KR100794692B1 - 플라즈마처리방법 및 플라즈마처리장치 - Google Patents

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가부시키가이샤 히다치 하이테크놀로지즈
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Abstract

본 발명은 반도체디바이스 가공시에 반도체 제조장치의 가동률을 저하시키지 않고 결함발생의 원인이 되는 이물을 저감하여, 생산수율을 향상시키는 것이다.
이를 위하여 본 발명에서는 웨이퍼(2)가 탑재되는 전극(14) 위의 이온 쉬스(ion sheath)(32w)와 그 주변부에 탑재된 부재(141) 위의 이온 쉬스(32f)를 제어할 수 있는 기구를 가지고, 이온 쉬스(32f)의 두께를 이온 쉬스(32w)의 두께보다 얇게 하여 웨이퍼(2) 끝부의 근방에 이온 쉬스의 경사부(32s)를 설치하여 이온(31)을 웨이퍼 끝부에 비스듬하게 입사시켜 웨이퍼 끝부의 퇴적막을 제거한다.

Description

플라즈마처리방법 및 플라즈마처리장치{PLASMA PROCESSING METHOD AND PLASMA PROCESSING APPARATUS}
도 1은 본 발명의 제 1 실시예를 설명하는 UHF파 플라즈마 에칭처리장치의 개략 단면도,
도 2는 베벨 퇴적막 저감의 원리를 설명하는 원리도,
도 3은 에칭처리중의 베벨 퇴적막 저감효과를 설명하는 도,
도 4는 웨이퍼 바깥 둘레부의 퇴적막의 저감의 원리를 설명하는 원리도,
도 5는 애싱처리중의 베벨 퇴적막 제거효과를 설명하는 도,
도 6은 본 발명의 제 2 실시예에 관한 에칭처리장치의 하부 전극부의 구조를 설명하는 개략 단면도,
도 7은 본 발명의 제 3 실시예에 관한 승강기에 의한 높이를 제어하는 에칭처리장치의 하부 전극부의 구조를 설명하는 개략 단면도,
도 8은 본 발명의 제 4 실시예에 관한 웨이퍼 바깥 둘레부의 탑재부재가 적층물인 에칭처리장치의 하부 전극부의 구조를 설명하는 개략 단면도,
도 9는 본 발명의 제 5 실시예에 관한 웨이퍼 바깥 둘레부의 탑재부재가 절연재 링인 에칭처리장치의 하부 전극부의 구조를 설명하는 개략 단면도이다.
※ 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : 플라즈마처리장치 11 : 에칭처리실(플라즈마처리실)
111 : 내벽면 12 : 안테나
121 : 도파관 122 : 매칭박스
13 : 유전체 14 : 하부 전극(시료대)
141 : 실리콘 링 142 : 도체 링
143 : 절연링 144 : 실리콘재
145 : 절연재 146 : 절연재 링
15 : UHF 전원 16 : 고주파 바이어스전원
161 : 임피던스조정회로 162 : 제 1 고주파 바이어스전원
163 : 제 2 고주파 바이어스전원 18 : 승강기
2 : 웨이퍼(시료) 21 : 퇴적막
31 : 이온 32 : 이온 쉬스(ion sheath)
본 발명은, 반도체집적장치의 가공에 사용되는 플라즈마처리방법 및 플라즈마처리장치, 특히 플라즈마 에칭방법 및 플라즈마 에칭장치에 관한 것이다.
최근, 반도체디바이스는 높은 기능이 요구되어 고밀도로 소자를 집적하는 경향에 있고, 이 때문에 고미세화의 가공이 필요하게 되었다. 이와 같은 배경으로부터 플라즈마 에칭가공에 있어서는, 가공 정밀도의 확보를 위해 퇴적성이 강한 가스를 많이 사용하는 경향에 있다. 퇴적성이 강한 가스는 웨이퍼 표면 이외의 플라즈마에 접하는 가공처리실 부재 표면에서 막을 형성하여, 그 일부가 스퍼터 등에 의하여 베벨(웨이퍼 끝부) 및 웨이퍼 이면에 퇴적한다. 그 퇴적물(퇴적막)의 일부가 가공도중에 박리되어 부유하고, 웨이퍼 위로 낙하하여 가공을 저해하여 원하는 가공결과를 얻을 수 없게 하고 있다. 또 플라즈마 에칭가공 중에 생성된 베벨에의 퇴적(베벨 퇴적)이 다음 공정의 이물원(異物源)이 될 염려가 있다.
