KR100940468B1 - 유기 전계발광 표시 패널 및 그 제조방법 - Google Patents
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Abstract
전류 누설 현상을 방지하는 유기 TFT 를 포함하는 능동 메트릭스 구동의 유기 EL 표시 패널, 및 그 제조방법이 제안된다. 유기 EL 표시 패널은, 기판; 기판으로부터 순서대로 제 1 표시 전극, 유기 기능층, 및 제 2 표시 전극을 포함하는 유기 EL 소자, 및 기판으로부터 순서대로 게이트 전극, 게이트 절연막, 소스/드레인 전극, 및 유기 반도체층을 포함하고 유기 EL 소자를 구동 및 제어하는 유기 TFT 를 포함한다. 유기 EL 표시 패널은, 제 1 표시 전극 상에 유기 기능층이 제공되는 발광 영역을 구획하는 제 1 창부, 및 소스/드레인 전극 사이에 유기 반도체층이 제공되는 트랜지스터 영역을 구획하는 제 2 창부를 갖는 제 1 뱅크; 및 제 2 창부의 주변에 배치되고 기판의 주면과 교차하는 방향으로 돌출하는 제 2 뱅크를 더 포함한다.
유기 전계발광 표시 패널, 능동 메트릭스 구동, 발광 영역, 트랜지스터 영역, 뱅크, 전류 누설
Description
기술분야
본 발명은 능동 메트릭스 구동 시스템을 갖는 유기 전계발광 표시 패널, 및 그 제조방법에 관한 것이다.
배경기술
바람직하게, 유기 전계발광 표시 디바이스 (이하, 유기 EL 표시 디바이스로 지칭됨) 는 화면 밝기 균일성 및 화면 서기 (rewrite) 속도를 달성하기 위해서 능동 메트릭스 구동 시스템을 갖는 디스플레이를 구비한다. 이들 디스플레이는, 각각의 픽셀 및 박막 트랜지스터 (이하, TFT 로 지칭됨) 를 포함하는 구동부 (drive unit) 내에 유기 전계발광 소자 (이하, 유기 EL 소자로 지칭됨) 를 포함하는 발광부 (emission unit) 를 포함한다.
유기 EL 소자는, 기판 위에서부터 순서대로 제 1 표시 전극, 발광층을 포함하는 유기 기능층, 및 제 2 표시 전극을 포함한다.
또한, 보통 TFT 는, 순서대로 유리 기판 상에 형성된 얇은 금속막으로 이루어진 게이트 전극, 이 게이트 전극을 덮는 게이트 절연층, 게이트 절연층으로부터 분리되고 게이트 절연층을 향하는 소스/드레인 전극쌍, 및 소스 전극과 드레인 전 극 사이의 채널을 형성하는 반도체층을 포함한다. 반도체층은 a-Si (비정질 실리콘) 및 p-Si (폴리 실리콘) 등과 같은 무기 재료를 포함한다.
이 구성의 TFT 를 사용하는 유기 EL 표시 디바이스는, 주로 고 정밀 포토리소그래피 프로세스에 추가하여 고온의 프로세싱 및 CVD (화학적 기상 증착) 또는 스퍼터링과 같은 진공 장비를 요구하는 박막 형성 프로세스를 이용하여 제조된다. 그러므로, 장비 비용 및 구동 비용의 부담이 매우 높다.
그러므로, 유기 화합물로 이루어진 반도체층을 사용하는 유기 박막 트랜지스터 (이하, 유기 TFT 로 지칭됨) 의 연구 및 개발이 수행되었다 (특허 문헌 1 참조). 유기 TFT 제조 시, 일반적으로 유기 반도체층을 형성하는 방법으로는, 반도체층의 유기 화합물이 저 분자량의 물질이면 진공 기상 증착 방법을 사용하고, 고 분자량의 물질이 사용되면 인쇄 방법을 이용한다. 그러나, 트랜지스터의 반도체층에 유기 물질을 사용하는 것의 이점은, (1) 반도체층 제조시, 진공 상태의 생성을 필요로 하지 않으며 (2) 저온의 프로세싱 온도에서 반도체층이 제조될 수 있어서, 수지 기판이 사용될 수 있다는 것이고, 이들 이점을 이용할 수 있도록 유기 TFT 를 제조하기 위해 인쇄 방법이 시도되고 있다. 이들 제조 방법 중 하나는 잉크젯 방법이다.
잉크젯 방법은, 전기 신호를 조절하면서 미세한 노즐로부터 코팅 대상을 향해 유기 반도체층을 형성하는 유기 재료를 포함하는 매우 미세한 물방울을 분사하여, 원하는 형상으로 박막을 형성한다. 코팅 대상은, 원하는 형상 및 유기 TFT 반도체층의 형상에 대응하는 개구를 갖는 미리 형성된 방수 뱅크를 갖으며, 이 개 구를 향해 분사되는 물방울들은 뱅크에 의해 반발되어 개구 내에 배열된다.
특허 문헌: 일본 공개특허공보 제 2002-343578 호
발명의 개시
발명에 의해 해결되는 문제
또한, 잉크젯 방법을 이용하여 유기 EL 소자의 유기 기능층이 형성될 수 있기 때문에, 유기 기능층을 포함하는 영역을 분리하는 뱅크를 형성하고 그 다음에 유기 EL 소자를 형성함으로써 전술한 바와 같은 구성의 유기 TFT 를 포함하는 유기 전계발광 표시 패널 (이하, 유기 EL 표시 패널로 지칭됨) 을 제조하기 위한 시도가 이루어진다. 또한, 동일한 프로세스를 이용하여 유기 TFT 의 유기 반도체층의 범위를 분리하는 뱅크 및 유기 EL 소자의 유기 기능층의 범위를 분리하는 뱅크 모두를 제조하는 연구가 시도된다. 이 뱅크들이 동일한 프로세스에서 형성되는 경우, 뱅크들이 형성된 이후에는 유기 TFT 의 유기 반도체층이 형성되고, 그 다음에 유기 EL 소자의 유기 기능층이 형성되고, 그 다음에 기상 증착법을 이용하여 제 2 표시 전극이 형성되고, 유기 EL 표시 패널이 형성된다. 그러나, 이 프로세스에 의해 획득된 유기 EL 표시 패널과 유기 EL 소자의 제 2 표시 전극은 유기 TFT 의 유기 반도체층과 접촉할 수 있게 되어, 결과적으로 소스/드레인 전극으로부터 제 2 표시 전극으로 전류가 누설되고 흐를 가능성이 있다.
본 발명의 목적은 전술된 문제인 다양한 문제를 해결하기 위한 수단을 제공하는 것이다.
문제 해결 수단
청구항 제 1 항에 설명된 유기 EL 표시 패널은, 기판; 기판으로부터 순서대로 제 1 표시 전극, 유기 기능층, 및 제 2 표시 전극을 포함하는 유기 EL 소자; 및 기판으로부터 순서대로 게이트 전극, 게이트 절연막, 소스/드레인 전극, 및 유기 반도체층을 포함하고 유기 EL 소자를 구동 및 제어하는 유기 TFT 를 포함하고, 유기 EL 표시 패널은, 유기 기능층이 제 1 표시 전극 상에 제공되는 발광 영역을 분리하는 제 1 창부 및 유기 반도체층이 소스/드레인 전극 사이에 제공되는 트랜지스터 영역을 분리하는 제 2 창부를 갖는 제 1 뱅크; 및 제 2 창부의 주변에 배치되고 기판의 주면과 교차하는 방향으로 돌출하는 제 2 뱅크를 더 포함한다.
