KR100994186B1 - 모노리식 반도체 레이저의 제조방법 - Google Patents
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Abstract
레이저 특성의 격차를 억제하여 신뢰성을 향상시킬 수 있는 모노리식 반도체 레이저의 제조 방법을 얻는다. 소자간 분리된 제1, 제 2 반도체 레이저(19, 29)를 형성한다. 제 2 반도체 레이저(29)의 제 4 상부 클래드층(26)과 제 2 콘택층(27)을 합친 막두께 X가 제 1 반도체 레이저(19)의 제 2 상부 클래드층(16)과 제 1 콘택층(17)을 합친 막두께 Y보다도 두꺼워지도록 한다. 레지스트(31)를 마스크로 한 드라이에칭에 의해, 제1, 제 2 반도체 레이저(19, 29)에 제1, 제 2 릿지(32, 33)를 형성하고, 제 2 릿지(33)의 옆 부분에 있어서 제 2 에칭스톱퍼층(25)이 노출된 시점에서 드라이에칭을 정지한다. 레지스트(31)를 마스크로 한 습식 에칭에 의해, 제 1 릿지(32)의 옆 부분에 있어서 제 1 에칭스톱퍼층(15) 위에 남아 있는 제 2 상부 클래드층(16)을 선택적으로 제거한다.
반도체 레이저, 소자간 분리, 막두께, 에칭스톱퍼층
Description
본 발명은, 레이저 특성의 격차를 억제하여 신뢰성을 향상시킬 수 있는 모노리식 반도체 레이저의 제조방법에 관한 것이다.
발광 파장이 다른 CD용의 반도체 레이저와 DVD용의 반도체 레이저를 동일 기판 위에 형성한 모노리식 반도체 레이저가 이용되고 있다(예를 들면, 특허문헌 1, 2 참조).
종래의 모노리식 반도체 레이저의 제조방법에 대해서 도면을 참조하면서 설명한다. 우선, 도24에 도시된 것과 같이, GaAs기판(10) 위에, 버퍼층(11), 제 1 하부 클래드층(12), 제 1 활성층(13), 제 1 상부 클래드층(40), 제 2 상부 클래드층(41) 및 제 1 콘택층(17)을 형성한다. 그리고, 전체면에 포토레지스트(18)를 형성하고, 패터닝한다.
다음에 포토레지스트(18)를 마스크로서 사용하여, 버퍼층(11), 제 1 하부 클 래드층(12), 제 1 활성층(13), 제 1 상부 클래드층(40), 제 2 상부 클래드층(41) 및 제 1 콘택층(17)을 에칭한다. 그후에 포토레지스트(18)는 제거한다. 이에 따라, 도25에 도시된 것과 같이, CD용의 반도체 레이저(19)가 형성된다.
다음에, 전체면에, 버퍼층(21), 제 2 하부 클래드층(22), 제 2 활성층(23), 제 3 상부 클래드층(24), 제 2 에칭스톱퍼층(25), 제 4 상부 클래드층(26), 및 제 2 콘택층(27)을 형성한다. 그리고, 포토리소그래피에 의해, 버퍼층(21), 제 2 하부 클래드층(22), 제 2 활성층(23), 제 3 상부 클래드층(24), 제 2 에칭스톱퍼층(25), 제 4 상부 클래드층(26), 및 제 2 콘택층(27)을 에칭한다. 이에 따라, 도26에 도시된 것과 같이, CD용의 반도체 레이저(19)와는 소자간 분리된 DVD용의 반도체 레이저(29)가 형성된다.
