KR100830773B1 - 포지티브형 감광성 수지 조성물 및 반도체 장치 - Google Patents

포지티브형 감광성 수지 조성물 및 반도체 장치 Download PDF

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Abstract

본 발명은 고해상도 및 고감도를 가지며 높은 잔막율을 갖는 패턴을 제공할 수 있는 포지티브형 감광성 수지 조성물에 관한 것이다. 이 조성물 중 하나는 100중량부의 폴리아미드 및 감광성 물질인 1 내지 50중량부의 페놀 화합물의 1,2-나프토퀴논-2-디아지드-5-술폰산 에스테르 혹은 1,2-나프토퀴논-2-디아지드-4-술폰산 에스테르를 포함한다. 또다른 조성물은 100중량부의 폴리아미드, 감광성 물질인 1 내지 50중량부의 페놀 화합물의 1,2-나프토퀴논-2-디아지드-5-술폰산 에스테르 혹은 1,2-나프토퀴논-2-디아지드-4-술폰산 에스테르, 또한 1 내지 30중량부의 페놀 화합물을 포함한다. 또한 상기 포지티브형 감광성 수지 조성물 중 어느 하나로 제조한 반도체 장치도 제공한다.

Description

포지티브형 감광성 수지 조성물 및 반도체 장치 {POSITIVE PHOTOSENSITIVE RESIN COMPOSITIONS AND SEMICONDUCTOR DEVICE}
본 발명은 반도체 소자의 표면 보호막에 사용되는 포지티브형 감광성 수지 조성물, 특히 막두께가 증가한 경우에도 고해상도 및 고잔막율 [(현상 후 막두께)/(현상 전 막두께) x 100]의 패턴을 제공하는 고감도의 포지티브형 감광성 수지 조성물에 관한 것이다. 이에 더하여, 본 발명은 상기 포지티브형 감광성 수지 조성물을 사용하여 제조한 반도체 장치에 관한 것이다.
고내열성, 탁월한 전기 및 기계 특성 등을 가진 폴리이미드 수지는 종래 반도체 소자의 표면보호막 혹은 층간 단열막에 사용되었다. 그러나, 최근에는 반도체 소자의 고집적화 및 대형화, 패키지의 박형화 및 소형화, 납땜 리플로우(reflow)에 의한 표면마운팅(mounting)에 대한 변화 등에 기인하여, 반복되는 열 혹은 열적 충격에 대한 내성의 현저한 개선에 대한 요구를 만족시키기 위하여 더욱 향상된 성능을 갖는 수지가 요망되고 있다.
다른 한편, 폴리이미드 수지 자체에 대한 광감성을 제공하는 기술이 근래에 주목을 끌고 있으며 예컨대, 다음의 식(7)으로 표현되는 감광성 폴리이미드 수지를 들 수 있다.
Figure 112003041967262-pct00001
상기의 폴리이미드 수지를 사용하는 것은 현상시 N-메틸-2-피롤리돈 같은 용매를 분무해야 하는 것 때문에 안전성 및 취급성에 문제가 있으나, 반면 패턴을 형성하는 절차 중 일부를 단순화하여 공정을 더 단축하고 수율을 높일 수 있게 된다. 따라서, 알칼리 수용액에 의해 현상할 수 있는 포지티브형 감광성 수지가 최근 이용되어 왔다. 예를 들어, 기본 중합체로서 폴리벤즈옥사졸 전구체와, 감광성 물질로서 디아조퀴논 화합물을 포함하는 포지티브형 감광성 수지가 JP-B-1-46862 에 개시되었다. 이 수지는 고내열성, 탁월한 전기 특성 및 미세가공성과 함께, 웨이퍼 코팅 뿐만 아니라 층간 절연용 수지로서의 가능성도 가진다. 이 포지티브형 감광성 수지의 현상 메카니즘에 있어서, 노광 영역 내의 디아조퀴논 화합물은 알칼리 수용액 내에서 가용성이 되는 화학적 변화를 겪는 반면 미노광 영역 내의 디아조퀴논 화합물은 알칼리 수용액에 대하여 불용성인 상태로 남아있다. 노광 영역과 미노광 영역 간의 용해도 차이를 이용하여, 노광 영역 내의 수지를 용해 및 제거함으로써 미노광 영역만의 코팅 패턴을 얻을 수 있다.
삭제
이 감광성 수지의 실제 사용에 있어서, 감광성 수지의 감도가 특히 중요하다. 저감도이면 더 긴 노광시간을 요구하고 따라서 처리량이 작아진다. 다른 한편, 만일 예컨대 저분자량의 기본 중합체가 감광성 수지의 감도를 개선하려는 시도에서 이용되는 경우, 현상과정에서 미노광 영역 내에서의 막두께 손실의 증가로 인해 원하는 막두께를 얻는데 실패하거나 혹은 패턴형태가 붕괴되는 등의 문제가 발생하게 된다. 따라서, 상술한 바와 같은 특성을 가진 고감도의 감광성 수지를 현상하는 것이 크게 요망되고 있다. 이에 더하여, 수지막 두께는 종래의 약 5 내지 7㎛ 에서 약 10 내지 20㎛ 로 증가하는 경향이 있으므로 두께의 증가에도 불구하고 고감도의 감광성 수지가 현상될 것이 기대된다.
본 발명의 목적은 고해상도 및 고잔막율 [현상 후 막두께)/(현상 전 막두께) x 100]를 가진 패턴을 제공할 고감도를 가진 포지티브형 감광성 수지 조성물을 제공하는 것이다. 또한, 본 발명은 막두께가 증가하여도 상술한 문제가 없는 고감도의 포지티브형 감광성 수지 조성물을 제공한다.
본 발명은 다음의 일반식(1)으로 표현되는 폴리아미드(A) 100중량부:
Figure 112003041967262-pct00002
[여기서, X 는 히드록실기나 혹은 히드록실기의 수소원자가 1 내지 20 개 탄소원자를 가진 유기기에 의해 치환되는 기를 가질 수 있는 2 내지 4가의 고리화합물 기이고; Y 는 히드록실기, 히드록실기의 수소원자가 1 내지 20 개 탄소원자를 가진 유기기에 의해 치환되는 기, 카르복실기 혹은 카르복실기의 수소원자가 1 내지 20 개 탄소원자를 가진 유기기에 의해 치환되는 기를 가질 수 있는 2 내지 4가의 고리화합물 기이고; 또한 Z 는:
Figure 112003041967262-pct00003
(여기서, R1 및 R2 는 각각 2가의 유기기이고; R3 및 R4 는 각각 1가의 유기기이다) 이고; a 및 b 는 각각 몰분율로서; a + b = 100몰%; a = 60 내지 100몰%; b = 0 내지 40몰% 이다]; 및
감광성 물질(B) 즉, 다음의 식(5)로 표현되는 골격 구조를 가진 페놀 화합물의 1,2-나프토퀴논-2-디아지드-5-술포네이트 에스테르 화합물 혹은 1,2-나프토퀴논-2-디아지드-4-술포네이트 에스테르 화합물 1 내지 50중량부:
Figure 112003041967509-pct00068
삭제
을 포함하는 포지티브형 감광성 수지 조성물에 관한 것이다.
