KR20050039719A - Ir 및 nir 조사를 이용한 유기 반도체, 전도체 또는칼라 필터의 층의 건조 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 유기 반도체, 유기 전도체 또는 유기 칼라 필터를 포함하는 박층의 건조 및/또는 후처리 방법에 관한 것이다. 상기 방법은 유기 발광 다이오드 (PLED), 유기 집적 회로 (O-IC), 유기 전계 트랜지스터 (OFET), 유기 박막 트랜지스터 (OTFT), 유기 태양 전지 (O-SC), 유기 레이저 다이오드 (O-레이저), 액정 디스플레이용 유기 칼라 필터 또는 유기 광수용체의 제조에 사용된다.

Description

IR 및 NIR 조사를 이용한 유기 반도체, 전도체 또는 칼라 필터의 층의 건조 방법{METHOD FOR DRYING LAYERS OF ORGANIC SEMICONDUCTORS, CONDUCTORS OR COLOR FILTERS USING IR AND NIR RADIATION}
본 발명은 유기 반도체, 유기 칼라 필터 또는 유기 전도체의 층의 건조 방법, 및 그에 의해 제조되는 상기 유기 반도체, 유기 칼라 필터 또는 유기 전도체의 층에 관한 것이다.
전자 산업에서 폭넓은 관점으로 분류될 수 있는 수많은 다양한 제품에 있어서, 활성 컴포넌트 (= 기능성 물질)로서 유기 반도체, 유기 칼라 필터 또는 유기 전도체의 층의 사용은 오래전부터 현실화되었거나, 가까운 미래에 현실화될 것으로 예상된다.
유기 기재 상의 전하 수성 물질 (일반적으로, 트리아릴아민 기재의 정공 수송체) 은 몇년 동안 복사기에서 사용되어 왔다. 특정한 반도체성 유기 화합물 (이들 중 일부는 또한 가시광선 영역의 광선을 또한 방출할 수 있다) 은 시장에 도입된 분야, 예를 들어 유기 및 중합체성 전계발광 장치에서 사용된다. 유기 집적 회로 (유기 IC) 및 유기 태양 전지와 같은 적용에 있어서의 유기 전하 수성층의 사용은, 적어도 연구 단계에서 매우 우수한 진전을 이미 나타내었고, 따라서 시장으로의 도입이 몇년 후에 예상될 수 있다.
또다른 실현수단의 수는 상당하지만, 유기 고체 레이저 다이오드 및 유기 광검출기의 예가 보여진 바와 같이, 이들은 종종 상술한 방법의 변형으로서 유일하게 간주된다.
이러한 현대적 적용의 일부와 함께, 발전이 이미 부분적으로 매우 상당히 진행되었지만, 적용 분야에 따라 기술적 개선에 대한 커다란 요구가 여전히 존재한다.
일반적으로, 상기 모든 장치는 유기 반도체 또는 유기 전도체의 박층을 사용한다.
여기에서, 박층은 층두께가 10 nm 내지 10 ㎛, 통상적으로는 1 ㎛ 미만의 범위에 놓인 것을 의미한다.
이러한 박층의 널리 보급된 제조 방법은, 적당한 유기 반도체 또는 유기 전도체의 용액 또는 분산액의 침착이다.
상기 침착은 다양한 방식으로 수행된다.
ㆍ 예를 들어 스퀴지(squeegee), 스핀 코팅, 메니커스 코팅, 침적 코팅, 에에어브러쉬 코팅 (스프레이 코팅) 및 이들로부터 변형된 기타 방법과 같은 전형적인 단순 코팅 방법이 적합하다.
ㆍ 예를 들어 오프셋 인쇄, 잉크젯 인쇄 (IJP), 전송 인쇄, 스크린 인쇄, 및 여기에서 상세히 언급하지 않은 기타 인쇄법과 같은 각종 방법이 원칙적으로는 고분해 침착법으로서 적당하다.
상기 모든 방법은 통상적으로 하기를 갖는다: 개별적인 유기 반도체 화합물 또는 유기 전도체 화합물의 용액 또는 분산액이 사용된다. 일반적으로, 활성 컴포넌트의 농도는 상대적으로 적으며, 통상적으로는 0.01 내지 20 중량% 이다.
이는, 침착 후에 습윤 필름 두께가 건조 습윤 필름의 고체 필름 두께 보다 수 배 초과 (종종 100 배 초과) 라는 것을 의미한다. 따라서, 건조시에 모든 용매의 제거를 또한 초래하는 효율적인 재현가능한 방법을 사용하는 것이 매우 중요하다.
일반적으로, 이런 극도로 중요한 공정은 지금까지 전혀 고려되지 않았다. 상기 용액 또는 분산액은 침착된 후, 이들을 잠시 동안 방치시킨 다음, 이어서 추가적인 처리 단계를 수행한다. 고비등 용매 (예를 들어, 테트랄린, 비점 206℃, 도데실 벤젠, 비점 > 300℃), 또는 또한 난휘발성 용매 (예컨대, 물)을 사용하는 경우, 부분적으로는 진공하에서의 가열 처리 공정이 종종 제안되거나 수행된다.
따라서, 상술한 고비등 용매에 관하여, EP-A-1083775 는, 예를 들어 건조가 부분적으로는 감압 (2 mbar) 하에 질소 대기 중에서 각각 1 내지 10 분 동안 100 내지 200℃ 의 범위에서 수행된다는 것을 보고한다. 여기서 언급된 특허출원에서는, PLED (중합체 LED) 에서의 사용을 위한, IJP 에 의해 제조된 유기 반도체 층이 기술되어 있다.
EP-A-991303 은, 예를 들어, 유기 전도체 필름 (여기에서: PEDOT, 폴리-티오펜 유도체, 이는 상품명 BAYTRON-PTM 하의 Bayer AG, Leverkusen 으로부터 수성 분산액으로 상업적으로 수득가능하다) 이 110℃ 에서 5 분간 가열처리함으로써 건조된다는 것을 보고한다.
이들 예는, 적당한 박막의 건조가 상대적으로 고비용이고 노동요구적이라는 것을 보여준다. 여기에서, 각각의 용매의 완전한 제거가 종종 각각의 적용을 위해 결정적으로 중요하다는 것을 유념하는 것이 중요하다 (또한 실시예 1 참조).
유기 반도체, 유기 칼라 필터 또는 유기 전도체의 박층의 건조를 위해 오늘날 일반적으로 사용되는 상술한 방법이 갖는 결점은 하기와 같다:
ㆍ 가열 플레이트를 통한 열 공급이 실험실 조작에서 수행되기는 용이할지라도, 산업적 가공에서는 상당한 문제를 일으킨다.
