네가티브 철면 거울, 및 제2의 포지티브 요면 거울이다. 상기 복수개의 만곡 거울은 개구 조리개가 제3거울 또는 제 2의 네가티브 철면 거울에나 그 부근에 부합하도록 배치되어 있다. 각각의 거울의 반사 표면은 긴 공역 단부 및 짧은 공역 단부사이의 총 거리의 25 퍼센트보다 긴 거리로 일정하게 이격되어 있거나 분리되어 있다.
이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 기술하고자 한다.
실시예
도1은 본 발명의 한 실시예를 개략적으로 예시하고 있다. 임의의 조명 소스일 수 있는 조명 소스(13)는, 예를들면 11 내지 12nm 의 범위인 초 자외선의 바람직한 파장으로 전자 방사선을 제공할 수 있다. 상기 조명 소스(13)는 바람직한 조명 프로필 및 강도를 제공할 수 있다. 예를 들면, 반경 폭과 같은 특정 치수를 따라서는 균일하지 않으며 접선 시야 방향으로나 호(arc)의 길이를 따라서는 균일한 강도 분포가 사용되어, 코흘러(kohler) 조명 또는 균일한 강도 분포를 제공할 수 있다. 조명 소스(13)로 부터의 전자 방사선은 레티클(10)에 의해 받아들여진다. 레 티클(10)은 상부가 반도체 디바이스의 제조용으로 사용되는 미리 결정된 라인 패턴을 지니는 레티클인 것이 바람직하다. 레티클(10)은 예시된 바와 같은 반사형태이거나 투과 형태일 수 있다. 상기 레티클(10)은 축소 광학 시스템의 긴 공역 단부에배치된다. 레티클(10)로 부터 반사된 전자 방사선은 제1철면 거울(M1)에 의해 집속된다. 상기 레티클(10)로 부터의 전자 방사선(11)은 발산한다. 상기 제1철면 거울(M1)은 네가티브 파워를 지니며 그로 인해 상기 철면 거울(M1)로 부터 반사된 전자방사선(12)이 또한 발산하게 된다. 상기 철면 거울(M1)로 부터 반사된 전자 방사선(12)은 요면 거울(M2)에 의해 집속된다. 상기 요면 거울(M2)은 포지티브 파워를 지니고, 이로 인해 상기 요면 거울(M2)로 부터 반사된 전자 방사선(14)이 발산하게 된다. 요면 거울(M2)로 부터 반사된 전자 방사선(14)은 철면 거울(M3)에 의해 모여진다. 개구 조리개(22)는 철면 거울(M3)의 표면에나 그 부근에 형성된다. 철면 거울(M3)은 네가티브 파워를 지니고, 이로 인해 상기 철면 거울(M3)로 부터 발산된 전자 방사선(16)이 발산하게 된다. 철면 거울(M3)로 부터 반사된 전자 방사선(16)은 요면 거울(M4)에 의해 집속된다. 요면 거울(M4)로 부터 반사된 전자 방사선(18)은 웨이퍼(20)의 이미지 면상에 결상된다. 웨이퍼(20)는 축소 광학 시스템의 짧은 공역 단부에 배치되어 있다. 상기 거울(Ml, M2, M3, M4)은 공통 광축(OA)을 지니는것이 바람직하다. 상기 광선(11, 12, 14, 16, 18)은 상기 광학 시스템에서의 전자방사선의 광학 경로를 형성한다. 상기 거울(Ml, M2, M3, M4)은 비교적 멀리 이격되어 있는 것이 바람직하다. 이는 상기 거울(Ml, M2, M3, M4)을 타격하는 광 빔 또는 광선(11, 12, 14, 16, 18)의 각 변동(angular variation)을 최소화시키는 이점을 지닌다. 이는 초 자외선(EUV) 파장용으로 전형적으로 사용되는 공지된 반사 코팅이 각에 영향을 받는다는 점에서 시스템 성능을 개선시킨다. 그 이외에도, 이는 주어진 레티클(10) - 웨이퍼(20) 거리에 대해 보다 긴 링 시야 반경을 허용한다.
