JPWO2007111352A1 - 有機エレクトロルミネセンス表示パネル及びその製造方法 - Google Patents

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Abstract

リーク電流の発生を防止した構造の有機ＴＦＴを含むアクティブマトリクス駆動方式の有機ＥＬ表示パネルその製造方法を提供する。有機ＥＬ表示パネルは、基板と、該基板から第１の表示電極、有機機能層及び第２の表示電極の順に形成されている有機ＥＬ素子と、該基板からゲート電極、ゲート絶縁膜、ソース／ドレイン電極及び有機半導体層の順に形成されていて該有機ＥＬ素子を駆動制御する有機ＴＦＴと、を含む。該有機ＥＬ表示パネルは、該第１の表示電極上において該有機機能層が載置される発光領域を画定する第１の窓部と該ソース／ドレイン電極間において該有機半導体層が載置されるトランジスタ領域を画定する第２の窓部とを有する第１のバンクと、該第２の窓部の外周に配置されかつ該基板の主面に交差する方向に突出する第２のバンクと、を含む。

Description

本発明は、アクティブマトリクス駆動方式の有機エレクトロルミネセンス表示パネルおよびその製造方法に関する。
有機エレクトロルミネセンス表示装置（以下、有機ＥＬ表示装置と称する）では、画面輝度の均一性や画面書き換え速度などを確保することができるようになることから、アクティブマトリクス駆動方式のディスプレイが望まれている。かかるディスプレイは、画素毎に有機エレクトロルミネセンス素子（以下、有機ＥＬ素子と称する）による発光部と薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴと称する）により構成された駆動部とが設けられている。
ここで有機ＥＬ素子は、基板上から第１の表示電極、発光層を含む有機機能層、第２の表示電極からなっている。
またＴＦＴは、通常、ガラス基板上に成膜された金属薄膜からなるゲート電極と、該ゲート電極を覆うゲート絶縁膜と、該ゲート絶縁膜上で離間して対向する１対のソース／ドレイン電極と、該ソース／ドレイン電極間のチャネルとなる半導体層と、を順に形成して構成されている。半導体層は、ａ−Ｓｉ（アモルファスシリコン）、ｐ−Ｓｉ（ポリシリコン）等の無機材料からなっている。
かかる構成のＴＦＴを用いる有機ＥＬ表示装置の製造には通常、ＣＶＤ（化学蒸着）、スパッタリングなどの真空系設備や高温処理工程を要する薄膜形成工程に加えて、精度の高いフォトリソグラフ工程が必要とされる。従って、設備コスト、ランニングコストの負荷が非常に大きくなっている。
そこで、有機化合物からなる半導体層を用いた有機薄膜トランジスタ（以下、有機ＴＦＴと称する）の研究開発が行われている（特許文献１参照）。有機ＴＦＴの作製にあたり、有機半導体層の成膜方法としては、該半導体層の有機化合物が低分子系材料であれば真空蒸着法を、高分子系材料であれば印刷法を用いることが一般的である。しかし、トランジスタの半導体層に有機材料を用いる利点、すなわち（１）半導体層を作製する際に真空状態を形成しなくても良いということ、（２）半導体層の作製を低温プロセスで行うことができる故、樹脂基板が使用できること、などを最大限に活用するため、印刷法を用いた有機ＴＦＴの製造が試みられている。かかる製造方法のひとつとして、インクジェット法がある。
ここで、インクジェット法は、細いノズルから有機半導体層を構成する有機材料を含む微小液滴を、電気信号により制御しながら被成膜体に向けて噴出させて、所望の形状の薄膜を形成する方法である。なお、被成膜体には、所望の形状、すなわち有機ＴＦＴの半導体層の形状に対応する開口を有する撥水性のバンクが予め設けられており、当該開口に向けて噴出された該液滴は、該バンクによってはじかれて、当該開口内に配置される。
特開２００２−３４３５７８公報
有機ＥＬ素子の有機機能層もインクジェット法を用いて形成することができることから、有機機能層が載置される領域を画定するバンクを形成して有機ＥＬ素子を形成し、上記の如き構成の有機ＴＦＴを含む有機エレクトロルミネセンス表示パネル（以下、有機ＥＬ表示パネルと称する）を作製することが試みられている。当該研究においては、有機ＴＦＴの有機半導体層の範囲を画定するバンクと有機ＥＬ素子の有機機能層の範囲を画定するバンクとを同一工程で作製することも試みられている。
ここで、バンクを同一工程で形成した場合、バンクを形成した後に、有機ＴＦＴに対しては有機半導体層を形成し、有機ＥＬ素子に対しては有機機能層を形成した後に第２の表示電極を蒸着法で形成して、有機ＥＬ表示パネルを形成している。ところが、当該工程によって得られた有機ＥＬ表示パネルは、有機ＥＬ素子の第２の表示電極が有機ＴＦＴの有機半導体層と接する場合があり、その結果、ソース／ドレイン電極から第２の表示電極へ漏れ電流が流れるおそれがあることがわかった。
本発明は、上記した問題が１例として挙げられる諸問題を解決する手段を提供することを目的とする。
請求項１記載の有機ＥＬ表示パネルは、基板と、該基板から第１の表示電極、有機機能層及び第２の表示電極の順に形成されている有機ＥＬ素子と、該基板からゲート電極、ゲート絶縁膜、ソース／ドレイン電極及び有機半導体層の順に形成されていて該有機ＥＬ素子を駆動制御する有機ＴＦＴと、を含む有機ＥＬ表示パネルであって、該第１の表示電極上において該有機機能層が載置される発光領域を画定する第１の窓部と該ソース／ドレイン電極間において該有機半導体層が載置されるトランジスタ領域を画定する第２の窓部とを有する第１のバンクと、該第２の窓部の外周に配置されかつ該基板の主面に交差する方向に突出する第２のバンクと、を含むことを特徴とする。