다음에 도27에 도시된 것과 같이, 전체면에 포토레지스트(31)를 형성하고, 패터닝한다. 그리고, 도28에 도시된 것과 같이, 포토레지스트(31)를 마스크로 하여 사용하고, CD용의 반도체 레이저(19)의 제 1 콘택층(17), 제 2 상부 클래드층(41) 및 제 1 상부 클래드층(40)과, DVD용의 반도체 레이저(29)의 제 2 콘택층(27) 및 제 4 상부 클래드층(26)을 동시에 드라이에칭한다. 이에 따라, CD용의 반도체 레이저(19)와 DVD용의 반도체 레이저(29)에 각각 제1, 제 2 릿지 32, 33이 형성된다. 그 후에, 도29에 도시된 것과 같이, 포토레지스트(31)를 제거한다.
[특허문헌 1] 일본국 특개2000-244073호 공보
[특허문헌 2] 일본국 특개2005-109102호 공보
제1, 제 2 릿지 32, 33을 형성할 때에, DVD용의 반도체 레이저(29)의 제 2 에칭스톱퍼층(25)으로부터의 발광을 검출해서 드라이에칭의 종점으로 하고 있다. 이 때문에, DVD용의 반도체 레이저(29)에 대해서는, 제 2 활성층(23) 위의 에피층의 막두께를 고정밀도로 제어할 수 있다. 한편, CD용의 반도체 레이저(19)는 에칭스톱퍼층을 가지지 않는다. 이 때문에, 원래 에칭의 종점이 되는 제 1 상부 클래드층(40)에서 에칭을 멈추려고 하더라도 DVD용 반도체 레이저(29)의 에칭에 영향을 받아, CD용 반도체 레이저(19)의 에칭의 종점은 변동되어 버린다. 그 때문에, CD용의 반도체 레이저(19)에 대해서는, 제 1 활성층(13) 위의 에피층의 막두께를 고정밀도로 제어할 수는 없었다. 이에 따라, 레이저 특성의 격차가 생겨서 신뢰성이 저하한다고 하는 문제가 있었다.
또한 특허문헌 1에서는, 릿지 형성후에 블록층이나 콘택층을 재성장하고 있기 때문에, 활성층에 여분의 열이력이 가해진다. 이에 따라 레이저 특성의 격차가 생겨서 신뢰성이 저하한다고 하는 문제가 있었다.
본 발명은, 전술한 것과 같은 과제를 해결하기 위한 것으로서, 그 목적은, 레이저 특성의 격차를 억제하여 신뢰성을 향상시킬 수 있는 모노리식 반도체 레이저의 제조방법을 얻는 것이다.
본 발명에 따른 모노리식 반도체 레이저의 제조방법은, 반도체기판 위에, 제 1 반도체 레이저의 제 1 하부 클래드층, 제 1 활성층, 제 1 상부 클래드층, 제 1 에칭스톱퍼층, 제 2 상부 클래드층 및 제 1 콘택층을 형성하는 공정과, 반도체기판 위에, 제 1 반도체 레이저와는 소자간 분리된 제 2 반도체 레이저의 제 2 하부 클래드층, 제 2 활성층, 제 3 상부 클래드층, 제 2 에칭스톱퍼층, 제 4 상부 클래드층 및 제 2 콘택층을, 제 4 상부 클래드층과 제 2 콘택층을 합친 막두께가 제 2 상부 클래드층과 제 1 콘택층을 합친 막두께보다도 얇아지도록 형성하는 공정과, 전체면에 레지스트를 형성하고, 레지스트를 패터닝해서 제1, 제 2 반도체 레이저 위에 개구를 형성하는 공정과, 레지스트를 마스크로 한 드라이에칭에 의해, 제 2 상부 클래드층 및 제 1 콘택층과, 제 4 상부 클래드층 및 제 2 콘택층에, 각각 제1, 제 2 릿지를 동시에 형성하고, 제 2 릿지의 옆 부분에 있어서 제 2 에칭스톱퍼층이 노출된 시점에서 드라이에칭을 정지하는 공정과, 레지스트를 마스크로 한 습식 에칭에 의해, 제 1 릿지의 옆 부분에 있어서 제 1 에칭스톱퍼층 위에 남아 있는 제 2 상부 클래드층을 선택적으로 제거하는 공정을 구비한다. 본 발명의 그 밖의 특징은 이하에서 명확해진다.
