KR100940854B1 - 데이터 출력 장치 및 이를 포함하는 반도체 메모리 장치 - Google Patents
데이터 출력 장치 및 이를 포함하는 반도체 메모리 장치 Download PDFInfo
- Publication number
- KR100940854B1 KR100940854B1 KR1020080089459A KR20080089459A KR100940854B1 KR 100940854 B1 KR100940854 B1 KR 100940854B1 KR 1020080089459 A KR1020080089459 A KR 1020080089459A KR 20080089459 A KR20080089459 A KR 20080089459A KR 100940854 B1 KR100940854 B1 KR 100940854B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- pull
- driver
- driving
- output
- impedance
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K19/00—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
- H03K19/0005—Modifications of input or output impedance
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
- G11C7/10—Input/output [I/O] data interface arrangements, e.g. I/O data control circuits, I/O data buffers
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
- G11C7/10—Input/output [I/O] data interface arrangements, e.g. I/O data control circuits, I/O data buffers
- G11C7/1051—Data output circuits, e.g. read-out amplifiers, data output buffers, data output registers, data output level conversion circuits
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
- G11C7/10—Input/output [I/O] data interface arrangements, e.g. I/O data control circuits, I/O data buffers
- G11C7/1051—Data output circuits, e.g. read-out amplifiers, data output buffers, data output registers, data output level conversion circuits
- G11C7/1057—Data output buffers, e.g. comprising level conversion circuits, circuits for adapting load
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
- G11C7/22—Read-write [R-W] timing or clocking circuits; Read-write [R-W] control signal generators or management
Abstract
Description
Claims (16)
- 임피던스 제어 신호에 상응하여 구동력을 조절하고, 상기 구동력으로 데이터를 구동하여 출력하는 프리 드라이버부; 및상기 임피던스 제어 신호에 상응하는 값을 갖는 풀업 및 풀다운 저항 조절 코드에 의해 임피던스가 조절되고, 조절된 상기 임피던스를 적용하여 상기 프리 드라이버부의 출력을 구동하는 메인 드라이버부;를 포함하고,상기 메인 드라이버부는, 상기 프리 드라이버부에서 출력되는 신호를 구동하는 메인 드라이버, 전원 전압단과 상기 메인 드라이버의 출력단 사이에 연결되며 상기 풀업 저항 조절 코드에 의해 상기 임피던스의 풀업 저항을 조절하는 풀업 저항부 및 접지 전압단과 상기 메인 드라이버의 출력단 사이에 연결되며 상기 풀다운 저항 조절 코드에 의해 상기 임피던스의 풀다운 저항을 조절하는 풀다운 저항부를 포함하는 데이터 출력 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 임피던스 제어 신호는 상기 임피던스로 제 1 저항값과 상기 제 1 저항값보다 큰 제 2 저항값 중 어느 하나를 설정하기 위해 모드 레지스터로부터 제공되는 어드레스 신호인 데이터 출력 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 프리 드라이버부는,상기 데이터를 구동하여 출력하는 프리 드라이버; 및상기 임피던스 제어 신호에 상응하여 구동이 조절되어 상기 프리 드라이버에서 출력되는 신호의 슬루 레이트를 보정하여 출력하는 구동력 조절부;를 포함하는 데이터 출력 장치.
- 제 3 항에 있어서,상기 구동력 조절부는,상기 임피던스 제어 신호에 응답하여 풀업 및 풀다운 구동 제어 신호를 생성하는 구동 제어 신호 생성부; 및상기 풀업 및 풀다운 구동 제어 신호에 의해 구동이 제어되어 상기 프리 드라이버에서 출력되는 신호의 슬루 레이트를 보정하는 구동 보정 드라이버;를 포함하는 데이터 출력 장치.
- 제 4 항에 있어서,상기 구동 제어 신호 생성부는,상기 임피던스 제어 신호에 의해 설정된 상기 임피던스를 판단하여 판단 신호를 출력하는 판단부; 및상기 판단 신호에 응답하여 상기 데이터에 상응하는 상기 풀업 및 풀다운 구동 제어 신호를 출력하는 출력부;를 포함하는 데이터 출력 장치.