請求項５記載の有機ＥＬ表示パネルの製造方法は、基板と、該基板から第１の表示電極、有機機能層及び第２の表示電極の順に形成されている有機ＥＬ素子と、該基板からゲート電極、ゲート絶縁膜、ソース／ドレイン電極及び有機半導体層の順に形成されていて該有機ＥＬ素子を駆動制御する有機ＴＦＴと、を含む有機ＥＬ表示パネルの製造方法であって、該基板上に該ゲート電極及び該第１の表示電極を形成する工程と、該ゲート電極の上に該ゲート絶縁膜を形成する工程と、該ゲート絶縁膜の上に互いに離間して対向する該ソース／ドレイン電極を形成する工程と、第１の表示電極上において該有機機能層が載置されるべき発光領域を画定する第１の窓部と該ソース／ドレイン電極間において該有機半導体層が載置されるべきトランジスタ領域を画定する第２の窓部とを有する第１のバンクを形成する工程と、該第２の窓部の外周に配置されかつ該基板の主面に交差する方向に突出する第２のバンクを形成する工程と、該第２の窓部内に該有機半導体層を形成する工程と、該第１の窓部内に該有機機能層を形成する工程と、該有機機能層上に蒸着法を用いて第２の表示電極を形成する工程と、を含むことを特徴とする。
本発明による有機ＥＬ表示パネルの部分拡大平面図である。 本発明による有機ＥＬ表示パネルのサブピクセルを示す拡大平面図である。 図２のＡ‐Ａ線断面図である。 本発明によるアクティブマトリクス駆動方式の有機ＥＬ表示パネルのサブピクセルの構成を示す回路図である。 本発明による有機ＥＬ表示パネルのサブピクセルの動作を示すタイミングチャートである。 本発明による有機ＥＬ表示パネルのサブピクセルの製造工程を説明するための平面図である。 本発明による有機ＥＬ表示パネルのサブピクセルの製造工程を説明するための平面図である。 本発明による有機ＥＬ表示パネルのサブピクセルの製造工程を説明するための平面図である。 本発明による有機ＥＬ表示パネルのサブピクセルの製造工程を説明するための平面図である。 本発明による有機ＥＬ表示パネルのサブピクセルの製造工程を説明するための平面図である。 本発明による有機ＥＬ表示パネルのサブピクセルの製造工程を説明するための平面図である。 本発明による有機ＥＬ表示パネルのサブピクセルの製造工程を説明するための平面図である。 本発明による有機ＥＬ表示パネルのサブピクセルの製造工程を説明するための平面図である。 本発明による有機ＥＬ表示パネルのサブピクセルの製造工程を説明するための平面図である。 本発明による有機ＥＬ表示パネルのサブピクセルの製造工程を説明するための平面図である。 本発明による有機ＥＬ表示パネルのサブピクセルの変形例を示す断面図である。
符号の説明
１ 有機ＥＬ表示パネル
２ 基板
３ ピクセル部
３Ｒ，３Ｇ，３Ｂ サブピクセル
４ 有機ＥＬ素子
６ 発光領域
７ 第１の窓部
１０ キャパシタ
１１ 第１の有機ＴＦＴ
１２ 第２の有機ＴＦＴ
１３ 第３の有機ＴＦＴ
１４ 第４の有機ＴＦＴ
１５ 有機ＴＦＴ構造
１６ トランジスタ領域
１７ 第２の窓部
１８ 第２のバンク
１９ ゲート電極
２０ ゲート絶縁膜
２１ ソース電極
２２ ドレイン電極
２３ 第１のバンク
２４ 側壁面
２５ 有機半導体層
２７ 第１の表示電極
２８ 有機機能層
３５ オーバーハング部
３６ 層間絶縁膜
発明を実施するための形態
以下、本発明による有機ＥＬ表示パネルの一例について添付図面を参照しつつ詳細に説明する。
図１に示す如く、複数の有機ＴＦＴを備えたアクティブマトリクス駆動方式の有機ＥＬ表示パネル１は、基板２と、基板２の主面上にマトリックス配置された複数のピクセル部３を含んでいる。ピクセル部３は、各々赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）および青色（Ｂ）の３原色を各々発する３つのサブピクセル（３Ｒ，３Ｇ，３Ｂ）からなっており、ピクセル部３においてサブピクセル（３Ｒ，３Ｇ，３Ｂ）は並置されている。
サブピクセル（３Ｒ，３Ｇ，３Ｂ）はそれぞれ有機ＥＬ素子（図１において図示せず）を含んでいる。なお、サブピクセルの一例として、図２に示す如く、赤色（Ｒ）の光を発する有機ＥＬ素子４を含むサブピクセル３Ｒを用いて説明する。また、説明を簡単にするために、図２において、サブピクセル３Ｒを構成する構成素子に接続する配線は図示することを省略する。
有機ＥＬ素子４は、陽極および陰極となる第１の表示電極（図２中、図示せず）及び第２の表示電極５と、該第１及び第２の表示電極の間に挟持されている有機機能層（図２中、図示せず）と、を有しており、基板２から、該第１の表示電極、該有機機能層、第２の表示電極５の順に配置されて構成されている。該有機機能層は、正孔と電子との再結合によって発光し得る発光層（図示せず）を含んでいる。また、該有機機能層には、該発光層への正孔及び電子の注入性及び輸送性を高めるための、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層及び／又は電子注入層が任意に設けられている。
上記の如き構成の有機ＥＬ素子４は、該有機機能層が載置されている第１の表示電極上の領域を発光領域６としており、発光領域６は第１のバンク（図２中、図示せず）の第１の窓部７によって画定されている。ここで、発光領域６とは、第１及び第２の表示電極に挟持された該有機機能層の該発光層が発光し得る領域をいい、かかる発光領域６から光が取り出される。該第１のバンクは、撥水性の絶縁材料からなっており、フッ素系感光樹脂からなる。第１の窓部７の形状は発光領域６の形状に対応している。なお、該第１のバンクの上には第２の表示電極５に接続されていて導電性材料からなる電極接続層８が載置されている。
有機ＥＬ素子４の近傍には有機ＥＬ素子４を駆動せしめる駆動部９が設けられており、駆動部９はキャパシタ１０を含んでいる。キャパシタ１０は、第１のキャパシタ電極及び第２のキャパシタ電極（いずれも図２中、図示せず）と、該第１及び第２のキャパシタ電極の間に挟持されているキャパシタ絶縁膜（図２中、図示せず）と、からなっている。該第２のキャパシタ電極の上にも第１のバンクが配置されている。