본 발명에 의해, 레이저 특성의 격차를 억제하여 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
실시예 1
본 발명의 실시예1에 관련되는 모노리식 반도체 레이저의 제조방법에 대해서 도면을 참조하면서 설명한다. 우선, 도1에 도시된 것과 같이, GaAs기판(10)(반도체기판) 위에, AlGaAs 또는 GaAs로 이루어진 버퍼층(11), AlGAlnP로 이루어지거나 또는 하층의 AlGAlnP과 상층의 AlGaAs를 가지는 다층구조의 제 1 하부 클래드층(12), AlGaAs나 AlGaAs/GaAs로 이루어진 다중양자우물 구조의 제 1 활성층(13), AlGaAs로 이루어진 제 1 상부 클래드층(14), 제 1 에칭스톱퍼층(15), AlGAlnP으로 이루어진 제 2 상부 클래드층(16), 및 제 1 콘택층(17)을 순서대로 형성한다. 그리고, 전체면에 포토레지스트(18)를 형성하고, 패터닝한다.
다음에, 포토레지스트(18)를 마스크로 한 에칭에 의해, DVD용의 반도체 레이저(후술)의 형성 영역과 소자간 분리 영역에 있어서, 버퍼층(11), 제 1 하부 클래드층(12), 제 1 활성층(13), 제 1 상부 클래드층(14), 제 1 에칭스톱퍼층(15), 제 2 상부 클래드층(16), 및 제 1 콘택층(17)을 제거한다. 그 후에 포토레지스트(18)는 제거한다. 이에 따라, 도2에 도시된 것과 같이, CD용의 반도체 레이저(19)(제 1 반도체 레이저)가 형성된다.
다음에, 도3에 도시된 것과 같이, GaAs기판(10) 위에, 버퍼층(21), AlGAlnP로 이루어진 제 2 하부 클래드층(22), 제 2 활성층(23), AlGAlnP로 이루어지는 제 3 상부 클래드층(24), 제 2 에칭스톱퍼층(25), AlGAlnP으로 이루어진 제 4 상부 클래드층(26), 및 제 2 콘택층(27)을 순서대로 형성한다. 그리고, 전체면에 포토레지 스트(28을)를 형성하고, 패터닝한다.
다음에, 포토레지스트(28)를 마스크로 한 에칭에 의해, CD용의 반도체 레이저(19)의 형성 영역과 소자간 분리영역에 있어서, 버퍼층(21), 제 2 하부 클래드층(22), 제 2 활성층(23), 제 3 상부 클래드층(24), 제 2 에칭스톱퍼층(25), 제 4 상부 클래드층(26), 및 제 2 콘택층(27)을 제거한다. 그 후에 포토레지스트(28)는 제거한다. 이에 따라, 도4에 도시된 것과 같이, CD용의 반도체 레이저(19)와는 소자간 분리된 DVD용의 반도체 레이저(29)(제 2 반도체 레이저)가 형성된다. 여기에서, DVD용의 반도체 레이저(29)의 제 4 상부 클래드층(26)과 제 2 콘택층(27)을 합친 막두께 X가 CD용의 반도체 레이저(19)의 제 2 상부 클래드층(16)과 제 1 콘택층(17)을 합친 막두께 Y보다도 두꺼워지도록 한다.
