KR100942956B1

KR100942956B1 - 에스씨알 회로를 이용한 정전기 방전 장치

Info

Publication number: KR100942956B1
Application number: KR1020080012713A
Authority: KR
Inventors: 최낙헌
Original assignee: 주식회사 하이닉스반도체
Priority date: 2008-02-12
Filing date: 2008-02-12
Publication date: 2010-02-17
Also published as: KR20090087334A

Abstract

본 발명SCR 소자를 이용한 정전기 방전 장치에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 정전기 방전 장치는 복수의 전원 전압 및 접지 전압 패드 쌍들이 형성되고, 상기 복수의 전원 전압 패드 중 어느 하나에 정전기 전압이 인가될 때 쌍을 이루는 접지 전압 패드로 방전 경로를 형성하고, 상기 복수의 전원 전압 패드에 공유되어 상기 정전기 전압이 인가될 때 상기 복수의 전원 전압 패드 사이에 전류 경로를 형성하는 제 1 정전기 방전부; 상기 복수의 접지 전압 패드 중 어느 하나에 정전기 전압이 인가될 때 쌍을 이루는 전원 전압 패드로 방전 경로를 형성하는 제 2 정전기 방전부; 및 입출력 패드에 정전기 전압이 인가될 때 상기 접지 전압 패드로 방전 경로를 형성하고, 상기 정전기 전압에 의해 턴 온 되어 상기 입출력 패드와 상기 전원 전압 접지 전압 패드 사이에 전류 경로를 형성하는 제 3 정전기 방전부;를 포함하는 것을 특징으로 한다.

정전기 방전, ESD, SCR

Description

에스씨알 회로를 이용한 정전기 방전 장치{Electrostatic Discharge Device Uising SCR Circuit}

본 발명은 반도체 장치에 관한 것으로서, 특히 SCR 소자를 이용한 정전기 방전 장치에 관한 것이다.

일반적으로 정전기 방전(Electrostatic Discharge, ESD)은 반도체 칩의 신뢰성을 좌우하는 중요한 요소의 하나이며 이러한 정전기 방전은 반도체 칩을 취급시 또는 시스템에 장착하는 경우 발생되어 칩을 손상시킨다. 따라서 반도체 소자의 데이터 입/출력 영역에는 정전기로부터 반도체 소자를 보호하기 위하여 정전기 방전회로가 구비되어야 한다.

반도체 장치에 관하여 발생하는 정전기에 대하여 살펴보면, 대전된 인체나 기계에 반도체 집적회로가 접촉하면, 인체나 기계에 대전되어 있던 정전기가 집적회로의 외부 핀을 통해 입/출력 패드를 거쳐 반도체 내부로 방전되면서 큰 에너지를 가진 과도 정전기 전류파가 반도체 장치의 내부회로에 큰 손상을 가할 수 있다.

대부분의 반도체 장치는 정전기에 의해 발생하는 이러한 손상으로부터 내부의 주요회로를 보호하기 위해 입/출력 패드와 반도체 내부회로 사이에 정전기 방 전(ESD)를 구비하고 있으며, 입/출력 버퍼들도 정전기 보호기능을 하는 경우가 많다.

정전기로부터 반도체 회로를 보호하기 위한 정전기 방전회로로는 다이오드(diode), 금속 산화막 반도체 트랜지스터(metal oxide scilicon, MOS), 실리콘 제어 정류기(scilicon controlled rectifier, SCR)가 널리 이용되고 있다. 그 중에서도 특히 SCR 소자는 PN 접합을 이용한 것으로서 단위 면적당 소화할 수 있는 정전기 방전 전류가 높고 접합 커패시턴스가 작으며 동작 저항이 낮아 널리 이용되고 있다.

도 1은 종래 기술에 의한 정전기 방전 장치의 회로도로서, 특히 SCR 회로를 이용한 경우를 나타낸 것이다.

