JP3530314B2 - 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 - Google Patents
有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法Info
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- JP3530314B2 JP3530314B2 JP21510396A JP21510396A JP3530314B2 JP 3530314 B2 JP3530314 B2 JP 3530314B2 JP 21510396 A JP21510396 A JP 21510396A JP 21510396 A JP21510396 A JP 21510396A JP 3530314 B2 JP3530314 B2 JP 3530314B2
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、有機エレクトロ
ルミネッセンス素子において有機薄膜を形成するにあた
り、結晶性の有機薄膜が
ルミネッセンス素子において有機薄膜を形成するにあた
り、結晶性の有機薄膜が
【０００２】
【従来の技術】従来より有機エレクトロルミネッセンス
素子（以下、有機ＥＬ素子と略す。）等を製造するにあ
たって基材上に有機薄膜を形成することが行なわれてい
た。
素子（以下、有機ＥＬ素子と略す。）等を製造するにあ
たって基材上に有機薄膜を形成することが行なわれてい
た。
【０００３】そして、このように基材上に有機薄膜を形
成するにあたり、従来においては、一般に基材上に有機
分子を真空蒸着させて有機薄膜を形成していた。
成するにあたり、従来においては、一般に基材上に有機
分子を真空蒸着させて有機薄膜を形成していた。
【０００４】ここで、このように基材上に有機分子を真
空蒸着させて形成された有機薄膜は有機分子がランダム
に配列されたアモルファス状態になっており、この有機
薄膜における電気抵抗が大きく、ホールや電子の移動性
が悪いものであった。
空蒸着させて形成された有機薄膜は有機分子がランダム
に配列されたアモルファス状態になっており、この有機
薄膜における電気抵抗が大きく、ホールや電子の移動性
が悪いものであった。
【０００５】このため、ホール注入電極と電子注入電極
との間に有機薄膜を形成し、この有機薄膜にホール注入
電極からホールを注入させると共に電子注入電極から電
子を注入し、このように注入されたホールと電子をこの
有機薄膜内で再結合させて発光を行なう有機ＥＬ素子の
場合、上記の有機薄膜の電気抵抗が大きく、この有機薄
膜内に注入されたホールや電子の移動性が悪くなって、
発光効率が低下し、十分な輝度の光が得られなくなった
り、有機薄膜が発熱して劣化し、安定した発光が得られ
なくなる等の問題があった。
との間に有機薄膜を形成し、この有機薄膜にホール注入
電極からホールを注入させると共に電子注入電極から電
子を注入し、このように注入されたホールと電子をこの
有機薄膜内で再結合させて発光を行なう有機ＥＬ素子の
場合、上記の有機薄膜の電気抵抗が大きく、この有機薄
膜内に注入されたホールや電子の移動性が悪くなって、
発光効率が低下し、十分な輝度の光が得られなくなった
り、有機薄膜が発熱して劣化し、安定した発光が得られ
なくなる等の問題があった。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】この発明における有機
エレクトロルミネッセンス素子の製造方法においては、
基材上に有機薄膜を形成するにあたり、従来のように、
基材上に有機分子がランダムに配列されてアモルファス
状態になった有機薄膜を形成するのではなく、有機分子
が従来よりも規則正しく配列された結晶性の有機薄膜が
簡単に得られるようにすることを課題とするものであ
る。
エレクトロルミネッセンス素子の製造方法においては、
基材上に有機薄膜を形成するにあたり、従来のように、
基材上に有機分子がランダムに配列されてアモルファス
状態になった有機薄膜を形成するのではなく、有機分子
が従来よりも規則正しく配列された結晶性の有機薄膜が
簡単に得られるようにすることを課題とするものであ
る。
【０００７】また、この発明における有機ＥＬ素子にお
いては、ホール注入電極と電子注入電極との間に有機薄
膜が形成された有機ＥＬ素子において、この有機薄膜に
おける電気抵抗が低くなってホールや電子の移動性が向
上し、発光効率が高くなって十分な輝度の発光が行なえ
ると共に、有機薄膜における発熱も抑制されて、この有
機薄膜の劣化も少なくなり、安定した発光が行なえるよ
うにすることを課題とするものである。
いては、ホール注入電極と電子注入電極との間に有機薄
膜が形成された有機ＥＬ素子において、この有機薄膜に
おける電気抵抗が低くなってホールや電子の移動性が向
上し、発光効率が高くなって十分な輝度の発光が行なえ
ると共に、有機薄膜における発熱も抑制されて、この有
機薄膜の劣化も少なくなり、安定した発光が行なえるよ
うにすることを課題とするものである。
【０００８】
