KR100825549B1 - 이방성 결정막을 도너로부터 리셉터로 전사하기 위한방법과 장치, 및 도너 - Google Patents

Abstract

본원 발명은 이방성 결정막을 형성하는 방법으로서, 베이스(104)와, 베이스에 결합된 이방성 결정막(102)을 포함하는 도너(103)와, 리셉터(101)를 제공하는 단계를 포함한다. 이방성 결정막의 적어도 일부분은 리셉터와 접촉하여 배치된다. 로딩(105)이 베이스의 적어도 일부분으로 인가되어, 상기 도너와 리셉터 상으로 전단 및 압축 응력을 제공하고, 상기 리셉터 상으로 이방성 결정막의 적어도 일부분을 전사하며, 상기 베이스로부터 이방성 결정막의 적어도 일부분을 얇은 막으로 분리한다.

Description

이방성 결정막을 도너로부터 리셉터로 전사하기 위한 방법과 장치, 및 도너{METHOD AND DEVICE FOR TRANSFERRING ANISOTROPIC CRYSTAL FILM FROM DONOR TO RECEPTOR, AND THE DONOR}

본 발명은 이방성 막을 제조하기 위한 분야에 관한 것이다. 특히 도너 플레이트로부터 리셉터 플레이트로 이방성 결정막을 전사(transfer)하기 위한 방법 및 장치에 관한 것이다.

특별 제조 작업을 통하여 다환 유기 화합물(polycyclic organic compounds)로부터 얻어져, 고도의 이방성, 내열성 및 내광성을 특징으로 하는 광학적으로 이방성인 결정막이 공지되어 있다. 상기한 막들의 제조 기술은 비교적 간단하지만, 막의 파라미터들의 재현성(reproducibility)을 제공하기 위해서는 특정 장비와 정밀한 제조 조건의 준수가 요구된다. 미리 예비 제조된 부품의 조합을 주로 나타내는 라이트(light), 표시(indicatory) 및 다른 장치의 제조 동안에는, 막들과 상기 막을 기초로 하는 부품을 제조하기 위하여 추가의 제조 공정을 병합하는 것이 어려울 때가 있다. 복잡한 구조(configuration) 또는 작은 패턴 특징(pattern feature)으로 이방성 코팅을 제조하는 것이 필요한 경우 추가의 과제가 발생한다. 이러한 경우, 보통은 공지된 방법을 통하여 연속적인 이방성 코팅을 형성하고, 그 리고 나서 상기 코팅의 특정 부분을 제거하는 것이다. 예컨대, 스카치 테이프를 이용하여 코팅 부분을 제거하는 공지된 방법이 있다. 스카치 테이프는 코팅의 벗겨질 막의 영역에 부착되어, 테이프가 벗겨진 후에 기판상에 나머지 코팅은 원하는 형태를 가진다. 이러한 공지 기술은 특별한 장비를 필요로 하지 않지만, 나머지 영역의 에지에서의 이방성 정도와 상기 코팅의 선명한 에지를 충분히 제공하지 않으며, 작은 사이즈의 소자를 얻을 만큼 충분히 재현가능하지 않다. 다른 어려움은, 이방성 결정막에 다양한 압축 및 전단 응력의 인가로 인한 결정 질서도(degree of crystalline order)의 저하 가능성이다. 또한, 이방성 결정막의 표면 거칠기(roughness)는 스카치 테이프가 벗겨질 때 증가될 수 있다.

원하는 형태(configuration)를 가지는 편광 코팅을 제조하기 위해서는, 물에 용해가능한 래커(water-soluble lacquer)의 패턴층을 이용할 수 있다. 래커를 응고시킨 후에 노광된 편광 코팅은 적절한 용제(물 또는 유기 용제와 물의 혼합물)에 의해 씻겨나간다. 그러나, 이러한 방법도 여러 가지 추가 제조 작업(추가의 제조 스테이션의 설치)을 필요로 하며, 이러한 방법의 실행에 있어서는 적합한 화학 약품(편광 코팅용 래커, 보호제 래커를 제거하기 위한 용제 등의 적당한 합성물)을 선택하는데 어려움이 발생한다.

다양한 구성을 가진 유기 염료로부터 얻어진 편광막의 제조를 위한 특별한 제조 공정의 설비를 피할 수 있는 기술이 개발되고 있다(스테랄(Staral) 등의 미국 특허 제5,693,446호). 이러한 기술은 소위 도너라고 하는 베이스 상에 미리 제조된 편광막을 사용하는 것을 기초로 한다. 이러한 기술은 전사될 코팅 영역의 국부 가 열의 결과로서 매스 트랜스퍼(mass transfer)의 공지된 방법과 관련되어 있다(쵸우 등의 미국 특허 제5,506,189호). 가열은 열소자(thermal element) 및 레이저 방사 등을 통하여 수행될 수 있다. 이러한 방법은 고해상도의 패턴을 가지고 임의의 형상의 편광 코팅을 얻는 것을 가능하게 한다.

이러한 방법의 수행시 어려움은, 우선 전사를 수행하는데 필요한 온도까지 국부적으로 가열될 때 상기 코팅의 광학 특성의 열화 가능성 및 전사 편광 코팅의 구조와 관련되어 있다. 편광 코팅은 농도전이형 액정(LLC) 염료로부터 얻어지며, 그 분자들은 초분자 복합물(supramolecular complexes)로 응집된다. LLC를 기판상에 도포하고 외부 전단 응력을 가한 후에는 초분자 복합물은 상기 영향(influence)의 방향으로 정렬되게 된다. 상기 막이 건조(용제의 제거) 후에, 분자의 정렬이 유지된다. 따라서, 상기 농도 전이형 액정으로부터 얻어진 결정 질서 또한 보존된다.

이방성 결정막의 광학적, 자기, 또는 전기적 성질, 편광 특성은 결정 질서와 관련되어 있다. 이방성 결정막에 가해진 열은 잠재적으로 결정 질서를 감소시키며, 그리하여 이방성 또한 열화된다. 가열로 인하여 결정 질서를 파괴할 위험성은 특정 물질, 온도의 증가, 이방성 결정막의 상태, 주변 조건 등에 의해 실질적으로 증가될 수 있다. 따라서, 가열의 이용은 일반적으로 상기 기술에 있어서 바람직하지 않다.

다른 발생할 수 있는 문제점은 예비 활성화(preliminary activation), 즉 상기 막의 전사 영역으로 미리 영향을 미쳐 상기 구조 내의 분자들 또는 초분자 복합물 사이의 결합을 약하게 함으로써, 상당히 낮은 압력에서 도너 플레이트로부터 리 셉터 플레이트까지 막의 전사 영역을 제공하게 된다. 이것은, 벌크 재료와 패턴의 에지에서 이방성의 감성(degradation)을 초래하지 않는다.

일반적인 복잡함(complexity)뿐만 아니라, 가열 및 활성화 촉진 전사 기술( heating and activation facilitated transfer technologies)은 모두 전사 후 행해진 도너 필름의 필오프(peel-off)에 의해 생긴 거칠기로 피해를 받는다.