また、サブピクセル３Ｒにおいて、有機ＥＬ素子４及びキャパシタ１０の近傍には、有機ＴＦＴ（１１〜１４）が設けられている。図２中、サブピクセルには４つの有機ＴＦＴ（１１〜１４）が形成されており、かかる複数の有機ＴＦＴ（１１〜１４）は有機ＴＦＴ構造１５を形成している。また、４つの有機ＴＦＴ（１１〜１４）は、キャパシタ１０と共に、有機ＥＬ素子４の駆動部９を構成している。なお、４つの有機ＴＦＴ（１１〜１４）は、それぞれスイッチングトランジスタ若しくはドライビングトランジスタとして作用し、詳細は後述する。
各有機ＴＦＴ（１１〜１４）は、基板２上に設けられたゲート電極（図２中、図示せず）、該ゲート電極上に設けられたゲート絶縁膜（図２中、図示せず）、該ゲート絶縁膜上に設けられていて互いに離間して対向しているソース／ドレイン電極（図２中、図示せず）と、該ソース／ドレイン電極間に配置されていて該ゲート絶縁膜を介して該ゲート電極と対向している有機半導体層（図２中、図示せず）と、を含んでいる。ここで、該有機半導体層は、トランジスタ領域１６に形成されており、トランジスタ領域１６の該ソース／ドレイン電極間においてチャネルを形成する。トランジスタ領域１６は該第１のバンクの第２の窓部１７によって画定されている。第２の窓部１７は有機ＴＦＴ毎に設けられており、第２の窓部１７の形状は、各有機ＴＦＴのチャネルの形状に対応している。第２の窓部１７の外周には、基板の主面に交差する方向に突出する第２のバンク１８が設けられている。
図３に示す如く、基板２上にはゲート電極１９が配置されている。基板２はガラスからなり、ゲート電極１９はタンタル（Ｔａ）からなる導電性薄膜によって構成されている。なお、基板２は、ガラス基板に限定されず、樹脂基板、ガラスとプラスティックの貼り合せ基板でもよい。また、本明細書において、基板とは有機ＥＬ素子及び有機ＴＦＴを担持する部材をいい、ガラス及び／又は樹脂等の基材の表面にアルカリバリア膜及び／またはガスバリア膜等の構造物が形成されているものも含むものとする。ゲート電極１９は、充電制御線および走査線（いずれも図３中、図示せず）に接続されている。ゲート電極１９上には、ゲート絶縁膜２０が設けられている。ゲート絶縁膜２０は、酸化タンタル（Ｔａ2Ｏ5）からなり、ゲート電極１９のＴａを陽極酸化することによって形成することができる。
ゲート絶縁膜２０上にはソース電極２１及びドレイン電極２２が設けられており、ソース電極２１およびドレイン電極２２は、ゲート絶縁膜２０上において離間して互いに対向している。ソース電極２１およびドレイン電極２２は、クロム（Ｃｒ）を接着層とした金（Ａｕ）からなる金属薄膜（Ｃｒ／Ａｕ）からなる。なお、ソース電極２１およびドレイン電極２２は、データ線及び電源線（いずれも図３中、図示せず）に接続されている。
ゲート絶縁膜２０上で互いに離間して対向しているソース電極２１とドレイン電極２２の電極対の上及びその隙間はトランジスタ領域１６となっており、トランジスタ領域１６は、第１のバンク２３の第２の窓部１７によって画定されている。
第２の窓部１７の外周には、基板２の主面に交差する方向に突出する第２のバンク１８が配置されている。図３に示す如き第２のバンク１８は、基板２の主面の垂直面に対して略平行である側壁面２４を有しており、断面形状は略矩形となっている。第２のバンク１８は、絶縁性のフッ素系感光樹脂からなる。
ソース電極２１およびドレイン電極２２の上のうち、第２の窓部１７によって画定されたトランジスタ領域１６において、有機半導体層２５が設けられている。有機半導体層２５は、ゲート絶縁膜２０上においてソース電極２１及びドレイン電極２２間の隙間にも配置されている。かかる隙間領域において、有機半導体層２５は、ゲート絶縁膜２０と接しかつゲート電極１９とはゲート絶縁膜２０を介して対向している。当該隙間領域における有機半導体層２５は、有機ＴＦＴ（１１〜１４）のチャネルとなり得る。ここで、有機半導体層２５は、半導体特性を示す有機材料からなり、例えばポリ（３‐ヘキシルチオフェン）（Ｐ３ＨＴ）からなる。なお、有機半導体層２５は、複数の半導体特性材料からなることとしても良く、また積層体からなることとしても良い。また、有機半導体層２５の上には、層間絶縁膜３６が設けられている。
なお、層間絶縁膜３６及び第２のバンク１８の頂部の上には、導電材料からなる蒸着膜２６が配置されている。かかる蒸着膜２６は、後述する有機ＥＬ素子４の第２の表示電極５を形成する際に形成され、成膜範囲は第２の窓部１７及び第２のバンク１８によって画定されている。
当該有機ＴＦＴ群の近傍に配置された有機ＥＬ素子４は、基板２から第１の表示電極２７、有機機能層２８、第２の表示電極５の順に配置されて構成されている。第１の表示電極２７は、有機ＥＬ素子の近傍に配置されている有機ＴＦＴ１３のドレイン電極２２に接続されている。有機機能層２８は第１の表示電極２７の発光領域６に配置されており、発光領域６は第１のバンク２３の第１の窓部７によって画定されている。
第２の表示電極５は、第１の窓部７内に配置されて有機機能層２８と接している。また、第２の表示電極５は第１のバンク２３上に延在している電極接続層８と接続している。かかる第２の表示電極５と電極接続層８は、アルミニウム（Ａｌ）等の金属材料からなり、蒸着法によって形成することができる。なお、第１の窓部７の大きさは基板の主面から離れる方向において拡大しており、第１の窓部の枠は傾斜面を含んでいる。当該枠の該傾斜面は、基板２に対して略３０°の断面角度となっている。第２の表示電極５と電極接続層８とを蒸着法を用いて形成した場合、第１の窓部の枠が傾斜面を有することによって、第２の表示電極５と電極接続層８とが断線することなく、一体的に形成することができる。
