KR100876357B1 - 광대역 위상지연소자와 그 제조방법, 및 이를 포함하는광픽업 장치 - Google Patents

광대역 위상지연소자와 그 제조방법, 및 이를 포함하는광픽업 장치 Download PDF

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Abstract

광대역 위상지연소자와 그 제조방법, 및 이를 포함하는 광픽업 장치가 제공된다.
본 발명은, 제1 및 제2 투명기판을 포함하고, 상기 투명기판들 사이에, 배향성을 갖는 액정 물질로 이루어진 제1 위상지연층; 상기 제1 위상지연층상에 형성된 배향성을 갖는 액정 물질로 이루어진 제2 위상지연층; 상기 제2 위상지연층상에 형성된 배향성이 없는 액정 물질로 이루어진 접착제층; 및 상기 접착제층상에 형성된 배향성을 갖는 액정 물질로 이루어진 제3 위상지연층;이 적층 형성되어 구성된 광대역 위상지연소자와,
제1 투명기판 상에 배향성을 갖는 액정 물질로 이루어진 2개의 위상지연층을 순차적으로 적층함으로써 제1 적층체를 형성하는 공정; 제2 투명기판 상에 배향성을 갖는 액정 물질로 이루어진 위상지연층을 적층함으로써 제2 적층체를 형성하는 공정; 및 배향성이 없는 액정물질을 접착제로 이용하여 상기 제1 적층체의 위상지연층 최상면과 제2 적층체의 위상지연층 면을 접착시키는 공정;을 포함하는 광대역 위상지연소자의 제조방법에 관한 것이다.
위상지연소자, 접착제, 광픽업장치

Description

광대역 위상지연소자와 그 제조방법, 및 이를 포함하는 광픽업 장치{Phase delay element and its manufacturing method, and optical pick-up apparatus including thereof}
본 발명은 광대역 위상지연소자 및 그 제조방법 등에 관한 것으로, 보다 상세하게는 광픽업장치의 슬림화를 도모할 수 있고 제조원가 등을 절감할 수 있는 광대역 위상지연소자 및 그 제조방법 등에 관한 것이다.
CD나 DVD 등과 같은 광기록매체의 기록매체 헤드장치가 기록매체상에 정보를 기록하거나, 또는 그 기록매체상의 기록을 재생하는 광픽업장치가 종래부터 개발이용되고 있으며, 특히 이러한 장치에는 위상지연소자가 일반적으로 포함되어 있다.
특히, 근래에 들어서는 CD 및 DVD를 이루는 2개의 광디스크의 정보를 기록하거나 재생하기 위해 CD 및 DVD 상호 호환형 광픽업장치가 각광을 받고 있으며, 아울러 지속적인 개발이 진행되고 있다. 이러한 광픽업장치에 있어서, CD의 경우 재생용으로 790nm 파장대의 반도체 레이저가 이용되며, DVD계 광디스크의 경우에는 재생용으로 650nm 파장대의 반도체 레이저가 이용되고 있다.
따라서 광원에서 상이한 2개 이상의 파장의 레이저광을 출사하는 경우, 이들 파장의 레이저광의 위상상태를 단위 패키지 내에서 제어하는 광대역 위상지연소자의 이용이 필요하다.
도 1은 종래의 광대역 위상지연소자의 일반적인 구조도이다. 도 1에 나타난 바와 같이, 종래의 위상지연소자는 투명기판(1, 9) 사이에 복굴절성을 갖는 유기물박막으로 이루어진 2개의 위상지연층(3, 7)이 각각의 광축이 교차하도록 적층되고, 또한 접착제(2, 5, 8)를 이용하여 상기 투명기판과 위상지연층 및 위상지연층 상호간에 고정되도록 구성되어 있다. 이러한 구성을 갖는 위상지연소자는 투과하는 어느 파장의 직선편광의 레이저광에 대하여 λ/4 위상지연을 가능하게 하며, 직선편광을 거의 원편광으로 전환할 수 있다.
