JPH08306954A - 有機発光ダイオード及びその製造方法 - Google Patents
有機発光ダイオード及びその製造方法Info
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Abstract
D)発光層として適当な薄さで、且つ大面積の有機発光
層を有し、しかも容易に製造できる有機発光ダイオード
(有機LED)及びその製造方法を提供する。 【構成】 有機発光層が、ラビングによる配向処理によ
り高分子主鎖がラビング方向に優先配向したπ−共役型
高分子膜よりなることを特徴とする有機LED、及び、
π−共役型高分子よりなる有機発光層にラビングによる
配向処理を施す工程を含むことを特徴とする有機LED
の製造方法、及び、有機発光層の下地層にラビングによ
る配向処理を施した後、該下地層の上にπ−共役型高分
子よりなる有機発光層を形成し、その後、該π−共役型
高分子の軟化点以上の温度で加熱する処理を施す工程を
含むことを特徴とする有機LEDの製造方法。
Description
びその製造方法に関し、詳細には、偏光を発光する有機
発光ダイオード及びその製造方法に関し、特には、液晶
ディスプレイ用光源として用いて好適な有機発光ダイオ
ード及びその製造方法に関する。
は光源として発光ダイオード(以降、LEDという)が
広く使われている。そして、それらLEDに用いられる
発光層は、主に金属間化合物半導体(無機半導体)であ
る。
として使う際には、発光色が紫から赤の可視域すべての
色を網羅することが望ましいが、発光層として無機半導
体を用いたLEDの一つの問題点として、青色の発光を
得ることが一般に困難であることが挙げられる。これ
は、無機半導体においては、輻射再結合による発光の波
長(色)を決める禁制帯のエネルギー幅(Eg)の制御範
囲に制限があるためであり、特に青色発光に対応する約
3eV以上のEgを有する半導体をつくるのが難しいからで
ある。
S.A. Vanslyke; Appl. Phys. Lett.51(1987)913 )によ
って報告された有機化合物を発光層として用いたLED
(有機LED)により、解決されると期待されている。
これは、有機化合物という物質の一群は、一般に、分子
の骨格構造、官能基の種類、位置や数、あるいは分子集
合組織を変えることによってEgが大きく変化するという
特長を有するからである。
の合成高分子、特にπ−共役型高分子を発光層として用
いる方法が報告された(J.H. Burroughes, D.D.C. Brad
ley,A.R. Brown, R.N. Marks, K. Mackay, R.H. Frien
d, P.L. Burns, and A.B. Ho-lmes; Nature, 347 (199
0)539 )。ここで、合成高分子の中、特にπ−共役型高
分子が選ばれるのは、ポリエチレンやポリエステル類等
の非共役型高分子はその吸収が通常紫外域にあり、しか
も絶縁体であるのに対し、π−共役型高分子はその分子
構造を修飾することにより、可視光の光子エネルギー範
囲をほぼカバーする約1〜4eVの間でEgを変化させ得る
ことと、LEDとして動作するのに適当な導電性を有す
ることによる。
れば、高分子はキャスティングやスピンコート等の方法
により容易に成型できることから、大面積の有機LED
を低コストでつくることも可能になった。又、高分子は
通常非晶質であるので、ジュール熱による結晶化にとも
ない発光効率が低下するという低分子化合物LED特有
の問題が起こり難いという利点もある。
法を適用した有機LED(有機高分子LED)に関し、
上記の他に報告されたものとしては、例えば青色発光の
有機高分子LEDがある(Y. Ohmori, M. Uchida, K. M
uro, and K.Yoshino ; Jpn.J. Appl. Phys. 30 (1991)
L1941 )。
ような製造方法によりつくられる。即ち、それは、In-S