なお、図示していないものの、上記の如き構成の有機ＥＬ表示装置のピクセル部は、皿状の封止キャップもしくは封止膜によって封止されており、有機ＥＬ素子が大気中の水分及び酸素と接しないようになっている。
上記の如き構成のサブピクセルは、図４に示す如き回路図によってその構成を示すことができる。サブピクセル内には、有機ＥＬ素子４、第１乃至第４の有機ＴＦＴ（１１〜１４）、及びキャパシタ１０が設けられている。キャパシタ１０は、データ線Ａ１を介して供給されたデータ信号に応じた電荷を保持して、有機ＥＬ素子４の発光の階調を調節する。換言すれば、キャパシタ１０は、データ線Ａ１に流れる電流に応じた電圧を保持する。有機ＥＬ素子４は、フォトダイオードと同様の電流駆動型の発光素子であることから、ここではダイオードの記号で描かれている。
第１の有機ＴＦＴ１１のソースＳは、第２及び第４の有機ＴＦＴ（１２，１４）のドレインＤ並びに第３の有機ＴＦＴ１３のソースＳとそれぞれ接続している。第１の有機ＴＦＴ１１のドレインＤは、第４の有機ＴＦＴ１４のゲートＧに接続されている。キャパシタ１０は、第４の有機ＴＦＴ１４のソースＳとゲートＧとの間に接続されている。また、第４の有機ＴＦＴ１４のソースＳは、電源線２９に接続されており、電源線２９には駆動電圧ＶDDが供給されている。有機ＥＬ素子４は、その陽極となる第１の表示電極２７（図３参照）が第３の有機ＴＦＴ１３のドレインＤに接続され陰極となる第２の表示電極５が接地されている。
第１の有機ＴＦＴ１１と第２の有機ＴＦＴ１２のゲートＧは、キャパシタ１０への充電を制御する充電制御線Ｂ１に共通に接続され、データ書込み用の充電信号が入力される。また、第３の有機ＴＦＴ１３のゲートＧは、走査線Ｃ１に接続され、発光期間設定用の走査信号が入力される。
第１の有機ＴＦＴ１１と第２の有機ＴＦＴ１２は、キャパシタ１０に電荷を蓄積する際に使用されるスイッチングトランジスタである。第３の有機ＴＦＴ１３は、有機ＥＬ素子４の発光期間においてオン状態に保たれるスイッチングトランジスタである。また、第４の有機ＴＦＴ１４は、有機ＥＬ素子４に流れる電流値を制御するためのドライブトランジスタである。第４の有機ＴＦＴ１４の電流値は、キャパシタに保持される電荷量によって制御される。
図５は、サブピクセルの動作を示すタイミングチャートである。ここでは、充電制御線Ｂ１を介して入力される充電信号、走査線Ｃ１を介して入力される走査信号と、データ線Ａ１を介して入力されるデータ信号（データ電流値Ｉ）と、有機ＥＬ素子に流れる電流値ＩELとが示されている。
又、Ｔｃは１フレーム期間であって、全ての走査線が一巡して選択され終わる期間である。Ｔｐｒはプログラム期間であって、有機ＥＬ素子の発光階調をサブピクセル内に設定する期間であり、充電制御線Ｂ１を介して入力されるデータ書込み用の充電信号によって決定される。Ｔｅｌは発光期間であって、有機ＥＬ素子が発光する期間であり、走査線Ｃ１を介して入力される発光期間設定用の走査信号によって決定される。
プログラム期間Ｔｐｒでは、データ線駆動回路（図示せず）からデータ線Ａ１上に発光階調に応じたデータ信号を出力しながら、充電制御線駆動回路（図示せず）から充電制御線Ｂ１上にＨレベルの充電信号が出力される。すると、第１及び第２の有機ＴＦＴ（１１，１２）がオン状態になる。このとき、該データ線駆動回路（図示せず）は、発光階調に応じたデータ電流値Ｉを流す可変定電流源として機能する。そして、キャパシタ１０には、データ電流値Ｉに対応した電荷が保持され、プログラム期間Ｔｐｒは終了する。この結果、第４の有機ＴＦＴ１４のソース／ゲート間には、キャパシタ１０に記憶された電圧が印加される。
プログラム期間Ｔｐｒが終了すると、充電信号がＬレベルとなり、第１の有機ＴＦＴ１１と第２の有機ＴＦＴ１２がオフ状態となる。また、該データ線駆動回路（図示せず）はその画素回路のためのデータ信号（電流値Ｉ）の供給を停止する。
続いて、発光期間Ｔｅｌでは、充電信号をＬレベルに維持して第１及び第２の有機ＴＦＴ１１，１２をオフ状態に保ったまま、走査線駆動回路（図示せず）から走査線Ｃ１にＨレベルの走査信号を出力して第３の有機ＴＦＴ１３をオン状態に設定する。
キャパシタ１０には、データ信号（データ電流値Ｉ）に対応した電荷が予め保持されている。従って、第４の有機ＴＦＴ１４にはデータ電流値Ｉとほぼ同じ電流が流れ、その電流は第３の有機ＴＦＴ１３を介して有機ＥＬ素子４に流れる。その結果、有機ＥＬ素子４は、発光期間Ｔｅｌの間、データ信号（データ電流値Ｉ）に応じた階調で発光する。
次に、上記の如き構成の有機ＴＦＴ構造を有する有機ＥＬ表示装置の製造方法について説明する。なお、サブピクセルの大きさを１８０μｍｘ６０μｍとし、有機ＥＬ素子における開口率は３０％、有機ＴＦＴの数を４つとする場合について説明するものの、大きさはこれに限定されない。
まず、無アルカリガラスからなるガラス基板上にタンタル（Ｔａ）薄膜を成膜した後、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）を用いて、図６に示す如きＴａ薄膜のパターンを作製する。かかるＴａ薄膜パターンはゲート電極１９、充電制御線Ｂ１、走査線Ｃ１及び第１のキャパシタ電極３０を含んでいる。また、該Ｔａ薄膜パターンは、ゲート電極１９同士を電気的に接続するブリッジ部３１を含んでいる。なお、ゲート電極１９は、トランジスタ領域１６（図６中、一点鎖線で示す。以下、図７〜図１０において同様）に対応して設けられている。
当該Ｔａ薄膜パターンに対して陽極酸化を行って、Ｔａ薄膜の表面に酸化タンタル（Ｔａ2Ｏ5）膜が作製される。図７に示す如く、Ｔａ2Ｏ5膜は、ゲート電極１９の上ではゲート絶縁膜２０となり、第１のキャパシタ電極３０の上においてはキャパシタ絶縁膜３２となる。なお、Ｔａ薄膜にブリッジ部３１が含まれていることによって、Ｔａ薄膜に対する陽極酸化を一回の工程で実施することができる。ここで、Ｔａ膜厚は１００ｎｍ、Ｔａ2Ｏ5膜厚は１５０ｎｍとする。