ㆍ 진공 가공은 항상 시간-집중적이고 고비용이다. 따라서, 산업적 가공에 있어서, 이들의 사용은 가능한한 제한된다.
ㆍ 매우 중요한 점은 시간 요구이다. 적당한 장치의 대량 제조방법 대부분은, 총 가공시간이 수분내의 범위에 존재할 경우에만, 경제적 토대로 단지 조작될 수 있다. 단지 하나의 단계 (일반적으로 매우 많은 단계 중 하나)로 건조만이 여기에서 수 분을 요구하는 경우, 이는 전체 기술이 사용될 수 없도록 할 수 있다.
따라서, 적당한 층의 개선된 건조방법을 개발하기 위한 분명한 요구가 존재한다. 독일 실용신안 명세서 DE 20020604 U1 은, 상기 또는 그와 유사한 층의 건조를 위한 장치를 제안하며, 이는 본질적으로는 IR 또는 NIR (IR = 적외선, 즉 700 nm 초과의 파장을 갖는 광선; NIR = 근적외선, 즉 약 700 내지 2000 nm 의 파장 및 약 0.6 내지 1.75 eV 의 에너지를 갖는 광선) 의 적용으로 구성된다. 이는 적당한 IR 또는 NIR 공급원을 가능한한 코팅 장치에 직접적으로 통합하는 방법을 기술한다. 또한, 첨가제 가스 유동의 가능성을 또한 논의한다.
그러나, 상기 실용신안 명세서에는, 실제 사용을 위한 실제적인 암시가 존재하지 않는다. 따라서, 시간 요구에 관한 정보가 제공되지 않는다. 또한, 불행히도, 임의의 추가적인 상세사항을 유추하는 것이 가능하지 않다. 석영 램프를 증가된 온도에서 사용하는 효과에 관한 상세한 설명에 기술된 정보는, 심지어 적용에 있어서 커다란 문제를 초래할 수 있다. 상기 램프는 IR 또는 NIR 부분 외에 상당한 양의 가시광선 또는 UV 광선을 조사하는 경우, 특히 정상압하에서 또는 매우 긴 주기에 걸처 작동을 수행시키는 경우, 이는 각각의 층을 심각하게 손상시킬 수 있다 (예를 들어 Synth. Met. 2000, 111-112, 553-557 참조). 따라서, 여기에서 기술된 장치는 대응하는 개선을 초래함에 있어 제한된 적합성만을 갖는다.
그러나, 놀랍게도, 기판 상으로의 코팅 또는 침착 후에, 유기 반도체 또는 유기 전도체의 습윤 필름을 적당한 IR 또는 NIR 조사로 처리하는 경우, 매우 양호한 건조 양상이 수득될 수 있음이 발견되었다. 습윤 필름의 완전한 건조는, 상기한 방식으로, 60 초 미만, 통상적으로는 30 초 미만, 종종 심지어는 10 초 미만, 대부분의 경우에는 1 초 미만, 일부 경우에는 0.1 초 미만으로 수행될 수 있다.
본원에서 완전한 건조는, 최종 고체 박막에 1% (질량에 관하여), 바람직하게는 0.1% 미만, 특히 바람직하게는 10 ppm 미만, 매우 특히 바람직하게는 1 ppm 미만의 용매가 함유되어 있는 것을 의미한다.
하기는 양호한 필름 형성, 및 건조 동안 바람직하지 못한 효과를 피하기 위해 중요하다:
ㆍ 단위 면적당 전달된 조사 플럭스(radiant flux) 는 기술된 단시간내에 완전한 건조가 실제적으로 성취되도록 충분히 높아야만 한다 (바람직하게는, 75 kW/㎡ 초과). 낮은 조사 강도는 긴 건조 시간을 초래한다.
ㆍ 가능한한 낮은 가시광선 (즉, 400 내지 700 nm 의 파장을 갖는 광선) 또는 UV 광선 (400 nm 미만의 파장을 갖는 광선) 이 방출되어야만 한다. 본 발명에 따르면, 80% 이상의 조사 에너지가 700 내지 2000 nm 의 범위로 전달되는 조사가 사용되고, 이것이 95% 초과라면 특히 바람직하고, 이것이 99% 초과라면 매우 특히 바람직하다. 적당한 램프 또는 IR 공급 장치가 이를 허용하지 않는다면, 적당한 필터에 의해서 더욱 짧은 파장을 제거하는 가능성이 물론 또한 존재한다.
따라서, 본 발명의 주제물은, 하기의 단계를 포함하며:
(a) 하나 이상의 유기 반도체 또는 유기 전도체 또는 유기 칼라 필터를 포함하는 용액 또는 분산액의 기판 상으로의 침착 단계,
(b) IR 및/또는 NIR 조사에 의해서 단계 (a) 에 따라 제조된 습윤 필름을 건조시키는 단계;
단계 (b) 에서, 80% 이상의 조사 에너지가 700 내지 2000 nm 의 범위내에 존재하는 조사가 사용되는 것을 특징으로 하는, 유기 반도체, 유기 전도체 또는 유기 칼라 필터의 박층의 제조 방법이다.
단계 (a) 에서의 용액 또는 분산액의 침착은, 임의의 방법에 따라 수행될 수 있다. 이의 예에는, 스핀 코팅, 스퀴지, 메니커스 코팅, 침적 코팅, 에어브러쉬 코팅뿐만 아니라, 오프셋 인쇄, 잉크젯 인쇄, 전송 인쇄 또는 스크린 인쇄, 및 또한 여기에서 상세히 언급하지 않은 기타 방법이 있다.
상응하는 조사 수행이 60 초 미만, 바람직하게는 30 초 미만, 특히 바람직하게는 10 초 미만, 매우 바람직하게는 1 초 미만, 상기를 통틀어 매우 특히 바람직하게는 0.1 초 미만인 것이 바람직하지만, 그럼에도 불구하고 이에 의해 완전한 건조가 성취된다. 따라서, 또한, 상응하는 조사가 75 kW/㎡ 초과, 바람직하게는 150 kW/㎡ 초과, 특히 바람직하게는 300 kW/㎡ 초과로 적용되는 것이 바람직하다.
상기에서 설명한 바와 같이, 바람직하게는 95% 이상, 특히 바람직하게는 99% 이상의 조사 에너지가 700 내지 2000 nm 범위의 파장을 갖는 광선에 의해 습윤 필름 층으로 도입되는 것이 또한 바람직하다.