그러나 이러한 종래의 위상지연소자는 상기 위상지연층(3,7)이 접착제(2,8)를 통하여 상기 투명기판(1,9)에 각각 고정되어 있으며, 아울러, 위상지연층(3,7) 상호간에도 접착제(5)를 통하여 부착되어 있다. 따라서 상기 위상지연층(3,7)과 접착제층(2,5,8)의 열변형 및 수분유입 가능성 등으로 인하여 그 내구성에 한계가 있다.
또한 상술한 종래의 위상지연소자는 다수의 접착제층을 이용함으로써 전체적으로 제조되는 위상지연소자의 두께가 증가되며, 이에 따라 광픽업장치의 크기도 증가되는 문제도 있다.
아울러, 접착제층이 다수 이용되므로, 공정의 수가 늘어나 비경제적이며, 또한 공정의 어려움으로 인해 위상지연소자의 제조가 쉽지 않다는 문제점도 있다.
따라서 본 발명은 상술한 종래기술의 문제점을 해소하기 위하여 안출된 것으로서, 종래기술과 달리 위상지연소자 및 광픽업장치의 슬림화를 도모할 수 있으며, 그 제조공정이 단순하여 생산성을 제고할 수 있는 광대역 위상지연소자 및 그 제조방법을 제공함을 그 목적으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명은,
제1 및 제2 투명기판을 포함하고,
상기 투명기판들 사이에,
배향성을 갖는 액정 물질로 이루어진 제1 위상지연층;
상기 제1 위상지연층상에 형성된 배향성을 갖는 액정 물질로 이루어진 제2 위상지연층;
상기 제2 위상지연층상에 형성된 배향성이 없는 액정 물질로 이루어진 접착제층; 및
상기 접착제층상에 형성된 배향성을 갖는 액정 물질로 이루어진 제3 위상지연층;이 적층되어 구성된 광대역 위상지연소자에 관한 것이다.
또한 본 발명은,
제1 및 제2 투명기판을 포함하고,
상기 투명기판들 사이에,
배향성을 갖는 액정 물질로 이루어진 제1 위상지연층;
상기 제1 위상지연층상에 형성된 배향성이 없는 액정 물질로 이루어진 접착제층; 및
상기 접착제층상에 형성된 배향성을 갖는 액정 물질로 이루어진 제2 위상지연층;이 적층되어 구성된 광대역 위상지연소자에 관한 것이다.
또한 본 발명은,
제1 투명기판;
상기 제 1 투명기판상에 형성되고, 그 하부에 배향막을 갖는 배향성을 갖는 액정 물질로 이루어진 제1 위상지연층;
상기 제1 위상지연층상에 형성되고, 그 하부에 배향막을 갖는 배향성을 갖는 액정 물질로 이루어진 제2 위상지연층;
상기 제2 위상지연층상에 형성된 배향성이 없는 액정물질로 이루어진 접착제층;
상기 접착제층상에 형성되고, 그 상부에 배향막을 갖는 배향성을 갖는 액정 물질로 이루어진 제3 위상지연층; 및
상기 제3 위상지연층의 배향막상에 부착된 제2 투명기판;을 포함하는 광대역 위상지연소자에 관한 것이다.
또한 본 발명은,
제1 투명기판 상에 배향성을 갖는 액정 물질로 이루어진 2개의 위상지연층을 순차적으로 적층함으로써 제1 적층체를 형성하는 공정;
제2 투명기판 상에 배향성을 갖는 액정 물질로 이루어진 위상지연층을 적층함으로써 제2 적층체를 형성하는 공정; 및
배향성이 없는 액정물질을 접착제로 이용하여 상기 제1 적층체의 위상지연층 최상면과 제2 적층체의 위상지연층 면을 접착시키는 공정;을 포함하는 광대역 위상지연소자의 제조방법에 관한 것이다.
또한 본 발명은,
제1 투명기판 상에, 그 하부에 배향막을 가지며 배향성을 갖는 액정 물질로 이루어진 2개의 위상지연층을 순차적으로 적층함으로써 제1 적층체를 형성하는 공정;
제2 투명기판 상에, 그 하부에 배향막을 가지며 배향성을 갖는 액정 물질로 이루어진 위상지연층을 적층함으로써 제2 적층체를 형성하는 공정; 및
배향성이 없는 액정물질을 접착제로 이용하여 상기 제1 적층체의 위상지연층 최상면과 제2 적층체의 위상지연층 면을 접착시키는 공정;을 포함하는 광대역 위상지연소자의 제조방법에 관한 것이다.
