KR100934534B1 - 티아졸계 유기 반도체 화합물 및 이를 이용한 유기박막트랜지스터 - Google Patents

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Abstract

티아졸을 이용하는 유기반도체 화합물을 제공한다. 또한 티아졸을 이용하는 유기 반도체 화합물을 유기 반도체 층에 사용하는 유기박막트랜지스터를 제공한다. 티아졸을 이용하는 신규한 유기반도체 화합물은 액정성을 가지며 열적안정성이 뛰어나므로 유기박막트랜지스터에서 유기반도체층에 제공된다. 이를 달성하기 위해 실리콘 기판 상에 실리콘 산화막을 형성하고, 실리콘 산화물 상에 티아졸을 포함하는 유기반도체층을 형성한다. 또한, 유기반도체층 상부의 양측 영역에는 소스 전극 및 드레인 전극을 형성한다. 유기반도체층을 사용한 유기박막트랜지스터는 개선된 점멸비를 가지고, 뛰어난 열적 안정성을 가진다. 또한, 용액 공정이 가능하다는 잇점이 있다.
유기 반도체, 티아졸, 유기 박막트랜지스터, 점멸비

Description

티아졸계 유기 반도체 화합물 및 이를 이용한 유기 박막트랜지스터{Thiazole based semiconduct compounds and organic thin film transistors there use of}
본 발명은 유기반도체 화합물 및 이를 이용한 유기 박막트랜지스에 관한 것으로, 구체적으로는 티아졸을 포함하는 유기반도체 화합물 및 이를 이용하여 용액공정이 가능하며, 점멸비가 개선된 유기박막트랜지스터에 관한 것이다.
유기 박막트랜지스터는 다수의 장점으로 인해 최근에 연구 및 개발이 활발히 이루어지고 있는 전자 소자이다. 특히, 유기 박막트랜지스터는 제작 공정이 간단하고 비용이 저렴하며 충격에 의해 깨지지 않고 구부리거나 접을 수 있는 가요성 전자회로기판에 용이하게 적용될 수 있다.
또한, 비정질 실리콘 및 폴리실리콘을 이용하는 기존의 박막트랜지스터에 비해 유기박막트랜지스터는 제조공정이 간단하고, 저비용으로 생산할 수 있으며, 다른 전자부품을 탑재한 기판들과 호환성이 뛰어나다는 점 등으로 인해 최근 많은 연구가 이루어지고 있다.
그러나, 유기 박막트랜지스터도 우수한 성능의 트랜지스터 소자가 되기 위해서는 점멸비 (on/off ration)와 전하이동도가 커야 한다는 과제를 안고 있다.
또한, 상기 유기 박막트랜지스터를 구성하는 유기반도체는 분자량에 따라 저분자와 고분자로 나눌 수 있다.
일반적으로 저분자는 정제가 용이하여 불순물을 거의 완벽하게 제거할 수 있으므로 전기적 특성이 우수하나, 스핀코팅 및 프린팅과 같은 용액공정이 불가능하여 고가의 진공장비를 통한 진공증착 방법으로 박막을 제조해야 하므로 비용이 많이 든다는 단점을 가지고 있다.
이에 반해, 고분자의 경우, 고순도의 정제가 어려워 불순물의 제거가 어렵다는 단점이 있으나, 내열성이 우수하고 스핀코팅 및 프린팅과 같은 용액공정이 가능하여 제조공정 비용이 저렴하고, 대량생산이 유리하다는 장점이 있다.
그러므로 이러한 저분자와 고분자의 장점을 동시에 갖는 유기반도체 화합물의 개발이 요청된다할 것이다.
상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 제1목적은, 점멸비가 개선되고, 열적 안정성이 뛰어나면서, 용액공정이 가능한 유기박막트랜지스터에 사용될 수 있는 유기반도체 화합물을 제공하는데 있다.
또한, 본 발명의 제 2 목적은, 상기 제 1목적의 달성에 의해 제공되는 유기반도체 화합물을 이용하는 유기박막트랜지스터의 제조방법을 제공하는데 있다.
또한, 본 발명의 제 3 목적은 상기 제 1의 목적을 달성에 의해 제공되는 유기반도체 화합물을 이용하는 유기박막트랜지스터를 제공하는데 있다.
상술한 제1목적을 달성하기 위해서, 본 발명은 하기의 화학식(1)로 표현되는 것을 특징으로 하는 티아졸 유기반도체 화합물을 제공한다.