다음에 도5에 도시된 것과 같이, 전체면에 포토레지스트(31)(레지스트)를 형성하고, 포토레지스트(31)를 패터닝해서 CD용의 반도체 레이저(19)와 DVD용의 반도체 레이저(29) 위에 개구를 형성한다. 그리고, 도6에 도시된 것과 같이, 포토레지스트(31)를 마스크로 한 드라이에칭에 의해, CD용의 반도체 레이저(19)의 제 1 콘택층(17) 및 제 2 상부 클래드층(16)에 제 1 릿지(32)를 형성하고, DVD용의 반도체 레이저(29)의 제 2 콘택층(27) 및 제 4 상부 클래드층(26)에 제 2 릿지(33)를 동시에 형성한다. 이때, DVD용의 반도체 레이저(29)의 제 2 에칭스톱퍼층(25)으로부터의 발광을 검출하고, 제 2 릿지(33)의 옆 부분에 있어서 제 2 에칭스톱퍼층(25)이 노출된 시점에서 드라이에칭을 정지한다. 이에 따라, 제 1 릿지(32)의 저부에 있어서 CD용의 반도체 레이저(19)의 제 1 에칭스톱퍼층(15) 위에 제2 상부 클래드 층(16)이 남은 상태가 된다.
다음에, 도7에 도시된 것과 같이, 포토레지스트(31)를 마스크로 하여, 주석산 등을 사용한 습식 에칭에 의해, 제 1 릿지(32)의 옆 부분에 있어서 CD용의 반도체 레이저(19)의 제 1 에칭스톱퍼층(15) 위에 남아 있는 제 2 상부 클래드층(16)을 선택적으로 제거한다. 그 후에, 도8에 도시된 것과 같이, 포토레지스트(31)를 제거한다.
상기한 공정에 의해, 양 반도체 레이저에 있어서, 릿지 형성을 위한 에칭을 각각 에칭스톱퍼층에서 정지시킬 수 있다. 따라서, 활성층 위의 에피층의 막두께를 고정밀도로 제어할 수 있으므로, 레이저 특성의 격차를 억제하여 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
실시예 2
본 발명의 실시예 2에 관련되는 모노리식 반도체 레이저의 제조방법에 대해서 도면을 참조하면서 설명한다. 우선, 도9에 도시된 것과 같이, GaAs기판(10)(반도체기판) 위에, AlGaAs 또는 GaAs로 이루어진 버퍼층(11), AlGAlnP로 이루어지거나, 또는 하층의 AlGAlnP과 상층의 AlGaAs를 가지는 다층 구조의 제 1 하부 클래드층(12), AlGaAs나 AlGaAs/GaAs로 이루어진 다중양자우물 구조의 제 1 활성층(13), AlGaAs로 이루어진 제 1 상부 클래드층(14), 제 1 에칭스톱퍼층(15), AlGAlnP로 이루어진 제 2 상부 클래드층(16), 및 제 1 콘택층(17)을 순서대로 형성한다. 그리고, 포토리소그래피와 에칭에 의해, DVD용의 반도체 레이저(후술)의 형성 영역과 소자간 분리영역에 있어서, 버퍼층(11), 제 1 하부 클래드층(12), 제 1 활성층(13), 제 1 상부 클래드층(14), 제 1 에칭스톱퍼층(15), 제 2 상부 클래드층(16) 및 제 1 콘택층(17)을 제거한다. 이에 따라, CD용의 반도체 레이저(19)(제 1 반도체 레이저)가 형성된다.
다음에, 도10에 도시된 것과 같이, GaAs기판(10) 위에, 버퍼층(21), AlGAlnP으로 이루어진 제 2 하부 클래드층(22), 제 2 활성층(23), AlGAInP로 이루어진 제 3 상부 클래드층(24), 제 2 에칭스톱퍼층(25), AlGAlnP로 이루어진 제 4 상부 클래드층(26),및 제 2 콘택층(27)을 순서대로 형성한다. 그리고, 포토리소그래피와 에칭에 의해, CD용의 반도체 레이저(19)의 형성 영역과 소자간 분리 영역에 있어서, 버퍼층(21), 제 2 하부 클래드층(22), 제 2 활성층(23), 제 3 상부 클래드층(24), 제 2 에칭스톱퍼층(25), 제 4 상부 클래드층(26), 및 제 2 콘택층(27)을 제거한다. 이에 따라 CD용의 반도체 레이저(19)와는 소자간 분리된 DVD용의 반도체 레이저(29)(제 2 반도체 레이저)가 형성된다. 여기에서, DVD용의 반도체 레이저(29)의 제 4 상부 클래드층(26)과 제 2 콘택층(27)을 합친 막두께 X가 CD용의 반도체 레이저(19)의 제 2 상부 클래드층(16)과 제 1 콘택층(17)을 합친 막두께 Y보다도 두꺼워지도록 한다.
