KR100938041B1 - 플라즈마 처리 장치 - Google Patents

플라즈마 처리 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR100938041B1
KR100938041B1 KR1020060108043A KR20060108043A KR100938041B1 KR 100938041 B1 KR100938041 B1 KR 100938041B1 KR 1020060108043 A KR1020060108043 A KR 1020060108043A KR 20060108043 A KR20060108043 A KR 20060108043A KR 100938041 B1 KR100938041 B1 KR 100938041B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
waveguide
plasma processing
processing apparatus
plasma
microwave
Prior art date
Application number
KR1020060108043A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20070048617A (ko
Inventor
다다히로 오오미
마사끼 히라야마
다까히로 호리구찌
Original Assignee
도호쿠 다이가쿠
가부시끼가이샤 퓨처 비전
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 도호쿠 다이가쿠, 가부시끼가이샤 퓨처 비전 filed Critical 도호쿠 다이가쿠
Publication of KR20070048617A publication Critical patent/KR20070048617A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100938041B1 publication Critical patent/KR100938041B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
    • H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
    • H05H1/24—Generating plasma
    • H05H1/46—Generating plasma using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32192—Microwave generated discharge
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32192—Microwave generated discharge
    • H01J37/32211—Means for coupling power to the plasma
    • H01J37/32229—Waveguides

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

본 발명은 플라즈마 처리 장치의 길이 방향의 플라즈마 균일성을 도모하는 동시에, 멀티 프로세스에 대응시키는 것이다.
복수의 가변 결합기(12)를 구비한 마이크로파 도파관(10)이 진공 챔버(21)에 적재되고, 이 챔버(21) 내의 플라즈마(22)는, 마이크로파 발생기(23)에서 발생된 마이크로파가 도파관(24)을 거쳐서 마이크로파 도파관(10)에 도입되고, 이 도입된 마이크로파(25)의 여기에 의해 발생된다. 마이크로파 도파관(10) 내에서의 마이크로파(25)의 강도 분포는, 복수의 가변 결합기(12)를 양방향 화살표로 나타내는 바와 같이 각각 상 또는 하로, 도시하고 있지 않은 구동 수단에 의해 이동시킴으로써 바뀐다.
가변 결합기, 챔버, 도파관, 마이크로파, 플라즈마