제 5 항에 설명된 유기 EL 표시 패널의 제조방법은, 기판; 기판으로부터 순서대로 제 1 표시 전극, 유기 기능층, 및 제 2 표시 전극을 포함하는 유기 EL 소자; 및 기판으로부터 순서대로 게이트 전극, 게이트 절연막, 소스/드레인 전극, 및 유기 반도체층을 포함하고 유기 EL 소자를 구동 및 제어하는 유기 TFT 를 구비하는 유기 EL 표시 패널의 제조방법으로서, 기판 상에 게이트 전극 및 제 1 표시 전극을 형성하는 단계; 게이트 전극 상에 게이트 절연막을 형성하는 단계; 게이트 절연막 상에 서로 분리되고 서로 반대되도록 소스/드레인 전극을 형성하는 단계; 유기 기능층이 제 1 표시 전극 상에 제공되는 발광 영역을 분리하는 제 1 창부, 및 유기 반도체층이 소스/드레인 전극 사이에 제공되는 트랜지스터 영역을 분리하는 제 2 창부를 갖는 제 1 뱅크를 형성하는 단계; 제 2 창부의 주변에 배치되고 기판의 주면과 교차하는 방향으로 돌출하는 제 2 뱅크를 형성하는 단계; 제 2 창부에 유기 반도체층을 형성하는 단계; 제 1 창부에 유기 기능층을 형성하는 단계; 및 기상 증 착법을 이용하여 유기 기능층 상에 제 2 표시 전극을 형성하는 단계를 포함한다.
도면의 간단한 설명
도 1 은 본 발명에 따른 유기 EL 표시 패널의 부분 확대 평면도이다.
도 2 는 본 발명에 따른 유기 EL 표시 패널의 서브-픽셀의 확대 평면도이다.
도 3 은 도 2 의 A-A 선을 따라 자른 단면도이다.
도 4 는 능동 메트릭스 구동의 유기 EL 표시 패널의 서브-픽셀의 구성을 나타내는 회로도이다.
도 5 는 본 발명에 따른 유기 EL 표시 패널의 서브-픽셀의 기능을 나타내는 타이밍 차트이다.
도 6 은 본 발명에 따른 유기 EL 표시 패널의 서브-픽셀의 제조 프로세스를 설명하는 평면도이다.
도 7 은 본 발명에 따른 유기 EL 표시 패널의 서브-픽셀의 제조 프로세스를 설명하는 평면도이다.
도 8 은 본 발명의 유기 EL 표시 패널의 서브-픽셀의 제조 프로세스를 설명하는 평면도이다.
도 9 는 본 발명의 유기 EL 표시 패널의 서브-픽셀의 제조 프로세스를 설명하는 평면도이다.
도 10 은 본 발명의 유기 EL 표시 패널의 서브-픽셀의 제조 프로세스를 설명하는 평면도이다.
도 11 은 본 발명의 유기 EL 표시 패널의 서브-픽셀의 제조 프로세스를 설명 하는 평면도이다.
도 12 는 본 발명의 유기 EL 표시 패널의 서브-픽셀의 제조 프로세스를 설명하는 평면도이다.
도 13 은 본 발명의 유기 EL 표시 패널의 서브-픽셀의 제조 프로세스를 설명하는 평면도이다.
도 14 는 본 발명의 유기 EL 표시 패널의 서브-픽셀의 제조 프로세스를 설명하는 평면도이다.
도 15 는 본 발명의 유기 EL 표시 패널의 서브-픽셀의 제조 프로세스를 설명하는 평면도이다.
도 16 은 본 발명의 유기 EL 표시 패널의 서브-픽셀의 변형예를 나타내는 단면도이다.
도면 부호의 설명
1: 유기 EL 표시 패널
2: 기판
3: 픽셀부
3R, 3G, 3B: 서브-픽셀
4: 유기 EL 소자
6: 발광 영역
7: 제 1 창부
10: 캐패시터
11: 제 1 유기 TFT
12: 제 2 유기 TFT
13: 제 3 유기 TFT
14: 제 4 유기 TFT
15: 유기 TFT 구성
16: 트랜지스터 영역
17: 제 2 창부
18: 제 2 뱅크
19: 게이트 전극
20: 게이트 절연막
21: 소스 전극
22: 드레인 전극
23: 제 1 뱅크
24: 측벽면
25: 유기 반도체층
27: 제 1 표시 전극
28: 유기 기능층
35: 오버행부
36: 층간 절연막
발명을 실시하기
위한 형태
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 유기 EL 표시 패널의 실시형태를 상세히 설명한다.
도 1 에 도시된 바와 같이, 복수의 유기 TFT 를 갖는 능동-메트릭스 구동의 유기 EL 표시 패널 (1) 은 기판 (2) 및 기판 (2) 의 주면 상에 메트릭스로 배열된 복수의 픽셀부 (3) 를 포함한다. 픽셀부 (3) 는, 각각 3 개의 주요 컬러 적색 (R), 녹색 (G), 및 청색 (B) 중 하나로 발광하는 3 개의 서브-픽셀들 (3R, 3G, 3B) 을 포함하며, 서브-픽셀들 (3R, 3G, 3B) 은 픽셀부 (3) 내에 나란히 배치된다.
서브 픽셀들 (3R, 3G, 3B) 은 각각의 유기 EL 소자들 (도 1 에 미도시)을 포함한다. 도 2 에 도시된 바와 같이, 적색 (R) 광을 발하는 유기 EL 소자 (4) 를 포함하는 서브-픽셀 (3R) 에 기초하여 서브-픽셀의 실시예를 설명한다. 또한, 설명의 간략화를 위해서 서브 픽셀 (3R) 을 구성하는 컴포넌트 성분을 연결하는 와이어링은 도 2 에서 생략한다.
유기 EL 소자 (4) 는, 애노드 및 캐소드로서 활동하는 제 1 표시 전극 (도 2 에는 미도시) 및 제 2 표시 전극 (5) 뿐만 아니라, 제 1 표시 전극과 제 2 표시 전극 사이에 배치된 유기 기능층 (도 2 에는 미도시) 을 가지며, 기판 (2) 에서부터 시작하여 제 1 표시 전극, 유기 기능층, 및 제 2 표시 전극 (5) 의 순서로 배열된다. 유기 기능층은 전자홀 및 전자를 재결합시킴으로써 광을 발할 수 있는 발광층 (도면에는 미도시) 을 포함한다. 또한, 유기 기능층은, 발광층을 향한 전자홀의 주입성 및 전자의 이송성을 증가시키기 위해서 선택적으로 전자홀 주입층, 전자홀 이송층, 전자 이송층, 및/또는 전자 주입층을 가질 수 있다.
전술한 구조를 갖는 유기 EL 소자 (4) 에 있어서, 유기 기능층을 포함하는 제 1 표시 전극 위의 영역은 발광 영역 (6) 이고, 이 발광 영역 (6) 은 제 1 뱅크 (도 2 에는 미도시) 의 제 1 창부 (7) 에 의해 구획된다. 여기서, 발광 영역 (6) 은, 제 1 표시 전극과 제 2 표시 전극 사이에 배치된 유기 기능층의 발광층에 의해 광이 발산하는 영역을 가리키며, 이 발광 영역 (6) 으로부터 광이 방전된다. 제 1 뱅크는, 불소 기반 감광성 수지로 이루어진 방수성의 절연 재료로 이루어진다. 제 1 창부 (7) 의 형상은 발광 영역 (6) 의 형상에 대응한다. 제 1 뱅크 위에는 제 2 표시 전극 (5) 에 접속되는 도전성 재료로 이루어진 전극 접속층 (8) 이 배치된다.
유기 EL 소자 (4) 를 구동하는 구동부 (9) 는 유기 EL 소자 (4) 에 근접하여 제공되고, 구동부 (9) 는 캐패시터 (10) 를 포함한다. 캐패시터 (10) 는 제 1 캐패시터 전극과 제 2 캐패시터 전극 (도 2 에는 미도시), 및 제 1 캐패시터 전극과 제 2 캐패시터 전극 사이에 배치된 캐패시터 절연막 (도 2 에는 미도시) 을 포함한다. 또한, 제 1 뱅크는 제 2 캐패시터 전극 위에 배치된다.
또한, 서브-픽셀 (3R) 에는 유기 TFT 들 (11 내지 14) 이 유기 EL 소자 (4) 및 캐패시터 (10) 에 근접하여 제공된다. 도 2 에서, 서브-픽셀은 4 개의 유기 TFT (11 내지 14) 를 갖고, 복수의 유기 TFT (11 내지 14) 는 유기 TFT 구조 (15) 를 구성한다. 또한, 캐패시터 (10) 와 함께 4 개의 유기 TFT (11 내지 14) 는 유기 EL 소자 (4) 의 구동부 (9) 를 형성한다. 4 개의 유기 TFT (11 내지 14) 는, 트랜지스터를 스위칭하거나 트랜지스터를 구동하는 기능을 하며, 이하에서 상 세히 설명한다.