도 1은 참조하면, 상기 정전기 방전 장치는 제 1 전원 전압 패드와 제 1 접지 전압 패드 사이에 방전 경로를 형성하는 제 1 SCR 회로(10), 제 2 전원 전압 패드와 제 2 접지 전압 패드 사이에 방전 경로를 형성하는 제 2 SCR 회로(12), 및 입출력 패드와 제 1 접지 전압 패드 사이에 방전 경로를 형성하는 제 3 SCR 회로(14)를 포함한다.

그리고 상기 SCR 회로들(10, 12, 14)과 나란하게 다이오드들(D1, D2, D3)이 배치되어 있고, 상기 입출력 패드와 제 1 전원 전압 패드 사이에는 다이오드 D4가 배치되어 있다.

그리고 상기 제 1 전원 전압 패드(VDD1)와 상기 제 2 전원 전압 패드(VDD2) 사이에는 제 1 스위칭부(16)가 형성되어 있고, 상기 제 1 접지 전압 패드(VDD1)와 상기 제 2 접지 전압 패드(VDD2) 사이에는 제 2 스위칭부(18)가 형성되어 있다. 상기 제 1 스위칭부(16)와 제 2 스위칭부는 각각 반대 방향으로 병렬 연결된 다이오드가 형성되어 있다.

반도체 장치가 정상적으로 동작할 때에는 제 1 전원 전압 패드(VDD1)와 제 2 전원 전압 패드(VDD2)에 인가되는 전압이 동일하므로 전류가 흐르지 않으나 상기 전압 패드 중 어느 한 쪽에 전압이 인가되는 경우에는 다이오드 중 어느 하나가 턴 온 되어 전류 경로가 형성된다.

동작을 살펴보면, 제 1 전원 전압 패드(VDD1)에 정전기 전압이 인가되면 제 1 스위칭부(16)의 다이오드 D6이 턴 온 되어 제 1 전원 전압 패드(VDD1)와 제 2 전원 전압 패드(VDD2)가 연결되고, 제 1 SCR 회로(10)를 통해 제 1 접지 전압 패드(VSS1)로 정전기 방전 경로가 형성된다. 그리고 제 2 전원 전압 패드(VDD2)에 정전기 전압이 인가되면 제 1 스위칭부(16)의 다이오드 D5가 턴 온 되어 제 1 전원 전압 패드(VDD1)와 제 2 전원 전압 패드(VDD2)가 연결되고, 제 2 SCR 회로(12)를 통해 제 2 접지 전압 패드(VSS2)로 정전기 방전 경로가 형성된다.

제 1 접지 전압 패드(VSS1)에 정전기가 인가되면 다이오드 D1을 통해 제 1 전원 전압 패드(VDD1)로 정전기 방전 경로가, 다이오드 D3을 통해 입출력 패드로 정전기 방전 경로가 형성되고, 제 2 스위칭부(18)의 다이오드 D8이 턴 온 되어 제 1 접지 전압 패드(VSS1)와 제 2 접지 전압 패드(VSS2)가 연결된다. 제 2 접지 전압 패드(VSS2)에 정전기가 인가되면, D2를 통해 정전기 방전 경로가 형성되고 다이오드 D7이 턴 온된다.

그리고 입출력 패드(I/O)에 정전기가 인가되면 다이오드 D4를 통해 제 1 전원 전압 패드(VDD1)로 방전 경로가 형성되고 제 3 SCR 회로(14)를 통해 제 1 접지 전압 패드로 방전 경로가 형성된다.

이러한 종래 기술은 각 단자 사이에 독립된 정전기 방전 소자를 설치하여 반도체 장치를 정전기로부터 보호할 수 있으나 요구되는 소자의 수가 많아 반도체 제작 공정에 통상적으로 사용되는 집적회로를 웨이퍼 상에 모두 구현할 때 웨이퍼 상에 정전기 방전 장치가 차지하는 면적이 커지게 되어 비용이 증가하는 문제점이 있다.

또한, 이러한 종래 기술에 의하면, 입출력 단자에 기생 커패시턴스가 증가하여 고속 동작이 어려운 문제점이 있다.