그러므로, 다음과 같이 거리 관계를 가지는 것이 바람직하다.
레티클(10)과 거울(M1)의 반사 표면 사이의 거리는 레티클(10)과 웨이퍼(20)사이의 거리의 80 퍼센트보다 길다. 거울(Ml, M2)의 반사 표면 사이의 거리는 레티클(10)과 웨이퍼(20) 사이의 거리의 70 퍼센트보다 길다. 거울(M2, M3)의 반사 표면사이의 거리는 레티클(10)과 웨이퍼(20) 사이의 거리의 50 퍼센트보다 길다. 거울(M3, M4)의 반사 표면 사이의 거리는 레티클(10)과 웨이퍼(20) 사이의 거리의 25 퍼센트보다 길다. 거울(M4)의 만사 표면과 웨이퍼 사이의 거리는 레티클(10)과 웨이퍼(20) 사이의 거리의 50 퍼센트보다 길다.
바람직한 구성에 있어서는, 도 1에 예시된 광학 시스템이 이하의 표1 및 1A의 구조 데이타에 따라 만들어질 수 있다. 그러나 구조 데이타는 당업자에 의해 더미(dummy)로서 언급되는 어떤 무수한 표면들을 포함하며 거울 다음의 광 빔의 경로를 제어하는 설계에 필요한 것이 전형적이다. 상기 무수한 표면들이 제거될 수는 있지만, 그들을 전후한 거리는 거울 사이의 두께 또는 거리가 동일한 상태에 있도록 부가된다.
비구면 상수(aspheric constant)는 이하의 식 및 표 1A 에 따라 제공된다.
표 1 및 1A 의 구조 데이타에 따라 구성된 본 발명의 광학 투영 시스템은 0.1 과 동일한 최대 개구수 및 4 : 1 축소비를 지닌다. 이러한 투영 시스템을 사용하는 단계 및 주사식 포토리도그래피 시스템은 웨이퍼에서의 최대 50mm × 2mm 인 순간적 환형 이미지 시야에 걸쳐 0.05 마이크론만큼 작은 배선을 인쇄할 수 있다. 이러한 이미지 시야는 최소한 50mm × 50mm 의 웨이퍼상의 시야를 포함하도록 주사될 수 있음으로써, 현재의 심자외선(deep UV), 193 내지 248nm 포토리도그래피 시스템에 비하여 회로 패턴 밀도 및 복잡성에 있어서의 극적인 증가를 허용한다. 비교적 대형인 이미지 시야는 처리 능력을 대단히 증가시킴으로써 본 발명을 사용하는 시스템의 효율을 증가시킨다. 또한, 본 발명의 투영 광학기기는 비교적 소형이며 900mm 미만의 레티클 - 웨이퍼 거리를 지닌다.
도 2는 본 발명에 의해 만들어진 이미지 시야를 예시하고 있다. 이미지 시야(24)는 대략 2mm의 측면 치수 및 대략 50mm의 길이 치수를 지니는 아치형 슬릿이다. 상기 이미지 시야(24)는 일반적으로 화살표(26)의 방향으로 주사된다. 상기 아치형 또는 환형 슬릿은 각각 49 및 51mm의 반경을 지니는 동심원의 부분들로 부터 형성된다. 웨이퍼에서, 잔류 설계 수차는 11㎚ 파장의 0.07 파 r.m.s 에서 회절 제한 결상에 대한 마레칼(Marechal) 한계보다 작다. 