더욱 바람직한 형태의 구현예에 의하면, IR/NIR 조사가 사용되고, 이의 파장은 700 초과 2000 nm 이하, 특히 바람직하게는 800 nm 내지 1500 nm 의 범위내에 존재한다.
상기 건조는 코팅 직후에 수행되는 것이 또한 바람직하고, 건조 장치는 최선으로는 코팅 장치에 통합된다.
건조 방법의 특정 구현예에 의하면, 건조가 코팅 동안에 수행되거나 이미 개시되는 것이 또한 바람직할 수 있다.
또한, 건조를 가속화시키는 기타 공정이 조사 수행 외에 사용되는 것이 또한 이로울 수 있다. 상기의 수행은, 총 건조 시간이 더욱 더 감소되고, 또한 필름 형태가 더욱 개선되도록 할 수 있으며, 이런 현상의 경우는 특별한 이론에 한정되지 않는다. 여기에서, 가능한 다른 방법에는, 온도의 간단한 증가, 기체 공간의 빠른 교환 (예를 들어, 질소 또는 아르곤과 같은 비활성 기체로), 또는 또한 주변압의 감소가 있다.
본 발명에 따른 방법은, 상술한 선행기술 보다 하기의 이점을 갖는다:
ㆍ 이는 상술한 층을 완전하게 건조시키기 위한 효율적이고 빠른 옵션을 제공한다.
ㆍ 이 방법은 비용 절약적으로 진행되며, 각각의 적용에 대해 매우 양호한 결과를 전달한다 (또한 실시예 3 내지 8 참조).
ㆍ 이 방법은, 잠재적으로 손상을 유발하는 광선 파장을 매우 큰 정도로 제거하기 때문에, 각각의 필름에 임의의 손상을 유발하지 않는다.
놀랍게도, 80% 이상의 조사 에너지가 700 내지 2000 nm 의 범위내에 존재하는 IR/NIR 조사에 의한, 통상적으로 이미 건조된 유기 반도체, 유기 전도체 또는 유기 칼라 필터의 층의 후처리의 결과로서, 이들의 적용 특성 면에서 추가의 이점이 발생한다는 것을 또한 발견하였다. 이들은, 특히 본 출원의 실시예 8 에 기술되어 있다. 상기 방법은, 또한 본 발명의 주제물이다.
따라서, 본 발명의 다른 주제물은, 80% 이상의 조사 에너지가 700 내지 2000 nm 의 범위내에 존재하는 IR/NIR 조사에 의한, 통상적으로 이미 건조된 유기 반도체, 유기 전도체 또는 유기 칼라 필터의 층의 후처리이다. 여기에서 사용된 용어들은 상기 설명과 유사하게 정의된다. 상기 바람직한 범위가 또한 이 후처리 방법에 적용된다.
건조 방법 (또한 실시예 3 내지 7 참조) 및 후처리 방법 (실시예 8 참조) 모두에 의해 수득되는 코팅은, 통상적으로 건조된 층과 비교하여 이들의 형태 면에서 현저한 이점을 나타내고, 이런 현상의 경우는 특정한 이론에 한정되지 않는다. 따라서, 이러한 층들은 신규하고, 따라서 또한 본 발명의 주제물이다.
본 발명의 주제물은 또한, 본 발명에 따른 두 가지 방법 중 하나에 의해서 건조되고/거나 후처리됨을 특징으로 하는 유기 반도체, 유기 칼라 필터 및 유기 전도체의 층에 관한 것이다.
본 발명에 따른 상술한 층은 적당한 소자, 예컨대 중합체성 유기 발광 다이오드 (PLED), 유기 집적 회로 (O-IC), 유기 전계 트랜지스터 (OFET), 유기 박막 트랜지스터 (OTFT), 유기 태양 전지 (O-SC), 유기 레이저 다이오드 (O-레이저), 액정 디스플레이용 유기 칼라 필터 또는 유기 광수용체에 유용하다. 상술한 형태가 통상적인 건조 층 보다 현저한 이점을 나타내기 때문에, 본 발명에 따른 층을 포함하는 적당한 소자가 또한 본 발명의 다른 주제물이다.
따라서, 본 발명의 주제물은, 본 발명에 따른 층을 포함하는 것을 특징으로 하는, 중합체성 유기 발광 다이오드 (PLED), 유기 집적 회로 (O-IC), 유기 전계 트랜지스터 (OFET), 유기 박막 트랜지스터 (OTFT), 유기 태양 전지 (O-SC), 유기 레이저 다이오드 (O-레이저) 또는 유기 광수용체에 관한 것이다.
본 발명에 따른 방법은, 유기 반도체, 유기 칼라 필터 또는 유기 전도체의 커다란 복수 층의 제조를 위해 사용될 수 있다.
유기 반도체는, 예를 들어 하기에 기술된 것들이다:
본 발명의 의미내의 유기 반도체는, 일반적으로, 고체, 더욱 정확하게는 고체화된 층으로서 반전도 특성을 나타내는, 즉 전도 밴드와 원자가 밴드 사이의 에너지 갭 (gap) 이 0.1 내지 4 eV 사이에 존재하는 유기 또는 유기금속 화합물이다.
한편, 유기 반도체는, 하기를 기재로 하는 저분자량 유기 반도체이다: 트리아릴아민 (Proc. SPIE-Int. Soc. Opt. Eng. 1997, 3148, 306-312), 알루미늄-트리스-(8-히드록시-퀴놀린) (Appl. Phys. Lett. 2000, 76(1), 115-117), 펜타센 (Science 2000, 287(5455), 1022-1023), 올리고머 (Opt. Mater. 1999, 12(2/3), 301-305), 기타 축합 방향족 계 (Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 2000, 598, BB9.5/1-BB9.5/6), 및 예를 들어 문헌 [J. Mater. Chem. 2000, 10(7), 1471-1507 und Handb. Adv. Electron. Phoptonic Mater. Device 2001, 10, 1-51] 에 기재된 것과 같은 기타 화합물. 이들은 단독으로, 또는 적당한 매트릭스 물질, 예컨대 폴리스티렌 (PS) 또는 폴리카보네이트 (PC) 중에서 또한 사용될 수 있다. 상기에서 기술된 저분자량 반도체는 인용에 의한 본 상세한 설명의 구성 부분이다.