이 문제를 해결하기 위하여 퇴적막을 형성시키기 위한 교환 가능한 부재를 웨이퍼 탑재 전극 바깥 둘레부에 설치하여 웨이퍼 탑재 전극 측면에 대한 퇴적형성을 억제하게 한 반도체장치의 제조방법이 제안되어 있다(예를 들면, 특허문헌 1 참조).
[특허문헌 1]
일본국 특개2001-230234호 공보
[특허문헌 2]
일본국 특원2004-264168호
웨이퍼 주변부에 탑재된 링에 인가하는 바이어스전력을 처리시간중에 조정함으로써 웨이퍼 위의 공간에 체류하는 이물을 상기 링 위로 유도하여 상기 링 위로 낙하시킴으로써, 이물저감을 도모하는 것이 특허문헌 2에 제안되어 있다.
그러나, 종래의 기술에서는 플라즈마 에칭을 반복하면 반응 생성물 등이 웨이퍼 바깥 둘레부(베벨) 하면에 부착되어 퇴적막이 두껍게 형성된다는 문제가 있었다.
본 발명은 상기 문제를 감안하여 반도체집적장치 제조용 플라즈마처리장치 및 플라즈마처리방법에 있어서, 웨이퍼 끝부(베벨)에서의 퇴적물(퇴적막) 생성을 억제할 수 있는 플라즈마처리장치 및 플라즈마처리방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 과제를 해결하기 위하여 본 발명은, 웨이퍼가 탑재되는 전극 위의 이온 쉬스와 그 주변부에 탑재된 부재 위의 이온 쉬스(ion sheath)의 높이를 제어할 수 있는 기구를 설치하여, 웨이퍼 끝부에 있어서의 이온을 비스듬하게 입사시켜 웨이퍼 끝부 이면의 퇴적을 줄인다.
[제 1 실시예]
이하, 본 발명의 제 1 실시예를 도 1 및 도 2를 사용하여 설명한다. 도 1은 본 발명을 적용한 UHF-ECR(Electron cyclotron Resonance)를 사용한 플라즈마 에칭장치를 나타내는 것으로, 여기서는 UHF 전자파를 안테나(12)로부터 방사하여 자장과의 상호작용에 의하여 플라즈마를 생성하는 UHF-ECR 방식의 플라즈마 에칭장치를 나타낸다.
플라즈마 에칭장치(1)는, 에칭(플라즈마)처리실(11)과, 에칭처리실(11)의 상부에 배치된 안테나(12)와, 유전체(13)와, 안테나(12)에 대향하여 배치된 하부 전극(14)과, 안테나(12)에 플라즈마생성용 고주파 전력을 공급하는 UHF 전원(15)과, 하부 전극(14)에 바이어스전력을 공급하는 고주파 바이어스전원(16)과, 플라즈마처리실(에칭처리실)(11) 내에 플라즈마를 생성시키는 자장코일(17)을 포함하여 구성된다. 안테나(12)에는 도파관(121) 및 매칭박스(122)를 거쳐 UHF 전원(15)으로부터 플라즈마생성용 고주파 전력이 공급된다. 하부 전극(14)에는 고주파 바이어스전원(16)으로부터 바이어스전력이 공급된다. 본 발명에 있어서는 하부 전극(14)의 바깥 둘레부의 웨이퍼(2)가 탑재되지 않는 부분에 포커스링으로서 작용하는 실리콘 링(141)과 도체 링(142)과 절연링(143)이 설치되고, 고주파 바이어스전원(16)으로부터 임피던스조정회로(161)를 거쳐 고주파 전력이 공급된다.