유기 TFT 들 (11 내지 14) 각각은, 기판 (2) 상의 게이트 전극 (도 2 에는 미도시), 게이트 전극 상에 형성된 게이트 절연막 (도 2 에는 미도시), 게이트 절연막 상에 제공되며 서로 분리되어 대향되는 소스/드레인 전극, 및 게이트 절연막을 통해 게이트 전극을 향하는 소스/드레인 전극 사이에 제공된 유기 반도체층 (도 2 에는 미도시) 을 포함한다. 유기 반도체층은 트랜지스터 영역 (16) 을 포함하고, 이 트랜지스터 영역 (16) 의 소스 전극과 드레인 전극 사이에는 채널이 형성된다. 트랜지스터 영역 (16) 은 제 1 뱅크의 제 2 창부 (17) 에 의해 구획된다. 제 2 창부 (17) 는 유기 TFT 들 각각에 형성되고, 제 2 창부 (17) 의 형상은 유기 TFT 들 각각의 채널 형상에 대응한다. 기판의 주면과 교차하는 방향으로 돌출하는 제 2 뱅크 (18) 는 제 2 창부 (17) 의 주변에 형성된다.
도 3 에 도시된 바와 같이, 기판 (2) 상에는 게이트 전극 (19) 이 형성된다. 기판 (2) 은 유리로 이루어지며, 게이트 전극 (19) 은 탄탈 (Ta) 로 이루어진 도전성 박막이다. 기판 (2) 은 유리 기판에 한정되지 않으며, 또한 수지 기판 또는 유리와 플라스틱 합성 기판도 적용 가능하다. 또한, 본 발명의 상세한 설명에서는 기판이 유기 EL 소자와 유기 TFT 를 지지하는 부재 (member) 로 지칭되고, 알칼리 배리어막 및/또는 가스 배리어막 등이 유리 및/또는 수지와 같은 재료의 표면에 형성되는 구조를 포함한다. 게이트 전극 (19) 은 충전 제어선 및 주사선 (scanning line; 도 3 에는 미도시) 에 접속된다. 게이트 전극 (19) 상에는 게이트 절연막 (20) 이 형성된다. 게이트 절연막 (20) 은 탄탈 옥사이드 (Ta2O5) 로 이루어지며, 게이트 전극 (19) 의 탄탈의 양극 산화 (anodic oxidation) 에 의해 형성될 수 있다.
게이트 절연막 (20) 상에는 소스 전극 (21) 및 드레인 전극 (22) 이 형성되고, 소스 전극 (21) 및 드레인 전극 (22) 은 게이트 절연막 (20) 상에서 분리되어 서로 대향된다. 소스 전극 (21) 및 드레인 전극 (22) 은, 접착층으로서 크롬 (Cr) 과 함께 금 (Au) 으로 이루어진 얇은 금속막 (Cr/Au) 이다. 소스 전극 (21) 및 드레인 전극 (22) 은 데이터선 및 전원선 (도 3 에는 미도시) 에 접속된다.
게이트 절연막 (20) 상에서 서로 분리되어 대향되는 소스 전극 (21) 및 드레인 전극 (22) 으로 구성된 전극쌍 위의 영역과 이들 사이의 영역은 트랜지스터 영역 (16) 이고, 트랜지스터 영역 (16) 은 제 1 뱅크 (23) 의 제 2 창부 (17) 에 의해 구획된다.
제 2 창부 (17) 의 주변에는 기판 (2) 의 주면과 교차하는 방향으로 돌출하는 제 2 뱅크 (18) 가 배치된다. 도 3 에 도시된 바와 같이, 기본적으로 제 2 뱅크 (18) 는 기판 (2) 의 주면의 수직한 면에 평행한 측벽면 (24) 을 갖고, 그 단면 형상은 기본적으로 직사각형이다. 제 2 뱅크 (18) 는 절연성 불소 기반 감광성 수지로 이루어진다.
소스 전극 (21) 및 드레인 전극 (22) 위의 영역의 트랜지스터 영역 (16) 에는 유기 반도체층 (25) 이 제공되는데, 트랜지스터 영역 (16) 은 제 2 창부 (17) 에 의해 구획된다. 또한, 게이트 절연막 (20) 상의 소스 전극 (21) 과 드레인 전극 (22) 사이의 간격에는 유기 반도체층 (25) 이 배치된다. 이 간격 영역에서, 유기 반도체층 (25) 은 게이트 절연막 (20) 과 접촉하고 게이트 절연막 (20) 을 통해 게이트 전극 (19) 을 향한다. 이 간격 영역에서, 유기 반도체층 (25) 은 유기 TFT (11 내지 14) 의 채널로서 활동할 수도 있다. 유기 반도체층 (25) 은 반도체 특성을 갖는 유기 재료로 이루어지는데, 예를 들어, 폴리-3-헥실티오펜 (P3HT) 으로 이루어질 수도 있다. 유기 반도체층 (25) 은 반도체 특성을 갖는 복수의 재료를 포함할 수도 있거나 멀티층 구조일 수도 있다. 또한, 유기 반도체층 (25) 상에는 층간 절연막 (36) 이 제공된다.
도전성 재료로 이루어진 전극 증착막 (26) 은 제 2 뱅크 (18) 및 층간 절연막 (36) 의 상부 영역 상에 제공된다. 후술될 유기 EL 소자 (4) 의 제 2 표시 전극 (5) 을 형성 시, 기상 증착막 (26) 이 형성되고, 이 막을 형성하는 범위는 제 2 창부 (17) 및 제 2 뱅크 (18) 에 의해 구획된다.
유기 TFT 그룹에 근접하여 배치된 유기 EL 소자 (4) 는, 기판 (2) 으로부터 순서대로 제 1 표시 전극 (27), 유기 기능층 (28), 및 제 2 표시 전극 (5) 을 포함한다. 제 1 표시 전극 (27) 은, 유기 EL 소자에 근접하여 배치되는 유기 TFT (13) 의 드레인 전극 (22) 에 접속된다. 유기 기능층 (28) 은 제 1 표시 전극 (27) 의 발광 영역 (6) 에 제공되고, 발광 영역 (6) 은 제 1 뱅크 (23) 의 제 1 창부 (7) 에 의해 구획된다.
제 2 표시 전극 (5) 은, 제 1 창부 (7) 에 제공되는 유기 기능층 (28) 에 접 속된다. 또한, 제 2 표시 전극 (5) 은 제 1 뱅크 (23) 를 지나 확장되는 전극 접속층 (8) 에 접속된다. 제 2 표시 전극 (5) 및 전극 접속층 (8) 은 알루미늄 (Al) 과 같은 금속 재료로 이루어지고, 기상 증착법에 의해 형성될 수 있다. 제 1 창부 (7) 의 크기는 기판의 주면으로부터 멀리 이동하는 방향으로 확장되고, 제 1 창부의 프레임은 경사면을 포함한다. 이 프레임의 경사면은, 기본적으로 기판 (2) 에 대하여 30°인 단면각을 갖는다. 제 2 표시 전극 (5) 및 전극 접속층 (8) 이 기상 증착법에 의해 형성되는 경우, 제 1 창부의 프레임 내에 경사면을 구비함으로써 제 2 표시 전극 (5) 과 전극 접속층 (8) 사이에 균열 (seam) 이 생기지 않고 제 1 창부의 프레임이 전체적으로 형성될 수 있다.
도면에는 도시하지 않았으나, 전술한 구조를 갖는 유기 EL 표시 디바이스의 픽셀부는 실링막 또는 접시 형상의 실링캡으로 실링되며, 이에 따라 유기 EL 소자는 대기의 산소 또는 습기와 접촉하지 않는다.