[화학식 1]
Figure 112007086316320-pat00001
상기 화학식 1에서, R1, R2, R3, 및 R4는 수소, 탄소수 1 내지 25의 알킬기, 탄소수 1내지 25의 알콕시기, 탄소수 1 내지 25의 알킬기 및 알콕시기가 치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴기로 이루어진 군에서 선택된다.
상기 화학식 1에서 X 및 Y는
Figure 112007086316320-pat00002
중에서 서로 동일하거나 독립적으로 선택된 치환체 또는 치환체 그룹이며, 상기 식에서 Z1은 서로 독립적으로 수소, 하이드록시기, 메틸기, 카르보닐기, 아미노기, 탄소수 1~30의 알킬 아미노기, 탄소수 1~30의 아릴 아미노기, 시아노기, 할로겐 원자, 탄소수 2~30의 알킬기, 탄소수 3~30의 시클로알킬기, 탄소수 1~30의 알콕시기, 탄소수 6~30의 아릴기 및 탄소수 6~30의 아릴알킬기로 이루어진 군에서 선택된다.
R5, R6, R7, 및 R8 는 수소, 탄소수 1 내지 25의 에틸렌옥시드기, 탄소수 1 내지 25의 알킬기, 탄소수 1 내지 25의 플루오르화된 알킬기, 탄소수 1 내지 25의 알콕시기, 탄소수 1 내지 25의 알킬렌 옥시드기, 탄소수 1 내지 25의 폴리 디메틸실록산기, 탄소수 1내지 25의 알킬렌 술피드기 및 탄소수 1 내지 25의 에틸렌 술피드기로 이루어진 군에서 선택된다.
상술한 제2목적을 달성하기 위해서, 본 발명은 ⅰ) 실리콘 기판을 준비하는 단계와 ⅱ) 상기 실리콘 기판 상에 실리콘 산화물을 사용하여 절연층을 형성하는 단계와 ⅲ) 상기 절연층 상에 화학식 (1)을 사용하여 유기 반도체층을 형성하는 단계 및 ⅳ) 상기 유기 반도체층 상에 소스 전극과 드레인 전극을 형성하는 단계를 포함하는 유기박막트랜지스터를 제조하는 방법을 제공한다.
여기에서, 유기 반도체층을 형성하는 단계는 상기 화학식 (1)로 표현되는 물질을 고진공하 상태에서 증착하여 유기 반도체층을 형성하는 것을 특징으로 할 수 있다.
여기에서, 유기 반도체층을 형성하는 단계는 상기 화학식 (1)로 표현되는 물질을 용액에 녹인 후 코팅하여 유기 반도체층을 형성하는 것을 특징으로 할 수 있다.
상술한 제3목적을 달성하기 위해서, 본 발명은 실리콘 기판층과 상기 실리콘 기판층 상부의 실리콘 산화물을 사용한 절연층과 상기 절연층 상부의 화학식 (1)을 사용하는 유기 반도체층 및 상기 유기 반도체층 상부의 전극층을 포함하는 유기박 막트랜지스터의 소자를 제공하는데 있다.
여기에서, 상기 유기 반도체층은 상기 화학식 (1)로 표현되는 물질을 고진공하 상태에서 증착하여 형성된 것을 특징으로 할 수 있다.
여기에서, 유기 반도체층은 상기 화학식 (1)로 표현되는 물질을 용액에 녹인후 코팅하여 형성된 것을 특징으로 할 수 있다.
본 발명의 신규한 티아졸 유기반도체 화합물은 유기 박막트랜지스터에 사용하는 경우, 점멸비가 개선되고, 열적 안정성이 뛰어나면서, 용액공정이 가능한 유기박막트랜지스터를 얻을 수 있다.
본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다.
그러나, 이는 본 발명을 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.
그리고, 제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여, 본 발명의 바람직한 실시예를 보다 상세하게 설명하고자 한다. 이하, 도면상의 동일한 구성요소에 대해서는 동일한 참조부호를 사 용하고 동일한 구성요소에 대해서 중복된 설명은 생략한다. 이하의 실시예에는 단지 예시를 위한 목적을 갖는 것으로서, 본 발명의 권리범위를 한정하는 것이 아님을 유의하여야 한다.
본 발명에 따른 티아졸 유기반도체 화합물은 화학식(1)으로 표현되는 특징이 있다.
