KR100905282B1 - 반도체 및/또는 전계발광 디스플레이 유기층 구조의생산을 위한 방법 및 장치 - Google Patents
반도체 및/또는 전계발광 디스플레이 유기층 구조의생산을 위한 방법 및 장치 Download PDFInfo
- Publication number
- KR100905282B1 KR100905282B1 KR1020037001959A KR20037001959A KR100905282B1 KR 100905282 B1 KR100905282 B1 KR 100905282B1 KR 1020037001959 A KR1020037001959 A KR 1020037001959A KR 20037001959 A KR20037001959 A KR 20037001959A KR 100905282 B1 KR100905282 B1 KR 100905282B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- organic
- substrate
- properties
- irradiation
- radiation
- Prior art date
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 28
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 57
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 title abstract description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 44
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 30
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims abstract description 21
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 claims abstract description 14
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims abstract description 10
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 claims abstract description 10
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 36
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 13
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 9
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Natural products CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 5
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 claims description 4
- 239000004922 lacquer Substances 0.000 claims description 4
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 3
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 3
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 claims description 3
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims description 3
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 claims description 3
- UHXOHPVVEHBKKT-UHFFFAOYSA-N 1-(2,2-diphenylethenyl)-4-[4-(2,2-diphenylethenyl)phenyl]benzene Chemical class C=1C=C(C=2C=CC(C=C(C=3C=CC=CC=3)C=3C=CC=CC=3)=CC=2)C=CC=1C=C(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 UHXOHPVVEHBKKT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical class ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 claims description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 2
- XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N copper(II) phthalocyanine Chemical class [Cu+2].C12=CC=CC=C2C(N=C2[N-]C(C3=CC=CC=C32)=N2)=NC1=NC([C]1C=CC=CC1=1)=NC=1N=C1[C]3C=CC=CC3=C2[N-]1 XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 claims description 2
- IIDFEIDMIKSJSV-UHFFFAOYSA-N dipropoxyphosphinothioyloxy-dipropoxy-sulfanylidene-$l^{5}-phosphane Chemical class CCCOP(=S)(OCCC)OP(=S)(OCCC)OCCC IIDFEIDMIKSJSV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 claims description 2
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 claims description 2
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 claims description 2
- 229910052761 rare earth metal Chemical class 0.000 claims description 2
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 claims description 2
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 claims description 2
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical class OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims 1
- 125000003944 tolyl group Chemical group 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 abstract description 35
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 abstract description 3
- 239000004480 active ingredient Substances 0.000 abstract description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 3
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000002745 absorbent Effects 0.000 description 2
- 239000002250 absorbent Substances 0.000 description 2
- 238000003491 array Methods 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 241000446313 Lamella Species 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 1
- 239000002775 capsule Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000008030 elimination Effects 0.000 description 1
- 238000003379 elimination reaction Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 230000009993 protective function Effects 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 150000003384 small molecules Chemical class 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/12—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
본 발명은 기판은 작은 비율의 유기 복합제를 함유하는 용액 또는 분산제로 피복되어 소정의 습식층 두께를 갖고, 상기 습식층은 상기 기판에 접착되고 상기 습식층 두께보다, 특히 1차수 크기 이상으로, 상당히 작은 건조층 두께를 가지는 건조에 의해 반도체 성질을 갖는 유기 박층으로 변환되는 전자회로, 특히, 논리 회로 및/또는 메모리 회로에 사용하기 위한 반도체 유기층 구조를 제조하는 방법으로서, 건조는 근적외선 범위, 특히 0.8㎛ 내지 1.5㎛ 범위에서 주요 유효성분을 가지는 전자기 복사의 짧은 조사에 의해 수행된다.
전계발광, 반도체 유기층, 근적외선
Description
본 발명은 특히, 청구항 1 및/또는 2의 전제부에 따른 반도체 및/또는 전계발광 디스플레이 유기 적층구조의 제조방법 및 이러한 방법을 수행하기 위한 장치에 관한 것이다.
전자장치용 전기광학 디스플레이 장치는 액정(LCD) 디스플레이의 형태로 현재 널리 구성되며, 상기 디스플레이 장치는 고도의 기술적 발달로 매우 경제적이고, 용이하게 제어될 수 있으며 또한 상당히 오랜 수명의 디스플레이 장치를 제공하기 위해 사용될 수 있다.
그러나, LCD 기술 이외에도, 이미 실제적인 응용이 발견된 전기광학 디스플레이를 실행하기 위한 다른 많은 원리가 있다. 이러한 장치들 중에, 진공 형광 디스플레이는 매우 비용이 저렴하므로 응용의 최소 요구범위내에서 상당한 역할을 한다. 다른 한편, 고품질의 플라즈마 디스플레이는 고품질 텔레비젼 세트와 같은 대형 장치와 관련한 시장의 상당 부분을 장악하였다. 그러나 더 작은 소형장치가 고려되는 곳에는 최소 화소치수가 물리적 및 기술적 이유로 요구되므로 소형장치의 해상도가 제한되다.