전술한 구조를 갖는 서브-픽셀의 구조는 도 4 에 도시된 회로도를 이용하여 도시될 수 있다. 서브-픽셀에는 유기 EL 소자 (4), 제 1 내지 제 4 유기 TFT (11 내지 14), 및 캐패시터 (10) 가 제공된다. 캐패시터 (10) 는 데이터선 (A1) 을 통해 제공된 데이터 신호에 대응하는 전기 전하를 유지하고, 유기 EL 소자 (4) 의 발광 (light emission) 등급을 조정한다. 다시 말하면, 캐패시터 (10) 는 데이터선 (A1) 을 통해 흐르는 전류에 대응하는 전압을 유지한다. 유기 EL 소자 (4) 는 포토 다이오드와 유사한 전류 구동의 발광 소자이므로, 다이오드 기호를 이용하여 도시된다.
제 1 유기 TFT (11) 의 소스 (S) 는 제 2 및 제 4 유기 TFT (12, 14) 모두의 드레인 (D) 뿐만 아니라 제 3 유기 TFT (13) 의 소스 (S) 에 접속된다. 제 1 유기 TFT (11) 의 드레인 (D) 은 제 4 유기 TFT (14) 의 게이트 (G) 에 접속된다. 캐패시터 (10) 는 제 4 유기 TFT (14) 의 소스 (S) 와 게이트 (G) 사이에 접속된다. 또한, 제 4 유기 TFT (14) 의 소스 (S) 는 전원선 (29) 에 접속되고, 구동 전압 (VDD) 이 전원선 (29) 에 인가된다. 유기 EL 소자 (4) 에 있어서, 애노드인 제 1 표시 전극 (27; 도 3 참조) 은 제 3 유기 TFT (13) 의 드레인 (D) 에 접속되고, 제 2 표시 전극 (5) 은 캐소드에 접속된다.
제 2 유기 TFT (12) 와 제 1 유기 TFT (11) 의 게이트 (G) 는 캐패시터 (10) 의 대전을 제어하는 충전 제어선 (B1) 에 접속되고, 충전 신호는 데이터 기록을 위한 입력이다. 또한, 제 3 유기 TFT (13) 의 게이트 (G) 는 주사선 (C1) 에 접속되고, 주사 신호는 발광 주기 설정을 위한 입력이다.
제 1 유기 TFT (11) 및 제 2 유기 TFT (12) 는 캐패시터 (10) 내에 전하 축적 시 사용되는 스위칭 트랜지스터이다. 제 3 유기 TFT (13) 는 유기 EL 소자 (4) 의 발광 주기 동안 온 (ON) 상태에서 유지되는 스위칭 트랜지스터이다. 또한, 제 4 유기 TFT (14) 는 유기 EL 소자 (4) 로 흐르는 전류를 제어하는 구동 트랜지스터이다. 제 4 유기 TFT (14) 의 전류는 캐패시터에 의해 유지된 전하에 의해 제어된다.
도 5 는 서브-픽셀의 동작을 나타내는 타이밍 차트이고, 충전 제어선 (B1) 을 통한 충전 신호 입력, 주사선 (C1) 을 통한 주사 신호 입력, 데이터선 (A1) 을 통한 데이터 신호 (데이터 전류 I) 입력, 및 유기 EL 소자로 흐르는 전류 IEL 을 나타낸다.
또한, Tc 는 단일 프레임의 시간이고, 모든 주사선을 통해 순환하는 시간 주기이고 선택을 완성한다. Tpr 은 프로그램 타이밍이고, 서브-픽셀 내의 유기 EL 소자의 발광 등급을 설정하는 타이밍이며, 충전 제어선 (B1) 을 통해 입력되는 데이터를 기록하는데 사용된 충전 신호에 의해 결정된다. Tel 은 발광 타이밍이고, 유기 EL 소자가 광을 발하는 시간이며, 주사선 (C1) 을 통해 입력되는 발광 주기를 설정하는 주사 신호에 의해 결정된다.
프로그램 타이밍 Tpr 동안, 동일한 시간에 H 레벨 충전 신호는 충전 제어선 구동 회로 (도면에는 미도시) 로부터 충전 제어선 (B1) 으로 출력되고, 발광 등급에 기초된 데이터 신호는 데이터선 구동 회로 (도면에는 미도시) 로부터 데이터선 (A1) 으로 출력된다. 그러므로, 제 1 및 제 2 유기 TFT (11, 12) 는 온 상태에 있는다. 동시에, 데이터 라인 구동 회로 (도면에는 미도시) 는 발광 등급에 기초된 데이터 전류값 (I) 을 제공하는 가변 상수 전류 소스로서 기능한다. 또한, 캐패시터 (10) 는 데이터 전류값 (I) 에 대응하는 전하를 유지하고, 프로그램 타이밍 Tpr 이 종료된다. 결과적으로, 캐패시터 (10) 에 의해 리코딩된 전압은 제 4 유기 TFT (14) 의 소스/게이트 사이에 인가된다.
프로그램 타이밍 Tpr 의 완성 시, 충전 신호는 L 레벨에 있고 제 1 유기 TFT (11) 및 제 2 유기 TFT (12) 는 오프 (OFF) 상태에 있다. 또한, 데이터 구동 회로 (도면에는 미도시) 는 픽셀 회로에 대한 데이터 신호 (전류값 I) 를 공급하는 것을 중단한다.
계속해서, 발광 타이밍 Tel 동안, 충전 신호가 L 레벨에서 유지되며 제 1 및 제 2 유기 TFT (11, 12) 는 오프 상태에서 유지되는 반면에 H 레벨의 주사 신호는 주사선 구동 회로 (도면에는 미도시) 로부터 주사선 (C1) 으로 출력되고 제 3 유기 TFT (13) 는 온 상태로 설정된다.
이미, 캐패시터 (10) 는 데이터 신호 (데이터 전류값 I) 에 대응하는 전하를 유지한다. 또한, 데이터 전류값 I 와 기본적으로 동일한 전류는 제 4 유기 TFT (14) 로 흐르도록 이루어지고, 그 다음에 전류는 제 3 유기 TFT (13) 를 통해 유기 EL 소자 (4) 로 흐른다. 결과적으로, 유기 EL 소자 (4) 는 발광 주기 Tel 동안 데이터 신호 (데이터 전류값 I) 에 기초된 등급에서 광을 발한다.
다음으로, 상기에 나타난 바와 같은 유기 TFT 구조를 갖는 유기 EL 표시 디바이스를 제조하는 방법이 도시된다. 서브-픽셀의 크기가 180 ㎛ × 60 ㎛ 인 경우, 유기 EL 소자의 어퍼처 (aperture) 비율은 30 % 이고, 유기 TFT 의 개수는 4 개로 설명되나, 이 크기에 한정되지는 않는다.
우선, 비-알칼리 유리로 이루어진 유기 기판 위에 얇은 탄탈 (Ta) 막이 형성되고, 그 다음에 RIE (reactive ion etching) 를 이용하여 도 6 에 도시된 바와 같이 Ta 박막에는 패턴이 형성된다. 얇은 Ta 막 패턴은 게이트 전극 (19), 충전 제어선 (B1), 주사선 (C1), 및 제 1 캐패시터 전극 (30) 을 포함한다. 또한, Ta 박막 패턴은 게이트 전극 (19) 과의 전기적 접속을 위한 브리지부 (31) 도 포함한다. (도 6 에 도트 라인으로 도시된) 트랜지스터 영역 (16) 상에는 게이트 전극 (19) 이 제공된다. 도 7 내지 도 10 에 유사하게 도시된다.
얇은 Ta 막 패턴 상에는 양극 산화가 수행되어 얇은 Ta 막의 표면 상에 탄탈 옥사이드 (Ta2O5) 가 형성된다. 도 7 에 도시된 바와 같이, Ta2O5 막은 게이트 전극 (19) 상의 게이트 절연막 (20) 이고, 제 1 캐패시터 전극 (30) 상의 캐패시터 전압막 (32) 이 된다. 얇은 Ta 막에는 브리지부 (31) 가 포함되므로, 얇은 Ta 막의 양극 산화는 하나의 단계로 수행될 수 있다. 이 경우, 얇은 Ta 막 두께는 100 nm 이고, Ta2O5 막 두께는 150 nm 이다.