또한 본 발명에서는 상기 소자의 광입사측 표면과 출사측 표면에 무반사 코 팅층을 형성함이 바람직하다.
또한 본 발명에서는 상기 제1 및 제2 투명기판 중 적어도 하나의 일측면에 회절격자층을 형성함이 바람직하다.
또한 본 발명은,
제1 및 제2 투명기판을 포함하고,
상기 투명기판들 사이에 하나 이상의 위상지연층을 포함하는 경우, 상기 위상지연층들간에 형성된 접착제층은 위상지연층과 실질적으로 동일한 열팽창계수를 갖는 물질로 이루어진 것임을 특징으로 하는 광대역 위상지연소자에 관한 것이다.
또한 본 발명은,
파장을 달리하는 2개 이상의 레이저광을 출사하는 반도체 레이저광원, 상기 반도체 레이저 광원으로부터 출사되는 레이저광을 집광하는 대물렌즈, 레이저광이 집광되어 안내되는 광기록매체 및 상기 광기록매체로부터 반사광을 수광하는 광검출기를 포함하는 광픽업장치에 있어서, 상기 레이저 광원으로부터 상기 광기록매체에 이르는 광로 중 또는 상기 광기록매체로부터 상기 광검출기에 이르는 광로 중에 상술한 위상지연소자가 구비되어 있는 것을 특징으로 하는 광픽업장치에 관한 것이다.
상술한 바와 같이 본 발명은, 종래기술 대비 위상지연소자를 제조함에 있어서 접착제층의 사용을 억제할 수 있으므로 접착제 사용에 따른 제반 문제점을 해소할 수 있다. 또한 접착제층의 사용을 줄임으로써 제조되는 위상지연소자의 전체적인 두께를 얇게 할 수 있어, 궁극적으로 광픽업장치의 단순화를 도모할 수 있다. 아울러, 고분자 액정물질을 위상지연층의 제조 뿐만 아니라 접착제층의 제조에 사용할 수 있으므로 제조공정의 단순화 및 제조원가 절감을 도모할 수 있는 장점이 있다.
이하, 첨부도면을 참조하여 본 발명을 상세히 설명한다.
도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 광대역 위상지연소자(100)의 단면개략도이다. 도 2에 나타난 바와 같이, 본 발명의 위상지연소자는 제1투명기판(110)과 제2 투명기판(190)을 포함한다. 본 발명에서 상기 투명기판(110, 190)은 광투과성 투명재질로 마련될 수 있으며, 바람직하게는 강도와 내열성이 우수한 투명유리판이나 투명필름으로 마련될 수 있다. 이러한 투명기판들은 제조된 위상지연소자(100)의 뒤틀림 등을 방지하는 역할을 할 수 있다.
또한 본 발명의 위상지연소자는 상기 2개의 투명기판(110, 190) 사이에 제 1위상지연층(120), 제2 위상지연층(140), 접착제층(160) 및 제3 위상지연층(170)이 순차적으로 적층되어 구성되어 있다. 본 발명에서는 상기 위상지연층과 접착제층은 실질적으로 동일한 열팽창계수를 갖는 물질을 사용하여 마련하며, 그 일예로서 고분자 액정 물질을 이용할 수 있다.
구체적으로 본 발명의 위상지연소자는 제1투명기판(110)상에 형성된 제1 위상지연층(120)을 포함한다. 본 발명에서 상기 위상지연층(120)은 배향성을 갖는 액정물질(예컨대, liquid crystal polyester)로 이루어지며, 도 3과 같이, 그 일측면에 내열성 및 내구성이 우수한 배향막(120a)을 가짐이 바람직하다. 즉, 배향막(120a)을 제1 투명기판(110)상에 적층하고, 이어, 액정물질을 그 상부에 도포하여 대략 70~100℃ 온도범위로 어닐링처리한 후 경화시킴으로써 액정물질은 배향성을 가져 보다 효과적으로 복굴절성을 나타낼 수 있다. 그리고 이때 상기 제1 위상지연층(120)은 그 하부에 부착된 배향막(120a)을 통하여 제1 투명기판(110)에 접착될 수 있다. 본 발명에서는 상기 배향막의 종류 등에 제한되지 않으며, 바람직하게는 폴리이미드 배향막을 이용하는 것이다.