본 실시예의 경우, 에칭처리실(11)은 도시를 생략한 온도조절수단에 의하여 그 내벽면(111)을 20℃ 내지 100℃의 온도범위에서 온도조정 가능하게 되어 있다. 에칭처리실(11)의 상부에는 안테나(12)가 배치되고, 에칭처리실(11)과 안테나(12)와의 사이에는 UHF 전자파를 투과 가능한 유전체(13)가 설치되어 있다. 안테나(12)에는 도파관(121) 및 매칭박스(122)를 거쳐, 이 경우 UHF 전자파를 발생시키는 UHF 전원(15)이 접속되어 있다. 에칭처리실(11)의 바깥 둘레부에는 에칭처리실(11) 내에 자장을 형성하기 위한 자장 코일(17)이 감겨져 있다. 에칭처리실(11) 내의 안테나(12)의 아래쪽에는 웨이퍼(2)를 배치하기 위한 시료대로서의 하부 전극(14)이 설치되어 있다. 하부 전극(14)의 웨이퍼 비탑재부에는 절연링(143), 도체 링(142)을 거쳐 실리콘 링(141)이 설치되어 있다. 도체 링(142)에는 에칭처리실(11) 밖으로부터 임피던스조정회로(161)를 거쳐 고주파 바이어스전원(16)이 접속되어 있다.
상기한 바와 같이 구성한 플라즈마처리장치에서는, UHF 전원(15)으로부터 출력된 UHF 전자파는 매칭박스(122), 도파관(121) 및 유전체(13)를 거쳐, 안테나(12)부로부터 에칭처리실(11)에 공급된다. 한편, 에칭처리실(11) 주위의 자장 코일(17)에 의한 자계가 에칭처리실(11)에 형성되고, UHF 전자파의 전계와 자장코일의 자계와의 상호작용에 의하여 에칭처리실(11) 내로 도입된 에칭가스가 효율 좋게 플라즈마화된다. 이와 같은 플라즈마처리중에 있어서, 고주파 바이어스전원(16)으로부터 출력되는 바이어스전압을, 임피던스조정회로(161)를 사용하여 웨이퍼(2)에 인가되는 전압보다 실리콘 링(141)에 인가되는 전압이 작아지도록 조정함으로써, 베벨 퇴적을 억제한다.
도 2를 사용하여, 베벨 퇴적 억제의 원리를 설명한다. 예를 들면 200 MHz의 UHF 전자파를 UHF 전원(15)으로부터 안테나(12)에 인가하여, 플라즈마가스로서 Ar, CHF3, N2를 사용하고 처리압력을 4 Pa로 제어하여, 고주파 바이어스전원(16)으로부터 4 MHz의 고주파 바이어스전압을 하부 전극(14)에 인가한다. 예를 들어 가변콘덴서로 구성된 임피던스조정회로(161)를 사용하여 웨이퍼(2)가 탑재되는 전극부분에 인가되는 전압(Vw)보다, 그 주변부에 탑재된 실리콘 링(포커스 링)(141)에 인가되는 전압(Vf)을 작게 한다(예를 들면, 1500V로부터 500V).
이에 의하여 웨이퍼(2) 위의 이온 쉬스(32w)보다 포커스 링(141) 위의 이온 쉬스(32f)가 얇아진다. 이에 의하여 웨이퍼(2)의 바깥 둘레부 근방에서는 이온 쉬스(32)에, 이온 쉬스(32w)로부터 이온 쉬스(32f)를 향하여 내려가는 이온 쉬스의 경사(32s)가 형성된다.
이 결과, 전극(14)에 인가된 바이어스전압에 의하여 웨이퍼(2) 위 및 포커스 링(141) 위에 위치하는 이온(31)은, 각각 웨이퍼(2) 및 포커스 링(141)에 수직하게 입사되나, 웨이퍼(2)의 바깥 둘레부에 있어서의 이온 쉬스(32s)부에 위치하는 이온(31)은 웨이퍼(2)의 측면에 비스듬하게 입사된다. 웨이퍼(2)의 측면에 비스듬하게 입사된 이온(31)은, 웨이퍼(2) 베벨(바깥 둘레부)의 이면에 형성된 퇴적막의 발생을 억제한다.