Figure 112007086316320-pat00003
상기 화학식 1에서, R1, R2, R3, 및 R4는 서로 동일하거나 상이하게 선택될 수 있고, 수소, 탄소 수 1 내지 25의 알킬기, 탄소 수 1내지 25의 알콕시기, 또는 탄소수 1 내지 25의 알킬기 및 알콕시기가 치환된 탄소 수 6 내지 30의 아릴기로 이루어진 군으로부터 선택될 수 있다.
상기 화학식 1에서 X 및 Y는
Figure 112007086316320-pat00004
중에서 서로 동일하거나 독립적으로 선택된 치환체 또는 치환체 그룹이며, 상기 식에서 Z1은 서로 독립적으로 일치환 또는 다치환된 치환기로써 수소, 하이드록시기, 치환 또는 비치환된 메틸기, 카르보닐기, 아미노기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1~30의 알킬 아미노기, 치환 또는 비치환된 탄소 수 1~30의 아릴 아미노기, 치환 또는 비치환된 헤테로아릴 아미노기, 시아노기, 할로겐 원자, 치환 또는 비치화된 탄소수 1~30의 알킬기, 치환 또는 비치화된 탄소수 3~30의 시클로알킬기 치환 또는 비치화된 탄소수 1~30의 알콕시기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6~30의 아릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6~30의 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 2~30의 헤테로아릴기 및 치환 또는 비치환된 탄소수 2~30의 헤테로고리기로 이 루어진 군에서 선택된다.
R5, R6, R7, 및 R8 서로에 관계없이 수소, 탄소수 1 내지 25의 에틸렌옥시드기, 탄소수 1 내지 25의 알킬기, 탄소수 1 내지 25의 플루오르화된 알킬기, 탄소수 1 내지 25의 알콕시기, 탄소수 1 내지 25의 알킬렌 옥시드기, 탄소수 1 내지 25의 폴리 디메틸실록산기, 탄소수 1내지 25의 알킬렌 술피드기 및 탄소수 1 내지 25의 에틸렌 술피드기로 이루어진 군에서 선택된다.
[제조예 1] 화학식 2의 합성
[화학식 2]
Figure 112007086316320-pat00005
[반응식 1]
Figure 112007086316320-pat00006
상기 반응식 1의 이용하여 화학식 2가 합성되었다. 화학식 2는 화학식 1의 일 실시예이다. 물질 (1)은 Aldrich 회사에서 판매하는 물질이다.
나트륨에 의해 건조된 THF 200 ml를 0 ℃로 낮추고 15. 18 ml (138 mmol) TiCl4를 잘 저어주면서 서서히 넣어주고, 15분 후에 18 g (276 mmol) Zinc를 넣어주고 1시간 동안 가열 교반하였다. 그 후 다시 0 ℃로 낮춰주고, 13 g (115.92 mmol)의 화합물 (1)을 건조된 THF 50 ml에 녹여 넣어주고, 3시간동안 가열 교반하였다. 교반 후 서서히 상온으로 내려주고, 얼음물 50 ml을 넣어 반응을 종료시킨 후, 가라앉은 물질을 필터하고, 이를 다시 싸이클론헥산을 통해 재결정하여 화합물 (2)을 얻었다. (수율 : 65 %)
0 ℃에서 DMF 14ml와 POCl3 1.5 ml (16.5 mmol)을 섞어 잘 교반해주고, 이를 0 ℃에서 DMF 40 ml에 녹인 2.74 g (14.25 mmol) 화합물 (2) 에 천천히 넣어주면서 교반하였다. 첨가 후, 상온으로 서서히 올리고 다시 50 ℃로 3시간 동안 교반 후, 1M NaOH 수용액 100 ml에 부어 중화하고 벤젠을 이용하여 추출하고 실리카 컬럼 장치를 이용하여 정제된 화합물 (3)을 얻었다. (수율 : 70.08 %)
화합물 (3) 2.20 g (10 mmol)과 dithiooxamide 0.541 g (4.5 mmol)을 1,2-dichlorobenzene 20 ml에 녹이고 이를 24시간 이상 교반가열하고 난 후, 상온으로 낮추고 에탄올 100 ml에 넣어 침전시키고 이를 필터하였다. 필터된 물질을 에탄올로 여러 번 세척하고, 실리카 컬럼장치를 통해 화학식 2의 화합물을 얻었다. (수율 : 22 %)
상기 화학식 2의 화합물의 구조는 도 1의 1H-NMR과 질량분석을 통해 확인하였다. 도 2의 합성된 화학식 2의 화합물의 열 중량분석 결과를 살펴보면, 합성된 화학식 2 화합물의 5 % 중량 감소는 302 ℃로 측정되었다. 이로서 합성된 화학식 2의 열적안정성이 우수함을 알 수 있다. 도 3의 시차 열량분석 결과를 살펴보면, 합성된 화학식 2의 화합물은 155 ℃와 240 ℃에서 각각 상전이점을 갖는 것으로 측정되었다. 이 시차 열량분석인 도 3 에서 2개의 상전이온도를 관찰함으로서 화합물 2가 액정성을 가진다는 것을 간접적으로 알 수 있다. 도 4의 화학식 2로 표시되는 유기반도체의 x-ray 결정 분석 그래프를 살펴보면, 5개의 피크를 가지는 것으로 화학식 2로 표시되는 유기반도체는 결정성를 가진다는 것을 알 수 있다.