이러한 시스템은 아마도 수차 보정 환형의 중심 1.5mm에 걸쳐 조명되고, 강도 분포는 중심 50mm 시야 반경부근에서 첨두치를 지니며 반경 시야 방향의 점원(point source), 소위 임계 조명의 강도 분포 다음에 온다. 코흘러 조명의 균일한 강도 분포는 접선 시야 방향에서 취해진다. 그러한 시스템은 웨이퍼에서는 텔레센트릭(telecentric)한 성질을 나타내지만, 레 티클에서는 텔레센트릭한 성질을 나타내지 않는다. 이는 당업계에 공지되어 있는 바와 같이, 스펙트럼으로 반사된 레티클의 경사 조명을 허용한다.
본 발명은, 철면, 요면, 철면, 및 요면의 단일 거울 순서를 제 3 거울과 부합하는 개구 조리개와 결합하여 사용함으로써 비교적 대형인 환형 이미지 시야를 지니는 극히 효율적인 투영 광학기기를 가능하게 한다. 이러한 결과는 처리능력, 결과적으로는 제조 효율을 개선시킨다. 따라서, 본 발명은 마이크로리도그래피 또는 포토리도그래피의 기술, 특히 주사식 리도그래피 시스템용으로 사용되는 축소 투영 광학기기를 향상시킨다.
도 3 은 본 발명에 따른 투영 광학기기를 사용하는 마이크로리도그래피 시스템을 전체적으로 예시하는 블록 다이어그램이다. 조명 시스템(30)은 투과 레티클(32)을 조명한다 투영 광학기기(34)는, 본 발명에 따라, 감광 레지스트로 도포된 기판 또는 웨이퍼(36) 상에 레티클(32)의 이미지를 투영한다. 레티클(32)의 이미지중 단지 일부분만이 어느 한 시기에 웨이퍼(36) 상에 투영된다. 상기 투영 광학기기(34)의 이미지 시야가 레티클(32) 또는 웨이퍼(36) 보다 작지만, 전체적인 웨이퍼(36)는 레티클 및 웨이퍼를 주사함으로써 노광 된다. 레티클 스테이지(38) 및 웨이퍼 스테이지(40) 모두는 동기적으로 이동한다. 그러나, 상기 광학 시스템이 축소기능을 제공하기 때문에 레티클 스테이지(38)는 웨이퍼 스테이지(40)와는 상이한 속도로 이동한다. 속도에 있어서의 차이는 축소에 비례한다 제어부(4꼬는 레티클 스테이지(38) 및 웨이퍼 스테이지(40)의 이동을 제어한다.
지금까지 바람직한 실시예가 예시되고 기술되었지만, 당업자라면 본 발명의사상 및 범위로 부터 이탈하지 않고서도 여러 가지 변형예들이 이루어질 수 있다는것을 알 수 있을 것이다.
본 발명의 제1이점은 가변 아이리스(iris)가 개구 조리개로 사용될 수 있다는 점이다.
본 발명의 제2이점은 물체 및 이미지 위치가 주사하기에 용이하도록 배치 또는 위치된다는 점이다.
본 발명의 제3이점은 0.05 마이크론만큼 작은 배선폭을 인쇄할 수 있으며 2mm 의 슬롯 폭을 지닌다는 점이다.
본 발명의 제1특징은 긴 공역 단부로 부터 짧은 공역 단부까지의 제1거울이 네가티브 파워 철면 거울이라는 점이다.
본 발명의 제2특징은 거울들이 거울들을 타격하는 광 빔의 각 변동을 최소화시키도록 비교적 멀리 이격된다는 점이다.
도 1은 본 발명의 투영 광학 시스템을 개략적으로 예시한 도면.
도 2는 본 발명에 의해 제공되는 링 부분 또는 아치형 이미지 시야의 평면도.
도 3은 주사식 마이크로리도그래피 장치에서 본 발명을 사용하는 것을 보여주는 개략적인 도면.