다음으로, 도 8 에 도시된 바와 같이, 기판 상에는 인듐 징크 옥사이드 (IZO) 막이 형성되고, 그 다음에 리프트-오프법을 이용하여 박막에는 IZO 패턴이 형성되어 유기 EL 소자의 제 1 표시 전극 (27) 을 만든다. 제 1 표시 전극 (27) 의 크기는 30 ㎛ × 110 ㎛ 이고, 막 두께는 110 nm 이다.
RIE 를 이용하여 Ta 박막 브리지부 (31) 가 제거되고, 이 브리지부 (31) 에 의해 접속되는 게이트 전극이 전기적으로 단절된다. 또한, 도 9 에 도시된 바와 같이, 제 1 캐패시터 전극 (30) 과 게이트 전극 (19) 사이의 Ta2O5 박막에는 스루홀 (through hole; 33) 이 형성된다.
다음으로, 접착층으로서 크롬 (Cr) 을 사용하여 마그네트론 스퍼터링에 의해 금 (Au) 이 형성되고, 리프트-오프법을 이용하여 도 10 에 도시된 바와 같은 패턴, 또는 다시 말해 게이트 절연막 상에서 서로 분리되어 대향되는 전극쌍을 형성하는 Cr/Au 금속막이 형성된다. 이 Cr/Au 금속막은 게이트 절연막 (20) 상에 소스 전극 (21) 과 드레인 전극 (22) 을 형성하고, 캐패시터 절연막 (32) 뿐만 아니라 데이터선 (A1) 과 전원선 (32) 상에 제 2 캐패시터 전극 (34) 을 형성한다. 제 1 표시 전극 (27) 에 근접하여 제공된 제 3 유기 TFT (13) 의 드레인 전극 (22) 은 제 1 표시 전극 (27) 에 접속된다. Cr 막의 막 두께는 5 nm 이고, Au 막의 막 두께는 100 nm 이다.
또한, 최종 형성된 유기 TFT 채널의 길이가 2 ㎛ 이도록 소스 전극 (21) 및 드레인 전극 (22) 이 형성된다. 또한, 제 4 유기 TFT 의 채널 폭은 제 2 유기 TFT 에 대하여 40 ㎛ 이고, 나머지 2 개에 대한 채널 폭은 150 ㎛ 이다.
도 11 에 도시된 바와 같이, 제 1 뱅크 (23) 는 제 1 표시 전극 (27) 상의 발광 영역 (6) 를 구획하는 제 1 창부 (7) 및 소스/드레인 전극 (21, 22) 사이의 트랜지스터 영역 (16) 을 구획하는 제 2 창부 (17) 를 포함하여 형성된다. 스핀 코트법을 이용하여 노광되지 않은 불소 기반 감광성 수지를 코팅함으로써 제 1 뱅크 (23) 가 형성되고, 그 다음에 포토마스크를 사용하여 노광 및 현상한다. 제 1 뱅크 (23) 에는 발광 영역이 30 ㎛ × 110 ㎛ 인 크기가 되도록 제 1 창부 (7) 가 형성되고, 트랜지스터 영역이 10 ㎛ × 50 ㎛, 또는 10 ㎛ × 160 ㎛ 중 하나의 크기가 될 수 있도록 제 2 창부 (17) 가 형성된다. 또한, 제 1 뱅크 (23) 의 높이는 3 ㎛ 이다.
도 12 에 도시된 바와 같이, 제 1 뱅크 (23) 를 형성한 이후에는 제 2 창부 (17) 의 주변 둘레에 기판 (2) 의 주면과 교차하는 방향으로 돌출하도록 제 2 뱅크 (18) 가 형성된다. 불소 기반 감광성 수지를 이용하여 제 2 뱅크 (18) 가 형성되고, 포토마스크를 사용하여 패턴이 형성된다.
도 13 에 도시된 바와 같이, 제 2 뱅크 (18) 가 형성된 이후에는 잉크젯 방법을 이용하여 제 1 뱅크 (23) 의 제 2 창부 (17) 에 의해 둘러싸인 트랜지스터 영역 (16) 에 유기 반도체층 (25) 이 형성된다. 구체적으로, 잉크 방전 노즐로부터 제 2 창부 (17) 의 내부를 향해 물방울이 분사되어 유기 반도체층 (25) 을 형성한다. 유기 반도체층 (25) 은 반도체 특성을 갖는 유기 재료인 P3HT 로 이루어진다. 잉크젯 방법을 이용하여, 잉크젯 노즐 (도면에는 미도시) 로부터 분사되는 물방울은 제 1 뱅크 (23) 에 의해 반발되고 제 2 창부 (17) 에 위치되며, 이들 물방울에 의해 제 2 창부 (17) 에 의해 둘러싸인 트랜지스터 영역 (16) 에는 유기 반도체층 (25) 이 형성된다. 유기 반도체층 (25) 은 유기 TFT 를 위한 채널을 형성한다. 다음으로, 잉크젯 방법을 이용하여 층간 절연막 (36) 이 형성된다. 잉크젯 노즐로부터 분사되는 물방울은 제 2 뱅크 (18) 를 형성함으로써 트랜지스터 영역 (16) 으로부터 누설 및 확산이 방지된다.
도 14 에 도시된 바와 같이, 유기 반도체층 (25) 및 층간 절연막 (36) 이 형성된 이후, 제 1 표시 전극 (27) 상의 발광 영역 (6) 에는 잉크젯 방법을 이용하여 유기 기능층 (28) 이 형성된다. 계속해서, 도 15 에 도시된 바와 같이, 유기 기능층 (28) 상에는 금속과 같은 도전성 재료로 이루어진 제 2 표시 전극 (5) 이 기상 증착법을 이용하여 형성된다. 기상 증착법은 기판의 주면에 기본적으로 수직한 방향으로 이동하는 기상 증착 재료의 흐름으로 수행된다. 또한, 기상 증착 프로세스는 제 1 뱅크 (23) 상에 도전성 재료막을 형성하고, 이 박막을 제 2 표시 전극 (5) 에 접속하는 전극 접속층 (8) 을 형성한다. 기상 증착 프로세스에서, 제 2 뱅크 (18) 으로 둘러싸인 영역 상에는, 또는 다시 말해 층간 절연막 (36) 상에는 금속 재료로 이루어진 기상 증착막 (26) 이 형성되며, 이 기상 증착막 (26) 은 제 2 뱅크 (18) 에 의해 전극 접속층 (8) 으로부터 고립된다. 다시 말하면, 도 3 에 도시된 바와 같이, 제 2 뱅크 (18) 가 돌출되기 때문에 뱅크의 상부와 기상 증착 재료 사이의 간격, 및 제 2 뱅크 (18) 의 상부와 전극 접속층 (8) 사이의 간격은 기판 (2) 의 주면에 수직한 방향으로 분리되고, 결과적으로 기상 증착막 (26) 은 전극 접속층 (8) 으로부터 고립된다. 다시 말하면, 이방성 막 형성 방법인 기상 증착법을 사용하여, 기판 (2), 전극 접속층 (8) 으로부터 돌출하는 제 2 뱅크 (18) 및 기상 증착막 (26) 은 제 2 뱅크 (8) 의 측벽에서 포지티브하게 고립될 수 있다. 전술한 기상 증착 프로세스로 도 13 에 도시된 바와 같은 유기 EL 소자가 형성된다. 마지막으로, 접시-형상의 실링캡을 사용하여 실링을 수행하여 유기 EL 표시 디바이스를 완성한다.
전술한 바와 같은 유기 TFT 구조 (14) 를 갖는 유기 EL 표시 디바이스에 있어서, 유기 EL 소자로부터 발광은 유기 TFT (11 내지 14) 가 구동되는 경우 확정된다.