본 발명에 따른 화학식 (1)을 유기 반도체 층에 사용하여 유기박막트랜지스터의 소자를 제조하는 방법은 실리콘 기판을 형성하는 단계와 실리콘 디옥사이드를 사용하여 절연층을 형성하는 단계와 화학식 (1)을 사용하여 유기반도체층을 형성하는 단계 및 소스 전극과 드레인 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 할 수 있다.
[제조예 2] 유기 박막트랜지스터의 제조
구체적으로는 화학식 (1)의 일실시예인 화학식 (2)를 유기 반도체 층에 사용하여 유기박막트랜지스터의 소자를 제조하는 방법에 관한 제조예이다.
먼저, 실리콘 기판(110)을 준비한다. 상기 실리콘 기판(110)은 n형임이 바람직하다. 또한, 구비된 n형 실리콘 기판은 이후에 형성되는 유기박막트랜지스터의 게이 트 전극으로 작용한다.
이어서, 상기 기판의 상부에 300 nm 두께로 열 성장시킨 실리콘 산화물을 사용하여 절연층(120)을 형성한다. 또한, 상기 절연층(120)은 열 성장 이외에도 다양한 방법을 사용하여 형성할 수 있다. 즉, 화학적 기상 증착, 물리적 기상 증착 또는 원자층 증착법을 사용하여 형성할 수도 있다.
계속해서, 화학식 2의 화합물을 진공증착하거나 클로로벤젠 등의 용액에 녹인 다음 스핀 코팅하여 50 nm 두께의 유기 반도체(130) 층을 형성한다.
마지막으로 금 30 nm를 기 형성된 유기 반도체 층(130) 위에 진공 증착함을 통해 소스와 드레인 전극(140)을 형성한다.
상술한 과정을 통해 제조된 유기박막트랜지스터를 반도체 특성 분석장비를 통해 도 5에 개시된 전기적 특성을 측정하였다. 도 5를 참조하면, 본 제조예의 유기박막트랜지스터는 점멸비(on/off ratio)가 106 이상의 우수한 특성을 나타냄을 알 수 있다.
도 6은 화학식 (1)로 나타내는 화합물을 유기 반도체 층에 사용하는 유기박막트랜지스터의 소자의 단면도이다.
도 6을 참고하면, 본 실시예의 유기박막트랜지스터는 실리콘 기판(110), 절연층(120), 유기 반도체층(130) 및 전극층(140)들로 구성된다.
게이트 전극의 역할을 수행하는 실리콘 기판(110) 상에는 절연층(120)이 형 성된다. 상기 절연층(120)은 실리콘 산화물로 형성되고, 상기 절연층(120) 상부에는 유기 반도체층(130)이 구비된다. 상기 유기 반도체층(130)은 상기 화학식 2로 표현되는 유기 화합물을 이용하여 형성된다. 또한, 상기 유기 반도체층(130)의 상부 측면에는 금속물로 이루어진 전극층(140)들이 형성된다. 형성된 전극층들은 소스 전극 및 드레인 전극으로 작용한다. 바람직하게는 상기 전극층들은 금을 포함한다. 그러나, 이외에도 유기 반도체층 상부에 적절한 방법을 사용하여 형성할 수 있는 도전체라면 다양한 물질들이 전극층으로 사용될 수 있음은 당업자에게 자명한 사항이라 할 것이다.