Description

플라즈마 처리 장치{PLASMA PROCESSING DEVICE}
도1은 본 발명에 관한 마이크로파 도파관의 개략 사시도.
도2는 본 발명에 관한 플라즈마 처리 장치의 개략 측면도.
도3은 전자파 결합도를 가변하도록 하는 원리도.
도4는 본 발명에 관한 면형의 플라즈마 처리 장치의 개략 측면도.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
10 : 마이크로파 도파관
11 : 도파관
12 : 가변 결합기
13 : 슬롯
21 : 진공 챔버
22 : 플라즈마
23 : 마이크로파 발생기
24 : 도파관
25 : 마이크로파
[문헌 1] 일본 특허 공개 평9-64611호 공보
본 발명은, 마이크로파를 가변 결합기에 의해 제어하여, 균일한 플라즈마를 광범위하게 발생시키는 플라즈마 처리 장치에 관한 것이다.
반도체의 제조 프로세스에 있어서는, 마이크로파를 이용한 플라즈마 처리 장치를 이용하여, 플라즈마 화학 기상 성장에 의한 박막 형성, 플라즈마 건식 에칭 등의 플라즈마 처리가 다수 존재하고, 이 플라즈마 처리를 균일화하기 위해 마이크로파를 제어하고 있다.
특허 문헌 1에는, 마그네트론으로부터 발생하는 마이크로파를, 아이솔레이터, 방향성 결합기, 임피던스 제어 장치를 거쳐서 진공 처리실(프로세스 챔버)에 도입하는 마이크로파 처리 장치에 있어서, 마그네트론으로부터 진공 처리실에 이르는 마이크로파의 전파 경로의 길이를 조정하여 임피던스 정합(제어)을 실현하는 것이 기재되어 있다.
[특허 문헌 1] 일본 특허 공개 평9-64611호 공보
플라즈마 처리 장치는, 긴 도파관과 슬롯, 유전체판으로 주로 구성되고, 마이크로파를 이용하여 프로세스 챔버 내에 플라즈마를 발생시키고 있었지만, 긴 길이 방향의 플라즈마 균일성을 얻는 것이 어렵다. 또한, 1개의 챔버 내에서 연속하여 다른 프로세스를 행하는 경우, 가스 종류, 가스 압력, 가스 유량, 마이크로파 파워 등의 프로세스 조건이 다르기 때문에, 모든 프로세스에서 동일한 플라즈마 처리 장치를 이용하여 균일한 플라즈마 처리를 위한 플라즈마 처리 장치의 세팅이 곤란하다.
그래서, 본 발명은, 마이크로파를 이용한 긴 플라즈마 처리 장치에 있어서, 길이 방향의 플라즈마의 균일성을 얻기 위해, 마이크로파의 결합 강도를 가변하는 가변 결합기를 도파관 내에 조립하고, 이 가변 결합기의 위치를 구동 수단으로 제어함으로써 마이크로파의 결합 강도를 제어한다.
또한, 면형의 플라즈마를 발생시키는 경우에는, 플라즈마 처리 장치를 면내에 복수 배치하여 가변 결합기의 위치를 제어함으로써 면내의 플라즈마를 균일하게 제어할 수 있다.
이하, 도면을 이용하여 본 발명의 실시예를 설명한다.
도1은 본 발명에 관한 플라즈마 처리 장치에 이용하는 마이크로파 도파관의 개략 사시도이다. 제1 실시예의 마이크로파 도파관(10)은, 도파관(11)의 긴 방향에 가변 결합기(12)를 복수 배열하고, 이 가변 결합기(12)를 양방향 화살표로 나타내는 바와 같이 각각 상방 또는 하방으로 이동시킴으로써, 슬롯(13)으로부터 방출되는 마이크로파의 강도 분포를 제어하는 구성으로 되어 있다. 여기서, 슬롯의 길이는 상기 도파관 내를 전파하는 마이크로파의 파장보다도 길다. 또한, 슬롯(13)은 단일이라도 좋지만, 본 실시예와 같이 복수의 가변 결합기(12)를 배치한 경우에는, 각각의 가변 결합기에 각각 설치해도 좋다.
도2는 본 발명에 관한 플라즈마 처리 장치의 개략 측면도이고, 도2의 (a)는, 도1에 도시하는 마이크로파 도파관(10)을 이용한 본 발명에 관한 플라즈마 처리 장치(20)의 개략 측면도, 도2의 (b)는, 도2의 (a)에 도시하는 플라즈마(22)의 이온 밀도 분포를 나타내는 그래프이다. 도2의 (a)에 있어서, 복수의 가변 결합기(12)를 구비한 도파관(11)이 진공 챔버(21)에 적재되어 있다. 이 진공 챔버(21) 내의 플라즈마(22)는, 마이크로파 발생기(마이크로파 공급 시스템)(23)에서 발생된 마이크로파가 도파관(24)을 거쳐서 마이크로파 도파관(10)에 도입되고, 이 도입된 마이크로파(25)의 여기에 의해 발생된다.