다음에, 도11에 도시된 것과 같이, 전체면에 포토레지스트(31)(레지스트)를 형성하고, 포토레지스트(31)를 패터닝해서 CD용의 반도체 레이저(19)와 DVD용의 반도체 레이저(29) 위에 개구를 형성한다. 그리고, 도12에 도시된 것과 같이, 포토레지스트(31)를 마스크로 한 드라이에칭에 의해, CD용의 반도체 레이저(19)의 제 1 콘택층(17) 및 제 2 상부 클래드층(16)에 제 1 릿지(32)를 형성하고, DVD용의 반도체 레이저(29)의 제 2 콘택층(27) 및 제 4 상부 클래드층(26)에 제 2 릿지(33)를 동시에 형성한다. 이때, CD용의 반도체 레이저(19)의 제 1 에칭스톱퍼층(15)으로부터의 발광을 검출하고, 제 1 릿지(32)의 옆 부분에 있어서 제 1 에칭스톱퍼층(15)이 노출된 시점에서 드라이에칭을 정지한다. 이에 따라, 제 2 릿지(33)의 저부에 있어서 DVD용의 반도체 레이저(29)의 제 2 에칭스톱퍼층(25) 위에 제 4 상부 클래드층(26)이 남은 상태가 된다.
다음에, 도13에 도시된 것과 같이, 포토레지스트(31)를 마스크로 하여, 황산 등을 사용한 습식 에칭에 의해, 제 2 릿지(33)의 옆 부분에 있어서 DVD용의 반도체 레이저(29)의 제 2 에칭스톱퍼층(25) 위에 남아 있는 제 4 상부 클래드층(26)을 선택적으로 제거한다. 그 후에, 도14에 도시된 것과 같이, 포토레지스트(31)를 제거한다.
상기한 공정에 의해, 양 반도체 레이저에 있어서, 릿지 형성을 위한 에칭을 각각 에칭스톱퍼층에서 정지시킬 수 있다. 따라서, 활성층 위의 에피층의 막두께를 고정밀도로 제어할 수 있으므로, 레이저 특성의 격차를 억제하여 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
실시예 3
본 발명의 실시예3에 관련되는 모노리식 반도체 레이저의 제조방법에 대해서 도면을 참조하면서 설명한다. 우선, 도15에 도시된 것과 같이, GaAs기판(10)(반도 체기판) 위에, AlGaAs 또는 GaAs로 이루어진 버퍼층(11), AlGAlnP로 이루어지거나 또는 하층의 AlGAlnP과 상층의 AlGaAs를 가지는 다층구조의 제 1 하부 클래드층(12), AlGaAs나 AlGaAs/GaAs로 이루어진 다중양자우물 구조의 제 1 활성층(13), 및 AlGaAs로 이루어진 제 1 상부 클래드층(14)을 순서대로 형성한다. 그리고, 전체면에 포토레지스트(34)를 형성하고, 패터닝한다.
다음에, 포토레지스트(34)를 마스크로 한 에칭에 의해, DVD용의 반도체 레이저(후술)의 형성 영역과 소자간 분리 영역에 있어서, 버퍼층(11), 제 1 하부 클래드층(12), 제 1 활성층(13), 및 제 1 상부 클래드층(14)을 제거한다. 그 후에 포토레지스트(34)는 제거한다. 이에 따라, 도16에 도시된 것과 같이, CD용의 반도체 레이저(19)(제 1 반도체 레이저)의 하층 부분이 형성된다.