【０００９】
【００１０】
【００１１】
【課題を解決するための手段】 本発明の有機エレクト
ロルミネッセンス素子の製造方法においては、基材上に
有機薄膜を形成した後、この有機薄膜にエネルギーを付
与して結晶化させるようにしたのである。
ロルミネッセンス素子の製造方法においては、基材上に
有機薄膜を形成した後、この有機薄膜にエネルギーを付
与して結晶化させるようにしたのである。
【００１２】そして、基材上に有機薄膜を形成した後、
この有機薄膜にエネルギーを付与すると、このエネルギ
ーによってこの有機薄膜を構成する有機分子が再配列さ
れ、アモルファス状態にある有機薄膜が結晶化されるよ
うになる。
この有機薄膜にエネルギーを付与すると、このエネルギ
ーによってこの有機薄膜を構成する有機分子が再配列さ
れ、アモルファス状態にある有機薄膜が結晶化されるよ
うになる。
【００１３】ここで、有機薄膜に付与するエネルギーと
しては、有機薄膜が吸収する波長の光或いは振動や、熱
等を使用することができ、例えば、有機薄膜を構成する
有機分子の構造に対応して、特定波長の赤外線等をこの
有機薄膜に照射し、この有機薄膜を構成する有機分子に
選択的な振動を付与して有機分子を再配列させ、これに
よって有機薄膜を結晶化させるようにしたり、また赤外
線や赤外レーザー等を有機薄膜に照射して、この有機薄
膜をガラス転移点以上でかつ軟化点以下の温度に加熱
し、これにより有機分子を再配列させて有機薄膜を結晶
化させることができる。
しては、有機薄膜が吸収する波長の光或いは振動や、熱
等を使用することができ、例えば、有機薄膜を構成する
有機分子の構造に対応して、特定波長の赤外線等をこの
有機薄膜に照射し、この有機薄膜を構成する有機分子に
選択的な振動を付与して有機分子を再配列させ、これに
よって有機薄膜を結晶化させるようにしたり、また赤外
線や赤外レーザー等を有機薄膜に照射して、この有機薄
膜をガラス転移点以上でかつ軟化点以下の温度に加熱
し、これにより有機分子を再配列させて有機薄膜を結晶
化させることができる。
【００１４】
【００１５】
【００１６】
【００１７】また、上記のように有機分子にエネルギー
を付与する場合、基材上に付着する前の有機分子に上記
のようなエネルギーを付与するほかに、基材に振動を与
え、この基材の振動によって有機分子にエネルギーを付
与することも可能であり、この場合、基材の振動により
有機分子が一定の方向に配列されて選択的に付着され、
これによって結晶性の有機薄膜が形成されるようにな
る。
を付与する場合、基材上に付着する前の有機分子に上記
のようなエネルギーを付与するほかに、基材に振動を与
え、この基材の振動によって有機分子にエネルギーを付
与することも可能であり、この場合、基材の振動により
有機分子が一定の方向に配列されて選択的に付着され、
これによって結晶性の有機薄膜が形成されるようにな
る。
【００１８】
【００１９】本発明のように、有機エレクトロルミネッ
センス素子の製造方法において、ホール注入電極と電子
注入電極との間における有機薄膜に赤外線を付与する
と、ホール注入電極と電子注入電極との間に結晶性の有
機薄膜が形成される。また、有機エレクトロルミネッセ
ンス素子の製造方法において、基材上に有機薄膜を形成
した後、この有機薄膜をガラス転移点と軟化点との間の
温度まで加熱することによって結晶性の有機薄膜が形成
される。このようにして形成された結晶性の有機薄膜
は、電気抵抗が低くなってホールや電子の移動性が向上
し、このホール注入電極と電子注入電極との間に電圧を
印加して有機ＥＬ素子を発光させた場合に、その発光効
率が向上して十分な輝度の光が得られると共に、有機薄
膜における発熱が抑制されて、有機薄膜の劣化も少なく
なり、安定した発光が得られるようになる。
センス素子の製造方法において、ホール注入電極と電子
注入電極との間における有機薄膜に赤外線を付与する
と、ホール注入電極と電子注入電極との間に結晶性の有
機薄膜が形成される。また、有機エレクトロルミネッセ
ンス素子の製造方法において、基材上に有機薄膜を形成
した後、この有機薄膜をガラス転移点と軟化点との間の
温度まで加熱することによって結晶性の有機薄膜が形成
される。このようにして形成された結晶性の有機薄膜
は、電気抵抗が低くなってホールや電子の移動性が向上
し、このホール注入電極と電子注入電極との間に電圧を
印加して有機ＥＬ素子を発光させた場合に、その発光効
率が向上して十分な輝度の光が得られると共に、有機薄
膜における発熱が抑制されて、有機薄膜の劣化も少なく
なり、安定した発光が得られるようになる。
【００２０】
【実施例】以下、この発明の実施例を参考例と共に添付
図面に基づいて具体的に説明する。
図面に基づいて具体的に説明する。
【００２１】（参考例１）この実施例においては、図１
に示すように、ガラス基板１１上にＩＴＯ（インジウム
−錫酸化物）を用いて膜厚が約１０００Åになったホー
ル注入電極１２を形成し、このホール注入電極１２上に
Ｃ60を用いて膜厚が約１００Åになったフラーレンの層
１３を形成し、このフラーレンの層１３の上に下記の化
１に示すキノリノール−アルミニウム錯体（Ａｌｑ3 ）