필오프 응력은 확장(expansion) 성분과 전단 성분(shear component)을 포함한다. 양 성분은 이방성 결정막 내에 배향된 분자를 교란시킨다. 상기 교란은 표면 평면으로부터 분자의 쌍극자의 편향을 포함하여, 상기 표면에 부착된 이방성 결정막 물질층의 광범위한 왜곡을 만들어낸다. 특히, 광학적, 자기적, 전기적, 강자성 및 임의의 다른 성질이 교란될 수 있다.

한편, 정확하게 미리 한정된 두께를 가지는 이방성 결정막의 제조는 다환 유기 화합물 용액으로부터 직접 상기 막이 제조되는 경우 복잡한 작업이다. 그리하여, 상기 두께는 다양한 두께를 가진 다수의 동일한 이방성 결정막을 이용하여 조정된다. 이것은 이방성 결정막 두께의 크기의 차수(order)가 수십 나노미터에서 수백 미크론까지 아주 광범위한 범위에서 다양하기 때문에 가능한 것이다. 균일한 막을 얻기 위하여 막간 인터페이스로부터 모든 결함을 제거하는 것이 바람직하다. 인터페이스 경계의 임의의 트레이스(Trace)가 간섭 효과를 발생하여 광학적 성질을 악화시키기 때문에, 막들의 인터페이스도 역시 새로 설비하는 것이 바람직하다. 이상 설명된 필오프 교란(peel-off disturbance)은 다중층의 성질에 실질적으로 영향을 미칠 수 있으며, 추가적으로 인터페이스 효과(interface effects)를 만들어낸 다.

본 발명은, 도너로부터 전사를 통하여 리셉터 상에 이방성 결정막을 제조하는 방법을 제공하는 것이다. 본 방법은, 도너로부터 리셉터로 전사된 이방성 결정막의 표면층의 정렬을 유지할 수 있다. 본 방법은 약 수십 나노미터에서 수십 미크론의 범위 내에서 임의의 주어진 두께의 패터닝된 다중층 이방성 결정막을 제조하는데 이용될 수 있다. 상기 이방성 결정막은 다환 유기 화합물의 용액으로부터 초기에 준비될 수 있다.

본 방법 발명은, 베이스와 상기 베이스에 인접되는 이방성 결정막을 구비하는 도너와, 리셉터를 제공하는 단계를 포함한다. 이방성 결정막의 적어도 일부는 리셉터와 접촉하여 배치된다. 로딩(loading)이 베이스의 적어도 일부에 인가됨으로써, 도너와 리셉터 상으로 전단 및 압축 응력(shear and compressive stress)을 제공하고, 리셉터 상으로 이방성 결정막의 적어도 일부를 전사하며, 베이스로부터 이방성 결정막의 적어도 일부를 얇은 층으로 분리한다(delaminating).

도 1은 본 발명의 일실시예에 따라 나이프 전사를 이용하는 이방성 결정막의 제조 방법을 개략적으로 나타내는 도면이다.

도 2는 본 발명의 일실시예에 따라 도너, 리셉터 및 이방성 결정막에 인가된 압축 및 전단 응력을 개략적으로 나타내는 도면이다.

도 3은 본 발명의 일실시예에 따라 고정 로딩 장치(stationary loading device)에 대하여 도너와 리셉터가 움직이는 것을 개략적으로 나타내는 도면이다.

도 4는 본 발명의 일실시예에 따라 압축 및 전단 응력을 생성하는데 이용된 롤(roll)을 개략적으로 나타내는 도면이다.

도 5는 본 발명의 일실시예에 따라 압축 및 전단 응력을 생성하는데 이용된 2개의 나이프를 개략적으로 나타내는 도면이다.

도 6은 본 발명의 일실시예에 따라 압축 및 전단 응력을 생성하는데 이용된 두개의 롤을 개략적으로 나타내는 도면이다.

도 7은 본 발명의 일실시예에 따라 리셉터의 외부 표면상의 나이프 프레스와, 도너의 외부 표면상의 롤프레스를 개략적으로 나타내는 도면이다.

도 8은 본 발명의 일실시예에 따라 리셉터의 표면이 전처리(pretreated)되는 제조 방법을 개략적으로 나타내는 도면이다.

도 9는 본 발명의 일실시예에 따라 도너의 표면이 전처리되는 제조방법을 개략적으로 나타내는 도면이다.

도 10은 본 발명의 일실시예에 따라 압축 응력으로 도너와 리셉터를 전처리하는 것을 개략적으로 나타내는 도면이다.

도 11은 본 발명의 일실시예에 따라 다양한 방향의 편광 투과축을 가지는 단편(fragment)을 포함하는 이방성 결정막을 개략적으로 나타내는 도면이다.

도 12는 본 발명의 일실시예에 따라 착색된 단편을 포함하는 이방성 결정막을 개략적으로 나타내는 도면이다.

도 13은 본 발명의 일실시예에 따라 도너의 일부에 인가된 전단 및 압축 응 력을 개략적으로 나타내는 도면이다.

도 14는 본 발명의 일실시예에 따라 접착 재료를 포함하는 도너를 이용하는 제조 방법을 개략적으로 나타내는 도면이다.

도 15는 본 발명의 일실시예에 따라 접착 재료를 포함하는 리셉터가 이용된 제조 공정을 개략적으로 나타내는 도면이다.

도 16은 본 발명의 일실시예에 따라 만곡진 리셉터로 이방성 결정막을 전사하는 것을 개략적으로 나타내는 도면이다.

도 17은 본 발명의 일실시예에 따라 다수의 추가 층을 포함하는 리셉터를 개략적으로 나타내는 도면이다.

도 18은 본 발명의 일실시예에 따라 도너로부터 리셉터로의 다중층의 전사를 개략적으로 나타내는 도면이다.

본 발명은 도너(donor)로부터 리셉터(receptor)로 이방성 결정막을 전사하는 방법을 제공한다. 상기 방법은 액정 디스플레이(LCD)와 같은, 편광자 또는 리타더(retarders) 등으로서 이방성 막을 이용하여 장치를 제조하는데 유용하다. 또한, 본 발명의 방법은 자동차 산업, 건축 및 응용 예술을 위한 재료 및 제품의 제조에 유용하다.

일반적으로, 본 발명 방법은 도너로부터 리셉터로 이방성 결정막을 전사한다. 도너는 이방성 결정막과 이방성 막을 위한 기계적 베이스가 되는 베이스를 포함한다. 베이스와 이방성 결정막으로 전단 및 압축 응력을 제공하기 위하여 베이 스의 적어도 일부와 리셉터에 로딩이 인가됨으로써, 리셉터 상으로 이방성 결정막의 적어도 일부를 전사한다. 베이스는 리셉터로 전사된 이방성 결정막으로부터 얇은 층으로 갈라진다. 로딩의 레벨은, 인가된 응력이 도너로부터 리셉터로 이방성 결정막의 전사에 충분하지만 전사된 이방성 결정막의 결정 구조를 파괴하지 않도록 제어된다.