전술한 구조를 갖는 유기 EL 표시 패널에 있어서, 제 2 뱅크 (18) 는 돌출되고 제 2 창부 (17) 를 둘러싸도록 형성되므로, 유기 EL 소자 (4) 의 제 2 표시 전 극 (5) 및 유기 TFT (11 내지 14) 의 유기 반도체층 (25) 이 포지티브하게 고립될 수 있고, 따라서 그들 사이의 흐름으로부터 전류 누설이 방지될 수 있다. 또한, 유기 반도체층 (25) 은 제 2 뱅크 (18) 를 형성함으로써 트랜지스터 영역 (16) 으로부터의 확산이 방지될 수 있다. 일반적으로, 유기 TFT 의 유기 반도체층에 사용된 유기 반도체 재료는 무기 반도체 재료의 전하 이동도 (mobility) 보다 작은 전하 이동도를 갖고, 이에 따라 서로 대향되는 소스 전극과 드레인 전극 사이의 거리가 커서 소스 전극과 드레인 전극 사이의 일정한 채널을 형성한다. 또한, 소스/드레인 전극과 유기 반도체층 사이의 접촉 영역을 증가시킴으로써, 채널은 더욱 포지티브하게 형성될 수 있다. 그러므로, 유기 반도체층의 두께가 증가되어 소스/드레인 전극과의 접촉 영역을 증가시킨다. 결과적으로, 유기 TFT 를 둘러싸는 뱅크의 높이가 낮으면, 유기 반도체층을 형성하는 재료는 뱅크로 둘러싸인 영역으로부터 누설될 수도 있으나, 유기 반도체층은 제 2 뱅크를 형성함으로써 트랜지스터 영역으로부터의 확산을 방지할 수 있다.
또한, 제 1 뱅크 (23) 는 제 1 및 제 2 창부 (7, 17) 를 갖기 때문에, 유기 EL 소자의 뱅크 및 유기 TFT 의 뱅크는 동일한 프로세스와 동일한 재료를 이용하여 생산될 수 있으므로, 제조 프로세스가 간단해질 수 있다.
전술한 실시형태에서, 게이트 전극으로서 Ta 이 사용되고, 소스 전극 및 드레인 전극으로서 Cr/Au 가 사용되었으나, 충분한 도전성이 있는 한 이들 재료에 특별히 한정되지는 않는다. 구체적으로, Pt, Au, W, Ru, Ir, Al, Sc, Ti, V, Mn, Fe, Co, Ni, Zn, Ga, Y, Zr, Nb, Mo, Tc, Rh, Pd, Ag, Cd, Ln, Sn, Ta, Re, Os, Tl, Pb, La, Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu 등의 간단한 금속, 또는 라미네이트 또는 그들의 혼합물이 사용될 수도 있다. 또한, ITO 또는 IZO 와 같은 금속 옥사이드, 폴리아닐린, 폴리티오펜, 또는 폴리피롤과 같은 결합된 폴리머 화합물을 포함하는 유기 도전성 금속이 사용될 수도 있다.
또한, 전술한 실시형태에서는 게이트 전극 및 게이트 절연막으로서 Ta 를 산화 시킴으로써 생성된 Ta2O5 가 사용되나, 임의의 양극 처리한 금속이 게이트 전극으로서 좋으며, Al, Mg, Ti, Nb, Zr 및 다른 단일 금속들 또는 그들의 화합물이 게이트 절연막으로 양극처리될 수도 있다.
또한, 양극 산화 (anodization) 를 사용하지 않고 무기 또는 유기 절연 물질이 게이트 절연막으로 사용될 수도 있다. 예를 들어, LiOx, LiNx, NaOx, KOx, RbOx, CsOx, BeOx, MgOx, MgNx, CaOx, CaNx, SrOx, BaOx, ScOx, YOx, YNx, LaOx, LaNx, CeOx, PrOx, NdOx, SmOx, EuOx, GdOx, TbOx, DyOx, HoOx, ErOx, TmOx, YbOx, LuOx, TiOx, TiNx, ZrOx, ZrNx, HfOx, HfNx, ThOx, VOx, VNx, NbOx, TaOx, TaNx, CrOx, CrNx, MoOx, MoNx, WOx, WNx, MnOx, ReOx, FeOx, FeNx, RuOx, OsOx, CoOx, RhOx, IrOx, NiOx, PdOx, PtOx, CuOx, CuNx, AgOx, AuOx, ZnOx, CdOx, HgOx, BPx, BNx, AlOx, AlNx, GaOx, GaNx, InOx, TiOx, TiNx, SiNx, GeOx, SnOx, PbOx, POx, PNx, AsOx, SbOx, SeOx, 및 TeOx 와 같은 금속 옥사이드; LiAlO2, Li2SiO3, Li2TiO3, Na2Al22O34, NaFeO2, Na4SiO4, K2SiO3, K2TiO3, K2WO4, Rb2CrO4, Cs2CrO4, MgAl2O4, MgFe2O4, MgTiO3, CaTiO3, CaWO4, CaZrO3, SrFe12O19, SrTiO3, SrZrO3, BaAl2O4, BaFe12O19, BaTiO3, Y3Al5O12, Y3Fe5O12, LaFeO3, La3Fe5O12, La2Ti2O7, CeSnO4, CeTiO4, Sm3Fe5O12, EuFeO3, Eu3Fe5O12, GdFeO3, Gd3Fe5O12, DyFeO3, Dy3Fe5O12, HoFeO3, Ho3Fe5O12, ErFeO3, Er3Fe5O12, Tm3Fe5O12, LuFeO3, Lu3Fe5O12, NiTiO3, Al2TiO3, FeTiO3, BaZrO3, LiZrO3, MgZrO3, HfTiO4, NH4VO3, AgVO3, LiVO3, BaNb2O6, NaNbO3, SrNb2O6, KTaO3, NaTaO3, SrTa2O6, CuCr2O4, Ag2CrO4, BaCrO4, K2MoO4, Na2MoO4, NiMoO4, BaWO4, Na2WO4, SrWO4, MnCr2O4, MnFe2O4, MnTiO3, MnWO4, CoFe2O4, ZnFe2O4, FeWO4, CoMoO4, CuTiO3, CuWO4, Ag2MoO4, Ag2WO4, ZnAl2O4, ZnMoO4, ZnWO4, CdSnO3, CdTiO3, CdMoO4, CdWO4, NaAlO2, MgAl2O4, SrAl2O4, Gd3Ga5O12, InFeO3, MgIn2O4, Al2TiO5, FeTiO3, MgTiO3, Na2SiO3, CaSiO3, ZrSiO4, K2GeO3, Li2GeO3, Na2GeO3, Bi2Sn3O9, MgSnO3, SrSnO3, PbSiO3, PbMoO4, PbTiO3, SnO2-Sb2O3, CuSeO4, Na2SeO3, ZnSeO3, K2TeO3, K2TeO4, Na2TeO3, 및 Na2TeO4 와 같은 금속 화합물; FeS, Al2S3, MgS 및 ZnS 와 같은 황화물; LiF, MgF2, 및 SmF3 와 같은 플루오르화물; HgCl, FeCl2, 및 CrCl3 와 같은 염화물; AgBr, CuBr, 및 MnBr2 와 같은 브롬화물; PbI2, CuI, 및 FeI2 와 같은 요오드화물; 및 SiALON 과 같은 금속 옥사이드 질화물이 효과적이다. 또한, 폴리이미드, 폴리아미드, 폴리에스테르, 폴리아크릴레이 트, 에폭시 수지, 페놀 수지, 및 폴리비닐 알콜과 같은 폴리머 재료가 효과적이다. 또한, 게이트 절연막 표면은 OTS (octadecyltrichlorosilane), HMDS (hexamethyldisilazane) 등으로 소수성 (hydrophobically) 처리될 수도 있다.
또한, 전술한 실시형태에서, 뱅크 재료로서 불소 기반 감광성 수지가 사용되었으나 유기 또는 무기에 상관없이 높은 절연 특성을 갖는 임의의 재료가 사용될 수도 있다. 또한, 감광성 수지를 사용하는 포토리소그래피 기술이 이용된 전술한 실시형태는 예를 들어, RIE 를 이용한 건조 프로세스가 이용될 수도 있다. 또한, 뱅크 재료로는 방수성 재료가 바람직하지만 뱅크를 형성한 이후에 방수성을 제공하도록 뱅크 표면을 처리하는 것도 적합하다.