마이크로파 도파관(10) 내에서의 마이크로파(25)의 강도 분포는, 복수의 가변 결합기(12)를 양방향 화살표로 나타내는 바와 같이 각각 상 또는 하로, 도시하고 있지 않은 구동 수단에 의해 이동시킴으로써 바뀐다.
도2의 (a)의 플라즈마(22)의 이온 밀도 분포를 나타내는 도2의 (b)에 나타낸 그래프에 나타난 바와 같이, 복수의 가변 결합기(12)를 각각 조정함으로써, 다양한 이온 밀도 분포를 일방향 화살표로 나타내는 바와 같이 균일화할 수 있는 것을 나타내고 있다.
도3은 도파관(11)과 진공 챔버(21)의 전자파 결합도를 가변으로 하는 원리도이며, 도3의 (a)는 가변 결합기(12)가 최상부에 위치하고, 도3의 (b)는 중간부에 위치하고, 도3의 (c)는 최하부에 위치하고 있는 것을 나타내고 있다.
도3의 (a)에 도시하는 바와 같이, 도파관(11)에 있어서, TE01 모드에서는 긴 변측(넓은 벽면 즉 H면) 중앙부에서 전계가 최대이므로, 측면에 배치된 가변 결합 기(12)를 상하로 이동시키면 최대 전계 위치가 시프트하고, 슬롯(13)의 위치의 전자파 결합도를 임의로 가감할 수 있다. 또한, 도파관(11)과 진공 챔버(21) 사이에는 유전체판(31)이 설치되어 있다.
도3의 (b)에 있어서, 가변 결합기(12)를 중간부에 위치시킴으로써, 최대 전계 위치가 중앙부로부터 일방향 화살표로 나타내는 바와 같이 좌측으로 시프트한다. 이 시프트에 의해, 슬롯(13) 사이의 전위차(ΔV)가, 도3의 (a)에 나타내는 전위차(ΔV)보다 커지고, 마이크로파(25)의 강도도 강해진다.
또한, 도3의 (c)에 도시하는 바와 같이, 가변 결합기(12)를 최하부에 위치시키면, 최대 전계 위치가 중앙부로부터 일방향 화살표로 나타내는 바와 같이 보다 좌측으로 시프트하고, 전위차(ΔV)가 보다 커지고, 마이크로파(25)의 강도는 보다 강해진다.
<제2 실시예>
도4는 본 발명의 제2 실시예에 관한 면형의 플라즈마 처리 장치의 개략 측면도이고, 도4의 (a)는, 도1에 도시하는 마이크로파 도파관(10)을 복수 배열하고, 진공 챔버(21) 내의 면형의 플라즈마(22)를 제어하는 플라즈마 처리 장치(20)를 도시한다. 본 실시예에서는, 가변 결합기(12)가 진공 챔버(21) 상에 매트릭스형으로 배치되고, 매트릭스형의 가변 결합기(12)의 각각을 구동 수단으로 독립하여 각각 조정함으로써, 균일하고 광범위한 플라즈마(22)를 얻을 수 있다. 따라서, 다양한 프로세스마다 각각의 조정량을 기억해 두고, 필요한 프로세스를 행할 때에, 이 조정량을 판독하는 등의 간단한 조작으로 조정할 수 있다.
도4의 (b)는, 도4의 (a)에 도시하는 면형의 플라즈마(22)의 이온 밀도 분포를 나타내는 그래프이며, 도2의 (b)와 마찬가지로, 복수의 가변 결합기(12)를 각각 조정함으로써 다양한 이온 밀도 분포를 일방향 화살표로 나타내는 바와 같이 균일화할 수 있는 것을 나타내고 있다.
이상, 제1 실시예와 제2 실시예에서는, 가변 결합기(12)를 도파관(11) 내에 삽입하는 양을 가감하여 결합량을 조정하는 경우에 대해 서술했지만, 본 발명은 이것으로 한정되는 것은 아니고, 도3의 (c)로부터 명백한 바와 같이 도파관의 벽을 이동하여 조정해도 좋고, 또한 슬롯의 폭을 바꾸어도 좋다. 또한, 블럭의 재질은 도체라도 유전체라도 좋다.
본 발명에 따르면, 플라즈마의 길이 방향의 강도 분포를 임의로 조정하는 것이 가능해지고, 가변 결합기의 구동 수단을 조합함으로써 플라즈마의 분포를 절환하는 것이 가능해지고, 멀티 프로세스 처리에 적절하다.
또한, 복수의 플라즈마 처리 장치를 조합함으로써 면형의 플라즈마 강도 분포의 제어가 가능해지고, 특히 대형 평면 표시 장치의 표시 패널의 제조에 있어서의 플라즈마 처리에 적절하다.