도너는 리셉터와 접촉하여 배치된다. 이방성 결정막은 베이스와 리셉터 사이에 위치된다. 이방성 결정막과 리셉터와의 접촉은 이들 막 사이의 접착 결합(adhesive bond)을 만들어 내고, 상기 결합은 이하에서 설명하는 접촉 표면의 전처리에 의해 보강될 수 있다. 일실시예에서, 도너는 인터페이스 다중층 구조를 포함한다.

그리고 나서, 외부 로딩이 베이스의 외부 표면에 인가된다. 인가된 로딩은 베이스에서 전단 및 압축 응력을 생성한다. 상기 로딩은 비교적 작은 영역에 인가될 수 있지만, 베이스는 응력을 재분배하여, 이방성 결정막의 표면 배향 교란을 방지한다. 압축 응력은 이방성 결정막과 리셉터 사이의 접착 결합을 증대시킨다. 전단 응력은 팽창/압축력보다 항상 더 작기 때문에, 전단 응력은 이방성 결정막과 베이스 사이의 접착 결합을 파괴한다.

따라서, 이방성 결정막의 적어도 일부를 도너로부터 리셉터로 전사하는 것은 리셉터 상의 이방성 결정막의 이어지는 고착(fixing)으로 수행된다. 마지막으로, 상기 베이스가 얇은 층으로 갈라질 수 있다.

인가된 응력의 레벨은, 도너로부터 리셉터로 이방성 결정막의 적어도 일부를 전사하도록 충분히 높으며, 이방성 결정막의 결정구조를 보유하도록 충분히 낮다. 이방성 결정막에 인가된 전단 응력은 정렬 효과(alignment effect)를 제공하여, 이방성 결정막의 이방성을 증강시킨다.

도 1은 도너(103)로부터 전사를 통하여 리셉터(101) 상에 이방성 결정막(102)을 제조하는 방법의 주요 단계를 나타낸다.

도 1A는, 리셉터(101)와 접촉하게 되는 도너(103)의 배치를 나타낸다. 도너(103)는 리셉터(101)로 전사될 적어도 하나의 이방성 결정막(102)을 포함한다. 베이스 막(104)은 이방성 막(102)을 위한 베이스이며, 전체 도너(103)의 부분이다. 이방성 결정막(102)은 도너(103)가 리셉터(101)와 접촉하여 배치되도록 방향(107)으로 이동될 때 리셉터(101)와 대면한다.

도 1B는 리셉터(101)로 이방성 결정막(102)이 전사되는 것을 개략적으로 나타낸다. 나이프(105)가 전단 및 압축 로딩을 생성하기 위한 장치로서 설명을 위해 도 1B에 사용된다. 물론, 다른 장치가 이하에서 설명하는 바와 같이 사용될 수 있다. 나이프(105)는 화살표(108)로 나타낸 바와 같이 도너(103)와 리셉터(101)를 가압한다. 동시에, 나이프(105)가 화살표(106)로 나타낸 바와 같이 도너(103)의 외부 표면을 따라 움직인다. 상술한 처리는 도너(103) 내의 전단 및 압축 응력 분포를 생성하고 베이스 막(104)과 이방성 결정막(102) 사이의 경계상에서 회위(disclination)을 형성한다. 회위는 도 1B에 나타낸 바와 같이 이방성 결정막(102)으로부터 베이스 막(104)의 층 분리(delamination)를 일으킨다. 리셉터(101)는 이방성 결정막(102)과 함께 고정된다. 전단 및 압축 로딩의 결합 작용은 도너(103)로 부터 리셉터(101)로 이방성 결정막(102)의 전사를 만들어낸다. 전단 및 압축 응력의 값은 이방성 결정막의 적어도 일부를 전사할 만큼 충분히 크다. 한편, 전단 및 압축 로딩의 값은 결정 구조, 그 결과로서 전사된 이방성 결정막의 광학 파라미터를 저하시키지 않도록 제어된다.

도 2는 개시된 본 발명의 전사 단계를 더욱 상세하게 나타낸다. 나이프(205)는 전단 및 압축 응력을 생성하기 위한 장치로서 설명을 목적으로 도 2에 더욱 상세하게 나타낸다.

나이프(205)는 도너(203)의 외부 표면(210)을 따라 이동된다. 나이프(205)는 도너(203)으로부터 리셉터(201)로의 방향(208)으로 가압되고, 압축 응력이 이러한 방식으로 생성된다. 동시에, 나이프(205)가 방향(206)으로 이동하여, 마찰에 기인한 도너(203) 내에 전단 응력 분포를 만든다. 상기 마찰이 도너(203)의 외부 표면(210)과 나이프(205) 사이에 존재한다. 라인(211, 212)은 베이스 막(204)과 이방성 결정막(202) 사이 및 도너(203)와 리셉터(201) 사이의 인터페이스를 각각 나타낸다.

나이프 에지 하의 미세 영역을 도 2의 상부의 원 내에 더욱 자세하게 나타낸다. 베이스 막(204)과 이방성 결정막(202)의 두께는 압축 응력에 의해 생성된 압축 스트레인(strain)에 기인하여 나이프(205)의 에지 하에서 감소된다.

빗금선(hatching lines)이 스트레인의 방향과 값을 나타내기 위하여 사용된다. 압축 및 전단 로딩이 상기 막(202, 210, 204)의 탄성 변형을 만들기 때문에, 도 2에 나타낸 스트레인은 상기 응력에 비례한다. 막(201, 202, 204)의 비응력부 (non-stressed portion)는 수직의 빗금선으로 나타낸다. 수직선으로부터의 빗금선의 큰 편향은 빗금 영역 내에서 큰 값의 전단 응력을 나타낸다. 또한, 빗금선의 연속성은 리셉터(201), 이방성 결정막(202) 및 베이스 막(204) 사이의 접착 결합을 설명하기 위해 사용된다. 빗금선은 접착 결합이 각각의 필름 사이에서 존재하는 경우 그 경계(211 또는 212)에서 끊어지지 않고 계속된다. 그밖에는, 빗금선의 불연속성은 막 사이의 접착 결합의 단절을 나타낸다.

이방성 결정막(202)은 전사 전에 베이스막(204)에 접착 결합된다. 일단 도너(203)가 리셉터(201)와 접촉하여 배치되면, 이방성 결정막(202)은 리셉터(201)에 접착 결합한다. 따라서, 나이프(205)의 에지 좌측 상의 빗금선은 연속적으로 양쪽 경계(211, 212)를 가로지른다. 최대 전단 스트레인이 나이프(205) 에지 하부 영역 및 바로 뒤에 존재하므로, 빗금선은 나이프(205)의 바로 뒤와 및 바로 아래에서 최대 경사를 가진다. 막(202 또는 204) 내측 지점이 나이프(205)로부터 멀어져 이동함에 따라서 상기 경사는 감소한다. 리셉터(201)와 이방성 결정막(202) 사이의 접착 결합은 인가된 전단 응력을 극복할 만큼 충분히 강하기 때문에, 경계(212)를 가로지르는 도처에서 빗금선은 연속적이다. 한편, 이방성 결정막(202)과 베이스 막(204) 사이의 접착 결합은 지점(225)에서 불연속적이며, 회위 지점(225)의 우측 상의 베이스 막(204) 부분은 빗금선의 불연속성으로 나타낸 바와 같이, 이방성 결정막(202)으로부터 얇은 층으로 나뉜다.