を用いて膜厚が約１０００Åになった結晶性の有機薄膜
１４を形成し、さらにこの結晶性の有機薄膜１４上にマ
グネシウム・インジウム合金を用いて膜厚が約２０００
Åになった電子注入電極１５を形成して有機ＥＬ素子を
得た。
に示すように、ガラス基板１１上にＩＴＯ（インジウム
−錫酸化物）を用いて膜厚が約１０００Åになったホー
ル注入電極１２を形成し、このホール注入電極１２上に
Ｃ60を用いて膜厚が約１００Åになったフラーレンの層
１３を形成し、このフラーレンの層１３の上に下記の化
１に示すキノリノール−アルミニウム錯体（Ａｌｑ3 ）
を用いて膜厚が約１０００Åになった結晶性の有機薄膜
１４を形成し、さらにこの結晶性の有機薄膜１４上にマ
グネシウム・インジウム合金を用いて膜厚が約２０００
Åになった電子注入電極１５を形成して有機ＥＬ素子を
得た。
【００２２】
【化１】
【００２３】ここで、上記の有機ＥＬ素子を製造するに
あたっては、図２に示すように、ガラス基板１１上にＩ
ＴＯが蒸着されてホール注入電極１２が形成された基材
１０を真空容器２０内に設けられた保持部材２１にホー
ル注入電極１２が露出するようにして保持させると共
に、この真空容器２０内に設けられたタングステン等の
高抵抗材料で構成された蒸着源容器２２内にＣ60粉末を
収容させ、各ポンプ２３ａ，２３ｂにより吸引を行なっ
て、この真空容器２０内の圧力を１０-6ｔｏｒｒ程度に
した。
あたっては、図２に示すように、ガラス基板１１上にＩ
ＴＯが蒸着されてホール注入電極１２が形成された基材
１０を真空容器２０内に設けられた保持部材２１にホー
ル注入電極１２が露出するようにして保持させると共
に、この真空容器２０内に設けられたタングステン等の
高抵抗材料で構成された蒸着源容器２２内にＣ60粉末を
収容させ、各ポンプ２３ａ，２３ｂにより吸引を行なっ
て、この真空容器２０内の圧力を１０-6ｔｏｒｒ程度に
した。
【００２４】そして、上記の蒸着源容器２２に電源２４
から電流を流して蒸着源容器２２を加熱し、この蒸着源
容器２２の温度を温度コントローラ２５によりコントロ
ールしてこの蒸着源容器２２内に収容されたＣ60粉末を
４００℃まで昇温させて蒸発させ、この蒸発源容器２２
の上方や基材１０の近傍に設けられた各シャッター２６
の開閉により基材１０の表面に蒸着されるＣ60の量を制
御すると共に、基材１０の表面に蒸着されたＣ60の膜厚
を膜厚計２７によりモニターしながら、膜厚が約１００
ÅになるまでＣ60を蒸着させ、ガラス基板１１上に設け
られたホール注入電極１２の上に、下地層１３としてＣ
60からなるフラーレンの層１３を形成した。なお、上記
のＣ60分子はその直径が約７Åで、このＣ60からなるフ
ラーレンの層１３は分子の配向性が揃った面心立方結晶
になっていた。
から電流を流して蒸着源容器２２を加熱し、この蒸着源
容器２２の温度を温度コントローラ２５によりコントロ
ールしてこの蒸着源容器２２内に収容されたＣ60粉末を
４００℃まで昇温させて蒸発させ、この蒸発源容器２２
の上方や基材１０の近傍に設けられた各シャッター２６
の開閉により基材１０の表面に蒸着されるＣ60の量を制
御すると共に、基材１０の表面に蒸着されたＣ60の膜厚
を膜厚計２７によりモニターしながら、膜厚が約１００
ÅになるまでＣ60を蒸着させ、ガラス基板１１上に設け
られたホール注入電極１２の上に、下地層１３としてＣ
60からなるフラーレンの層１３を形成した。なお、上記
のＣ60分子はその直径が約７Åで、このＣ60からなるフ
ラーレンの層１３は分子の配向性が揃った面心立方結晶
になっていた。
【００２５】そして、このようにホール注入電極１２の
上にＣ60からなるフラーレンの層１３を形成した後は、
上記の蒸着源容器２２内に上記の化１に示すＡｌｑ3 粉
末を収容させ、上記のフラーレンの層１３を形成する場
合と同様にして、このフラーレンの層１３の上にＡｌｑ
3 分子を蒸着させ、膜厚が約１０００ÅになったＡｌｑ
3 の有機薄膜１４を形成した。
上にＣ60からなるフラーレンの層１３を形成した後は、
上記の蒸着源容器２２内に上記の化１に示すＡｌｑ3 粉
末を収容させ、上記のフラーレンの層１３を形成する場
合と同様にして、このフラーレンの層１３の上にＡｌｑ
3 分子を蒸着させ、膜厚が約１０００ÅになったＡｌｑ
3 の有機薄膜１４を形成した。
【００２６】ここで、上記のＡｌｑ3 分子は頂点間距離
が約７Åの正八面体で、上記のＣ60分子の直径とほぼ等
しいため、このＡｌｑ3 の薄膜成長はフラーレンの層１
３の結晶性を反映したエピタキシャル成長となり、この
Ａｌｑ3 分子が従来よりも規則正しく配列された結晶性
の有機薄膜１４が得られた。
が約７Åの正八面体で、上記のＣ60分子の直径とほぼ等
しいため、このＡｌｑ3 の薄膜成長はフラーレンの層１
３の結晶性を反映したエピタキシャル成長となり、この
Ａｌｑ3 分子が従来よりも規則正しく配列された結晶性
の有機薄膜１４が得られた。
【００２７】そして、このように形成されたＡｌｑ3 の
有機薄膜１４上にさらにマグネシウム・インジウム合金
を用いて膜厚が約２０００Åになった電子注入電極１５
を形成した。