또한, 본 발명은 상술한 포지티브형 감광성 수지 조성물에서 일반식(1)로 표현되는 100중량부의 폴리아미드(A) 에 대하여 다음 일반식(6)으로 표현되는 1 내지 30 중량부의 페놀 화합물을 더 함유하는 포지티브형 감광성 수지 조성물에 관한 것이다:
Figure 112003041967262-pct00005
(여기서, R11, R12, R13 및 R14 는 각각 수소 원자, 할로겐 원자, 알킬기, 알콕시기 및 시클로알킬기 중에서 선택되고 또한 서로 같거나 상이할 수 있으며; p 는 0 내지 3의 정수이고; q 는 0 내지 3의 정수이며; p + q ≥2 이고; R15 는 단일 결합, 메틸렌기, 알킬렌기, 산소 원자, 카르보닐기, 카르보닐 에테르기, 황 원자, 술포닐기 및 아조기 중에서 선택된다).
더 바람직한 구현예는 일반식(1)로 표시되는 폴리아미드의 X 가 아래의 기로부터 선택되고; 일반식(1)로 표시되는 폴리아미드의 Y 가 아래의 기로부터 선택되며; 또한 일반식(1)로 표시되는 폴리아미드의 말단기가 하기의 E 즉, 알케닐기나 알키닐기 중 적어도 하나의 기를 가진 지방족 기나 고리화합물 기로부터 선택되는 상기 포지티브형 감광성 수지 조성물이다.
X:
Figure 112003041967262-pct00006
(여기서, 각각의 R16 은 수소 원자, 알킬기, 알콕시기, 알킬 에스테르기 및 할로겐 원자로부터 선택되고 서로 동일하거나 상이할 수 있으며; r 은 0 내지 2의 정수이다)
Y:
Figure 112003041967262-pct00007
(여기서, 각각의 R16 은 수소 원자, 알킬기, 알콕시기, 알킬 에스테르기 및 할로겐 원자로부터 선택되고 서로 동일하거나 상이할 수 있으며; r 은 0 내지 2의 정수이다)
E:
Figure 112003041967262-pct00008
추가로, 본 발명은 상기 포지티브형 감광성 수지 조성물을 사용하여 제조한 반도체 장치에 관한 것으로서, 이는 상기 포지티브형 감광성 수지 조성물을 반도체 소자 상에 도포하여 탈수 및 고리화 처리 후의 상기 포지티브형 감광성 수지 조성물의 막두께가 0.1 내지 30㎛ 로 되도록 한 후 프리베이킹, 노광, 현상 및 가열 처리를 행하여 얻어지는 것이다.
상기 일반식(1)로 표시되는 폴리아미드 수지는 X 의 구조를 가진 디아민 혹은 비스(아미노페놀) 등과, 필요시 첨가되는 Z 의 구조를 가진 실리콘-디아민, 또한 Y 의 구조를 가진 테트라카르복실산 무수물, 디카르복실산, 디카르복실산 2염화물, 디카르복실산 유도체 등을 반응시켜 얻는다. 부수적으로, 디카르복실산의 경우 1-히드록시-1,2,3-벤조트리아졸 등과 미리 반응한 디카르복실산의 활성화된 에스테르형 유도체를 사용하여 반응 수율 등을 개선할 수도 있다. 이 폴리아미드 수지를 약 300 내지 400℃ 에서 가열에 의해 탈수 및 고리화 처리하여 폴리아미드 혹은 폴리벤즈옥사졸이나 이 두 중합체의 공중합체 형태로 내열성 수지가 수득된다.
본 발명의 일반식(1)로 표시되는 폴리아미드 수지의 X 는 예컨대,
Figure 112003041967262-pct00009
(여기서, A 는 -CH2-, -C(CH3)2-, -O-, -S-, -SO2-, -CO-, -NHCO-, -C(CF3)2- 혹은 단일 결합이고; 각각의 R16 은 수소 원자, 알킬기, 알콕시기, 알킬 에스테르기 및 할로겐 원자로부터 선택되고 서로 동일하거나 상이할 수 있으며; r 은 0 내지 2의 정수이다) 이지만 이들에 한정되지는 않는다.
이들 중에서 특히 바람직한 X 는 예컨대,
Figure 112003041967262-pct00010
(각각의 R16 은 수소 원자, 알킬기, 알콕시기, 알킬 에스테르기 및 할로겐 원자로부터 선택되고 서로 동일하거나 상이할 수 있으며; r 은 0 내지 2의 정수이다) 로부터 선택되며 이들을 2가지 이상 사용할 수도 있다.
일반식(1)로 표시되는 폴리아미드 수지의 Y 는 예컨대:
Figure 112003041967262-pct00011
(여기서, A 는 -CH2-, -C(CH3)2-, -O-, -S-, -SO2-, -CO-, -NHCO-, -C(CF3)2- 혹은 단일 결합이고; 각각의 R16 은 수소 원자, 알킬기, 알콕시기, 알킬 에스테르기 및 할로겐 원자이고 서로 동일하거나 상이할 수 있으며; r 은 0 내지 2의 정수이다) 이지만 이들에 한정되지는 않는다.
이들 중에서 특히 바람직한 Y 는 예컨대,
Figure 112003041967262-pct00012
(각각의 R16 은 수소 원자, 알킬기, 알콕시기, 알킬 에스테르기 및 할로겐 원자로부터 선택되고 서로 동일하거나 상이할 수 있으며; r 은 0 내지 2의 정수이다) 로부터 선택되며 이들을 2가지 이상 사용할 수도 있다.
