JP4911522B2 - 液晶化合物およびこれを用いた薄膜トランジスター - Google Patents
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Description
現在、真空蒸着法によって作製したペンタセンなどの縮合多環芳香族化合物の多結晶薄膜を半導体層とする薄膜トランジスターが検討されている。
したがって、低コストの溶液プロセスで容易に欠陥密度の低い大面積均一薄膜を作製できる有機半導体材料が望まれている。
さらに、この化合物のクロロベンゼン溶液をスピンコートすることにより均一な薄膜形成が可能であり、塗布型の電界効果型トランジスターを作製できることを報告した(非特許文献4、5)。
すなわち、この出願によれば、以下の発明が提供される。
〈1〉下記一般式(1)で示される液晶化合物
(式中、R1は炭素数1〜12の直鎖アルキル基を、R2は炭素数1〜12のアルキル基又はアルコキシ基を、nは1〜3の整数を示す。)
〈2〉上記〈1〉に記載の液晶化合物からなる半導体層を含む薄膜トランジスター。
〈3〉上記〈1〉に記載の液晶化合物を有機溶媒に溶解し、基板に塗布する工程を含む薄膜トランジスターの作成方法。
R1が水素では液晶性がなく、またR1が13以上の炭素数の直鎖アルキル基の場合には溶解性が低下し製膜性が悪化するので好ましくない。
また、上記一般式(1)において、R2は炭素数1〜12の直鎖アルキル基、あるいはアルコキシ基を示す。具体的には、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基等が挙げられるが、特に、ヘキシル基が好ましい。
R2が水素では液晶性がなく、R2が13以上の炭素数の直鎖アルキル基の場合には溶解性が低下し製膜性が悪化する。
nは1〜3の整数である。nが4以上では、有機溶媒に対する溶解性が低下し、溶液プロセスによる製膜ができない。
このような薄膜を形成するには、このスメクティック液晶化合物をクロロベンゼンに溶解する。液晶化合物の濃度は、特に制限はないが0.6wt%程度とすることが望ましい。この溶液を基板たとえば、熱酸化膜(SiO2)つきシリコン基板にスピンコートして製膜することにより厚さが20から100nmの薄膜を得ることができる。偏光顕微鏡観察によれば、得られた薄膜は数百μm程度のサイズのドメインからなる薄膜である。このドメインサイズは、通常のペンタセンなどの分子性結晶の蒸着膜(通常、数μm)に比べて大きく、本発明に係るトランジスターのチャンネル長よりも大きい。
[1−ヘキシル−2,3,5,6−テトラフルオロベンゼンの合成]
1,2,4,5−テトラフルオロベンゼン7.51g(0.05mol)をテトラヒドロフランに溶解し−78℃に冷却する。n-ブチルリチウム(1.6M ヘキサン溶液)28ml(0.045mol)を10分かけて滴下し、攪拌しながら一時間かけて室温まで昇温する。室温で一時間攪拌した後、ブロモヘキサン7.48g (0.045mol)を5分かけて滴下する。室温で三時間攪拌した後、希塩酸を加えてエーテルで抽出し、エーテル層を硫酸ナトリウムで乾燥する。溶媒を留去した後、組成生物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーでヘキサンを展開溶媒として精製する。得られた無色の液体を減圧蒸留する。無色の液体6.81g(0.029mol)が得られる。沸点78−81℃(10mmHg)。収率58%。
[2-プロピル−5”−(4−ヘキシルテトラフルオロフェニル)ターチオフェンの合成]
2−ブロモ-5”-ヘキシルターチオフェン0.51g(1.2mmol)、1−ヘキシル−2,3,5,6−テトラフルオロベンゼン0.51g(2.15mmol)、酢酸パラジウム18.1mg(0.081mmol)、ジt-ブチルメチルホスホニウムテトラフルオロホウ酸塩46.3mg(0.18mmol)、炭酸カリウム0.55g(4mmol)をジメチルアセトアミド5mlに溶解し、130℃で二時間攪拌した。室温まで冷却した後、水を加え、ろ過した。得られた組成生物を加熱したヘキサンを展開溶媒として、シリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製した。この黄色結晶をヘキサンより再結晶したところ、黄色粉末0.45g (0.80mmol)が得られた。収率6%。