그러나, 또한 바람직하게는, 중합체성 유기 또는 유기금속 반도체가 사용된다. 본 상세한 설명의 의미내의 중합체성 유기 반도체는, 특히 하기인 것으로 이해된다:
(i) 유기 용매에 가용성인 치환된 폴리-p-아릴렌-비닐렌 (PAV) (EP-A-0443861, WO 94/20589, WO 98/27136, EP-A-1025183, WO 99/24526, DE-A-19953806 및 EP-A-0964045 에 개시됨),
(ii) 유기 용매에 가용성인 치환된 폴리-플루오렌 (PF) (EP-A-0842208, WO 00/22027, WO 00/22026, DE-A-19981010, WO 00/46321, WO 99/54385, WO 00/55927 에 개시됨),
(iii) 유기 용매에 가용성인 치환된 폴리-스피로비플루오렌 (PSF) (EP-A-0707020, WO 96/17036, WO 97/20877, WO 97/31048, WO 97/39045 에 개시됨),
(iv) 유기 용매에 가용성인 치환된 폴리-파라페닐렌 (PPP) (WO 92/18552, WO 95/07955, EP-A-0690086, EP-A-0699699 에 개시됨),
(v) 유기 용매에 가용성인 치환된 폴리티오펜 (PT) (EP-A-1028136, WO 95/05937 에 개시됨),
(vi) 유기 용매에 가용성인 폴리피리딘 (PPy) (T. Yamamoto 등, J. Am. Chem. Soc. 1994, 116, 4832 에 개시됨),
(vii) 유기 용매에 가용성인 폴리피롤 (V. Gelling 등, Polym. Prepr. 2000, 41, 1770 에 개시됨),
(viii) 분류 (i) 내지 (vii) 중 둘 이상의 구조 단위를 갖는, 치환된 가용성 공중합체,
(ix) 유기 용매에 가용성은 공액 중합체 (Proc. of ICSM '98, Part I&II (in: Synth. Met. 1999, 101 + 102) 에 기새됨),
(x) 치환 및 비치환 폴리비닐-카르바졸 (PVK) (예를 들어 R.C. Penwell 등, J. Polym. Sci. Macromol. Rev. 1978, 13, 63-160 에 개시됨),
(xi) 치환 및 비치환 트리아릴아민 중합체, 예컨대 바람직하게는 JP 2000-072722 에 개시된 것들,
(xii) Suzuki 등 [Polym. Adv. Technol. 2000, 11(8-12), 460-467] 및 Hoshino 등 [J. Appl. Phys. 2000, 87(4), 1968-1973] 에 의해 기술된 폴리실란.
이들 중합체성 유기 반도체는, 인용에 의한 본 발명의 구성 부분이다.
중합체성 유기금속 반도체는, 예를 들어 출원 문헌 DE 10114477.6 (공보 조사시 공개되지 않음) 에 기술되어 있다 (예를 들어, 중합체로 중합된 유기금속 착물).
본 발명에 따라 사용되는 중합체성 유기 반도체는, 상술한 바와 같이, 도핑될 수 있고/거나 서로간의 배합물로서 사용될 수 있다. 여기에서, 도핑은, 하나 이상의 저분자량 물질이 중합체로 혼합됨을 의미하는 것으로 의도되며; 배합물은 반드시 모두가 반전도 특성을 나타낼 필요가 없는 하나 초과의 중합체의 혼합물이다.
유기 전도체는, 전도 밴드 중의 전자 상태가 단지 부분적으로 전자로 채워진다는 점으로 기술될 수 있다. 비전도성 σ가 10-8 Scm-1 이상인 경우, 하기의 유기 전도체가 언급될 것이다.
본 발명에 따른 방법에 있어서, 상술한 유기 반도체 또는 유기 전도체는, 우선, 용액 또는 분산액으로부터 기판 상으로 침착되어야만 한다.
상기 용액 또는 분산액은, 예를 들어 상술한 유기 반도체 또는 유기 전도체, 및 임의로는 추가의 첨가제로 이루어진다.
사용될 수 있는 용매의 예는 다양하다:
유기 전도체 또는 유기 반도체에 대해서, 방향족 용매, 예컨대 치환된 벤젠 (예컨대, 톨루엔, 아니솔, 크실렌), 헤테로방향족 (예컨대, 피리딘 및 단순 유도체), 에테르 (예컨대, 디옥산) 및 기타 유기 용매가 종종 사용된다.
특히 중합체성 반도체의 용액을 위한 용매는, 각종 특허출원에 이미 기술되어 있다.
ㆍ 이를테면, 200℃ 이상의 바람직한 비점을 갖는 고비등 방향족 용매는, 특히 EP-A-1083775 에 제안되어 있고, 이는 하기의 특징을 갖는다: 이는 측쇄 또는 사슬 내에 3 개 이상의 C-원자를 갖는 벤젠 유도체에 관한 것이다. 테트랄린, 시클로헥실-벤젠, 도데실벤젠 등과 같은 용매가 기술된 출원에서 바람직한 것으로 언급된다.
ㆍ 이와 유사한 것으로, EP-A-1103590 은, 일반적으로, 500 Pa (5 mbar) 미만, 바람직하게는 250 Pa (2.5 mbar) 미만의 증기압 (코팅 공정의 온도에서) 을 갖는 용매를 언급하고, 또한 다시 주요 (고차) 치환된 방향족 물질의 용매 또는 용매 혼합물을 기술한다.
ㆍ 한편, 출원 문헌 DE 10111633.0 (공보 조사시 공개되지 않음) 에서는, 둘 이상의 상이한 용매 (이들 중 하나는 140 내지 200℃ 에서 비등한다) 로 이루어진 용매 혼합물을 언급한다. 여기에서는, 크실렌, 치환된 크실렌, 아니솔, 치환된 아니솔, 벤조니트릴, 치환된 벤조니트릴, 또는 또한 헤테로시클렌 (예컨대, 루티딘 또는 모르폴린) 과 같은 유기 용매를 주로 함유하는 용매 혼합물이 또한 언급되어 있다.
예를 들어, 이는 후술되는 그룹 A 의 용매와 그룹 B 의 용매의 혼합물일 수 있다.
그룹 A:
o-자일렌, 2,6-루티딘, 2-플루오르-m-자일렌, 3-플루오르-o-자일렌, 2-클로르벤조트리플루오라이드, 디메틸 포름아미드, 2-클로르-6-플루오르톨루엔, 2-플루오르아니솔, 아니솔, 2,3-디메틸피라진, 4-플루오르아니솔, 3-플루오르아니솔, 3-트리플루오르메틸아니솔, 2-메틸아니솔, 페네톨, 4-메틸아니솔, 3-메틸아니솔, 4-플루오르-3-메틸아니솔, 2-플루오르벤조니트릴, 4-플루오르-베라트롤, 2,6-디메틸아니솔, 3-플루오르벤조니트릴, 2,5-디메틸아니솔, 2,4-디메틸아니솔, 벤조니트릴, 3,5-디메틸아니솔, N,N-디메틸아닐린, 1-플루오르-3,5-디메톡시 벤젠 또는 N-메틸 피롤리디논.