본 발명의 다양한 실시예를 이하에서 설명하기로 한다. 로딩은 다양한 방식으로 인가될 수 있으며, 다양한 장치가 로딩을 인가하는데 사용될 수 있다. 로딩 장치의 임의의 다양한 결합이 채용될 수 있다. 이방성 결정막, 베이스 막 및 리셉터의 바람직한 전처리를 막 사이의 이음매(seam)의 압축 전처리와 더불어 나타낸다. 다양한 추가의 층이 전단 응력 등에 대하여 충분히 약한 부착성을 가진 접착, 감압 접착층(pressure-sensitive adhesive layer)과 같이 도너 또는 리셉터에 포함될 수 있다. 일실시예에서, 이방성 결정막은 다양한 편광 투과축 등을 가지는 착색 단편(colored fragments)과 같은 다양한 단편을 포함한다. 리셉터에 이방성 결정막의 일부를 전사하기 위한 기능(capabilities)에 있어서의 바람직한 실시예에 대하여 설명한다. 개시된 제조방법은 공정의 시간순서와 관련하여 실시예들을 포함한다. 이하에서 설명된 바람직한 하나의 실시예에서, 이방성 결정막은 박형의 결정막을 포함한다. 개시된 발명은 다중층 막의 제조에 유용하다.

일실시예에서, 도너는 간섭 다층구조(interference multilayer structure)를 더 포함한다. 상기 간섭 다층 구조하에서, 상기 구조의 적어도 2개의 층의 두께가 고려중인 파장 범위의 파장과 동일한 오더인, 2 이상의 층을 포함하는 구조임을 알 수 있다. 일실시예에서, 상기 파장 범위는 가시 파장역이다.

일실시예에서, 도너와 리셉터는 서로 압착된다. 다른 실시예에서 전단 응력이 이방성 결정막과 베이스의 인터페이스 표면을 따라서 인가된다. 양 실시예는 전사를 용이하게 하고 이방성 결정막의 결정 구조를 유지하도록 원하는 방향으로 로딩을 제공한다.

일실시예에서, 로딩 장치는 도너와 리셉터에 대하여 이동된다. 도 1 및 도 2는 도너와 리셉터에 대하여 이동된 로딩 장치가 있는 실시예의 구체예이다.

다른 실시예에서, 도너와 리셉터는 고정 로딩 장치에 대하여 이동된다. 도 3은 이러한 형태의 실시예를 개략적으로 나타낸다. 도너(303)와 리셉터(301)는 고정 나이프(305)에 대하여 방향(306)으로 이동된다. 나이프(305)는 압축 로딩을 생성하기 위하여 방향(308)으로 가압된다. 압축 응력(308)과 이동(306)의 결합결과는 원하는 전단 응력을 만들어낸다.

다양한 로딩 장치에 의해 원하는 로딩을 생성한다. 로딩 장치는 베이스의 외부 표면과 접촉하여, 리셉터에 가압되어 압축 응력을 발생한다. 동시에, 로딩 장치는 도너의 표면을 따라서 시프트된다. 전단 응력은 도너의 외부 표면과 로딩장치 사이에 존재하는 마찰력으로 인한 이동을 이용하여 생성된다. 예컨대, 로딩 장치는 모서리가 둥근 블레이드(rounded blade), 비회전(non-rotating) 또는 회전 롤, 블레이드, 비회전 또는 회전 볼(balls), 룰(rules), 독터(doctor), 및 필오프 바를 가진 나이프(한정되는 것은 아님) 등을 포함한다.

일실시예에서, 로딩 장치와 도너 사이의 마찰은 서로에 대하여 로딩 장치의 내부 부분을 움직이지 않는다. 도 1 내지 3은 로딩 장치로서 나이프(105, 205, 305)를 사용하는 이러한 실시예를 나타낸다.

다른 실시예에서, 로딩 장치와 도너 플레이트 사이의 마찰은 서로에 대하여 상기 로딩 장치의 내부 부분을 움직인다. 롤은 이러한 유형의 로딩 장치를 위한 알맞은 일반적인 명칭이다. 로딩 장치로서 롤을 이용하는 하나의 이점은 독립적으로 전단 응력과 압축 응력을 조정가능하다는 것이다. 압축 응력은 롤의 회전축 상에 로드된 힘으로 조정된다. 전단 응력은 롤과 도너의 외부 표면 사이의 마찰력으로 조정되고, 이러한 마찰력은 이번에는 그 축 주위로 롤의 자유 회전에 대한 다양한 핸디캡을 이용하여 조정된다. 전사 공정 자체 대신에, 전단 응력 조정은 다른 많은 용도로 유용하다. 예컨대, 마찰력의 적절한 선택은 도너와 리셉터의 자기유도 진동(self-induced vibrations)을 억제한다.

도 4는, 로딩 장치로서의 롤의 일예를 나타낸다. 롤(401)의 축(402)은 방향(206)으로 이동한다. 동시에, 롤(401)은 방향(208)으로 베이스 막(204)의 외부 표면을 가압한다. 롤(401)은 방향(410)으로 축(402) 주위로 회전되어, 롤(401)과 베이스막(204) 사이의 마찰력은 도너(203)내에 전단 응력을 생성한다.

나이프와 롤 로딩 장치의 다양한 조합이 개시된 본 발명에 사용될 수 있다.

도 5는 본 발명의 일실시예를 개략적으로 나타내며, 상기 실시예는 도너(303)로부터 리셉터(301)로 이방성 결정막(302)을 전사하는데 사용된 두 개의 나이프를 포함한다. 제1 나이프(305)는 도너(303)의 외부 표면을 가압한다. 나이프(305)와 도너(303)의 상대적인 이동은 전단 응력을 생성한다. 제2 나이프(510)는 리셉터(301)의 외부 표면상으로 이동된다. 제2 나이프(510)는 리셉터(301)의 지지물로서 기능하며, 그리하여 양 나이프(305 및 510)는 서로 대향하여 위치된다. 리셉터(301)내에 제2 나이프(510)에 의해 발생한 전단 응력은, 제2 나이프(510)와 리셉터(301)의 마찰 표면 사이에 적용된 마찰방지 설비를 이용하여 최소화된다. 마찰 표면 사이에 배치된 윤활제, 윤활물질로 마찰 부분을 제조, 제2 나이프(510)의 마찰 표면 및/또는 리셉터(301) 상에 배치된 마찰방지 코팅, 마찰 표면의 연마, 제2 나이프(510)에 인가된 압축력(509)의 감소 등과 같은 임의의 공지된 마찰방지 설 비가 응용가능하지만, 이에 한정되는 것은 아니다. 도 5에 나타낸 실시예에서, 마찰방지 코팅(519)은 제2 나이프(510)의 에지를 덮는다.