[2-プロピル−5”−(4−ヘキシルテトラフルオロフェニル)ターチオフェンの酸化電位(3-TTP-Ph4F-6)の評価]
実施例1で得た本化合物(3-TTP-Ph4F-6)のジクロロメタン溶液(0.1mM)に支持電解質として過塩素酸テトラブチルアンモニウム(0.01M)を加え、参照電極としてAg/Ag+電極を用いて三角波を印加して流れる電流を測定した(サイクリックボルタンメトリー)。その結果、図1に示すように、0.80Vに一電子酸化に対応する酸化波が現れた。電子吸引性のテトラフルオロフェニル基の代わりにフェニル基を有する2-プロピル−5”−(4−ヘキシルフェニル)ターチオフェン(3-TTP-Ph-5)の場合は、0.65Vに一電子酸化に対応する酸化波が現れることから、テトラフルオロフェニル基を導入することにより酸化電位が0.15V増大していることがわかった。
[液晶性薄膜の作製]
実施例1で得たスメクティック液晶化合物をクロロベンゼンに溶解した(濃度は0.6wt%)。この溶液を、あらかじめ、Hexamethyldisilazaneによって処理された熱酸化膜(SiO2、厚さ300nm)つきシリコン基板上にスピンコートした。回転速度は1500rpm、回転時間は25秒とした。その後、室温で5時間乾燥した。得られた薄膜の偏光顕微鏡写真を図2に示す。薄膜は数百μm程度の大きさのドメインからなっており、本発明で作製するトランジスターのチャンネル幅よりも十分に大きくなっていることがわかる。
[薄膜トランジスターの作製と評価]
実施例3で得た薄膜にシャドウマスクを介して金電極を蒸着する。蒸着速度は1 A/s、電極の厚さは60nmとした。得られた薄膜トランジスターの構成を図2に示す。図3に示されるように、この実施例3の薄膜トランジスターはSiO2/Si基板上に作製した液晶性半導体層の上に長さ5mm、幅0.2mmの金電極を20〜50μmの間隔でシャドーマスクを用いて真空蒸着し、ソース電極、および、ドレイン電極としたものである。
トランジスター特性はKethley digital source meterを用いて行った。図4(a)に大気中でトランジスターを駆動した場合のoutput特性を、図4(b)にtransfer特性を示す。ゲート電極に負電圧が印加された場合にソースドレイン電流が流れることから、本トランジスターがp型の特性を示していることがわかる。
また、酸化電位が大きくなっているため、大気中でのデバイスの安定性が向上した。その一方でISD-VSD特性では、界面での抵抗が増大している兆候は見られず、テトラフルオロフェニル基の導入によってソース、ドレイン電極からの電荷注入は阻害されていないことから、このテトラフルオロフェニル基は液晶性半導体の安定化に有効な置換基であることが示唆される。
また、上記p型と同様にして、n型動作をするトランジスターも同様に作製できる。
Claims (3)
- 下記一般式(1)で示される液晶化合物
(式中、R1は炭素数1〜12の直鎖アルキル基を、R2は炭素数1〜12のアルキル基又はアルコキシ基を、nは1〜3の整数を示す。) - 請求項1の液晶化合物からなる半導体層を含む薄膜トランジスター。
- 請求項1の液晶化合物を有機溶媒に溶解し、基板に塗布する工程を含む薄膜トランジスターの作成方法
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JP2007227544A JP4911522B2 (ja) | 2007-09-03 | 2007-09-03 | 液晶化合物およびこれを用いた薄膜トランジスター |
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