다음에, 도17에 도시된 것과 같이, GaAs기판(10) 위에, 버퍼층(21), AlGAlnP로 이루어진 제 2 하부 클래드층(22), 제 2 활성층(23), 및 AlGaInP로 이루어진 제 2 상부 클래드층(30)을 순서대로 형성한다. 그리고, 전체면에 포토레지스트(35)를 형성하고, 패터닝한다.
다음에, 포토레지스트(35)를 마스크로 한 에칭에 의해, CD용의 반도체 레이저(19)의 형성 영역과 소자간 분리영역에 있어서, 버퍼층(21), 제 2 하부 클래드층(22), 제 2 활성층(23), 및 제 2 상부 클래드층(30)을 제거한다. 그 후에 포토레지스트(35)는 제거한다. 이에 따라, 도18에 도시된 것과 같이, CD용의 반도체 레이저(19)와는 소자간 분리된 DVD용의 반도체 레이저(29)(제 2 반도체 레이저)의 하층 부분이 형성된다.
다음에, 도19에 도시된 것과 같이, 전체면에 에칭스톱퍼층(36)과, 제 3 상부 클래드층(37)과, 콘택층(38)을 형성한다. 그리고, 전체면에 포토레지스트(39)를 형성하고, 패터닝한다.
다음에 도20에 도시된 것과 같이, 포토레지스트(39)를 마스크로 한 에칭(패터닝)에 의해, 소자간 분리영역에 있어서 에칭스톱퍼층(36), 제 3 상부 클래드층(37) 및 콘택층(38)을 제거하여, CD용의 반도체 레이저(19)의 부분과 DVD용의 반도체 레이저(29)의 부분으로 나눈다. 그 후에 포토레지스트(39)는 제거한다.
다음에, 도21에 도시된 것과 같이, 전체면에 포토레지스트(31)(레지스트)를 형성하고, 포토레지스트(31)를 패터닝해서 CD용의 반도체 레이저(19)와 DVD용의 반도체 레이저(29) 위에 개구를 형성한다. 그리고, 도22에 도시된 것과 같이, 포토레지스트(31)를 마스크로 한 드라이에칭에 의해, CD용의 반도체 레이저(19)의 콘택층(38) 및 제 3 상부 클래드층(37)에 제 1 릿지(32)를 형성하고, DVD용의 반도체 레이저(29)의 콘택층(38) 및 제 3 상부 클래드층(37)에 제 2 릿지(33)를 동시에 형성한다. 그후에, 도23에 도시된 것과 같이, 포토레지스트(31)를 제거한다.
상기한 공정에 의해, 양 반도체 레이저에 있어서, 에칭스톱퍼층 위의 에피층이 같은 두께가 되기 때문에, 릿지 형성을 위한 에칭을 각각 에칭스톱퍼층에서 정지시킬 수 있다. 따라서, 활성층 위의 에피층의 막두께를 고정밀도로 제어할 수 있으므로, 레이저 특성의 격차를 억제하여 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
도1은 본 발명의 실시예1에 관련되는 모노리식 반도체 레이저의 제조방법을 설명하기 위한 단면도이다.
도 2는 본 발명의 실시예1에 관련되는 모노리식 반도체 레이저의 제조방법을 설명하기 위한 단면도이다.
도3은 본 발명의 실시예1에 관련되는 모노리식 반도체 레이저의 제조방법을 설명하기 위한 단면도이다.
도4는 본 발명의 실시예1에 관련되는 모노리식 반도체 레이저의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도이다.
도5는 본 발명의 실시예1에 관련되는 모노리식 반도체 레이저의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도이다.
도6은 본 발명의 실시예1에 관련되는 모노리식 반도체 레이저의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도이다.
도 7은 본 발명의 실시예1에 관련되는 모노리식 반도체 레이저의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도이다.