有機薄膜１４上にさらにマグネシウム・インジウム合金
を用いて膜厚が約２０００Åになった電子注入電極１５
を形成した。
【００２８】（実施例１）この実施例においては、図３
に示すように、ガラス基板１１上にＩＴＯを用いて膜厚
が約１０００Åになったホール注入電極１２を形成し、
このホール注入電極１２の上に上記の化１に示すＡｌｑ
3 を用いて膜厚が約１０００Åになった結晶性の有機薄
膜１４を形成し、さらにこの結晶性の有機薄膜１４上に
マグネシウム・インジウム合金を用いて膜厚が約２００
０Åになった電子注入電極１５を形成して有機ＥＬ素子
を得た。
に示すように、ガラス基板１１上にＩＴＯを用いて膜厚
が約１０００Åになったホール注入電極１２を形成し、
このホール注入電極１２の上に上記の化１に示すＡｌｑ
3 を用いて膜厚が約１０００Åになった結晶性の有機薄
膜１４を形成し、さらにこの結晶性の有機薄膜１４上に
マグネシウム・インジウム合金を用いて膜厚が約２００
０Åになった電子注入電極１５を形成して有機ＥＬ素子
を得た。
【００２９】ここで、この有機ＥＬ素子を製造するにあ
たっては、上記の実施例１の場合と同様に、図２に示す
ように、ガラス基板１１上にＩＴＯが蒸着されてホール
注入電極１２が形成された基材１０を、真空容器２０内
に設けられた保持部材２１にホール注入電極１２が露出
するようにして保持させた。
たっては、上記の実施例１の場合と同様に、図２に示す
ように、ガラス基板１１上にＩＴＯが蒸着されてホール
注入電極１２が形成された基材１０を、真空容器２０内
に設けられた保持部材２１にホール注入電極１２が露出
するようにして保持させた。
【００３０】そして、この実施例では真空容器２０内に
設けられた上記の蒸着源容器２２内にＡｌｑ3 粉末を収
容させ、各ポンプ２３ａ，２３ｂにより吸引を行なっ
て、この真空容器２０内の圧力を１０-6ｔｏｒｒ程度に
し、上記の蒸着源容器２２に電源２４から電流を流して
蒸着源容器２２を加熱し、この蒸着源容器２２内に収容
されたＡｌｑ3 粉末を３００℃まで昇温させて蒸発さ
せ、上記の実施例１の場合と同様に制御して、ガラス基
板１１上に設けられたホール注入電極１２上に膜厚が約
１０００ÅになったＡｌｑ3 の有機薄膜を形成した。な
お、このようにしてホール注入電極１２上にＡｌｑ3 か
らなる有機薄膜を形成した場合、この有機薄膜はアモル
ファス状態になっていた。
設けられた上記の蒸着源容器２２内にＡｌｑ3 粉末を収
容させ、各ポンプ２３ａ，２３ｂにより吸引を行なっ
て、この真空容器２０内の圧力を１０-6ｔｏｒｒ程度に
し、上記の蒸着源容器２２に電源２４から電流を流して
蒸着源容器２２を加熱し、この蒸着源容器２２内に収容
されたＡｌｑ3 粉末を３００℃まで昇温させて蒸発さ
せ、上記の実施例１の場合と同様に制御して、ガラス基
板１１上に設けられたホール注入電極１２上に膜厚が約
１０００ÅになったＡｌｑ3 の有機薄膜を形成した。な
お、このようにしてホール注入電極１２上にＡｌｑ3 か
らなる有機薄膜を形成した場合、この有機薄膜はアモル
ファス状態になっていた。
【００３１】そして、この実施例においては、このよう
にホール注入電極１２上に形成されたＡｌｑ3 の有機薄
膜に対して赤外線ランプから赤外線を照射してこの有機
薄膜にエネルギーを付与し、この有機薄膜をガラス転移
点と軟化点の間の温度まで加熱し、その後、これを冷却
させて、この有機薄膜１４におけるＡｌｑ3 分子を再配
列させ、Ａｌｑ3 分子が従来よりも規則正しく配列され
た結晶性の有機薄膜１４を形成した。
にホール注入電極１２上に形成されたＡｌｑ3 の有機薄
膜に対して赤外線ランプから赤外線を照射してこの有機
薄膜にエネルギーを付与し、この有機薄膜をガラス転移
点と軟化点の間の温度まで加熱し、その後、これを冷却
させて、この有機薄膜１４におけるＡｌｑ3 分子を再配
列させ、Ａｌｑ3 分子が従来よりも規則正しく配列され
た結晶性の有機薄膜１４を形成した。
【００３２】その後は、上記実施例１の場合と同様にし
て、この有機薄膜１４上にマグネシウム・インジウム合
金を用いて膜厚が約２０００Åになった電子注入電極１
５を形成した。
て、この有機薄膜１４上にマグネシウム・インジウム合
金を用いて膜厚が約２０００Åになった電子注入電極１
５を形成した。
【００３３】（参考例２）この参考例においても、上記
の実施例１と同様に、ガラス基板１１上にＩＴＯを用い
て膜厚が約１０００Åになったホール注入電極１２を形
成し、このホール注入電極１２上に上記の化１に示すＡ
ｌｑ3 を用いて膜厚が約１０００Åになった結晶性の有
機薄膜１４を形成し、さらにこの結晶性の有機薄膜１４
上にマグネシウム・インジウム合金を用いて膜厚が約２
０００Åになった電子注入電極１５を形成して有機ＥＬ
素子を得た。
の実施例１と同様に、ガラス基板１１上にＩＴＯを用い
て膜厚が約１０００Åになったホール注入電極１２を形
成し、このホール注入電極１２上に上記の化１に示すＡ
ｌｑ3 を用いて膜厚が約１０００Åになった結晶性の有
機薄膜１４を形成し、さらにこの結晶性の有機薄膜１４
上にマグネシウム・インジウム合金を用いて膜厚が約２
０００Åになった電子注入電極１５を形成して有機ＥＬ