n 酸化物等の透明電極(正孔注入電極)を表面に塗布し
たガラス基板上に、発光層である高分子の薄膜を形成し
た後、その上に電子注入用の金属電極膜を蒸着するとい
う製造方法である。このとき、金属電極膜としては、発
光層(高分子)への電子注入を容易にするために、Mg,
AlやCa等の仕事関数の小さな金属よりなるものが選ばれ
る。
LED)をLEDとして動作させるには、通常、金属電
極膜に負、透明電極に正のバイアスを印加する。する
と、それぞれの電極から電子と正孔が注入され、それら
の一部が輻射再結合したとき発光する。尚、上記の基本
構造に加えて、発光効率を高めたり、長寿命化を図るた
めに、電子輸送層や正孔輸送層を併用することもよく行
われる。
用途と目されているのが、液晶ディスプレイ用光源(バ
ックライト)である。それは、フレキシブルで、大面積
のLEDが容易に得られるという特長が生かされるから
である。この液晶ディスプレイ用光源としてLEDが使
用される場合、LEDに必要とされる性能は偏光を発光
するということである。
する常光を偏光フイルターを通して偏光に変えて使用し
ているが、光源そのものが偏光を発光すれば、次のよう
な利点が生じる。即ち、光源そのものが偏光を発光すれ
ば、偏光フイルターを省略でき、液晶ディスプレイ装置
の構造を簡略にすることができ、又、偏光フイルターに
よる光の損失がないために偏光フイルターがある場合に
比して低電圧で同一所要光量を得ることができ、換言す
れば、電圧/光量の低減化(光量/電圧の増大化)がは
かれ、そのため低電圧で液晶ディスプレイを動作させる
ことができるという利点がある。
のが偏光を発光すれば、それは有機LEDの実用化にお
いて一つのブレイクスルー(突破口)である。しかし、
有機LEDに使用される有機化合物は一般に非晶質であ
るので、そのままで偏光を発光させることはできない。
そこで、光源そのものが偏光を発光するようにするに
は、何らかの工夫あるいは手段が必要である。
先ず、Friendら(R.H. Friend, D.D.C. Bradley, and
P.D. Townsend ; J. Phys. D; Appl. Phys. 20(1987)13
67)によって報告された手段を挙げることができる。こ
の手段は、Friendらが報告しているように、延伸により
一軸配向させた高分子を発光層として使用するものであ
り、これによれば偏光の光ルミネッセンスが得られる。
しかしながら、この手段は、高分子膜を延伸して発光層
となすものであるから、LEDの発光層として適当とさ
れる1μm 以下の厚さで、且つ大面積の高分子薄膜(発
光層)を製造することが極めて困難であるという問題点
を有している。
Berggren, O. Ingandas, M.R. Andersson, O. Wennerst
rom, and T. Hiertberg ; Adv. Mat. 7 (1995)43)によ
って報告された手段を挙げることがきる。この手段は、
ポリエチレンフイルム上にポリチオフェン誘導体をキャ
ストした後、これを延伸して、ポリエチレン上に配向し
たポリチオフェン誘導体を得、次に、このポリチオフェ
ン誘導体のみをLED素子中に熱転写し、これを発光層
として使用するものであり、かかる方法によりDyreklev
らは偏光を発光するLEDを作製したと報告している。
しかしながら、この手段は、大面積の発光層を有するL
EDを効率よく製造するには複雑すぎるという問題点が
ある。
たものであって、その目的は、前記Friendらによって報
告された手段及びDyreklevらによって報告された手段が
有する問題点を解消し、偏光を発光し得、又、LEDの
発光層として適当な薄さで、且つ大面積の発光層を有
し、しかも容易に製造できる有機LED及びその製造方
法を提供しようとするものである。
めに、本発明に係る有機LED(発光ダイオード)及び
その製造方法は次のような構成としている。即ち、請求
項1記載の有機LEDは、一対の電極間に有機発光層を