또한 본 발명의 위상지연소자는 상기 제 1위상지연층(120)상에 형성된 배향성을 갖는 액정물질로 이루어진 제2 위상지연층(140)을 포함한다. 이러한 제2 위상지연층(140)은 또한 그 일측면에 부착된 배향막상에 액정물질을 도포한 후, 열처리 경화시킴으로써 배향성을 갖도록 할 수 있다. 이때, 상기 제2 위상지연층(140)은 그 하부 부착된 배향막을 통하여 제1 위상지연층(120)에 부착될 수 있다.
그리고 본 발명의 위상지연소자는 상기 제2 위상지연층(140) 상에 형성된 접착제층(160)을 포함한다. 본 발명에서는 상기 접착제층(160)으로서 상기 위상지연 층과 실질적으로 동일한 열팽창계수를 갖는 고분자 액정물질을 이용하며, 예컨대 고분자 액정물질을 열처리조건을 제어하여 배향성이 없는 액정물질로서 접착제층으로 이용한다. 즉, 본 발명에서는 상기 제2 위상지연층(140)상에 액정물질을 도포 후, 그 배향성이 발현되지 않는 온도범위, 바람직하게는 100℃이상으로 가열하여 경화시킴으로써 유효하게 접착제층(160)으로 이용할 수 있다.
그리고 본 발명의 위상지연소자는 상기 접착제층(160)상에 형성된 배향성을 갖는 액정물질로 이루어진 제3 위상지연층(170)을 포함한다. 이러한 제3 위상지연층(170)은 그 일측면에 배향막을 가짐이 바람직하며, 상기 배향막을 통하여 제2 투명기판(190)에도 효과적으로 부착되도록 할 수 있다.
나아가, 본 발명의 위상지연소자는 도 5와 같이, 상기 투명기판(110, 190)중 적어도 하나의 외표면, 다시 말하면, 빛의 입사측과 출사측면에 무반사 코팅층(105, 195)을 형성함이 바람직하며, 이에 의해 빛의 손실을 줄일 수 있다.
또한 본 발명의 위상지연소자는 도 6과 같이, 상기 제1투명기판(110) 및 제2 투명기판(190) 중 적어도 하나의 외표면에 회절격자층(197)을 형성함이 바람직하다.
한편 도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 광대역 위상지연소자의 개략단면 도이다. 도 4에 나타난 바와 같이, 본 실시예의 위상지연소자(150)는 2개의 투명기판(151, 159) 사이에 제 1위상지연층(153), 접착제층(155) 및 제2 위상지연층(157)이 순차적으로 적층되어 구성되어 있다. 이 경우에도, 상기 위상지연층과 접착제층은 실질적으로 동일한 열팽창계수를 갖는 물질을 사용하여 마련하며, 그 일예로서 고분자 액정 물질을 이용할 수 있다.
구체적으로 본 실시예의 위상지연소자는 제1투명기판(151)상에 형성된 배향성을 갖는 액정물질(예컨대, liquid crystal polyester)로 이루어진 제1 위상지연층(153)을 포함한다. 본 발명에서 상기 위상지연층(153)은 그 일측면에 내열성 및 내구성이 우수한 배향막을 가짐이 바람직하다. 상기 배향막으로서는 폴리이미드 배향막을 이용함이 보다 바람직하다.
또한 본 실시예의 위상지연소자는 상기 제 1위상지연층(153)상에 형성된 접착제층(155)을 포함한다. 본 발명에서는 상기 접착제층(155)으로서 상기 위상지연층과 열팽창계수가 실질적으로 동일한 고분자 액정물질을 이용하며, 상술한 바와 같은 열처리조건을 제어하여 배향성이 없는 액정물질을 접착제층으로 이용한다.