본 발명의 포지티브형 감광성 수지 조성물의 저장 안정성 측면에서, X 의 구조를 가진 디아민 혹은 비스(아미노페놀) 등 및 필요시 첨가되는 Z 의 구조를 가진 실리콘-디아민, 또한 Y 의 구조를 가진 테트라카르복실산 무수물, 디카르복실산, 디카르복실산 2염화물, 디카르복실산 유도체 등을 반응시켜 폴리아미드 수지를 합성한 후, 이것의 말단에 위치한 아미노기를 알케닐기 및 알키닐기 중 적어도 하나의 기를 가진 지방족 기 혹은 고리화합물 기를 함유하는 산무수물로 캡핑(capping)하는 것이 바람직하다.
E 즉, 알케닐기나 알키닐기 중 적어도 하나를 가진 지방족 기 혹은 고리화합물 기는 예컨대,
Figure 112003041967262-pct00013
를 포함하나 이들에 한정되지는 않는다.
이들 중에서 특히 바람직한 E 는:
Figure 112003041967262-pct00014
중에서 선택되고, 이들을 2가지 이상 사용할 수도 있다.
나아가, 필요시 사용되는 일반식(1)로 표현되는 폴리아미드 수지의 Z 는 예컨대:
Figure 112003041967262-pct00015
를 포함하나 이들에 한정되지는 않으며 이들을 2가지 이상 사용할 수도 있다.
일반식(1)의 Z 의 비율 (b) 는 실리콘 웨이퍼 같은 기판에 대하여 특히 탁월한 접착성이 요구되는 경우 최고 40몰% 까지 사용된다. 40몰% 를 초과하면 수지의 용해도가 급격히 감소하여 형상 잔류물(scum)이 발생하므로 패턴 가공이 실행 불가능해져 바람직하지 않다. 부수적으로, 사용되는 X, Y 및 Z 각각은 한가지 종류 혹은 2가지 이상의 혼합물이 될 수도 있다.
본 발명에서 사용되는 감광성 물질(B)은 하기 일반식(5)로 표현되는 골격 구조를 가진 페놀 화합물의 1,2-나프토퀴논-2-디아지드-5-술포네이트 에스테르 화합물 혹은 1,2-나프토퀴논-2-디아지드-4-술포네이트 에스테르 화합물이다. 식(5)로 표현되는 유사 물질이 사용되는 예가 JP-A-2000-275833 에 개시되었다.
Figure 112003041967509-pct00069
삭제
상기의 유사 물질을 사용하여 감도 증가에 있어서 다소의 효과를 얻음에도 불구하고, 코팅막이 더 두꺼운 막으로 변이해가는 최근 추세에 따라 더 높은 감도가 요구된다. 이러한 상황을 고려하여 다양한 감광성 물질을 연구한 결과, 본 발명의 식(5)로 표현되는 골격 구조를 가진 페놀 화합물의 1,2-나프토퀴논-2-디아지드-5-술포네이트 에스테르 화합물 혹은 1,2-나프토퀴논-2-디아지드-4-술포네이트 에스테르 화합물이 고감도를 제공한다는 사실이 밝혀졌다.
본 발명에서 사용되는 식(5)로 표현되는 골격 구조를 가진 페놀 화합물의 1,2-나프토퀴논-2-디아지드-5-술포네이트 에스테르 화합물 혹은 1,2-나프토퀴논-2-디아지드-4-술포네이트 에스테르 화합물의 에스테르화도에 관해서는 1몰의 페놀 화합물에 대하여 2몰 이상의 1,2-나프토퀴논-2-디아지드-5-술폰산 혹은 1,2-나프토퀴논-2-디아지드-4-술폰산이 에스테르화되는 것이 바람직하다. 3몰 이상이 에스테르화되는 것이 더욱 바람직하다.
본 발명에서 폴리아미드(A)에 첨가되는 감광성 물질(B)의 양은 100중량부의 폴리아미드에 대하여 1 내지 50중랑부이다. 첨가량이 하한값 보다 작을 경우 수지의 패턴화 능력이 손상되는 반면, 상한값 보다 클 경우 감도가 크게 떨어지므로 바람직하지 않다.
필요시 감광성을 향상시키기 위하여 디히드로피리딘 유도체를 본 발명의 포지티브형 감광성 수지 조성물에 첨가할 수 있다. 디히드로피리딘 유도체는 예컨대, 2,6-디메틸-3,5-디아세틸-4-(2'-니트로페닐)-1,4-디히드로피리딘, 4-(2'-니트로페닐)-2,6-디메틸-3,5-디카르보에톡시-1,4-디히드로피리딘 및 4-(2',4'-디니트로페닐)-2,6-디메틸-3,5-디카르보메톡시-1,4-디히드로피리딘을 포함한다.
본 발명의 포지티브형 감광성 수지 조성물과 조합하여 사용할 수 있는 일반식(6)으로 표현되는 페놀 화합물에 의해 새로운 효과가 얻어지는 것도 발견하였다. 본 발명의 식(5)로 표현되는 골격 구조를 가지는 페놀 화합물의 1,2-나프토퀴논-2-디아지드-5-술포네이트 에스테르 화합물 혹은 1,2-나프토퀴논-2-디아지드-4-술포네이트 에스테르 화합물의 분자 크기는 하기와 같이 일반적으로 사용되는 나프토퀴논 디아지드 술포네이트 에스테르 화합물 보다 크다.

(여기서 Q 는 수소 원자 혹은:
Figure 112006047219968-pct00071
으로부터 선택되고 또한 각 화합물의 적어도 하나의 Q 는 다음의 기이다:)
Figure 112006047219968-pct00072
분자 크기가 큰 감광성 물질은 광범위한 용해를 방지하는 능력을 제공할 수 있는 반면에, 노광에 의해 화학 변화된 큰 분자 크기의 감광성 물질의 용해도는 작은 분자 크기의 감광성 물질보다 다소 낮기 때문에, 기본 수지와 일부 조합하는 패턴의 코너부에 성장 잔류물(스컴)이 남아있는 경우도 있다. 이 같은 경우, 작은 분자 크기의 페놀 화합물을 첨가하여 성장 현상액에 대한 감광성 물질의 전체 용해도를 향상시켜 더 큰 해상도 및 감도를 가져올 수 있다.
일반식(6) 으로 표현되는 페놀 화합물(C)은 하기와 같은 화합물을 포함하나 이들에 한정되는 것은 아니다.
Figure 112003041967262-pct00020
Figure 112003041967262-pct00021
Figure 112003041967262-pct00022
Figure 112003041967262-pct00023
Figure 112003041967262-pct00024
Figure 112003041967262-pct00025
Figure 112003041967262-pct00026
첨가되는 페놀 화합물(C)의 양은 바람직하게는 일반식(1)로 표현되는 폴리아미드 100중량부에 대해 1 내지 30중량부이다. 첨가되는 페놀 화합물의 양이 상한값을 초과하면 냉장 보관 동안의 침전과 함께 잔막율의 현저한 감소 가능성이 있다. 첨가량이 하한값에 못미치면 현상시 감도의 감소 가능성이 있다.