Claims (14)

  1. 내부에 플라즈마가 여기되는 용기와, 상기 용기 내에 플라즈마를 여기시키기 위해 필요한 마이크로파를 공급하는 마이크로파 공급 시스템과, 상기 마이크로파 공급 시스템에 접속되고 슬롯이 개방된 도파관과, 상기 슬롯으로부터 방출된 마이크로파를 플라즈마에 전파시키는 유전체판을 구비한 플라즈마 처리 장치이며,
    상기 도파관은 직사각형 도파관이고,
    상기 슬롯은 상기 도파관의 긴 방향과 나란하게 연장하고, 또한 상기 슬롯은 H면에 구비되며,
    상기 도파관의 긴 방향을 따라 상하로 이동가능한 가변 결합기를 설치한 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 가변 결합기를 복수 설치한 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 도파관을 복수 배치하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 도파관에 개방된 슬롯은 복수인 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  5. 삭제
  6. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 가변 결합기는, 상기 도파관을 구성하는 벽의 일부를 이동시키는 것에 의해 결합량을 조정하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  7. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 가변 결합기는, 상기 도파관의 내부의 적어도 일부에 구비한 유전체 블럭을 이동시키는 것에 의해 결합량을 조정하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  8. 삭제
  9. 삭제
  10. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 슬롯의 긴 방향의 길이가, 상기 도파관 내를 전파하는 마이크로파의 파장보다도 긴 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  11. 삭제
  12. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 가변 결합기의 조정량을 기억하고 판독하여 다양한 프로세스에 대응하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  13. 삭제
  14. 삭제
KR1020060108043A 2005-11-04 2006-11-03 플라즈마 처리 장치 KR100938041B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2005-00320777 2005-11-04
JP2005320777A JP4703371B2 (ja) 2005-11-04 2005-11-04 プラズマ処理装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20070048617A KR20070048617A (ko) 2007-05-09
KR100938041B1 true KR100938041B1 (ko) 2010-01-21

Family

ID=38002702

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020060108043A KR100938041B1 (ko) 2005-11-04 2006-11-03 플라즈마 처리 장치

Country Status (5)

Country Link
US (1) US7723637B2 (ko)
JP (1) JP4703371B2 (ko)
KR (1) KR100938041B1 (ko)
CN (1) CN1972552A (ko)
TW (1) TW200733823A (ko)

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2009041629A1 (ja) * 2007-09-28 2009-04-02 Tokyo Electron Limited プラズマ処理装置
US8800483B2 (en) 2009-05-08 2014-08-12 Peter F. Vandermeulen Methods and systems for plasma deposition and treatment
JP5631088B2 (ja) * 2010-07-15 2014-11-26 国立大学法人東北大学 プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
US9397380B2 (en) * 2011-01-28 2016-07-19 Applied Materials, Inc. Guided wave applicator with non-gaseous dielectric for plasma chamber
JP5921241B2 (ja) * 2011-03-10 2016-05-24 国立大学法人名古屋大学 プラズマ生成装置、プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
US9793095B2 (en) * 2013-03-14 2017-10-17 Tokyo Electron Limited Microwave surface-wave plasma device
KR101427720B1 (ko) * 2013-03-27 2014-08-13 (주)트리플코어스코리아 단차부 및 블록부를 이용한 플라즈마 도파관
US10861667B2 (en) 2017-06-27 2020-12-08 Peter F. Vandermeulen Methods and systems for plasma deposition and treatment
WO2019005288A1 (en) 2017-06-27 2019-01-03 Vandermeulen Peter F METHODS AND SYSTEMS FOR PLASMA DEPOSITION AND TREATMENT
WO2019124315A1 (ja) * 2017-12-18 2019-06-27 国立大学法人名古屋大学 プラズマ発生装置

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20040032744A (ko) * 2002-10-09 2004-04-17 가부시끼가이샤 에키쇼 센탄 기쥬츠 가이하쯔 센터 플라즈마 처리장치
JP2004235562A (ja) * 2003-01-31 2004-08-19 Shimadzu Corp プラズマ処理装置