또한, 제 1 뱅크의 재료 및 제 2 뱅크의 재료는 동일한 재료일 수도 있다. 동일한 재료를 사용함으로써, 유기 EL 표시 패널을 만드는데 사용된 재료의 개수가 감소되며 제조 비용이 감소될 수 있다.
또한, 전술한 실시형태에서는 유기 TFT 의 유기 반도체 재료로서 P3HT 가 사용되었으나 이에 한정되는 것은 아니고, 반도체 특성을 나타내는 유기 재료가 좋다. 예를 들어, 전술한 저 분자량 화합물의 구조인 폴리머 재료는 폴리에틸렌 체인, 폴리실록산 체인, 폴리에테르 체인, 폴리에스테르 체인, 폴리아미드 체인 또는 폴리이미드 체인과 같은 폴리머의 주 체인에 사용되고, 또는 사이드 체인으로서 형성된 펜던트 (pendant) 에 결합되고; 또는 폴리파라페닐렌과 같은 방향족화합물 결합 폴리머의 성분 요소가 있는 구조를 갖는 합성 결합 폴리머와 같은 탄소계 결합 폴리머, 폴리아세틸렌과 같은 지방성화합물 결합 폴리머, 폴리피롤 또는 폴리티 오펜과 같은 이종고리식 (heterocyclic) 결합 폴리머, 폴리아닐린 또는 폴리페닐렌 황화물과 같은 결합 폴리머, 또는 폴리(페닐렌비닐렌), 폴리(아닐린비닐렌), 또는 폴리(티올린비닐렌) 과 같은 결합 폴리머를 함유하는 헤테로원자가 대안적으로 결합될 수도 있다. 또한, 탄소계 결합 구조 및 폴리실란, disilanylene 아릴렌 폴리머, (disilanylene)에틸렌 폴리머, 또는 (disilanylene)에틸렌 폴리머와 같은 disilanylene 탄소계 결합 폴리머 구조가 대안적으로 체인되는 폴리머가 사용될 수도 있다. 또한, 인 (phosphorous) 또는 질소와 같은 무리 요소를 포함하는 폴리머 체인이 좋다; 방향족계 리간드의 폴리머 체인이 있는 폴리머가 프탈로시아닌 (phthalocyanine) 폴리실록산과 같이 통합되고, 페릴렌테트라카르복시산과 같이 열처리로 페릴렌이 제거된 폴리머, 폴리아크릴로나이트라이드와 같은 시나오계를 갖는 폴리에틸렌 유도체를 열처리함으로써 획득된 래더 (ladder) 폴리머, 또는 페로브스카이트에 끼워진 유기 화합물이 있는 합성 재료가 사용될 수도 있다. 또한, 프탈로시아닌 유도체; 나프탈로시아닌 유도체; 아조 화합물 유도체; 페릴렌 유도체; 인디고 (indigo) 유도체; 퀴나크리돈 (quinacridone) 유도체; 안트라퀴논 (anthraquinone) 유도체 또는 다른 폴리시클릭 퀴논 유도체; 시아닌 유도체; 플러린 유도체; 인돌, 카바졸, 옥사졸, 이소옥사졸, 티아졸, 이미다졸, 피라졸, 옥사디아졸, 피라졸린, 티아티아졸, 또는 트리졸과 같은 질소-함유 폴리시클릭 화합물 유도체; 히드라진 유도체; 트리페닐아민 유도체; 트리페닐메탄 유도체; 스틸벤; 안트라퀴논 디페노퀴논 또는 다른 퀴논 화합물 유도체; 안트라센, 빌렌, 페난트렌, 또는 코로넨과 같은 폴리시클릭 방향족 화합물 유도체 등이 좋고; 작용기 (functional group) 를 갖추는 경우와 같이 용매에 녹는 재료가 좋다.
전술한 실시형태에서는 제 1 표시 전극 및 기판을 통해 외부로 광을 방출하는 배면 발광 유형의 소자로서 유기 EL 소자가 설명되었으나 이에 한정되는 것은 아니며, 또한 제 2 표시 전극을 통해 외부로 광을 방출하는 전면 발광 유형의 소자도 좋다.
대안적으로, 도 16 에 도시된 구성을 갖는 유기 EL 표시 패널을 설명한다. 도 16 은 유기 EL 표시 패널의 서브 픽셀 (3R) 의 단면도이다. 유기 TFT (11 내지14) 에 유기 반도체층 (25) 이 위치되는 트랜지스터 영역 (16) 은 제 1 뱅크 (23) 의 제 2 창부 (17) 에 의해 구획되고, 제 2 창부 (17) 의 주변 상에 기판 (2) 의 주면과 교차하는 방향으로 제 2 뱅크 (18) 가 돌출한다. 기판의 주면에 평행한 방향으로 돌출하는 오버행부 (35) 는 제 2 뱅크 (18) 의 상부 상에 제공된다. 그러므로, 제 2 뱅크의 단면 형상은 상부에서의 폭보다 하부에서의 폭이 더 좁으며 하부에서 상부로 그 폭이 점점 증가하는 역 테이퍼 형상을 갖는다. 나머지 구성은 기본적으로 전술한 실시형태와 동일하다. 제 2 뱅크의 상부 상에 오버행부 (35) 를 형성함으로써, 제 2 뱅크 (18) 의 상부의 에지와 제 1 뱅크 및/또는 소스/드레인 전극 사이에 갭이 형성된다. 도전성 재료의 전극 증착막은 이 갭에 의해 수직한 방향으로 분리될 수 있다. 다시 말하면, 제 2 뱅크의 상부에서의 기상 증착막 (26) 및 층간 절연막 (36) 과 전극 접속층 (8) 위의 기상 증착막 (26) 은 명확히 분리될 수 있다. 다시 말하면, 제 2 뱅크가 이 갭을 갖기 때문에, 유기 EL 소자 (4) 의 제 2 표시 전극 (5) 은 유기 TFT (11 내지 14) 의 유기 반도체층 (25) 으로부터 포지티브하게 분리되고, 이에 따라 상호 고립될 수 있다.
본 발명의 유기 EL 표시 패널은, 기판, 이 기판으로부터 순서대로 제 1 표시 전극, 유기 기능층, 및 제 2 표시 전극을 포함하는 유기 EL 소자, 및 유기 EL 소자를 구동 및 제어하며 기판으로부터 순서대로 게이트 전극, 게이트 절연막, 소스/드레인 전극, 및 유기 반도체층을 포함하는 유기 TFT 를 포함하고, 유기 EL 표시 패널은, 제 1 표시 전극 상의 유기 기능층을 포함하는 발광 영역을 구획하는 제 1 창부 및 소스/드레인 전극 사이의 유기 반도체층을 포함하는 트랜지스터 영역을 구획하는 제 2 창부; 및 기판의 주면과 교차하는 방향으로 제 2 창부의 주면에 배치된 제 2 뱅크를 더 포함하고, 유기 EL 소자의 제 2 표시 전극 및 유기 TFT 의 유기 반도체층은 제 2 뱅크에 의해 포지티브하게 구획될 수 있고, 유기 TFT 에서 전류 누설 현상이 방지될 수 있다.
본 발명의 유기 EL 표시 패널 제조방법은 유기 EL 표시 패널을 제조하는 방법으로서, 기판, 기판으로부터 순서대로 제 1 표시 전극, 유기 기능층, 및 제 2 표시 전극을 포함하는 유기 EL 소자, 및 유기 EL 소자를 구동 및 제어하고 기판으로부터 순서대로 게이트 전극, 게이트 절연막, 소스/드레인 전극, 및 유기 반도체층을 포함하는 유기 EL 표시 패널을 제조하는 방법은, 기판 상에 게이트 전극 및 제 1 표시 전극을 형성하는 단계; 게이트 전극 상에 게이트 절연막을 형성하는 단계; 게이트 절연막 상에서 서로 분리되어 대향되는 소스/드레인 전극을 형성하는 단계, 제 1 표시 전극 상에 유기 기능층을 포함하는 발광 영역을 구획하는 제 1 창부, 및 소스/드레인 전극 사이에 유기 반도체층을 포함하는 트랜지스터 영역을 구획하는 제 2 창부를 갖는 제 1 뱅크를 형성하는 단계; 제 2 창부의 주변에 배치되고 기판의 주면과 교차하는 방향으로 돌출한 제 2 뱅크를 형성하는 단계; 제 2 창부에 유기 반도체층을 형성하는 단계; 제 1 창부에 유기 기능층을 형성하는 단계; 및 기상 증착법을 이용하여 유기 기능층 상에 제 2 표시 전극을 형성하는 단계를 포함하고, 이에 따라 유기 EL 소자의 제 2 표시 전극 및 유기 TFT 의 유기 반도체층은 제 2 뱅크에 의해 포지티브하게 구획될 수 있고, 유기 TFT 에서의 전류 누설 현상이 방지될 수 있으며, 유기 반도체층을 구성하는 재료가 트랜지스터 영역으로부터 확산되는 것이 방지될 수 있다.