도 8은 본 발명의 실시예1에 관련되는 모노리식 반도체 레이저의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도이다.
도9는 본 발명의 실시예2에 관련되는 모노리식 반도체 레이저의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도이다.
도10은 본 발명의 실시예2에 관련되는 모노리식 반도체 레이저의 제조 방법 을 설명하기 위한 단면도이다.
도11은 본 발명의 실시예2에 관련되는 모노리식 반도체 레이저의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도이다.
도12는 본 발명의 실시예2에 관련되는 모노리식 반도체 레이저의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도이다.
도13은 본 발명의 실시예2에 관련되는 모노리식 반도체 레이저의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도이다.
도14는 본 발명의 실시예2에 관련되는 모노리식 반도체 레이저의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도이다.
도15는 본 발명의 실시예3에 관련되는 모노리식 반도체 레이저의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도이다.
도16은 본 발명의 실시예3에 관련되는 모노리식 반도체 레이저의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도이다.
도17은 본 발명의 실시예3에 관련되는 모노리식 반도체 레이저의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도이다.
도18은 본 발명의 실시예3에 관련되는 모노리식 반도체 레이저의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도이다.
도19는 본 발명의 실시예3에 관련되는 모노리식 반도체 레이저의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도이다.
도20은 본 발명의 실시예3에 관련되는 모노리식 반도체 레이저의 제조 방법 을 설명하기 위한 단면도이다.
도21은 본 발명의 실시예3에 관련되는 모노리식 반도체 레이저의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도이다.
도22는 본 발명의 실시예3에 관련되는 모노리식 반도체 레이저의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도이다.
도23은 본 발명의 실시예3에 관련되는 모노리식 반도체 레이저의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도이다.
도24는 종래의 모노리식 반도체 레이저의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도이다
도25는 종래의 모노리식 반도체 레이저의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도이다.
도 26은 종래의 모노리식 반도체 레이저의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도이다.
도 27은 종래의 모노리식 반도체 레이저의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도이다.
도 28은 종래의 모노리식 반도체 레이저의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도이다.
도 29는 종래의 모노리식 반도체 레이저의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도이다.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *
10: GaAs 기판
12: 제 1 하부 클래드층
13: 제 1 활성층
14: 제 1 상부 클래드층
15: 제 1 에칭스톱퍼층
16, 30: 제 2 상부 클래드층
17: 제 2 콘택층
19: CD용의 반도체 레이저(제 1 반도체 레이저)
22: 제 2 하부 클래드층
23: 제 2 활성층
24, 37: 제 3 상부 클래드층
25: 제 2 에칭스톱퍼층
26: 제 4 상부 클래드층
27: 제 2 콘택층
29: DVD용의 반도체 레이저(제 2 반도체 레이저)
31: 포토레지스트
32: 제 1 릿지
33: 제 2 릿지
36: 에칭스톱퍼층
38: 콘택층
Claims (3)
- 반도체기판 위에, 제 1 반도체 레이저의 제 1 하부 클래드층, 제 1 활성층, 제 1 상부 클래드층, 제 1 에칭스톱퍼층, 제 2 상부 클래드층 및 제 1 콘택층을 형성하는 공정과,상기 반도체기판 위에, 상기 제 1 반도체 레이저와는 소자간 분리된 제 2 반도체 레이저의 제 2 하부 클래드층, 제 2 활성층, 제 3 상부 클래드층, 제 2 에칭스톱퍼층, 제 4 상부 클래드층 및 제 2 콘택층을, 상기 제 4 상부 클래드층과 상기 제 2 콘택층을 합친 막두께가 상기 제 2 상부 클래드층과 상기 제 1 콘택층을 합친 막두께보다도 얇아지도록 형성하는 공정과,전체면에 레지스트를 형성하고, 상기 레지스트를 패터닝해서 상기 제1, 제 2 반도체 레이저 위에 개구를 형성하는 공정과,상기 레지스트를 마스크로 한 드라이에칭에 의해, 상기 제 2 상부 클래드층 및 상기 제 1 콘택층과, 상기 제 4 상부 클래드층 및 상기 제 2 콘택층에, 각각 제1, 제 2 릿지를 동시에 형성하고, 상기 제 2 릿지의 옆 부분에 있어서 상기 제 2 에칭스톱퍼층이 노출된 시점에서 드라이에칭을 정지하는 공정과,상기 레지스트를 마스크로 한 습식 에칭에 의해, 제 1 릿지의 옆 부분에 있어서 상기 제 1 에칭스톱퍼층 위에 남아있는 상기 제 2 상부 클래드층을 선택적으로 제거하는 공정을 구비한 것을 특징으로 하는 모노리식 반도체 레이저의 제조방법.