두 개의 롤을 가진 본 발명의 실시예를 도 6에 개략적으로 나타낸다. 제2 롤(601)은 리셉터(201)에 대한 지지물로서 작용하며, 제1 롤(401)에 대향하여 위치된다. 롤(601)과 리셉터(201) 사이의 마찰은 리셉터(201)의 전단 응력을 피하기 위하여 최소화된다. 이러한 응력은 리셉터(201)로부터 이방성 결정막(202)의 바람직하지 않은 적층분리(delamination)를 만들어낼 수 있다. 따라서, 롤(601)은 축(602) 주위로 방향(610)으로 자유롭게 회전한다. 동시에, 롤의 축(602)은 방향(606)으로 이동되고, 롤은 방향(608)으로 가압된다. 회전(602)의 자유가 리셉터(201)와 롤(601)의 최소 마찰을 가져온다.

롤과 나이프의 결합이 또한 채용될 수 있다. 하나의 실시예에서는, 롤과 나이프가 서로 대향하여 위치된다. 예컨대, 나이프는 도너의 외부 표면을 따라서 이동되고, 롤은 리셉터의 외부 표면을 따라서 이동된다. 다른 실시예에서, 롤은 도너의 외부 표면을 따라서 이동되고, 나이프는 리셉터의 외부 표면을 따라서 이동된다.

상기 실시예의 구체예는 도 7에 개략적으로 나타내며, 상기 나이프는 상기 도너의 외부 표면을 가압하며, 롤은 상기 리셉터의 외부 표면을 가압한다. 나이프(305)는 방향(306)으로 움직이는 도너(303)를 로딩하는데 이용되는 한편, 롤(720)은 리셉터(301)를 내리누른다. 롤(720)은 방향(722)으로 축(721) 주위를 자유롭게 회전한다. 따라서, 나이프(305)는 전단 응력을 베이스 막(304)에 로딩시키는 한편, 롤(720)의 자유 회전(722)은 단지 리셉터(301)의 압축 로딩을 가져온다.

이방성 결정막 또는 리셉터의 전처리는 각각의 표면의 부착성을 증가시키고, 도너로부터 리셉터로 이방성 결정막의 전사를 용이하게 하기 위하여 각 실시예에서 이용된다. 또한, 전처리는 이방성 결정막의 단편들의 전사를 용이하게 하기 위하여 채용된 패터닝 방법이다. 리셉터의 표면의 전처리를 포함하는 실시예는 이온 충돌, 진공 세척, 가열, 기계적 처리, 전자기 복사(electromagnetic irradiation), 세정 및 화학적 변형(chemical modification) 등과 같은 전처리를 채용하지만 이에 한정되는 것은 아니다. 상술한 공정의 하나 이상의 공정이 바람직한 순서로 전처리에 채용될 수 있다.

도 8은, 리셉터의 표면에 대한 전처리를 나타낸다. 파형(wave-shaped) 화살표(820)는 리셉터(201)의 표면에 적용된 상술한 임의의 전처리를 나타낸다.

도 9는, 이방성 결정막의 표면 전처리를 개략적으로 나타내며, 파형 화살표(920)는 이방성 결정막(202)의 표면에 적용된 상술한 임의의 전처리를 나타낸다.

도 8 및 도 9에 나타낸 전처리는 설명의 목적으로만 도 2에 나타낸 실시예를 기초로 하여 개략적으로 나타낸 것이며, 전처리 단계는 여기에 개시된 어떤 특정 실시예에만 한정되는 것이 아니라 개시된 임의의 실시예에 의해 이용될 수 있다.

이방성 결정막의 도포 전에 베이스 막의 표면의 적어도 일부의 전처리가 적층 분리(delamination)를 좀더 용이하게 하는데 이용된다. 상술한 공정의 하나 이상이 이온 충돌, 진공세척, 가열, 기계적 처리, 전자기 복사, 세정, 및 기계적 변형과 같은 전처리에 채용될 수 있다.

압축 응력에 의한 전처리는 개시된 발명의 일실시예이다. 압축 응력하에서 단일화된 도너와 리셉터의 예비 노광은 이방성 결정막과 리셉터 사이의 접착 결합을 증대시킨다. 따라서, 도너와 리셉터의 접촉 배치 후에, 그리고 이방성 결정막의 전사 전에 도너와 리셉터를 압착하는 것이 바람직하다.

압축 응력을 이용하는 전처리를 포함하는 상술한 실시예의 구체예를, 도 10에 개략적으로 나타낸다. 도너(303)로부터 리셉터(301)로의 이방성 결정막(302)의 전사는 나이프(305)를 이용하여 수행되며, 상기 도너(303)와 리셉터(301)는 방향(306)으로 이동된다. 도너(303)와 리셉터(301)의 예비 가압은 롤(1006, 1007) 쌍을 이용하여 수행된다. 롤(1006, 1007)은 이동 방향(306)에 대하여 나이프(305)의 정면에 설치되어, 압축 전처리는 전사 전에 수행된다. 롤(1006, 1007)은 방향(1000, 1001)으로 축(1002, 1003) 주위로 각각 자유롭게 회전한다. 롤(1006, 1007)의 자유 회전은 전단 응력없이 리셉터(301)와 도너(303)의 순수한 압축 로딩을 얻는데 바람직하다. 압축 응력은 각 롤(1000, 1001)의 축(1002, 1003)에 인가된 힘(1004, 1005)에 의해 각각 얻어진다.

이방성 결정막은 복굴절(birefringence)을 가진다. c-축은 단축(uniaxial) 복굴절 재료의 주요 광축이다. 만약 c-축이 광경로와 일치하면, 빛은 두 개의 광선으로 나뉘지 않는다. 본 발명의 일실시예에서, 이방성 결정막은 다수의 복굴절의 단편을 가지며, 여기서 c-축의 방향은 단편에 대하여 다르다. 하나의 실시예에서 복굴절 이방성 결정막은 이색성(dichroism)을 지니며, 편광자로서 기능한다. 이 실시예에서, 이방성 결정막은 다수의 편광 단편을 가지며, 여기서 투과축의 방향은 단편에 대하여 달라진다.

도 11은 도너(103)로부터 리셉터(101)로의 이방성 결정막(1102)의 전사를 나타내며, 이방성 결정막(1102)은 베이스 막(104) 상에 위치하며, 이방성 결정막(1102)은 다양한 방향의 투과축을 가진 3개의 단편(1130, 1132, 1134)을 가진다. 얇은 파선은 이방성 결정막(1102)의 단편(1130, 1132, 1134) 사이의 경계를 나타낸다. 각 단편의 투과축은 단편(1130, 1132, 1134)에 대하여 화살표(1131, 1133, 1135)로 각각 나타낸다. 투과축(1131, 1133) 사이의 각도(1137)는 두 개의 단편의 투과축 사이의 각도의 일예로서 나타낸다. 각도(1137)는 0도에서 90도의 범위 내에서 임의의 값을 취한다.