그룹 B:
3-플루오르-벤조트리플루오라이드, 벤조트리플루오라이드, 디옥산, 트리플루오르메톡시 벤젠, 4-플루오르-벤조트리플루오라이드, 3-플루오르-피리딘, 톨루엔, 2-플루오르-톨루엔, 2-플루오르-벤조트리플루오라이드, 3-플루오르-톨루엔, 피리딘, 4-플루오르-톨루엔, 2,5-디플루오르-톨루엔, 1-클로르-2,4-디플루오르벤젠, 2-플루오르-피리딘, 3-클로르플루오르벤젠, 1-클로르-2,5-디플루오르벤젠, 4-클로르플루오르벤젠, 클로르벤젠, 2-클로르플루오르벤젠, p-크실렌 또는 m-크실렌.
ㆍ 출원 문헌 DE 10135640.4 (또한 공보 조사시 아직 공개되지 않음) 에서는, 상술한 것과 유사한 용매가 사용되지만, 중합체성 반도체 및 용매와는 별도로, 추가의 첨가제, 바람직하게는 실록산 함유 첨가제가 또한 사용된다.
또한, 용매 또는 분산제로서 물은 또한, 엄밀하게는 유기 전도체를 위해 고려된다. 또한, 일반적으로는, 다른 강한 극성 유기 용매, 예컨대 DMF, NMP, 글리콜 및 이의 에테르/에스테르 유도체, DMSO, DMAc, 알콜, 카르복실산, 크레졸 등, 및 이들의 혼합물이 엄밀하게는 유기 전도체를 사용될 수 있다.
본 발명에 따른 층은, 예를 들어 상술한 용매 또는 이의 혼합물을 포함하고, 예를 들어 상술한 유기 반도체 또는 유기 전도체를 포함하는 용액 또는 분산액의 사용에 의해 제조될 수 있다.
이미 상술한 바와 같이, 예를 들어 하기의 방법을 사용하여 제조를 수행할 수 있다:
ㆍ 스핀 코팅: 예를 들어 유기 반도체 층 및/또는 유기 전도체 층의 제조를 위한 이 방법은, PLED 에서의 사용을 위한 경우에는 EP 423283 에, 유기 태양 전지에서의 사용을 위한 경우에는 Sol. Energy Mater. Sol. Cells 2000, 61(1), 63-72 에, OFET 에서의 사용을 위한 경우에는 Synth. Met. 1997, 89(3), 193-197 에, 그리고 다른 사용을 위한 경우에는 Solid State Technol. 1987, 30(6) 67-71 에 기재되어 있다.
ㆍ 잉크젯 인쇄: 예를 들어 유기 반도체 층 및/또는 유기 전도체 층의 제조를 위한 이 방법은, PLED 에서의 사용을 위한 경우에는 EP-A-880303 및 Appl. Phys. Lett. 1998, 73(18), 2561-2563 에, 유기 트랜지스터에서의 사용을 위한 경우에는 Science 2000, 5499, 2123-2125 에 기재되어 있다. 칼라 필터의 제조를 위한 이 방법은 JP 11072614, JP 2000187111 및 JP 2001108819 에 기재되어 있다.
ㆍ 스크린 인쇄: 예를 들어 유기 반도체 층 및/또는 유기 전도체 층의 제조를 위한 이 방법은, PLED 에서의 사용을 위한 경우에는 Appl. Phys. Lett. 2001, 78(24), 3905-3907 에 기재되어 있다.
ㆍ 미세-접촉 인쇄: 예를 들어 유기 반도체 층 및/또는 유기 전도체 층의 제조를 위한 이 방법은, PLED 에서의 사용을 위한 경우에는 Polym. Prepr. 1999, 40(2), 1248-1249 에 기재되어 있다.
본 발명에 따른 방법 (건조) 은, 각각의 층 (습윤 필름) 을 침착한 후에 조사의 작용을 개시한다는 사실로 구성된다. 바람직하게는, 이는 습윤 필름의 침착 후 60 초내에, 바람직하게는 30 초내에, 특히 바람직하게는 10 초내에, 매우 특히 바람직하게는 1 초내에, 상기를 통틀어 매우 특히 바람직하게는 0.1 초 내에, 가능한한 바로 수행된다. 건조 방법의 또다른 형태의 구현예에 의하면, 습윤 필름의 건조는 코팅 동안에 이미 시작된다.
본 발명에 따른 건조는 하기와 같이 수행될 수 있다: 층 침착 후에, 코팅된 기판을 조사기 밑에 위치시킨다. 건조의 특정 구현예에 의하면, 조사기는 코팅 장치에 통합되어, 건조가 코팅 동안이 이미 개시될 수 있다. 상기 조사기는, 700 nm 내지 1500 nm 의 파장을 갖는 조사가 방사된다는 사실을 특징으로 한다.
비(非)간섭 조사 공급원 또는 간섭 조사 공급원이 조사 공급원으로서 사용될 수 있다. 비간섭 조사 공급원으로서, 예를 들어 수은 램프, 할로겐 램프, 기체 방전 램프 또는 크세논 램프가 사용될 수 있다. 상기 조사 공급원은, 예를 들어 문헌 [Lehrbuch der Experimentalphysik, Vol. III: Optik, H. Gobrecht 에 의해서 공개, 1987, 제 8 판 (Walter de Gruyter)] 에 기재되어 있다. 기체 레이저, 반도체 레이저 또는 고체상 레이저는 간섭 조사 공급원으로서 사용될 수 있다. 이러한 조사 공급원은 예를 들어 문헌 [Laser, J. Eichler 및 H. J. Eichler, 1991 (Spring Verlag)] 에 기재되어 있다. 상기 조사 공급원은, 바람직하게는, 근적외선 및 적외선을 투과시키지만 가시광선 및 UV 영역의 조사는 차단하는 하우징 (housing) 을 갖는다. 그리하여 램프 하우징에서 흡수된 파워는, 적당한 냉각에 의해서 전도될 수 있다. 조사 공급원은 또한 상술한 파워 밀도가 조사 공급원의 적절한 존속기간을 이용하여 성취될 수 있다는 것을 특징으로 한다.