有する有機LEDであって、前記有機発光層が、ラビン
グによる配向処理がされたπ−共役型高分子よりなるこ
とを特徴とする有機LEDである。
役型高分子の主鎖がラビング方向に配向している請求項
1記載の有機LEDである。請求項3記載の有機LED
は、前記有機発光層の平均表面粗さが、10nm以上、有
機発光層の厚み(nm)×0.8 より求められる値以下で
ある請求項1又は2記載の有機LEDである。請求項4
記載の有機LEDは、前記π−共役型高分子が液晶性π
−共役型高分子である請求項1、2又は3記載の有機L
EDである。
基板上に第1電極膜を形成し、該第1電極膜の上にπ−
共役型高分子よりなる有機発光層を形成し、該有機発光
層にラビングによる配向処理を施した後、該有機発光層
の上に第2電極膜を形成することを特徴とする有機LE
Dの製造方法である。
基板上に第1電極膜を形成し、該第1電極膜の上に有機
発光層の下地層を形成し、該下地層にラビングによる配
向処理を施した後、該下地層の上にπ−共役型高分子よ
りなる有機発光層を形成し、その後、該π−共役型高分
子よりなる有機発光層を該π−共役型高分子の軟化点以
上の温度で加熱する処理を施し、しかる後、該有機発光
層の上に第2電極膜を形成することを特徴とする有機L
EDの製造方法である。
るLED、即ち、第1電極膜と第2電極膜との間に有機
発光層を有するLEDである。かかる有機LEDには、
第1電極膜と有機発光層との間に中間層(電子輸送層又
は正孔輸送層、あるいは有機発光層の下地層等)を設け
たもの、有機発光層と第2電極膜との間に中間層(正孔
輸送層又は電子輸送層、あるいは第2電極膜の下地層
等)を設けたもの、又、これら中間層を全く設けないも
のも含まれる。
機発光層が、ラビングによる配向処理がされたπ−共役
型高分子よりなるとき、或いは、有機発光層が、ラビン
グによる配向処理が施された下地層(有機発光層の下地
層)の上に形成されたπ−共役型高分子であって、その
形成後に該π−共役型高分子の軟化点以上の温度で加熱
する処理が施されたものよりなるとき、有機LEDは偏
光を発光し得るということを見い出し、かかる新規知見
に基づき完成されたものである。
る。有機LEDの有機発光層として延伸等により配向さ
せたπ−共役型高分子を使用したものは、前記Friendら
によって報告された手段等からわかる如く、偏光を発光
し得る。即ち、延伸等の手段によって有機発光層を構成
するπ−共役型高分子の主鎖を配向させた状態にするこ
とができれば、偏光を発光し得るはずである。これは、
擬一次元半導体と見做されるπ−共役型高分子において
は、その主鎖内を一次元的に動く励起子の再結合によっ
てもたらされる発光はもともと強く偏光していると考え
られるから、各分子主鎖をマクロスコピックな領域にわ
たって配向させることができれば偏光発光が観測される
と期待されるからである。
るπ−共役型高分子(π−共役型高膜)のπ−共役型高
分子主鎖を配向させる方法について検討した。その結
果、π−共役型高分子膜をラビング処理することによ
り、π−共役型高分子主鎖を優先配向させ得ることを見
い出した。それは、このラビング処理されたπ−共役型
高分子膜の吸収スペクトルや光ルミネッセンスが、ラビ
ングの方向に関して強い異方性を示すことから確認され
た。即ち、このラビング処理されたπ−共役型高分子膜
に対し、ラビング方向に平行に偏光した光を照射する
と、ラビング方向に垂直に偏光した光を照射した場合と
比べて、強い吸収とルミネッセンスが認められた。そし
て、有機LEDの有機発光層が、かかるラビングによる
配向処理がされたπ−共役型高分子膜よりなるとき、偏
光を発光し得ることが確認された。
れたものである。即ち、本発明に係る有機LEDは、一
対の電極間に有機発光層を有する有機LEDであって、
該有機発光層が、ラビングによる配向処理がされたπ−
共役型高分子よりなるものとしている(請求項1記載の
有機LED)。従って、この有機LEDは、π−共役型
高分子の主鎖が配向した状態になっており、そのため、