몇 년간 유기 전계발광 현상은 광범위한 응용을 갖는 새롭고, 경제적인 디스플레이 기술을 설계하기 위해 시도한 기술자들의 주목을 끌었다. 관련 성분은 종종 "유기" 발광다이오드(OLED)라고 한다. 현재 아주 많은 회사들이 이러한 디스플레이의 개발에 몰두하고 있으며, 예상수명에서의 상당한 증가와 함께 OLED의 광성질에 있어 상당한 개선이 달성되었다.
OLEDs는 도전성 투명 필름으로 피복된 기판 상에 지지되는 매우 얇은 층으로 - 또는 "다중층" OLEDs의 경우, 서로 중첩된 여러 개의 박층으로- 배열되어 있는 소위 "작은" 분자 또는 폴리머에 기초한다. 종래 개발 과정에서 전계발광 성질을 갖는 많은 기판들 및 다수의 성분구성과 가능한 기술적 실행들이 조사되었다.
첫째로, 분자 빔 에피텍시(molecular beam epitaxy)로 박층을 적용하는 것이 가능하다는 것을 증명하였다; 둘째로, 매우 작은 비율의 선택된 물질 또는 물질 복합제를 함유한 용액이나 분산제(dispersions)가 스피닝-온(spinning-on) 공정에 의해 도포되고 연이어 고체 유기박층을 생산하기 위해 건조될 수 있다. 양 공정에서, 생산되어진 디스플레이 소자의 만족할 만한 작동수명을 달성하기 위해, 물이나 수증기 접촉이 연이은 작동동안의 경우에서와 같이 엄격히 방지되어야만 한다. 따라서 기판은 엄격히 모든 물 흡수물질이 없어야만 하고 마감된 디스플레이 소자는 완전히 습기에 밀봉되어지도록 캡슐화되어야만 한다.
층을 구성하기 위해 실험실에서 사용되는 방법과 수행 공정은 고가이고 매우 비생산적이므로, 다른 디스플레이들에 대한 비용과 가격경쟁을 유지하면서 OLEDs를 제조하는 것이 종전에는 가능하지 않았다.
더욱이, 종전 작업과정에서 OLEDs에 있어 사용에 고려되어지는 다수의 유기 물질은 소정의 순도와 소정의 적층 배열에 사용될 때 뚜렷한 반도체 성질을 가지는 것으로 알게되어, 디스플레이와는 다른 목적으로 전자회로 - 특히 논리회로 및/또는 메모리 회로 - 에 사용될 수 있다는 것이 이론적으로는 가능한 것 같아 보였다. 그러나, 이러한 응용은 적층과 건조 공정 및 간섭 요인들의 배제에 대해 상당히 더 엄밀한 요구에 놓이게 된다.
따라서 본 발명의 목적은 전계발광 또는 반도체 성질을 갖는 유기 적층구조가 고생산성 및 저비용으로 제조되게 할 수 있는 이러한 포괄적 종류의 방법 및 방법의 실행 장치를 만드는 것이다.
본 목적의 방법론적인 양태는 청구항 1 내지 3에 제시된 특징부를 갖는 방법과 또한 - 본 발명의 기초를 이루고 있는 개념의 상대적으로 독립적인 명시에 따라 - 청구항 10에 제시된 특징부를 갖는 공정에 의해 주로 달성된다. 장치에 대해, 청구항 18에 제시된 특징부를 갖는 장치에 의해 목적이 달성된다.
본 발명은 반도체 또는 전계발광 성질을 갖는 유기 박층을 형성하기 위해 기판에 도포되는 유체층을 건조하기 위해, 적외선 영역, 특히 0.8㎛ 내지 1.5㎛ 사이의 파장영역에 있는 주요 유효성분의 전자기 복사를 이용하는 기초 개념을 포함한다. 상대적으로 독립해서, 근적외선 영역(NIR 복사)에 있는 상술한 복사는 기판으로부터 물 흡수물질을 제거 및/또는 기판의 포토리소그라피 구조에 적용되는 광민감성 층을 건조 및/또는 유기 박층(들)을 캡슐화하는데 사용되는 접착 물질에서의 가교를 포함하는 부속 공정을 위해 사용되는 개념을 또한 포함한다.
본 발명의 바람직한 실시예에 따르면, 용액이나 분산제는 특히 NIR 복사의 영향 하에 용이하게 휘발되는 유기용매로 제조된다. 이러한 조건은, 예를 들면, 공업용 톨루엔(toluol)에 의하여 충족되며, 상기 톨루엔은 또한 다른 고려에 대해서도 이 목적에 적합하다.
유기 박층을 위한 기판으로서 -적층 구조가 의도되는 특정 목적에 따라- 우선되어 지는 것은 얇은 세라믹 판이나 얇은(어떤 응용을 위해, 충분히 가요성이 있는) 유리판이다. 원리적으로 캐리어(carrier)가 습기의 확산에 대해 충분히 방지된다면 플라스틱 필름이나 판으로 또한 형성될 수 있다. 이러한 성질은, 필요하다면, 스퍼터링(sputtering)이나 유사한 수단에 의하여, 특수 습기확산 장벽의 적용으로 보장될 수 있다. 최종 형태의 기판은 만곡이나 가요성 디스플레이 소자, 즉, 다른 원리에 기초한 디스플레이로 용이하게 획득될 수 없는 기계적 성질을 갖는 소자를 생산하기 위해 사용될 수 있는 잇점을 제공한다.