그리고 본 실시예의 위상지연소자는 상기 접착제층(155)상에 형성된 배향성을 갖는 액정물질로 이루어진 제2 위상지연층(157)을 포함한다. 이러한 제2 위상지연층(157)은 그 일측면에 배향막을 가짐이 바람직하다. 이러한 배향막을 통하여 제 2 위상지연층(157)이 보다 효과적으로 제2 투명기판(159)에도 부착될 수 있다.
나아가, 본 발명의 위상지연소자는 상술한 바와 같이, 상기 투명기판(151, 159)중 적어도 하나의 외표면, 다시 말하면, 빛의 입사측과 출사측면에 무반사 코팅층을 형성할 수도 있으며, 상기 제1투명기판(151) 및 제2 투명기판(159) 중 적어도 하나의 외표면에 회절격자층을 형성할 수도 있다.
본 실시예의 위상지연소자의 경우, 비록 2개의 위상지연층을 이용하나, 그 중 하나의 위상지연층을 도 2의 제1 및 제2 위상지연층과 동일한 위상지연값을 갖도록 함으로써 동일한 위상지연효과를 꾀할 수 있다.
도 7은 본 발명의 위상지연소자의 제조과정의 일예를 보이는 개략도이다.
도 7(a)에 나타난 바와 같이, 본 발명에서는 먼저, 제1 투명기판(210)상에 제1 위상지연층(220) 및 제2 위상지연층(240)이 순차적으로 적층함으로써 제1 적층체[A]를 형성한다. 상술한 바와 같이, 본 발명에서 상기 위상지연층(220,240)은 배향성을 갖는 액정 물질로 조성된다. 그리고 이들 각각은 그 하부에 배향막, 예컨대 폴리이미드 배향막을 가짐이 바람직하며, 이들 형성된 위상지연층들을 하부 기판 및 위상지연층에 효과적으로 부착시킬 수 있다.
그리고 본 발명에서는 도 7(b)와 같이, 제 2 투명기판(290) 상에 제3 위상지연층(270)을 적층하여 제 2 적층체[B]를 형성한다. 이러한 제3 위상지연층(270) 역시 배향성을 갖는 액정물질로 이루어지며, 바람직하게는 그 하부에는 배향막을 포함하여 제 2투명기판(290)에 효과적으로 부착될 수 있다.
다음으로, 본 발명에서는 도 7(c)와 같이, 상기 위상지연층과 실질적으로 동일한 열팽창계수를 갖는 배향성이 없는 액정물질을 접착제(260)로 이용하여 상기 제1 적층체[A]의 최상 위상지연층(240) 상에 제2 적층체[B]의 위상지연층(270)면을 접착함으로써 광대역 위상지연소자를 제조한다. 상세하게 설명하면, 상기 제1 적층체[A]의 상부 위상지연층(240) 상에 접착제로서 액정 물질(260)을 도포한 후, 그 상부에 제2 적층체의 위상지연층(270) 면이 놓이도록 적치한다. 이어, 상기 적치된 적층체를 상기 접착제인 액정물질의 배향성이 발현되지 않는 온도범위, 예컨대 100℃이상으로 가열한 후, 경화시키면 효과적으로 본 발명의 광대역 위상지연소자를 제조할 수 있는 것이다. 즉, 본 발명에서는 배향성이 없는 액정물질을 위상지연소자 제조를 위한 접착제로 이용한다.
상술한 바와 같이, 본 발명에서는 종래기술과 달리 접착제층을 많이 사용함이 없이 광대역 위상지연소자를 구현할 수 있으므로, 이에 따라 종래 접착제 사용에 따른 제반 문제점을 해소할 수 있다. 또한 이러한 접착제층 수를 줄임으로써 소자의 박형화를 도모할 수 있다.