본 발명은 정전기 방전 동작에 필요한 소자의 수를 줄여 반도체 장치의 면적을 줄이는 것을 목적으로 한다.

또한, 본 발명은 입출력 패드에 연결되는 기생 커패시턴스를 줄일 수 있는 정전기 방전 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.

본 발명에 따른 정전기 방전 장치는 복수의 전원 전압 및 접지 전압 패드 쌍들이 형성되고, 상기 복수의 전원 전압 패드 중 어느 하나에 정전기 전압이 인가될 때 쌍을 이루는 접지 전압 패드로 방전 경로를 형성하고, 상기 복수의 전원 전압 패드에 공유되어 상기 정전기 전압이 인가될 때 상기 복수의 전원 전압 패드 사이에 전류 경로를 형성하는 제 1 정전기 방전부; 상기 복수의 접지 전압 패드 중 어느 하나에 정전기 전압이 인가될 때 쌍을 이루는 전원 전압 패드로 방전 경로를 형성하는 제 2 정전기 방전부; 및 입출력 패드에 정전기 전압이 인가될 때 상기 접지 전압 패드로 방전 경로를 형성하고, 상기 정전기 전압에 의해 턴 온 되어 상기 입출력 패드와 상기 전원 전압 접지 전압 패드 사이에 전류 경로를 형성하는 제 3 정전기 방전부;를 포함하는 것을 특징으로 한다.

여기서, 상기 제 1 정전기 방전부는 PNP 바이폴라 트랜지스터와 NPN 바이폴라 트랜지스터가 컬렉터와 베이스 상호 간에 연결된 SCR 회로인 것이 바람직하다.

여기서, 상기 PNP 바이폴라 트랜지스터는 에미터와 베이스가 각각 서로 다른 전원 전압 패드에 연결되어 상기 복수의 전원 전압 패드 중 어느 하나에 정전기가 인가될 때 턴 온 되어 전류 경로를 형성한다.

여기서, 상기 NPN 바이폴라 트랜지스터는 에미터와 베이스가 각각 서로 다른 접지 전압 패드에 연결되어 상기 복수의 접지 전압 패드 중 어느 하나에 정전기가 인가될 때 턴 온 되어 전류 경로를 형성한다.

여기서, 제 3 정전기 방전부는 SCR 회로를 포함하고, 상기 SCR 회로의 NPN 바이폴라 트랜지스터의 에미터와 베이스는 각각 서로 다른 접지 전압 패드에 연결되어 상기 복수의 접지 전압 패드 중 어느 하나에 정전기가 인가될 때 턴 온 되어 전류 경로를 형성한다.

여기서, 상기 제 1 정전기 방전부와 제 3 정전기 방전부를 구성하는 SCR 회로 중 적어도 하나 이상은 턴 온 전압 이하에서 에미터와 베이스가 전기적으로 연결되지 않는 것이 바람직하다.

또한, 본 발명의 다른 실시예에 따른 정전기 방전 장치는 제 1 전원 전압 패드와 제 1 접지 전압 패드 사이에 정전기 방전 경로를 형성하는 제 1 정전기 방전부; 제 2 전원 전압 패드와 제 2 접지 전압 패드 사이에 정전기 방전 경로를 형성하는 제 2 정전기 방전부; 입출력 패드와 상기 제 1 접지 전압 패드 사이에 정전기 방전 경로를 형성하는 제 3 정전기 방전부;를 포함하고, 상기 제 1 정전기 방전부 내지 제 3 정전기 방전부는 전압 패드 중 어느 하나에 정전기가 인가될 때 상기 전원 전압 패드 사이에 전류 경로를 형성하거나 접지 전압 패드 사이에 전류 경로를 형성하는 것을 특징으로 한다.

여기서, 상기 제 1 정전기 방전부는 상기 제 1 전원 전압 패드에 정전기가 인가될 때 상기 제 1 접지 전압 패드로 방전 경로를 형성하는 제 1 SCR 회로와 상기 제 1 접지 전압 패드에 정전기가 인가될 때 상기 제 1 전원 전압 패드로 방전 경로를 형성하는 제 1 다이오드를 포함하는 것이 바람직하다.