유기 박층은 0.2% 내지 10%, 바람직하게는 0.5% 내지 3% 중량비의 유기 성분을 갖는 용액이나 분산제의 스피닝-온에 의해 유리하게 생산되어, 여전히 습기가 있는 동안 층의 두께는 1㎛ 내지 50㎛ 범위이고, NIR 복사에 의해, 건조후 10㎚ 에서 1㎛, 바람직하게는 50㎚ 에서 300㎚로 감소된다.(이들 범위는 일반적인 값으로 인용되며 제한하는 것으로 고려되는 것이 결코 아니다; 유기 반도체 구조 및 전계 발광 배열의 작동 방식에 대한 새로운 발견들이 상기 범위를 변경할 수 있다.)
유기 복합제는 박층에 반도체 및 전계발광 성질을 부여하는 폴리머나 작은 분자, 특히 가용성 알콕시페닐(alkoxyphenyl) PPV 시스템, TAD, MTDATA, Alq3, NPD, DCM, DPVBi, CuPc, OYC 및/또는 희토류 착체(complexes) 또는 다른 활성 화합물(compounds)을 포함한다. 이들 물질은 온도에 대하여 민감하기 때문에, 공정 동안 박층의 온도에 대한 적당한 제한이 필수적이다.
NIR 처리는 건조동안 요구되는 매우 짧은 시간 및 건조공정이 조사(照射) 수준을 제어함으로써 정확하게 조절될 수 있다는 사실로 인해 이 목적에 특히 적합하다. 보통 박층 온도는 100℃ 아래이어야 한다.
전계발광 성질을 갖는 유기층으로 제조된 반도체 유기 적층구조 또는 디스플레이 장치를 포함하는 전자회로 제조를 보조하기 위해 간략히 상술한 보조공정은 짧은 NIR 조사에 의해 (또는 표면이 도포된 박층과 접촉한 무엇이든지) 특히 기판면으로부터 수성 흡수체(aqueous absorbates)의 제거를 포함한다
이러한 회로나 디스플레이 소자의 제조에서 또 다른 중요한 보조공정은 잇점적으로 포토리소그라피 수단에 의한 표면적에 적절한 구조를 주는 것에 관련된다. 다시, 본 명세서 광민감성 락커(lacquer)의 건조 및/또는 열처리를 위한 NIR 복사의 사용이 유용하다.
다중층 OLED 구조의 생산은, 각 경우에 NIR 조사가 뒤따르는, 특히 여러 유체층의 연속 도포로 잘 수행되며, 각 유체층은 특정 유기 조성물을 가진다. 이러한 연이은 공정에서와 같이, 복사 매개변수는 처리되는 특정 층에 맞게 조절된다. 대부분 동일한 방식으로, 유기 반도체 재료의 다중 박층을 포함하는 회로구조를 구성하는 것이 또한 가능하다.
마지막으로, NIR 조사는 디스플레이 및/또는 전자회로 소자의 캡슐화에 사용되며, 상기 NIR 조사는 유기 박층들의 습기에 대한 민감성으로 인해 필수적이며; 이러한 조사는 접착제나 캡슐 재료(폴리머)가 생산적이고 경제적인 방식으로 건조되고 가교되게 한다.
모든 공정 단계에 대해 단일 건조설비가 사용될 수 있으므로, 작동에 거의 노력을 필요로하지 않는 비교적 간단한 장치의 일부를 상기 언급한 몇 가지 공정 단계와 조합한다면 특별한 잇점이 제공된다.
다양한 양태와 기술된 응용에 있어 상기 방법을 실행하는데 적합한 본 발명에 따른 장치는 기판의 표면 위에 배치되고 상기 기판을 향한 복사소스: 특히, 상승된 온도(특히 2500K 이상, 또는 보다 더 정확히 2900K 이상의 복사온도)에서 작동되는 할로겐 램프를 구비하며, 복사의 주요 유효성분은 근적외선 영역, 특히, 0.8㎛ 내지 1.5㎛ 파장영역에 있다. 복사소스는, 특히 실질적으로 직사각형인 복사영역을 생산하기 위해, 실질적으로 타원형이나 포물선형의 단면을 따르는 횡단면을 갖는 반사장치(reflector)를 구비하며, 상기 복사영역에 건조단계 동안 유체 박층을 갖는 기판이 놓여지거나, 상기 영역을 통해 기판이 수송된다.
유기 박층의 표면에 대한 전력밀도는 바람직하게 150㎾/㎡ 이상, 특히 500㎾/㎡ 이상이다.