- 제 5 항에 있어서,상기 출력부는 상기 판단 신호가 활성화될 때 상기 데이터에 상응하여 상기 구동 보정 드라이버가 풀업 또는 풀다운 구동되도록 상기 풀업 및 풀다운 구동 제 어 신호를 출력하는 데이터 출력 장치.
- 제 4 항에 있어서,상기 구동 보정 드라이버는상기 풀업 구동 제어 신호에 의해 풀업 구동하여 상기 프리 드라이버에서 출력되는 신호의 라이징 슬루 레이트를 보정하는 풀업 구동부; 및상기 풀다운 구동 제어 신호에 의해 풀다운 구동하여 상기 프리 드라이버에서 출력되는 신호의 폴링 슬루 레이트를 보정하는 풀다운 구동부;를 포함하는 데이터 출력 장치.
- 제 7 항에 있어서,상기 풀업 구동부는 상기 전원 전압단과 상기 프리 드라이버의 출력단 사이에 연결되며 게이트로 인가되는 상기 풀업 구동 제어 신호에 의해 제어되는 PMOS 트랜지스터인 데이터 출력 장치.
- 제 7 항에 있어서,상기 풀다운 구동부는 상기 프리 드라이버의 출력단과 상기 접지 전압단 사이에 연결되며 게이트로 인가되는 상기 풀다운 구동 제어 신호에 의해 제어되는 NMOS 트랜지스터인 데이터 출력 장치.
- 삭제
- 데이터를 구동하여 출력하는 프리 드라이버;임피던스 제어 신호에 응답하여 상기 데이터에 상응하는 풀업 및 풀다운 구동 제어 신호를 생성하는 구동 제어 신호 생성부; 및상기 풀업 및 풀다운 구동 제어 신호에 의해 구동되어 상기 프리 드라이버에서 출력되는 신호의 슬루 레이트를 조절하여 메인 드라이버로 출력하는 구동 보정 드라이버;를 포함하는 반도체 메모리 장치.
- 제 11 항에 있어서,상기 임피던스 제어 신호는 제 1 저항값과 상기 제 1 저항값보다 큰 제 2 저항값 중 어느 하나를 출력 임피던스로 설정하기 위해 모드 레지스터로부터 제공되 는 신호인 반도체 메모리 장치.
- 제 12 항에 있어서,상기 구동 제어 신호 생성부는 상기 임피던스 제어 신호에 의해 상기 출력 임피던스가 상기 제 2 저항값으로 설정되는 경우 상기 데이터에 상응하여 상기 풀업 및 풀다운 구동 제어 신호를 출력하는 반도체 메모리 장치.
- 제 12 항에 있어서,상기 구동 보정 드라이버는상기 풀업 구동 제어 신호에 의해 풀업 구동하여 상기 프리 드라이버에서 출력되는 신호의 라이징 슬루 레이트를 보정하는 풀업 구동부; 및상기 풀다운 구동 제어 신호에 의해 풀다운 구동하여 상기 프리 드라이버에서 출력되는 신호의 폴링 슬루 레이트를 보정하는 풀다운 구동부;를 포함하는 반도체 메모리 장치.
- 제 14 항에 있어서,상기 풀업 구동부는 전원 전압단과 상기 프리 드라이버의 출력단 사이에 연결되며 게이트로 인가되는 상기 풀업 구동 제어 신호에 의해 제어되는 PMOS 트랜지스터인 반도체 메모리 장치.
- 제 14 항에 있어서,상기 풀다운 구동부는 상기 프리 드라이버의 출력단과 접지 전압단 사이에 연결되며 게이트로 인가되는 상기 풀다운 구동 제어 신호에 의해 제어되는 NMOS 트랜지스터인 반도체 메모리 장치.