여기서, 상기 제 1 SCR 회로는 컬렉터와 베이스가 상호 연결된 PNP 바이폴라 트랜지스터와 NPN 바이폴라 트랜지스터를 포함하고, 상기 PNP 바이폴라 트랜지스터의 베이스는 상기 제 2 전원 전압 패드에 연결되고 상기 NPN 바이폴라 트랜지스터의 베이스는 상기 제 2 접지 전압 패드에 연결되는 것이 바람직하다.

여기서, 상기 제 2 정전기 방전부는 상기 제 2 전원 전압 패드에 정전기가 인가될 때 상기 제 2 접지 전압 패드로 방전 경로를 형성하는 제 2 SCR 회로와 상기 제 2 접지 전압 패드에 정전기가 인가될 때 상기 제 2 전원 전압 패드로 방전 경로를 형성하는 것이 바람직하다.

여기서, 상기 제 2 SCR 회로는 컬렉터와 베이스가 상호 연결된 PNP 바이폴라 트랜지스터와 NPN 바이폴라 트랜지스터를 포함하고, 상기 PNP 바이폴라 트랜지스터의 베이스는 상기 제 1 전원 전압 패드에 연결되고 상기 NPN 바이폴라 트랜지스터의 베이스는 상기 제 1 접지 전압 패드에 연결되는 것이 바람직하다.

여기서, 상기 제 3 정전기 방전부는 상기 입출력 패드에 정전기가 인가될 때 상기 제 1 접지 전압 패드로 방전 경로를 형성하는 제 3 SCR 회로와 상기 제 1 접지 전압 패드에 정전기가 인가될 때 상기 입출력 패드로 방전 경로를 형성하는 제 3 다이오드를 포함하는 것이 바람직하다.

상기 제 3 SCR 회로는 컬렉터와 베이스가 상호 연결된 PNP 바이폴라 트랜지스터와 NPN 바이폴라 트랜지스터를 포함하고, 상기 PNP 바이폴라 트랜지스터의 베이스는 상기 제 1 전원 전압 패드에 연결되고 상기 NPN 바이폴라 트랜지스터의 베이스는 상기 제 2 접지 전압 패드에 연결되는 것이 바람직하다.

본 발명은 SCR 회로의 PNP 바이폴라 트랜지스터와 NPN 바이폴라 트랜지스터의 베이스들을 각각 전원 전압 패드와 접지 전압 패드에 각각 연결함으로써 다이오드를 사용하지 않고도 정전기 방전 경로를 형성할 수 있어, 정전기 방전에 필요한 소자의 수를 줄여 반도체 장치의 전체 면적을 줄일 수 있다.

또한, 본 발명은 입출력 패드와 전원 전압 패드 사이에 다이오드를 형성하지 않음으로써 기생 커패시턴스를 줄일 수 있어 고속 동작에 유리하다.

본 발명은 복수의 전원 전압 패드와 복수의 접지 전압 패드를 SCR 회로를 이용하여 연결함으로써, 패드에 정전기가 인가될 때 전원 패드 상호 간 및 접지 패드 상호 간에 전류 경로가 형성되도록 하는 정전기 방전 장치를 기재한다.

이하에서는 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 대해 살펴보도록 한다.

도 2는 본 발명에 따른 정전기 방전 장치의 회로도를 나타낸 것이다.

도 2를 참조하면, 상기 정전기 방전 장치는 다수의 전원 전압 패드와 입출력 패드가 형성되어 있고, 이들 패드에 정전기가 인가될 때 방전하기 위한 다수의 방 전부(20, 22, 24, D1, D2, D3)가 형성되어 있다.