素子を得た。
【００３４】ここで、この参考例においては、ガラス基
板１１に形成されたホール注入電極１２上にＡｌｑ3 か
らなる結晶性の有機薄膜１４を形成するにあたり、図４
に示すように、ガラス基板１１上にホール注入電極１２
が形成された基材１０を真空容器２０内にセットするに
あたり、この基材１０を保持する保持部材２１に圧電振
動子２１ａを用い、この圧電振動子２１ａにホール注入
電極１２が露出するようにして基材１０を保持させるよ
うにした。
板１１に形成されたホール注入電極１２上にＡｌｑ3 か
らなる結晶性の有機薄膜１４を形成するにあたり、図４
に示すように、ガラス基板１１上にホール注入電極１２
が形成された基材１０を真空容器２０内にセットするに
あたり、この基材１０を保持する保持部材２１に圧電振
動子２１ａを用い、この圧電振動子２１ａにホール注入
電極１２が露出するようにして基材１０を保持させるよ
うにした。
【００３５】そして、上記の蒸着源容器２２内にＡｌｑ
3 粉末を収容させ、上記の実施例２の場合と同様にし
て、この蒸着源容器２２を加熱させてこの蒸着源容器２
２内に収容されたＡｌｑ3 粉末を蒸発させ、ガラス基板
１１上に設けられたホール注入電極１２上にＡｌｑ3 分
子を蒸着させると共に、上記の圧電振動子２１ａに電源
２８から電圧を印加し、この圧電振動子２１ａを介して
上記の基材１０を５０ｋＨｚの周波数で振動させるよう
にした。
3 粉末を収容させ、上記の実施例２の場合と同様にし
て、この蒸着源容器２２を加熱させてこの蒸着源容器２
２内に収容されたＡｌｑ3 粉末を蒸発させ、ガラス基板
１１上に設けられたホール注入電極１２上にＡｌｑ3 分
子を蒸着させると共に、上記の圧電振動子２１ａに電源
２８から電圧を印加し、この圧電振動子２１ａを介して
上記の基材１０を５０ｋＨｚの周波数で振動させるよう
にした。
【００３６】ここで、このように基材１０を振動させる
ことにより、この基材１０上におけるＡｌｑ3 分子を付
与しながら蒸着させると、このＡｌｑ3 分子が基材１０
の振動によって密な状態になるように配列されて基材１
０上に蒸着され、Ａｌｑ3 分子が従来よりも規則正しく
配列された結晶性の有機薄膜１４が形成された。
ことにより、この基材１０上におけるＡｌｑ3 分子を付
与しながら蒸着させると、このＡｌｑ3 分子が基材１０
の振動によって密な状態になるように配列されて基材１
０上に蒸着され、Ａｌｑ3 分子が従来よりも規則正しく
配列された結晶性の有機薄膜１４が形成された。
【００３７】その後は、上記の参考例１の場合と同様に
して、この有機薄膜１４上にマグネシウム・インジウム
合金を用いて膜厚が約２０００Åになった電子注入電極
１５を形成して有機ＥＬ素子を得た。
して、この有機薄膜１４上にマグネシウム・インジウム
合金を用いて膜厚が約２０００Åになった電子注入電極
１５を形成して有機ＥＬ素子を得た。
【００３８】（参考例３）この実施例においては、ガラ
ス基板１１上にＩＴＯを用いて膜厚が約１０００Åにな
ったホール注入電極１２を形成し、このホール注入電極
１２上に下記の化２に示すようにＡｌｑ3 にアミノ基が
２つ結合したＡｌｑ3 （ＮＨ2 ）2 を用いて膜厚が約１
０００Åになった結晶性の有機薄膜１４を形成し、さら
にこの結晶性の有機薄膜１４上にマグネシウム・インジ
ウム合金を用いて膜厚が約２０００Åになった電子注入
電極１５を形成して有機ＥＬ素子を得た。
ス基板１１上にＩＴＯを用いて膜厚が約１０００Åにな
ったホール注入電極１２を形成し、このホール注入電極
１２上に下記の化２に示すようにＡｌｑ3 にアミノ基が
２つ結合したＡｌｑ3 （ＮＨ2 ）2 を用いて膜厚が約１
０００Åになった結晶性の有機薄膜１４を形成し、さら
にこの結晶性の有機薄膜１４上にマグネシウム・インジ
ウム合金を用いて膜厚が約２０００Åになった電子注入
電極１５を形成して有機ＥＬ素子を得た。
【００３９】
【化２】
【００４０】ここで、この参考例においては、ガラス基
板１１上に形成されたホール注入電極１２上にＡｌｑ3
（ＮＨ2 ）2 からなる結晶性の有機薄膜１４を形成する
にあたり、図５に示すように、前記の各例の場合と同様
にガラス基板１１上にホール注入電極１２が形成された
基材１０を真空容器２０内にセットし、前記の蒸着源容
器２２にＡｌｑ3 （ＮＨ2 ）2 粉末を収容させるように
した。
板１１上に形成されたホール注入電極１２上にＡｌｑ3
（ＮＨ2 ）2 からなる結晶性の有機薄膜１４を形成する
にあたり、図５に示すように、前記の各例の場合と同様
にガラス基板１１上にホール注入電極１２が形成された
基材１０を真空容器２０内にセットし、前記の蒸着源容
器２２にＡｌｑ3 （ＮＨ2 ）2 粉末を収容させるように
した。
【００４１】そして、この蒸着源容器２２を前記の各実
施例の場合と同様にして加熱させ、Ａｌｑ3 （ＮＨ2 ）
2 粉末を３００℃まで昇温させて蒸発させる一方、この
実施例においては、蒸発したＡｌｑ3 （ＮＨ2 ）2 分子
が基材１０に導かれる途中において、このＡｌｑ3 （Ｎ
Ｈ2 ）2 分子に対して真空容器２０内に設けられた赤外