사용되는 특정 복사장치의 복사전력에 따라 복사영역의 크기를 조절함으로써, 고려되는 기판의 크기에 따라, 한번에 기판의 전체 영역을 조사하거나 연이어 기판의 단면을 지나가는 것이 가능하다. 연이어 기판의 단면을 지나가는 경우에 복사장치는 복사소스가 기판위로 지나가게 하거나, 복사 영역으로 기판을 수송하게 하는 이동장치를 또한 구비한다. 그러나, 특히 축소된 전자회로 또는 상대적으로 작은 디스플레이와 같은 작은 기판의 경우에, 동시에 전체 표면을 조사하도록 고정장치를 이용하는 것이 더 적절할 수 있다.
NIR 조사의 건조효과는 유체층이나 기판의 표면 위로(특히 실질적으로 평행하게) 기류를 지나게 함으로써 바람직하게 향상되며, 상기 기류는 보호기능을 가질 뿐만 아니라 건조를 보조한다. 본 목적을 위해 사용되는 매우 순수한 불활성 가스는 부가적으로 유기 박층에 매우 민감한 공기와 습기를 배제함으로써 고수율을 보장한다.
상기 방법을 수행하는 바람직한 수단에 있어서, 조사 전 및/또는 조사 동안에 유체층 및/또는 기판의 적어도 하나의 물리적 매개변수로, 특히 온도 및/또는 습도 함량 및/또는 반사도 및/또는 굴절지수로, 측정이 이루어지고, 측정결과가 평가되며 조사를 제어하기 위해 사용된다. 이를 위해 조사장치는 유체층의 적어도 하나의 물리적 매개변수를, 특히 온도 및/또는 습도 함량 및/또는 반사도 및/또는 굴절지수를, 측정하기 위한 적어도 하나의 측정장치를 구비한다. 그런 후 조사는 - 특히 이러한 조절은 주로 사전에 측정된 값에 따라 복사 매개변수(또는 이러한 몇가지 매개변수)의 사전 셋팅을 포함할 때 - 측정된 값에 따라 "수동으로" 조절될 수 있다. 그러나, 본 방법의 바람직한 자동 실행에서, 조사제어장치는 적어도 간접적으로 측정장치에 연결되어 측정신호나 평가결과를 수신하는 방식의 적어도 하나의 제어 입력부를 구비하여, 이러한 신호 또는 결과에 기초하여 조사 매개변수가 조절될 수 있다.
조사 매개변수의 제어는 특히 복사장치의 온도(예를 들면 인가된 전압에 의해) 및/또는, 예를 들면, 복사장치 또는 반사장치를 처리되어지는 층으로부터 분리하는 거리를 변경함으로써 유효 복사전력(radiation power)의 제어를 포함한다. 부가적인 유용한 제어 가능성은 적절한 다이어그램이나 셔터장치, 또는 밴드나 컷오프 필터에 의한 NIR 복사를 부분적으로 스톱핑 다운(stopping down) 및/또는 필터링하는데 있다. 이런 방식으로 전반적인 복사 스펙트럼 성분, 특히 소정의 공정단계에 바람직하지 않은 성분, 또는 램프 반사장치의 복사영역의 소정 영역들이 제거될 수 있다.
기능성 유기 박층을 생성하기 위한 유체층의 NIR 조사의 경우에서와 같이, 상술한 보조공정들은 조사의 적절한 조절을 제공하도록 기판이나 광민감성 라커층 또는 접착층의 측정된 매개변수에 따라 조절될 수 있다는 점이 이해되어야 한다.
마지막으로, 상술한 공정 단계 순서를 조절하기 위한 시스템을 제공하는 것이 또한 가능하며, 상기 시스템은 기판 성질과 같은 외부 영향들이 비교적 폭넓게 (및 일부 경우에 예측불가능하게) 가변되어질 때 특히 유용할 수 있다.
본 발명의 실시예는 상술한 양태 및 공정 단계에 제한되지 않으며, 첨부된 청구항의 내용내에서 및 유기 반도체 및/또는 전계발광 구조의 제조와 연관된 부가 적인 양태와 다른 공정단계에 따라 마찬가지로 가능하다.
예를 들면, NIR 복사소스로서 상술한 할로겐 램프대신에, NIR 범위에 있는 빛을 방출하는 다이오드(NIR-LEDs) 또는 상기 제안된 방법과 본 발명에 따른 장치에서의 레이저 다이오드를 이용하는 것이 가능하다. 그런 후 이러한 NIR-LEDs 또는 NIR-레이저 다이오드는 - 특정 응용에 따라 - 요망되는 복사 영역의 형상에 맞춰진 형상을 갖는 개별적으로 또는 소그룹으로 또는 (바람직하게는) 다이오드 어레이로 제공된다. 이들 소자의 복사 성질은 반사장치와 직접적으로 연관될 필요는 없다는 것이다; 그러나, 특히, 카운터 반사장치(counter-reflectors)의 사용은 생산되는 물품의 흡수 성질에 따라 잇점적일 수 있다.
본 발명의 상세한 내용에 포함됨.