하나의 실시예에서, 이방성 결정막은 상기 바람직한 실시예의 착색 단편을 포함한다. 도 12는 이방성 결정막(1202)의 전사를 개략적으로 나타내며, 상기 이방성 결정막은 베이스 막(104)상에 위치한 다양한 색을 가진 3개의 단편을 가진다. 얇은 파선은 이방성 결정막(1202)의 단편(1211, 1212 및 1213) 사이의 경계를 나타낸다. 예컨대, 단편(1211, 1212, 1213)은 각각 적, 녹, 청색일 수 있으며, 비디오 디스플레이에 채용된 RGB 조합을 포함한다.

하나의 실시예에서, 이방성 결정막은 다양한 표면상의 배치 가능성 및 다른 예외적인 성질- 얇은 두께, 막의 열적 안정성 및 막의 광학 특성, 높은 이색성 비율(dichroic ratio) 등으로 인하여 얇은 결정막을 포함한다. 예로서, US특허 제6,563,640호 공보가 본 명세서에 참조로서 병합된다. 상술한 예외적인 성질은 박형 결정막 제조의 기술과 관련되어 있다. 상기 기술은 미국 샌프란시스코의 옵티바 사 (社)에 의해 개발된 것이다.

박형 결정막은 다환 유기 화합물에 기초하고 있다. 바람직한 다환 유기 화합물의 일예는 이색성 염료 또는 이색성 염료의 혼합물이다. 일실시예에서 박형 결정막은 다환 유기 화합물의 봉 형상 초분자에 의해 형성된 부분적으로 결정막이며, 다환 유기 화합물은 콘쥬게이티드(conjugated) π 시스템을 가진다. 상기 박형 결정막은 봉형상 초분자의 축이 복굴절 c-축에 나란하게 정렬된 때, 복굴절을 가진다. 다른 실시예에서, 복굴절의 박형 결정막은 이색성을 지니며, 편광자로서 기능한다.

그 화학식이 극성 용매에 용해도를 제공하는 적어도 하나의 이온화 그룹(ionogenic group), 및/또는 비극성 용매에 용해도를 제공하는 적어도 하나의 비 이온화 그룹(nonionogenic group), 및/또는 재료의 준비 동안 분자 구조에 존재하거나 존재하지 않는 적어도 하나의 카운터이온(counterion)을 함유하는 적어도 하나의 다환 유기 화합물이 사용될 수 있다. 이러한 유기 화합물이 적절한 용매에 용해될 때, 콜로이드 시스템이 형성된다(농도전이형 액정). 콜로이드 시스템에서, 분자는 상기 시스템의 운동단위(kinetical unit)를 형성하는 초분자 복합물과 관련되어 있다(WO01/63346). 액정 상(phase)은 시스템의 프리오더(pre-ordered) 상태에 있으며, 그것은 재료의 초기 이방성을 결정한다. 초분자의 정렬 프로세스 및 이어지는 용매의 제거 과정에서 광학 이방성(즉, 이색성)을 가지는 고체 결정이 형성된다.

또한, 중간 광학 특성을 가진 결정막을 얻기 위하여 콜로이드 시스템을 혼합 하는 것이 가능하다(이 경우, 혼합된 초분자는 용액으로 형성된다). 콜로이드 용액의 혼합물로부터 얻어진 광학적으로 이방성인 이색성 결정막에서, 흡수 및 굴절은 초기 성분에 의해 결정된 범위 내에서 다양한 값을 특징으로 할 수 있다. 다양한 콜로이드 시스템을 혼합된 초분자의 형성물과 혼합하는 것은 여러 유기 화합물의 분자 치수(결정면간 거리, interplanar distance) 중의 하나의 일치에 의해 가능하다(3.4±0.3Å).

결정막이 증착된 표면은 그 균일한 습윤성(wettability)를 제공하기 위하여(표면의 친수성을 제공하기 위하여) 추가의 처리를 받을 수도 있다. 이것은 기계적 처리, 어닐링, 및 기계화학적 처리일 수 있다. 유사한 처리가 또한 막두께의 저감 및 분자 질서(ordering)의 정도를 증가시키기 위하여 이용될 수 있다. 게다가, 기판의 표면에서 막 내의 질서(ordering)를 증가시키기 위하여, 이방성 구조의 정렬이 기판 표면의 기계적 처리에 의해 형성될 수 있다.

본 발명의 일실시예에서, 전사 단계 및 배치 단계는 구현(realization) 시에 교차되지 않는다. 일단 도너의 시트가 도너의 전체 영역에 대하여 리셉터와 접촉하여 배치되면, 이방성 결정막의 전사가 시작된다. 이러한 구현은 제조 공정 및 설비의 단순화와 관련하여 유리하며, 비교적 작은 도너와 리셉터 시트에 대하여 용이하게 실현될 수 있다.

상술한 실시예는 도 1에 개략적으로 나타낸다. 도 1A는 리셉터(101)와 접촉하게 된 전체 도너(103)의 배치를 나타낸다. 도 1B는 배치 단계 이후의 전사 단계를 나타낸다. 따라서, 전사 단계(도 1B)는 배치 단계(도 1A)로부터 적절하게 분리 되어 있다.

다른 실시예에서, 전사 단계와 배치 단계는 구현시에 교차한다. 이방성 결정막의 전사는, 리셉터와 접촉하여 이미 배치되어 있는 도너 부분에 대하여 수행된다. 이러한 구현은 상기 처리의 아웃풋(output)과 관련하여 유리하며, 대형 시트의 도너와 리셉터에 대하여 바람직하다.

이러한 종류의 실시예를 도 2에 나타낸다. 여기서, 이방성 결정막(202)의 전사는 접촉하여 있는 도너(203)와 리셉터(201)의 배치 단계와 동시에 수행된다.

다른 실시예에서, 압축 응력과 전단 응력을 일으키는 로딩이 도너의 적절한 부분에만 인가되며, 이방성 결정막의 이러한 인가 부분만이 도너로부터 리셉터로 전사된다. 도 13은 로딩이 도너의 부분에만 인가된 예를 개략적으로 나타낸다.

도 13A는 나이프 형태의 로딩 장치를 사용한 부분 전사를 도시한다. 나이프(1355)는 에지 상에 갭(1301)을 포함한다. 베이스 막(104)의 부분(1302)은 나이프(1355)의 이동(106)동안 갭(1301) 아래에 배치된다. 도너(103)와 베이스 막(104)의 이 부분(1302)은 로딩을 받지 않는다. 따라서, 베이스 막(104)의 부분(1302) 하부에 놓이는 이방성 결정막(102)의 상기 부분은, 리셉터(101)에 전사되지 않는다. 베이스막(104)의 상기 부분(1304, 1306)과 이방성 결정막(102)의 각각의 하부는 나이프(1355)에 의해 생성된 로딩을 받게 된다. 그리하여, 이방성 결정막(102)의 대응하는 부분은 도너(103)으로부터 리셉터(101)로 전사된다.