제 1 SCR 회로(20)의 일측은 제 1 전원 전압 라인(1)을 통해 제 1 전원 전압 패드(VDD1)에 연결되고 다른 일측은 제 1 접지 전압 라인(3)을 통해 제 1 접지 전압 라인 패드(VSS1)에 연결된다. 그리고 상기 제 1 SCR 회로(20)의 PNP 바이폴라(bipolar) 트랜지스터(201)의 베이스(Base)는 제 2 전원 전압 라인(2)을 통해 제 2 전원 전압 패드(VDD2)에 연결되고 NPN 바이폴라 트랜지스터(202)의 베이스는 제 2 접지 전압 라인(4)을 통해 제 2 접지 전압 패드(VSS2)에 연결된다.

제 2 SCR 회로(22)의 일측은 제 2 전원 전압 라인(2)을 통해 제 2 전원 전압 패드(VDD2)에 연결되고 다른 일측은 제 2 접지 전압 라인(4)을 통해 제 2 접지 전압 라인 패드(VSS2)에 연결된다. 그리고 상기 제 2 SCR 회로(22)의 PNP 바이폴라 트랜지스터(221)의 베이스는 제 1 전원 전압 라인(1)을 통해 제 1 전원 전압 패드(VDD1)에 연결되고 NPN 바이폴라 트랜지스터(202)의 베이스는 제 1 접지 전압 라인(3)을 통해 제 1 접지 전압 패드(VSS1)에 연결된다.

제 3 SCR 회로(24)는 입출력 패드(I/O)와 제 1 접지 전압 패드(VSS1) 사이에 형성된다. 상기 제 3 SCR 회로(24)의 PNP 바이폴라 트랜지스터(241)의 베이스는 제 1 전원 전압 패드(VDD1)에 연결되고 NPN 바이폴라 트랜지스터(242)의 베이스는 제 2 접지 전압 패드(VSS2)에 연결된다.

그리고 다이오드 D1, D2, D3는 일측이 접지 전압 라인(3, 4)과 연결되어 접지 전압 패드로 정전기가 인가될 때 전원 전압 패드(VDD1, VDD2) 또는 입출력 패드(I/O)로 방전 경로를 형성한다.

이하에서는 상기 정전기 방전 장치의 동작을 살펴본다.

제 1 전원 전압 패드(VDD1)에 정전기가 인가되면, 상기 제 1 SCR 회로(20)를 통해 정전기 방전 경로가 형성되어 제 1 접지 전압 패드(VSS1)로 정전기가 방전된다. 그리고 이때 PNP 바이폴라 트랜지스터(201)이 턴 온 되어 에미터(Emitor)와 베이스(Base)는 PN접합 다이오드와 동일하게 동작한다. 즉, 제 1 전원 전압 라인(1)과 제 2 전원 전압 라인(2) 사이에는 다이오드가 형성되어 있는 것과 동일하게 동작하게 되고, 상기 제 1 전원 전압 패드에 문턱 전압 이상의 정전기가 인가되면 제 1 전원 전압 라인(1)과 제 2 전원 전압 라인(2)은 전기적으로 연결된다. 상기 PNP 다이오드의 에미터 베이스 접합은 도 1의 다이오드 D6과 동일한 역할을 하게 된다.

다음으로, 제 2 전원 전압 패드(VDD2)에 정전기가 인가되면, 제 2 SCR 회로(22)를 통해 정전기 방전 경로가 형성되어 제 2 접지 전압 패드(VSS2)로 정전기 가 방전된다. 그리고 이때 PNP 바이폴라 트랜지스터(221)의 에미터와 베이스는 PN접합 다이오드로서 동작하게 되고, 문턱 전압 이상의 정전기가 인가되면 제 2 전원 전압 라인(2)과 제 1 전원 전압 라인(1)을 전기적으로 연결된다. 즉, 상기 PNP 바이폴라 트랜지스터의 에미터와 베이스는 도 1의 다이오드 D5와 동일한 역할을 하게 된다.

마찬가지로, 제 1 접지 전압 패드(VSS1)에 정전기가 인가되면, 제 2 SCR 회로의 NPN 바이폴라 트랜지스터(222)의 에미터와 베이스 사이에 PN 접합에 의해 전류 경로가 형성된다. 즉, 상기 NPN 바이폴라 트랜지스터(222)의 에미터와 베이스는 도 1의 다이오드 D8과 동일한 역할을 하게 된다.