Claims (32)
- 기판은 0.2 중량% 내지 10 중량%의 비율로 유기 복합제를 함유하는 용액 또는 분산제로 피복되어 소정의 습식층 두께를 갖고, 상기 습식층은 건조에 의해 상기 기판에 접착되고 1차수 크기 이상으로 상기 습식층 두께보다 작은 건조층 두께를 가지는 반도체 성질 또는 전계발광 성질을 갖는 유기 박층으로 변환되는, 논리 회로 또는 메모리 회로인 전자회로, 또는 OLED 형태의 디스플레이 소자에 사용하기 위한 반도체 성질 또는 전계발광 성질을 갖는 유기 적층구조를 제조하는 방법으로서,건조는 0.8㎛ 내지 1.5㎛범위의 근적외선 범위의 전자기 복사의 조사에 의해 수행되며, 0.2 중량% 내지 10 중량%의 비율로 유기 복합제를 함유하는 용액 또는 분산제의 도포 전에, 0.8㎛ 내지 1.5㎛범위의 근적외선 범위의 전자기 복사의 조사에 의해 기판의 표면에서 수성 흡수체를 제거하는 것을 특징으로 하는 반도체 성질 또는 전계발광 성질을 갖는 유기 적층구조의 제조방법.
- 기판은 0.2 중량% 내지 10 중량%의 비율로 유기 복합제를 함유하는 용액 또는 분산제로 피복되어 소정의 습식층 두께를 갖고, 상기 습식층은 건조에 의해 상기 기판에 접착되고 1차수 크기 이상으로 상기 습식층 두께보다 작은 건조층 두께를 가지는 반도체 성질 또는 전계발광 성질을 갖는 유기 박층으로 변환되는, 논리 회로 또는 메모리 회로인 전자회로, 또는 OLED 형태의 디스플레이 소자에 사용하기 위한 반도체 성질 또는 전계발광 성질을 갖는 유기 적층구조를 제조하는 방법으로서,건조는 0.8㎛ 내지 1.5㎛범위의 근적외선 범위의 전자기 복사의 조사에 의해 수행되며, 0.2 중량% 내지 10 중량%의 비율로 유기 복합제를 함유하는 용액 또는 분산제의 도포 전에 포토리소그라피 수단에 의해 기판의 표면을 미리 구성하며, 0.8㎛ 내지 1.5㎛범위의 근적외선 범위의 전자기 복사의 조사에 의해 광민감성 라커를 건조 또는 열처리 중 적어도 하나를 수행하는 것을 특징으로 하는 반도체 성질 또는 전계발광 성질을 갖는 유기 적층구조의 제조방법.
- 기판은 0.2 중량% 내지 10 중량%의 비율로 유기 복합제를 함유하는 용액 또는 분산제로 피복되어 소정의 습식층 두께를 갖고, 상기 습식층은 건조에 의해 상기 기판에 접착되고 1차수 크기 이상으로 상기 습식층 두께보다 작은 건조층 두께를 가지는 반도체 성질 또는 전계발광 성질을 갖는 유기 박층으로 변환되는, 논리 회로 또는 메모리 회로인 전자회로, 또는 OLED 형태의 디스플레이 소자에 사용하기 위한 반도체 성질 또는 전계발광 성질을 갖는 유기 적층구조를 제조하는 방법으로서,건조는 0.8㎛ 내지 1.5㎛범위의 근적외선 범위의 전자기 복사의 조사에 의해 수행되며, 유기 적층구조는 캡슐화하기 위해 사용되는 접착재료의 건조 또는 열가교 중 적어도 하나가 0.8㎛ 내지 1.5㎛범위의 근적외선 범위의 전자기 복사의 조사에 의해 이루어지는 공정에 있어 모든 습기를 배제하기 위해 건조 후 즉시 캡슐화되는 것을 특징으로 하는 반도체 성질 또는 전계발광 성질을 갖는 유기 적층구조의 제조방법.
- 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,용액 또는 분산제는 근적외선 범위에 있는 전자기 복사의 영향하에 휘발성이 큰 유기 용매로 만들어지는 것을 특징으로 하는 반도체 성질 또는 전계발광 성질을 갖는 유기 적층구조의 제조방법.
- 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,사용되는 기판은 습기의 확산에 대한 장벽으로 피복되는 가요성인 세라믹 판, 유리판 또는 플라스틱 필름인 것을 특징으로 하는 반도체 성질 또는 전계발광 성질을 갖는 유기 적층구조의 제조방법.
- 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,유기 복합제의 비율이 0.5% 내지 3% 중량비이고, 습식층 두께는 1㎛ 내지 50㎛ 범위이며, 건조후 건조층 두께는 10㎚ 내지 1㎛ 사이의 범위인 것을 특징으로 하는 반도체 성질 또는 전계발광 성질을 갖는 유기 적층구조의 제조방법.
- 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,유기 복합제는 가용성 알콕시페닐-PPV 시스템, TAD, MTDATA, Alq3, NPD, DCM, DPVBi, CuPc, OXD 및 희토류 착체 중 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 성질 또는 전계발광 성질을 갖는 유기 적층구조의 제조방법.
- 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,에너지 밀도 또는 조사 지속시간의 조사 매개변수 중 적어도 하나의 조절에 의해 유체층에서의 온도가 100℃ 아래인 것을 특징으로 하는 반도체 성질 또는 전계발광 성질을 갖는 유기 적층구조의 제조방법.