Claims (9)
- 유기 전계발광 표시 패널로서,기판;상기 기판으로부터 순서대로 제 1 표시 전극, 유기 기능층, 및 제 2 표시 전극을 포함하는 유기 전계발광 소자; 및상기 기판으로부터 순서대로 게이트 전극, 게이트 절연막, 소스/드레인 전극, 및 유기 반도체층을 포함하고 상기 유기 전계발광 소자를 구동 및 제어하는 유기 박막 트랜지스터를 포함하고,상기 유기 기능층이 상기 제 1 표시 전극 상에 제공되는 발광 영역을 구획하는 제 1 창부 (window section), 및 상기 유기 반도체층이 상기 소스 전극과 상기 드레인 전극 사이에 제공되는 트랜지스터 영역을 구획하는 제 2 창부를 갖는 제 1 뱅크; 및상기 제 2 창부의 주변에 배치되고 상기 기판의 주면 (main surface) 과 교차하는 방향으로 돌출하는 제 2 뱅크를 더 포함하는, 유기 전계발광 표시 패널.
- 제 1 항에 있어서,상기 제 2 뱅크는 상기 기판의 주면의 수직한 면에 실질적으로 평행한 측벽면을 갖는, 유기 전계발광 표시 패널.
- 제 1 항에 있어서,상기 제 2 뱅크의 상부 상에서 상기 기판의 주면에 평행한 방향으로 돌출하는 오버행부를 갖는, 유기 전계발광 표시 패널.
- 제 1 항에 있어서,상기 제 1 뱅크 및 상기 제 2 뱅크는 동일한 재료를 포함하는, 유기 전계발광 표시 패널.
- 기판; 상기 기판으로부터 순서대로 제 1 표시 전극, 유기 기능층, 및 제 2 표시 전극을 포함하는 유기 전계발광 소자; 및상기 기판으로부터 순서대로 게이트 전극, 게이트 절연막, 소스/드레인 전극, 및 유기 반도체층을 포함하고 상기 유기 전계발광 소자를 구동 및 제어하는 유기 박막 트랜지스터를 갖는 유기 전계발광 표시 패널의 제조방법으로서,상기 기판 상에 상기 게이트 전극 및 상기 제 1 표시 전극을 형성하는 단계;상기 게이트 전극 상에 상기 게이트 절연막을 형성하는 단계;상기 게이트 절연막 상에 서로 분리되어 대향하도록 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극을 형성하는 단계;상기 유기 기능층이 상기 제 1 표시 전극 상에 제공되는 발광 영역을 구획하는 제 1 창부, 및 상기 유기 반도체층이 상기 소스 전극과 상기 드레인 전극 사이에 제공되는 트랜지스터 영역을 구획하는 제 2 창부를 갖는 제 1 뱅크를 형성하는 단계;상기 제 2 창부의 주변에 배치되고 상기 기판의 주면과 교차하는 방향으로 돌출하는 제 2 뱅크를 형성하는 단계;상기 제 2 창부에 상기 유기 반도체층을 형성하는 단계;상기 제 1 창부에 상기 유기 기능층을 형성하는 단계; 및상기 유기 기능층 상에 진공 증착 방법을 이용하여 상기 제 2 표시 전극을 형성하는 단계를 포함하는, 유기 전계발광 표시 패널의 제조방법.
- 제 5 항에 있어서,상기 제 2 뱅크를 형성하는 단계는 상기 기판의 주면의 수직한 면에 실질적으로 평행한 측벽면을 형성하는 단계인, 유기 전계발광 표시 패널의 제조방법.
- 제 5 항에 있어서,상기 제 2 뱅크를 형성하는 단계는 상기 제 2 뱅크의 상부 상에 상기 기판의 주면에 평행한 방향으로 돌출하는 오버행부를 형성하는 단계인, 유기 전계발광 표시 패널의 제조방법.
- 제 5 항에 있어서,상기 유기 반도체층을 형성하는 단계는 잉크젯 방법 (inkjet method) 을 이용하여 상기 트랜지스터 영역에 상기 유기 반도체층을 형성하는 단계인, 유기 전계 발광 표시 패널의 제조방법.
- 제 5 항에 있어서,상기 유기 기능층을 형성하는 단계는 잉크젯 방법을 이용하여 상기 발광 영역에 상기 유기 기능층을 형성하는 단계인, 유기 전계발광 표시 패널의 제조방법.
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| JP5052370B2 (ja) * | 2008-02-25 | 2012-10-17 | パナソニック株式会社 | 薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法及び閾値補正方法 |
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Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006133573A (ja) | 2004-11-08 | 2006-05-25 | Kyodo Printing Co Ltd | フレキシブルディスプレイ及びその製造方法 |
| KR100626082B1 (ko) | 2005-07-06 | 2006-09-20 | 삼성에스디아이 주식회사 | 평판표시장치 |
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| KR100708695B1 (ko) | 2005-07-06 | 2007-04-18 | 삼성에스디아이 주식회사 | 평판표시장치 및 그의 제조방법 |
Family Cites Families (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002015866A (ja) | 2000-06-30 | 2002-01-18 | Seiko Epson Corp | 有機ｅｌ表示体の製造方法 |
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| JP4841751B2 (ja) | 2001-06-01 | 2011-12-21 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 有機半導体装置及びその作製方法 |
| GB0207134D0 (en) * | 2002-03-27 | 2002-05-08 | Cambridge Display Tech Ltd | Method of preparation of organic optoelectronic and electronic devices and devices thereby obtained |
| JP2004103334A (ja) | 2002-09-06 | 2004-04-02 | Seiko Epson Corp | 有機ｅｌ装置および電子機器 |
| JP4434563B2 (ja) * | 2002-09-12 | 2010-03-17 | パイオニア株式会社 | 有機ｅｌ表示装置の製造方法 |
| JP2004172090A (ja) * | 2002-10-31 | 2004-06-17 | Seiko Epson Corp | エレクトロルミネッセンス装置の製造方法及びエレクトロルミネッセンス装置、並びに電子機器 |
| JP4197259B2 (ja) | 2003-02-10 | 2008-12-17 | 株式会社 日立ディスプレイズ | 有機ｅｌ表示装置の製造方法及び蒸着マスク |
| JP3915810B2 (ja) * | 2004-02-26 | 2007-05-16 | セイコーエプソン株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス装置、その製造方法、及び電子機器 |
| KR100704258B1 (ko) * | 2004-06-02 | 2007-04-06 | 세이코 엡슨 가부시키가이샤 | 유기 ｅｌ 장치 및 전자 기기 |
| JP2007019014A (ja) * | 2005-07-06 | 2007-01-25 | Samsung Sdi Co Ltd | 平板表示装置及びその製造方法 |
-
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Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006133573A (ja) | 2004-11-08 | 2006-05-25 | Kyodo Printing Co Ltd | フレキシブルディスプレイ及びその製造方法 |
| KR100626082B1 (ko) | 2005-07-06 | 2006-09-20 | 삼성에스디아이 주식회사 | 평판표시장치 |
| KR100670349B1 (ko) | 2005-07-06 | 2007-01-16 | 삼성에스디아이 주식회사 | 평판표시장치 및 그의 제조방법 |
| KR100708695B1 (ko) | 2005-07-06 | 2007-04-18 | 삼성에스디아이 주식회사 | 평판표시장치 및 그의 제조방법 |
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