한편, 일반적으로 광픽업장치는 파장을 달리하는 2개 이상의 레이저광을 출사하는 반도체 레이저광원, 상기 반도체 레이저 광원으로부터 출사되는 레이저광을 집광하는 대물렌즈, 레이저광이 집광되어 안내되는 광기록매체 및 상기 광기록매체로부터 반사광을 수광하는 광검출기를 포함하여 구성되며, 상기 레이저 광원으로부터 상기 광기록매체에 이르는 광로중 또는 상기 광기록매체로부터 상기 광검출기에 이르는 광로중에 상술한 본 발명의 실시 예들에 따른 위상지연소자를 구비함으로써 보다 슬림화된 광픽업장치를 구현할 수 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명은 바람직한 실시예를 통하여 상세히 설명되었지만, 본 발명은 이러한 실시예의 내용에 제한되는 것은 아니다. 본원이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면, 비록 실시예에 제시되지 않았지만 첨부된 청구항의 기재범위 내에서 다양한 본원발명에 대한 모조나 개량이 가능하며, 이들 모두 본원발명의 기술적 범위에 속함은 너무나 자명하다 할 것이다.
도 1은 종래의 광대역 위상지연소자를 나타내는 개략 단면도이다.
도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 광대역 위상지연소자를 나타내는 개략 단면도이다.
도 3은 본 발명의 위상지연층의 일예를 나태는 단면구성도이다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 의한 광대역 위상지연소자를 나타내는 개략 단면도이다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 광대역 위상지연소자를 나타내는 개략 단면도이다.
도 6은 본 발명의 또다른 실시예에 따른 광대역 위상지연소자를 나타내는 개략 단면도이다.
도 7(a-c)은 본 발명의 일실시예에 따른 광대역 위상지연소자의 제조공정을 나타내는 도면이다.

Claims (22)

  1. 제1 및 제2 투명기판을 포함하고,
    상기 투명기판들 사이에,
    배향성을 갖는 액정 물질로 이루어진 제1 위상지연층;
    상기 제1 위상지연층상에 형성된 배향성을 갖는 액정 물질로 이루어진 제2 위상지연층;
    상기 제2 위상지연층상에 형성된 배향성이 없는 액정 물질로 이루어진 접착제층; 및
    상기 접착제층상에 형성된 배향성을 갖는 액정 물질로 이루어진 제3 위상지연층;이 적층되어 구성된 광대역 위상지연소자.
  2. 제1 및 제2 투명기판을 포함하고,
    상기 투명기판들 사이에,
    배향성을 갖는 액정 물질로 이루어진 제1 위상지연층;
    상기 제1 위상지연층상에 형성된 배향성이 없는 액정 물질로 이루어진 접착제층; 및
    상기 접착제층상에 형성된 배향성을 갖는 액정 물질로 이루어진 제2 위상지연층;이 적층되어 구성된 광대역 위상지연소자.
  3. 제 1항에 있어서, 상기 제1 위상지연층은 그 일측면에 배향막을 가짐을 특징으로 하는 광대역 위상지연소자.
  4. 제 1항에 있어서, 상기 제2 위상지연층은 그 일측면에 배향막을 가짐을 특징으로 하는 광대역 위상지연소자.
  5. 제 2항에 있어서, 상기 제1 위상지연층과 제2 위상지연층 중 적어도 하나는 그 일측면에 배향막을 가짐을 특징으로 하는 광대역 위상지연소자.
  6. 제 1항에 있어서, 상기 제3 위상지연층은 그 일측면에 배향막을 가짐을 특징으로 하는 광대역 위상지연소자.
  7. 제 3항 내지 제6 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 배향막은 폴리이미드 배향막인 것을 특징으로 하는 광대역 위상지연소자.
  8. 제 1항 또는 2항에 있어서, 상기 접착제층은 액정물질을 100℃ 이상으로 가열하여 경화된 것임을 특징으로 하는 광대역 위상지연소자.
  9. 제 1항 또는 2항에 있어서, 상기 제1 및 제2 투명기판 중 적어도 하나의 외표면에 무반사코팅층을 포함하는 광대역 위상지연소자
  10. 제 1항 또는 2항에 있어서, 상기 제1 및 제2 투명기판 중 적어도 하나의 외표면에 회절격자층을 갖는 광대역 위상지연소자
  11. 제1 투명기판 상에 배향성을 갖는 액정 물질로 이루어진 2개의 위상지연층을 순차적으로 적층함으로써 제1 적층체를 형성하는 공정;
    제2 투명기판 상에 배향성을 갖는 액정 물질로 이루어진 위상지연층을 적층함으로써 제2 적층체를 형성하는 공정; 및
    배향성이 없는 액정물질을 접착제로 이용하여 상기 제1 적층체의 위상지연층 최상면과 제2 적층체의 위상지연층 면을 접착시키는 공정;을 포함하는 광대역 위상지연소자의 제조방법.