도 13B는 도 13A에 나타낸 바와 같이, 리셉터(101)로 전사된 이방성 결정막을 나타낸다. 베이스 막(104)은 설명을 위해 도시되지 않는다. 이방성 결정막(102) 의 부분(1305, 1307)은 도 13A의 각각의 부분(1304, 1306)의 하부에 놓이며, 로딩은 상기 부분(1305, 1307)에 인가된다. 따라서, 이방성 결정막(102)의 상기 부분(1305, 1307)은 리셉터(101)에 고정된다. 또는, 빈 스트립(empty strip)(1303)은 도 13A의 베이스 막의 부분(1302)에 상당한다. 이번에는, 부분(1302)가 도 13A의 나이프(1355)의 에지 갭의 하부에 놓인다. 로딩이 도너(103)의 각 부분에 인가되지 않기 때문에 이방성 결정막(102)의 이 부분은 전사되지 않는다.

전단 응력은 이방성 결정막으로부터 베이스의 적층 분리를 일으킨다. 따라서 베이스는 이방성 결정막의 전사 직후에 제거된다.

접착 재료가 또한 본 발명의 방법에 채용될 수 있다. 접착제 및 감압(pressure sensitive) 접착제의 사용은 전사를 용이하게 한다. 상기 실시예에서, 도너는 이방성 결정막의 외측 상에 배치된 접착 재료의 추가의 막을 포함한다. 일실시예에서, 상기 접착제는 감압형이다. 도 14는, 접착제(1401)가 도너(1403)와 함께 사용된 실시예를 나타낸다. 접착제막(1401)은 이방성 결정막(202)의 외부 표면을 덮는다.

다른 실시예에서, 리셉터는 리셉터의 외측 상에 배치된 접착 재료의 추가 막을 포함한다. 일실시예에서, 상기 접착제는 감압형이다. 도 15는 접착제막(1501)을 가진 리셉터(201)를 구비하는 실시예를 개략적으로 나타낸다. 접착제막(1501)은 이방성 결정막(202)과 대면하는 리셉터(201)의 표면을 덮는다.

또 다른 실시예는 만곡되거나 평탄한 리셉터를 포함한다. 도 16은, 이방성 결정막(202)이 도너(203)으로부터 만곡진 리셉터(1601)로 전사된 실시예의 일예를 개략적으로 나타낸다.

본 발명에 개시된 제조 방법은 바람직하게는 다층막의 제조에 대하여 사용된다. 상기 바람직한 층들은 이방성 결정막층, 보호층, 접착제층, 형광층, 평탄화층, 확산층, 광산란층, 반사층, 정렬층, 전기적 분리층, 전도 전극층, 기판층, 액정층 등을 포함한다. 본 발명에 개시된 제조방법은, 각 층이 이방성 결정막이며, 선택된 두께를 가지며, 상기 층들의 광학적 성질이 동일한 경우, 소정 두께의 다층 이방성 결정막을 얻는데 더욱 바람직하게 이용되며, 상기 이방성 결정막 층들의 결정학적 축은 동일하게 배향되어 있다. 이하에서는 다층 막과 관련된 실시예에 대하여 설명한다.

일실시예에서, 리셉터는 다중 층을 포함한다. 도 18은, 상술한 실시예를 개략적으로 나타낸다. 이방성 결정막(202)은 도너(203)로부터 리셉터(1801)로 전사되고, 리셉터(1801)는 다중층(1802, 1803, 1804 및 1805)을 포함한다. 예컨대, 층(1802)은 보호층이며, 층(1803)은 이방성 결정막층이며, 층(1804)은 형광층, 층(1805)은 평탄화층이다. 각 층(1802, 1803, 1804 및 1805)는 본 발명에 개시된 전사 방법을 이용하여 바람직하게 형성된다.

다른 실시예에서, 다중층 막은 도너로부터 리셉터로 전사된다. 다중층 막은 적어도 하나의 이방성 결정막층과, 상기 다중층 막의 외부 표면상에 배치된 베이스를 포함한다. 추가의 바람직한 층들은 이방성 결정막, 보호층들, 접착제층들, 형광층들, 평탄화층들, 확산층들, 광산란층들, 반사층들, 정렬층들, 전기적 분리층들, 전도 전극층들, 기판층들, 액정층들을 포함한다.

도 17은, 도너(1703)로부터 리셉터(201)로 다중층(1712, 1713, 1714 및 1715)를 가진 다중층(1711)의 전사를 개략적으로 나타낸다. 예컨대, 다중층 막(1711)은 추가의 층들을 가진 이방성 결정막(1713)이며, 상기 층(1712)은 접착제층이고, 층(1714)은 전도성 전극층이며, 상기 층(1715)은 확산층이다.

다양한 재료가 본 발명의 실시예에서 리셉터로서 채용될 수 있으며, 상기 리셉터로 사용된 재료의 예로서 폴리머 물질, 유리, 세라믹, 금속을 포함한다. 또다른 실시예에서, 리셉터는 반도체, 유전체 및 전도성 물질로 만들어질 수 있지만, 이것에 한정되지는 않는다.

또 다른 실시예는 재료의 바람직한 탄성에 기인한 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET)로 만들어진 베이스를 포함하는 것이다.

도너는 이방성 결정막과 베이스 사이에 위치된 추가의 층을 포함한다. 이방성 결정막과의 경계에서 추가의 층 부착은 전단 응력에 대하여 충분히 약하다. 도너의 실시예에서, 임의의 공지된 소스(source)로부터의 전단 응력이 사용된다. 상기 방법의 실시예에서 상기 층의 사용은 개시된 방법의 전사 단계에서 인가된 전단 응력에 대한 작은 저항으로 인하여 전사를 용이하게 한다.

본 발명의 특정 실시예의 상술한 설명은 도시와 설명을 위한 것이다. 상술한 내용은 개시된 형태 그대로 정확하게 본 발명을 제한하려는 의도는 없으며, 상술한 발명의 개시로부터 다양한 수정, 실시예, 및 변형 가능한 것은 명백하다. 본 발명의 범위는 본 명세서에 첨부된 특허청구범위와 그와 균등물에 의해 규정되는 것으로 이해된다.

본 발명은 도너(donor)로부터 리셉터(receptor)로 이방성 결정막을 전사하는 방법을 제공할 수 있다. 상기 방법은 액정 디스플레이(LCD)와 같은, 편광자 또는 리타더(retarders) 등으로서 이방성 막을 이용하여 장치를 제조하는데 유용하다. 또한, 본 발명의 방법은 자동차 산업, 건축 및 응용 예술을 위한 재료 및 제품의 제조에 유용하다.