레벨링제 및 실란 커플링제 같은 첨가제를 필요시 본 발명의 포지티브형 감광성 수지 조성물에 첨가할 수 있다.
이들 작용제는 본 발명에서 용매에 용해되고 또한 바니시 형태로 사용된다. 용매는 N-메틸-2-피롤리돈, γ-부티로락톤, N,N-디메틸아세타미드, 디메틸 술폭시드, 디에틸렌 글리콜 디메틸 에테르, 디에틸렌 글리콜 디에틸 에테르, 디에틸렌 글리콜 디부틸 에테르, 프로피렌 글리콜 모노메틸 에테르, 디프로피렌 글리콜 모노메틸 에테르, 프로피렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트, 메틸 락테이트, 에틸 락테이트, 부틸 락테이트, 메틸-1,3-부틸렌 글리콜 아세테이트, 1,3-부틸렌 글리콜-3-모노메틸 에테르, 메틸 피루베이트, 에틸 피루베이트, 메틸-3-메톡시 프로피오네이트 등을 포함하며, 이들을 단독으로 혹은 혼합물 형태로 사용하기도 한다.
본 발명의 포지티브형 감광성 수지 조성물을 사용하는 방법에 있어서, 먼저 상기 조성물을 적당한 기본 재료, 예컨대 실리콘 웨이퍼, 세라믹 기판 및 알루미늄 기판 등에 도포한다. 코팅량은 반도체 장치의 경우 경화 후의 코팅막 최종 두께가 0.1 내지 30㎛ 가 되도록 하는 값으로 결정된다. 막두께가 0.1㎛ 이하인 경우 반도체 소자의 표면 보호막으로서의 기능을 충분히 제공하기 어려워지고 또한 막두께가 30㎛ 이상인 경우 미세 가공된 패턴을 얻기 어려울 뿐만 아니라 가공 시간의 지연으로 인하여 처리율이 낮아진다. 도포 방법은 스피너를 이용하는 회전 도포, 스프레이 코터를 사용하는 분무 도포, 침지, 인쇄 및 로울 도포 등을 포함한다.
두번째로, 코팅막을 60 내지 130℃ 에서 프리베이킹에 의해 건조하고 다시 화학선을 조사하여 원하는 패턴으로 만든다. 사용되는 화학선은 X-선, 전자선, 자외선, 가시광선 등을 포함하며, 200 내지 500nm 의 파장을 갖는 것이 바람직하다.
세번째로, 노광 영역을 현상액으로 용해하여 양각 패턴을 얻는다. 적절히 이용되는 현상액은 수산화나트륨, 수산화칼륨, 탄산나트륨, 규산나트륨, 메타규산나트륨 및 수성 암모니아 등의 무기 알칼리류, 에틸렌아민 및 n-프로필아민 같은 1차 아민류, 디에틸아민 및 디-n-프로필아민 같은 2차 아민류, 트리에틸아민 및 메틸디에틸아민 같은 3차 아민류, 디메틸에탄올 아민 및 트리에탄올 아민 같은 알코올 아민류, 테트라메틸암모늄 히드록시드와 테트라에틸암모늄 히드록시드 같은 4차 암모늄염 등의 알칼리 수용액과, 또한 메탄올 및 에탄올 같은 수용성 유기 용매나 계면활성제를 상기 알칼리 수용액에 적정량을 첨가하여 얻은 수용액을 포함한다. 현상 방법으로서, 분무, 패들링, 침지 및 초음파법 등을 사용할 수 있다.
마지막으로, 현상에 의해 형성된 양각 패턴을 세척한다. 세척에는 증류수를 사용한다. 옥사졸 고리 및/또는 이미드 고리가 열처리에 의해 형성되며 이로써 내열성이 풍부한 최종 패턴을 얻을 수 있다.
본 발명의 포지티브형 감광성 수지 조성물은 반도체 뿐만 아니라 다층 회로 용도의 층간 절연체, 연성 동장판 (cupperclad plate) 용도의 커버코팅, 납땜 레지스트막, 액정 배향층 등에 있어서 유용하다. 공지의 가공 단계를 반도체의 기타 제조 단계에 이용할 수도 있다.
본 발명을 다음의 실시예를 통하여 더 구체적으로 기술한다.
실시예 1
* 폴리아미드의 합성
0.9몰의 테레프탈산, 0.1몰의 이소프탈산 및 2몰의 1-히드록시-1,2,3-벤조트리아졸을 반응시켜 얻은 360.4g(0.9몰)의 중탄산 유도체와 또한 366.3g(1몰)의 헥사플루오로-2,2-비스(3-아미노-4-히드록시 페닐)프로판을 온도계, 교반기, 투입구 및 무수질소 기체 도입관이 장착된 4목 분리형 플라스크에 충전하였고, 3,000g 의 N-메틸-2-피롤리돈을 첨가하여 용해시켰다. 이로부터 얻어진 혼합물을 유조(oil bath) 내에서 75℃ 온도로 12시간 반응시켰다.
상기 혼합물에 다시 N-메틸-2-피롤리돈 500g에 용해된 32.8g(0.2몰)의 5-노르보넨-2,3-디카르복실산 무수물을 첨가하고 교반하면서 다시 12시간 동안 반응시켰다. 여과후, 반응 혼합물을 3/1 비율의 물/메탄올 용액에 첨가했다. 침전물을 여과하여 수득한 케이크를 물로 충분히 세척한 뒤 감압 건조하여 일반식(1)로 표현되는 원하는 폴리아미드(PA-1)를 수득했으며 여기서, X 는 하기의 식(X-1)로 표현되고 Y 는 역시 하기의 식(Y-1) 및 (Y-2)의 혼합물이며, a=100 이고 또한 b=0 이었다.
* 포지티브형 감광성 수지 조성물의 제조
합성된 폴리아미드(PA-1) 100g과 또한 하기의 식(Q-1)로 표현되는 구조를 가진 1,2-나프토퀴논-2-디아지드-4-술포네이트 에스테르 화합물 15g 을 200g의 γ-부티로락톤에 용해한 뒤 플루오르카본 수지로 만든 0.2㎛ 필터로 여과해서 포지티브형 감광성 수지 조성물을 얻었다.