그리고 제 2 접지 전압 패드(VSS2)에 정전기가 인가되면, 제 1 SCR회로(20) 의 NPN 바이폴라 트랜지스터(202)와 제 3 SCR 회로(24)의 바이폴라 트랜지스터(242)의 에미터와 베이스 사이의 PN 접합에 의해 전류 경로가 형성된다. 즉, NPN 바이폴라 트랜지스터(202, 242)의 에미터와 베이스는 도 1의 다이오드 D7과 동일한 역할을 하게 된다.

입출력 패드(I/O)에 정전기 전압이 인가되면 제 3 SCR 회로(24)를 통해 제 1 접지 전압 라인(3)으로 정전기 방전 경로가 형성되고 동시에 PNP 바이폴라 트랜지스터(241)의 에미터와 베이스 간 PN 접합이 다이오드로서 동작하여 제 1 전원 전압 라인 사이에 정전기 방전 경로가 형성된다.

이상에서와 같이, 본 발명에 의하면 SCR 회로의 PNP 바이폴라 트랜지스터의 베이스를 전원 전압 패드(VDD1, VDD2)에 연결하고, NPN 바이폴라 트랜지스터의 베이스를 접지 전압 패드(VSS1, VSS2)에 연결함으로써, 에미터와 베이스 간의 PN 접합에 다이오드가 턴 온 될 때 패드 상호 간에 전류 경로가 형성된다.

따라서 종래와 같은 다이오드를 사용하지 않고도 정전기 방전 경로를 형성할 수 있다.

도 1은 종래 기술에 의한 정전기 방전 장치를 나타낸 회로도

도 2는 본 발명에 따른 정전기 방전 장치를 나타낸 회로도

Claims

복수의 전원 전압 및 접지 전압 패드 쌍들이 형성되고,

상기 복수의 전원 전압 패드 중 어느 하나에 정전기 전압이 인가될 때 쌍을 이루는 접지 전압 패드로 방전 경로를 형성하고, 상기 복수의 전원 전압 패드에 공유되어 상기 정전기 전압이 인가될 때 상기 복수의 전원 전압 패드 사이에 전류 경로를 형성하는 제 1 정전기 방전부;

상기 복수의 접지 전압 패드 중 어느 하나에 정전기 전압이 인가될 때 쌍을 이루는 전원 전압 패드로 방전 경로를 형성하는 제 2 정전기 방전부; 및

입출력 패드에 정전기 전압이 인가될 때 상기 접지 전압 패드로 방전 경로를 형성하고, 상기 정전기 전압에 의해 턴 온 되어 상기 입출력 패드와 상기 전원 전압 접지 전압 패드 사이에 전류 경로를 형성하는 제 3 정전기 방전부;를 포함하는 정전기 방전 장치.
제 1항에 있어서,

상기 제 1 정전기 방전부는 PNP 바이폴라 트랜지스터와 NPN 바이폴라 트랜지스터가 컬렉터와 베이스 상호 간에 연결된 SCR 회로를 포함하는 정전기 방전 장치.
제 2항에 있어서,

상기 PNP 바이폴라 트랜지스터는 에미터와 베이스가 각각 서로 다른 전원 전 압 패드에 연결되어 상기 복수의 전원 전압 패드 중 어느 하나에 정전기가 인가될 때 턴 온 되어 전류 경로를 형성하는 정전기 방전 장치.
제 2항에 있어서,

상기 NPN 바이폴라 트랜지스터는 에미터와 베이스가 각각 서로 다른 접지 전압 패드에 연결되어 상기 복수의 접지 전압 패드 중 어느 하나에 정전기가 인가될 때 턴 온 되어 전류 경로를 형성하는 정전기 방전 장치.
제 2항에 있어서,

제 3 정전기 방전부는 SCR 회로를 포함하고, 상기 SCR 회로의 NPN 바이폴라 트랜지스터의 에미터와 베이스는 각각 서로 다른 접지 전압 패드에 연결되어 상기 복수의 접지 전압 패드 중 어느 하나에 정전기가 인가될 때 턴 온 되어 전류 경로를 형성하는 정전기 방전 장치.
제 5항에 있어서,