Claims (18)

  1. 초 자외선 파장 영역에서 사용하는 긴 공역 단부 및 짧은 공역 단부를 지니는 링 시야 축소 투영 광학 시스템에 있어서, 상기 긴 공역 단부로 부터 상기 짧은 공역 단부까지 철면(convex)에서 요면(concave)으로 교번하는 복수개의 만곡 거울을 포함하여, 아치형 이미지 시야가 형성되는 링 시야 축소 투영 광학 시스템.
  2. 제1항에 있어서, 상기 아치형 이미지 시야는 최소한 0,1 마이크론의 분해능을 지니며 2mm 의 반경폭 및 실질적으로는 50mm 인 길이를 지니는 링 시야 축소 투영 광학 시스템.
  3. 제1항에 있어서, 상기 복수개의 만곡 거울은 비구면인 링 시야 축소 투영 광학 시스템.
  4. 제3항에 있어서, 상기 복수개의 만곡 거울은 4 : 1 의 축소 비를 제공하는 링 시야 축소 투영 광학 시스템.
  5. 긴 공역 단부로 부터 짧은 공역 단부까지 광 경로 및 광축을 지니는 링 시야 축소 투영 광학 시스템에 있어서,
    제1의 철면 거울;
    제1의 요면 거울;
    제2의 철면 거울; 및
    제2의 요면 거울;을 포함하며,
    상기 거울들은 전자 방사선이 상기 제1의 철면 거울로 부터 상기 제1의 요면거울, 상기 제2의 철면 거울, 상기 제2의 요면 거울로의 광 경로를 따라 반사되도록 배치되어, 아치형 이미지 시야가 형성되는 링 시야 축소 투영 광학 시스템.
  6. 제5항에 있어서, 상기 제1의 요면 거울은
    상기 긴 공역 단부와 상기 제2의 요면 거울 사이의 광축을 따라 배치되는 링시야 축소 투영 광학 시스템.
  7. 제5항에 있어서, 상기 제2의 철면 거울은
    상기 제2의 요면 거울과 상기 제1의 철면 거울 사이의 광축을 따라 그리고 상기 제2의 요면 거울에 인접하여 배치되는 링 시야 축소 투영 광학 시스템.
  8. 제5항에 있어서, 개구 조리개는
    상기 제2의 철면 거울 부근에 형성되는 링 시야 축소 투영 광학 시스템.
  9. 제5항에 있어서, 상기 제1의 철면 거울은
    상기 긴 공역 단부와 상기 짧은 공역 단부 사이의 광 경로를 따라 발산하는 전자 방사선을 형성하는 링 시야 축소 투영 광학 시스템.
  10. 제9항에 있어서, 상기 제1의 요면 거울은
    상기 긴 공역 단부와 상기 짧은 공역 단부 사이의 광 경로를 따라 발산하는 전자 방사선을 형성하는 링 시야 축소 투영 광학 시스템.
  11. 긴 공역 단부로 부터 짧은 공역 단부까지 광 경로를 따르는 링 시야 축소 투영 광학 시스템에 있어서,
    제1의 철면 거울(M1);
    제1의 요면 거울(M2);
    제2의 철면 거울(M3); 및
    제2의 요면 거울(M4);을 포함하며,
    상기 거울들은 전자 방사선이 상기 제1의 철면 거울로 부터 상기 제1의 요면거울, 상기 제2의 철면 거울, 상기 제2의 요면 거울로 반사되도록 배치되어 있고,광축(OA)을 따라서는 상기 제1의 철면 거울(M1)이 상기 짧은 공역 단부와 상기 제2의 철면 거울(M3) 사이에 배치되고, 상기 제1의 요면 거울(M2)이 상기 긴 공역 단 부와 상기 제2의 요면 거울(M4) 사이에 배치되며, 상기 제2의 철면 거울(M3)이 상기 제1의 철면 거울(Ml)과 상기 제2의 요면 거울(M4) 사이에 배치되고, 상기 제2의 요면 거울(M4)이 상기 제1의 요면 거울(M2)와 상기 제2의 철면 거울(M3) 사이에 배치되어, 아치형 이미지 시야가 형성되는 링 시야 축소 투영 광학 시스템.
  12. 제11항에 있어서, 상기 제1의 철면 거울(M1), 상기 제1의 요면 거울(M2), 상기 제2의 철면 거울(M3), 및 상기 제2의 요면 거울(M4)은 비구면 반사 표면을 지니는 링 시야 축소 투영 광학 시스템.
  13. 제11항에 있어서, 상기 아치형 이미지 시야는 최소한 0.1 마이크론의 분해능을 지니며 2mm의 반경 폭 및 실질적으로는 50mm 인 길이를 지니는 링 시야 축소 투영 광학 시스템.
  14. 긴 공역 단부로 부터 짧은 공역 단부까지 반도체 디바이스의 제조에 사용되는 링 시야 축소 투영 광학 시스템에 있어서,
    전자 방사선을 받아들이도록 배치된 제1의 네가티브 파워 철면 거울로서, 상기 제1의 네가티브 파워 철면 거울로 부터 반사되는 전자 방사선이 발산 광선을 형성하는 제1의 네가티브 파워 철면 거울;