* 특성 평가
수득된 포지티브형 감광성 수지 조성물을 스핀코터를 이용하여 실리콘 웨이퍼 상에 도포한 뒤 핫플레이트를 이용하여 120℃ 에서 4분간 건조하여 약 16㎛ 두께의 코팅막을 얻었다. 얻어진 코팅막은 니콘사 제품인 i-라인 스테퍼 NSR-4425i을 이용하여 TOPPAN PRINTING CO., LTD. 에서 제조한 마스크 (시험 번호 1: 0.88 내지 50㎛ 폭을 가진 잔류 패턴 및 제거 패턴을 도시함) 에 통과시켜 다양한 노광량으로 노광시켰다. 실리콘 웨이퍼는 조성물의 노광 영역을 2.38% 테트라메틸암모늄 히드록시드 수용액 내에 80초간 침지시켜서 용해 제거한 후 30초간 순수로 세척하였다. 그 결과, 620mJ/cm2 의 노광량일 때의 노광 영역에서 패턴이 형성되었음을 확인했다 (감도는 620mJ/cm2). 잔막율 [(현상 후 막두께)/(현상 전 막두께) x 100]이 88.1% 이고 해상도는 8㎛ 로서 만족할만한 값이었다. 코팅막을 다시 클린 오븐 내에서 1,000ppm 이하의 산소 농도의 조건하에 150℃/30분 및 320℃/30분에서 경화시켰다. 경화 후의 막두께는 10.8㎛ 이었다.
실시예 2
포지티브형 감광성 수지 조성물은 실시예 1에서 첨가된 감광성 물질(Q-1)의 양을 10g 으로 변경한 것을 제외하고 실시예 1과 유사한 방법으로 얻었으며 실시예 1과 유사한 방법으로 평가했다.
실시예 3
포지티브형 감광성 수지 조성물은 실시예 1에서 첨가된 감광성 물질(Q-1)의 양을 20g 으로 변경한 것을 제외하고 실시예 1과 유사한 방법으로 얻었으며 실시예 1과 유사한 방법으로 평가했다.
실시예 4
포지티브형 감광성 수지 조성물은 실시예 1에서 첨가된 감광성 물질(Q-1)을 (Q-2)로 변경한 것을 제외하고 실시예 1과 유사한 방법으로 얻었으며 실시예 1과 유사한 방법으로 평가했다.
실시예 5
포지티브형 감광성 수지 조성물은 실시예 1에서 첨가된 감광성 물질(Q-1)을 (Q-3)으로 변경한 것을 제외하고 실시예 1과 유사한 방법으로 얻었으며 실시예 1과 유사한 방법으로 평가했다.
실시예 6
X 가 하기의 식(X-1)로 표현되고; Y 가 하기의 식(Y-3)으로 표현되고; a=100 이고 b=0 인 일반식(1)로 표현되는 폴리아미드(PA-2)는 실시예 1의 폴리아미드 합성에서 0.9몰의 테레프탈산 및 0.1몰의 이소프탈산을 사용한 것 대신 1몰의 디페닐에테르-4,4'-디카르복실산을 사용하여 합성했다. 포지티브형 감광성 수지 조성물은 상술한 것을 제외하고 실시예 1과 유사한 방법으로 수득했으며 실시예 1과 유사한 방법으로 평가했다.
실시예 7
X 가 하기의 식(X-2)로 표현되고; Y 가 하기의 식(Y-3)으로 표현되고; a=100 이고 b=0 인 일반식(1)로 표현되는 폴리아미드(PA-3)은 헥사플루오로-2,2-비스(3-아미노-4-히드록시페닐)프로판 대신 1몰의 3,3'-디아미노-4,4'-디히드록시페닐술폰을 사용하여 합성했다. 포지티브형 감광성 수지 조성물은 상술한 것을 제외하고 실시예 1과 유사한 방법으로 수득했으며 실시예 1과 유사한 방법으로 평가했다.
실시예 8
17.1g(0.055몰)의 4,4'-옥시디프탈산 무수물, 13.0g(0.110몰)의 2-메틸-2-프로판올 및 10.9g(0.138몰)의 피리딘으로 된 혼합물을 온도계, 교반기, 투입구 및 무수질소 기체 도입관이 장착된 4목 분리형 플라스크에 충전하고 150g 의 N-메틸-2-피롤리돈을 첨가하여 용해했다. 14.9g(0.110몰)의 1-히드록시-1,2,3-벤조트리아졸 및 30g의 N-메틸-2-피롤리돈을 반응액에 점적한 뒤, 22.7g(0.110몰)의 디시클로헥실-카르보디이미드와 50g의 N-메틸-2-피롤리돈을 상기 용액에 점적하고 실온에서 하룻밤동안 반응시켰다.
이어서, 1몰의 디페닐에테르-4,4'-디카르복실산 및 2몰의 1-히드록시-1,2,3-벤조트리아졸을 반응시켜 수득된 27.1g(0.055몰)의 디카르복실산 유도체 (활성화 에스테르)와 또한 44.8g(0.122몰)의 헥사플루오로-2,2-비스(3-아미노-4-히드록시페닐)프로판 및 70g의 N-메틸-2-피롤리돈을 상기 반응액에 첨가하고 실온에서 2시간 동안 교반했다. 계속해서, 상기 혼합물은 유조를 이용하여 75℃ 에서 12시간 동안 반응시킨 것을 제외하고 실시예 1과 유사하게 반응시켜 일반식(1)로 표현되는 폴리아미드 수지(PA-4)를 합성하였으며, 여기서 X 는 하기의 식(X-1)로 표현되고; Y 는 하기의 식(Y-3) 및 (Y-4) 로 표현되었다. 포지티브형 감광성 수지 조성물은 상술한 것을 제외하고 실시예 1과 유사한 방법으로 수득했으며 또한 실시예 1과 유사한 방법에 따라 평가했다.
실시예 9
포지티브형 감광성 수지 조성물은 실시예 1의 감광성 물질(Q-1)을 (Q-4)로 변경한 것을 제외하고 실시예 1과 유사한 방법으로 얻었으며 실시예 1과 유사한 방법으로 평가했다.
비교예 A
포지티브형 감광성 수지 조성물은 실시예 1의 1,2-나프토퀴논-2-디아지드-4-술포네이트 에스테르 화합물(Q-1)을 (Q-5)로 변경한 것을 제외하고 실시예 1과 유사한 방법으로 얻었으며 실시예 1과 유사한 방법으로 평가했다.