線照射装置２９から波長が３０００ｎｍの赤外線を照射
させるようにした。
施例の場合と同様にして加熱させ、Ａｌｑ3 （ＮＨ2 ）
2 粉末を３００℃まで昇温させて蒸発させる一方、この
実施例においては、蒸発したＡｌｑ3 （ＮＨ2 ）2 分子
が基材１０に導かれる途中において、このＡｌｑ3 （Ｎ
Ｈ2 ）2 分子に対して真空容器２０内に設けられた赤外
線照射装置２９から波長が３０００ｎｍの赤外線を照射
させるようにした。
【００４２】ここで、このように蒸発されたＡｌｑ3
（ＮＨ2 ）2 分子に波長が３０００ｎｍの赤外線を照射
させてエネルギーを付与すると、Ａｌｑ3 （ＮＨ2 ）2
分子中におけるＮ−Ｈ結合の部分がこの赤外線を吸収し
て振動し、このようにＮ−Ｈ結合の部分が振動した状態
で、Ａｌｑ3 （ＮＨ2 ）2 分子が基材１０の表面に蒸着
されるようになり、上記のように振動しているＮ−Ｈ結
合の部分以外の部分が基材１０に付着して、Ａｌｑ3
（ＮＨ2 ）2 分子が基材１０上に一定の方向に配列され
るようにして蒸着され、上記の有機分子が従来よりも規
則正しく配列された結晶性の有機薄膜１４が形成され
た。
（ＮＨ2 ）2 分子に波長が３０００ｎｍの赤外線を照射
させてエネルギーを付与すると、Ａｌｑ3 （ＮＨ2 ）2
分子中におけるＮ−Ｈ結合の部分がこの赤外線を吸収し
て振動し、このようにＮ−Ｈ結合の部分が振動した状態
で、Ａｌｑ3 （ＮＨ2 ）2 分子が基材１０の表面に蒸着
されるようになり、上記のように振動しているＮ−Ｈ結
合の部分以外の部分が基材１０に付着して、Ａｌｑ3
（ＮＨ2 ）2 分子が基材１０上に一定の方向に配列され
るようにして蒸着され、上記の有機分子が従来よりも規
則正しく配列された結晶性の有機薄膜１４が形成され
た。
【００４３】その後は、上記の各実施例の場合と同様に
して、この有機薄膜１４上にマグネシウム・インジウム
合金を用いて膜厚が約２０００Åになった電子注入電極
１５を形成した。
して、この有機薄膜１４上にマグネシウム・インジウム
合金を用いて膜厚が約２０００Åになった電子注入電極
１５を形成した。
【００４４】（比較例１）この比較例においては、図６
に示すように、ガラス基板１１の表面にＩＴＯで膜厚が
１０００Åになったホール注入電極１２を形成した基材
１０を用い、この基材１０の表面に、上記の実施例２の
場合と同様にしてＡｌｑ3 分子を蒸着させて膜厚が約１
０００ÅになったＡｌｑ3 の有機薄膜１４ａを形成し、
このＡｌｑ 3 の有機薄膜１４ａ上にマグネシウム・イン
ジウム合金を用いて膜厚が２０００Åになった電子注入
電極１５を形成した。
に示すように、ガラス基板１１の表面にＩＴＯで膜厚が
１０００Åになったホール注入電極１２を形成した基材
１０を用い、この基材１０の表面に、上記の実施例２の
場合と同様にしてＡｌｑ3 分子を蒸着させて膜厚が約１
０００ÅになったＡｌｑ3 の有機薄膜１４ａを形成し、
このＡｌｑ 3 の有機薄膜１４ａ上にマグネシウム・イン
ジウム合金を用いて膜厚が２０００Åになった電子注入
電極１５を形成した。
【００４５】ここで、この比較例１のものにおいては、
Ａｌｑ3 からなる有機薄膜１４ａを形成するにあたり、
単にＡｌｑ3 分子を蒸着させただけであるため、この有
機薄膜１４ａはアモルファス状態になっていた。
Ａｌｑ3 からなる有機薄膜１４ａを形成するにあたり、
単にＡｌｑ3 分子を蒸着させただけであるため、この有
機薄膜１４ａはアモルファス状態になっていた。
【００４６】次に、上記の実施例１〜４及び比較例１の
各有機ＥＬ素子について、それぞれホール注入電極１２
と電子注入電極１５との間に１６Ｖの電圧を印加して各
有機ＥＬ素子を発光させ、各有機ＥＬ素子を製造した当
初における輝度を測定すると共に、上記の各有機ＥＬ素
子を１ヶ月保存した後、同様に１６Ｖの電圧を印加して
各有機ＥＬ素子を発光させ、１ヶ月保存後における輝度
を測定し、さらに初期の発光輝度に対する保存後の発光
輝度の比率（保存率）を求め、これらの結果を下記の表
１に示した。なお、各有機ＥＬ素子においては、波長が
５２０ｎｍの緑色の発光が得られた。
各有機ＥＬ素子について、それぞれホール注入電極１２
と電子注入電極１５との間に１６Ｖの電圧を印加して各
有機ＥＬ素子を発光させ、各有機ＥＬ素子を製造した当
初における輝度を測定すると共に、上記の各有機ＥＬ素
子を１ヶ月保存した後、同様に１６Ｖの電圧を印加して
各有機ＥＬ素子を発光させ、１ヶ月保存後における輝度
を測定し、さらに初期の発光輝度に対する保存後の発光
輝度の比率（保存率）を求め、これらの結果を下記の表
１に示した。なお、各有機ＥＬ素子においては、波長が
５２０ｎｍの緑色の発光が得られた。
【００４７】
【表１】
【００４８】この結果、ホール注入電極１２と電子注入
電極１５との間に結晶性の有機薄膜１４を形成した実施
例１〜４の各有機ＥＬ素子は、アモルファス状態になっ
た有機薄膜１４ａが形成された比較例１の有機ＥＬ素子
に比べて、発光効率が向上して初期及び保存後における
輝度がいずれも高くなっており、また保存率も高くなっ
て、安定した発光が行なえるようになっていた。
電極１５との間に結晶性の有機薄膜１４を形成した実施