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020080089459A KR100940854B1 (ko) | 2008-09-10 | 2008-09-10 | 데이터 출력 장치 및 이를 포함하는 반도체 메모리 장치 |
US12/482,075 US7911225B2 (en) | 2008-09-10 | 2009-06-10 | Data output device and semiconductor memory apparatus including the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020080089459A KR100940854B1 (ko) | 2008-09-10 | 2008-09-10 | 데이터 출력 장치 및 이를 포함하는 반도체 메모리 장치 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR100940854B1 true KR100940854B1 (ko) | 2010-02-09 |
Family
ID=41798699
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020080089459A KR100940854B1 (ko) | 2008-09-10 | 2008-09-10 | 데이터 출력 장치 및 이를 포함하는 반도체 메모리 장치 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7911225B2 (ko) |
KR (1) | KR100940854B1 (ko) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101053542B1 (ko) | 2010-04-12 | 2011-08-03 | 주식회사 하이닉스반도체 | 데이터 스트로브 신호 출력 드라이버 |
KR101166643B1 (ko) | 2010-09-07 | 2012-07-23 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 데이터 출력 회로 |
KR20150107982A (ko) * | 2014-03-14 | 2015-09-24 | 성균관대학교산학협력단 | 임피던스 보정을 할 수 있는 부하 구동 회로, 유도형 센서를 위한 코일 드라이버 장치 및 이를 이용한 유도형 위치 센서 시스템 |
KR20190067940A (ko) * | 2016-11-10 | 2019-06-17 | 마이크론 테크놀로지, 인크. | 전력 효율적인 구동 회로를 위한 장치 및 방법 |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101113332B1 (ko) * | 2010-09-10 | 2012-03-13 | 주식회사 하이닉스반도체 | 출력드라이버 |
US10218756B2 (en) * | 2012-01-06 | 2019-02-26 | Comcast Cable Communications, Llc | Streamlined delivery of video content |
US9337807B2 (en) * | 2014-09-30 | 2016-05-10 | Qualcomm Incorporated | Output driver circuit with auto-equalization based on drive strength calibration |
JP2017216611A (ja) * | 2016-06-01 | 2017-12-07 | マイクロン テクノロジー, インク. | 半導体装置 |
KR101870840B1 (ko) * | 2016-11-02 | 2018-06-26 | 삼성전자주식회사 | 출력 버퍼 회로 및 그것을 포함하는 메모리 장치 |
KR20190036259A (ko) | 2017-09-27 | 2019-04-04 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 캘리브레이션 회로를 이용하는 전송 장치, 이를 포함하는 반도체 장치 및 시스템 |
KR20200137361A (ko) * | 2019-05-30 | 2020-12-09 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 멀티비트 데이터를 송신하는 송신기 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20070103907A (ko) * | 2006-04-20 | 2007-10-25 | 삼성전자주식회사 | 터미네이션 저항 값에 따라 가변되는 데이터 구동 능력을 갖는 반도체 메모리 장치를 구비한 메모리 시스템 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6281730B1 (en) | 1999-05-13 | 2001-08-28 | National Semiconductor Corporation | Controlled slew rate driver |
US6285215B1 (en) * | 1999-09-02 | 2001-09-04 | Micron Technology, Inc. | Output driver having a programmable edge rate |
KR100505645B1 (ko) | 2002-10-17 | 2005-08-03 | 삼성전자주식회사 | 동작주파수 정보 또는 카스 레이턴시 정보에 따라출력신호의 슬루율을 조절 할 수 있는 출력 드라이버 |
KR100500415B1 (ko) * | 2003-08-25 | 2005-07-12 | 주식회사 하이닉스반도체 | 프리 드라이버 회로 및 이를 이용한 출력 회로 |
KR100670699B1 (ko) * | 2004-11-01 | 2007-01-17 | 주식회사 하이닉스반도체 | 온 다이 터미네이션 회로를 갖는 반도체메모리소자 |
KR100863535B1 (ko) * | 2007-11-02 | 2008-10-15 | 주식회사 하이닉스반도체 | 온 다이 터미네이션 장치 및 이를 포함하는 반도체메모리장치 |
-
2008
- 2008-09-10 KR KR1020080089459A patent/KR100940854B1/ko active IP Right Grant
-
2009
- 2009-06-10 US US12/482,075 patent/US7911225B2/en active Active
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20070103907A (ko) * | 2006-04-20 | 2007-10-25 | 삼성전자주식회사 | 터미네이션 저항 값에 따라 가변되는 데이터 구동 능력을 갖는 반도체 메모리 장치를 구비한 메모리 시스템 |