비교예 B
포지티브형 감광성 수지 조성물은 실시예 6의 1,2-나프토퀴논-2-디아지드-4-술포네이트 에스테르 화합물(Q-1)을 (Q-5)로 변경한 것을 제외하고 실시예 6과 유사한 방법으로 얻었으며 실시예 1과 유사한 방법으로 평가했다.
비교예 C
포지티브형 감광성 수지 조성물은 실시예 1의 감광성 물질(Q-1)을 (Q-6)로 변경한 것을 제외하고 실시예 1과 유사한 방법으로 얻었으며 실시예 1과 유사한 방법으로 평가했다.
비교예 1
포지티브형 감광성 수지 조성물은 실시예 1의 감광성 물질(Q-1)을 (Q-7)로 변경한 것을 제외하고 실시예 1과 유사한 방법으로 얻었으며 실시예 1과 유사한 방법으로 평가했다.
비교예 2
포지티브형 감광성 수지 조성물은 실시예 1의 감광성 물질(Q-1)을 (Q-8)로 변경한 것을 제외하고 실시예 1과 유사한 방법으로 얻었으며 실시예 1과 유사한 방법으로 평가했다.
실시예 13
실시예 1에서 사용된 폴리아미드 수지(PA-1) 100g, 하기의 식(Q-1)로 표현되는 구조를 가지는 1,2-나프토퀴논-2-디아지드-4-술포네이트 에스테르 화합물 15g 및 하기 구조를 가지는 페놀(P-1) 15g 으로 된 혼합물을 200g 의 γ-부티로락톤에 용해한 뒤 플루오로카본 수지로 된 0.2㎛ 필터로 여과하여 포지티브형 감광성 수지 조성물을 수득했다. 이 조성물은 실시예 1과 유사한 방식으로 평가했다.
실시예 14
실시예 6에서 사용된 폴리아미드 수지(PA-2) 100g, 하기의 식(Q-1)로 표현되는 구조를 가지는 1,2-나프토퀴논-2-디아지드-4-술포네이트 에스테르 화합물 15g 및 하기 구조를 가지는 페놀(P-1) 15g 으로 된 혼합물을 200g 의 γ-부티로락톤에 용해한 뒤 플루오로카본 수지로 된 0.2㎛ 필터로 여과하여 포지티브형 감광성 수지 조성물을 수득했다. 이 조성물은 실시예 1과 유사한 방식으로 평가했다.
실시예 15
실시예 13의 페놀 화합물(P-1)을 (P-2)로 대체한 것을 제외하고 실시예 13과 유사한 방법으로 포지티브형 감광성 수지 조성물을 수득하였고 실시예 1과 유사한 방식으로 평가하였다.
비교예 D
실시예 13의 1,2-나프토퀴논-2-디아지드-4-술포네이트 에스테르 화합물(Q-1)을 (Q-5)로 대체한 것을 제외하고 실시예 13과 유사한 방법으로 포지티브형 감광성 수지 조성물을 수득하였고 실시예 1과 유사한 방식으로 평가하였다.
비교예 E
실시예 14의 1,2-나프토퀴논-2-디아지드-4-술포네이트 에스테르 화합물(Q-1)을 (Q-5)로 대체한 것을 제외하고 실시예 14와 유사한 방법으로 포지티브형 감광성 수지 조성물을 수득하였고 실시예 1과 유사한 방식으로 평가하였다.
비교예 F
실시예 15의 1,2-나프토퀴논-2-디아지드-4-술포네이트 에스테르 화합물(Q-1)을 (Q-5)로 대체한 것을 제외하고 실시예 15와 유사한 방법으로 포지티브형 감광성 수지 조성물을 수득하였고 실시예 1과 유사하게 평가하였다.
비교예 3
실시예 13의 1,2-나프토퀴논-2-디아지드-4-술포네이트 에스테르 화합물(Q-1)을 (Q-7)로 대체한 것을 제외하고 실시예 13과 유사한 방법으로 포지티브형 감광성 수지 조성물을 수득하였고 실시예 1과 유사하게 평가하였다.
비교예 4
실시예 13의 1,2-나프토퀴논-2-디아지드-4-술포네이트 에스테르 화합물(Q-1)을 (Q-8)로 대체한 것을 제외하고 실시예 13과 유사한 방법으로 포지티브형 감광성 수지 조성물을 수득하였고 실시예 1과 유사하게 평가하였다.
Figure 112003041967262-pct00027
Q-1:
Figure 112003041967262-pct00028
(여기서, Q 는 수소 원자 혹은:
Figure 112003041967262-pct00029
이고, 전체 Q의 90% 가:
Figure 112003041967262-pct00030
이다.)
Q-2:
Figure 112003041967262-pct00031
(여기서, Q 는 수소 원자 혹은:
Figure 112003041967262-pct00032
이고, 전체 Q의 100% 가:
Figure 112003041967262-pct00033
이다.)
Q-3:
Figure 112003041967262-pct00034
(여기서, Q 는 수소 원자 혹은:
Figure 112003041967262-pct00035
이고, 전체 Q의 75% 가:
Figure 112003041967262-pct00036
이다.)
Q-4:
Figure 112003041967262-pct00037
(여기서, Q 는 수소 원자 혹은:
Figure 112003041967262-pct00038
이고, 전체 Q의 90% 가:
Figure 112003041967262-pct00039
이다.)
Q-5:
Figure 112003041967262-pct00040
(여기서, Q 는 수소 원자 혹은:
Figure 112003041967262-pct00041
이고, 전체 Q의 90% 가:
Figure 112003041967262-pct00042
이다.)
Q-6:
Figure 112003041967262-pct00043
(여기서, Q 는 수소 원자 혹은:
Figure 112003041967262-pct00044
이고, 전체 Q의 90% 가:
Figure 112003041967262-pct00045
이다.)
Q-7:
Figure 112003041967262-pct00046
(여기서, Q 는 수소 원자 혹은:
Figure 112003041967262-pct00047
이고, 전체 Q의 67% 가:
Figure 112003041967262-pct00048
이다.)
Q-8:
Figure 112003041967262-pct00049
(여기서, Q 는 수소 원자 혹은:
Figure 112003041967262-pct00050
이고, 전체 Q의 70% 가:
Figure 112003041967262-pct00051
이다.)
P-1:
Figure 112003041967262-pct00052
P-2:
Figure 112003041967262-pct00053
실시예 1 내지 9, 비교예 A, B 및 C 또한 비교예 1 및 2에서의 평가 결과는 표 1에서 보는 바와 같으며 실시예 13 내지 15, 비교예 D, E 및 F 또한 비교예 3 및 4에서의 평가 결과는 표 2에서 보는 바와 같다.