Claims (51)

1. 이방성 결정막을 형성하는 방법으로서,

   베이스와 적어도 하나의 이방성 결정막을 포함하는 도너를 제공하는 단계와,

   리셉터를 제공하는 단계와,

   리셉터와 접촉하여 이방성 결정막의 적어도 일부분을 배치하는 단계와,

   상기 베이스의 적어도 일부분으로 로딩을 인가함으로써, 상기 도너와 리셉터 상으로 전단 및 압축 응력의 분포를 제공하고, 상기 리셉터 상으로 이방성 결정막의 적어도 일부분을 전사하여, 상기 베이스로부터 이방성 결정막의 적어도 일부분을 적층 분리(delaminating)하는 단계를 포함하며,

   상기 로딩은 제1 및 제2 프레스 장치를 포함하는 프레스 어셈블리에 의해 인가되며, 상기 제1 및 제2 프레스 장치는 그 사이에 상기 도너와 리셉터를 두고 서로 대향하여 배치되는 것을 특징으로 하는 이방성 결정막의 형성방법.
2. 제1항에 있어서,

   상기 인가된 로딩은 도너로부터 리셉터로 전사된 이방성 결정막의 결정 구조가 파괴되지 않도록 제어되는 것을 특징으로 하는 이방성 결정막의 형성방법.
3. 제1항에 있어서,

   상기 이방성 결정막은 콘쥬게이트 π 시스템을 가진 적어도 하나의 다환 유기 화합물을 포함하는 봉 형상 초분자에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 이방성 결정막의 형성방법.
4. 제3항에 있어서,

   상기 다환 유기 화합물은 헤테로고리(heterocycles)를 포함하는 것을 특징으로 하는 이방성 결정막의 형성방법.
5. 제3항에 있어서,

   상기 이방성 결정막은 이색성을 가지는 것을 특징으로 하는 이방성 결정막의 형성방법.
6. 제1항에 있어서,

   상기 이방성 결정막은 주요 광학축 중 하나의 방향으로 3.4±0.3Å의 분자간 거리를 가지는 것을 특징으로 하는 이방성 결정막의 형성방법.
7. 제1항에 있어서,

   상기 이방성 결정막은 농도전이형 액정을 형성할 수 있는 재료로 만들어지는 것을 특징으로 하는 이방성 결정막의 형성방법.
8. 제1항에 있어서,

   상기 리셉터는 폴리머, 반도체, 유리, 세라믹, 금속, 유전체 및 그들의 임의의 조합으로 이루어지는 그룹으로부터 선택된 재료로 만들어지는 것을 특징으로 하는 이방성 결정막의 형성방법.
9. 제1항에 있어서,

   상기 배치단계 이전에 리셉터의 표면 중 적어도 일부에 전처리(pre-treating) 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 이방성 결정막의 형성방법.
10. 제9항에 있어서,

    상기 전처리 단계는 이온충돌, 코로나 방전, 진공세척, 가열, 기계적 처리, 전자기 복사, 화학적 변형 및 그들의 임의의 조합으로 이루어지는 그룹으로부터 선택된 방법에 의해 수행되는 것을 특징으로 하는 이방성 결정막의 형성방법.
11. 제10항에 있어서,

    상기 전처리는 결정막의 리셉터에 대한 부착이 결정막의 베이스 막에 대한 부착보다 더 강한 상태를 보장하는 것을 특징으로 하는 이방성 결정막의 형성방법.
12. 제1항에 있어서,

    상기 도너는 이방성 결정막의 상단에 위치한 접착제층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 이방성 결정막의 형성방법.
13. 제12항에 있어서,

    상기 접착제층은 감압(pressure-sensitive) 재료를 포함하는 것을 특징으로 하는 이방성 결정막의 형성방법.
14. 제1항에 있어서,

    상기 리셉터는 리셉터의 적어도 일부에 접착제층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 이방성 결정막의 형성방법.
15. 제14항에 있어서,

    상기 접착제층은 감압 접착 재료를 포함하는 것을 특징으로 하는 이방성 결정막의 형성방법.
16. 제1항에 있어서,

    상기 도너는 간섭 다중층 구조(interference multilayer structure)를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 이방성 결정막의 형성방법.
17. 제1항에 있어서,

    상기 도너는 보호층, 접착제층, 형광층, 평탄화층, 확산층, 광산란층, 반사층, 정렬층, 전기적 분리층, 도전성 전극층, 기판층, 액정층 및 그들의 임의의 조합으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 이방성 결정막의 형성방법.
18. 제1항에 있어서,

    상기 리셉터는 평탄 표면을 포함하는 것을 특징으로 하는 이방성 결정막의 형성방법.
19. 제1항에 있어서,

    상기 리셉터는 만곡진 표면을 포함하는 것을 특징으로 하는 이방성 결정막의 형성방법.
20. 제1항에 있어서,

    상기 로딩은 도너와 리셉터의 인터페이스를 따라서 전단응력을 제공하도록 인가되는 것을 특징으로 하는 이방성 결정막의 형성방법.
21. 제1항에 있어서,

    상기 로딩은 이방성 결정막의 주요 광축을 따라서 전단응력을 제공하도록 인가되는 것을 특징으로 하는 이방성 결정막의 형성방법.
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28. 제1항에 있어서,

    상기 이방성 결정막은 적어도 두 개의 단편(fragments)을 포함하며, 상기 두개의 단편의 광축은 약 0도 내지 90도 범위 내에서 각도를 형성하는 것을 특징으로 하는 이방성 결정막의 형성방법.
29. 제1항에 있어서,

    상기 이방성 결정막은 다른 색의 적어도 두 개의 단편을 포함하는 것을 특징으로 하는 이방성 결정막의 형성방법.
30. 삭제
31. 제1항에 있어서,

    상기 제1 및 제2 프레스 장치는 고정된 위치에 있으며, 상기 도너와 리셉터는 상기 제1 및 제2 프레스 장치에 대하여 이동되는 것을 특징으로 하는 이방성 결정막의 형성방법.
32. 제1항에 있어서,

    상기 리셉터는 고정된 위치에 있으며, 상기 제1 및 제2 프레스 장치는 상기 리셉터에 대하여 이동되는 것을 특징으로 하는 이방성 결정막의 형성방법.
33. 제1항 또는 제31항에 있어서,

    상기 제1 및 제2 프레스 장치는 동일한 유형인 것을 특징으로 하는 이방성 결정막의 형성방법.
34. 제1항 또는 제31항에 있어서,

    상기 제1 및 제2 프레스 장치는 다른 유형인 것을 특징으로 하는 이방성 결정막의 형성방법.
35. 제1항 또는 제31항에 있어서,

    상기 제1 프레스 장치는 모서리가 둥근 블레이드를 가진 나이프를 포함하고, 상기 제2 프레스 장치는 롤을 포함하는 것을 특징으로 하는 이방성 결정막의 형성방법.
36. 제1항 또는 제31항에 있어서,

    상기 제1 및 제2 프레스 장치는 롤을 포함하는 것을 특징으로 하는 이방성 결정막의 형성방법.
37. 제31항에 있어서,

    제3 프레스 장치를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 이방성 결정막의 형성방법.
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39. 제1항에 있어서,

    상기 로딩은 전체 베이스에 인가됨으로써, 리셉터 상으로 전체 이방성 결정막을 전사하는 것을 특징으로 하는 이방성 결정막의 형성방법.
40. 제1항에 있어서,

    상기 배치단계와 로딩 단계는 실질적으로 동시에 수행되는 것을 특징으로 하는 이방성 결정막의 형성방법.
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