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101053542B1 (ko) | 2010-04-12 | 2011-08-03 | 주식회사 하이닉스반도체 | 데이터 스트로브 신호 출력 드라이버 |
US8441870B2 (en) | 2010-04-12 | 2013-05-14 | SK Hynic Inc. | Data strobe signal output driver for a semiconductor memory apparatus |
KR101166643B1 (ko) | 2010-09-07 | 2012-07-23 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 데이터 출력 회로 |
US9467145B2 (en) | 2010-09-07 | 2016-10-11 | Hynix Semiconductor Inc. | Data output circuit |
KR20150107982A (ko) * | 2014-03-14 | 2015-09-24 | 성균관대학교산학협력단 | 임피던스 보정을 할 수 있는 부하 구동 회로, 유도형 센서를 위한 코일 드라이버 장치 및 이를 이용한 유도형 위치 센서 시스템 |
KR101589809B1 (ko) * | 2014-03-14 | 2016-02-01 | 성균관대학교산학협력단 | 임피던스 보정을 할 수 있는 부하 구동 회로, 유도형 센서를 위한 코일 드라이버 장치 및 이를 이용한 유도형 위치 센서 시스템 |
KR20190067940A (ko) * | 2016-11-10 | 2019-06-17 | 마이크론 테크놀로지, 인크. | 전력 효율적인 구동 회로를 위한 장치 및 방법 |
US10825485B2 (en) | 2016-11-10 | 2020-11-03 | Micron Technology, Inc. | Apparatuses and methods for power efficient driver circuits |
KR102230115B1 (ko) * | 2016-11-10 | 2021-03-23 | 마이크론 테크놀로지, 인크. | 전력 효율적인 구동 회로를 위한 장치 및 방법 |
KR20210033060A (ko) * | 2016-11-10 | 2021-03-25 | 마이크론 테크놀로지, 인크. | 전력 효율적인 구동 회로를 위한 장치 및 방법 |
KR102360669B1 (ko) | 2016-11-10 | 2022-02-09 | 마이크론 테크놀로지, 인크. | 전력 효율적인 구동 회로를 위한 장치 및 방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20100060317A1 (en) | 2010-03-11 |
US7911225B2 (en) | 2011-03-22 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100940854B1 (ko) | 데이터 출력 장치 및 이를 포함하는 반도체 메모리 장치 | |
KR100668498B1 (ko) | 반도체 메모리의 데이터 출력장치 및 방법 | |
KR100951659B1 (ko) | 데이터 출력 드라이빙 회로 | |
US8441870B2 (en) | Data strobe signal output driver for a semiconductor memory apparatus | |
KR100937951B1 (ko) | 캘리브래이션 회로, 온 다이 터미네이션 장치 및 반도체 메모리 장치 | |
US8299831B2 (en) | Semiconductor device | |
US8581620B2 (en) | Semiconductor device including data output circuit supporting pre-emphasis operation | |
JP2007213786A (ja) | 半導体メモリ装置のドライバ制御回路及び方法 | |
KR20090114630A (ko) | 출력드라이버, 이를 포함하는 반도체 메모리장치 및 이의동작방법 | |
US7863927B2 (en) | Semiconductor device | |
KR100915814B1 (ko) | 반도체 메모리 장치의 데이터 출력 드라이버 제어회로 | |
KR20150113587A (ko) | 반도체 장치 | |
JP2003078406A (ja) | データバッファ回路およびデータ出力バッファ | |
US7919988B2 (en) | Output circuit and driving method thereof | |
US7868667B2 (en) | Output driving device | |
KR101009348B1 (ko) | 반도체 장치 | |
KR100861373B1 (ko) | 스큐신호 생성회로 및 이를 이용한 반도체 메모리 장치 | |
US20070252638A1 (en) | Method and apparatus for temperature compensating off chip driver (OCD) circuit | |
KR100904426B1 (ko) | 내부 전압 생성 회로 | |
KR20080100948A (ko) | 반도체 장치의 데이터 출력회로 | |
KR100885488B1 (ko) | 반도체 소자 | |
KR100955541B1 (ko) | 데이타 출력 장치 | |
KR20080000424A (ko) | 반도체 메모리의 출력 버퍼 | |
KR100904466B1 (ko) | 온 다이 터미네이션 장치의 터미네이션 회로 | |
KR20080037931A (ko) | 반도체 소자의 컬럼경로 제어신호 생성회로 및 컬럼경로제어신호 생성방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20121224 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20131223 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20141218 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20151221 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20161125 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20171220 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20181219 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20191224 Year of fee payment: 11 |