도 3을 사용하여 본 발명의 효과를 설명한다. VC 100은 웨이퍼(2)에 인가되는 전압(Vw)과 포커스 링(141)에 인가되는 전압(Vf)이 같은 경우(Vw : Vf = 100 : 100)를, VC 75는 웨이퍼(2)에 인가되는 전압(Vw)보다 포커스 링(141)에 인가되는 전압(Vf)이 작은 경우(Vw : Vf = 100 : 75)를, VC 30은 웨이퍼(2)에 인가되는 전압(Vw)보다 포커스 링(141)에 인가되는 전압(Vf)이 작은 경우(Vw : Vf = 100 : 30)를 의미한다. 웨이퍼(2)에 인가되는 전압(Vw)과 포커스 링에 인가되는 전압(Vf)의 관계를 Vw > Vf로 하는 것, 즉 VC 75, VC 30으로 함으로써, VC 100보다 웨이퍼(2)의 베벨(주변부)의 이면에서의 퇴적막 생성속도가 작아져 있다. 이 때문에 웨이퍼(2)에 인가되는 전압(Vw)보다 포커스 링(141)에 인가되는 전압(Vf)을 작게 함으로써 베벨 퇴적을 저감할 수 있음을 알 수 있다.
또한, VC 75, VC 30에서는, 웨이퍼 가장 바깥 둘레부(0 mm)로부터 0.3 mm의 사이에서 일단 퇴적막 생성속도가 상승하고 있으나, 이것은 도 4에 나타내는 바와 같이, 비스듬하게 입사된 이온(31)이 실리콘 링(141)으로 반사되어 웨이퍼(2)의 가장 바깥 둘레(0 mm)로부터 0.3 mm 이후의 퇴적막(21)의 저감에 기여하지 않기 때문에, 또는 부착계수가 높은 퇴적이기 때문에 마주보는 각이 큰 웨이퍼 끝부에 부착되기 쉽기 때문이라고 생각된다. 그러나 쉬스(32)의 두께를 제어함으로써, 웨이퍼 가장 바깥 둘레부(0 mm) ∼ 0. 3 mm 사이의 퇴적막(21)도 저감할 수 있다.
다음에, 상기한 플라즈마생성 고주파 전원(UHF 전원)(15)은, 200 MHz에 한정되지 않고, 10 MHz 내지 2.5 GHz에도 적용할 수 있다. 10 MHz는 최저 필요한 플라즈마밀도를 얻기 위한 주파수로서, 2.5 GHz는 대구경(大口徑)의 균일성을 얻을 수 있는 한계의 주파수이다. 또 이온(31)을 끌어넣는 고주파 전원(고주파 바이어스전원)(16)도, 4 MHz의 고주파 전력에 한정되지 않고, 400 kHz 내지 200 MHz의 주파수에도 적용할 수 있다. 400 kHz는 웨이퍼손상이 현재화(顯在化)하지 않는 최저한의 주파수로, 200 MHz를 넘으면 자기 바이어스가 발생하지 않는 주파수가 된다. 처리압력은, 4 Pa에 한정되지 않고, 0.1 Pa 내지 100 Pa의 압력범위에서도 본 발명과 동일한 효과를 얻을 수 있다. 0.1 Pa는 에칭에 필요한 에칭재 및 이온의 생성한계의 압력이고, 100 Pa는 이온끼리가 산란되지 않고 이온 쉬스(32)로 이온(31)을 제어할 수 있는 한계의 압력이다.
상기한 실시예에서는 UHF-ECR 에칭장치를 예로 하여 설명하였으나, 본 발명은 상기한 실시예에 한정되지 않고, CCP(Capacitive Coupled Plasma : 용량 결합형 플라즈마) 에칭장치, ICP(Inductively Coupled Plasmas : 용량 결합형 플라즈마) 에칭장치, SWP(Surface Wave Plasma : 서페이스 웨이브 플라즈마) 에칭장치, HEP(Helico-Wave Excited Plasma : 헬리콘파 여기 플라즈마) 에칭장치, TCP(Transfer Coupled Plasma : 전송 결합형 플라즈마) 에칭장치 등에 적용할 수 있다.
다음에, 상기한 UHF-ECR 에칭장치를 사용하여, 플라즈마가스로서 O2를 사용한 레지스트 마스크 박리의 플라즈마처리(애싱)에 본 발명을 실시한 결과를 도 5에 나타낸다. VC 30에서는 VC 100보다 애싱속도가 빨라져 있다. 이것은 웨이퍼(2)에 인가되는 전압(Vw)보다 실리콘 링(141)에 인가되는 전압(Vf)을 임피던스조정회로(161)를 사용하여 작게 한 것에 의하여, 이온이 비스듬하게 입사되어 웨이퍼 바깥 둘레부의 이면에 도달하여 0 라디컬의 반응을 이온 어시스트효과로 퇴적막 제거율이 가속된 것에 의한다고 생각된다. 가스종류로서는 O2에 한정하는 것은 아니고, H2, 또는 O 또는 H를 함유하는 가스에도 적용할 수 있다.