    상기 제1의 네가티브 파워 철면 거울로 부터 반사된 전자 방사선을 받아들이도록 배치된 제1의 포지티브 파워 요면 거울로서, 상기 제1의 포지티브 파워 요면거울로 부터 반사된 전자 방사선이 발산 광선을 형성하는 제1의 포지티브 파워 요면 거울;
    상기 제1의 포지티브 파워 요면 거울로 부터 반사된 전자 방사선을 받아들이도록 배치된 제2의 네가티브 파워 철면 거울로서, 상기 제2의 네가티브 파워 철면 거울로 부터 반사된 전자 방사선이 발산 광선을 형성하는 제2의 네가티브 파워 철면 거울; 및
    상기 제2의 네가티브 파워 철면 거울로 부터 반사된 전자 방사선을 받아들이도록 배치된 제2의 포지티브 파워 요면 거울로서, 상기 제2의 포지티브 파워 요면 거울로 부터 반사된 전자 방사선이 최소한 0.1 마이크론의 분해능을 지니며 2mm의 반경 폭 및 실질적으로는 50mm인 길이를 지니는 아치형 이미지 시야를 형성하는 제2의 포지티브 파워 요면 거울;을 포함하는 링 시야 축소 투영 광학 시스템.
  15. 긴 공역 단부로 부터 짧은 공역 단부까지의 길이, 광 경로, 광축을 지니는 링 시야 축소 투영 광학 시스템에 있어서,
    제1의 철면 거울;
    제1의 요면 거울;
    제2의 철면 거울; 및
    제2의 요면 거울;을 포함하고,
    상기 거울들은 전자 방사선이 상기 제1의 철면 거울로 부터 상기 제1의 요면거울, 상기 제2의 철면 거울, 상기 제2의 요면 거울로의 광 경로를 따라 반사되도록 배치되어 있으며, 상기 광축을 따르는 광 경로의 방향으로의 상기 거울들의 반사 표면 각각사이의 거리가 상기 긴 공역 단부로 부터 상기 짧은 공역 단부까지의길이의 25 퍼센트보다 길도록 배치되어, 아치형 이미지 시야가 형성되는 링 시야 축소 투영 광학 시스템.
  16. 긴 공역 단부로 부터 짧은 공역 단부까지의 길이, 광 경로, 광축을 지니는 링 시야 축소 투영 광학 시스템에 있어서,
    상기 긴 공역 단부로 부터 상기 광 경로의 방향으로 상기 길이의 80 퍼센트보다 긴 제1거리에 배치되어 있는 제1의 철면 거울;
    상기 제1의 철면 거울로 부터 상기 광 경로의 방향으로 상기 길이의 70 퍼센트보다 긴 제2거리에 배치되어 있는 제1의 요면 거울;
    상기 제1의 요면 거울로 부터 상기 광 경로의 방향으로 상기 길이의 50 퍼센트보다 긴 제3거리에 배치되어 있는 제2의 철면 거울; 및
    상기 제2의 철면 거울로 부터 상기 광 경로의 방향으로 상기 길이의 25 퍼센트보다 긴 제4거리에 배치되어 있는 제2의 요면 거울;을 포함하며,
    상기 거울들은 전자 방사선이 상기 제1의 철면 거울로 부터 상기 제1의 요면거울, 상기 제2의 철면 거울, 상기 제2의 요면 거울로의 광 경로를 따라 반사되도록 배치되어, 아치형 이미지 필드가 상기 짧은 공역 단부에 형성되는 링 시야 축소투영 광학 시스템.
  17. 제16항에 있어서, 상기 제2의 요면 거울은 상기 짧은 공역 단부로 부터 상기길이의 50 퍼센트보다 긴 제5거리에 배치되어 있는 링 시야 축소 투영 광학 시스템.
  18. 긴 공역 단부로 부터 짧은 공역 단부까지의 링 시야 축소 투영 광학 시스템에 있어서,
    제1의 철면 거울;
    제1의 요면 거울;
    제2의 철면 거울; 및
    제2의 요면 거울;을 포함하며,
    상기 거울들은 전자 방사선이 상기 제1의 철면 거울로 부터 상기 제1의 요면거울, 상기 제2의 철면 거울, 상기 제2의 요면 거울로 반사되도록 배치되어 있고,
    와 같은 구조 데이타에 따라 구성되며, 상기 비구면 상수(A(1), A(2), A(3), A(4))가
    에 따라 제공되어, 아치형 이미지 시야가 형성되는 링 시야 축소 투영 광학 시스템.
KR1019980038158A 1997-09-18 1998-09-16 네개의 거울을 지니는 초 자외선 투영 광학 시스템 KR100597471B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US08/933,272 1997-09-18
US08/933,272 US5956192A (en) 1997-09-18 1997-09-18 Four mirror EUV projection optics
US8/933,272 1997-09-18