例１〜４の各有機ＥＬ素子は、アモルファス状態になっ
た有機薄膜１４ａが形成された比較例１の有機ＥＬ素子
に比べて、発光効率が向上して初期及び保存後における
輝度がいずれも高くなっており、また保存率も高くなっ
て、安定した発光が行なえるようになっていた。
【００４９】なお、上記の各実施例においては、ホール
注入電極１２と電子注入電極１５との間に結晶性の有機
薄膜１４を形成した例を示したが、このような結晶性の
有機薄膜１４を他の用途に利用することも可能である。
注入電極１２と電子注入電極１５との間に結晶性の有機
薄膜１４を形成した例を示したが、このような結晶性の
有機薄膜１４を他の用途に利用することも可能である。
【００５０】また、このような結晶性の有機薄膜１４を
形成する方法も、特に上記の実施例に示した方法に限ら
れず、各実施例に示した方法を適当に組み合わせて結晶
性の有機薄膜１４を形成することも可能であり、例え
ば、下地層１３として形成したフラーレンの層１３の上
に、有機薄膜１４を形成した後、この有機薄膜にエネル
ギーを付与したり、この有機薄膜を構成する有機分子に
エネルギーを付与しながら、フラーレンの層１３の上に
この有機分子を付着させるようにすることも可能であ
る。
形成する方法も、特に上記の実施例に示した方法に限ら
れず、各実施例に示した方法を適当に組み合わせて結晶
性の有機薄膜１４を形成することも可能であり、例え
ば、下地層１３として形成したフラーレンの層１３の上
に、有機薄膜１４を形成した後、この有機薄膜にエネル
ギーを付与したり、この有機薄膜を構成する有機分子に
エネルギーを付与しながら、フラーレンの層１３の上に
この有機分子を付着させるようにすることも可能であ
る。
【００５１】
【発明の効果】以上詳述したように、この発明における
有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法のよう
に、基材上に有機薄膜を形成した後、この有機薄膜に赤
外光のエネルギーを付与するものであるので、結晶性の
有機薄膜が簡単に形成されるようになった。
有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法のよう
に、基材上に有機薄膜を形成した後、この有機薄膜に赤
外光のエネルギーを付与するものであるので、結晶性の
有機薄膜が簡単に形成されるようになった。
【００５２】また、この発明における有機エレクトロル
ミネッセンス素子のように、ホール注入電極と電子注入
電極との間における有機薄膜を上記のようにして形成
し、ホール注入電極と電子注入電極との間に結晶性の有
機薄膜を設けると、有機分子が従来よりも規則正しく配
列されているため、この有機薄膜における電気抵抗が低
くなってホールや電子の移動性が向上し、この有機ＥＬ
素子を発光させた場合に、その発光効率が向上して十分
な輝度の発光が得られると共に、有機薄膜における発熱
も抑制されて、有機薄膜の劣化も少なくなり、安定した
発光が得られるようになった。
ミネッセンス素子のように、ホール注入電極と電子注入
電極との間における有機薄膜を上記のようにして形成
し、ホール注入電極と電子注入電極との間に結晶性の有
機薄膜を設けると、有機分子が従来よりも規則正しく配
列されているため、この有機薄膜における電気抵抗が低
くなってホールや電子の移動性が向上し、この有機ＥＬ
素子を発光させた場合に、その発光効率が向上して十分
な輝度の発光が得られると共に、有機薄膜における発熱
も抑制されて、有機薄膜の劣化も少なくなり、安定した
発光が得られるようになった。
【図１】この発明の実施例１における有機ＥＬ素子の積
層構造を示した概略図である。
層構造を示した概略図である。
【図２】実施例１及び実施例２の有機ＥＬ素子を製造す
るのに使用した真空蒸着装置の概略説明図である。
るのに使用した真空蒸着装置の概略説明図である。
【図３】実施例２〜実施例４の各有機ＥＬ素子の積層構
造を示した概略図である。
造を示した概略図である。
【図４】実施例３の有機ＥＬ素子を製造するのに使用し
た真空蒸着装置の概略説明図である。
た真空蒸着装置の概略説明図である。
【図５】実施例４の有機ＥＬ素子を製造するのに使用し
た真空蒸着装置の概略説明図である。
た真空蒸着装置の概略説明図である。
【図６】比較例１の有機ＥＬ素子の積層構造を示した概
略図である。
略図である。
１０ 基材
１１ ガラス基板
１２ ホール注入電極
１３ フラーレンの層
１４ 結晶性の有機薄膜
１５ 電子注入電極
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(56)参考文献 特開 平７−307504（ＪＰ，Ａ)
特開 平２−197822（ＪＰ，Ａ)
特開 平３−197396（ＪＰ，Ａ)
特開 平５−24975（ＪＰ，Ａ)
特開 平２−239184（ＪＰ，Ａ)
特開 昭60−50166（ＪＰ，Ａ)
特開 昭62−171988（ＪＰ，Ａ)
特開 平３−162566（ＪＰ，Ａ)
特開 平３−173095（ＪＰ，Ａ)
特開 平５−182764（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H05B 33/00 - 33/28