성분량 특성
폴리아미드(PA) 100g 아민 산 감광성 물질(Q)(g) 감도 (mJ/cm2) 잔막율(%) 해상도 (㎛)
실시예 1 PA-1 X-1 Y-1, Y-2 Q-1 15 620 88.1 8
실시예 2 PA-1 X-1 Y-1, Y-2 Q-1 10 570 85.3 9
실시예 3 PA-1 X-1 Y-1, Y-2 Q-1 20 660 91.8 8
실시예 4 PA-1 X-1 Y-1, Y-2 Q-2 15 630 89.7 8
실시예 5 PA-1 X-1 Y-1, Y-2 Q-3 15 600 86.9 9
실시예 6 PA-2 X-1 Y-3 Q-1 15 630 87.3 8
실시예 7 PA-3 X-2 Y-3 Q-1 15 590 86.9 8
실시예 8 PA-4 X-1 Y-3, Y-4 Q-1 15 630 87.7 8
실시예 9 PA-1 X-1 Y-1, Y-2 Q-4 15 850 87.7 7
비교예 A PA-1 X-1 Y-1, Y-2 Q-5 15 690 85.2 12
비교예 B PA-2 X-1 Y-3 Q-5 15 710 85.9 10
비교예 C PA-1 X-1 Y-1, Y-2 Q-6 15 880 85.9 10
비교예 1 PA-1 X-1 Y-1, Y-2 Q-7 15 810 83.2 13
비교예 2 PA-1 X-1 Y-1, Y-2 Q-8 15 790 84.3 12
* 잔막율: (현상 후 막두께)/(현상 전 막두께) x 100
삭제
성분량 특성
폴리아미드 (PA) 100g 아민 산 감광성 물질(Q)(g) 페놀 화합물(P)(g) 감도 (mJ/cm2) 잔막율(%) 해상도 (㎛)
실시예13 PA-1 X-1 Y-1, Y-2 Q-1 15 P-1 15 480 82.2 3
실시예14 PA-2 X-1 Y-3 Q-1 15 P-1 15 450 82.9 3
실시예15 PA-1 X-1 Y-1, Y-2 Q-1 15 P-2 15 440 82.6 4
비교예 D PA-1 X-1 Y-1, Y-2 Q-5 15 P-1 15 550 81.8 6
비교예 E PA-2 X-1 Y-3 Q-5 15 P-1 15 540 80.1 6
비교예 F PA-1 X-1 Y-1, Y-2 Q-5 15 P-2 15 520 79.7 6
비교예 3 PA-1 X-1 Y-1, Y-2 Q-7 15 P-1 15 590 81.5 7
비교예 4 PA-1 X-1 Y-1, Y-2 Q-8 15 P-1 15 570 81.7 7
* 잔막율: (현상 후 막두께)/(현상 전 막두께) x 100
삭제
실시예 19
실시예 1에서 이용된 포지티브형 감광성 수지 조성물을 스핀코터를 이용하여 실리콘 웨이퍼에 도포했고 이어서 박스형 오븐 내에서 90℃ 로 30분간 건조하여 약 50㎛ 두께의 코팅막을 얻었다. 얻어진 코팅막은 캐논사 제품인 마스크얼라이너 PLA-600F를 이용하여 TOPPAN PRINTING CO., LTD. 에서 제조한 마스크 (시험 번호 1: 0.88 내지 50㎛ 폭을 가진 잔류 패턴 및 제거 패턴을 도시함) 에 통과시켜 3,000mJ 의 노광량으로 노광시켰다. 노광 영역 내의 코팅막을 2.38% 테트라메틸암모늄 히드록시드 수용액 내에 150초간 침지시켜서 용해 제거한 후, 실리콘 웨이퍼를 30초간 순수로 세척하였다. 그 결과, 40㎛ 의 패턴이 형성되었음을 확인했다. 잔막율 [(현상 후 막두께)/(현상 전 막두께) x 100] 은 80.4% 이었다. 코팅막을 다시 클린 오븐 내에서 1,000ppm 이하의 산소 농도의 조건하에 150℃/30분 및 320℃/30분에서 경화시켰다. 경화 후의 막두께는 28.8㎛ 이었다.
비교예 5
실시예 1에서 사용한 포지티브형 감광성 수지 조성물을 스핀코터를 이용하여 실리콘 웨이퍼 상에 도포했고, 이어서 박스형 오븐 내에서 90℃ 로 30분간 건조하여 약 50㎛ 두께의 코팅막을 얻었다. 얻어진 코팅막은 캐논사 제품인 마스크얼라이너 PLA-600F를 이용하여 TOPPAN PRINTING CO., LTD. 에서 제조한 마스크 (시험 번호 1: 0.88 내지 50㎛ 폭을 가진 잔류 패턴 및 제거 패턴을 도시함) 에 통과시켜 3,000mJ 의 노광량으로 노광시켰다. 2.38% 테트라메틸암모늄 히드록시드 수용액을 이용하여 패턴의 코팅막을 제거하는데 170초나 소요되었다. 마찬가지로, 실리콘 웨이퍼를 30초간 순수로 세척하였다. 그 결과, 60㎛ 의 패턴이 형성되었음을 확인했다. 잔막율 [(현상 후 막두께)/(현상 전 막두께) x 100] 은 72.1% 이었다. 코팅막을 다시 클린 오븐 내에서 1,000ppm 이하의 산소 농도의 조건하에 150℃/30분 및 320℃/30분에서 경화시켰다. 경화 후의 막두께는 실시예 19의 경우보다 약간 얇은 25.2㎛ 이었다.
상기의 실시예에서 명확한 바와 같이, 본 발명에 있어서 종래의 특성을 그대로 유지하면서 막두께가 큰 경우에도 고해상도 및 고잔막율의 패턴을 형성할 수 있는 고감도의 포지티브형 감광성 수지 조성물을 얻을 수 있다.
본 발명의 포지티브형 감광성 수지는 반도체 뿐만 아니라 다층 회로 용도의 층간 절연체, 연성 동장판 용도의 커버 코팅, 납땜 레지스트막, 액정 배향층 등에 있어서도 유용하다.