- 반도체기판 위에, 제 1 반도체 레이저의 제 1 하부 클래드층, 제 1 활성층, 제 1 상부 클래드층, 제 1 에칭스톱퍼층, 제 2 상부 클래드층 및 제 1 콘택층을 형성하는 공정과,상기 반도체기판 위에, 상기 제 1 반도체 레이저와는 소자간 분리된 제 2 반도체 레이저의 제 2 하부 클래드층, 제 2 활성층, 제 3 상부 클래드층, 제 2 에칭스톱퍼층, 제 4 상부 클래드층 및 제 2 콘택층을, 상기 제4 상부 클래드층과 상기 제 2 콘택층을 합친 막두께가 상기 제 2 상부 클래드층과 상기 제 1 콘택층을 합친 막두께보다도 두꺼워지도록 형성하는 공정과,전체면에 레지스트를 형성하고, 상기 레지스트를 패터닝해서 상기 제1, 제 2 반도체 레이저 위에 개구를 형성하는 공정과,상기 레지스트를 마스크로 한 드라이에칭에 의해, 상기 제 2 상부 클래드층 및 상기 제 1 콘택층과, 상기 제 4 상부 클래드층 및 상기 제 2 콘택층에, 각각 제1, 제 2 릿지를 동시에 형성하고, 상기 제 1 릿지의 옆 부분에 있어서 상기 제 1 에칭스톱퍼층이 노출된 시점에서 드라이에칭을 정지하는 공정과,상기 레지스트를 마스크로 한 습식 에칭에 의해, 제 2 릿지의 옆 부분에 있어서 상기 제 2 에칭스톱퍼층 위에 남아있는 상기 제 4 상부 클래드층을 선택적으로 제거하는 공정을 구비한 것을 특징으로 하는 모노리식 반도체 레이저의 제조방법.
- 반도체기판 위에, 제 1 반도체 레이저의 제 1 하부 클래드층, 제 1 활성층 및 제 1 상부 클래드층을 형성하는 공정과,상기 반도체기판 위에, 상기 제 1 반도체 레이저와는 소자간 분리된 제 2 반도체 레이저의 제 2 하부 클래드층, 제 2 활성층 및 제 2 상부 클래드층을 형성하는 공정과,전체면에 에칭스톱퍼층, 제 3 상부 클래드층 및 콘택층을 형성하고, 패터닝에 의해 상기 제 1 반도체 레이저의 부분과 상기 제 2 반도체 레이저의 부분으로 나누는 공정과,전체면에 레지스트를 형성하고, 상기 레지스트를 패터닝해서 상기 제1, 제 2 반도체 레이저 위에 개구를 형성하는 공정과,상기 레지스트를 마스크로 한 드라이에칭에 의해, 상기 제 1 반도체 레이저와 제 2 반도체 레이저의 상기 제 3 상부 클래드층 및 상기 콘택층에 각각 제1, 제 2 릿지를 동시에 형성하는 공정을 구비한 것을 특징으로 하는 모노리식 반도체 레이저의 제조방법.
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