  12. 제 11항에 있어서, 상기 위상지연층 각각은 배향막 상에 액정물질을 도포하고, 이어, 70~100℃의 온도로 어닐링한후 경화함으로써 얻어짐을 특징으로 하는 광대역 위상지연소자 제조방법.
  13. 제 11항에 있어서, 상기 접착제는 액정물질을 100℃ 이상으로 가열하여 경화된 것임을 특징으로 하는 광대역 위상지연소자 제조방법.
  14. 제 11항에 있어서, 상기 제1 및 제2 투명기판의 외표면에 무반사코팅층을 포 함하는 광대역 위상지연소자 제조방법.
  15. 제 11항에 있어서, 상기 제1 및 제2 투명기판 중 적어도 하나의 외표면에 회절격자층을 갖는 광대역 위상지연소자 제조방법.
  16. 제 12항에 있어서, 상기 배향막은 폴리이미드 배향막임을 특징으로 하는 광대역 위상지연소자 제조방법
  17. 제1 투명기판;
    상기 제 1 투명기판상에 형성되고, 그 하부에 배향막을 갖는 배향성을 갖는 액정 물질로 이루어진 제1 위상지연층;
    상기 제1 위상지연층상에 형성되고, 그 하부에 배향막을 갖는 배향성을 갖는 액정 물질로 이루어진 제2 위상지연층;
    상기 제2 위상지연층상에 형성된 배향성이 없는 액정물질로 이루어진 접착제층;
    상기 접착제층상에 형성되고, 그 상부에 배향막을 갖는 배향성을 갖는 액정 물질로 이루어진 제3 위상지연층; 및
    상기 제3 위상지연층의 배향막상에 부착된 제2 투명기판;을 포함하는 광대역 위상지연소자.
  18. 제 17항에 있어서, 상기 배향막은 폴리이미드 배향막인 것을 특징으로 하는 광대역 위상지연소자.
  19. 제1 투명기판 상에, 그 하부에 배향막을 가지며 배향성을 갖는 액정 물질로 이루어진 2개의 위상지연층을 순차적으로 적층함으로써 제1 적층체를 형성하는 공정;
    제2 투명기판 상에, 그 하부에 배향막을 가지며 배향성을 갖는 액정 물질로 이루어진 위상지연층을 적층함으로써 제2 적층체를 형성하는 공정; 및
    배향성이 없는 액정물질을 접착제로 이용하여 상기 제1 적층체의 위상지연층 최상면과 제2 적층체의 위상지연층 면을 접착시키는 공정;을 포함하는 광대역 위상지연소자의 제조방법.
  20. 제1 및 제2 투명기판을 포함하고,
    상기 투명기판들 사이에 하나 이상의 위상지연층을 포함하는 경우, 상기 위상지연층들간에 형성된 접착제층은 위상지연층과 실질적으로 동일한 열팽창계수를 갖는 물질로 이루어진 것임을 특징으로 하는 광대역 위상지연소자.
  21. 제 20항에 있어서, 상기 위상지연층과 접착제층은 고분자 액정물질로 이루어진 것임을 특징으로 하는 광대역 위상지연소자
  22. 파장을 달리하는 2개 이상의 레이저광을 출사하는 반도체 레이저광원, 상기 반도체 레이저 광원으로부터 출사되는 레이저광을 집광하는 대물렌즈, 레이저광이 집광되어 안내되는 광기록매체 및 상기 광기록매체로부터 반사광을 수광하는 광검출기를 포함하는 광픽업장치에 있어서, 상기 레이저 광원으로부터 상기 광기록매체에 이르는 광로중 또는 상기 광기록매체로부터 상기 광검출기에 이르는 광로중에 제 1항, 2항, 17항 및 20항 중 어느 한 항의 위상지연소자가 구비되어 있는 것을 특징으로 하는 광픽업장치.
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