次に、図８に示す如く、基板上にインジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）膜を作製した後にリフトオフ法を用いて、有機ＥＬ素子の第１の表示電極２７となるＩＺＯパターン薄膜を形成する。なお、第１の表示電極２７の大きさは３０μｍｘ１１０μｍであり、膜厚は１１０ｎｍとする。
反応性イオンエッチングを用いて、Ｔａ薄膜のブリッジ部３１を除去して、ブリッジ部３１によって接続されたゲート電極同士を電気的に切断する。さらに、図９に示す如く、第１のキャパシタ電極３０とゲート電極１９との間のＴａ2Ｏ5薄膜にスルーホール３３が設けられる。
続いて、クロム（Ｃｒ）を接着層とした金（Ａｕ）をマグネトロンスパッタ法で形成し、リフトオフ法を用いて図１０に示す如きパターン、すなわちゲート絶縁膜上で互いに離間して対向する電極対からなるＣｒ／Ａｕ金属膜を形成する。かかるＣｒ／Ａｕ金属膜は、ゲート絶縁膜２０の上でソース電極２１及びドレイン電極２２、キャパシタ絶縁膜３２の上で第２のキャパシタ電極３４を構成するほかに、データ線Ａ１及び電源線２９も構成する。なお、第１の表示電極２７の近傍に設けられた第３の有機ＴＦＴ１３のドレイン電極２２は、第１の表示電極２７に接続されている。なお、Ｃｒ膜の膜厚は５ｎｍ、Ａｕ膜厚は１００ｎｍとする。
また、ソース電極２１およびドレイン電極２２は、最終的に作製される有機ＴＦＴのチャネル長が２μｍとなるように形成する。また、４つの該有機ＴＦＴのうち、チャネル幅を４０μｍとしたものを２つ、チャネル幅を１５０μｍとしたものを２つ作製する。
図１１に示す如く、第１の表示電極２７上において発光領域６を画定する第１の窓部７とソース／ドレイン電極（２１，２２）間においてトランジスタ領域１６を画定する第２の窓部１７とを有する第１のバンク２３を形成する。第１のバンク２３は、スピンコート法を用いて未感光のフッ素系感光性樹脂液を配置した後に、フォトマスクを用いて露光して現像して形成される。第１のバンク２３において、第１の窓部７は発光領域が３０μｍｘ１１０μｍ、第２の窓部１７はトランジスタ領域が１０μｍｘ５０μｍ若しくは１０μｍｘ１６０となる大きさにそれぞれ形成する。また、第１のバンク２３の高さは３μｍとする。
第１のバンク２３を形成した後、図１２に示す如く、第２の窓部１７の外周に配置されかつ基板２の主面に交差する方向に突出する第２のバンク１８を形成する。第２のバンク１８はフッ素系感光樹脂を用いて形成され、フォトマスクを用いてパターンが形成される。
第２のバンク１８を作製した後、図１３に示す如く、インクジェット法を用いて、第１のバンク２３の第２の窓部１７に囲まれたトランジスタ領域１６に有機半導体層２５を作製する。具体的には、インク吐出ノズルから吐出された液滴を第２の窓部１７内に向かうように噴出して、有機半導体層２５を形成する。有機半導体層２５は、半導体特性を有する有機材料であるＰ３ＨＴからなる。インクジェット法において、インクジェットノズル（図示せず）から吐出される液滴は第１のバンク２３によってはじかれて第２の窓部１７内に配置され、第２の窓部１７によって囲まれたトランジスタ領域１６内に該液滴によって形成された有機半導体層２５が形成される。かかる有機半導体層２５は、有機ＴＦＴに対してチャネルを形成する。次に、インクジェット法を用いて、層間絶縁膜３６を形成する。なお、第２のバンク１８を形成することによって、該インクジェットノズルから噴出された液滴がトランジスタ領域１６から溢れ出て拡がることを防止することができる。
図１４に示す如く、有機半導体層２５及び層間絶縁膜３６を作製した後、インクジェット法を用いて、第１の表示電極２７上の発光領域６に、発光層（図示せず）を含む有機機能層２８（図３参照）を作製する。続いて、図１５に示す如く、蒸着法を用いて有機機能層２８上に金属等の導電性材料からなる第２の表示電極５を作製する。当該蒸着工程は、基板の主面に対して略垂直の方向に蒸着材料流を進行させて行われる。また、該蒸着工程は、第１のバンク２３上に導電性材料膜を成膜し、かかる薄膜を第２の表示電極５に接続する電極接続層８とする。なお、当該蒸着工程においては、第２のバンク１８に囲まれた領域、すなわち層間絶縁膜３６の上にも金属材料からなる蒸着膜２６が形成されるものの、蒸着膜２６は第２のバンク１８によって電極接続層８とは非接続となっている。すなわち、図３にも示したように、第２のバンク１８が突出していることによって、電極接続層８と第２のバンク１８の頂部との間及びバンクの頂部と蒸着膜との間が、基板２の主面に対する垂直方向において分断され、その結果、蒸着膜２６は電極接続層８とは非接続となる。換言すれば、異方性成膜方法である蒸着法と基板２に対して突出する第２のバンク１８とを利用して、第２のバンク１８の側壁において電極接続層８と蒸着膜２６とを確実に断線する。以上の蒸着工程によって、図１３に示す如き有機ＥＬ素子４を形成する。最後に皿状の封止キャップを用いて封止を行い、有機ＥＬ表示装置として完成した。
上記の如き有機ＴＦＴ構造１４を含む有機ＥＬ表示装置において、有機ＴＦＴ（１１〜１４）を駆動させたところ、有機ＥＬ素子４の発光が確認できた。
上記の如き構成の有機ＥＬ表示パネルにおいては、第２の窓部１７を囲みかつ突出する第２のバンク１８を形成することによって、有機ＥＬ素子４の第２の表示電極５と有機ＴＦＴ（１１〜１４）の有機半導体層２５とを確実に非接続とすることができる故、これらの間でリーク電流が流れることを防止することができる。