상기의 기판층(110)은 n-형 실리콘을 사용하며, 상기 기판층(110)에는 게이트 전극의 기능이 포함되어있다. 상기 절연층(120)은 상기 기판층(110)의 상부에 300 nm 두께로 열 성장시킨 실리콘 산화물로 구성되어 있다. 상기 유기 반도체층은(130)은 화학식(1)을 사용하며, 일실시예로 화학식 (2)의 화합물을 진공증착하거나 클로로벤젠 등의 용액에 녹인 다음 스핀 코팅하여 50 nm 두께의 유기 반도체 층을 형성한다. 상기 전극 형성층(140)은 금 30 nm를 유기 반도체 층 위에 진공 증착하여 소스와 드레인 전극을 형성한다.
도 1은 본 발명의 화학식 2로 표시되는 유기 반도체 화합물의 1H-NMR그래프이다.
도 2는 본 발명의 화학식 2로 표시되는 유기 반도체 화합물의 열 중량분석 곡선을 나타내는 그래프이다.
도 3은 본 발명의 화학식 2로 표시되는 유기 반도체 화합물의 시차열량분석 곡선을 나타내는 그래프이다.
도 4는 본 발명의 화학식 2로 표시되는 유기반도체의 x-ray 결정 분석 그래프이다.
도 5는 본 발명의 화학식 2를 유기 반도체 층으로 이용한 유기 박막트랜지스터 소자의 전기적 특성을 나타낸 그래프이다.
도 6은 화학식 1을 유기 반도체 층에 사용하는 유기박막트랜지스터의 소자의 도면이다.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 >
110: 기판층 120: 절연층
130: 유기 반도체층 140: 전극층

Claims (7)

  1. 화학식(1)로 표현되는 것을 특징으로 하는 티아졸 유기반도체 화합물.
    Figure 112009041860226-pat00007
    상기 화학식 1에서, R1, R2, R3, 및 R4는 수소, 탄소수 1 내지 25의 알킬기, 탄소수 1내지 25의 알콕시기, 탄소수 1 내지 25의 알킬기 및 알콕시기가 치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴기로 이루어진 군에서 선택된다.
    상기 화학식 1에서 X 및 Y는
    Figure 112009041860226-pat00008
    중에서 서로 동일하거나 독립적으로 선택된 치환체 또는 치환체 그룹이며, 상기 식에서 Z1은 서로 독립적으로 수소, 하이드록시기, 메틸기, 카르보닐기, 아미노기, 탄소수 1~30의 알킬 아미노기, 탄소수 1~30의 아릴 아미노기, 시아노기, 할로겐 원자, 탄소수 2~30의 알킬기, 탄소수 3~30의 시클로알킬기, 탄소수 1~30의 알콕시기, 탄소수 6~30의 아릴기 및 탄소수 6~30의 아릴알킬기로 이루어진 군에서 선택된다.
    R5, R6, R7, 및 R8 는 수소, 탄소수 1 내지 25의 에틸렌옥시드기, 탄소수 1 내지 25의 알킬기, 탄소수 1 내지 25의 플루오르화된 알킬기, 탄소수 1 내지 25의 알콕시기, 탄소수 1 내지 25의 알킬렌 옥시드기, 탄소수 1 내지 25의 폴리 디메틸실록산기, 탄소수 1내지 25의 알킬렌 술피드기 및 탄소수 1 내지 25의 에틸렌 술피드기로 이루어진 군에서 선택된다.
  2. ⅰ) 실리콘 기판을 준비하는 단계;
    ⅱ) 상기 실리콘 기판 상에 실리콘 산화물을 사용하여 절연층을 형성하는 단계;
    ⅲ) 상기 절연층 상에 화학식 (1)을 사용하여 유기 반도체층을 형성하는 단계; 및
    ⅳ) 상기 유기 반도체층 상에 소스 전극과 드레인 전극을 형성하는 단계를 포함하는 유기박막트랜지스터를 제조하는 방법.
    [화학식 1]
    Figure 112009041860226-pat00009
    상기 화학식 1에서, R1, R2, R3, 및 R4는 수소, 탄소수 1 내지 25의 알킬기, 탄소수 1내지 25의 알콕시기, 탄소수 1 내지 25의 알킬기 및 알콕시기가 치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴기로 이루어진 군에서 선택된다.