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR19990029826A KR19990029826A (ko) 1999-04-26
KR100597471B1 true KR100597471B1 (ko) 2006-10-24

Family

ID=25463660

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019980038158A KR100597471B1 (ko) 1997-09-18 1998-09-16 네개의 거울을 지니는 초 자외선 투영 광학 시스템

Country Status (6)

Country Link
US (1) US5956192A (ko)
EP (1) EP0903605B1 (ko)
JP (1) JP4309980B2 (ko)
KR (1) KR100597471B1 (ko)
CA (1) CA2247709A1 (ko)
DE (1) DE69813126T2 (ko)

Families Citing this family (40)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6081578A (en) * 1997-11-07 2000-06-27 U.S. Philips Corporation Three-mirror system for lithographic projection, and projection apparatus comprising such a mirror system
DE10053587A1 (de) 2000-10-27 2002-05-02 Zeiss Carl Beleuchtungssystem mit variabler Einstellung der Ausleuchtung
US6577443B2 (en) 1998-05-30 2003-06-10 Carl-Zeiss Stiftung Reduction objective for extreme ultraviolet lithography
DE19923609A1 (de) * 1998-05-30 1999-12-02 Zeiss Carl Fa Ringfeld-4-Spiegelsysteme mit konvexem Primärspiegel für die EUV-Lithographie
US6985210B2 (en) * 1999-02-15 2006-01-10 Carl Zeiss Smt Ag Projection system for EUV lithography
US7151592B2 (en) * 1999-02-15 2006-12-19 Carl Zeiss Smt Ag Projection system for EUV lithography
USRE42118E1 (en) * 1999-02-15 2011-02-08 Carl-Zeiss-Smt Ag Projection system for EUV lithography
US6033079A (en) 1999-03-15 2000-03-07 Hudyma; Russell High numerical aperture ring field projection system for extreme ultraviolet lithography
US6188513B1 (en) 1999-03-15 2001-02-13 Russell Hudyma High numerical aperture ring field projection system for extreme ultraviolet lithography
JP4717974B2 (ja) * 1999-07-13 2011-07-06 株式会社ニコン 反射屈折光学系及び該光学系を備える投影露光装置
AU5932500A (en) 1999-07-22 2001-02-13 Corning Incorporated Extreme ultraviolet soft x-ray projection lithographic method and mask devices
EP1093021A3 (en) 1999-10-15 2004-06-30 Nikon Corporation Projection optical system as well as equipment and methods making use of said system
TW538256B (en) 2000-01-14 2003-06-21 Zeiss Stiftung Microlithographic reduction projection catadioptric objective
US6776006B2 (en) 2000-10-13 2004-08-17 Corning Incorporated Method to avoid striae in EUV lithography mirrors
TW573234B (en) 2000-11-07 2004-01-21 Asml Netherlands Bv Lithographic projection apparatus and integrated circuit device manufacturing method
US6558261B1 (en) 2000-11-15 2003-05-06 Honeywell International Inc. Actuator drive and display mechanism
JP2004514943A (ja) * 2000-11-28 2004-05-20 カール・ツアイス・エスエムテイ・アーゲー １５７ｎｍリソグラフィ用の反射屈折投影系
US6832493B2 (en) 2002-02-27 2004-12-21 Corning Incorporated High purity glass bodies formed by zero shrinkage casting