また、第２のバンク１８を形成することによって、有機半導体層２５がトランジスタ領域１６から拡がることを防ぐことができる。一般的に、有機ＴＦＴの有機半導体層に用いられる有機半導体材料は、電荷移動度が無機半導体材料に比べて小であることから、ソース／ドレイン電極間に確実にチャネルを形成するために、ソース電極及びドレイン電極が互いに対向している距離を大としている。また、ソース／ドレイン電極と有機半導体層との接触面積を大とすることによって、チャネルを確実に形成している。したがって、ソース／ドレイン電極の接触面積が大となるように、有機半導体層の厚さが大となっている。その結果、有機ＴＦＴを囲むバンクの高さが低い場合、有機半導体層を構成する材料がバンクに囲まれた領域から溢れ出るおそれがあるものの、第２のバンクを形成することによって、有機半導体層がトランジスタ領域から拡がることを防止することができる。
さらにまた、第１のバンク２３が第１及び第２の窓部（７，１７）を有することにより、有機ＥＬ素子用のバンクと有機ＴＦＴ用のバンクとを同一の材料で同一の工程で作製することができることから、製造工程の簡略化を図ることができる。
なお、上記した実施例において、ゲート電極としてＴａ、ソース電極及びドレイン電極としてＣｒ／Ａｕを用いたが、その材料は特に限定されることはなく、十分な導電性があればよい。すなわち、Ｐｔ、Ａｕ、Ｗ、Ｒｕ、Ｉｒ、Ａｌ、Ｓｃ、Ｔｉ、Ｖ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔｃ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｃｄ、Ｌｎ、Ｓｎ、Ｔａ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｔｌ、Ｐｂ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ等の金属単体もしくは積層もしくはその化合物でも良い。また、ＩＴＯ、ＩＺＯのような金属酸化物類、ポリアニリン類、ポリチオフェン類、ポリピロール類などの共役性高分子化合物を含む有機導電材料でもよい。
また、上記した実施例では、ゲート電極としてＴａ、ゲート絶縁膜としてＴａを陽極酸化して作製されたＴａ2Ｏ5を用いているものの、ゲート電極材料としては陽極酸化可能な金属であれば何でも良く、Ａｌ、Ｍｇ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｚｒ等の単体もしくはそれらの合金を陽極酸化してゲート絶縁膜としてもよい。
さらに、ゲート絶縁膜として、陽極酸化を用いずとも無機材料、有機材料のいずれの絶縁物も使用できる。例えばＬｉＯx、ＬｉＮx、ＮａＯx、ＫＯx、ＲｂＯx、ＣｓＯx、ＢｅＯx、ＭｇＯx、ＭｇＮx、ＣａＯx、ＣａＮx、ＳｒＯx、ＢａＯx、ＳｃＯx、ＹＯx、ＹＮx、ＬａＯx、ＬａＮx、ＣｅＯx、ＰｒＯx、ＮｄＯx、ＳｍＯx、ＥｕＯx、ＧｄＯx、ＴｂＯx、ＤｙＯx、ＨｏＯx、ＥｒＯx、ＴｍＯx、ＹｂＯx、ＬｕＯx、ＴｉＯx、ＴｉＮx、ＺｒＯx、ＺｒＮx、ＨｆＯx、ＨｆＮx、ＴｈＯx、ＶＯx、ＶＮx、ＮｂＯx、ＴａＯx、ＴａＮx、ＣｒＯx、ＣｒＮx、ＭｏＯx、ＭｏＮx、ＷＯx、ＷＮx、ＭｎＯx、ＲｅＯx、ＦｅＯx、ＦｅＮx、ＲｕＯx、ＯｓＯx、ＣｏＯx、ＲｈＯx、ＩｒＯx、ＮｉＯx、ＰｄＯx、ＰｔＯx、ＣｕＯx、ＣｕＮx、ＡｇＯx、ＡｕＯx、ＺｎＯx、ＣｄＯx、ＨｇＯx、ＢＯx、ＢＮx、ＡｌＯx、ＡｌＮx、ＧａＯx、ＧａＮx、ＩｎＯx、ＴｉＯx、ＴｉＮx、ＳｉＮx、ＧｅＯx、ＳｎＯx、ＰｂＯx、ＰＯx、ＰＮx、ＡｓＯx、ＳｂＯx、ＳｅＯx、ＴｅＯxなどの金属酸化物でも、ＬｉＡｌＯ2、Ｌｉ2ＳｉＯ3、Ｌｉ2ＴｉＯ3、Ｎａ2Ａｌ22Ｏ34、ＮａＦｅＯ2、Ｎａ4ＳｉＯ4、Ｋ2ＳｉＯ3、Ｋ2ＴｉＯ3、Ｋ2ＷＯ4、Ｒｂ2ＣｒＯ4、Ｃｓ2ＣｒＯ4、ＭｇＡｌ2Ｏ4、ＭｇＦｅ2Ｏ4、ＭｇＴｉＯ3、ＣａＴｉＯ3、ＣａＷＯ4、ＣａＺｒＯ3、ＳｒＦｅ12Ｏ19、ＳｒＴｉＯ3、ＳｒＺｒＯ3、ＢａＡｌ2Ｏ4、ＢａＦｅ12Ｏ19、ＢａＴｉＯ3、Ｙ3Ａｌ5Ｏ12、Ｙ3Ｆｅ5Ｏ12、ＬａＦｅＯ3、Ｌａ3Ｆｅ5Ｏ12、Ｌａ2Ｔｉ2Ｏ7、ＣｅＳｎＯ4、ＣｅＴｉＯ4、Ｓｍ3Ｆｅ5Ｏ12、ＥｕＦｅＯ3、Ｅｕ3Ｆｅ5Ｏ12、ＧｄＦｅＯ3、Ｇｄ3Ｆｅ5Ｏ12、ＤｙＦｅＯ3、Ｄｙ3Ｆｅ5Ｏ12、ＨｏＦｅＯ3、Ｈｏ3Ｆｅ5Ｏ12、ＥｒＦｅＯ3、Ｅｒ3Ｆｅ5Ｏ12、Ｔｍ3Ｆｅ5Ｏ12、ＬｕＦｅＯ3、Ｌｕ3Ｆｅ5Ｏ12、ＮｉＴｉＯ3、Ａｌ2ＴｉＯ3、ＦｅＴｉＯ3、ＢａＺｒＯ3、ＬｉＺｒＯ3、ＭｇＺｒＯ3、ＨｆＴｉＯ4、ＮＨ4ＶＯ3、ＡｇＶＯ3、ＬｉＶＯ3、ＢａＮｂ2Ｏ6、ＮａＮｂＯ3、ＳｒＮｂ2Ｏ6、ＫＴａＯ3、ＮａＴａＯ3、ＳｒＴａ2Ｏ6、ＣｕＣｒ2Ｏ4、Ａｇ2ＣｒＯ4、ＢａＣｒＯ4、Ｋ2ＭｏＯ4、Ｎａ2ＭｏＯ4、ＮｉＭｏＯ4、ＢａＷＯ4、Ｎａ2ＷＯ4、ＳｒＷＯ4、ＭｎＣｒ2Ｏ4、ＭｎＦｅ2Ｏ4、ＭｎＴｉＯ3、ＭｎＷＯ4、ＣｏＦｅ2Ｏ4、ＺｎＦｅ2Ｏ4、ＦｅＷＯ4、ＣｏＭｏＯ4、ＣｕＴｉＯ3、ＣｕＷＯ4、Ａｇ2ＭｏＯ4、Ａｇ2ＷＯ4、ＺｎＡｌ2Ｏ4、ＺｎＭｏＯ4、ＺｎＷＯ4、ＣｄＳｎＯ3、ＣｄＴｉＯ3、ＣｄＭｏＯ4、ＣｄＷＯ4、ＮａＡｌＯ2、ＭｇＡｌ2Ｏ4、ＳｒＡｌ2Ｏ4、Ｇｄ3Ｇａ5Ｏ12、ＩｎＦｅＯ3、ＭｇＩｎ2Ｏ4、Ａｌ2ＴｉＯ5、ＦｅＴｉＯ3、ＭｇＴｉＯ3、Ｎａ2ＳｉＯ3、ＣａＳｉＯ3、ＺｒＳｉＯ4、Ｋ2ＧｅＯ3、Ｌｉ2ＧｅＯ3、Ｎａ2ＧｅＯ3、Ｂｉ2Ｓｎ3Ｏ9、ＭｇＳｎＯ3、ＳｒＳｎＯ3、ＰｂＳｉＯ3、ＰｂＭｏＯ4、ＰｂＴｉＯ3、ＳｎＯ2‐Ｓｂ2Ｏ3、ＣｕＳｅＯ4、Ｎａ2ＳｅＯ3、ＺｎＳｅＯ3、Ｋ2ＴｅＯ3、Ｋ2ＴｅＯ4、Ｎａ2ＴｅＯ3、Ｎａ2ＴｅＯ4などの金属複合酸化物でも、ＦｅＳ、Ａｌ2Ｓ3、ＭｇＳ、ＺｎＳなどの硫化物、ＬｉＦ、ＭｇＦ2、ＳｍＦ3などのフッ化物、ＨｇＣｌ、ＦｅＣｌ2、ＣｒＣｌ3などの塩化物、ＡｇＢｒ、ＣｕＢｒ、ＭｎＢｒ2などの臭化物、ＰｂＩ2、ＣｕＩ、ＦｅＩ2などのヨウ化物、またはＳｉＡｌＯＮなどの金属酸化窒化物でも有効である。また、ポリイミド、ポリアミド、ポリエステル、ポリアクリレート、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリビニルアルコール、などポリマー系材料でも有効である。また、ゲート絶縁膜表面をＯＴＳ（オクタデシルトリクロロシラン）、ＨＭＤＳ（ヘキサメチルジシラザン）などで疎水処理を行っても良い。