C30B 28/00 - 35/00
Claims (3)
- 【請求項１】 ホール注入電極と電子注入電極との間に
有機薄膜が形成された有機エレクトロルミネッセンス素
子の製造方法において、有機薄膜を形成した後、この有
機薄膜に赤外線を付与して、この有機薄膜の有機分子を
再配列して結晶化させることを特徴とする有機エレクト
ロルミネッセンス素子の製造方法。 - 【請求項２】 ホール注入電極と電子注入電極との間に
有機薄膜が形成された有機エレクトロルミネッセンス素
子の製造方法において、基材上に有機薄膜を形成した
後、この有機薄膜をガラス転移点と軟化点との間の温度
まで加熱して有機分子を再配列することによって結晶化
させることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス
素子の製造方法。 - 【請求項３】 請求項１、または請求項２に記載した有
機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法において、
上記の有機薄膜がキノリノールアルミニウム錯体からな
ることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21510396A JP3530314B2 (ja) | 1996-07-25 | 1996-07-25 | 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21510396A JP3530314B2 (ja) | 1996-07-25 | 1996-07-25 | 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1041070A JPH1041070A (ja) | 1998-02-13 |
| JP3530314B2 true JP3530314B2 (ja) | 2004-05-24 |
Family
ID=16666810
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21510396A Expired - Fee Related JP3530314B2 (ja) | 1996-07-25 | 1996-07-25 | 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3530314B2 (ja) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6808749B2 (en) | 2001-10-10 | 2004-10-26 | Seiko Epson Corporation | Thin film forming method, solution and apparatus for use in the method, and electronic device fabricating method |
| DE10153445A1 (de) * | 2001-10-30 | 2003-05-22 | Covion Organic Semiconductors | Trocknungsverfahren |
| US20030117069A1 (en) | 2001-12-03 | 2003-06-26 | Tetsuya Kato | Organic electroluminescent element and process for its manufacture |
| KR101183041B1 (ko) * | 2007-12-27 | 2012-09-20 | 파이오니아 가부시키가이샤 | 유기 반도체 소자, 유기 태양 전지 및 표시 패널 |
| WO2010087222A1 (ja) * | 2009-01-28 | 2010-08-05 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置 |
| KR20110039810A (ko) * | 2009-10-12 | 2011-04-20 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 소자 |
| CN103367653B (zh) * | 2013-07-10 | 2016-02-03 | 上海和辉光电有限公司 | 倒置型有机发光二极管显示器件及其制备方法 |
| WO2016035413A1 (ja) * | 2014-09-04 | 2016-03-10 | 株式会社Ｊｏｌｅｄ | 表示素子および表示装置ならびに電子機器 |
-
1996
- 1996-07-25 JP JP21510396A patent/JP3530314B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH1041070A (ja) | 1998-02-13 |
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