US6829908B2 (en) 2002-02-27 2004-12-14 Corning Incorporated Fabrication of inclusion free homogeneous glasses
US20030235682A1 (en) * 2002-06-21 2003-12-25 Sogard Michael R. Method and device for controlling thermal distortion in elements of a lithography system
US6975385B2 (en) * 2002-11-08 2005-12-13 Canon Kabushiki Kaisha Projection optical system and exposure apparatus
US6853440B1 (en) 2003-04-04 2005-02-08 Asml Netherlands B.V. Position correction in Y of mask object shift due to Z offset and non-perpendicular illumination
US8208198B2 (en) 2004-01-14 2012-06-26 Carl Zeiss Smt Gmbh Catadioptric projection objective
US7466489B2 (en) * 2003-12-15 2008-12-16 Susanne Beder Projection objective having a high aperture and a planar end surface
JP5102492B2 (ja) * 2003-12-19 2012-12-19 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー 結晶素子を有するマイクロリソグラフィー投影用対物レンズ
DE602005008707D1 (de) * 2004-01-14 2008-09-18 Zeiss Carl Smt Ag Catadioptrisches projektionsobjektiv
US20080151365A1 (en) 2004-01-14 2008-06-26 Carl Zeiss Smt Ag Catadioptric projection objective
US7463422B2 (en) * 2004-01-14 2008-12-09 Carl Zeiss Smt Ag Projection exposure apparatus
US7712905B2 (en) 2004-04-08 2010-05-11 Carl Zeiss Smt Ag Imaging system with mirror group
KR20170129271A (ko) 2004-05-17 2017-11-24 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 중간이미지를 갖는 카타디옵트릭 투사 대물렌즈
JP4337648B2 (ja) * 2004-06-24 2009-09-30 株式会社ニコン Ｅｕｖ光源、ｅｕｖ露光装置、及び半導体デバイスの製造方法
EP1856578B1 (en) * 2005-03-08 2010-05-19 Carl Zeiss SMT AG Microlithography projection system with an accessible diaphragm or aperture stop
KR101309880B1 (ko) * 2005-05-13 2013-09-17 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 낮은 입사각을 갖는 육-미러 ｅｕｖ 프로젝션 시스템
JP5045429B2 (ja) * 2007-12-27 2012-10-10 コニカミノルタアドバンストレイヤー株式会社 斜め投射光学系
JP5294804B2 (ja) * 2008-10-31 2013-09-18 三菱電機株式会社 光学調整装置
DE102009008644A1 (de) * 2009-02-12 2010-11-18 Carl Zeiss Smt Ag Abbildende Optik sowie Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithografie mit einer derartigen abbildenden Optik
JP4935886B2 (ja) * 2009-12-10 2012-05-23 三菱電機株式会社 画像読取装置
KR102330570B1 (ko) * 2012-02-06 2021-11-25 가부시키가이샤 니콘 반사 결상 광학계, 노광 장치, 및 디바이스 제조 방법
CN105589305B (zh) * 2015-12-21 2017-10-03 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 微缩投影系统波像差检测过程中的视场点定位方法
JP2018157503A (ja) * 2017-03-21 2018-10-04 富士ゼロックス株式会社 読取装置

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4650315A (en) * 1985-05-10 1987-03-17 The Perkin-Elmer Corporation Optical lithographic system
JPH04262524A (ja) * 1990-10-10 1992-09-17 American Teleph & Telegr Co <Att> 走査リングフィールド縮小投影装置
JPH09211332A (ja) * 1995-12-12 1997-08-15 Svg Lithography Syst Inc 高開口数リングフィールド光学縮小系