偏光を発光し得る。
ビングによりπ−共役型高分子主鎖を優先配向させる処
理のことである。このラビングとは、有機発光層を形成
するπ−共役型高分子膜の表面を布や紙等で一定の方向
にこする処理である。かかる処理は、前記Friendらによ
って報告された手段(高分子膜の延伸)の場合に比べ、
はるかに簡単であり、極めて容易にできる処理であり、
有機発光層の厚さがLEDの発光層として適当な薄さ
(1μm 以下)で、且つ有機発光層が大面積である場合
にも、比較的容易に適用できるものである。又、Dyrekl
evらによって報告された手段(キャスト→延伸→熱転
写)の場合に比べると、処理内容、処理工程が著しく簡
単な処理であり、処理効率が極めて高く、経済的にも優
れている。
を発光し得、又、LEDの発光層として適当な薄さで、
且つ大面積の発光層を有するものとなり、しかも容易に
製造できるものである。
高分子の主鎖をラビング方向に配向させることができる
ので、前記π−共役型高分子の主鎖がラビング方向に配
向したものにでき、それによれば、確実に効率よく偏光
を発光し得る(請求項2記載の有機LED)。
て、ラビングは、液晶に優先配向を付与するために液晶
の基板に対して一般的に行われる処理の一つであり、文
献(J.S. Patel, T.M. Leslie, and J.W. Goodby : Fer
roelectrics 59(1984)137 )記載の如く、基板上に予め
塗布されたポリイミドやポリビニルアルコール等の高分
子膜の表面を布や紙等で一定の方向にこする処理であ
る。かかる処理をした基板を使って液晶セルを構成する
と、ラビング方向にそろった液晶の優先配向(モノドメ
イン)を得ることができる。その作用は、ラビングによ
ってできる高分子膜表面の微細な溝状の凹凸が、その排
除体積効果によって棒状の液晶分子の配向を誘起するこ
とにあると考えられる。
よってπ−共役型高分子に配向がもたらされるが、その
機構については、上記のことを考慮すると次のように推
定される。即ち、ラビングによってπ−共役型高分子膜
の表面に微細な溝状の凹凸が形成されるのに伴い、この
π−共役型高分子膜が一方向に伸ばされるような塑性変
形を受け、この塑性変形が膜の延伸と同様の効果をもた
らし、その結果、π−共役型高分子主鎖が配向するもの
と推定される。
型高分子膜の表面に形成される微細な溝状の凹凸の状態
と、そのπ−共役型高分子の配向とは密接な関係がある
と考えられる。そして、この凹凸の状態を表すものの一
つとして表面粗さがある。そこで、ラビング後のπ−共
役型高分子膜の表面粗さと、そのπ−共役型高分子の配
向との関係、更には、偏光の発光の効率との関係を調べ
た。その結果、ラビング後のπ−共役型高分子膜の平均
表面粗さが10nm以上であるとき、確実にπ−共役型高
分子が配向し、より効率よく偏光を発光し得ることがわ
かった。
による配向処理がされたπ−共役型高分子膜)は、平均
表面粗さ:10nm以上になるようにすることが望まし
い。しかし、平均表面粗さが、有機発光層の厚み:t
(nm)×0.8 より求められる値を超えると、π−共役
型高分子膜が破壊したり、電極同士が接触して電極間で
の短絡が起こる恐れがあるので、 0.8tnm以下にする
ことが望ましい(請求項3記載の有機LED)。
−共役型高分子を用いることが望ましく、そうすると偏
光を発光するものをより容易に得ることができる(請求
項4記載の有機LED)。これは、液晶性π−共役型高
分子自体が配向形成能を有しているからである。即ち、
該高分子は、異方性の強い分子形状(一般には棒状ない
し平板状)と、熱運動や外力による分子の再配列を可能
にする可塑性とを有しており、そのため、前述のラビン
グによる配向処理の効果がより顕著にあらわれるからで
あると考えられる。かかる液晶性π−共役型高分子とし
ては、ポリ(2,5-ジノニルオキシ-1,4- フェニレンビニ
レン)〔M. Hamaguchi and K.Yoshino ;Jpn. J. Appl.
Phys. 33 (1994) L1478 〕など、公知のものを使用する
ことができる。
述の如く、基板上に第1電極膜を形成し、該第1電極膜
の上にπ−共役型高分子よりなる有機発光層を形成し、
該有機発光層にラビングによる配向処理を施した後、該
有機発光層の上に第2電極膜を形成するようにしている
(請求項5記載の有機LEDの製造方法)。それ故、有
機発光層が、ラビングによる配向処理が施されたπ−共
役型高分子よりなる有機LEDが得られる。この有機L
EDは、π−共役型高分子の主鎖が配向した状態になっ
ており、そのため偏光を発光し得る。又、上記ラビング
による配向処理は、前述の如く、極めて容易にでき、且
つ処理工程が著しく簡単な処理である。従って、本発明
に係る有機LEDの製造方法は、偏光を発光し得、又、
LEDの発光層として適当な薄さで、且つ大面積の発光
層を有する有機LEDを容易に製造できる。
発光層にラビングによる配向処理を施こして該π−共役
型高分子を配向させるものであるが、下記の如きラビン
グ及び熱処理工程を含む製造方法によっても有機発光層
のπ−共役型高分子を配向させることができる。即ち、
その製造方法は、基板上に第1電極膜を形成し、該第1
電極膜の上に有機発光層の下地層を形成し、該下地層に
ラビングによる配向処理を施した後、該下地層の上にπ
−共役型高分子よりなる有機発光層を形成し、その後、
該π−共役型高分子よりなる有機発光層を該π−共役型
高分子の軟化点以上の温度で加熱する処理を施し、しか
る後、該有機発光層の上に第2電極膜を形成することを
特徴とする有機LEDの製造方法である(請求項6記載
の有機LEDの製造方法)。そして、この製造方法によ
れば、上記下地層のラビングによる配向処理、及び、そ
の後に形成されたπ−共役型高分子よりなる有機発光層
の加熱処理により、上記下地層のラビング方向にそろっ
たπ−共役型高分子の配向が形成される(π−共役型高
分子を配向させ得る)ことができ、引いては偏光を発光
し得る有機LEDが得られることがわかった。
機構は、必ずしも明確ではないが、液晶セルでの配向形
成機構と類似であると推察される。即ち、一般に剛直な
主鎖を持ち、分子形状の異方性の高いπ−共役型高分子
が、下地層の溝状凹凸表面と相互作用して、配向が誘起
されるものと考えられる。より詳細には、上記ラビング
によって有機発光層の下地層の表面に微細な溝状の凹凸
が形成され、その後に形成されたπ−共役型高分子より
なる有機発光層の加熱処理により、この層が軟化し、下
地層の溝状凹凸表面に沿って一方向に伸ばされるように
流動変形し、その結果配向がもたらされるものと考えら
れる。
は、前記Friendらによって報告された手段に比べ、簡
単、容易にできる手段であり、又、Dyreklevらによって
報告された手段に比べると、工程が著しく簡単な手段で
ある。従って、かかる手段を採用する製造方法(請求項
6記載の有機LEDの製造方法)によれば、偏光を発光
し得、又、LEDの発光層として適当な薄さで、且つ大
面積の発光層を有する有機LEDを容易に製造できる。
光層の加熱処理に際し、加熱温度を該π−共役型高分子
の軟化点以上としているのは、π−共役型高分子の配向
を形成させ、引いては偏光を発光し得るようにするため
であり、換言すれば、該π−共役型高分子の軟化点未満
にするとπ−共役型高分子の配向の形成が不充分とな
り、引いては偏光を発光し得なくなるからである。尚、
加熱処理時の雰囲気は、酸化による発光層の劣化を防ぐ
観点から、不活性ガス或いは真空中とすることが望まし
い。
ミド、ナイロン、ポリビニルアルコール等、前述の液晶
セル基板のラビング膜として知られるものの他、π−共
役型高分子膜も用いることができる。後者のπ−共役型
高分子膜は適当な導電性を有するという利点もある。
述の液晶の分野において一般的な公知の方法で行うこと
ができる。例えば、図1に示す如く、レーヨン等の布が
表面に巻付けられたドラム1を回転させておく。そし
て、π−共役型高分子膜(又は有機発光層の下地層)2
が表面に形成された基板3を、ドラム1表面とわずかに
接触させながら、一定の方向に動かすことによって、高
分子膜(又は下地層)2の表面に微細な溝状凹凸を形成
させる。このとき、ドラム1の形状、寸法や表面材質、
基板3への押しつけ圧力、回転速度、基板3の送り速
度、処理の回数等の操作パラメータは、高分子膜(又は
下地層)2の性質や、得たい有機LEDの性能等を考慮
して適宜選択される。尚、図1において4は台座であ
る。
りなる有機発光層)の形成方法は、特に制限されるもの
ではなく、公知の方法を用いることができる。その代表
的なものとしては、π−共役型高分子を含む溶液から基
板上にスピンコートする方法が挙げられる。
は、特に制限されるものではなく、例えばポリチオフェ
ン、ポリフェニレンビニレン、ポリ(1,4-フェニレン)
等、或いはそれらの誘導体を用いることができる。又、
発光層は一種類の純粋なπ−共役型高分子である必要は
なく、非共役型を含む複数の高分子との共重合体とした
り、或いはこれらの混合物を用いることもできる。更に
は、低分子化合物を添加してもよい。
ものは一対の電極間に一つの有機発光層を有するもので
あるが、本発明はそれに限定されず、2種以上の有機発
光層を有するものや、正孔(ホール)輸送層、電子輸送
層等と組合わせた所謂多層膜ないしhetero structure
(ヘテロストラクチャー)の有機LEDとすることもで
きる。特に、ラビング処理の際にπ−共役型高分子膜が
部分的に破壊されて電極間が短絡するのを防ぐために
は、正孔輸送層等の下地層を予め電極上に形成しておく
ことが有効である。
膜)としてIn-Sn oxide(酸化物)膜を蒸着により形成
し、その上に有機発光層としてポリ(3-オクチルチオフ
ェン)よりなるπ−共役型高分子膜を下記方法により形
成した。即ち、文献(R.Sugimoto, S.Takeda, H.B.Gu,
and K.Yoshino ; Chemistry Express,vol.1(1986) 635
)に記載の方法にしたがってポリ(3-オクチルチオフ
ェン)を調製し、これを1wt%含有させたクロロフォル
ム溶液を準備し、この溶液からスピンコート(回転速度
2000rpm )によりポリ(3-オクチルチオフェン)膜を形
成した。この膜厚は約1000Åであった。
し、図1に示した方法により次のようにしてラビング処
理を施した。即ち、長さ:約2mmのレーヨン繊維がほぼ
垂直に密に植えられてなるラビング用布を巻き付けた直
径:3cm,長さ:10cmのステンレス鋼製ドラムを60rpm
で回転させておく。そして、上記ポリ(3-オクチルチオ
フェン)膜形成後のものを、ドラム下部表面回転方向と
対向する方向(図1で左方向)に送り速度:5cm/秒で
移動させながらドラム表面と接触させる操作を30回繰り
返してラビング処理した。このとき、押し込み深さ(ド
ラム表面の繊維先端が被処理材表面に触れる位置からさ
らに被処理材表面をドラムに近付ける距離)は約0.5mm
とした。
膜の上に、電子注入用電極(第2電極膜)として膜厚:
約1000ÅのMg膜を真空蒸着により形成することにより、
有機LED(π−共役型高分子LED)を得た。なお、
LEDの発光領域は、5mm四方とした。
て、電子注入用電極(Mg膜)側が負となるように直流電
界を印加しながら、ガラス基板を通して出てくる発光の
強度を光電子増倍管を使って測定した。このとき、光電
子増倍管とLEDとの間に、光軸と直交するように偏光
板を挿入した。偏光の発光の特性(偏光の程度)は、光
軸の周りに偏光板を回転させたときの、偏光板の偏光方
向とLEDの前記膜のラビング方向とのなす角度による
発光強度の変化から評価した。そして、偏光板の偏光方
向をラビング方向と平行としたときの発光強度と、ラビ
ング方向と垂直としたときの発光強度との比(即ち、発
光の異方性比)を求めた。その結果を表1に示す。これ
よりわかる如く、上記有機LEDは、異方性比:1.9 の
偏光を発光する。
の点を除き実施例1と同様の材料を用い、同様の方法に
より有機LEDを作製し、同様の方法により発光特性を
調べた。その結果、表1に示す如く異方性比:1であ
り、偏光を発光しなかった。
(第1電極膜)としてIn-Sn 酸化物膜を蒸着により形成
した。その上に市販のポリアミック酸(ポリイミドの前
駆体)の薄膜をスピンコートにより形成した後、窒素
中、250 ℃で1時間熱処理し、約 500Å厚さのポリイミ
ドの薄膜に転化した。そして、この薄膜(有機発光層の
下地層)に実施例1と同様の方法によりラビング処理を
施した。
リ(3-オクチルチオフェン)膜を実施例1と同様の方法
により形成した後、窒素中で熱処理をした。このとき、
加熱温度は、ポリ(3-オクチルチオフェン)の軟化点が
約150 ℃であることから、それより高い160 ℃とした。
しかる後、電子注入用電極として実施例1と同様の方法
によりMg膜を形成して有機LEDを得た。そして、実施
例1と同様の方法により発光特性を調べた。その結果、
発光の異方性比は1.7 であった(表1)。
処理を施こさず、この点を除き実施例2と同様の材料を
用い、同様の方法により有機LEDを作製し、同様の方
法により発光特性を調べた。その結果、異方性比:1で
あり、偏光を発光しなかった(表1)。
(3-オクチルチオフェン)膜に代えて、液晶性π−共役
型高分子の一つであるポリ(2,5-ジノニルオキシ-1,4-
フェニレンビニレン)の膜を形成し、この点を除き実施
例1と同様の材料を用い、同様の方法により有機LED
を作製した。このとき、上記膜は、文献〔M. Hamaguchi
and K.Yoshino ;Jpn. J. Appl. Phys. 33 (1994) L147
8 〕に記載の方法にしたがって調製したポリ(2,5-ジノ
ニルオキシ-1,4- フェニレンビニレン)を用いて形成し
た。尚、該膜形成後、該膜は実施例1と同様法によりラ
ビング処理される。
方法により発光特性を調べた。その結果、異方性比:2.
9 の偏光を発光した。
を施こさず、この点を除き実施例3と同様の材料を用
い、同様の方法により有機LEDを作製し、同様の方法
により発光特性を調べた。その結果、異方性比:1であ
り、偏光を発光しなかった(表1)。
のポリ(3-オクチルチオフェン)膜に代えて、実施例3
に示した液晶性π−共役型高分子膜、即ちポリ(2,5-ジ
ノニルオキシ-1,4- フェニレンビニレン)膜を用い、こ
の点と下記熱処理温度の点を除き実施例2と同様の材料
を用い、同様の方法により有機LEDを作製した。但
し、上記液晶性π−共役型高分子膜の形成後の熱処理温
度は、該高分子の軟化点:190 ℃より高温の230 ℃とし
た。
方法により発光特性を調べた。その結果、異方性比:2.
5 の偏光を発光した。
ミド薄膜)へのラビング処理を施こさず、この点を除き
実施例4と同様の材料を用い、同様の方法により有機L
EDを作製し、同様の方法により発光特性を調べた。そ
の結果、異方性比:1であり、偏光を発光しなかった
(表1)。
すものであり、偏光を発光し得、又、LED発光層とし
て適当な薄さで、且つ大面積の発光層を有する有機LE
D(発光ダイオード)を簡単で容易な製造法により経済
性よく得ることができるという効果を奏する。そして、
かかる有機LEDは、液晶ディスプレイ用光源(バック
ライト)等の如き機器の光源として好適に用いることが
でき、換言すれば、比較的簡単に且つ経済性よく、それ
ら機器における偏光フイルターを不要とすることがで
き、それにより機器構造の簡略化がはかれ、且つ、より
低電圧で所要光量を得ることができ(電圧/光量の低減
化がはかれ)、そのため低電圧で液晶ディスプレイを動
作させることができるようになるという効果が期待でき
る。
側断面図である。
高分子膜又は有機発光層の下地層等の被処理膜、3--基
板、4--台座。
Claims (6)
- 【請求項1】 一対の電極間に有機発光層を有する有機
発光ダイオードであって、前記有機発光層が、ラビング
による配向処理がされたπ−共役型高分子よりなること
を特徴とする有機発光ダイオード。 - 【請求項2】 前記π−共役型高分子の主鎖がラビング
方向に配向している請求項1記載の有機発光ダイオー
ド。 - 【請求項3】 前記有機発光層の平均表面粗さが、10n
m以上、有機発光層の厚み(nm)×0.8 より求められ
る値以下である請求項1又は2記載の有機発光ダイオー
ド。 - 【請求項4】 前記π−共役型高分子が液晶性π−共役
型高分子である請求項1、2又は3記載の有機発光ダイ
オード。 - 【請求項5】 基板上に第1電極膜を形成し、該第1電
極膜の上にπ−共役型高分子よりなる有機発光層を形成
し、該有機発光層にラビングによる配向処理を施した
後、該有機発光層の上に第2電極膜を形成することを特
徴とする有機発光ダイオードの製造方法。 - 【請求項6】 基板上に第1電極膜を形成し、該第1電
極膜の上に有機発光層の下地層を形成し、該下地層にラ
ビングによる配向処理を施した後、該下地層の上にπ−
共役型高分子よりなる有機発光層を形成し、その後、該
π−共役型高分子よりなる有機発光層を該π−共役型高
分子の軟化点以上の温度で加熱する処理を施し、しかる
後、該有機発光層の上に第2電極膜を形成することを特
徴とする有機発光ダイオードの製造方法。
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