상기 제 1 정전기 방전부와 제 3 정전기 방전부를 구성하는 SCR 회로 중 적어도 하나 이상은 턴 온 전압 이하에서 에미터와 베이스가 전기적으로 연결되지 않는 정전기 방전 장치.
제 1 전원 전압 패드와 제 1 접지 전압 패드 사이에 정전기 방전 경로를 형 성하는 제 1 정전기 방전부;

제 2 전원 전압 패드와 제 2 접지 전압 패드 사이에 정전기 방전 경로를 형성하는 제 2 정전기 방전부;

입출력 패드와 상기 제 1 접지 전압 패드 사이에 정전기 방전 경로를 형성하는 제 3 정전기 방전부;를 포함하고,

상기 제 1 정전기 방전부 내지 제 3 정전기 방전부는 전압 패드 중 어느 하나에 정전기가 인가될 때 상기 전원 전압 패드 사이에 전류 경로를 형성하거나 접지 전압 패드 사이에 전류 경로를 형성하는 정전기 방전 장치.
제 7항에 있어서,

상기 제 1 정전기 방전부는 상기 제 1 전원 전압 패드에 정전기가 인가될 때 상기 제 1 접지 전압 패드로 방전 경로를 형성하는 제 1 SCR 회로와 상기 제 1 접지 전압 패드에 정전기가 인가될 때 상기 제 1 전원 전압 패드로 방전 경로를 형성하는 제 1 다이오드를 포함하는 정전기 방전 장치.
제 8항에 있어서,

상기 제 1 SCR 회로는 컬렉터와 베이스가 상호 연결된 PNP 바이폴라 트랜지스터와 NPN 바이폴라 트랜지스터를 포함하고, 상기 PNP 바이폴라 트랜지스터의 베이스는 상기 제 2 전원 전압 패드에 연결되고 상기 NPN 바이폴라 트랜지스터의 베이스는 상기 제 2 접지 전압 패드에 연결되는 정전기 방전 장치.
제 7항에 있어서,

상기 제 2 정전기 방전부는 상기 제 2 전원 전압 패드에 정전기가 인가될 때 상기 제 2 접지 전압 패드로 방전 경로를 형성하는 제 2 SCR 회로와 상기 제 2 접지 전압 패드에 정전기가 인가될 때 상기 제 2 전원 전압 패드로 방전 경로를 형성하는 제 2 다이오드를 포함하는 정전기 방전 장치.
제 10항에 있어서,

상기 제 2 SCR 회로는 컬렉터와 베이스가 상호 연결된 PNP 바이폴라 트랜지스터와 NPN 바이폴라 트랜지스터를 포함하고, 상기 PNP 바이폴라 트랜지스터의 베이스는 상기 제 1 전원 전압 패드에 연결되고 상기 NPN 바이폴라 트랜지스터의 베이스는 상기 제 1 접지 전압 패드에 연결되는 정전기 방전 장치.
제 7항에 있어서,

상기 제 3 정전기 방전부는 상기 입출력 패드에 정전기가 인가될 때 상기 제 1 접지 전압 패드로 방전 경로를 형성하는 제 3 SCR 회로와 상기 제 1 접지 전압 패드에 정전기가 인가될 때 상기 입출력 패드로 방전 경로를 형성하는 제 3 다이오드를 포함하는 정전기 방전 장치.
제 12항에 있어서,

상기 제 3 SCR 회로는 컬렉터와 베이스가 상호 연결된 PNP 바이폴라 트랜지스터와 NPN 바이폴라 트랜지스터를 포함하고, 상기 PNP 바이폴라 트랜지스터의 베이스는 상기 제 1 전원 전압 패드에 연결되고 상기 NPN 바이폴라 트랜지스터의 베이스는 상기 제 2 접지 전압 패드에 연결되는 정전기 방전 장치.