    상기 화학식 1에서 X 및 Y는
    Figure 112009041860226-pat00010
    중에서 서로 동일하거나 독립적으로 선택된 치환체 또는 치환체 그룹이며, 상기 식에서 Z1은 서로 독립적으로 수소, 하이드록시기, 메틸기, 카르보닐기, 아미노기, 탄소수 1~30의 알킬 아미노기, 탄소수 1~30의 아릴 아미노기, 시아노기, 할로겐 원자, 탄소수 2~30의 알킬기, 탄소수 3~30의 시클로알킬기, 탄소수 1~30의 알콕시기, 탄소수 6~30의 아릴기 및 탄소수 6~30의 아릴알킬기로 이루어진 군에서 선택된다.
    R5, R6, R7, 및 R8 는 수소, 탄소수 1 내지 25의 에틸렌옥시드기, 탄소수 1 내지 25의 알킬기, 탄소수 1 내지 25의 플루오르화된 알킬기, 탄소수 1 내지 25의 알콕시기, 탄소수 1 내지 25의 알킬렌 옥시드기, 탄소수 1 내지 25의 폴리 디메틸실록산기, 탄소수 1내지 25의 알킬렌 술피드기 및 탄소수 1 내지 25의 에틸렌 술피드기로 이루어진 군에서 선택된다.
  3. 제 2 항에 있어서, 상기 유기 반도체층을 형성하는 단계는 상기 화학식 (1)로 표현되는 물질을 고진공하 상태에서 증착하여 상기 유기 반도체층을 형성하는 것을 특징으로 하는 유기박막트랜지스터를 제조하는 방법.
  4. 제 2 항에 있어서, 상기 유기 반도체층을 형성하는 단계는 상기 화학식 (1)로 표현되는 물질을 용액에 녹인후 코팅하여 유기 반도체층을 형성하는 것을 특징으로 하는 유기박막트랜지스터를 제조하는 방법.
  5. 실리콘 기판층;
    상기 실리콘 기판층 상부의 실리콘 산화물을 사용한 절연층;
    상기 절연층 상부의 화학식 (1)을 사용하는 유기 반도체층; 및
    상기 유기 반도체층 상부의 전극층을 포함하는 유기박막트랜지스터.
    [화학식1]
    Figure 112009041860226-pat00011
    상기 화학식 1에서, R1, R2, R3, 및 R4는 수소, 탄소수 1 내지 25의 알킬기, 탄소수 1내지 25의 알콕시기, 탄소수 1 내지 25의 알킬기 및 알콕시기가 치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴기로 이루어진 군에서 선택된다.
    상기 화학식 1에서 X 및 Y는
    Figure 112009041860226-pat00012
    중에서 서로 동일하거나 독립적으로 선택된 치환체 또는 치환체 그룹이며, 상기 식에서 Z1은 서로 독립적으로 수소, 하이드록시기, 메틸기, 카르보닐기, 아미노기, 탄소수 1~30의 알킬 아미노기, 탄소수 1~30의 아릴 아미노기, 시아노기, 할로겐 원자, 탄소수 2~30의 알킬기, 탄소수 3~30의 시클로알킬기, 탄소수 1~30의 알콕시기, 탄소수 6~30의 아릴기 및 탄소수 6~30의 아릴알킬기로 이루어진 군에서 선택된다.
    R5, R6, R7, 및 R8 는 수소, 탄소수 1 내지 25의 에틸렌옥시드기, 탄소수 1 내지 25의 알킬기, 탄소수 1 내지 25의 플루오르화된 알킬기, 탄소수 1 내지 25의 알콕시기, 탄소수 1 내지 25의 알킬렌 옥시드기, 탄소수 1 내지 25의 폴리 디메틸실록산기, 탄소수 1내지 25의 알킬렌 술피드기 및 탄소수 1 내지 25의 에틸렌 술피드기로 이루어진 군에서 선택된다.
  6. 제 5 항에 있어서, 유기 반도체층은 상기 화학식 (1)로 표현되는 물질을 고진공하 상태에서 증착하여 형성된 것을 특징으로 하는 유기박막트랜지스터.
  7. 제 5 항에 있어서, 유기 반도체층은 상기 화학식 (1)로 표현되는 물질을 용액에 녹인후 코팅하여 형성된 것을 특징으로 유기박막트랜지스터.
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