- 삭제
- 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 따라 기판 상에 반도체 성질 또는 전계발광 성질을 갖는 유기 적층구조 중 적어도 하나를 제조하는 방법으로서,유기 적층구조는 몇 개의 유기 박층을 포함하고 개개의 유기 박층들의 건조는 0.8㎛ 내지 1.5㎛범위의 근적외선 범위의 전자기 복사의 연이은 조사에 의해 단계적으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 성질 또는 전계발광 성질을 갖는 유기 적층구조의 제조방법.
- 삭제
- 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,사용된 전자기 복사는 2500K 이상의 상승된 작동온도의 복사장치 온도에서 작동되는 할로겐 램프의 복사인 것을 특징으로 하는 반도체 성질 또는 전계발광 성질을 갖는 유기 적층구조의 제조방법.
- 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,보호 및 건조 기류가 유체층 위로 또는 기판 표면 위로, 평행으로 지나는 것을 특징으로 하는 반도체 성질 또는 전계발광 성질을 갖는 유기 적층구조의 제조방법.
- 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,복사 영역의 폭이 기판의 연관된 치수보다 더 작아서, 복사 영역이 기판을 지나가게 하도록 가이드되거나 기판이 복사영역을 통해 수송되도록, 복사의 조사가 직사각형 복사영역 상에 집속되는 것을 특징으로 하는 반도체 성질 또는 전계발광 성질을 갖는 유기 적층구조의 제조방법.
- 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,조사 전 또는 조사 동안 유체층 또는 기판 중 적어도 하나에 있어 온도, 습도 함량, 반사도 또는 굴절지수로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 적어도 하나매개변수가 측정되고 측정 결과가 평가되며 조사를 제어하기 위해 사용되는 것을 특징으로 하는 반도체 성질 또는 전계발광 성질을 갖는 유기 적층구조의 제조방법.
- 제 15 항에 있어서,상기 조사를 제어하기 위해 폐쇄제어회로를 이용하는 반도체 성질 또는 전계발광 성질을 갖는 유기 적층구조의 제조방법.
- 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,유기 박층의 구조에서 측정된 전력밀도가 150㎾/㎡ 이거나 이상인 것을 특징으로 하는 반도체 성질 또는 전계발광 성질을 갖는 유기 적층구조의 제조방법.
- 기판의 표면 위에 배치되고 조준되며, 0.8㎛ 내지 1.5㎛범위의 근적외선 범위의 전자기 복사소스를 필수적으로 포함하는 것을 특징으로 하는, 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 따른 방법을 실행하기 위한 장치.
- 제 18 항에 있어서,복사소스가 2500K 이상의 작동온도에서 작동되는 할로겐 램프를 구비하는 것을 특징으로 하는 장치.
- 제 18 항에 있어서,복사소스는, 직사각형 영역을 생성하기 위해, 타원형 또는 포물선형 단면의 횡단면 형상을 갖는 반사장치를 가지고, 기판 위로 상기 복사소스가 지나가는 이동을 생성하거나 기판을 복사영역을 통해 수송하기 위한 이동장치가 제공되는 것을 특징으로 하는 장치.
- 제 18 항에 있어서,반도체 웨이퍼의 표면에 평행하고 이에 따라 광민감성 라커층에 평행한, 불활성 가스의 보호 및 건조 기류를 생성하기 위한 기류 생성장치를 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
- 제 18 항에 있어서,일정하게 기설정된 조사 매개변수로, 기설정된 스펙트럼 성분과 복사의 전력밀도로, 유체층 상에 전자기 복사의 작동시간을 보장하기 위해 셔터장치를 구비하는 조사제어장치를 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
- 제 18 항에 있어서,유체층의 온도, 습도 함량 또는 굴절지수의 물리적 매개변수 중 적어도 하나를 검출하기 위한 적어도 하나의 측정장치를 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
- 제 22 항에 있어서,조사제어장치는 적어도 온도, 습도 함량, 반사도 또는 굴절 지수 중 적어도 하나를 측정할 수 있는 측정장치에 간접적으로 연결되어 측정 신호나 평가결과를 수신하는 방식으로 적어도 하나의 입력부를 구비하여 상기 측정 신호나 평가 결과를 기초로 복사 매개변수의 조절이 수행되는 것을 특징으로 하는 장치.
- 제 22 항에 있어서,조사가 폐쇄제어회로내에서 행해지게 하는 조절장치를 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
- 제 18 항에 있어서,복사소스로서 근적외선에서 방출되는 적어도 하나의 LED 또는 레이저 다이오드들의 배열이 제공되는 것을 특징으로 하는 장치.
- 제 6 항에 있어서,상기 유기 복합제의 비율이 0.5% 내지 3% 중량비인 것을 특징으로 하는 반도체 성질 또는 전계발광 성질을 갖는 유기 적층구조의 제조방법.
- 제 6 항에 있어서,상기 건조층 두께는 50nm 내지 300nm 사이의 범위인 것을 특징으로 하는 반도체 성질 또는 전계발광 성질을 갖는 유기 적층구조의 제조방법.