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4814780A (en) * 1988-03-11 1989-03-21 Itt Gilfillan, A Division Of Itt Corporation Variable directional coupler
US5134965A (en) * 1989-06-16 1992-08-04 Hitachi, Ltd. Processing apparatus and method for plasma processing
JP3158715B2 (ja) * 1992-03-30 2001-04-23 株式会社ダイヘン プラズマ処理装置
JPH06236799A (ja) * 1993-02-10 1994-08-23 Daihen Corp プラズマ処理装置
JPH0964611A (ja) 1995-08-28 1997-03-07 Hitachi Ltd インピーダンス制御方法および装置ならびにそれを用いたマイクロ波処理装置
US5731269A (en) * 1995-11-13 1998-03-24 Illinois Superconductor Corporation Mechanically adjustable coupling loop for a resonator
JP4203028B2 (ja) * 1996-07-08 2008-12-24 株式会社東芝 プラズマ処理装置
JP3497091B2 (ja) * 1998-07-23 2004-02-16 名古屋大学長 プラズマ生成用高周波パワーの制御方法、およびプラズマ発生装置
JP4295855B2 (ja) 1998-10-29 2009-07-15 忠弘 大見 レーザ発振装置、露光装置及びデバイスの製造方法
JP2000312045A (ja) 1999-02-26 2000-11-07 Tadahiro Omi レーザ発振装置、露光装置及びデバイスの製造方法
JP3792089B2 (ja) * 2000-01-14 2006-06-28 シャープ株式会社 プラズマプロセス装置
JP2001203099A (ja) * 2000-01-20 2001-07-27 Yac Co Ltd プラズマ生成装置およびプラズマ処理装置
JP2001326216A (ja) * 2000-05-18 2001-11-22 Shibaura Mechatronics Corp プラズマ処理装置
JP3957135B2 (ja) 2000-10-13 2007-08-15 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
JP3650025B2 (ja) * 2000-12-04 2005-05-18 シャープ株式会社 プラズマプロセス装置
JP4583618B2 (ja) * 2001-01-30 2010-11-17 日本高周波株式会社 プラズマ処理装置
JP4017098B2 (ja) 2001-07-27 2007-12-05 芝浦メカトロニクス株式会社 プラズマ発生装置及びプラズマ処理装置
JP4732787B2 (ja) * 2005-04-26 2011-07-27 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
JP5213150B2 (ja) * 2005-08-12 2013-06-19 国立大学法人東北大学 プラズマ処理装置及びプラズマ処理装置を用いた製品の製造方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20040032744A (ko) * 2002-10-09 2004-04-17 가부시끼가이샤 에키쇼 센탄 기쥬츠 가이하쯔 센터 플라즈마 처리장치
JP2004235562A (ja) * 2003-01-31 2004-08-19 Shimadzu Corp プラズマ処理装置

Also Published As

Publication number Publication date
TW200733823A (en) 2007-09-01
US20070102403A1 (en) 2007-05-10
KR20070048617A (ko) 2007-05-09
JP2007128759A (ja) 2007-05-24
JP4703371B2 (ja) 2011-06-15
US7723637B2 (en) 2010-05-25
CN1972552A (zh) 2007-05-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100938041B1 (ko) 플라즈마 처리 장치
JP2007128759A5 (ko)
KR101560122B1 (ko) 표면파 플라즈마 처리 장치
US9101042B2 (en) Control of uniformity in a surface wave plasma source
US9252000B2 (en) Microwave waveguide apparatus, plasma processing apparatus and plasma processing method
KR100687057B1 (ko) 플라즈마 생성장치 및 플라즈마 처리장치
CN115692156A (zh) 使用模块化微波源的具有对称且不规则的形状的等离子体
KR20100068409A (ko) 마이크로파 가열 장치
US20110018651A1 (en) Power combiner and microwave introduction mechanism
CN110391125B (zh) 具有集成气体分配的模块化高频源
US7478609B2 (en) Plasma process apparatus and its processor
JP3677017B2 (ja) スロットアレイアンテナおよびプラズマ処理装置
US7311796B2 (en) Plasma processing apparatus
US8776720B2 (en) Linear-type microwave-excited plasma source using a slotted rectangular waveguide as the plasma exciter
KR20070119564A (ko) 플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 처리 방법
JP7043684B1 (ja) プラズマ処理装置
JP6991934B2 (ja) プラズマ処理装置
JP3574401B2 (ja) プラズマプロセス装置
JP2007028387A (ja) マイクロ波方向性結合器、プラズマ発生装置及びプラズマ処理装置
CN113454760A (zh) 等离子处理装置
TW202247240A (zh) 使用射頻(rf)及微波功率的電漿處理系統及方法
KR20230069553A (ko) 멀티 포트 sspa 소스 기반의 표면파 플라즈마 여기장치
US20210111003A1 (en) Plasma processing method and plasma processing apparatus
CN108243550B (zh) 线性电磁波等离子体源及使用其的等离子体处理装置
JP2009194173A (ja) マイクロ波プラズマ処理装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20121227

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20131218

Year of fee payment: 5

LAPS Lapse due to unpaid annual fee