75 kW/㎡ 초과, 특히 바람직하게는 150 kW/㎡ 초과, 상기를 통틀어 바람직하게는 300 kW/㎡ 초과의 파워 밀도를 갖는 할로겐 램프를 사용하는 것이 바람직하다. 기판의 전체 코팅 영역이 집중적으로, 가능한한 균일하게 조사되도록 하는 적당한 반사기를 사용하는 것이 또한 바람직하다. 이러한 조사 공급원 및 반사기는, 예를 들어 독일 실용신안 명세서 DE 20020148 및 DE 20020319 에 기재되어 있다. 건조 방법의 특정 구현예에 의하면, 조사에 초점을 맞추는 반사기가 또한 바람직할 수 있다.
가시광선 영역 및 UV 영역에서의 조사는 유기물질을 손상시킬 수 있기 때문에 (실시예 2 참조), 조사 공급원 중 가시광선 및/또는 자외선 파장 범위를 필터링하는 장치를 사용하는 것이 또한 바람직하다. 상기 필터링은 매질 또는 간섭을 나타내는 매질을 흡수하는 수단에 의해서 수행될 수 있다.
박층의 건조를 위해, 초점화 또는 비(非)초점화된 700 nm 내지 1500 nm 의 파장 범위에서의 조사를 방출하는 IR 또는 NIR 레이저가, 조사 공급원으로써 또한 적합하다. 상기 레이저는 펄스형 또는 연속식 조작으로 조작될 수 있다. 또한, 상기 레이저는 초점형 또는 비초점형으로 조작될 수 있다. 확산제에 의해서, 레이저의 광범위한 배열이 또한 광범위한 건조를 위해 또한 사용될 수 있다. 레이저를 사용하는 이점은, UV 및 가시광선 파장 범위를 필터링하기 위해 사용되는 추가적인 필터가 필요하지 않다는 점에 있다. 또한, 매우 높은 파워-밀도는 레이저 빔의 초점화에 의해서 성취될 수 있다. 새로이 침적된 드롭 (drop) 은 인쇄 직후에 초점화된 IR 레이저에 의해서 각각 건조될 수 있고, 기판의 잔존하는 코팅이 또한 증대되므로, 초점화된 빔의 사용은 예를 들어 잉크젯과 같은 인쇄 기술에 특히 이롭다.
다른 형태의 구현예에 의하면, 개별적인 인쇄 영역, 예컨대 개별적인 픽셀, 트랜지스터, 화상 요소 또는 컴포넌트는 적합한 파장의 하나 이상의 레이저 빔에 의해 건조될 수 있다. 레이저 빔의 초점은 인쇄된 영역 보다 다소 크거나, 다소 작거나 또는 대략적으로 동일한 크기일 수 있다.
반도체 요소에 기초한 레이저로서, 예를 들어 모델 SLD301, SLD302, SLD304, SLD322, SLD323, SLD324, SLD326, SLD327, SLD402 (제조사 Sony), 모델 ASM808-20CS, ASM808-20W2, ASM808-40CS, ASM808-40W2, ASM980-20W2, ASM980-20W2, ASM980-40CS, ASM980-40W2 (ThorLabs (Newton, New Jersey, USA) 를 통해 구입될 수 있음), 및 레이저 다이오드 58IFS302, 58IFS303, 58IFS301 (Ottawa, Ontario, Canada) 를 통해 구입될 수 있음) 에 의해 펌핑되는 고체상 레이저를 고려할 수 있다. 이들 레이저 다이오드는, 연속 조작에서의 방출 파장이 0.090 W 내지 40 W 의 파워와 함께 770 nm 내지 1100 nm 범위에서 생성된다는 것을 특징으로 한다. 펄스형 레이저로서, 예를 들어 Newport (Irvine, California, USA) 를 통해 구입될 수 있는 모델 시리즈 NanoLaser 의 레이저를 또한 고려할 수 있다. 이들 레이저는 5 mW 의 파워에서 1100 nm 이하의 파장 및 수 나노초의 펄스 폭에 의해 구별된다.
후자가 하나 이상의 난휘발성 용매 또는 고비등 용매를 포함하는 유기 전도체, 반도체 또는 칼라 필터 함유 용액 또는 분산액으로부터 침착된 층에 사용되는 경우, 특히 바람직한 효과가 본 발명에 따른 건조 방법에 의해서 성취되고; 상기 고비등 용매는 일반적으로 120℃ 이상, 더욱 바람직하게는 150℃ 초과의 비점을 갖고; 난휘발성 용매는 1000 J/g 초과, 더욱 바람직하게는 1500 J/g 초과의 증발 엔탈피를 갖는다.
상술한 바와 같이, 이런 방식으로 제조된 층은, 특히 매우 양호한 형태 (이런 현상의 경우는 특별한 이론에 한정되지 않는다), 및 전계발광을 위한 감소된 개시 전압(inception voltage), 개선된 전류 및/또는 Cd/A 의 증가된 효율성과 같은 또한 바람직한 특성에 의해 구별된다 (더욱 상세한 사항은 실시예 3 내지 8 에서 얻어질 수 있다!).
하기 실시예에 의해서 본 발명을 더욱 상세히 설명할 것이지만, 이에 의해 본 발명을 한정하려는 의도는 갖지 않는다. 당업자는, 상세한 설명 및 나열된 실시예로부터, 진보적인 도움없이, 유기 습윤 필름의 건조를 위해 본 발명에 따른 다른 방법을 유도할 수 있고, 이로부터 유기층을 수득하기 위해 후자를 사용할 수 있다.
실시예 1: 비교예; 통상적인 건조에 의한 필름 형성 및 테트랄린의 용액으로 제조된 중합체성 발광 다이오드 (PLED) 의 소자 특성.
테트랄린 용액으로부터 스핑 코팅에 의해 침착된 유기 반도체의 박층은, 가열 플레이트 상에서 건조되는 경우, 층 두께에 있어서 상당한 불균일성을 나타내었다. 흡수 스펙트럼은, Lambert-Beer 법칙 (E = εc d) 를 이용한 층 두께의 측정을 가능하게 한다. 도 1 은, 3 ×3 ㎠ 로 측정된 유리 기판 상에서의 테트랄린 용액의 스핀 코팅에 의해 동일한 방식으로 제조된 2 개의 폴리-아릴렌-비닐렌 필름의 흡수 스펙트럼을 나타낸다. 층 두께는, 인자 2 에 의해 심지어 하나의 기판 상에서도 다양하였다. 균일한 필름을 수득하기 위해서는, 필름을 스핀 코팅기 상에서 12 분 동안 방치한 다음, 120℃ 에서 10 분 동안 하소해야만 했다. 이런 느린 건조는, 인쇄 공정에서의 적용에 대해 이미 언급된 곤란성을 초래하였다. 긴 건조 시간에도 불구하고, 잔존하는 용매의 잔존 함유량이 매우 커서, 테트랄린으로부터 제조된 중합체성 발광 다이오드로부터의 효율성은 아니솔/o-크실렌 (v:v = 1:1) 로부터 수득된 것에 도달하지 못하였다 (도 2 참조). 수득된 필름의 품질 면에서 그리고 긴 건조 시간 때문에, 유기 반도체, 유기 전도체 또는 유기 칼라 필터의 필름의 건조를 위해 가열 플레이트를 사용하는 것은 따라서 바람직하지 않다.