さらにまた、上記実施例において、バンク材料として、フッ素系感光樹脂を用いているものの、絶縁性の高い材料であれば有機、無機に限られない。また、バンクのパターン形成方法も上記実施例では、感光性樹脂を用いたフォトリソ技術を用いているものの、例えば反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）を使用するドライプロセスが使用されても良い。また、バンク材料が撥水性材料であれば好ましいものの、バンクを作製した後に、バンク表面に撥水処理を施しても良い。
また、第１のバンクの材料及び第２のバンクの材料が同一であることとしても良い。同一とすることによって、有機ＥＬ表示パネルを構成する材料数を低減して、製造コストを抑制することができる。
さらに、上記実施例において、有機ＴＦＴの有機半導体材料としてＰ３ＨＴを使用しているものの、これに限られず、半導体特性を示す有機材料であれば良い。例えば高分子材料では、上述した低分子化合物の構造がポリエチレン鎖、ポリシロキサン鎖、ポリエーテル鎖、ポリエステル鎖、ポリアミド鎖、ポリイミド鎖等の高分子の主鎖中に用いられた物あるいは側鎖としてペンダント状に結合したもの、もしくはポリパラフェニレン等の芳香族系共役性高分子、ポリアセチレン等の脂肪族系共役性高分子、ポリピノールやポリチオフェン等の複素環式共役性高分子、ポリアニリン類やポリフェニレンサルファイド等の含ヘテロ原子共役性高分子、ポリ（フェニレンビニレン）やポリ（アニーレンビニレン）やポリ（チェニレンビニレン）等の共役性高分子の構成単位が交互に結合した構造を有する複合型共役系高分子等の炭素系共役高分子が用いられる。また、ポリシラン類やジシラニレンアリレンポリマー類、（ジシラニレン）エテニレンポリマー類、（ジシラニレン）エチニレンポリマー類のようなジシラニレン炭素系共役性ポリマー構造などのオリゴシラン類と炭素系共役性構造が交互に連鎖した高分子類などが用いられる。他にもリン系、窒素系等の無機元素からなる高分子鎖でも良く、さらにフタロシアナートポリシロキサンのような高分子鎖の芳香族系配位子が配位した高分子類、ペリレンテトラカルボン酸のようなペリレン類を熱処理して縮環させた高分子類、ポリアクリロニトリルなどのシアノ基を有するポリエチレン誘導体を熱処理して得られるラダー型高分子類、さらにペロブスカイト類に有機化合物がインターカレートした複合材料を用いてもよい。また低分子系材料ではフタロシアニン系誘導体、ナフタロシアニン系誘導体、アゾ化合物系誘導体、ペリレン系誘導体、インジゴ系誘導体、キナクリドン系誘導体、アントラキノン類などの多環キノン系誘導体、シアニン系誘導体、フラーレン類誘導体、あるいはインドール、カルバゾール、オキサゾール、イソオキサゾール、チアゾール、イミダゾール、ピラゾール、オキサアジアゾール、ピラゾリン、チアチアゾール、トリアゾールなどの含窒素環式化合物誘導体、ヒドラジン誘導体、トリフェニルアミン誘導体、トリフェニルメタン誘導体、スチルベン類、アントラキノンジフェノキノン等のキノン化合物誘導体、アントラセン、ビレン、フェナントレン、コロネンなどの多環芳香族化合物誘導体などでも良いし、官能基の付与等によって溶媒に可溶なものであっても良い。
上記実施例において、有機ＥＬ素子は、第１の表示電極及び基板を介して外部に光を取り出すボトムエミッション型の素子として説明しているもののこれに限定されず、第２の表示電極を介して光を外部に取り出すトップエミッション型の素子としても良い。
変形例として、図１６に示す如き構成の有機ＥＬ表示パネルの説明を行う。図１６は、有機ＥＬ表示パネルのサブピクセル３Ｒの断面図である。有機ＴＦＴ（１１〜１４）の有機半導体層２５が配置されるトランジスタ領域１６は第１のバンク２３の第２の窓部１７によって画定されており、第２の窓部１７の外周には基板２の主面に交差する方向に突出する第２のバンク１８が設けられている。第２のバンク１８の上部には、基板の主面に平行な方向に突出するオーバーハング部３５が設けられている。従って、第２のバンクの断面形状は、底部の幅が頂部の幅よりも狭くかつ底部から頂部にかけてその幅が漸増している逆テーパー状になっている。その他の構成は、上記した実施例とほぼ同様の構成である。
第２のバンク１８の上部にオーバーハング部３５を形成することによって、第２のバンク１８の頂部の縁端と第１のバンク及び／またはソース／ドレイン電極との間において間隙が形成される。かかる間隙によって、導電材料の蒸着膜を垂直方向において分断することができる。すなわち、第２のバンクの頂部の蒸着膜２６と、層間絶縁膜３６上の蒸着膜２６及び電極接続層８と、を確実に分断することができる。換言すれば、かかる間隙を有する第２のバンクによって、有機ＥＬ素子４の第２の表示電極５と有機ＴＦＴ（１１〜１４）の有機半導体層２５とが確実に分断されて、互いを非接続とすることができる。