Claims (16)

  1. 다음의 일반식(1)으로 표현되는 폴리아미드(A) 100중량부:
    Figure 112006047219968-pct00054
    [여기서, X 는 히드록실기나 혹은 히드록실기의 수소원자가 1 내지 20 개 탄소원자를 가진 유기기에 의해 치환되는 기를 가질 수 있는 2 내지 4가의 고리화합물 기이고; Y 는 히드록실기, 히드록실기의 수소원자가 1 내지 20 개 탄소원자를 가진 유기기에 의해 치환되는 기, 카르복실기 혹은 카르복실기의 수소원자가 1 내지 20 개 탄소원자를 가진 유기기에 의해 치환되는 기를 가질 수 있는 2 내지 4가의 고리화합물 기이고; Z 는:
    Figure 112006047219968-pct00055
    (여기서, R1 및 R2 는 각각 2가의 유기기이고; R3 및 R4 는 각각 1가의 유기기이다) 이고; a 및 b 는 각각 몰분율로서; a + b = 100몰%; a = 60 내지 100몰%; b = 0 내지 40몰% 이다]; 및 1 내지 50중량부의 감광성 물질(B) 즉, 다음의 일반식(5)로 표현되는 골격 구조를 가진 페놀 화합물의 1,2-나프토퀴논-2-디아지드-5-술포네이트 에스테르 화합물 혹은 1,2-나프토퀴논-2-디아지드-4-술포네이트 에스테르 화합물:
    Figure 112006047219968-pct00070
    을 포함하는 것을 특징으로 하는 포지티브형 감광성 수지 조성물.
  2. 제1항에 있어서,
    폴리아미드(A)는 다음 일반식(3):
    Figure 112006047219968-pct00057
    [여기서, X 는 4가의 고리화합물 기이고; Y 는 2가 고리화합물 기이고; Z 는:
    Figure 112006047219968-pct00058
    (여기서, R1 및 R2 는 각각 2가의 유기기이고; R3 및 R4 는 각각 1가의 유기기이다) 이고; E 는 적어도 하나의 알케닐기나 알키닐기를 가진 지방족 기 혹은 고리화합물 기이고; a 및 b 는 각각 몰분율로서; a + b = 100몰%; a = 60 내지 100몰%; b = 0 내지 40몰% 이고; n 은 2 내지 500 이다)] 으로 표현되는 포지티브형 감광성 수지 조성물.
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    일반식(1) 혹은 일반식(3)으로 표현되는 100중량부의 폴리아미드(A) 에 대하여 다음 일반식(6)으로 표현되는 1 내지 30 중량부의 페놀 화합물(C)을 더 포함하는 포지티브형 감광성 수지 조성물:
    Figure 112006047219968-pct00061
    (여기서, R11, R12, R13 및 R14 는 각각 수소 원자, 할로겐 원자, 알킬기, 알콕시기 및 시클로알킬기 중에서 선택되고 또한 서로 같거나 상이할 수 있으며; p 는 0 내지 3의 정수이고; q 는 0 내지 3의 정수이며; p + q ≥2 이고; R15 는 단일 결합, 메틸렌기, 알킬렌기, 산소 원자, 카르보닐기, 카르보닐 에테르기, 황 원자, 술포닐기 및 아조기 중에서 선택된다).
  6. 제1항에 있어서,
    일반식(1)로 표현되는 폴리아미드의 X 는 하기의 기 중에서 선택되는 포지티브형 감광성 수지 조성물:
    Figure 112006047219968-pct00062
    (여기서, 각각의 R16 은 수소 원자, 알킬기, 알콕시기, 알킬 에스테르기 및 할로겐 원자로부터 선택되고 서로 동일하거나 상이할 수 있으며; r 은 0 내지 2의 정수이다).
  7. 제2항에 있어서,
    일반식(3)으로 표현되는 폴리아미드의 X 는 하기의 기 중에서 선택되는 포지티브형 감광성 수지 조성물:
    Figure 112006047219968-pct00063
  8. 제1항에 있어서,
    일반식(1)로 표현되는 폴리아미드의 Y 는 하기의 기 중에서 선택되는 포지티브형 감광성 수지 조성물:
    Figure 112006047219968-pct00064
    (여기서, 각각의 R16 은 수소 원자, 알킬기, 알콕시기, 알킬 에스테르기 및 할로겐 원자로부터 선택되고 서로 동일하거나 상이할 수 있으며; r 은 0 내지 2의 정수이다).
  9. 제2항에 있어서,
    일반식(3)으로 표현되는 폴리아미드의 Y 는 하기의 기 중에서 선택되는 포지티브형 감광성 수지 조성물:
    Figure 112006047219968-pct00065
    (여기서, 각각의 R16 은 수소 원자, 알킬기, 알콕시기, 알킬 에스테르기 및 할로겐 원자로부터 선택되고 서로 동일하거나 상이할 수 있으며; r 은 0 내지 2의 정수이다).
  10. 제1항에 있어서,
    일반식(1)로 표현되는 폴리아미드의 말단기가 알케닐기나 알키닐기 중 적어도 하나를 가진 지방족 기 혹은 고리화합물 기와 결합되는 포지티브형 감광성 수지 조성물.
  11. 제1항 또는 2항에 있어서,
    일반식(1) 또는 일반식(3)으로 표현되는 폴리아미드의 말단기가 하기의 기 중에서 선택되는 포지티브형 감광성 수지 조성물:
    Figure 112006047219968-pct00066
  12. 제5항에 있어서,
    일반식(1) 또는 일반식(3)으로 표현되는 폴리아미드의 말단기가 하기의 기 중에서 선택되는 포지티브형 감광성 수지 조성물:
    Figure 112006047219968-pct00067
  13. 제1항 또는 제2항에 따른 포지티브형 감광성 수지 조성물을 이용하여 제조한 반도체 장치.
  14. 제5항에 따른 포지티브형 감광성 수지 조성물을 이용하여 제조한 반도체 장치.
  15. 제1항 또는 제2항에 따른 포지티브형 감광성 수지 조성물을 반도체 소자에 도포하여 상기 포지티브형 감광성 수지 조성물의 막두께가 가열, 탈수 및 고리화 처리 후 0.1 내지 30㎛ 가 되도록 하고, 그 뒤에 프리베이킹, 노광, 현상 및 가열 처리를 행함으로써 얻어지는 반도체 장치.
  16. 제5항에 따른 포지티브형 감광성 수지 조성물을 반도체 소자에 도포하여 상기 포지티브형 감광성 수지 조성물의 막두께가 가열, 탈수 및 고리화 처리 후 0.1 내지 30㎛ 가 되도록 하고, 그 뒤에 프리베이킹, 노광, 현상 및 가열 처리를 행함으로써 얻어지는 반도체 장치.
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