실시예 2: 비교예. 추가적인 UV 필터의 존재 또는 부재하의 광발광 중합체의 적외선 조사.
UV 광선에 의한 유기 광발광 물질의 조사는, 일반적으로 상기 물질의 광분해를 초래한다. 상기 광분해는 유기 물질의 PL 강도의 현저한 감소에 있어 그 자체로 명백하였다. 도 3 은, 추가적인 UV 필터의 부재하에서의 할로겐 램프로부터의 조사에 의해 조사된 중합체 물질의 PL 스펙트럼을 나타낸다. 상기 물질은, 15 초의 조사 시간 후에 PL 강도의 현저한 손실을 나타내었다. 이런 손실은 30 초의 길어진 조사 시간에 의해서 지속적으로 증가하였다.
UV 필터가 또한 사용된 경우, PL 강도의 분해가, 도 4 에서 보는 바와 같이, 30 초 및 15 초의 조사 시간에 의해 확인될 수 있었다.
실시예 3: 시험 다이오드의 제조 방법
PLED 의 특징분석을 위해서, 시험 다이오드가 스핀 코팅을 통해 값비싼 인쇄 공정 없이 제조되었다. 상세하게는, 절차는 하기와 같았다:
기판 (ITO, 유리 상에 대략 150 nm) 을, 초음파에 노출시켜 물 중에서 스카빈징제 (scavenging agent) 로 세척한 다음, 오존 플라즈마 중에서 UV 조사의 작용에 의해서 또한 제조하였다.
유기 전도체 (PEDOT, BAYER 사의 BAYTRON PTM 으로서 시판됨; 또는 Pani, Ormecon 으로부터 시팜됨) 의 박층 (대략 20 내지 30 nm) 을, 우선 상기 제조된 기판 상에 스핀 코팅에 의해 침착시켰다. 상기 층의 건조 (건조 단계 I) 를 가열 플레이트 또는 적외선 조사에 의해서 수행하였다. 이어서, 기판을 글로브 박스 (공기 배재!) 로 옮겼다. 여기에서, 발광 중합체의 층을, 이어서 개별적인 중합체 (층 두께: 대략 60 내지 90 nm) 의 용액의 스핀 코팅에 의해 또한 침착시켰다. 이러한 층의 건조 (건조 단계 II) 를 가열 플레이트 또는 적외선 조사에 의해서 수행하였다.
이어서, 캐쏘드를 고진공 (< 10-6 mbar) 중에서의 열 증발에 의해 침착시켰다. 여기에 기술된 결과를 위해, 바륨 (대략 9 nm) 및 은 (대략 100 nm) 로 이루어진 이중 캐쏘드가 사용되었다.
상기 수득된 시험 다이오드 (PLED) 를 표준 방식으로 접촉시키고, 이들의 전기 광학 특성에 대해 검사하였다.
실시예 4: 테트랄린 중의 유기 반도체의 용액의 건조. I. 코팅 후 건조.
시험 다이오드 (PLED) 를 실시예 3 에 따라 제조하였다. 유기 전도체에 대한 건조 단계 I 을 가열 플레이트에 의해서 수행하였다. 테트랄린 중의 중합체성 유기 반도체의 용액을, 발광 중합체의 코팅을 위해 스핀 코팅기로 12 분 동안 방사한 다음, 적외선에 20 초 동안 노출시켰다 (건조 단계 II). 수득된 효율성을, 중합체 필름의 건조 단계 II 가 가열 플레이트 상에서 10 분 동안 120℃ 에서 수행된 표준 소자의 효율성과 도 5 에서 비교한다. 적외선 조사에 의해 건조된 PLED 에 대해 수득된 효율성은, 가열 플레이트에 의해 건조된 PLED 의 것의 30% 초과였다.
놀랍게도, 효율성에 있어서의 개선도 얻어졌다. 도 6 에서 보는 바와 같이, 동일한 작동 전압의 경우, 건조 단계 II 가 적외선 조사에 의해 수행된 PLED 의 전류 밀도 및 광도는, 건조 단계 II 가 가열 플레이트에 의해 수행된 PLED 와 비교하여, 각각 3 배 및 6 배 증가하였다
실시예 5: 테트랄린 중의 유기 반도체의 용액의 건조. II. 코팅 동안의 건조.
실시예 4 에서 보는 바와 같이, 시험 다이오드는 균일한 층 품질을 보장하기 위해서 통상적인 방식으로 건조 단계 II 전에 12 분 동안 스핀 코팅기 상에서 잔류해야만 했다. 스핀 코팅 시간이 12 분 미만이면, 용매로서 테트랄린을 사용하고 건조가 가열 플레이트에 의해 수행되는 경우, 상당히 불균일한 층 두께를 나타내는 필름이 수득되었다. 개선된 층 균일성 및 소자 효율성을 갖는 가공 시간의 개선은, 하기 기술된 방법에 의해서 성취될 수 있었다. 놀랍게도, 중합체 용액의 도포 후, 스핀 코팅기 상에서 수초 동안 회전시킨 다음, 적외선 조사에 의한 가공을 개시하면서 코팅 공정을 여전히 지속함으로써 (실시예 3 에서의 건조 단계 II 를 코팅 동안에 개시한다), 적외선 조사와 병용된 코팅 공정을 크게 단축시킬 수 있다. 개선된 형태를 갖는 필름이 수득되었고, 이런 현상의 경우는 특정한 이론에 한정되지 않는다. 도 7 은, 12 분 간의 스핀 코팅 후 건조 단계 II 를 가열 플레이트 상에서 120℃ 로 10 분 정도 수행한 시험 소자와 비교한, 수득된 효율성을 보여준다. 알 수 있는 바와 같이, 현저하게 개선된 값이 코팅 동안에 이미 수행된 적외선 조사에 의해 수득되었다. 놀랍게도, 도 8 에서 보는 바와 같이, 특징 곡선에 있어서의 현저한 개선이 또한 적외선 조사에 의해 수득되었다. 동일한 전압의 경우, 적외선 조사된 PLED 의 수득된 전류 밀도 및 광도는, 가열 플레이트에 의해 건조된 PLED 의 것보다 각각 3 배 및 6 배 초과였다.