- 제 12 항에 있어서,복사는 상승된 2900K 이상의 복사장치 온도에서 작동되는 할로겐 램프의 복사인 것을 특징으로 하는 반도체 성질 또는 전계발광 성질을 갖는 유기 적층구조의 제조방법.
- 제 17 항에 있어서,상기 전력밀도가 500㎾/㎡ 이상인 것을 특징으로 하는 반도체 성질 또는 전계발광 성질을 갖는 유기 적층구조의 제조방법.
- 제 4 항에 있어서,용액 또는 분산제는 근적외선 범위에 있는 전자기 복사의 영향하에 휘발성이 큰 유기 용매는 톨루엔인 것을 특징으로 하는 반도체 성질 또는 전계발광 성질을 갖는 유기 적층구조의 제조방법.
- 제 18 항에 있어서,복사소스로서 근적외선에서 방출되는 기지정된 몇개의 LED 또는 레이저 다이오드들의 배열이 제공되는 것을 특징으로 하는 장치.
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE10038895A DE10038895B4 (de) | 2000-08-09 | 2000-08-09 | Verfahren und Verwendung einer Vorrichtung zur Herstellung eines halbleitenden und/oder Elektrolumineszenz zeigenden organischen Schichtaufbaus |
DE10038895.7 | 2000-08-09 | ||
PCT/EP2001/008491 WO2002013285A1 (de) | 2000-08-09 | 2001-07-23 | Verfahren und vorrichtung zur herstellung eines halbleitenden und/oder elektrolumineszenz zeigenden organischen schichtaufbaus |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20030051614A KR20030051614A (ko) | 2003-06-25 |
KR100905282B1 true KR100905282B1 (ko) | 2009-06-30 |
Family
ID=7651869
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020037001959A KR100905282B1 (ko) | 2000-08-09 | 2001-07-23 | 반도체 및/또는 전계발광 디스플레이 유기층 구조의생산을 위한 방법 및 장치 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7087453B2 (ko) |
EP (1) | EP1307932A1 (ko) |
KR (1) | KR100905282B1 (ko) |
AU (1) | AU2001270640A1 (ko) |
DE (1) | DE10038895B4 (ko) |
WO (1) | WO2002013285A1 (ko) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE10153445A1 (de) * | 2001-10-30 | 2003-05-22 | Covion Organic Semiconductors | Trocknungsverfahren |
JP2005215024A (ja) * | 2004-01-27 | 2005-08-11 | Fuji Photo Film Co Ltd | 乾燥装置及び乾燥方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4594266A (en) * | 1983-07-14 | 1986-06-10 | Cockerill Sambre S.A. | Process and an apparatus for baking an organic coating which has been applied to a substrate |
US5498761A (en) | 1988-10-11 | 1996-03-12 | Wessling; Bernhard | Process for producing thin layers of conductive polymers |
EP0930641A2 (en) * | 1998-01-19 | 1999-07-21 | Seiko Epson Corporation | Pattern formation method and substrate manufacturing apparatus |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61277958A (ja) * | 1985-05-31 | 1986-12-08 | Mita Ind Co Ltd | 有機感光体の乾燥方法 |
JPS6242152A (ja) * | 1985-08-15 | 1987-02-24 | Fuji Photo Film Co Ltd | 画像形成方法 |
US5154808A (en) * | 1987-06-26 | 1992-10-13 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Functional organic thin film and process for producing the same |
DE3725134A1 (de) * | 1987-07-29 | 1989-02-09 | Basf Ag | Flaechenfoermiges, mehrschichtiges, laseroptisches aufzeichnungsmaterial |
JPH0653132A (ja) * | 1992-07-31 | 1994-02-25 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 有機薄膜の製造方法及び有機薄膜作製装置 |
US5464480A (en) * | 1993-07-16 | 1995-11-07 | Legacy Systems, Inc. | Process and apparatus for the treatment of semiconductor wafers in a fluid |
US5700696A (en) * | 1993-11-08 | 1997-12-23 | Lucent Technologies Inc. | Method for preparation of conjugated arylene or heteroarylene vinylene polymer and device including same |
JP3463362B2 (ja) * | 1993-12-28 | 2003-11-05 | カシオ計算機株式会社 | 電界発光素子の製造方法および電界発光素子 |
US5709974A (en) * | 1996-09-27 | 1998-01-20 | Xerox Corporation | High speed electrophotographic imaging member |
JPH10261484A (ja) * | 1997-03-19 | 1998-09-29 | Minolta Co Ltd | 有機エレクトロルミネセンス素子およびその製造方法 |
EP1027723B1 (en) | 1997-10-14 | 2009-06-17 | Patterning Technologies Limited | Method of forming an electric capacitor |
US6087196A (en) * | 1998-01-30 | 2000-07-11 | The Trustees Of Princeton University | Fabrication of organic semiconductor devices using ink jet printing |
US5976744A (en) * | 1998-10-29 | 1999-11-02 | Xerox Corporation | Photoreceptor overcoatings containing hydroxy functionalized aromatic diamine, hydroxy functionalized triarylamine and crosslinked acrylated polyamide |