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3748015A (en) * 1971-06-21 1973-07-24 Perkin Elmer Corp Unit power imaging catoptric anastigmat
US4240707A (en) * 1978-12-07 1980-12-23 Itek Corporation All-reflective three element objective
US4733955A (en) * 1986-04-14 1988-03-29 Hughes Aircraft Company Reflective optical triplet having a real entrance pupil
EP0947882B1 (en) * 1986-07-11 2006-03-29 Canon Kabushiki Kaisha X-ray reduction projection exposure system of reflection type
US4747678A (en) * 1986-12-17 1988-05-31 The Perkin-Elmer Corporation Optical relay system with magnification
US5063586A (en) * 1989-10-13 1991-11-05 At&T Bell Laboratories Apparatus for semiconductor lithography
US5353322A (en) * 1992-05-05 1994-10-04 Tropel Corporation Lens system for X-ray projection lithography camera
US5410434A (en) * 1993-09-09 1995-04-25 Ultratech Stepper, Inc. Reflective projection system comprising four spherical mirrors

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4650315A (en) * 1985-05-10 1987-03-17 The Perkin-Elmer Corporation Optical lithographic system
JPH04262524A (ja) * 1990-10-10 1992-09-17 American Teleph & Telegr Co <Att> 走査リングフィールド縮小投影装置
JPH09211332A (ja) * 1995-12-12 1997-08-15 Svg Lithography Syst Inc 高開口数リングフィールド光学縮小系
US5815310A (en) * 1995-12-12 1998-09-29 Svg Lithography Systems, Inc. High numerical aperture ring field optical reduction system

Also Published As

Publication number Publication date
CA2247709A1 (en) 1999-03-18
DE69813126D1 (de) 2003-05-15
EP0903605A3 (en) 2000-05-17
US5956192A (en) 1999-09-21
KR19990029826A (ko) 1999-04-26
JPH11249313A (ja) 1999-09-17
EP0903605B1 (en) 2003-04-09
JP4309980B2 (ja) 2009-08-05
DE69813126T2 (de) 2004-03-04
EP0903605A2 (en) 1999-03-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100597471B1 (ko) 네개의 거울을 지니는 초 자외선 투영 광학 시스템
EP0744663B1 (en) Illumination system having spatially separate vertical and horizontal image planes for use in photolithography
KR100991049B1 (ko) 프로젝션 노광 장치
KR101470769B1 (ko) 마이크로리소그래픽 투영 노광 장치의 조명 시스템
US8537335B2 (en) Illumination system for a microlithography projection exposure apparatus, microlithography projection exposure apparatus comprising such an illumination system, and fourier optical system
KR100585461B1 (ko) 마이크로리소그래피 투영장치
US9046787B2 (en) Microlithographic projection exposure apparatus
US5891806A (en) Proximity-type microlithography apparatus and method
EP1768172B1 (en) Projection exposure apparatus
US8149386B2 (en) Illumination optical system, exposure apparatus using the same and device manufacturing method
US6775069B2 (en) Advanced illumination system for use in microlithography
US7242457B2 (en) Exposure apparatus and exposure method, and device manufacturing method using the same
US20040218164A1 (en) Exposure apparatus
US7079321B2 (en) Illumination system and method allowing for varying of both field height and pupil
US20090009744A1 (en) Illumination system for a microlithographic projection exposure apparatus
KR100660504B1 (ko) 리소그래피 장치, 조명시스템 및 세기 분포를 회전시키는광학 요소
US7292316B2 (en) Illumination optical system and exposure apparatus having the same
TWI245324B (en) Projection optical system
JP2002057081A (ja) 照明光学装置並びに露光装置及び露光方法
US20070216887A1 (en) Illumination System for a Microlithographic Projection Exposure Apparatus
JP2005072513A (ja) 露光装置および露光方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20090623

Year of fee payment: 4

LAPS Lapse due to unpaid annual fee