基板と、該基板から第１の表示電極、有機機能層及び第２の表示電極の順に形成されている有機ＥＬ素子と、該基板からゲート電極、ゲート絶縁膜、ソース／ドレイン電極及び有機半導体層の順に形成されていて該有機ＥＬ素子を駆動制御する有機ＴＦＴと、を含む有機ＥＬ表示パネルであって、該第１の表示電極上において該有機機能層が載置される発光領域を画定する第１の窓部と該ソース／ドレイン電極間において該有機半導体層が載置されるトランジスタ領域を画定する第２の窓部とを有する第１のバンクと、該第２の窓部の外周に配置されかつ該基板の主面に交差する方向に突出する第２のバンクと、を含むことを特徴とする本発明の有機ＥＬ表示パネルによれば、第２のバンクによって有機ＥＬ素子の第２の表示電極と有機ＴＦＴの有機半導体層とを確実に分断することができて、有機ＴＦＴにおけるリーク電流の発生を防止することができる。
基板と、該基板から第１の表示電極、有機機能層及び第２の表示電極の順に形成されている有機ＥＬ素子と、該基板からゲート電極、ゲート絶縁膜、ソース／ドレイン電極及び有機半導体層の順に形成されていて該有機ＥＬ素子を駆動制御する有機ＴＦＴと、を含む有機ＥＬ表示パネルの製造方法であって、該基板上に該ゲート電極及び該第１の表示電極を形成する工程と、該ゲート電極の上に該ゲート絶縁膜を形成する工程と、該ゲート絶縁膜の上に互いに離間して対向する該ソース／ドレイン電極を形成する工程と、第１の表示電極上において該有機機能層が載置されるべき発光領域を画定する第１の窓部と該ソース／ドレイン電極間において該有機半導体層が載置されるべきトランジスタ領域を画定する第２の窓部とを有する第１のバンクを形成する工程と、該第２の窓部の外周に配置されかつ該基板の主面に交差する方向に突出する第２のバンクを形成する工程と、該第２の窓部内に該有機半導体層を形成する工程と、該第１の窓部内に該有機機能層を形成する工程と、該有機機能層上に蒸着法を用いて第２の表示電極を形成する工程と、を含むことを特徴とする本発明の有機ＥＬ表示パネルの製造方法によれば、第２のバンクによって、有機ＥＬ素子の第２の表示電極と有機ＴＦＴの有機半導体層とを確実に分断して有機ＴＦＴにおけるリーク電流の発生を防止すると共に、有機半導体層を構成する材料がトランジスタ領域から拡がることを防止することができる。

Claims (9)

  1. 基板と、前記基板から第１の表示電極、有機機能層及び第２の表示電極の順に形成されている有機エレクトロルミネセンス素子と、前記基板からゲート電極、ゲート絶縁膜、ソース／ドレイン電極及び有機半導体層の順に形成されていて前記有機エレクトロルミネセンス素子を駆動制御する有機薄膜トランジスタと、を含む有機エレクトロルミネセンス表示パネルであって、
    前記第１の表示電極上において前記有機機能層が載置される発光領域を画定する第１の窓部と前記ソース／ドレイン電極間において前記有機半導体層が載置されるトランジスタ領域を画定する第２の窓部とを有する第１のバンクと、
    前記第２の窓部の外周に配置されかつ前記基板の主面に交差する方向に突出する第２のバンクと、を含むことを特徴とする有機エレクトロルミネセンス表示パネル。
  2. 前記第２のバンクは前記基板の主面の垂直面に対して略平行である側壁面を有することを特徴とする請求項１記載の有機エレクトロルミネセンス表示パネル。
  3. 前記第２のバンクの上部に前記基板の主面に平行な方向に突出するオーバーハング部を有することを特徴とする請求項１記載の有機エレクトロルミネセンス表示パネル。
  4. 前記第１のバンクと前記第２のバンクは同一の材料からなることを特徴とする請求項１記載の有機エレクトロルミネセンス表示パネル。
  5. 基板と、前記基板から第１の表示電極、有機機能層及び第２の表示電極の順に形成されている有機エレクトロルミネセンス素子と、前記基板からゲート電極、ゲート絶縁膜、ソース／ドレイン電極及び有機半導体層の順に形成されていて前記有機エレクトロルミネセンス素子を駆動制御する有機薄膜トランジスタと、を含む有機エレクトロルミネセンス表示パネルの製造方法であって、
    前記基板上に前記ゲート電極及び前記第１の表示電極を形成する工程と、
    前記ゲート電極の上に前記ゲート絶縁膜を形成する工程と、
    前記ゲート絶縁膜の上に互いに離間して対向する前記ソース／ドレイン電極を形成する工程と、
    第１の表示電極上において前記有機機能層が載置されるべき発光領域を画定する第１の窓部と前記ソース／ドレイン電極間において前記有機半導体層が載置されるべきトランジスタ領域を画定する第２の窓部とを有する第１のバンクを形成する工程と、
    前記第２の窓部の外周に配置されかつ前記基板の主面に交差する方向に突出する第２のバンクを形成する工程と、
    前記第２の窓部内に前記有機半導体層を形成する工程と、
    前記第１の窓部内に前記有機機能層を形成する工程と、
    前記有機機能層上に蒸着法を用いて第２の表示電極を形成する工程と、を含むことを特徴とする有機エレクトロルミネセンス表示パネルの製造方法。
  6. 前記第２のバンクを形成する工程は前記基板の主面の垂直面に対して略平行である側壁面を形成する工程であることを特徴とする請求項５記載の有機エレクトロルミネセンス表示パネルの製造方法。
  7. 前記第２のバンクを形成する工程は前記第２のバンクの上部に前記基板の主面に平行な方向に突出するオーバーハング部を形成する工程であることを特徴とする請求項５記載の有機エレクトロルミネセンス表示パネルの製造方法。
  8. 前記有機半導体層を形成する工程はインクジェット法を使用して前記トランジスタ領域内に前記有機半導体層を形成する工程であることを特徴とする請求項５記載の有機エレクトロルミネセンス表示パネルの製造方法。
  9. 前記有機機能層を形成する工程はインクジェット法を使用して前記発光領域内に前記有機機能層を形成する工程であることを特徴とする請求項５記載の有機エレクトロルミネセンス表示パネルの製造方法。
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