실시예 6: 물 기재의 분산액/용액의 건조: I. PEDOT
PEDOT 필름 (BAYER 사의 BAYTRON PTM 으로서 시판됨) 을 스핀 코팅 후 적외선으로 조사함으로써, (실시예 3 에 따라) 건조 단계 I 을 수행하였다. 실시예 3 에 따라 이로부터 수득된 PLED 의 효율성은, PEDOT 층의 건조 단계 I 을 가열 플레이트에 의해 수행한 PLED 의 것과 동일하였다. 그러나, 적외선 조사의 사용에 의한 가공 시간은 현저하게 단축되었다. 20 초, 바람직하게는 5 초의 조사 시간에 의해 양호한 결과가 수득되었다. 참조 컴포넌트의 경우, PEDOT 층을 110℃ 에서 5 분 동안 가열 플레이트 상에서 건조시켰다. PLED 의 특징 곡선을 도 9 에 나타내었다.
실시예 7: 물 기재의 분산액/용액의 건조: II. Pani
Pani 필름을 스핀 코팅 후 적외선으로 조사함으로써, (실시예 3 에 따라) 건조 단계 I 을 수행하였다. 실시예 3 에 따라 이로부터 수득된 PLED 의 효율성은, Pani 층의 건조 단계 I 을 가열 플레이트에 의해 수행한 PLED 의 것과 동일하였다. 그러나, 적외선 조사의 사용에 의한 가공 시간은 현저하게 단축되었다. 20 초, 바람직하게는 5 초의 조사 시간에 의해 양호한 결과가 수득되었다. 참조 컴포넌트의 경우, Pani 층을 110℃ 에서 5 분 동안 가열 플레이트 상에서 건조시켰다. PLED 의 특징 곡선을 도 10 에 나타내었다.
실시예 8: 건조 후 유기 층을 적외선 조사로 처리한 PLED 의 비교
놀랍게도, 건조단계 II 후, 즉 전도성 유기 층 및 PLED 의 발광 중합체 층의 건조 후의 PLED 의 조사가 특징 곡선의 상당한 개선을 초래한다는 것을 발견하였다. 건조 단계 I 및 II 가 가열 플레이트에 의해 수행된 이미 코팅된 중합체 필름을, 건조단계 II 가 수행된 후에, IR 조사에 또한 노출시켰다. 상기 중합체 필름으로부터 수득된 시험 소자를, 건조 (또한 가열 플레이트에 의한 건조 단계 I 및 II) 후 추가적인 IR 조사를 수행하지 않은 시험 소자와, 도 11 에서 비교한다. 각각 3 배 및 2.5 배 가량의 전류 밀도 및 광도의 증가가 동일한 전압에서 관찰되었다.
실시예 9: 필름 도포 후 적외선 조사로 전계발광 유기층을 처리한 PLED 의 비교
놀랍게도, PLED 의 조사가 이들의 존속기간에 대한 매우 바람직한 효과를 갖는다는 것이 발견되었다. 도 12 는, 각각 1 초 및 10 초의 IR 건조의 부재 및 존재하에서 발광 중합체의 존속기간 곡선의 비교를 보여준다. 존속기간은 건조 단계에 의해서 상당히 증가하였다.

Claims (14)

  1. 하기의 단계를 포함하며:
    (a) 하나 이상의 유기 반도체 또는 유기 전도체 또는 유기 칼라 필터를 포함하는 용액 또는 분산액의 기판 상으로의 침착 단계,
    (b) IR 및/또는 NIR 조사에 의해서 단계 (a) 에 따라 제조된 습윤 필름을 건조시키는 단계;
    단계 (b) 에서, 80% 이상의 조사 에너지가 700 내지 2000 nm 의 범위내에 존재하는 조사가 사용되는 것을 특징으로 하는, 유기 반도체, 유기 전도체 또는 유기 칼라 필터의 박층의 제조 방법.
  2. 제 1 항에 있어서, 사용된 조사의 조사 강도가 75 kW/㎡ 초과인 것을 특징으로 하는 방법.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 건조된 고체 필름 층이 1% (질량과 관련하여) 미만의 용매를 함유하는 것을 특징으로 하는 방법.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서, 습윤 필름의 건조가 30 초 미만으로 수행되는 것을 특징으로 하는 방법.
  5. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서, 건조 (단계 b) 가 코팅 (단계 a) 직후에 수행되는 것을 특징으로 하는 방법.
  6. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서, 건조 (단계 b) 가 코팅 (단계 a) 동안에 이미 개시되는 것을 특징으로 하는 방법.
  7. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서, 유기 전도체, 반도체 또는 칼라 필터를 함유하는 용액 또는 분산액이 비점이 120℃ 이상인 하나 이상의 고비등 용매를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  8. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서, 유기 전도체, 반도체 또는 칼라 필터를 함유하는 용액 또는 분산액이 증발 엔탈피가 1000 J/g 초과인 하나 이상의 난휘발성 용매를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  9. 80% 이상의 조사 에너지가 700 내지 2000 nm 의 범위내에 존재하는 IR/NIR 조사를 이용하는, 유기 반도체, 유기 전도체 또는 유기 칼라 필터의 건조된 층의 후처리 방법.
  10. 제 9 항에 있어서, 사용된 조사의 조사 강도가 75 kW/㎡ 초과인 것을 특징으로 하는 방법.
  11. 제 9 항 또는 제 10 항에 있어서, 건조된 고체 필름 층이, 후처리 전에, 1% (질량과 관련하여) 초과의 용매 함량을 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  12. 제 9 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 있어서, 후처리된 고체 필름 층이 1% (질량과 관련하여) 미만의 용매를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  13. 제 9 항 내지 제 12 항 중 어느 한 항에 있어서, 후처리 기간이 30 초 미만인 것을 특징으로 하는 방법.
  14. 유기 발광 다이오드 (PLED), 유기 집적 회로 (O-IC), 유기 전계 트랜지스터 (OFET), 유기 박막 트랜지스터 (OTFT), 유기 태양 전지 (O-SC), 유기 레이저 다이오드 (O-레이저), 액정 디스플레이용 유기 칼라 필터 또는 유기 광수용체의 제조를 위한, 제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 따른 및/또는 제 9 항 내지 제 13 항 중 어느 한 항에 따른 하나 이상의 방법의 용도.
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