US6103436A (en) * | 1998-10-29 | 2000-08-15 | Xerox Corporation | Overcoated photoreceptors and methods of using overcoated photoreceptors |
DE19851703A1 (de) * | 1998-10-30 | 2000-05-04 | Inst Halbleiterphysik Gmbh | Verfahren zur Herstellung von elektronischen Strukturen |
DE10035430B4 (de) * | 2000-07-20 | 2005-06-16 | Advanced Photonics Technologies Ag | Verfahren und Vorrichtung zur thermischen Behandlung einer Fotolackschicht auf einem Schaltungssubstrat, insbesondere Halbleiterwafer |
-
2000
- 2000-08-09 DE DE10038895A patent/DE10038895B4/de not_active Expired - Fee Related
-
2001
- 2001-07-23 KR KR1020037001959A patent/KR100905282B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2001-07-23 US US10/344,259 patent/US7087453B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2001-07-23 WO PCT/EP2001/008491 patent/WO2002013285A1/de active Application Filing
- 2001-07-23 AU AU2001270640A patent/AU2001270640A1/en not_active Abandoned
- 2001-07-23 EP EP01949501A patent/EP1307932A1/de not_active Withdrawn
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4594266A (en) * | 1983-07-14 | 1986-06-10 | Cockerill Sambre S.A. | Process and an apparatus for baking an organic coating which has been applied to a substrate |
US5498761A (en) | 1988-10-11 | 1996-03-12 | Wessling; Bernhard | Process for producing thin layers of conductive polymers |
EP0930641A2 (en) * | 1998-01-19 | 1999-07-21 | Seiko Epson Corporation | Pattern formation method and substrate manufacturing apparatus |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
AU2001270640A1 (en) | 2002-02-18 |
US20040241901A1 (en) | 2004-12-02 |
DE10038895A1 (de) | 2002-02-28 |
EP1307932A1 (de) | 2003-05-07 |
KR20030051614A (ko) | 2003-06-25 |
US7087453B2 (en) | 2006-08-08 |
DE10038895B4 (de) | 2006-04-06 |
WO2002013285A1 (de) | 2002-02-14 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP7264488B2 (ja) | パターン化コーティングにわたって伝導性コーティングを選択的に堆積させるための方法および伝導性コーティングを含むデバイス | |
JP5603346B2 (ja) | 光共振器を備える有機発光ダイオードおよびその製造方法 | |
KR100952464B1 (ko) | 감습성 또는 산소-민감성인 유기발광 다이오드(oled)장치의 동일반응계 제조방법 | |
KR101182435B1 (ko) | 전도성 고분자 패턴막 및 이를 패터닝 하는 방법 그리고 이를 이용하는 유기전계 발광소자 및 그 제조방법 | |
US7338820B2 (en) | Laser patterning of encapsulated organic light emitting diodes | |
Wang et al. | A bright and stable violet carbon dot light‐emitting diode | |
JP2004527075A (ja) | 電気活性有機材料の熱画像形成方法および製品 | |
TW200301971A (en) | In-situ vacuum method for making OLED devices | |
TW201411898A (zh) | 沉積有機材料之方法 | |
KR20050039719A (ko) | Ir 및 nir 조사를 이용한 유기 반도체, 전도체 또는칼라 필터의 층의 건조 방법 | |
JPH04255692A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子のパターン化方法 | |
WO2020207100A1 (zh) | 有机电子器件封装中同时具有提高封装效率和检测封装效果的结构 | |
JP2009506200A (ja) | 薄膜層の作成方法 | |
WO2000010206A2 (en) | Optoelectronic component and manufacturing method | |
JP2011529250A (ja) | 照明装置及び方法 | |
Yang et al. | Visible‐Blind Deep Ultraviolet Photomultiplication Organic Photodetectors with Ultrahigh Gain for UVB and UVC Light Detection | |
Gegevičius et al. | High‐Speed, Sensitive Planar Perovskite Photodetector Based on Interdigitated Pt and Au Electrodes | |
KR100905282B1 (ko) | 반도체 및/또는 전계발광 디스플레이 유기층 구조의생산을 위한 방법 및 장치 | |
JP2003308977A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス発光装置とその製造方法 | |
Jan et al. | Flexible Blade‐Coated Optoelectronic Devices: Dual Functionality via Simultaneous Deposition | |
Bae et al. | Acid–Base Reaction-Assisted Quantum Dot Patterning via Ligand Engineering and Photolithography | |
JP2008532206A (ja) | 照射を使用するデバイスのパターニング | |
KR100636959B1 (ko) | 나노 결정-고분자 다층 박막의 제조 방법 및 이를 이용한유·무기 하이브리드 전기 발광 소자 | |
KR20130034473A (ko) | 유기발광다이오드 및 그의 제조방법 | |
US20030064324A1 (en) | Removal of organic layers from organic electronic devices |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E90F | Notification of reason for final refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20120622 Year of fee payment: 4 |
|
LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |