KR100899587B1 - 나노튜브 필름 및 물품 - Google Patents

나노튜브 필름 및 물품 Download PDF

Info

Publication number
KR100899587B1
KR100899587B1 KR1020047001160A KR20047001160A KR100899587B1 KR 100899587 B1 KR100899587 B1 KR 100899587B1 KR 1020047001160 A KR1020047001160 A KR 1020047001160A KR 20047001160 A KR20047001160 A KR 20047001160A KR 100899587 B1 KR100899587 B1 KR 100899587B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
delete delete
nanotube
nanotubes
conductive
layer
Prior art date
Application number
KR1020047001160A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20050012707A (ko
Inventor
뤼케스토마스
시걸브렌트엠
Original Assignee
난테로 인크.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from US09/915,173 external-priority patent/US6643165B2/en
Priority claimed from US09/915,093 external-priority patent/US6919592B2/en
Priority claimed from US09/915,095 external-priority patent/US6574130B2/en
Application filed by 난테로 인크. filed Critical 난테로 인크.
Publication of KR20050012707A publication Critical patent/KR20050012707A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100899587B1 publication Critical patent/KR100899587B1/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C23/00—Digital stores characterised by movement of mechanical parts to effect storage, e.g. using balls; Storage elements therefor
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82B—NANOSTRUCTURES FORMED BY MANIPULATION OF INDIVIDUAL ATOMS, MOLECULES, OR LIMITED COLLECTIONS OF ATOMS OR MOLECULES AS DISCRETE UNITS; MANUFACTURE OR TREATMENT THEREOF
    • B82B1/00—Nanostructures formed by manipulation of individual atoms or molecules, or limited collections of atoms or molecules as discrete units
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C13/00—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00
    • G11C13/02—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00 using elements whose operation depends upon chemical change
    • G11C13/025—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00 using elements whose operation depends upon chemical change using fullerenes, e.g. C60, or nanotubes, e.g. carbon or silicon nanotubes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01H—ELECTRIC SWITCHES; RELAYS; SELECTORS; EMERGENCY PROTECTIVE DEVICES
    • H01H1/00—Contacts
    • H01H1/0094—Switches making use of nanoelectromechanical systems [NEMS]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
    • H01L21/76838—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the conductors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being a semiconductor body
    • H01L27/10—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a repetitive configuration
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof  ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/41—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions
    • H01L29/413—Nanosized electrodes, e.g. nanowire electrodes comprising one or a plurality of nanowires
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C2213/00—Indexing scheme relating to G11C13/00 for features not covered by this group
    • G11C2213/10—Resistive cells; Technology aspects
    • G11C2213/16—Memory cell being a nanotube, e.g. suspended nanotube
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C2213/00—Indexing scheme relating to G11C13/00 for features not covered by this group
    • G11C2213/70—Resistive array aspects
    • G11C2213/77—Array wherein the memory element being directly connected to the bit lines and word lines without any access device being used
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C2213/00—Indexing scheme relating to G11C13/00 for features not covered by this group
    • G11C2213/70—Resistive array aspects
    • G11C2213/81—Array wherein the array conductors, e.g. word lines, bit lines, are made of nanowires
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/10—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device
    • H01L2221/1068—Formation and after-treatment of conductors
    • H01L2221/1094—Conducting structures comprising nanotubes or nanowires
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1203—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body the substrate comprising an insulating body on a semiconductor body, e.g. SOI
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
    • H10K30/80—Constructional details
    • H10K30/81—Electrodes
    • H10K30/82—Transparent electrodes, e.g. indium tin oxide [ITO] electrodes
    • H10K30/821—Transparent electrodes, e.g. indium tin oxide [ITO] electrodes comprising carbon nanotubes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/20—Carbon compounds, e.g. carbon nanotubes or fullerenes
    • H10K85/221—Carbon nanotubes
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S977/00—Nanotechnology
    • Y10S977/70—Nanostructure
    • Y10S977/734—Fullerenes, i.e. graphene-based structures, such as nanohorns, nanococoons, nanoscrolls or fullerene-like structures, e.g. WS2 or MoS2 chalcogenide nanotubes, planar C3N4, etc.
    • Y10S977/742—Carbon nanotubes, CNTs
    • Y10S977/75—Single-walled
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S977/00—Nanotechnology
    • Y10S977/70—Nanostructure
    • Y10S977/778—Nanostructure within specified host or matrix material, e.g. nanocomposite films
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S977/00—Nanotechnology
    • Y10S977/84—Manufacture, treatment, or detection of nanostructure
    • Y10S977/842—Manufacture, treatment, or detection of nanostructure for carbon nanotubes or fullerenes
    • Y10S977/843—Gas phase catalytic growth, i.e. chemical vapor deposition
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S977/00—Nanotechnology
    • Y10S977/84—Manufacture, treatment, or detection of nanostructure
    • Y10S977/849—Manufacture, treatment, or detection of nanostructure with scanning probe
    • Y10S977/855—Manufacture, treatment, or detection of nanostructure with scanning probe for manufacture of nanostructure
    • Y10S977/857—Manufacture, treatment, or detection of nanostructure with scanning probe for manufacture of nanostructure including coating
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S977/00—Nanotechnology
    • Y10S977/84—Manufacture, treatment, or detection of nanostructure
    • Y10S977/888—Shaping or removal of materials, e.g. etching

Abstract

본 발명에 따르면, 나노튜브 필름 및 물품과 그 제조 방법이 개시되어 있다. 전도성 물품은 나노튜브 절편의 집합체를 포함하며, 상기 나노튜브 절편은 다른 나노튜브 절편과 접촉하여 물품을 따라 복수 개의 전도 경로를 형성한다. 상기 나노튜브 절편은 단일벽 카본 나노튜브일 수도 있고 다중벽 카본 나노튜브일 수도 있다. 다양한 나노튜브 절편은 그 길이가 서로 다를 수 있고, 물품보다 길이가 짧은 절편을 포함할 수 있다. 이렇게 형성된 물품은 기판 상에 배치될 수 있으며, 물품 자체 내에는 나노튜브의 전기망을 형성할 수 있다. 전도성 물품은 나노튜브 섬유를 기판 상에 형성하는 단계와, 전도성 물품에 상응하는 패턴을 상기 섬유 내에 형성하는 단계에 의해, 기판 상에 제조될 수 있다. 나노튜브 섬유는 촉매를 사용하여 기판 상에 나노튜브 섬유를 성장시키는 단계에 의해 형성될 수 있으며, 예컨대 상기 촉매는 기상 촉매이거나 기상 금속 촉매이다. 나노튜브 섬유는 기판 상에 나노튜브의 현탁액을 침적함으로써 형성될 수 있다. 침적된 용액을 회전시켠 현탁액의 스핀 코팅을 형성할 수 있다. 상기 현탁액은 기판을 현탁액에 침지함으로써 침적될 수 있다. 나노튜브 섬유는 나노튜브를 포함하는 연무질을 기판의 표면 상에 분무함으로써 형성된다.

Description

나노튜브 필름 및 물품{NANOTUBE FILMS AND ARTICLES}
본 발명은 일반적으로 카본 나노튜브 필름, 섬유, 층 및 물품에 관한 것이며, 보다 구체적으로는 회로 등에 다양하게 사용하기 위해 전기 전도성 물품을 카본 나노튜브 필름, 섬유 또는 층으로 제조하는 것에 관한 것이다.
전기 전도성 초박(超薄) 금속층 및 전극을 10 nm 이하의 범위로 신뢰 가능하게 제조하는 것은 문제가 있으며, 이에 대해서는 예컨대 S. Wolf의 Silicon Processing for the VLSI era, 2권 - Process Integration(Lattice Press, Sunset Beach, 1990)을 참조하라. 상기 크기 범위의 금속 필름은 대개 불연속적이고, 거시적 거리에 있어서 전도성이 없다. 또한, 이러한 10 nm 이하의 필름은 전류에 의해 열 손상을 받기 쉬워, 반도체 장치의 전기 인터커넥트 등과 같은 용례에 적합하지 못하게 된다. 낮은 열 전도성에 기인하는 얇은 금속 인터커넥트의 열 손상은, 고집적 반도체 장치의 성능 향상과 극적인 소형화를 방해하는 주요 인자 중 하나이다.
통상의 인터커넥트 기술은 반도체 장치의 성능을 저하시키는, 특히 전기적 특성을 열화시키는 열 손상 및 금속 확산의 영향을 받는 경향이 있다. 이러한 영향은 0.18 um 및 0.13 um의 구조물에서 예컨대 초박 게이트 산화물 층을 통한 금속 확산에 의해 전류 발생의 크기가 감소하는 경우에 보다 명백히 드러나게 된다. 따라서, 당업계에서는 전류 밀도가 높은 환경에서 또는 극심한 열 조건에서 잘 작동되는 전도성 요소가 필요하다. 이는 특징 크기가 매우 작은 회로 환경을 포함하지만, 그 밖의 전류 밀도가 높은 극심한 열 조건 환경도 포함한다. 또한, 바람직하지 못한 양의 금속이 다른 회로 요소에 확산되는 경우를 줄인 전도성 요소가 필요하다.
본 발명은 나노튜브 필름 및 물품과 그 제조 방법을 제공한다. 본 발명의 한 가지 양태에 있어서, 전도성 물품은 나노튜브 절편의 집합체를 포함하며, 상기 나노튜브 절편은 다른 나노튜브 절편과 접촉하여 물품의 따라 복수 개의 전도 경로를 형성한다.
본 발명의 다른 양태에 있어서, 나노튜브 절편은 단일벽 카본 나노튜브일 수도 있고, 다중벽 카본 나노튜브일 수도 있다. 다양한 나노튜브 절편은 길이가 서로 다를 수 있고, 물품보다 길이가 짧은 절편을 포함할 수 있다.
이렇게 형성된 물품은 기판 상에 배치되며, 물품 자체 내에 나노튜브의 전기망을 형성할 수 있다.
본 발명의 다른 양태에 있어서, 전도성 물품은 기판 상에 나노튜브 섬유를 형성하는 단계와, 전도성 물품에 상응하는 패턴을 상기 나노튜브 섬유 내에 형성하는 단계에 의해, 기판상에 제조될 수 있다.
본 발명의 다른 양태에 있어서, 나노튜브 섬유는 촉매를 이용하여 기판 상에 나노튜브 섬유를 성장시킴으로써 형성될 수 있으며, 예컨대 상기 촉매는 기상 촉매이거나, 기상 금속 촉매이다.
본 발명의 다른 양태에 있어서, 나노튜브 섬유는 나노튜브의 현탁액을 기판 상에 침적함으로써 형성된다. 침적된 용액을 회전시켜 상기 현탁액의 스핀 코팅을 형성할 수 있다.
본 발명의 다른 양태에 있어서, 상기 현탁액은 기판을 현탁액에 침지함으로써 침적될 수 있다.
본 발명의 다른 양태에 있어서, 나노튜브 섬유는 나노튜브를 포함한 연무질을 기판의 표면 상에 분무함으로써 형성된다.
본 발명의 전도성 나노튜브의 필름을 제조하는 방법을 제공한다. 본 발명의 한 가지 양태에 있어서는, 기판을 마련하고, 기상 촉매를 도입하여 나노튜브의 성장을 촉진시킨다. 또한, 탄소원을 도입하여 기판의 주 표면에 실질적으로 평행한 나노튜브 층을 성장시킨다.
본 발명의 다른 양태에 있어서, 기상 촉매는 메탈로센이다.
본 발명의 다른 양태에 있어서, 전도성 물품은 나노튜브 섬유를 기판 상에 형성하는 단계와; 전도성 물품에 상응하는 패턴을 상기 섬유 내에 형성하는 단계; 그리고 패턴화된 섬유가 기판 상에 잔류하여 전도성 물품을 형성하도록, 섬유의 일부분을 제거하는 단계에 의하여, 기판 상에 제조된다.
본 발명의 다른 양태에 있어서, 전도성 물품은 기판을 마련하는 단계와; 기상 촉매를 도입하여 나노튜브의 성장을 촉진시키는 단계; 그리고 탄소원을 도입하 여 기판의 주 표면에 실질적으로 평행한 나노튜브 층을 성장시키는 단계에 의하여, 기판 상에 제조된다.
본 발명의 다른 양태에 있어서, 전도성 물품은 기판을 마련하는 단계와; 나노튜브의 성장을 촉진시키는 촉매를 제공하는 단계; 패턴에 의해 형성된 영역에서 기판의 주 표면에 실질적으로 평행하게 나노튜브를 성장시키도록 탄소원을 제공하는 단계에 의하여, 기판 상에 제조된다.
본 발명의 다른 양태에 있어서, 소정 재료의 패터닝된 층은 절연체 또는 반도체이고, 상기 나노튜브는 상기 패터닝된 재료 상에서 성장한다.
본 발명의 다른 양태에 있어서, 상기 패터닝된 층은 패터닝된 금속층이며, 상기 나노튜브는 상기 패터닝된 금속층 이외의 영역에서 성장한다.
도 1은 본 발명의 특정 실시예에 따른 나노튜브 벨트 크로스바 메모리 소자를 예시하고,
도 2a 내지 도 2b는 본 발명의 특정 실시예에 따른 메모리 셀의 2가지 상태를 예시하며,
도 3은 본 발명의 특정 실시예에 따른 메모리 소자의 제조 과정을 예시하고,
도 4 내지 도 11은 본 발명의 특정 실시예에 따른 메모리 소자를 제조하는 데 사용되는 여러 형태의 중간 구조물 형성 방법을 예시하며,
도 12는 본 발명의 특정 실시예를 제조하는 데 사용되는 나노튜브의 부직 섬유 또는 매트형 나노뷰트 층을 예시하고,
도 13은 본 발명의 특정 실시예의 숨겨진 하부 트레이스와 관련된 매트형 나노튜브 층을 예시하며,
도 14는 본 발명의 특정 실시예의 로직에 어드레스를 지정하는 것을 예시하고,
도 15는 메모리 코어가 나노튜브 기술을 이용하고 있는 본 발명의 하이브리드 기술 실시예를 예시하며,
도 16은 메모리 코어와 어드레스 라인이 나노튜브 리본 기술을 이용하고 있는 본 발명의 하이브리드 기술 실시예를 예시하고,
도 17은 본 발명의 특정 실시예에 따른 전기 전도성 물품의 제조 단계를 예시하며,
도 18은 본 발명의 특정 실시예에 따른 전기 전도성 물품이 전기 부품을 접속시키는 데 사용될 수 있는 방법을 보여주고,
도 19는 본 발명의 특정 실시예에 따른 중간 구조물 형성 방식을 예시하며,
도 20은 본 발명의 특정 실시예를 제조하는 데 사용되는 나노튜브의 부직 섬유 또는 매트형 나노튜브 층을 예시한다.
신규한 전자 기계식 메모리 어레이 및 그 제조 방법이 본원에 개시되어 있으며, 이러한 전자 기계식 메모리 셀은 본원에 그 내용이 참조로 인용되어 있는 WO 01/03208호에 개시된 NTWCM 장치와 유사하게 작동되도록 형성된다. 그러나, WO 01/03208호에 개시된 NTWCM 장치와는 달리, 매트형 나노튜브 층 또는 나노튜브의 부직 섬유로 제조된 신규한 리본 또는 벨트가 전기 전도성 요소로서 사용된다. 본 명세서의 여러 부분에서, 상기 리본은 트레이스 또는 전기 전도성 물품으로 지칭된다. 일부 예에서 리본은 현수되며, 그 밖의 예에서 리본은 기판 상에 배치된다. 일부 예에서 리본은 전기 제어를 받는 특정 상태로 편향시키는 데 사용되며, 그 밖의 예에서 리본은 움직이지 않고 그 대신에 단순히 전류 또는 전압을 전송하는 데 사용된다. 이와 같이 신규한 나노튜브 벨트 구조물은 원하는 집적 레벨 및 규모(제조되는 장치의 수)로 구성하기가 보다 용이한 것으로 고려되며, 그 기하 구조가 보다 용이하게 제어된다. 신규한 나노튜브 리본은 금속 트레이스의 경우에 겪게 되거나 예상되는 전술한 문제의 영향을 받지 않으면서 보다 용이하게 고밀도 전류를 전송할 수 있는 것으로 고려된다.
본 발명의 특정 실시예에 있어서, 전기 전도성 물품은 나노튜브 섬유, 층, 또는 필름으로 제조될 수 있다. 튜브 직경이 1 nm 정도인 카본 나노튜브는 매우 높은 밀도의 전류를 전송할 수 있는 전기 도체인데, 이에 대해서는 예컨대 Z. Yao, C.L. Kane, C. Dekker가 Phys. Rev. Lett. 84, 2941 (2000)에 발표한 것을 참조하라. 또한, 카본 나노튜브는 공지된 가장 높은 열 전도성을 갖는데, 이에 대해서는 예컨대 S. Berber, Y.-K. Kwon, D. Tomanek이 Phys. Rev. Lett. 84, 4613 (2000)에 발표한 것을 참조하라. 또한, 카본 나노튜브는 열적으로 화학적으로 안정적인데, 이에 대해서는 예컨대 P.M. Ajayan, T.W. Ebbesen이 Rep. Prog. Phys. 60, 1025 (1997)에 발표한 것을 참조하라. 그러나, 방향, 길이 등이 적절하게 제어되는 상태로 나노튜브를 성장시키는 것은 어렵기 때문에, 개개의 나노튜브를 이용하는 것은 문제가 있다. 나노튜브 섬유로부터 트레이스를 형성함으로써, 트레이스가 개개의 나노튜브 이득의 전부는 아닐지라도 그 대부분을 유지할 수 있게 된다. 또한, 나노튜브 섬유로 제조된 트레이스는 개개의 나노튜브에서 발견되지 않는 이득을 갖는다. 예컨대, 트레이스는 집합체 형태의 복수 개의 나노튜브로 구성되므로, 트레이스는 개개의 나노튜브의 고장 또는 파괴로 인해 고장나지 않는다. 그 대신에, 소정 트레이스 내에는 전자가 이동할 수 있는 많은 다른 경로가 존재한다. 사실상, 나노튜브 섬유로 제조된 트레이스는 규정된 트레이스 내에 개개의 나노튜브로 이루어진 자체 전기망(electrical network)을 형성하여, 이를 통해 각각 전자를 통전시킬 수 있다. 또한, 나노튜브 섬유, 층, 또는 필름을 사용하면, 상기 트레이스를 형성하는 데 현대의 기술을 이용할 수 있다.
나노튜브 리본 크로스바 메모리(NTRCM : Nanotube Ribbon Crossbar-Memory)
신규한 나노튜브 리본 크로스바 메모리 장치는 NTWCM(Nanotube Wire Crossbar-Memory)과 유사하게 작동되므로, 그 아키텍쳐 및 작동 원리에 관한 설명은 간략히 기재한다. 보다 완전한 설명과 배경 설명은 WO 01/03208호를 참조할 수 있다.
도 1은 본 발명의 바람직한 실시예의 원리에 따라 구성된 예시적인 전자 기계식 메모리 어레이(100)를 예시한다.
상기 어레이는 "온" 상태(105) 또는 "오프" 상태(106)로 있을 수 있는 복수 개의 비휘발성 메모리 셀(103)을 구비한다. 상기 셀의 실제 개수는 본 발명의 이해에 중요하지 않지만, 상기 기술은 근래의 비휘발성 회로 장치와 동등하거나 그 이상의 정보 저장 용량을 갖는 장치를 지원할 수 있다.
각 메모리 셀(103)은 하나 이상의 지지부(102)에 의해 전기 전극 와이어(예컨대, 104) 상에 현수되는 나노튜브 리본(101)을 포함한다.
리본(101)과 와이어(예컨대, 104)를 각각 교차시켜, 크로스바 접합을 형성하고 메모리 셀을 형성한다. 특정 실시예에 있어서, 각 셀은 리본(101)과 전기적으로 접속되어 있는 전극(112)에 전류 및/또는 전압을 인가하거나 또는 전극 와이어(104)와 접속되어 있는 전극(도시 생략)을 통해 전류 및/또는 전압을 인가함으로써, 판독 또는 기록될 수 있다. 지지부(102)는 질화규소 층(Si3N4)(108)으로 제조된다. n형 도핑 실리콘 트레이스(104)를 하부의 실리콘 웨이퍼(110)로부터 분리시키는 게이트 산화물 층(109)이 층(108) 아래에 있다.
도 1 내지 도 2b를 함께 참조하면, 접합(106)은 나노튜브 리본(101)이 해당 트레이스(104)로부터 분리되어 있는 제1 물리적 및 전기적 상태의 셀을 예시한다. 접합(105)은 나노튜브 리본(101)이 해당 트레이스(104)를 향해 편향되어 있는 제2 물리적 및 전기적 상태의 셀을 예시한다. 제1 상태에서, 상기 접합은 개방 회로로서, 제1 상태로 어드레스 지정된 경우에 리본(101) 또는 트레이스(104) 상에서 전술한 바와 같이 감지될 수 있다. 제2 상태에서, 상기 접합은 정류 접합(예컨대, 쇼트키 또는 PN)으로서, 제2 상태로 어드레스 지정된 경우에 리본(101) 또는 트레이스(104) 상에서 전술한 바와 같이 감지될 수 있다.
특정 실시예에 있어서, 나노튜브 리본(101)은 마찰에 의해 지지부에서 적소에 유지될 수 있다. 그 밖의 실시예에서, 리본은 그 밖의 수단에 의해 유지될 수 있으며, 예컨대 다양한 기술 중 임의의 기술을 이용하여 리본을 지지부에 고정함으로써 유지될 수 있다. 상기 마찰은 공유 결합을 비롯한 화학적 상호 작용을 통해 증대될 수도 있고, 피렌 또는 그 밖의 반응성 종 등과 같은 탄소 화합물을 사용하여 증대될 수도 있다. 또한, 금속, 반도체 또는 절연체 등과 같이 증착되거나 스핀 코트되는 물질, 구체적으로는 실리콘, 티타늄, 이산화규소 또는 폴리이미드 등을 첨가하여 고정(pinning) 강도를 증대시킬 수 있다. 또한, 나노튜브 리본 또는 개개의 나노튜브는 웨이퍼 접합을 이용하여 표면에 고정될 수도 있다. 금속으로 나노튜브를 피닝 및 코팅하는 예시적인 기술에 대해서는, 2001년 미국 화학회지 123호 3838-39 페이지에 R.J.Chen 등이 게재한 "Noncovalent Sidewall Fuctionalization of Single-Walled Carbon Nanotubes for Protein Immobiliation" 또는 2000년 APPl. Phys. Lett. 77호 3015-17페이지에 Dai 등이 게재한 것을 참조하라. 또한, 기술과 관련해서는 WO 01/03208를 참조하라.
도 2a 내지 도 2b에 도시된 바와 같은 바람직한 실시예에 있어서, 나노튜브 리본(101)은 폭이 대략 180 nm이고, 바람직하게는 실리콘 질화물로 제조된 지지부(102)에 고정된다. 리본(101) 아래에 있는 트레이스(104)의 국소 영역은 n형 도핑 실리콘 전극을 형성하고, 지지부(102) 부근에 배치되며, 바람직하게는 리본(예컨대, 180 nm)보다 폭이 넓지 않다. 지지부(102)의 상단으로부터 나노튜브 리본(101)이 전극(206)에 부착되어 있는 편향 위치(도 2b 참조)까지의 상대적인 간격(208)은 대략 5∼50 nm이다. 간격(208)의 크기는 기억 장치의 전자 기계식 스위칭 성능에 맞게 정해진다. 상기 실시예의 경우, 카본 나노튜브로 제조된 리본(101)을 이용하는 특정 실시예에서 5∼50 nm의 간격이 바람직하지만, 그 밖의 재료에 대해서는 다른 간격이 바람직할 수 있다. 상기 간격의 크기는 편향 나노튜브의 변형 에너지와 부착 에너지 사이의 상호 작용으로 정해진다. 이러한 특징 크기는 근래의 제조 기술을 고려하여 제안된다. 그 밖의 실시예는 제조 설비의 성능을 반영하여 보다 작은(또는 큰) 크기로 제조될 수 있다.
특정 실시예의 나노튜브 리본(101)은 얽힌 또는 매트형 나노튜브의 부직 섬유(상세히 후술함)로 형성된다. 리본의 스위칭 파라미터는 개개의 나노튜브의 스위칭 파라미터와 유사하다. 따라서, 리본의 예상 스위칭 시간 및 전압은 나노튜브의 스위칭 시간 및 전압과 비슷하다. 개개의 나노튜브의 지향 성장 또는 화학적 자기(自己) 조립에 의존하는 종래 기술과는 달리, 본 발명의 바람직한 실시예는 박막 및 리소그래피를 포함하는 제조 기술을 이용한다. 이러한 제조 방법은 큰 표면, 구체적으로는 6 인치 이상의 웨이퍼에 걸쳐서의 생성에 적합하다. (이와는 달리, 1 밀리미터 이하의 거리를 넘어선 소정 거리에 걸쳐 개개의 나노튜브를 성장시키는 것은 현재 실행할 수 없다.) 리본에는 전도 경로의 잉여분이 포함되어 있어, 리본은 개개의 나노튜브에 비해 장애 방지 성능이 개량된 것으로 나타난다. (개개의 나노튜브가 전도 경로를 제공하는 리브 내에 있는 다른 튜브를 파괴하는 경우, 단 하나의 나노튜브가 사용되었다면 셀은 장애를 일으킬 것이다.) 또한, 리본은 개개의 나노튜브보다 큰 단면적을 갖도록 제조될 수 있기 때문에, 리본의 저항은 개개의 나노튜브에 비해 현저히 낮고, 그에 따라 임피던스도 감소된다.
도 3은 NTRCM 장치(100)의 특정 실시예를 제조하는 방법을 예시한다. 제1 중간 구조물(302)을 형성 또는 마련한다. 예시된 실시예에서, 중간 구조물(302)은 복수 개의 지지부(102)를 형성하는 질화규소 층(Si3N4)(108)과 절연층(109)(예컨대, 이산화규소 등)이 마련된 실리콘 기판(110)을 포함한다. 이 예에서, 지지부(102)는 패턴화된 실리콘 질화물의 열(row)로 형성되어 있지만, 예컨대 복수 개의 행(column)과 같은 그 밖의 다른 구조도 가능하다. 전도성 트레이스(104)는 지지부(102) 사이에서 연장된다. 상기 예에서, 트레이스(104)는 지지부(102)와 실질적으로 접촉하는 것으로 도시되어 있지만, 그 밖의 구성 및 기하 구조가 가능하며, 예컨대 트레이스(104)와 지지부(102) 사이에 공간이 존재할 수도 있고, 트레이스(104)가 와이어 모양으로 형성될 수도 있으며, 횡방향 단면이 삼각형 또는 사다리꼴을 비롯한 비(非)장방형일 수도 있다. 지지부(102)의 상부 표면으로 하나의 평면(306)을 형성하도록, 트레이스(104) 상에는 희생층(304)이 배치된다. 상세히 후술되는 바와 같이, 상기 평면은 특정 실시예의 매트형 나노튜브 층의 성장을 조장한다.
상기 중간 구조물(302)이 형성 또는 마련되면, 상부 표면(306)은 촉매(308)를 수용한다. 예컨대, 특정 실시예에 있어서, 철(Fe), 몰리브덴(Mo), 코발트 또는 그 밖의 금속을 함유하는 촉매 금속(308)이 스핀 코팅 또는 그 밖의 도포 기술에 의해 도포되어 제2 중간 구조물(310)을 형성한다.
삽입된 도 3a에서 보여지는 바와 같이, 그 후, 매트형 나노튜브 층(312)을 단일벽 카본 나노튜브(SWNTs)의 부직 섬유안에 성장시켜, 제3 중간 구조물(314)을 형성한다. 예컨대, 제2 중간 구조물(310)을 오븐에 놓은 후 높은 온도(예컨대, 800∼1200℃)로 가열하는 동안에, 수소나 질소와 같은 불활성 가스, 수소 및 탄소원을 함유하는 가스가 상부 표면 상에서 유동한다. 이러한 환경은 단일벽 카본 나노튜브의 매트형 층 또는 막(312)의 생성 또는 성장을 조장한다. 상기 층(312)은 주로 하나의 나노튜브의 두께이며, 복수 개의 튜브는 반 데르 발스 힘을 통해 서로 부착된다. 하나의 나노튜브가 다른 나노튜브의 위에서 성장하는 경우도 있지만, 이러한 성장은 재료의 성장 경향으로 인해 비교적 드물다. 일부 실시예(도시 생략)에 있어서, 나노튜브를 필요에 따라 보다 농후하거나 보다 옅은 특정 밀도를 갖는 상태로 성장시키는 것을 돕기 위해, 촉매(308)는 패턴화될 수 있다. 촉매의 조성 및 밀도의 상황과, 성장 환경, 그리고 시간이 적절하게 제어되는 경우, 나노튜브는 소정의 필드 상에서 고르게 분포되도록 제조되어, 주로 나노튜브의 단층이 될 수 있다. 적절한 성장을 위해서는 촉매의 조성 및 농도, 하부 표면의 기능화, 스핀 코팅 파라미터(길이 및 RPM), 성장 시간, 온도 및 가스 농도 등의 파라미터를 제어할 필요가 있으며, 상기 파라미터에 한정되는 것은 아니다.
그 후, 포토레지스트를 층(312)에 도포하고 이를 패턴화하여 매트형 나노튜브 층(312)에 리본을 형성한다. 이러한 리본 패턴은 하부의 트레이스(104)와 (예컨대, 수직으로) 교차한다. 평면(306) 상에 놓인 나노튜브 부직 섬유의 리본(101)이 남겨지도록 포토레지스트를 제거하여, 제4 중간 구조물(318)을 형성한다.
도시된 바와 같이, 제4 중간 구조물(318)은 하부의 희생층(304)의 일부분(320)이 노출된다. 그 후, 제4 중간 구조물(318)을 HF 등과 같은 산으로 처 리하여, 희생층(304)을 리본(101) 아래에 있는 부분을 포함해서 제거하며, 그 결과 트레이스(104) 상에 현수되고 지지부(102)에 의해 지지되는 리본(101)의 어레이(322)가 형성된다.
이후의 금속화는, 예컨대 도 1에 도시된 112와 같이 어드레스 지정된 전극을 형성하는 데 사용될 수 있다.
전술한 기술의 한 가지 양태로는, 상기 여러 가지 성장, 패터닝 및 에칭 작업이 리소그래피 패터닝 등과 같은 통상의 기술을 사용할 수 있다는 것이 있다. 이로써 현재는 약 180 nm에서 적게는 약 130 nm에 이르는 특징 크기[예컨대, 리본(101)의 폭)를 가질 수 있게 되지만, 만약 제조 능력이 허용한다면 이러한 구성 요소의 물리적 특성은 그보다 더 작은 특징 크기에 이를 수 있다.
후술하는 바와 같이, 상기 중간 구조물 또는 전술한 것과 유사한 구조물을 제조할 수 있는 방법은 다수 존재한다. 예컨대, 도 4는 제1 중간 구조물(302)을 제조하기 위한 한 가지 방식을 보여준다.
실리콘 웨이퍼(400)에 산화물 층(402)을 마련한다. 상기 산화물 층은 두께가 수 나노미터인 것이 바람직하지만, 1 ㎛정도일 수도 있다. 질화규소 층(Si3N4)(404)을 산화물 층(402) 표면 위에 침적한다. 이 질화규소 층의 두께는 30 nm 이상인 것이 바람직하다.
그 후, 질화규소 층(404)을 패터닝하고 에칭하여 캐비티(406)를 만들어 지지 구조물(407)을 형성한다. 최신의 기술을 이용하면, 상기 캐비티의 폭은 약 180 nm 일 수도 있고 그보다 작을 수도 있다. 잔류 실리콘 질화물은 (예컨대, 열 또는 행 형태로) 지지부(102)를 형성한다.
그 후, n형 도핑 실리콘의 덮개(408)를 침적하여 캐비티(406)를 채운다. 예시적인 실시예에의 경우, 상기 덮개는 두께가 약 1 ㎛이지만, 30 nm 정도로 얇을 수도 있다.
그 후, 전술한 평면(306)을 만들기 위해, 덮개(408)를 예컨대 두꺼운 규소 층의 자체 평탄화 또는 어닐링에 의해 처리하여, 구조물(411)을 형성한다. 자체 평탄화의 경우에는, 에칭된 실리콘 질화물의 상부 표면(410)에 이르기까지, 종말점 검출(EPD)을 이용한 반응성 이온 에칭을 이용할 수 있다.
그 후, 구조물(411)을 산화시켜 평면(306) 속에 약 10∼20 nm 깊이로 SiO2의 희생층(304)을 형성 및 정한다.
변화되지 않은 실리콘의 나머지 부분은 트레이스(104)를 형성한다.
도 5는 특정 실시예의 NTRCM 장치(100)를 제조하는 데 사용될 수 있는 다른 방법을 보여준다. 도 4와 관련하여 기술된 바와 같이, 지지 구조물(407)을 마련한다. 그 후, CVD 공정, 스퍼터링 또는 전기 도금을 이용하여 n형 도핑 실리콘의 층(514)을 추가한다. 특정 실시예에 있어서, 상기 층(514)은 Si3N4 지지부(102)의 높이의 대략 절반 정도로 추가된다.
층(514)이 추가된 후, 평탄화된 표면(306)을 만들기 위해 어닐링 단계를 수행하여 전술한 바와 유사한 구조물(411)을 형성한다. 이러한 어닐링 단계를 통해, 실리콘 층(514)이 캐비티(406) 안으로 유동하게 된다.
도 4와 관련하여 기술한 바와 같이, 그 후 구조물(411)을 산화시켜 평면(306) 속에 약 10∼20 nm 깊이로 SiO2의 희생층(304)을 형성 및 정한다.
도 6은 다른 제1 중간 구조물(302')을 형성하기 위한 다른 기법을 보여준다. 이 실시예에서는, 높이(604)가 30 nm 이상인 질화규소 층(602)으로 실리콘 기판(600)을 피복한다.
그 후, 질화규소 층(602)을 패터닝하고 에칭하여, 간격(606)을 만들고 지지부(102)를 형성한다. 에칭 공정은 실리콘 기판(600)의 표면의 일부분(608)을 노출시킨다.
노출된 실리콘 표면(608)을 산화시켜 두께가 수 nm인 이산화규소(SiO2) 층(610)을 형성한다. 그 결과, 이들 층(610)은 전술한 구조물(302)의 경우에 절연층(109)이 했던 것과 유사한 방식으로 트레이스(104)를 절연시킨다.
절연층(610)이 형성되면, 트레이스(104)는 다양한 방식 중 임의의 방식으로 형성될 수 있다. 도 6은 이러한 점을 예시하기 위해 상기 트레이스를 형성하는 데 사용되는 도 4 내지 도 5의 처리 단계를 예시한다.
도 7은 제1 중간 구조물(302)을 형성하기 위한 다른 기법을 보여준다. 이산화규소 층(702) 및 질화규소 층(704)을 갖는 실리콘 기판(700)이 패턴화된 포토레지스트 층(706)을 수용한다. 예컨대, 질화규소 층(704)에 포토레지스트 층을 스핀 코팅한 후, 노출시키고 리소그래피 방법으로 현상한다.
그 후, 반응성 이온 에칭(RIE) 또는 이와 유사한 방법을 이용하여 Si3N4 층(704)을 에칭함으로써, 캐비티(708)를 형성하고 지지부(102)를 규정한다.
그 후, 캐비티(708)에 n형 도핑 실리콘(710)을 침적할 수 있다. 특정 실시예에 있어서, 실리콘은 Si3N4 지지부(102)의 높이의 대략 절반 정도의 높이(712)로 침적된다.
그 후, 포토레지스(706)와 그 위의 실리콘(710)을 박리하여, 전술한 바와 같은 중간 구조물(411)을 형성한다.
그 후, 중간 구조물(411)을 산화시켜, 희생 SiO2 층(304)을 생성한다.
도 8은 제1 중간 구조물(302)을 형성하기 위한 다른 기법을 보여준다. 이러한 기법에 있어서, 시작 구조물(800)은 최하위 실리콘 층(802)이 있고 그 위에 최하위 이산화규소 층(804)이 있는 상태로 마련된다. 상기 이산화규소 층(804) 위에는 제2 실리콘 층(806)이 있고, 제2 실리콘 층(806) 위에는 제2 이산화규소 층(808)이 있다.
상위 이산화규소(SiO2) 층(808)을 포토리소그래피로 패턴화하여, RIE 마스크(810)를 형성한다. 이 마스크는 제2 실리콘 층(806)의 노출된 부분(812)을 제1 이산화규소 층(804)까지 아래로 에칭하는 데 사용된다. 이와 같이 에칭하여 캐비티(814)를 형성하고, 트레이스(104)를 규정한다.
질화규소(Si3N4)(816)로 캐비티(814)를 채우고 덮는다.
Si3N4 덮개(816)는 n형 도핑 실리콘 전극 와이어(104)을 덮고 있는 SiO2 층(806)의 잔여 부분[희생층(304) 형성]과 동일한 높이(818)까지 RIE로 백 에칭된다.
도 9는 다른 제1 중간 구조물(302")을 형성하기 위한 기법을 보여준다. 이러한 기법에서는, 도면 부호 407(도 4에는 도시되어 있지만 도 9에는 도시되어 있지 않음)과 같은 구조물이 마련된다. 이 예에서, Si3N4 지지부(102)의 높이는 약 30 nm이다. Si3N4 지지부(102)의 위에는 얇은 금속층(902)을, 캐비티(904)의 바닥에 있는 노출된 부분의 위에는 도면 부호 903으로 도시된 금속층(903)을 침적한다. 금속층(902, 903)은 임시 전극을 형성한다. 그 후, n형 도핑 실리콘(906)이 전기 도금에 의해 침적되거나 성장되어, 실리콘(906)이 지지부(102) 상부의 높이(908)에 이르기까지는 전극(903)을 덮고 전극(902)과 접촉한다. 이러한 성장 공정은 상위 금속 전극(902)과 하위 금속 전극(903) 사이에 전류가 흐르기 시작하면서 제어될 수 있다.
그 후, 노출된 금속 전극(902)을 습식 화학 방법 또는 건식 화학 방법으로 에칭할 수 있다. 이로써 전술한 중간 구조물(411)과 유사하지만 상기 실리콘 성장 공정의 결과물로서 매설 전극(903)을 구비하는 중간 구조물(411')이 형성된다.
그 후, 중간 구조물(411')을 산화시켜, 전술한 바와 같이 실리콘의 노출된 부분에 희생층(304)을 형성한다. 예컨대, 희생층(304)은 약 10 nm의 두께로 성장될 수 있다.
도 10은 제1 중간 구조물(302)을 형성하기 위한 다른 기법을 보여준다. 이 산화규소 층(1004)이 위에 마련되어 있고 상기 이산화규소 층(1004) 위에 제2 (n형 도핑) 실리콘 층(1006)이 마련되어 있는 실리콘 기판(1002)을 시작 재료로서 사용한다. 실리콘 층(1006) 상에는 마스크 층(1008)이 포토리소그래피 방식으로 패턴화된다.
질화 기술을 이용하여, n형 도핑 실리콘 층(1006)의 노출된 부분(1010)을 Si3N4 지지부(102)로 화학적으로 변화시킨다. 실리콘 층(1006) 중 변화되지 않은 부분은 트레이스(104)를 형성한다.
마스크(1008)를 제거하여 전술한 바와 유사한 구조물(411)을 형성한다.
그 후, 실리콘 표면의 노출된 부분(1012)을 산화시켜 SiO2 희생층(304)을 형성한다.
도 11은 다른 제1 중간 구조물(302"')을 형성하기 위한 기법을 보여준다. 이러한 기법에 있어서는, Si3N4의 박막(1104)을 적층한 실리콘 기판(1100)을 시작 구조물로서 마련한다. 질화규소 층(1104) 위에 n형 도핑 실리콘을 추가하고, 이를 RIE에 의해 리소그래피 방식으로 패턴화하여 트레이스(104)를 형성한다.
트레이스(104)의 표면을 산화시켜 SiO2 층(1106)을 형성하는데, 이 SiO2 층은 다른 형태의 희생층(304')으로서 작용한다. 이 구조물 위에 Si3N4(1108)를 성장시키고, 이를 백 에칭하여 평면(306)을 형성하며 다른 제1 중간 구조물(302"')을 형성한다. 이러한 기법에 있어서는, 당업자에게 명백한 바와 같이, 이후에 상기 희생층을 제거할 때, 트레이스(104)는 지지부(102)로부터 분리된다. 상기 기술의 다른 변형을 이용하여, 다른 형태의 트레이스(104) 횡단면을 형성할 수 있다. 예컨대, 트레이스(104)는 둥근 상부를 갖도록 형성될 수도 있고, 삼각영이나 사다리꼴 단면을 갖도록 형성될 수도 있다. 또한, 단면은 예컨대 경사진 측면을 갖는 삼각형 등의 다른 형태를 취할 수도 있다.
전술한 바와 같이, 예컨대 도면 부호 302와 같은 제1 중간 구조물을 형성하면, 중간 구조물(302)의 평면(306) 위에 매트형 나노튜브 층(312)을 마련한다. 바람직한 실시예에서는, 촉매(308)의 사용 및 성장 환경의 제어를 통해 상기 중간 구조물 위에 부직 섬유 층(312)을 성장시킨다. 그 밖의 실시예에서는 별도로 매트형 나노튜브 층(312)을 제공하고 이 나노튜브 층을 중간 구조물(302) 위에 직접 도포할 수도 있다. 이러한 기법에 있어서는, 중간 구조물(302)은 독립적으로 성장되는 섬유를 수용하는 평면이 마련되도록 희생층을 포함하지만, 상기 희생층은 상기 기법에 있어서 필수적인 것은 아니다.
성장 공정을 통해 상기 나노튜브의 밑면이 중간 구조물(302)의 평면(306)과 접촉하게 되기 때문에, 상기 나노튜브는 도 12에서 보여주는 바와 같이 "자기(自己) 조립" 특성을 나타낸다. 특히, 개개의 나노튜브는 상기 평면 상에 부착하는 경향이 있고, 에너지적으로 유리할 때마다 상기 평면 상에 성장되므로, 나노튜브는 실질적으로 "단층(單層)"으로서 형성된다. 일부 나노튜브는 다른 나노튜브 위에 성장되므로, 상기 단층이 완전한 것이라 기대되지는 않는다. 개개의 나노튜브는 서로에 대해 "편직"되지는 않지만, 반 데르 발스 힘 때문에 서로에 대해 부착된다. 도 12는 실제의 나노튜브 부직 섬유를 대략 보여준다. 나노튜브의 특징 크기는 작기 때문에, 최근의 주사 전자 현미경(SEM)조차도 정밀도의 손실없이 실제 섬유를 "촬영"할 수 없으며; 나노튜브는 SEM의 정밀도 보다 낮은 범위인 1∼2 nm 정도의 특징 크기를 갖는다. 예컨대, 도 12는 도면에 선명히 나타나 있지는 않지만, 튜브가 존재하지 않는 작은 불연속 영역이 섬유에 있다는 섬유의 매트형 성질을 보여준다. 각 튜브는 직경이 1∼2 nm (그에 따라 약 1∼2 nm의 섬유층 형성됨)이지만, 길이가 수 미크론일 수도 있고, 200 미크론 정도일 수도 있다. 튜브는 만곡되며, 때때로 서로 교차한다. 튜브는 반 데르 발스 힘을 통해 서로에 대해 부착된다.
특정 실시예에 있어서, 나노튜브는 x축 및 y축 방향으로 실질적으로 구속되지 않은 상태로 성장되지만, 전술한 자기(自己) 조립 특성 때문에 z축 방향(도 12의 면의 수직한 방향)으로는 실질적으로 구속된다. 다른 실시예는 필드 지향 성장 기술 또는 플로우 지향 성장 기술을 이용하여 매트(312)를 성장시키기 위해 전술한 기법을 보충한다. 이러한 보충은 이후의 테일러 성장에 이용되어, 하나의 평면 축선(예컨대, x-축선)에서의 임의의 성장이 지연될 수 있다. 이로써, 나노튜브로 편성(編成)된 평탄한 단층 코팅으로 원하는 영역을 밀도 제어가 가능한 상태로 보다 고르게 피복할 수 있게 된다.
도 13은 실리콘 트레이스(104)가 아래에 있는 매트형 나노튜브 층(312)의 평면도이다.
전술한 바와 같이, 상기 평면(306) 위에 매트형 나노튜브 층(312)이 마련되면, 이 나노튜브 층(312)을 패턴화하고 에칭하여 지지부(102)와 교차하는 나노튜브 섬유의 리본(101)을 형성한다. 그 후, 희생층을 (예컨대, 산으로) 제거하여, 도 3과 관련하여 전술한 어레이(322)를 형성한다. 매트형 나노튜브 층(312)은 연속적인 필름이 아닌 부직 섬유를 형성하기 때문에, 에칭제 또는 그 밖의 화학물은 개개의 나노튜브 "파이버" 사이에서 확산할 수 있고, 희생층 등과 같은 하부 구성 요소에 보다 용이하게 도달할 수 있다.
앞에서 개략적으로 기술한 바와 같이, 이후의 금속화는 예컨대 도 1에 도시된 어드레스 지정된 전극(112)을 형성하는 데 사용될 수 있다. 다른 실시예에서는 금속화된 전극(112) 및 어드레스 지정된 라인(도시 생략)을 사용하는 대신에, 메모리 셀의 어드레스 지정을 수행하기 위한 나노튜브 기술을 이용한다.
보다 구체적으로 설명하면, 전술한 특정 실시예에 있어서, 나노튜브는 NTRCM 어레이를 형성하는 데 사용된다.
특정 실시예에서는 개별적으로 와이어를 형성하는가 또는 벨트를 형성하는가와는 무관하게, 읽기 작업용 메모리 셀 또는 쓰기 작업용 메모리 셀을 분리하도록 로직에 어드레스를 지정하는 데 나노튜브 기술을 이용한다. 이러한 기법은 나노튜브 기술을 시스템 설계에 통합시키는 것을 조장하며, 보다 높은 수준의 시스템 설계에 유익한 작용을 할 수 있다. 예컨대, 이러한 기법에 있어서 메모리 아키텍쳐는 비휘발성 방식으로 기억 내용을 저장할뿐만 아니라, 최종 메모리 어드레스를 본래 저장한다.
나노튜브 기반 메모리 셀은 "0" 상태와 "1" 상태 사이의 저항비가 높은 것을 특징으로 하는 쌍안정성을 갖는다. 상기 상태 사이의 스위칭은 나노튜브 벨트 또 는 와이어와 하부 트레이스에 걸쳐 특정 전압을 인가함으로써 수행되는데, 여기서 메모리 셀 요소 중 하나 이상은 나노튜브 또는 나노튜브 리본이다. 한 가지 기법에서는, "판독 전류"를 인가하고, 접합에 걸쳐 인가되는 전압을 "감지 증폭기"를 이용하여 결정한다. 읽기 작업은 비파괴성인데, 이는 셀이 그 상태를 유지하며, DRAM을 이용하여 수행되는 바와 마찬가지로 후기입 작업이 필요하지 않다는 것을 의미한다.
도 14는 가지형 2진 선택 시스템, 또는 디코더(1400)를 보여준다. 후술되는 바와 같이, 디코더(1400)는 나노튜브 또는 나노튜브 리본 기술을 이용하여 실행될 수 있다. 또한, 디코더는 예컨대 NTRCM 또는 NTWCM 등의 나노튜브 메모리 셀 어레이와 동일한 회로 소자 상에 구성될 수 있다.
점(1402)으로 도시된 2선(1404, 1406)의 수직 교차점이 2개의 나노튜브 또는 나노튜브 리본의 접합을 나타낸다. 이러한 관점에서, 상기 교차점은 CMOS 기술 및 그 밖의 기술에서 발견되는 "통과 트랜지스터"와 유사한 것으로, 교차점은 개방되거나 폐쇄될 수 있다.
하나의 나노튜브 또는 나노튜브 리본이 서로 교차하고 있지만 크로스바 접합을 형성하지는 않는 도면 부호 1420과 같은 위치는, 리소그래피 방식으로 패턴화된 절연체를 구성 요소 사이에 마련함으로써 서로로부터 절연될 수 있다.
명료한 도시를 위해, 어드레스 지정된 라인(1408)에서 전해지는 3비트 2진 어드레스에 관한 디코더를 예시한다. 인코딩 값에 따라, 교차부(점)는 단지 하나의 경로를 형성하도록 스위칭되고, 이 경로를 통해 감지 전류 I가 통과하여 라인(1418)을 선택한다.
이러한 기술을 사용하면, 2진 어드레스의 각 비트에 대한 "듀얼 레일" 표시(1408)가 외부에 형성되어, 각 어드레스 비트는 정확하고 상보적인 형태로 표시된다. 따라서, 라인(1406)은 어드레스 라인(1408a)에 대한 논리의 참 버전이고, 라인(1407)은 어드레스 라인(1408a)에 대한 논리의 보완 버전일 수 있다. 표시(1408)의 전압 값은, 전술한 바와 같이 크로스바 접합을 "1" 상태 또는 "0" 상태로 스위칭하는 데 필요한 값과 일치한다.
이러한 방식에서, 감지 전류 I를 예컨대 나노튜브 또는 나노튜브 리본 등과 같은 어레이의 비트 또는 비트 열에 공급하는 데 어드레스(1408)를 사용할 수 있다. 이와 마찬가지로, 소정의 트레이스를 감지하고, 예컨대 판독 및 감지할 특정 어레이의 행(들)을 열의 선택과 관련하여 선택하는 데, 동일한 기법을 사용할 수 있다. 따라서, 이러한 기법은 읽기 작업 및 쓰기 작업 모두를 위한 X 및/또는 Y 디코딩에 사용될 수 있다.
본 발명의 특정 실시예는 도 15에 도시된 하이브리드 기술의 회로(1500)를 제공한다. 코어 메모리 셀 어레이(1502)가 NTWCM 또는 NTRCM을 이용하여 구성되고, 코어의 주변에는 X 어드레스 디코더(1504), Y 어드레스 디코더(1506), X 버퍼(1508), Y 버퍼(1510), 제어 로직(1512) 및 출력 버퍼(1514)를 형성하는 반도체 회로가 마련된다. NTWCM 또는 NTRCM 코어 주변에 마련된 회로는 읽기 전류 공급 및 출력 전압 감지를 비롯한 통상적인 인터페이스 기능용으로 사용될 수 있다.
그 밖의 실시예에서, X 어드레스 디코더(1504)와 Y 어드레스 디코더(1506)는 전술한 바와 같은 나노튜브 와이어 또는 벨트의 어드레스 지정 기술로 대체될 수 있다. 이러한 실시예에서, 코어는 메모리 셀과 어드레스 지정된 로직을 포함한다.
특정 실시예에서, 하이브리드 회로(1500)는 (메모리 셀 만을 갖거나 메모리 셀 및 어드레스 지정된 로직을 갖는) 나노튜브 코어를 사용함으로써, 그리고 필드 프로그램 가능 게이트 어레이를 이용하여 주변 회로를 실행시킴으로써 형성될 수 있다. 코어와 게이트 어레이 회로는 필요에 따라 하나의 물리적 패키지에 포함될 수 있다. 또는, 코어와 게이트 어레이 회로는 개별적으로 패키징될 수 있다. 예컨대, (메모리 만을 갖거나 메모리 및 어드레스 지정된 로직을 갖는) 밀폐된 나노튜브 회로가 I/O 인터페이스 로직이 포함된 PLD(programmable logic device)/FPGA(field-programmable gate array)/ASIC(application specific integrated circuit)에 통합될 수 있다. 이렇게 형성된 소형 칩셋은 제품의 사용자로 하여금 NT 메모리의 혜택에 접근할 수 있게 하고, 제조자의 필요에 의거하여 이용될 수 있는 "기성(off-the shelf)" 기술의 사용을 최대화한다.
도 16은 하이브리드 기술의 한 가지 가능한 구현예(1600)를 보여준다. (전술한) 버퍼링 로직 및 제어 로직을 포함하는 FPGA 칩(1602)이 아마도 다중층의 인쇄 회로 기판(PCB; 1604) 상의 전도성 트레이스를 통해 메모리 셀 및 어드레스 지정된 로직을 포함하는 나노튜브(NT) 칩(1606)에 연결되어 있다.
상기 특별한 실시예는 오늘날의 통상적인 개인용 컴퓨터의 PCI 버스 표준에 따르기 위해 제안되었다. 또한, 커패시터, 레지스터, 변환기 등(도시 생략)과 같은 그 밖의 수동 회로도 PCT(private communication protocol) 표준에 따를 필요가 있다. 전면 버스 속도가 200∼400 MHz이라는 주석을 달아서, 칩셋 등이 구동하는 외부 클럭 속도의 종류를 알려준다. 상기 속도는 PCB 인터커넥트 및 FPGA/PLD/ASIC의 속도에 의해 제한되며, 칩 패키지에 의해서도 제한되지만, NT 메모리 셀 속도에 의해 제한되지는 않는다.
카본 나노튜브 필름, 층, 섬유 및 물품
NTRCM 및 어드레스 지정된 라인의 전술한 실시예는 도 3 및 도 12에 도시된 것과 같은 나노튜브 층(312)으로 제조된 전기 전도성 물품 또는 트레이스를 사용한다. 상기 나노튜브 층의 두께, 즉 소정 나노튜브의 두께는 약 1 nm 이하이다. 나노튜브 매트(312)는 소정 표면, 예컨대 실리콘 웨이퍼의 표면 상에 성장되거나 침적되어, 소정 밀도의 연속적인 필름을 형성한다. 그 후, 2차원 필름을 패터닝하여, 용례 및 배경에 따라 폭의 범위가 1 nm(나노튜브의 고유의 최소 크기)에서 수백 미크론 이상에 이르는 전기 전도성 라인 또는 트레이스를 형성할 수 있다. 상기 패턴은 복수 개의 길이 스케일 및 폭 스케일로 형성되어, 예컨대 트랜지스터 또는 메모리 요소 등과 같은 다양한 크기의 반도체 장치가 상호 접속될 수 있게 하며, 끝으로 부채꼴 형상으로 펼쳐져서 패드나 그 밖의 상호 접속 재료 또는 구성체를 접합시킬 수 있다. 금속 재료 또는 반도체 재료에 대하여 용이한 접촉이 가능하다는 나노튜브 인터커넥트의 본래의 특성 때문에, 필요하다면 나노튜브의 인터커넥트를 금속화하여 상이한 재료를 접속시킬 수 있다.
트레이스 및 전기 전도성 물품은 다른 형태의 회로에 사용될 수 있다. 예컨대, 나노튜브 트레이스는 대개 매우 작은 크기(예컨대, 10 nm 이하의 범위)의 트레이스에서 발견되는 높은 전류 밀도를 견디는 능력 때문에 사용될 수 있다. 또한, 나노튜브 트레이스는 그 밖의 회로 부품의 오염 가능성을 감소시키기 위해 사용될 수 있다.
예컨대, 도 17은 나노튜브 리본, 트레이스, 또는 전기 전도성 물품을 기판 위에 예시적으로 사용한 것을 보여준다. [검토해 보면, 도 17이 도 3과 유사하지만 이 예에서는 필름(312)을 중간 구조물(310) 상에서 성장시키는 대신에 기판 상에서 성장시킨다는 것을 알 수 있다.] 이 예에서, 실리콘 기판(110)은 도 3에 도시된 것과 유사한 산화물 층(109)을 갖는다. 필름(312)의 성장 또는 침적을 용이하게 하기 위해, 평면(도 3에서는 도면 부호 306으로 도시되어 있지만 도 17에서는 도시 생략됨)이 형성될 수 있다. 삽입된 도 17a에서 볼 수 있는 바와 같이, 그 후, 단일벽 및/또는 다중벽 나노튜브를 갖는 필름(312)이 예컨대 CVD 등을 이용하여 조합체 상에 성장될 수도 있고, 예컨대 스핀 코팅을 통해 조합체 상에 침적될 수도 있다. 단일벽 나노튜브가 사용된다면 필름(312)은 주로 하나의 나노튜브의 두께이지만, 다중벽 나노튜브가 사용된다면 필름은 예컨대 1000 nm에 이를 정도로 실질적으로 보다 두꺼워진다. 예시적 구조(1700)에서, 나노튜브 필름(312)은 평면(1701)을 제공하도록 성장되거나 침적될 수 있다. 예시적 구조(1702)에서, 나노튜브 필름(312)는 나노튜브 리본(1704)으로 형성될 수 있다.
필름이 성장되어야 한다면, 전술한 바와 같이 촉매를 사용할 수 있다. 그러나, 촉매(도 3에서는 도면 부호 308로 도시되어 있지만 도 17에서는 도시 생략됨)는 기판의 표면 상에 직접적으로 침적될 필요가 없고, 그 대신에 또는 그에 덧붙여 촉매는 CVD 공정의 일부분에서와 마찬가지로 기체 형태로 제공될 수 있다. 예컨대, 페로센 등과 같은 기상(氣相) 금속 종을 사용할 수 있다. 페로센 및 그 밖의 기상 금속 종은, 철, 몰리브덴, 텅스텐, 코발트 및 그 밖의 전이 금속을 함유하는 그 밖의 종이 하는 것과 마찬가지로 카본 나노튜브를 성장시킨다. 이들은 모두 촉 매를 기상으로 형성하는 데 적합하다. 기상 금속 촉매는 나노튜브 매트(312)를 형성하기 위한 적절한 온도, 압력, 표면 준비 및 성장 시간에 따라 최적화되거나 수정될 수 있다.
필름(312)이 침적되어야 한다면, 미리 성장된 나노튜브를 이용할 수 있다. 예컨대, 본 발명의 특정 실시예에 있어서, 나노튜브는 가용성 또는 불용해성 형태로 용제에 현탁될 수 있고, 표면 상에 스핀 코팅되어 나노튜브 필름(312)을 형성할 수 있다. 이러한 구성에서, 상기 필름은 스핀 프로파일 및 그 밖의 공정 파라미터에 따라 하나의 나노튜브의 두께일 수도 있고, 그 이상일 수도 있다. 적절한 용제로는 디메틸포름아미드, n-메틸 피롤리디논, n-메틸 포름아미드, 오쏘디클로로벤젠, 파라디클로로벤젠, 1,2, 디클로로에탄, 알코올, 소디움 도데실 설페이트나 TRITON X-100 등과 같은 적절한 계면 활성제를 포함하는 물, 또는 그 밖의 것이 있다. 표면 기능화, 스핀 코팅 속도, 온도, pH 및 시간 등과 같은 나노튜브의 농도 및 침적 파라미터는 필요에 따라 단층 나노튜브 또는 다중층 나노튜브를 제어하여 침적하도록 조정될 수 있다.
또한, 나노튜브 필름(312)은 웨이퍼 또는 기판을 가용성 나노튜브 또는 현탁 나노튜브의 용액에 침지함으로써 침적될 수 있다. 또한, 상기 나노튜브 필름은 나노튜브를 에어로졸 형태로 표면 상에 분무함으로써 형성될 수도 있다.
촉매의 조성 및 밀도의 조건, 성장 환경 및 시간이 적절하게 제어된다면, 나노튜브는 주로 나노튜브의 단층인 소정 필드 상에 고르게 분포될 수 있다.
나노튜브 매트(312)가 형성되면, 포토레지스트 층을 나노튜브 필름(312) 상 에 스핀 코팅하고, 이를 노출 등에 의해 패턴화하여 전도성 트레이스를 형성할 수 있다. 도 17에 도시된 예에서, 트레이스는 평행한 직선 트레이스로 도시되어 있지만, 트레이스의 형성은 다른 형태를 취할 수 있다. 이와 같이 형성되는 트레이스는 상호 접속되는 장치의 타입에 따라 그 폭이 적어도 1 nm 일 수도 있고 100 미크론 이상 정도일 수도 있다.
이와 같이 형성되면, 노출된 포토레지스트를 처리하여 포토레지스트 층의 일부를 제거하고 트레이스(101)를 남겨둘 수 있다. 이후의 금속화는 어드레스 지정된 전극 또는 예컨대 도 17에 도면 부호 1706으로 도시된 팬형 인터커넥트 구조물을 형성하는 데 이용될 수 있다.
도 18을 참조하면, 그 후 나노튜브 리본 패턴(1802)을 다른 리본(101), 금속 트레이스(도시 생략) 또는 전자 부품(1806)에 접속시킬 수 있다. 예컨대, 중간 구조물(1800)을 참조하면, 나노튜브 트레이스(101)는 폭 등과 같은 특징 크기가 상이한 나노튜브 트레이스(1802)에 접속될 수 있다. 또한, 트레이스(101)는 요소(112)에 접속될 수 있는데, 상기 요소는 금속 접점 또는 접합 패드(이 도면에서는 일정한 비율로 도시되지 않음)일 수 있다. 중간 구조물(1804)을 참조하면, 트레이스(101)는 중간 구조물(1804)에 있는 메모리 요소에 접속될 수 있는데, 상기 메모리 요소는 NTRCM 셀로서 형성될 수도 있고 반도체 사이트에 형성될 수도 있다. 중간 구조물(1808)을 참조하면, 트레이스는 전자 처리 사이트 또는 로직(1806)에 접속될 수 있다. 일정한 비율로 도시되어 있지는 않지만, 트레이스(101)는 아이템(112)으로 표시된 접합 페트에 접속될 수도 있다.
상기 인터커넥트는 주로 나노튜브의 단층으로 형성될 수 있지만, 다중층 리본 및 매트도 또한 적절한 성장 조건을 이용하여 고려될 수 있다. 이를 위해서는 촉매의 조성과 농도, 하부 표면의 기능화, 스핀 코팅 파라미터(길이와 RPM, 예컨대 40초, 50∼5000 rpm), 성장 시간, 온도 및 가스 농도를 비롯한 파라미터(이에 한정되는 것은 아님)를 제어할 필요가 있다.
상기 기술의 한 가지 양태로는 다양한 성장, 침적, 패터닝 및 에칭 작업이 리소그래피 방식의 패터닝 등과 같은 통상의 기술을 사용할 수 있다는 것이 있다. 현재의 기술을 이용하면, 트레이스는 약 180 nm에서 적게는 130 nm에 이르는 폭을 갖도록 제조될 수 있다. 그러나, 만약 제조 능력이 허용한다면 트레이스(101)의 물리적 특성은 그보다 더 작은 특징 크기에 이를 수 있다.
통상의 인터커넥트 기술은 반도체 장치의 성능을 손상시키는 열 손상 및 금속 확산의 영향을 받는 경향이 있고, 특히 전기적 특성의 저하의 영향을 받는 경향이 있다. 이러한 영향은 0.18 um와 0.13 um의 구조물에서 예컨대 초박 게이트 산화물 층을 통한 금속 확산에 의해 전류 발생의 크기가 감소하는 경우에 보다 명백히 드러나게 된다. 이와는 달리, 카본 나노튜브 리본(101)은 상기 문제점의 영향을 받지 않는다. 공지된 가장 높은 열 전도성을 갖는 나노튜브 리본은 실질적으로 보다 강하며, 열에 의해 쉽게 파괴되지 않는다. 또한, 나노튜브 리본은 공유 결합된 카본 원자로만 구성되므로 금속 또는 불순물의 확산이 일어날 수 없다.
도 19는 제1 중간 구조물(302)을 형성하기 위한 다른 기법을 보여준다. 이산화규소 층(1902)을 구비한 실리콘 기판(1900)이 패턴화된 포토레지스트 층(1904) 을 수용한다. 예컨대, 포토레지스트 층을 이산화규소 층(1902) 상에 스핀 코팅한 후, 이를 노출시키고 리소그래피 방식으로 현상하여, 캐비티(1906)와 마스크 패턴(1908)을 만들어 낸다.
그 후, n형 도핑 실리콘이나 몰리브텐, 텅스텐 또는 탄탈 등과 같은 금속(1910)과, 산화알루미늄 등과 같은 희생층(1912)을 캐비티(1906)에 침적하고, 그에 상응하는 부분(1914, 1916)을 형성할 수도 있다.
그 후, 포토레지스트(1912), 소정 재료(1914) 및 포토레지스트(1912) 상의 산화알루미늄(Al2O3)(1916)을 박리하여, 전극 와이어(104) 및 희생층(304)을 구비한 중간 구조물(1918)을 형성한다. FOX(flowable oxide) 등과 같은 SOG(spin-on-glass)를 상기 중간 구조물(1918) 상에 스핀 코팅하고, 표준 기술을 사용하는 600℃의 경사 온도 프로토콜을 이용하여 어닐링하여, 희생층(1912)의 상부에 높이가 200∼2000 nm인 SiO2 층(1920)을 형성한다.
그 후, 상기 SiO2 층(1920)을 에칭하여 지지부(102)를 구비한 구조물(302)을 형성하는 데, 반응성 이온 에칭(RIE) 등을 사용할 수 있다.
전극 재료의 선택은 나노튜브를 기판 표면에 설치하는 방법에 의해 제한된다. 전술한 3가지 방법으로는 스핀 코팅된 촉매를 기초로 한 성장과, 기상 촉매를 이용한 CVD, 그리고 나노튜브의 스핀 코팅 또는 직접 침적이 있다. 전술한 바와 같이 스핀 코팅된 촉매를 기초로 한 성장의 경우에, 촉매는 스핀 코팅에 의해 상기 표면에 분포되거나, 표준 세척 프로토콜에 앞서 상기 기판을 촉매 물질에 침지함으 로써 상기 표면에 분포된다. 그 후, 전술한 각 경우에서 나노튜브는 전술한 바와 같이 수소와 탄소 함유 전구체의 합성물을 사용하는 800℃에서의 CVD 공정을 통해 성장된다. 따라서, 전술한 온도를 견딜 정도로 충분히 강한 전극 재료는 몰리브덴, 텅스텐, 탄탈, 게르마늄, 구리 및 이들의 합금을 포함하는 것이 바람직하다. 전극 재료는 실리콘, 텅스텐, 몰리브덴, 탄탈, 구리 및 그 밖의 것을 포함하는 재료의 단일 구조 또는 적층 구조로 구성될 수 있다. 적층형 전극 구조는 각 메모리 비트의 정류용으로 충분한 쇼트키(Schottky) 배리어를 형성하기에 충분할 수도 있고 상기 쇼트키 배리어 형성에 도움이 될 수도 있다.
나노튜브가 페로센 등과 같은 기상 촉매를 이용하여 성장되는 경우에는, 성장에 필요한 온도가 실질적으로 낮아서, 800℃ 미만 그리고 적게는 400℃ 정도의 실질적으로 낮은 온도에서 용융되는 전극 재료를 이용할 수 있게 된다는 것을 고려할 수 있다. 유익한 일부 기상 촉매로는 코발트, 텅스텐, 몰리브덴 또는 오원환 또는 육원환을 함유하는 레늄 메탈로센 등이 있다. 이들 합성물은 무기 화학의 적절한 지식을 이용하여 합성되고, 버블러의 사용에 의해 기상이 되어, 기판 상에서 나노튜브 성장을 위한 핵 생성 사이트의 작용을 한다. 물론, 이들 물질은 상기 문헌에 공지되어 있고 표준 산업 제조 설비에 사용되는 전형적인 CMOS 공정과 상당히 호환 가능하다.
나노튜브의 용액 또는 현탁액을 스핀 코팅함으로써 실온에서 표면에 나노튜브가 침적되는 경우에, 전극 재료의 선택은 실질적으로 확대된다. 이러한 경우에, 고온 단계는 없으며, 표준 CMOS 금속화 조건과 대개 호환 가능한 임의의 금속, 특 히 알루미늄과 그 합금이 허용될 수 있다.
희생층(304)은 Al2O3, 금속 산화물, 염, 금속 및 그 밖의 재료로 구성될 수 있다. 중간 구조물(302)은 지지부(102)를 형성하기 위한 SOG, SiO2 및 그 밖의 것 등의 다양한 재료를 사용하여 형성될 수 있다. 나노튜브의 저온 스핀 코팅 프로토콜이 선택된 경우에, 상기 희생층에 적합한 재료는 실질적으로 확대된다. 상기 재료는 PMMA 또는 그 밖의 폴리머와, 텅스텐, 크롬, 알루미늄, 비스무트 및 그 밖의 전이 금속 등과 같은 금속, 그리고 주 그룹 금속 등을 포함할 수 있다. 또한, 게르마늄과, 염, 산화물 및 그 밖의 칼코겐 등과 같은 절연체를 포함한다.
상기 지지부 층을 위한 재료의 선택은, 나노튜브의 성장을 위해 선택된 방법과 그 밖의 인자에 크게 의존한다. 나노튜브를 표면에 설치하기 위해 저온 공정을 선택한 경우에, Al2O3와 같은 상기 재료, 일산화규소, 반도체, 절연체 및 폴리이미드 등과 같은 폴리머를 이용하는 것을 고려할 수 있다.
재료 선택 공정은 전술한 제조 공정과 호환 가능한 상기 재료에 한정된다. 특정 전극 재료가 선택되면, 희생층과 지지부 재료는 반도체 제조에 이용 가능한 통상적인 공정 단계에 기초하여 자연적으로 한정된다는 것을 당업자라면 충분히 알 것이다. 이와 마찬가지로, 특정 희생층이 선택되면, 전극과 희생층 재료의 선택은 적절히 한정된다. 또한, 특정한 지지부 재료가 선택되면, 그에 따라 전극과 희생층 재료의 선택도 마찬가지로 한정된다.
도 20은 예시적인 나노튜브 섬유(312)를 원자력 현미경(AFM)으로 본 이미지 를 보여준다. 이 도면에서, 각 나노튜브는 직경이 약 1.5 nm이다. (이미지가 흐린 것은 소정 나노튜브의 실제 구조 때문이 아니라, 현미경이 본래 갖는 한계 때문이다.) 상기 이미지는 AFM의 측방 해상도 한계에서 본 것이다.
전술한 내용의 대부분은 상기 섬유가 동일한 타입, 예컨대 단일벽 타입의 나노튜브로 제조되는 것처럼 기재하고 있지만, 상기 섬유는 다중벽 구조로만 구성될 수도 있고 단일벽 구조와 다중벽 구조의 조합으로 구성될 수도 있다.
그 밖의 실시예
인터커넥트 또는 전극 재료의 성장을 용이하게 하기 위해, 먼저 표준 리소그래피 방법을 이용하여 패턴을 형성함으로써 나노튜브가 상기 표면 상에서 수평한 형태로 성장되게 하는 영역을 규정하는 것이 유용해질 수 있다. 이러한 기법은 SiO2 구조를 패터닝하여 두꺼운 다중벽 수직 나노튜브를 성장시키는 데 사용되었다. 유사한 기법에서, 패터닝된 SiO2는 1∼1000 nm의 두께를 갖는 수평한 나노튜브 필름을 성장시켜 도면 부호 101 등과 같은 전술한 형태의 구조를 형성하는 데 사용될 수 있다. 나노튜브 성장 및 핵 생성을 위한 지지부를 제공하는, 예컨대 절연체 및 금속 산화물 등과 같은 그 밖의 재료는, 패터닝된 나노튜브 리본을 만들기 위해 적절하게 선택된 기상 메탈로센 또는 그 밖의 기화 가능한 금속 전구체와 함께 사용될 때 유용할 수 있다. 또한, 이와 같이 패터닝된 하부층은 제거 시에 현수된 나노튜브를 형성하는 희생층으로서 작용할 수 있다. 이러한 성장 방법은 나노튜브가 상기 패터닝된 표면을 핵 생성 사이트로서 이용하는 "포지티브" 성장의 형태를 나 타낸다.
다른 실시예에서는 리소그래피 방식으로 패터닝된 기판이 금속 재료 또는 나노튜브 성장을 지원하지 않는 그 밖의 재료를 함유하는 "네거티브" 성장 방법을 사용하는 것을 고려할 수 있다.
메탈로센 또는 이와 유사한 화합물 등과 같은 적절한 기상 전구체가 공급되면, 나노튜브는 사실상 패터닝된 재료가 없는 영역에서만 성장한다. 하부 재료를 제거하면 현수된 나노튜브 리본(101)이 마련될 수도 있고, 상기 패터닝된 금속 종의 제거 시에 인터커넥트 구조가 마련될 수도 있다.
또 다른 실시예에서는, 나노튜브를 전극 위에 특정 높이로 현수시키기 위하여 습식 화학물을 이용하여 희생층을 제거하는 대신에, 전극의 제어 에칭(즉, 폭이 0.18 um인 전극을 15 nm로 에칭)을 이용할 수 있고, 예컨대 금속(예컨대, 구리) 및 반도체(예컨대, 실리콘) 전극은 초당 수 나노미터의 에칭률로 에칭될 수 있다.
다른 실시예에서는, 작업 중에 튜브가 미끄러지지 않도록 씌운 얇은 코팅을 이용하여 나노튜브를 지지부 상에 피닝한다. 이로써 메모리 셀 자체의 바로 위에 있는 "윈도우"를 개방시킨다.
상기 층 및 전기 전도성 물품의 전기적 특성은 나노튜브 리본의 단면을 제어함으로써 조정될 수 있다. 예컨대, 리본의 두께는 소정의 폭 및 나노튜브 밀도에서 증대될 수 있다. 단면이 클수록 전도 채널의 개수가 많아져, 전기적 특성이 향상된다.
이러한 나노튜브 리본의 제조 방법을 통해 거친 표면 위상 위에서도 전도성 이 연속적일 수 있다. 이와는 달리, 전형적인 금속 전극의 증착에서는 구조적 결함 및 그에 따른 전기적 결함의 영향을 받는다.
카본 나노튜브 이외에도, 전자 기계식 스위칭에 적합한 전자적 및 기계적 특성을 갖는 그 밖의 재료가 고려될 수 있다. 이러한 재료는 카본 나노튜브와 유사한 특성을 갖지만, 인장 강도가 상이하고 적당히 작다. 상기 재료의 인장 변형률 및 부착 에너지는 허용 가능한 오차 범위 내에 존재하는 접합의 쌍안정성과 전자 기계식 스위칭 특성을 허용하는 범위 내에 있어야 한다.
통합을 목적으로 하여, 2가지 기법의 처리를 위한 CMOS 로직이 고려될 수 있다. 제1 실시예에서, 나노튜브 어레이는 금속화 이전, CMOS 로직 장치의 평탄화 및 이온 주입 이후에 통합된다. 제2 방법은 CMOS 장치의 제조 이전에 나노튜브 어레이를 성장시킬 필요가 있으며, 이온 주입 및 고온 어닐링 단계를 포함한다. 이들 단계가 완료되면, 널리 사용되는 표준 프로토콜을 이용하여 나노튜브 리본과 CMOS 장치 모두를 최종적으로 금속화한다.
또한, n형 도핑 실리콘으로 이루어진 일부 금속 또는 반도체 라인 상의 전극이 고려될 수 있다. 이로써, 복수 개의 전류 통로가 존재하지 않도록, "ON" 상태의 정류 접합이 계속 제공된다.
정류 접합 이외에도, 크로스바 어레이에서 전기의 누화(즉, 복수 개의 전류 통로)가 발생하지 못하게 하는 데 널리 사용되고 용인되는 다른 방법이 있다. 리소그래피 방식으로 제조된 정전 전극 위에 마련된 터널 배리어는 저항이 "ON" 상태로 형성되지 못하게 한다. 제로 바이어스 전압에서 전류의 누출은 발생되지 않지 만, 교차 라인 사이에서 상기 배리어 및 터널을 넘어가기 위해서는 전하 캐리어에 작은 바이어스 전압이 인가되어야 한다.
전극 표면과의 교차부를 변경하기 위해, 이온력, 공유 결합력, 또는 그 밖의 힘을 사용하여 부착 에너지를 증대시키는 방법이 고려될 수 있다. 이 방법은 전술한 접합과 관련한 쌍안정성의 범위를 연장시키는 데 사용될 수 있다.
나노튜브는 피렌 등과 같은 평면 공액 탄화수소를 통해 기능화될 수 있는데, 그 후 상기 탄화수소는 리본 내에 있는 나노튜브 사이의 내부 접합을 강화시키는 것을 도울 수 있다.
어드레스 지정을 위한 나노튜브 기술 및 하이브리드 회로 등과 같은 전술한 양태 중 일부는 개개의 나노튜브(예컨대, 지향 성장 기술 등을 이용) 또는 나노튜브 리본에 적용될 수 있다.
또한, 본 발명의 범위는 전술한 실시예에 한정되는 것이 아니라 첨부된 청구범위에 의해 정해지는 것이며, 상기 청구범위는 바람직한 실시예의 수정한 것과 개량한 것을 포함하는 것으로 사료된다.

Claims (56)

  1. 정렬되지 않은(unaligned) 나노튜브 절편의 정제된(purified) 부직(non-woven) 집합체를 포함하고, 상기 나노튜브 절편은 평평한 층을 형성하며, 나노튜브 절편은 다른 나노튜브 절편과 접촉하고, 상기 부직 집합체는 리소그래프 방식으로(lithographically) 패터닝되어 소정의 형상을 형성하며 물품의 길이를 따라 복수 개의 전도 경로를 형성하는 것인 나노크기의(nanoscopic) 전도성 물품.
  2. 제1항에 있어서, 상기 정렬되지 않은 나노튜브 절편은 단일벽 카본 나노튜브를 포함하는 것인 전도성 물품.
  3. 제1항에 있어서, 상기 정렬되지 않은 나노튜브 절편은 다중벽 카본 나노튜브를 포함하는 것인 전도성 물품.
  4. 제1항에 있어서, 상기 정렬되지 않은 나노튜브 절편은 길이가 서로 다른 것인 전도성 물품.
  5. 제1항에 있어서, 상기 정렬되지 않은 나노튜브 절편은 상기 전도성 물품보다 길이가 짧은 절편을 포함하는 것인 전도성 물품.
  6. 삭제
  7. 삭제
  8. 삭제
  9. 삭제
  10. 삭제
  11. 평평한 층을 따라 다른 나노튜브와 접촉하여 나노튜브의 전기망을 형성하는 정렬되지 않은 나노튜브의 정제된 부직 집합체를 포함하고, 상기 부직 집합체는 리소그래프 방식으로 패터닝되어 소정의 형상을 형성하며 트레이스를 따라 복수 개의 전도 경로를 형성하는 것인 나노크기의 전도성 트레이스.
  12. 제11항에 있어서, 상기 나노튜브는 단일벽 카본 나노튜브를 포함하는 것인 전도성 트레이스.
  13. 제11항에 있어서, 상기 나노튜브는 다중벽 카본 나노튜브를 포함하는 것인 전도성 트레이스.
  14. 제11항에 있어서, 상기 나노튜브는 길이가 서로 다른 것인 전도성 트레이스.
  15. 제11항에 있어서, 상기 나노튜브는 상기 트레이스보다 길이가 짧은 나노튜브 세그먼트를 포함하는 것인 전도성 트레이스.
  16. 삭제
  17. 삭제
  18. 삭제
  19. 삭제
  20. 삭제
  21. 소정의 형상과 소정의 방위를 지닌 제1항의 전도성 물품으로서,
    상기 나노튜브 절편은 개별적으로는 상기 방위로 제한되지 않는 것인 전도성 물품.
  22. 삭제
  23. 삭제
  24. 삭제
  25. 삭제
  26. 삭제
  27. 삭제
  28. 삭제
  29. 삭제
  30. 삭제
  31. 삭제
  32. 삭제
  33. 삭제
  34. 삭제
  35. 삭제
  36. 삭제
  37. 삭제
  38. 삭제
  39. 삭제
  40. 삭제
  41. 삭제
  42. 삭제
  43. 삭제
  44. 삭제
  45. 삭제
  46. 삭제
  47. 삭제
  48. 삭제
  49. 삭제
  50. 삭제
  51. 삭제
  52. 삭제
  53. 삭제
  54. 삭제
  55. 삭제
  56. 삭제
KR1020047001160A 2001-07-25 2002-07-25 나노튜브 필름 및 물품 KR100899587B1 (ko)

Applications Claiming Priority (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US09/915,093 2001-07-25
US09/915,095 2001-07-25
US09/915,173 US6643165B2 (en) 2001-07-25 2001-07-25 Electromechanical memory having cell selection circuitry constructed with nanotube technology
US09/915,093 US6919592B2 (en) 2001-07-25 2001-07-25 Electromechanical memory array using nanotube ribbons and method for making same
US09/915,173 2001-07-25
US09/915,095 US6574130B2 (en) 2001-07-25 2001-07-25 Hybrid circuit having nanotube electromechanical memory
PCT/US2002/023861 WO2003022733A2 (en) 2001-07-25 2002-07-25 Nanotube films and articles

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20050012707A KR20050012707A (ko) 2005-02-02
KR100899587B1 true KR100899587B1 (ko) 2009-05-27

Family

ID=27420634

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020047001160A KR100899587B1 (ko) 2001-07-25 2002-07-25 나노튜브 필름 및 물품

Country Status (8)

Country Link
US (3) US6835591B2 (ko)
EP (4) EP2286929B1 (ko)
JP (1) JP5068921B2 (ko)
KR (1) KR100899587B1 (ko)
CN (1) CN1556996B (ko)
AU (2) AU2002353771A1 (ko)
CA (2) CA2454845C (ko)
WO (2) WO2003022733A2 (ko)

Families Citing this family (234)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2002103753A2 (en) * 2000-11-01 2002-12-27 Myrick James J Nanoelectronic interconnection and addressing
US7563711B1 (en) * 2001-07-25 2009-07-21 Nantero, Inc. Method of forming a carbon nanotube-based contact to semiconductor
US6706402B2 (en) * 2001-07-25 2004-03-16 Nantero, Inc. Nanotube films and articles
AU2003235592A1 (en) * 2002-01-11 2003-07-30 The Trustees Of Boston College Reinforced carbon nanotubes
US20060228723A1 (en) * 2002-01-16 2006-10-12 Keith Bradley System and method for electronic sensing of biomolecules
US8154093B2 (en) * 2002-01-16 2012-04-10 Nanomix, Inc. Nano-electronic sensors for chemical and biological analytes, including capacitance and bio-membrane devices
US20080021339A1 (en) * 2005-10-27 2008-01-24 Gabriel Jean-Christophe P Anesthesia monitor, capacitance nanosensors and dynamic sensor sampling method
AU2003224723A1 (en) * 2002-03-20 2003-10-08 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Molybdenum-based electrode with carbon nanotube growth
US7335395B2 (en) * 2002-04-23 2008-02-26 Nantero, Inc. Methods of using pre-formed nanotubes to make carbon nanotube films, layers, fabrics, ribbons, elements and articles
US7304128B2 (en) 2002-06-04 2007-12-04 E.I. Du Pont De Nemours And Company Carbon nanotube binding peptides
WO2004001860A1 (en) 2002-06-19 2003-12-31 Nantero, Inc. Nanotube permeable base transistor and method of making same
US7948041B2 (en) 2005-05-19 2011-05-24 Nanomix, Inc. Sensor having a thin-film inhibition layer
US7067867B2 (en) * 2002-09-30 2006-06-27 Nanosys, Inc. Large-area nonenabled macroelectronic substrates and uses therefor
US20050045867A1 (en) * 2002-10-30 2005-03-03 Ozkan Cengiz S. Nanoscale heterojunctions and methods of making and using thereof
US9574290B2 (en) 2003-01-13 2017-02-21 Nantero Inc. Methods for arranging nanotube elements within nanotube fabrics and films
US7666382B2 (en) 2004-12-16 2010-02-23 Nantero, Inc. Aqueous carbon nanotube applicator liquids and methods for producing applicator liquids thereof
CN1720345A (zh) * 2003-01-13 2006-01-11 南泰若股份有限公司 利用薄金属层制造碳纳米管薄膜、层、织品、条带、元件及物品之方法
US7858185B2 (en) 2003-09-08 2010-12-28 Nantero, Inc. High purity nanotube fabrics and films
US8937575B2 (en) * 2009-07-31 2015-01-20 Nantero Inc. Microstrip antenna elements and arrays comprising a shaped nanotube fabric layer and integrated two terminal nanotube select devices
US7075141B2 (en) * 2003-03-28 2006-07-11 Nantero, Inc. Four terminal non-volatile transistor device
US7294877B2 (en) 2003-03-28 2007-11-13 Nantero, Inc. Nanotube-on-gate FET structures and applications
US6995046B2 (en) * 2003-04-22 2006-02-07 Nantero, Inc. Process for making byte erasable devices having elements made with nanotubes
US7045421B2 (en) * 2003-04-22 2006-05-16 Nantero, Inc. Process for making bit selectable devices having elements made with nanotubes
EP1631812A4 (en) 2003-05-14 2010-12-01 Nantero Inc SENSOR PLATFORM HAVING A HORIZONTAL NANOPHONE ELEMENT
CA2528804A1 (en) * 2003-06-09 2005-01-06 Nantero, Inc Non-volatile electromechanical field effect devices and circuits using same and methods of forming same
US7274064B2 (en) 2003-06-09 2007-09-25 Nanatero, Inc. Non-volatile electromechanical field effect devices and circuits using same and methods of forming same
US7041530B2 (en) * 2003-06-12 2006-05-09 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method of production of nano particle dispersed composite material
US7053520B2 (en) 2003-07-18 2006-05-30 The Regents Of The University Of California Rotational actuator or motor based on carbon nanotubes
JP3731589B2 (ja) * 2003-07-18 2006-01-05 ソニー株式会社 撮像装置と同期信号発生装置
JP2007502545A (ja) * 2003-08-13 2007-02-08 ナンテロ，インク． 複数の制御装置を有するナノチューブを基礎とする交換エレメントと上記エレメントから製造される回路
US7289357B2 (en) * 2003-08-13 2007-10-30 Nantero, Inc. Isolation structure for deflectable nanotube elements
CN101562049B (zh) * 2003-08-13 2012-09-05 南泰若股份有限公司 具有多个控件的基于纳米管的开关元件及由其制成的电路
US7115960B2 (en) * 2003-08-13 2006-10-03 Nantero, Inc. Nanotube-based switching elements
WO2005017967A2 (en) * 2003-08-13 2005-02-24 Nantero, Inc. Nanotube device structure and methods of fabrication
US7504051B2 (en) * 2003-09-08 2009-03-17 Nantero, Inc. Applicator liquid for use in electronic manufacturing processes
US7375369B2 (en) 2003-09-08 2008-05-20 Nantero, Inc. Spin-coatable liquid for formation of high purity nanotube films
US7416993B2 (en) * 2003-09-08 2008-08-26 Nantero, Inc. Patterned nanowire articles on a substrate and methods of making the same
US20050126766A1 (en) * 2003-09-16 2005-06-16 Koila,Inc. Nanostructure augmentation of surfaces for enhanced thermal transfer with improved contact
US20050116336A1 (en) * 2003-09-16 2005-06-02 Koila, Inc. Nano-composite materials for thermal management applications
JP4772302B2 (ja) * 2003-09-29 2011-09-14 パナソニック株式会社 微小電気機械システムおよびその製造方法
KR20050049868A (ko) * 2003-11-24 2005-05-27 삼성에스디아이 주식회사 카본나노튜브 에미터 형성방법 및 이를 이용한 전계방출표시소자의 제조방법
US7528437B2 (en) * 2004-02-11 2009-05-05 Nantero, Inc. EEPROMS using carbon nanotubes for cell storage
CN1961102A (zh) * 2004-04-07 2007-05-09 艾考斯公司 用于碳纳米管组合物的短效粘度和稳定性改进剂
US7834530B2 (en) * 2004-05-27 2010-11-16 California Institute Of Technology Carbon nanotube high-current-density field emitters
US7556746B2 (en) 2004-06-03 2009-07-07 Nantero, Inc. Method of making an applicator liquid for electronics fabrication process
US7658869B2 (en) * 2004-06-03 2010-02-09 Nantero, Inc. Applicator liquid containing ethyl lactate for preparation of nanotube films
US7709880B2 (en) * 2004-06-09 2010-05-04 Nantero, Inc. Field effect devices having a gate controlled via a nanotube switching element
US7164744B2 (en) * 2004-06-18 2007-01-16 Nantero, Inc. Nanotube-based logic driver circuits
US7329931B2 (en) 2004-06-18 2008-02-12 Nantero, Inc. Receiver circuit using nanotube-based switches and transistors
US7161403B2 (en) * 2004-06-18 2007-01-09 Nantero, Inc. Storage elements using nanotube switching elements
US7167026B2 (en) * 2004-06-18 2007-01-23 Nantero, Inc. Tri-state circuit using nanotube switching elements
US7330709B2 (en) * 2004-06-18 2008-02-12 Nantero, Inc. Receiver circuit using nanotube-based switches and logic
US7652342B2 (en) * 2004-06-18 2010-01-26 Nantero, Inc. Nanotube-based transfer devices and related circuits
US7288970B2 (en) 2004-06-18 2007-10-30 Nantero, Inc. Integrated nanotube and field effect switching device
TWI230973B (en) * 2004-06-25 2005-04-11 Ind Tech Res Inst Method of making nanometer wire array
DE102004031128A1 (de) * 2004-06-28 2006-01-19 Infineon Technologies Ag Elektrischer Schaltkreis mit einer Kohlenstoff-Leiterstruktur und Verfahren zum Herstellen einer Kohlenstoff-Leiterstruktur eines elektrischen Schaltkreises
EP1805869A2 (en) * 2004-07-19 2007-07-11 Ambient Systems, Inc. Nanometer-scale electrostatic and electromagnetic motors and generators
DE102004035368B4 (de) 2004-07-21 2007-10-18 Infineon Technologies Ag Substrat mit Leiterbahnen und Herstellung der Leiterbahnen auf Substraten für Halbleiterbauteile
WO2006121461A2 (en) 2004-09-16 2006-11-16 Nantero, Inc. Light emitters using nanotubes and methods of making same
EP1792320A4 (en) * 2004-09-21 2010-08-04 Nantero Inc RESISTIVE ELEMENTS USING CARBON NANOTUBES
ATE463034T1 (de) 2004-09-22 2010-04-15 Nantero Inc Direktzugriffsspeicher mit nanoröhrenschaltelementen
US20100147657A1 (en) * 2004-11-02 2010-06-17 Nantero, Inc. Nanotube esd protective devices and corresponding nonvolatile and volatile nanotube switches
US7567414B2 (en) 2004-11-02 2009-07-28 Nantero, Inc. Nanotube ESD protective devices and corresponding nonvolatile and volatile nanotube switches
KR100680008B1 (ko) 2004-11-30 2007-02-09 학교법인연세대학교 탄소나노튜브 박막의 제조방법
US7598544B2 (en) 2005-01-14 2009-10-06 Nanotero, Inc. Hybrid carbon nanotude FET(CNFET)-FET static RAM (SRAM) and method of making same
US8362525B2 (en) 2005-01-14 2013-01-29 Nantero Inc. Field effect device having a channel of nanofabric and methods of making same
US7671398B2 (en) * 2005-02-23 2010-03-02 Tran Bao Q Nano memory, light, energy, antenna and strand-based systems and methods
EP1877255A4 (en) * 2005-03-10 2011-03-30 Mat & Electrochem Res Corp METHOD AND DEVICE FOR PRODUCING THIN FILM
US20060213251A1 (en) * 2005-03-24 2006-09-28 University Of Florida Research Foundation, Inc. Carbon nanotube films for hydrogen sensing
US8941094B2 (en) 2010-09-02 2015-01-27 Nantero Inc. Methods for adjusting the conductivity range of a nanotube fabric layer
US20060276056A1 (en) * 2005-04-05 2006-12-07 Nantero, Inc. Nanotube articles with adjustable electrical conductivity and methods of making the same
US9390790B2 (en) 2005-04-05 2016-07-12 Nantero Inc. Carbon based nonvolatile cross point memory incorporating carbon based diode select devices and MOSFET select devices for memory and logic applications
US8000127B2 (en) * 2009-08-12 2011-08-16 Nantero, Inc. Method for resetting a resistive change memory element
US9287356B2 (en) * 2005-05-09 2016-03-15 Nantero Inc. Nonvolatile nanotube diodes and nonvolatile nanotube blocks and systems using same and methods of making same
US8183665B2 (en) * 2005-11-15 2012-05-22 Nantero Inc. Nonvolatile nanotube diodes and nonvolatile nanotube blocks and systems using same and methods of making same
US8013363B2 (en) * 2005-05-09 2011-09-06 Nantero, Inc. Nonvolatile nanotube diodes and nonvolatile nanotube blocks and systems using same and methods of making same
US7835170B2 (en) 2005-05-09 2010-11-16 Nantero, Inc. Memory elements and cross point switches and arrays of same using nonvolatile nanotube blocks
TWI324773B (en) 2005-05-09 2010-05-11 Nantero Inc Non-volatile shadow latch using a nanotube switch
US7479654B2 (en) 2005-05-09 2009-01-20 Nantero, Inc. Memory arrays using nanotube articles with reprogrammable resistance
US9196615B2 (en) * 2005-05-09 2015-11-24 Nantero Inc. Nonvolatile nanotube diodes and nonvolatile nanotube blocks and systems using same and methods of making same
US7394687B2 (en) * 2005-05-09 2008-07-01 Nantero, Inc. Non-volatile-shadow latch using a nanotube switch
US8513768B2 (en) 2005-05-09 2013-08-20 Nantero Inc. Nonvolatile nanotube diodes and nonvolatile nanotube blocks and systems using same and methods of making same
US7781862B2 (en) 2005-05-09 2010-08-24 Nantero, Inc. Two-terminal nanotube devices and systems and methods of making same
US9911743B2 (en) * 2005-05-09 2018-03-06 Nantero, Inc. Nonvolatile nanotube diodes and nonvolatile nanotube blocks and systems using same and methods of making same
US8217490B2 (en) 2005-05-09 2012-07-10 Nantero Inc. Nonvolatile nanotube diodes and nonvolatile nanotube blocks and systems using same and methods of making same
US7598127B2 (en) * 2005-05-12 2009-10-06 Nantero, Inc. Nanotube fuse structure
CN100482572C (zh) * 2005-05-13 2009-04-29 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 在（111）晶面的硅片上纳米梁的结构及制作方法
US7575693B2 (en) * 2005-05-23 2009-08-18 Nantero, Inc. Method of aligning nanotubes and wires with an etched feature
US7541216B2 (en) * 2005-06-09 2009-06-02 Nantero, Inc. Method of aligning deposited nanotubes onto an etched feature using a spacer
US7402770B2 (en) * 2005-06-10 2008-07-22 Lsi Logic Corporation Nano structure electrode design
JP5019192B2 (ja) * 2005-06-24 2012-09-05 株式会社東芝 半導体装置
US7343581B2 (en) * 2005-06-27 2008-03-11 Tela Innovations, Inc. Methods for creating primitive constructed standard cells
US7538040B2 (en) 2005-06-30 2009-05-26 Nantero, Inc. Techniques for precision pattern transfer of carbon nanotubes from photo mask to wafers
EP2365117B1 (en) 2005-07-28 2014-12-31 Nanocomp Technologies, Inc. Apparatus and method for formation and collection of nanofibrous non-woven sheet
US7638382B2 (en) * 2005-08-11 2009-12-29 Kabushiki Kaisha Toshiba Storage apparatus and manufacturing method thereof
EP2251389B8 (en) * 2005-08-12 2012-09-19 Cambrios Technologies Corporation Nanowire ink
KR100682952B1 (ko) * 2005-08-31 2007-02-15 삼성전자주식회사 나노탄성 메모리 소자 및 그 제조 방법
WO2008054364A2 (en) 2005-09-06 2008-05-08 Nantero, Inc. Carbon nanotubes for the selective transfer of heat from electronics
US7850778B2 (en) * 2005-09-06 2010-12-14 Lemaire Charles A Apparatus and method for growing fullerene nanotube forests, and forming nanotube films, threads and composite structures therefrom
WO2007030484A2 (en) * 2005-09-06 2007-03-15 Nantero, Inc. Nanotube fabric-based sensor systems and methods of making same
US7744793B2 (en) 2005-09-06 2010-06-29 Lemaire Alexander B Apparatus and method for growing fullerene nanotube forests, and forming nanotube films, threads and composite structures therefrom
US7892299B2 (en) * 2005-09-15 2011-02-22 Headwaters Technology Innovation, Llc Methods of manufacturing fuel cell electrodes incorporating highly dispersed nanoparticle catalysts
US20070235847A1 (en) * 2005-09-19 2007-10-11 Shriram Ramanathan Method of making a substrate having thermally conductive structures and resulting devices
US7446044B2 (en) * 2005-09-19 2008-11-04 California Institute Of Technology Carbon nanotube switches for memory, RF communications and sensing applications, and methods of making the same
US7718155B2 (en) * 2005-10-06 2010-05-18 Headwaters Technology Innovation, Llc Carbon nanostructures manufactured from catalytic templating nanoparticles
US8133637B2 (en) * 2005-10-06 2012-03-13 Headwaters Technology Innovation, Llc Fuel cells and fuel cell catalysts incorporating a nanoring support
US7887771B2 (en) * 2005-10-06 2011-02-15 Headwaters Technology Innovation, Llc Carbon nanorings manufactured from templating nanoparticles
US7629192B2 (en) * 2005-10-13 2009-12-08 International Business Machines Corporation Passive electrically testable acceleration and voltage measurement devices
US7268077B2 (en) * 2005-12-02 2007-09-11 Intel Corporation Carbon nanotube reinforced metallic layer
CN100500556C (zh) * 2005-12-16 2009-06-17 清华大学 碳纳米管丝及其制作方法
JP2009528238A (ja) 2005-12-19 2009-08-06 ナンテロ，インク． カーボンナノチューブの生成
CN100526208C (zh) * 2005-12-30 2009-08-12 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 在绝缘体上硅的硅片上纳米宽度谐振结构及其制作方法
US8264137B2 (en) 2006-01-03 2012-09-11 Samsung Electronics Co., Ltd. Curing binder material for carbon nanotube electron emission cathodes
US20070158768A1 (en) * 2006-01-06 2007-07-12 Honeywell International, Inc. Electrical contacts formed of carbon nanotubes
US7417119B2 (en) * 2006-01-17 2008-08-26 Sri International Nanoscale array biomolecular bond enhancer device
DE102006004218B3 (de) * 2006-01-30 2007-08-16 Infineon Technologies Ag Elektromechanische Speicher-Einrichtung und Verfahren zum Herstellen einer elektromechanischen Speicher-Einrichtung
US7935276B2 (en) * 2006-02-09 2011-05-03 Headwaters Technology Innovation Llc Polymeric materials incorporating carbon nanostructures
US7590968B1 (en) 2006-03-01 2009-09-15 Tela Innovations, Inc. Methods for risk-informed chip layout generation
US8247846B2 (en) 2006-03-09 2012-08-21 Tela Innovations, Inc. Oversized contacts and vias in semiconductor chip defined by linearly constrained topology
US8541879B2 (en) 2007-12-13 2013-09-24 Tela Innovations, Inc. Super-self-aligned contacts and method for making the same
US8653857B2 (en) 2006-03-09 2014-02-18 Tela Innovations, Inc. Circuitry and layouts for XOR and XNOR logic
US7956421B2 (en) 2008-03-13 2011-06-07 Tela Innovations, Inc. Cross-coupled transistor layouts in restricted gate level layout architecture
US9563733B2 (en) 2009-05-06 2017-02-07 Tela Innovations, Inc. Cell circuit and layout with linear finfet structures
US7446352B2 (en) 2006-03-09 2008-11-04 Tela Innovations, Inc. Dynamic array architecture
US8658542B2 (en) 2006-03-09 2014-02-25 Tela Innovations, Inc. Coarse grid design methods and structures
US9230910B2 (en) 2006-03-09 2016-01-05 Tela Innovations, Inc. Oversized contacts and vias in layout defined by linearly constrained topology
US8225261B2 (en) 2006-03-09 2012-07-17 Tela Innovations, Inc. Methods for defining contact grid in dynamic array architecture
US8839175B2 (en) 2006-03-09 2014-09-16 Tela Innovations, Inc. Scalable meta-data objects
US7763534B2 (en) 2007-10-26 2010-07-27 Tela Innovations, Inc. Methods, structures and designs for self-aligning local interconnects used in integrated circuits
US8245180B2 (en) 2006-03-09 2012-08-14 Tela Innovations, Inc. Methods for defining and using co-optimized nanopatterns for integrated circuit design and apparatus implementing same
US7932545B2 (en) 2006-03-09 2011-04-26 Tela Innovations, Inc. Semiconductor device and associated layouts including gate electrode level region having arrangement of six linear conductive segments with side-to-side spacing less than 360 nanometers
US9035359B2 (en) 2006-03-09 2015-05-19 Tela Innovations, Inc. Semiconductor chip including region including linear-shaped conductive structures forming gate electrodes and having electrical connection areas arranged relative to inner region between transistors of different types and associated methods
US9009641B2 (en) 2006-03-09 2015-04-14 Tela Innovations, Inc. Circuits with linear finfet structures
US8448102B2 (en) 2006-03-09 2013-05-21 Tela Innovations, Inc. Optimizing layout of irregular structures in regular layout context
US8225239B2 (en) 2006-03-09 2012-07-17 Tela Innovations, Inc. Methods for defining and utilizing sub-resolution features in linear topology
US7943967B2 (en) 2006-03-09 2011-05-17 Tela Innovations, Inc. Semiconductor device and associated layouts including diffusion contact placement restriction based on relation to linear conductive segments
WO2008048705A2 (en) 2006-03-10 2008-04-24 Goodrich Corporation Low density lightning strike protection for use in airplanes
US20100117764A1 (en) * 2006-04-17 2010-05-13 Board Of Regents, The University Of Texas System Assisted selective growth of highly dense and vertically aligned carbon nanotubes
US7832983B2 (en) 2006-05-02 2010-11-16 Goodrich Corporation Nacelles and nacelle components containing nanoreinforced carbon fiber composite material
US7655272B1 (en) * 2006-05-19 2010-02-02 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Nanoparticles with controlled growth
EP2104108A1 (en) * 2006-08-08 2009-09-23 Nantero, Inc. Nonvolatile resistive memories, latch circuits, and operation circuits having scalable two-terminal nanotube switches
US7577049B1 (en) 2006-08-08 2009-08-18 Tela Innovations, Inc. Speculative sense enable tuning apparatus and associated methods
US8323789B2 (en) 2006-08-31 2012-12-04 Cambridge Enterprise Limited Nanomaterial polymer compositions and uses thereof
WO2008039372A2 (en) * 2006-09-22 2008-04-03 Carnegie Mellon University Assembling and applying nano-electro-mechanical systems
KR101545219B1 (ko) 2006-10-12 2015-08-18 캄브리오스 테크놀로지즈 코포레이션 나노와이어 기반의 투명 도전체 및 그의 응용
US8018568B2 (en) 2006-10-12 2011-09-13 Cambrios Technologies Corporation Nanowire-based transparent conductors and applications thereof
US7718156B2 (en) * 2006-12-20 2010-05-18 Headwaters Technology Innovation, Llc Method for manufacturing carbon nanostructures having minimal surface functional groups
US20080166563A1 (en) 2007-01-04 2008-07-10 Goodrich Corporation Electrothermal heater made from thermally conducting electrically insulating polymer material
US8420978B2 (en) 2007-01-18 2013-04-16 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois High throughput, low cost dual-mode patterning method for large area substrates
EP1955780A1 (en) * 2007-02-02 2008-08-13 Sony Deutschland Gmbh A method of producing a film of carbon nanotubes on a substrate
US7979829B2 (en) 2007-02-20 2011-07-12 Tela Innovations, Inc. Integrated circuit cell library with cell-level process compensation technique (PCT) application and associated methods
US8286107B2 (en) 2007-02-20 2012-10-09 Tela Innovations, Inc. Methods and systems for process compensation technique acceleration
US20080238882A1 (en) * 2007-02-21 2008-10-02 Ramesh Sivarajan Symmetric touch screen system with carbon nanotube-based transparent conductive electrode pairs
US8064203B2 (en) * 2007-02-22 2011-11-22 Dow Corning Corporation Process for preparing conductive films and articles prepared using the process
US8667443B2 (en) 2007-03-05 2014-03-04 Tela Innovations, Inc. Integrated circuit cell library for multiple patterning
US7888705B2 (en) 2007-08-02 2011-02-15 Tela Innovations, Inc. Methods for defining dynamic array section with manufacturing assurance halo and apparatus implementing the same
WO2008140649A2 (en) * 2007-03-07 2008-11-20 Carbolex, Inc. Boron-doped single-walled nanotubes (swcnt)
US8003300B2 (en) * 2007-04-12 2011-08-23 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Methods for fabricating complex micro and nanoscale structures and electronic devices and components made by the same
US8018563B2 (en) 2007-04-20 2011-09-13 Cambrios Technologies Corporation Composite transparent conductors and methods of forming the same
US8134220B2 (en) * 2007-06-22 2012-03-13 Nantero Inc. Two-terminal nanotube devices including a nanotube bridge and methods of making same
US20110014446A1 (en) * 2007-07-06 2011-01-20 Takeshi Saito Method for forming carbon nanotube film, film-forming apparatus, and carbon nanotube film
US7701013B2 (en) * 2007-07-10 2010-04-20 International Business Machines Corporation Nanoelectromechanical transistors and methods of forming same
US7550354B2 (en) * 2007-07-11 2009-06-23 International Business Machines Corporation Nanoelectromechanical transistors and methods of forming same
US8652763B2 (en) * 2007-07-16 2014-02-18 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Method for fabricating dual damascene profiles using sub pixel-voting lithography and devices made by same
CA2697846A1 (en) * 2007-09-07 2009-03-12 Inorganic Specialists, Inc. Silicon modified nanofiber paper as an anode material for a lithium secondary battery
US8262768B2 (en) 2007-09-17 2012-09-11 Barrick Gold Corporation Method to improve recovery of gold from double refractory gold ores
US8262770B2 (en) 2007-09-18 2012-09-11 Barrick Gold Corporation Process for controlling acid in sulfide pressure oxidation processes
AU2008300273B2 (en) 2007-09-18 2012-03-22 Barrick Gold Corporation Process for recovering gold and silver from refractory ores
KR100866577B1 (ko) * 2007-09-28 2008-11-03 삼성전기주식회사 인쇄회로기판의 층간 도통방법
KR100981309B1 (ko) 2007-12-06 2010-09-10 한국세라믹기술원 양자점 재료 증착박막 형성방법 및 그 생성물
US8336119B2 (en) * 2007-12-09 2012-12-25 180's. Inc. Hand covering with conductive portion
US9003567B2 (en) * 2007-12-09 2015-04-14 180S, Inc. Hand covering with tactility features
CN101458607B (zh) * 2007-12-14 2010-12-29 清华大学 触摸屏及显示装置
US8009461B2 (en) * 2008-01-07 2011-08-30 International Business Machines Corporation SRAM device, and SRAM device design structure, with adaptable access transistors
US8453094B2 (en) 2008-01-31 2013-05-28 Tela Innovations, Inc. Enforcement of semiconductor structure regularity for localized transistors and interconnect
US8546067B2 (en) * 2008-03-21 2013-10-01 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Material assisted laser ablation
US7939443B2 (en) 2008-03-27 2011-05-10 Tela Innovations, Inc. Methods for multi-wire routing and apparatus implementing same
US7612270B1 (en) * 2008-04-09 2009-11-03 International Business Machines Corporation Nanoelectromechanical digital inverter
WO2010005707A1 (en) * 2008-06-16 2010-01-14 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Medium scale carbon nanotube thin film integrated circuits on flexible plastic substrates
MY152456A (en) 2008-07-16 2014-09-30 Tela Innovations Inc Methods for cell phasing and placement in dynamic array architecture and implementation of the same
US9122832B2 (en) 2008-08-01 2015-09-01 Tela Innovations, Inc. Methods for controlling microloading variation in semiconductor wafer layout and fabrication
US9263126B1 (en) 2010-09-01 2016-02-16 Nantero Inc. Method for dynamically accessing and programming resistive change element arrays
US8357921B2 (en) * 2008-08-14 2013-01-22 Nantero Inc. Integrated three-dimensional semiconductor system comprising nonvolatile nanotube field effect transistors
CN101734646B (zh) * 2008-11-14 2012-03-28 清华大学 碳纳米管膜
US8187795B2 (en) * 2008-12-09 2012-05-29 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Patterning methods for stretchable structures
TWI384496B (zh) * 2008-12-23 2013-02-01 Nat Univ Chung Hsing Preparation method of carbon nanotube conductive thin film
US8202568B2 (en) * 2008-12-23 2012-06-19 Ipcooler Technology Inc. Method for making a conductive film of carbon nanotubes
US8128993B2 (en) * 2009-07-31 2012-03-06 Nantero Inc. Anisotropic nanotube fabric layers and films and methods of forming same
US8574673B2 (en) * 2009-07-31 2013-11-05 Nantero Inc. Anisotropic nanotube fabric layers and films and methods of forming same
WO2011014446A1 (en) * 2009-07-31 2011-02-03 Nantero, Inc. Anisotropic nanotube fabric layers and films and methods of forming same
JP2013501921A (ja) 2009-08-07 2013-01-17 ナノミックス・インコーポレーテッド 磁性炭素ナノチューブに基づく生体検出
US8253171B1 (en) 2009-08-27 2012-08-28 Lockheed Martin Corporation Two terminal nanotube switch, memory array incorporating the same and method of making
US8561934B2 (en) 2009-08-28 2013-10-22 Teresa M. Kruckenberg Lightning strike protection
US8350360B1 (en) 2009-08-28 2013-01-08 Lockheed Martin Corporation Four-terminal carbon nanotube capacitors
CN102001620A (zh) * 2009-08-31 2011-04-06 索尼株式会社 碳纳米管制造方法、碳纳米管膜制造方法和电子设备制造方法
US20110056812A1 (en) * 2009-09-08 2011-03-10 Kaul Anupama B Nano-electro-mechanical switches using three-dimensional sidewall-conductive carbon nanofibers and method for making the same
US8661392B2 (en) 2009-10-13 2014-02-25 Tela Innovations, Inc. Methods for cell boundary encroachment and layouts implementing the Same
US8551806B2 (en) * 2009-10-23 2013-10-08 Nantero Inc. Methods for passivating a carbonic nanolayer
US8351239B2 (en) * 2009-10-23 2013-01-08 Nantero Inc. Dynamic sense current supply circuit and associated method for reading and characterizing a resistive memory array
US8895950B2 (en) 2009-10-23 2014-11-25 Nantero Inc. Methods for passivating a carbonic nanolayer
US9220180B2 (en) * 2010-12-09 2015-12-22 Richard Anthony Dunn, JR. System and methods for scalable parallel data processing and process control
US8222704B2 (en) 2009-12-31 2012-07-17 Nantero, Inc. Compact electrical switching devices with nanotube elements, and methods of making same
US8435798B2 (en) 2010-01-13 2013-05-07 California Institute Of Technology Applications and methods of operating a three-dimensional nano-electro-mechanical resonator and related devices
KR101207020B1 (ko) * 2010-01-25 2012-11-30 서강대학교산학협력단 광간섭 리소그래피를 이용한 다공성 탄소 구조체의 제조 방법 및 이에 의한 다공성 탄소 구조체
CN102834472B (zh) 2010-02-05 2015-04-22 凯博瑞奥斯技术公司 光敏墨组合物和透明导体以及它们的使用方法
US8405189B1 (en) 2010-02-08 2013-03-26 Lockheed Martin Corporation Carbon nanotube (CNT) capacitors and devices integrated with CNT capacitors
KR101709823B1 (ko) 2010-02-12 2017-02-23 난테로 인크. 나노튜브 직물 층 및 필름 내의 밀도, 다공도 및/또는 간극 크기를 제어하는 방법
US20110203632A1 (en) * 2010-02-22 2011-08-25 Rahul Sen Photovoltaic devices using semiconducting nanotube layers
WO2011103558A1 (en) 2010-02-22 2011-08-25 Nantero, Inc. Logic elements comprising carbon nanotube field effect transistor (cntfet) devices and methods of making same
US20110227043A1 (en) * 2010-03-19 2011-09-22 International Business Machines Corporation Graphene sensor
US20130137324A1 (en) * 2010-03-25 2013-05-30 Xiaowu Shirley Tang Carbon nanotube coatings for visible and ir camouflage
JP6130787B2 (ja) 2010-03-30 2017-05-17 ナンテロ，インク． ネットワーク、ファブリック及びフィルム内にナノスケール要素を配列させるための方法
US10661304B2 (en) 2010-03-30 2020-05-26 Nantero, Inc. Microfluidic control surfaces using ordered nanotube fabrics
US8809112B2 (en) 2010-05-21 2014-08-19 Merck Patent Gmbh Selectively etching of a carbon nano tubes (CNT) polymer matrix on a plastic substructure
US8169811B2 (en) * 2010-07-13 2012-05-01 Nxp B.V. Non-volatile re-programmable memory device
CN101912848B (zh) * 2010-08-25 2012-06-20 清华大学 电致动清洁装置
US8125824B1 (en) 2010-09-02 2012-02-28 Lockheed Martin Corporation Nanotube random access memory (NRAM) and transistor integration
US10069072B2 (en) 2010-09-20 2018-09-04 Nantero, Inc. Nanotube solutions with high concentration and low contamination and methods for purifiying nanotube solutions
US9159627B2 (en) 2010-11-12 2015-10-13 Tela Innovations, Inc. Methods for linewidth modification and apparatus implementing the same
CN102222764B (zh) * 2011-06-24 2013-11-20 清华大学 相变存储器的制备方法
CN103295854B (zh) * 2012-02-23 2015-08-26 清华大学 碳纳米管微尖结构及其制备方法
US9634251B2 (en) 2012-02-27 2017-04-25 Nantero Inc. Nanotube solution treated with molecular additive, nanotube film having enhanced adhesion property, and methods for forming the nanotube solution and the nanotube film
US9196766B1 (en) 2012-04-25 2015-11-24 Magnolia Optical Technologies, Inc. Thermal detectors using graphene and oxides of graphene and methods of making the same
EP2892859A2 (en) 2012-09-04 2015-07-15 OCV Intellectual Capital, LLC Dispersion of carbon enhanced reinforcement fibers in aqueous or non-aqueous media
US9007732B2 (en) 2013-03-15 2015-04-14 Nantero Inc. Electrostatic discharge protection circuits using carbon nanotube field effect transistor (CNTFET) devices and methods of making same
US9650732B2 (en) 2013-05-01 2017-05-16 Nantero Inc. Low defect nanotube application solutions and fabrics and methods for making same
US10654718B2 (en) 2013-09-20 2020-05-19 Nantero, Inc. Scalable nanotube fabrics and methods for making same
US9401488B2 (en) 2014-12-18 2016-07-26 Northrop Grumman Systems Corporation Cobalt-carbon eutectic metal alloy ohmic contact for carbon nanotube field effect transistors
US9299430B1 (en) 2015-01-22 2016-03-29 Nantero Inc. Methods for reading and programming 1-R resistive change element arrays
KR101783995B1 (ko) 2015-06-10 2017-10-12 서강대학교산학협력단 섬유형 탄소나노물질의 제조 방법
US9947400B2 (en) 2016-04-22 2018-04-17 Nantero, Inc. Methods for enhanced state retention within a resistive change cell
US9941001B2 (en) 2016-06-07 2018-04-10 Nantero, Inc. Circuits for determining the resistive states of resistive change elements
US9934848B2 (en) 2016-06-07 2018-04-03 Nantero, Inc. Methods for determining the resistive states of resistive change elements
US10581082B2 (en) 2016-11-15 2020-03-03 Nanocomp Technologies, Inc. Systems and methods for making structures defined by CNT pulp networks

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20000071254A (ko) * 1999-01-18 2000-11-25 니시무로 아츠시 카본 나노튜브의 필름화 방법, 그 방법에 의해 필름화된카본 나노튜브 및 이것을 이용한 전계 전자 방출원
US6232706B1 (en) * 1998-11-12 2001-05-15 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Self-oriented bundles of carbon nanotubes and method of making same

Family Cites Families (330)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3448302A (en) 1966-06-16 1969-06-03 Itt Operating circuit for phase change memory devices
FR2115034B1 (ko) 1970-11-24 1973-11-23 Sescosem
US3892890A (en) 1972-05-12 1975-07-01 Hitachi Ltd Process for forming carbon coatings
US3970887A (en) 1974-06-19 1976-07-20 Micro-Bit Corporation Micro-structure field emission electron source
US5032538A (en) 1979-08-10 1991-07-16 Massachusetts Institute Of Technology Semiconductor embedded layer technology utilizing selective epitaxial growth methods
US4378629A (en) 1979-08-10 1983-04-05 Massachusetts Institute Of Technology Semiconductor embedded layer technology including permeable base transistor, fabrication method
US4324814A (en) 1981-03-19 1982-04-13 Rca Corporation Method for forming a narrow thin film line
US4524431A (en) 1982-02-01 1985-06-18 Texas Instruments Incorporated High-speed nonvolatile memory array
US4495511A (en) 1982-08-23 1985-01-22 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Permeable base transistor structure
US4510016A (en) 1982-12-09 1985-04-09 Gte Laboratories Method of fabricating submicron silicon structures such as permeable base transistors
US4707197A (en) 1984-08-02 1987-11-17 American Telephone And Telegraph Company, At&T Bell Laboratories Method of producing a silicide/Si heteroepitaxial structure, and articles produced by the method
JPS6177199A (ja) 1984-09-21 1986-04-19 Toshiba Corp 半導体記憶装置
JPS6194042A (ja) 1984-10-16 1986-05-12 Matsushita Electric Ind Co Ltd 分子構築体およびその製造方法
JPS61121369A (ja) 1984-11-19 1986-06-09 Fujitsu Ltd 半導体装置
US4901121A (en) 1985-03-29 1990-02-13 American Telephone & Telegraph Co., At&T Bell Labs. Semiconductor device comprising a perforated metal silicide layer
US4701842A (en) 1985-10-04 1987-10-20 International Business Machines Corporation Method and apparatus for avoiding excessive delay in a pipelined processor during the execution of a microbranch instruction
US4758534A (en) 1985-11-13 1988-07-19 Bell Communications Research, Inc. Process for producing porous refractory metal layers embedded in semiconductor devices
US4819212A (en) 1986-05-31 1989-04-04 Kabushiki Kaisha Toshiba Nonvolatile semiconductor memory device with readout test circuitry
US4761801A (en) 1986-06-18 1988-08-02 Hughes Aircraft Company Look ahead terminal counter
US4939556A (en) 1986-07-10 1990-07-03 Canon Kabushiki Kaisha Conductor device
US4845533A (en) 1986-08-22 1989-07-04 Energy Conversion Devices, Inc. Thin film electrical devices with amorphous carbon electrodes and method of making same
CH670914A5 (ko) 1986-09-10 1989-07-14 Landis & Gyr Ag
US4924436A (en) 1987-06-22 1990-05-08 Energy Conversion Devices, Inc. Data storage device having a phase change memory medium reversible by direct overwrite and method of direct overwrite
US4876667A (en) 1987-06-22 1989-10-24 Energy Conversion Devices, Inc. Data storage device having a phase change memory medium reversible by direct overwrite
US4853893A (en) 1987-07-02 1989-08-01 Ramtron Corporation Data storage device and method of using a ferroelectric capacitance divider
EP0315392A3 (en) 1987-11-05 1990-09-12 Energy Conversion Devices, Inc. Data storage device having an encapsulated phase change memory medium and means for suppressing ablation thereof
US4947226A (en) 1987-12-08 1990-08-07 Hoenywell, Inc. Bilateral switching device
US5155561A (en) 1988-01-05 1992-10-13 Massachusetts Institute Of Technology Permeable base transistor having an electrode configuration for heat dissipation
US5184320A (en) 1988-02-12 1993-02-02 Texas Instruments Incorporated Cached random access memory device and system
US4888630A (en) 1988-03-21 1989-12-19 Texas Instruments Incorporated Floating-gate transistor with a non-linear intergate dielectric
GB8807225D0 (en) 1988-03-25 1988-04-27 Hughes Microelectronics Ltd Nonvolatile ram cell
US5198994A (en) 1988-08-31 1993-03-30 Kabushiki Kaisha Toshiba Ferroelectric memory device
US5010037A (en) 1988-10-14 1991-04-23 California Institute Of Technology Pinhole-free growth of epitaxial CoSi2 film on Si(111)
US5592642A (en) 1988-12-22 1997-01-07 Framdrive Ferroelectric storage device emulating a rotating disk drive unit in a computer system and having an optical and parallel data interface
US5592644A (en) 1988-12-22 1997-01-07 Framdrive Ferroelectric storage device emulating a rotating disk drive unit in a computer system and having an optical data interface
US5592643A (en) 1988-12-22 1997-01-07 Framdrive Ferroelectric storage device emulating a rotating disk drive unit in acomputer system and having a parallel data interface
US5089545A (en) 1989-02-12 1992-02-18 Biotech International, Inc. Switching and memory elements from polyamino acids and the method of their assembly
GB8907045D0 (en) 1989-03-29 1989-05-10 Hughes Microelectronics Ltd Sense amplifier
JPH02296372A (ja) 1989-05-10 1990-12-06 Mitsubishi Electric Corp 透過ベーストランジスタ
US6346413B1 (en) 1989-06-07 2002-02-12 Affymetrix, Inc. Polymer arrays
US5161218A (en) 1989-11-13 1992-11-03 Chips And Technologies, Inc. Memory controller for using reserved DRAM addresses for EMS
US4985871A (en) 1989-11-13 1991-01-15 Chips And Technologies, Inc. Memory controller for using reserved dram addresses for expanded memory space
DE4025269A1 (de) 1990-02-07 1991-08-08 Forschungszentrum Juelich Gmbh Elektronisches bauelement und verfahren zu dessen herstellung
US5412785A (en) 1990-04-09 1995-05-02 Motorola, Inc. Microprogrammed data processor which includes a microsequencer in which a next microaddress output of a microROM is connected to the or-plane of an entry PLA
FR2663466A1 (fr) 1990-06-15 1991-12-20 Thomson Csf Composant semiconducteur a jonction schottky pour amplification hyperfrequence et circuits logiques rapides, et procede de realisation d'un tel composant.
US5216631A (en) 1990-11-02 1993-06-01 Sliwa Jr John W Microvibratory memory device
CA2062200A1 (en) 1991-03-15 1992-09-16 Stephen C. Purcell Decompression processor for video applications
US5196396A (en) 1991-07-16 1993-03-23 The President And Fellows Of Harvard College Method of making a superconducting fullerene composition by reacting a fullerene with an alloy containing alkali metal
US5444651A (en) 1991-10-30 1995-08-22 Sharp Kabushiki Kaisha Non-volatile memory device
US5290715A (en) 1991-12-31 1994-03-01 U.S. Philips Corporation Method of making dielectrically isolated metal base transistors and permeable base transistors
US5198390A (en) 1992-01-16 1993-03-30 Cornell Research Foundation, Inc. RIE process for fabricating submicron, silicon electromechanical structures
EP0895162A3 (en) 1992-01-22 1999-11-10 Enhanced Memory Systems, Inc. Enhanced dram with embedded registers
US5850089A (en) 1992-03-13 1998-12-15 American Research Corporation Of Virginia Modulated-structure of PZT/PT ferroelectric thin films for non-volatile random access memories
US5475341A (en) 1992-06-01 1995-12-12 Yale University Sub-nanoscale electronic systems and devices
US5651126A (en) 1992-06-26 1997-07-22 Apple Computer, Inc. Method and apparatus for reducing transitions on computer signal lines
US5252835A (en) 1992-07-17 1993-10-12 President And Trustees Of Harvard College Machining oxide thin-films with an atomic force microscope: pattern and object formation on the nanometer scale
WO1994018697A1 (en) 1993-02-04 1994-08-18 Cornell Research Foundation, Inc. Microstructures and single mask, single-crystal process for fabrication thereof
JP2541091B2 (ja) 1993-02-26 1996-10-09 日本電気株式会社 炭素材料とその製造方法
CA2118662C (en) 1993-03-22 1999-07-13 Paul A. Santeler Memory controller having all dram address and control signals provided synchronously from a single device
US5346683A (en) 1993-03-26 1994-09-13 Gas Research Institute Uncapped and thinned carbon nanotubes and process
JPH06302179A (ja) 1993-04-13 1994-10-28 Casio Comput Co Ltd 電子機器
JPH0799189A (ja) 1993-04-28 1995-04-11 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置の製造方法
US5424054A (en) 1993-05-21 1995-06-13 International Business Machines Corporation Carbon fibers and method for their production
US5426070A (en) 1993-05-26 1995-06-20 Cornell Research Foundation, Inc. Microstructures and high temperature isolation process for fabrication thereof
US5456986A (en) 1993-06-30 1995-10-10 Carnegie Mellon University Magnetic metal or metal carbide nanoparticles and a process for forming same
US5453970A (en) 1993-07-13 1995-09-26 Rust; Thomas F. Molecular memory medium and molecular memory disk drive for storing information using a tunnelling probe
WO1995002709A2 (en) 1993-07-15 1995-01-26 President And Fellows Of Harvard College EXTENDED NITRIDE MATERIAL COMPRISING β-C3N¿4?
US5547748A (en) 1994-01-14 1996-08-20 Sri International Carbon nanoencapsulates
JP2526408B2 (ja) 1994-01-28 1996-08-21 工業技術院長 カ―ボンナノチュ―ブの連続製造方法及び装置
US5521602A (en) 1994-02-10 1996-05-28 Racom Systems, Inc. Communications system utilizing FSK/PSK modulation techniques
US5533061A (en) 1994-02-10 1996-07-02 Racom Systems, Inc. Method and apparatus for detecting an FSK encoded carrier signal
US5479172A (en) 1994-02-10 1995-12-26 Racom Systems, Inc. Power supply and power enable circuit for an RF/ID transponder
US5553099A (en) 1994-02-10 1996-09-03 Racom Systems, Inc. FSK detector for determining an increasing time period between adjacent pulses of an FSK modulated square wave pulse train
US5517194A (en) 1994-02-10 1996-05-14 Racom Systems, Inc. Passive RF transponder and method
US5444421A (en) 1994-02-10 1995-08-22 Racom Systems, Inc. Low power consumption oscillator using multiple transconductance amplifiers
US5608246A (en) 1994-02-10 1997-03-04 Ramtron International Corporation Integration of high value capacitor with ferroelectric memory
US5563424A (en) 1994-03-24 1996-10-08 Uniax Corporation Polymer grid triodes
US6226722B1 (en) 1994-05-19 2001-05-01 International Business Machines Corporation Integrated level two cache and controller with multiple ports, L1 bypass and concurrent accessing
IT1270228B (it) 1994-06-15 1997-04-29 Imr Srl Struttura di pallinatrice per macchine di stampaggio in conchiglia
US5626670A (en) 1994-10-03 1997-05-06 American Research Corporation Of Virginia Method for producing low thermal budget ferroelectric thin films for integrated device structures using laser-crystallization of spin-on sol-gel films
US5590078A (en) 1994-10-07 1996-12-31 Mukesh Chatter Method of and apparatus for improved dynamic random access memory (DRAM) providing increased data bandwidth and addressing range for current DRAM devices and/or equivalent bandwidth and addressing range for smaller DRAM devices
US6100109A (en) 1994-11-02 2000-08-08 Siemens Aktiengesellschaft Method for producing a memory device
US5623638A (en) 1994-11-22 1997-04-22 Advanced Micro Devices, Inc. Memory control unit with programmable edge generator to minimize delay periods for critical DRAM timing parameters
US6203814B1 (en) 1994-12-08 2001-03-20 Hyperion Catalysis International, Inc. Method of making functionalized nanotubes
US5716708A (en) 1995-01-17 1998-02-10 Lagow; Richard J. Acetylenic carbon allotrope
US6231980B1 (en) 1995-02-14 2001-05-15 The Regents Of The University Of California BX CY NZ nanotubes and nanoparticles
US6063243A (en) 1995-02-14 2000-05-16 The Regents Of The Univeristy Of California Method for making nanotubes and nanoparticles
US5780101A (en) 1995-02-17 1998-07-14 Arizona Board Of Regents On Behalf Of The University Of Arizona Method for producing encapsulated nanoparticles and carbon nanotubes using catalytic disproportionation of carbon monoxide
US5747180A (en) 1995-05-19 1998-05-05 University Of Notre Dame Du Lac Electrochemical synthesis of quasi-periodic quantum dot and nanostructure arrays
US5751156A (en) 1995-06-07 1998-05-12 Yale University Mechanically controllable break transducer
US6190634B1 (en) 1995-06-07 2001-02-20 President And Fellows Of Harvard College Carbide nanomaterials
US5640133A (en) 1995-06-23 1997-06-17 Cornell Research Foundation, Inc. Capacitance based tunable micromechanical resonators
US6183714B1 (en) 1995-09-08 2001-02-06 Rice University Method of making ropes of single-wall carbon nanotubes
EP1209123A3 (en) 1995-09-08 2006-03-22 William Marsh Rice University Ropes of single-wall carbon nanotubes
US6380434B1 (en) 1995-10-26 2002-04-30 Long Y. Chiang Fullerene derivatives
US5757038A (en) 1995-11-06 1998-05-26 International Business Machines Corporation Self-aligned dual gate MOSFET with an ultranarrow channel
EP0863919B1 (en) 1995-11-27 2000-11-15 The Dow Chemical Company Supported catalyst containing tethered cation forming activator
US6445006B1 (en) 1995-12-20 2002-09-03 Advanced Technology Materials, Inc. Microelectronic and microelectromechanical devices comprising carbon nanotube components, and methods of making same
US5872422A (en) 1995-12-20 1999-02-16 Advanced Technology Materials, Inc. Carbon fiber-based field emission devices
US5799209A (en) 1995-12-29 1998-08-25 Chatter; Mukesh Multi-port internally cached DRAM system utilizing independent serial interfaces and buffers arbitratively connected under a dynamic configuration
US5897945A (en) 1996-02-26 1999-04-27 President And Fellows Of Harvard College Metal oxide nanorods
US6036774A (en) 1996-02-26 2000-03-14 President And Fellows Of Harvard College Method of producing metal oxide nanorods
US5875451A (en) 1996-03-14 1999-02-23 Enhanced Memory Systems, Inc. Computer hybrid memory including DRAM and EDRAM memory components, with secondary cache in EDRAM for DRAM
US5640343A (en) 1996-03-18 1997-06-17 International Business Machines Corporation Magnetic memory array using magnetic tunnel junction devices in the memory cells
US5650958A (en) 1996-03-18 1997-07-22 International Business Machines Corporation Magnetic tunnel junctions with controlled magnetic response
US5939785A (en) 1996-04-12 1999-08-17 Texas Instruments Incorporated Micromechanical device including time-release passivant
US5993697A (en) 1996-05-14 1999-11-30 The Regents Of The University Of California Metallic carbon materials
EP0972292B1 (en) 1996-05-15 2008-12-31 Hyperion Catalysis International, Inc. Graphitic nanofibers in electrochemical capacitors
WO1998005920A1 (en) 1996-08-08 1998-02-12 William Marsh Rice University Macroscopically manipulable nanoscale devices made from nanotube assemblies
US5838165A (en) 1996-08-21 1998-11-17 Chatter; Mukesh High performance self modifying on-the-fly alterable logic FPGA, architecture and method
US6057637A (en) * 1996-09-13 2000-05-02 The Regents Of The University Of California Field emission electron source
KR100365444B1 (ko) * 1996-09-18 2004-01-24 가부시끼가이샤 도시바 진공마이크로장치와이를이용한화상표시장치
JP3421549B2 (ja) * 1996-09-18 2003-06-30 株式会社東芝 真空マイクロ装置
US5781717A (en) 1996-09-19 1998-07-14 I-Cube, Inc. Dynamic spare column replacement memory system
JPH10106960A (ja) 1996-09-25 1998-04-24 Sony Corp 量子細線の製造方法
US5802583A (en) 1996-10-30 1998-09-01 Ramtron International Corporation Sysyem and method providing selective write protection for individual blocks of memory in a non-volatile memory device
US6025618A (en) 1996-11-12 2000-02-15 Chen; Zhi Quan Two-parts ferroelectric RAM
JP3447492B2 (ja) 1996-11-12 2003-09-16 日本電気株式会社 炭素材料とその製造方法
US6038060A (en) 1997-01-16 2000-03-14 Crowley; Robert Joseph Optical antenna array for harmonic generation, mixing and signal amplification
EP1376684B1 (en) 1997-01-21 2008-11-26 Georgia Tech Research Corporation Fabrication of a semiconductor device with air gaps for ultra-low capacitance interconnections
WO1998035271A1 (en) 1997-02-06 1998-08-13 International Business Machines Corporation Molecule, layered medium and method for creating a pattern
US6809462B2 (en) * 2000-04-05 2004-10-26 Sri International Electroactive polymer sensors
US5753088A (en) 1997-02-18 1998-05-19 General Motors Corporation Method for making carbon nanotubes
TW419828B (en) 1997-02-26 2001-01-21 Toshiba Corp Semiconductor integrated circuit
US6088760A (en) 1997-03-07 2000-07-11 Mitsubishi Semiconductor America, Inc. Addressing system in a multi-port RAM having main and cache memories
US6683783B1 (en) 1997-03-07 2004-01-27 William Marsh Rice University Carbon fibers formed from single-wall carbon nanotubes
US5997832A (en) 1997-03-07 1999-12-07 President And Fellows Of Harvard College Preparation of carbide nanorods
JP3183845B2 (ja) 1997-03-21 2001-07-09 財団法人ファインセラミックスセンター カーボンナノチューブ及びカーボンナノチューブ膜の製造方法
US5946930A (en) 1997-03-26 1999-09-07 Anthony; Michael M. Self-cooling beverage and food container using fullerene nanotubes
US6159620A (en) 1997-03-31 2000-12-12 The Regents Of The University Of California Single-electron solid state electronic device
US5847565A (en) 1997-03-31 1998-12-08 Council Of Scientific And Industrial Research Logic device
WO1998048456A1 (en) 1997-04-24 1998-10-29 Massachusetts Institute Of Technology Nanowire arrays
US5878840A (en) 1997-05-06 1999-03-09 Tessum; Mark Reed Apparatus and method for stabilizing a scaffold assembly
US6233665B1 (en) 1997-05-27 2001-05-15 Unisys Corporation Mapping shared DRAM address bits by accessing data memory in page mode cache status memory in word mode
US6049856A (en) 1997-05-27 2000-04-11 Unisys Corporation System for simultaneously accessing two portions of a shared memory
US5914553A (en) 1997-06-16 1999-06-22 Cornell Research Foundation, Inc. Multistable tunable micromechanical resonators
KR100276569B1 (ko) 1997-06-20 2000-12-15 김영환 강유전메모리장치
JPH1117035A (ja) 1997-06-24 1999-01-22 Mitsubishi Electric Corp 不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法
US6069380A (en) 1997-07-25 2000-05-30 Regents Of The University Of Minnesota Single-electron floating-gate MOS memory
US6212597B1 (en) 1997-07-28 2001-04-03 Neonet Lllc Apparatus for and method of architecturally enhancing the performance of a multi-port internally cached (AMPIC) DRAM array and like
US6221330B1 (en) * 1997-08-04 2001-04-24 Hyperion Catalysis International Inc. Process for producing single wall nanotubes using unsupported metal catalysts
EP1361592B1 (en) 1997-09-30 2006-05-24 Noritake Co., Ltd. Method of manufacturing an electron-emitting source
US5903010A (en) 1997-10-29 1999-05-11 Hewlett-Packard Company Quantum wire switch and switching method
JP3363759B2 (ja) * 1997-11-07 2003-01-08 キヤノン株式会社 カーボンナノチューブデバイスおよびその製造方法
US6038637A (en) 1997-11-25 2000-03-14 Nortel Networks Corporation Universal DRAM address multiplexer
US6409567B1 (en) * 1997-12-15 2002-06-25 E.I. Du Pont De Nemours And Company Past-deposited carbon electron emitters
US5928450A (en) 1998-02-05 1999-07-27 Russell; Daniel Nelson Process of making fractal tubes
US5946228A (en) 1998-02-10 1999-08-31 International Business Machines Corporation Limiting magnetic writing fields to a preferred portion of a changeable magnetic region in magnetic devices
US6072718A (en) 1998-02-10 2000-06-06 International Business Machines Corporation Magnetic memory devices having multiple magnetic tunnel junctions therein
TW392357B (en) 1998-02-10 2000-06-01 United Microelectronics Corp Manufacturing method for semiconductor device and structure manufactured by the same
US6104633A (en) 1998-02-10 2000-08-15 International Business Machines Corporation Intentional asymmetry imposed during fabrication and/or access of magnetic tunnel junction devices
US5930164A (en) 1998-02-26 1999-07-27 Motorola, Inc. Magnetic memory unit having four states and operating method thereof
JP3415038B2 (ja) 1998-03-25 2003-06-09 株式会社島津製作所 カーボンの製造方法
US6262469B1 (en) 1998-03-25 2001-07-17 Advanced Micro Devices, Inc. Capacitor for use in a capacitor divider that has a floating gate transistor as a corresponding capacitor
US6138219A (en) 1998-03-27 2000-10-24 Nexabit Networks Llc Method of and operating architectural enhancement for multi-port internally cached dynamic random access memory (AMPIC DRAM) systems, eliminating external control paths and random memory addressing, while providing zero bus contention for DRAM access
US6703163B2 (en) 1998-03-31 2004-03-09 Celanese Ventures Gmbh Lithium battery and electrode
US6156256A (en) 1998-05-13 2000-12-05 Applied Sciences, Inc. Plasma catalysis of carbon nanofibers
US6265333B1 (en) * 1998-06-02 2001-07-24 Board Of Regents, University Of Nebraska-Lincoln Delamination resistant composites prepared by small diameter fiber reinforcement at ply interfaces
US6159742A (en) 1998-06-05 2000-12-12 President And Fellows Of Harvard College Nanometer-scale microscopy probes
US6203864B1 (en) 1998-06-08 2001-03-20 Nec Corporation Method of forming a heterojunction of a carbon nanotube and a different material, method of working a filament of a nanotube
US6863942B2 (en) * 1998-06-19 2005-03-08 The Research Foundation Of State University Of New York Free-standing and aligned carbon nanotubes and synthesis thereof
US6426134B1 (en) 1998-06-30 2002-07-30 E. I. Du Pont De Nemours And Company Single-wall carbon nanotube-polymer composites
ATA119098A (de) 1998-07-09 1999-05-15 Ims Ionen Mikrofab Syst Verfahren zur erzeugung eines kohlenstoffilmes auf einem substrat
US6259277B1 (en) 1998-07-27 2001-07-10 University Of South Carolina Use of molecular electrostatic potential to process electronic signals
US7416699B2 (en) 1998-08-14 2008-08-26 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Carbon nanotube devices
US6346189B1 (en) * 1998-08-14 2002-02-12 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Carbon nanotube structures made using catalyst islands
US6052263A (en) 1998-08-21 2000-04-18 International Business Machines Corporation Low moment/high coercivity pinned layer for magnetic tunnel junction sensors
US6219212B1 (en) 1998-09-08 2001-04-17 International Business Machines Corporation Magnetic tunnel junction head structure with insulating antiferromagnetic layer
US6630772B1 (en) * 1998-09-21 2003-10-07 Agere Systems Inc. Device comprising carbon nanotube field emitter structure and process for forming device
US6146227A (en) 1998-09-28 2000-11-14 Xidex Corporation Method for manufacturing carbon nanotubes as functional elements of MEMS devices
US6187823B1 (en) 1998-10-02 2001-02-13 University Of Kentucky Research Foundation Solubilizing single-walled carbon nanotubes by direct reaction with amines and alkylaryl amines
JP2000123711A (ja) 1998-10-12 2000-04-28 Toshiba Corp 電界放出型冷陰極及びその製造方法
US6348700B1 (en) 1998-10-27 2002-02-19 The Mitre Corporation Monomolecular rectifying wire and logic based thereupon
US6237130B1 (en) 1998-10-29 2001-05-22 Nexabit Networks, Inc. Chip layout for implementing arbitrated high speed switching access of pluralities of I/O data ports to internally cached DRAM banks and the like
US6048740A (en) 1998-11-05 2000-04-11 Sharp Laboratories Of America, Inc. Ferroelectric nonvolatile transistor and method of making same
US6300205B1 (en) 1998-11-18 2001-10-09 Advanced Micro Devices, Inc. Method of making a semiconductor device with self-aligned active, lightly-doped drain, and halo regions
US6152977A (en) 1998-11-30 2000-11-28 General Electric Company Surface functionalized diamond crystals and methods for producing same
EP1054249B1 (en) 1998-12-03 2007-03-07 Daiken Chemical Co. Ltd. Electronic device surface signal control probe and method of manufacturing the probe
US6144481A (en) 1998-12-18 2000-11-07 Eastman Kodak Company Method and system for actuating electro-mechanical ribbon elements in accordance to a data stream
JP4069532B2 (ja) * 1999-01-11 2008-04-02 松下電器産業株式会社 カーボンインキ、電子放出素子、電子放出素子の製造方法、および画像表示装置
US6250984B1 (en) * 1999-01-25 2001-06-26 Agere Systems Guardian Corp. Article comprising enhanced nanotube emitter structure and process for fabricating article
US6280697B1 (en) 1999-03-01 2001-08-28 The University Of North Carolina-Chapel Hill Nanotube-based high energy material and method
JP2000268706A (ja) 1999-03-18 2000-09-29 Matsushita Electric Ind Co Ltd 電子放出素子及びそれを用いた画像描画装置
JP2000277003A (ja) * 1999-03-23 2000-10-06 Futaba Corp 電子放出源の製造方法及び電子放出源
US6348295B1 (en) * 1999-03-26 2002-02-19 Massachusetts Institute Of Technology Methods for manufacturing electronic and electromechanical elements and devices by thin-film deposition and imaging
US6314019B1 (en) 1999-03-29 2001-11-06 Hewlett-Packard Company Molecular-wire crossbar interconnect (MWCI) for signal routing and communications
US6128214A (en) 1999-03-29 2000-10-03 Hewlett-Packard Molecular wire crossbar memory
US6518156B1 (en) 1999-03-29 2003-02-11 Hewlett-Packard Company Configurable nanoscale crossbar electronic circuits made by electrochemical reaction
US6256767B1 (en) 1999-03-29 2001-07-03 Hewlett-Packard Company Demultiplexer for a molecular wire crossbar network (MWCN DEMUX)
US6105381A (en) 1999-03-31 2000-08-22 International Business Machines Corporation Method and apparatus for cooling GMR heads for magnetic hard disks
AUPP976499A0 (en) * 1999-04-16 1999-05-06 Commonwealth Scientific And Industrial Research Organisation Multilayer carbon nanotube films
US6331209B1 (en) 1999-04-21 2001-12-18 Jin Jang Method of forming carbon nanotubes
DE69926341T2 (de) 1999-05-10 2006-01-12 Hitachi Europe Ltd., Maidenhead Magnetoelektrischer Vorrichtung
US6177703B1 (en) 1999-05-28 2001-01-23 Vlsi Technology, Inc. Method and apparatus for producing a single polysilicon flash EEPROM having a select transistor and a floating gate transistor
US6333016B1 (en) 1999-06-02 2001-12-25 The Board Of Regents Of The University Of Oklahoma Method of producing carbon nanotubes
EP1059266A3 (en) 1999-06-11 2000-12-20 Iljin Nanotech Co., Ltd. Mass synthesis method of high purity carbon nanotubes vertically aligned over large-size substrate using thermal chemical vapor deposition
US6361861B2 (en) 1999-06-14 2002-03-26 Battelle Memorial Institute Carbon nanotubes on a substrate
KR100364095B1 (ko) 1999-06-15 2002-12-12 일진나노텍 주식회사 탄소나노튜브의 대량 정제 방법
KR100376197B1 (ko) 1999-06-15 2003-03-15 일진나노텍 주식회사 탄소 소오스 가스 분해용 촉매금속막을 이용한탄소나노튜브의 저온 합성 방법
US6648711B1 (en) 1999-06-16 2003-11-18 Iljin Nanotech Co., Ltd. Field emitter having carbon nanotube film, method of fabricating the same, and field emission display device using the field emitter
EP1061044B1 (en) 1999-06-16 2006-06-21 Institute of Metal Research of the Chinese Academy of Sciences Production of single-walled carbon nanotubes
JP2001052652A (ja) 1999-06-18 2001-02-23 Cheol Jin Lee 白色光源及びその製造方法
WO2001001475A1 (en) * 1999-06-30 2001-01-04 The Penn State Research Foundation Electrofluidic assembly of devices and components for micro- and nano-scale integration
EP2239794A3 (en) 1999-07-02 2011-03-23 President and Fellows of Harvard College Nanoscopic wire-based devices, arrays, and methods of their manufacture
US6322713B1 (en) 1999-07-15 2001-11-27 Agere Systems Guardian Corp. Nanoscale conductive connectors and method for making same
EP1072693A1 (en) 1999-07-27 2001-01-31 Iljin Nanotech Co., Ltd. Chemical vapor deposition apparatus and method of synthesizing carbon nanotubes using the apparatus
JP2003507304A (ja) 1999-08-12 2003-02-25 ミッドウエスト リサーチ インスティチュート 高純度単一壁カーボンナノチューブ
US6277318B1 (en) 1999-08-18 2001-08-21 Agere Systems Guardian Corp. Method for fabrication of patterned carbon nanotube films
US6062931A (en) 1999-09-01 2000-05-16 Industrial Technology Research Institute Carbon nanotube emitter with triode structure
US6166948A (en) 1999-09-03 2000-12-26 International Business Machines Corporation Magnetic memory array with magnetic tunnel junction memory cells having flux-closed free layers
US6806397B1 (en) * 1999-09-17 2004-10-19 Ut-Battelle, Llc Synthesis of condensed phases containing polycyclic aromatic hydrocarbons fullerenes and nanotubes
US6325909B1 (en) 1999-09-24 2001-12-04 The Governing Council Of The University Of Toronto Method of growth of branched carbon nanotubes and devices produced from the branched nanotubes
AT407754B (de) 1999-09-29 2001-06-25 Electrovac Verfahren und vorrichtung zur herstellung einer nanotube-schicht auf einem substrat
US6340822B1 (en) * 1999-10-05 2002-01-22 Agere Systems Guardian Corp. Article comprising vertically nano-interconnected circuit devices and method for making the same
US6914372B1 (en) 1999-10-12 2005-07-05 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Electron-emitting element and electron source, field emission image display device, and fluorescent lamp utilizing the same and methods of fabricating the same
US6741019B1 (en) 1999-10-18 2004-05-25 Agere Systems, Inc. Article comprising aligned nanowires
AT408052B (de) 1999-11-10 2001-08-27 Electrovac Verbindungssystem
KR20010055501A (ko) * 1999-12-10 2001-07-04 김순택 전계 방출 표시 소자의 음극 형성 방법
US6198655B1 (en) 1999-12-10 2001-03-06 The Regents Of The University Of California Electrically addressable volatile non-volatile molecular-based switching devices
KR20010056153A (ko) 1999-12-14 2001-07-04 구자홍 카본나노 튜브막을 갖는 전계방출형 디스플레이 소자 및그의 제조방법
EP1247089B1 (en) * 1999-12-15 2008-07-23 Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Carbon nanotube devices
KR20010063852A (ko) 1999-12-24 2001-07-09 박종섭 반도체소자의 자기정렬적인 콘택 형성방법
KR100477739B1 (ko) 1999-12-30 2005-03-18 삼성에스디아이 주식회사 전계 방출 소자 및 그 구동 방법
US7335603B2 (en) 2000-02-07 2008-02-26 Vladimir Mancevski System and method for fabricating logic devices comprising carbon nanotube transistors
US6727105B1 (en) 2000-02-28 2004-04-27 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Method of fabricating an MRAM device including spin dependent tunneling junction memory cells
US6294450B1 (en) 2000-03-01 2001-09-25 Hewlett-Packard Company Nanoscale patterning for the formation of extensive wires
US6495116B1 (en) 2000-04-10 2002-12-17 Lockheed Martin Corporation Net shape manufacturing using carbon nanotubes
US6413487B1 (en) 2000-06-02 2002-07-02 The Board Of Regents Of The University Of Oklahoma Method and apparatus for producing carbon nanotubes
US6443901B1 (en) 2000-06-15 2002-09-03 Koninklijke Philips Electronics N.V. Capacitive micromachined ultrasonic transducers
EP1170799A3 (de) * 2000-07-04 2009-04-01 Infineon Technologies AG Elektronisches Bauelement und Verfahren zum Herstellen eines elektronischen Bauelements
CN1251962C (zh) * 2000-07-18 2006-04-19 Lg电子株式会社 水平生长碳纳米管的方法和使用碳纳米管的场效应晶体管
US6709566B2 (en) * 2000-07-25 2004-03-23 The Regents Of The University Of California Method for shaping a nanotube and a nanotube shaped thereby
KR100862131B1 (ko) * 2000-08-22 2008-10-09 프레지던트 앤드 펠로우즈 오브 하버드 칼리지 반도체 나노와이어 제조 방법
DE10041378C1 (de) 2000-08-23 2002-05-16 Infineon Technologies Ag MRAM-Anordnung
US6376787B1 (en) * 2000-08-24 2002-04-23 Texas Instruments Incorporated Microelectromechanical switch with fixed metal electrode/dielectric interface with a protective cap layer
US7264876B2 (en) 2000-08-24 2007-09-04 William Marsh Rice University Polymer-wrapped single wall carbon nanotubes
TWI226103B (en) 2000-08-31 2005-01-01 Georgia Tech Res Inst Fabrication of semiconductor devices with air gaps for ultra low capacitance interconnections and methods of making same
US6566983B2 (en) 2000-09-02 2003-05-20 Lg Electronics Inc. Saw filter using a carbon nanotube and method for manufacturing the same
US6716409B2 (en) 2000-09-18 2004-04-06 President And Fellows Of The Harvard College Fabrication of nanotube microscopy tips
US6495258B1 (en) 2000-09-20 2002-12-17 Auburn University Structures with high number density of carbon nanotubes and 3-dimensional distribution
US6743408B2 (en) * 2000-09-29 2004-06-01 President And Fellows Of Harvard College Direct growth of nanotubes, and their use in nanotweezers
US6354133B1 (en) 2000-10-25 2002-03-12 Advanced Micro Devices, Inc. Use of carbon nanotubes to calibrate conventional tips used in AFM
US6504118B2 (en) * 2000-10-27 2003-01-07 Daniel J Hyman Microfabricated double-throw relay with multimorph actuator and electrostatic latch mechanism
US6548841B2 (en) * 2000-11-09 2003-04-15 Texas Instruments Incorporated Nanomechanical switches and circuits
EP1205436A1 (en) 2000-11-13 2002-05-15 International Business Machines Corporation Crystals comprising single-walled carbon nanotubes
US6400088B1 (en) 2000-11-15 2002-06-04 Trw Inc. Infrared carbon nanotube detector
JP4802363B2 (ja) * 2000-11-29 2011-10-26 日本電気株式会社 電界放出型冷陰極及び平面画像表示装置
US6625047B2 (en) * 2000-12-31 2003-09-23 Texas Instruments Incorporated Micromechanical memory element
US6423583B1 (en) 2001-01-03 2002-07-23 International Business Machines Corporation Methodology for electrically induced selective breakdown of nanotubes
US7052668B2 (en) 2001-01-31 2006-05-30 William Marsh Rice University Process utilizing seeds for making single-wall carbon nanotubes
US20020102193A1 (en) 2001-01-31 2002-08-01 William Marsh Rice University Process utilizing two zones for making single-wall carbon nanotubes
US6358756B1 (en) 2001-02-07 2002-03-19 Micron Technology, Inc. Self-aligned, magnetoresistive random-access memory (MRAM) structure utilizing a spacer containment scheme
US6448701B1 (en) 2001-03-09 2002-09-10 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Self-aligned integrally gated nanofilament field emitter cell and array
US6541309B2 (en) 2001-03-21 2003-04-01 Hewlett-Packard Development Company Lp Fabricating a molecular electronic device having a protective barrier layer
AU2002254367B2 (en) * 2001-03-26 2007-12-06 Eikos, Inc. Coatings containing carbon nanotubes
US6803840B2 (en) * 2001-03-30 2004-10-12 California Institute Of Technology Pattern-aligned carbon nanotube growth and tunable resonator apparatus
US6777982B2 (en) 2001-04-03 2004-08-17 Carnegie Mellon University Molecular scale latch and associated clocking scheme to provide gain, memory and I/O isolation
US6611033B2 (en) 2001-04-12 2003-08-26 Ibm Corporation Micromachined electromechanical (MEM) random access memory array and method of making same
US20020160111A1 (en) 2001-04-25 2002-10-31 Yi Sun Method for fabrication of field emission devices using carbon nanotube film as a cathode
JP4207398B2 (ja) 2001-05-21 2009-01-14 富士ゼロックス株式会社 カーボンナノチューブ構造体の配線の製造方法、並びに、カーボンナノチューブ構造体の配線およびそれを用いたカーボンナノチューブデバイス
WO2002095097A1 (en) 2001-05-21 2002-11-28 Trustees Of Boston College, The Varied morphology carbon nanotubes and methods for their manufacture
US6426687B1 (en) * 2001-05-22 2002-07-30 The Aerospace Corporation RF MEMS switch
US6858455B2 (en) 2001-05-25 2005-02-22 Ut-Battelle, Llc Gated fabrication of nanostructure field emission cathode material within a device
US20040023253A1 (en) * 2001-06-11 2004-02-05 Sandeep Kunwar Device structure for closely spaced electrodes
US6432740B1 (en) 2001-06-28 2002-08-13 Hewlett-Packard Company Fabrication of molecular electronic circuit by imprinting
US6896864B2 (en) * 2001-07-10 2005-05-24 Battelle Memorial Institute Spatial localization of dispersed single walled carbon nanotubes into useful structures
US6706402B2 (en) * 2001-07-25 2004-03-16 Nantero, Inc. Nanotube films and articles
US6919592B2 (en) 2001-07-25 2005-07-19 Nantero, Inc. Electromechanical memory array using nanotube ribbons and method for making same
US6574130B2 (en) 2001-07-25 2003-06-03 Nantero, Inc. Hybrid circuit having nanotube electromechanical memory
US6924538B2 (en) * 2001-07-25 2005-08-02 Nantero, Inc. Devices having vertically-disposed nanofabric articles and methods of making the same
US6911682B2 (en) * 2001-12-28 2005-06-28 Nantero, Inc. Electromechanical three-trace junction devices
CA2471842A1 (en) * 2001-07-27 2003-02-13 Eikos, Inc. Conformal coatings comprising carbon nanotubes
US6891319B2 (en) * 2001-08-29 2005-05-10 Motorola, Inc. Field emission display and methods of forming a field emission display
US6586965B2 (en) 2001-10-29 2003-07-01 Hewlett Packard Development Company Lp Molecular crossbar latch
US6645628B2 (en) * 2001-11-13 2003-11-11 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force Carbon nanotube coated anode
US6849245B2 (en) 2001-12-11 2005-02-01 Catalytic Materials Llc Catalysts for producing narrow carbon nanostructures
TW552156B (en) * 2001-12-25 2003-09-11 Univ Nat Cheng Kung Method for fabrication of carbon nanotubes having multiple junctions
US6784028B2 (en) * 2001-12-28 2004-08-31 Nantero, Inc. Methods of making electromechanical three-trace junction devices
US7176505B2 (en) * 2001-12-28 2007-02-13 Nantero, Inc. Electromechanical three-trace junction devices
US6894359B2 (en) * 2002-09-04 2005-05-17 Nanomix, Inc. Sensitivity control for nanotube sensors
EP1468423A2 (en) * 2002-01-18 2004-10-20 California Institute Of Technology Array-based architecture for molecular electronics
EP1341184B1 (en) * 2002-02-09 2005-09-14 Samsung Electronics Co., Ltd. Memory device utilizing carbon nanotubes and method of fabricating the memory device
US6889216B2 (en) * 2002-03-12 2005-05-03 Knowm Tech, Llc Physical neural network design incorporating nanotechnology
US6858197B1 (en) * 2002-03-13 2005-02-22 The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration Controlled patterning and growth of single wall and multi-wall carbon nanotubes
US7147894B2 (en) * 2002-03-25 2006-12-12 The University Of North Carolina At Chapel Hill Method for assembling nano objects
US6872645B2 (en) * 2002-04-02 2005-03-29 Nanosys, Inc. Methods of positioning and/or orienting nanostructures
US6946410B2 (en) * 2002-04-05 2005-09-20 E. I. Du Pont De Nemours And Company Method for providing nano-structures of uniform length
WO2003099709A2 (en) * 2002-05-21 2003-12-04 Eikos, Inc. Method for patterning carbon nanotube coating and carbon nanotube wiring
US20040007528A1 (en) * 2002-07-03 2004-01-15 The Regents Of The University Of California Intertwined, free-standing carbon nanotube mesh for use as separation, concentration, and/or filtration medium
JP4338948B2 (ja) * 2002-08-01 2009-10-07 株式会社半導体エネルギー研究所 カーボンナノチューブ半導体素子の作製方法
US6809465B2 (en) * 2002-08-23 2004-10-26 Samsung Electronics Co., Ltd. Article comprising MEMS-based two-dimensional e-beam sources and method for making the same
JP4547852B2 (ja) * 2002-09-04 2010-09-22 富士ゼロックス株式会社 電気部品の製造方法
US20040087162A1 (en) * 2002-10-17 2004-05-06 Nantero, Inc. Metal sacrificial layer
US20040077107A1 (en) * 2002-10-17 2004-04-22 Nantero, Inc. Method of making nanoscopic tunnel
US20040075159A1 (en) * 2002-10-17 2004-04-22 Nantero, Inc. Nanoscopic tunnel
WO2005000739A1 (en) * 2002-10-29 2005-01-06 President And Fellows Of Harvard College Carbon nanotube device fabrication
WO2004039893A1 (ja) * 2002-11-01 2004-05-13 Mitsubishi Rayon Co., Ltd. カーボンナノチューブ含有組成物、これからなる塗膜を有する複合体、及びそれらの製造方法
AU2003298716A1 (en) * 2002-11-27 2004-06-23 Molecular Nanosystems, Inc. Nanotube chemical sensor based on work function of electrodes
US7666382B2 (en) * 2004-12-16 2010-02-23 Nantero, Inc. Aqueous carbon nanotube applicator liquids and methods for producing applicator liquids thereof
US7858185B2 (en) * 2003-09-08 2010-12-28 Nantero, Inc. High purity nanotube fabrics and films
US6919740B2 (en) * 2003-01-31 2005-07-19 Hewlett-Packard Development Company, Lp. Molecular-junction-nanowire-crossbar-based inverter, latch, and flip-flop circuits, and more complex circuits composed, in part, from molecular-junction-nanowire-crossbar-based inverter, latch, and flip-flop circuits
US6918284B2 (en) * 2003-03-24 2005-07-19 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Interconnected networks of single-walled carbon nanotubes
US7294877B2 (en) * 2003-03-28 2007-11-13 Nantero, Inc. Nanotube-on-gate FET structures and applications
US7075141B2 (en) * 2003-03-28 2006-07-11 Nantero, Inc. Four terminal non-volatile transistor device
US6944054B2 (en) * 2003-03-28 2005-09-13 Nantero, Inc. NRAM bit selectable two-device nanotube array
US7113426B2 (en) * 2003-03-28 2006-09-26 Nantero, Inc. Non-volatile RAM cell and array using nanotube switch position for information state
US6958665B2 (en) * 2003-04-02 2005-10-25 Raytheon Company Micro electro-mechanical system (MEMS) phase shifter
US7045421B2 (en) * 2003-04-22 2006-05-16 Nantero, Inc. Process for making bit selectable devices having elements made with nanotubes
US6995046B2 (en) * 2003-04-22 2006-02-07 Nantero, Inc. Process for making byte erasable devices having elements made with nanotubes
EP1631812A4 (en) * 2003-05-14 2010-12-01 Nantero Inc SENSOR PLATFORM HAVING A HORIZONTAL NANOPHONE ELEMENT
US7274064B2 (en) * 2003-06-09 2007-09-25 Nanatero, Inc. Non-volatile electromechanical field effect devices and circuits using same and methods of forming same
CA2528804A1 (en) * 2003-06-09 2005-01-06 Nantero, Inc Non-volatile electromechanical field effect devices and circuits using same and methods of forming same
US6882256B1 (en) * 2003-06-20 2005-04-19 Northrop Grumman Corporation Anchorless electrostatically activated micro electromechanical system switch
KR20050004360A (ko) * 2003-07-02 2005-01-12 삼성전자주식회사 포토리소그래피를 이용한 탄소 나노튜브 절단방법
CN101562049B (zh) * 2003-08-13 2012-09-05 南泰若股份有限公司 具有多个控件的基于纳米管的开关元件及由其制成的电路
JP2007502545A (ja) * 2003-08-13 2007-02-08 ナンテロ，インク． 複数の制御装置を有するナノチューブを基礎とする交換エレメントと上記エレメントから製造される回路
WO2005017967A2 (en) * 2003-08-13 2005-02-24 Nantero, Inc. Nanotube device structure and methods of fabrication
US7289357B2 (en) * 2003-08-13 2007-10-30 Nantero, Inc. Isolation structure for deflectable nanotube elements
US7115960B2 (en) * 2003-08-13 2006-10-03 Nantero, Inc. Nanotube-based switching elements
US7416993B2 (en) * 2003-09-08 2008-08-26 Nantero, Inc. Patterned nanowire articles on a substrate and methods of making the same
US7375369B2 (en) * 2003-09-08 2008-05-20 Nantero, Inc. Spin-coatable liquid for formation of high purity nanotube films
US20050052894A1 (en) * 2003-09-09 2005-03-10 Nantero, Inc. Uses of nanofabric-based electro-mechanical switches
US7354877B2 (en) * 2003-10-29 2008-04-08 Lockheed Martin Corporation Carbon nanotube fabrics
KR20050049868A (ko) * 2003-11-24 2005-05-27 삼성에스디아이 주식회사 카본나노튜브 에미터 형성방법 및 이를 이용한 전계방출표시소자의 제조방법
US7528437B2 (en) * 2004-02-11 2009-05-05 Nantero, Inc. EEPROMS using carbon nanotubes for cell storage
US7288970B2 (en) * 2004-06-18 2007-10-30 Nantero, Inc. Integrated nanotube and field effect switching device
US7161403B2 (en) * 2004-06-18 2007-01-09 Nantero, Inc. Storage elements using nanotube switching elements
US7567414B2 (en) * 2004-11-02 2009-07-28 Nantero, Inc. Nanotube ESD protective devices and corresponding nonvolatile and volatile nanotube switches
US8362525B2 (en) * 2005-01-14 2013-01-29 Nantero Inc. Field effect device having a channel of nanofabric and methods of making same
US7538040B2 (en) * 2005-06-30 2009-05-26 Nantero, Inc. Techniques for precision pattern transfer of carbon nanotubes from photo mask to wafers

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6232706B1 (en) * 1998-11-12 2001-05-15 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Self-oriented bundles of carbon nanotubes and method of making same
KR20000071254A (ko) * 1999-01-18 2000-11-25 니시무로 아츠시 카본 나노튜브의 필름화 방법, 그 방법에 의해 필름화된카본 나노튜브 및 이것을 이용한 전계 전자 방출원

Also Published As

Publication number Publication date
CA2454845C (en) 2013-10-01
EP1409156B1 (en) 2012-05-30
EP2286929A1 (en) 2011-02-23
US20070141746A1 (en) 2007-06-21
CN1556996A (zh) 2004-12-22
JP5068921B2 (ja) 2012-11-07
EP1409156A4 (en) 2007-08-29
WO2003022733A2 (en) 2003-03-20
CA2454845A1 (en) 2003-03-20
WO2003027003A3 (en) 2003-10-30
EP1410397A2 (en) 2004-04-21
EP2343709A2 (en) 2011-07-13
AU2002353771A1 (en) 2003-03-24
EP1409156A2 (en) 2004-04-21
US6835591B2 (en) 2004-12-28
WO2003027003A2 (en) 2003-04-03
EP2286929B1 (en) 2018-07-18
WO2003022733A3 (en) 2003-07-24
AU2002357641A1 (en) 2003-04-07
CN1556996B (zh) 2015-09-02
EP1410397B1 (en) 2018-07-04
CA2454895A1 (en) 2003-04-03
US7264990B2 (en) 2007-09-04
EP2343709A3 (en) 2013-12-04
KR20050012707A (ko) 2005-02-02
US20050101112A1 (en) 2005-05-12
JP2005503007A (ja) 2005-01-27
EP1410397A4 (en) 2007-08-29
US20030199172A1 (en) 2003-10-23
US7335528B2 (en) 2008-02-26
CA2454895C (en) 2013-06-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100899587B1 (ko) 나노튜브 필름 및 물품
US10096363B2 (en) Methods of forming nanotube films and articles
KR100838206B1 (ko) 기판과 나노튜브 부직물을 구비하는 구조물
US7817458B2 (en) Hybrid circuit having nanotube memory cells
US7416993B2 (en) Patterned nanowire articles on a substrate and methods of making the same
TWI324786B (en) Methods of nanotube films and articles

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130507

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140512

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150508

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160510

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170512

Year of fee payment: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180510

Year of fee payment: 10

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190516

Year of fee payment: 11