또한, 레지스트 박리의 플라즈마처리(애싱)의 실시예는, UHF - ECR 에칭장치를 예로 하여 설명하였으나, 본 발명은 상기한 실시형태에 한정되지 않고, CCP 에칭장치, ICP 에칭장치, SWP 에칭장치, HEP 에칭장치, TCP 에칭장치 등에 적용할 수 있다.
[제 2 실시예]
본 발명의 제 2 실시예를, 도 6을 사용하여 설명한다. 제 2 실시예는, 하부 전극(14)에 인가하는 제 1 고주파 바이어스전원(162)과, 실리콘 링(141)에 인가하는 제 2 고주파 바이어스전원(163)을 각각 다른 전원으로 하고, 제 2 고주파 바이어스전원(163)의 전력을 제 1 고주파 바이어스전원(162)의 전력보다 작게 함으로써, 웨이퍼(2) 위의 이온 쉬스의 두께보다 실리콘 링(141) 위의 이온 쉬스의 두께를 얇게 하여, 이온 쉬스의 경사부를 형성하여 베벨에 있어서의 이온의 입사를 비스듬하게 하여 베벨 퇴적막을 저감한다.
[제 3 실시예]
도 7을 사용하여, 본 발명의 제 3 실시예를 설명한다. 제 3 실시예는 실리콘 링(141)의 높이를 웨이퍼(2)의 높이보다 승강기(18)를 사용하여 낮게 함으로써, 웨이퍼(2) 위의 이온 쉬스(32w)보다 실리콘 링(141) 위의 이온 쉬스(32f)를 낮게 하여 이온 쉬스(32)의 경사부를 형성함으로써, 베벨에 있어서의 이온의 입사를 비스듬하게 하여 베벨 퇴적막을 저감한다.
[제 4 실시예]
본 발명의 제 4 실시예를 도 8을 사용하여 설명한다. 제 4 실시예는, 제 1 실시예에 있어서의 실리콘 링(141)을 대신하여 실리콘재(144)와 절연재(145)의 적층물을 사용한 예이고, 웨이퍼(2) 위의 이온 쉬스의 두께보다 실리콘 링(141) 위의 이온 쉬스의 두께를 얇게 함으로써 이온 쉬스의 경사부를 형성하여 베벨에 있어서의 이온의 입사를 비스듬하게 하여 베벨 퇴적막을 저감한다.
[제 5 실시예]
본 발명의 제 5 실시예를 도 9를 사용하여 설명한다. 제 5 실시예는, 제 1 실시예에 있어서의 실리콘 링(141)을 대신하여 절연재 링(146)을 사용한 예이고, 웨이퍼(2) 위의 이온 쉬스의 두께보다 실리콘 링(141) 위의 이온 쉬스의 두께를 얇게 함으로써 이온 쉬스의 경사부를 형성하여 베벨에 있어서의 이온의 입사를 비스듬하게 하여 베벨 퇴적막을 저감한다.
본 발명에 의하면, 반도체집적장치의 제조에 있어서, 베벨 퇴적의 생성을 저지하여 생산수율을 향상할 수 있다.

Claims (14)

  1. 웨이퍼가 탑재되는 전극 위의 쉬스에 대하여 그 주변부에 탑재된 부재 위의 쉬스(sheath)를 독립으로 제어할 수 있는 기구를 가지는 플라즈마처리장치를 사용하여, 웨이퍼 끝부의 퇴적물을 제거하는 플라즈마처리방법에 있어서,
    웨이퍼가 탑재되는 전극 위의 쉬스의 높이와, 그 주변부에 탑재된 부재 위의 쉬스 높이를 다르게 하여 전극 위의 쉬스로부터 부재 위의 쉬스의 사이에 위치하는 부분의 쉬스를 전극 위로부터 부재 위를 향하여 내려가도록 경사시키고, 웨이퍼 끝부에 이온을 비스듬하게 입사시켜 웨이퍼 끝부의 퇴적물을 제거하는 것을 특징으로 하는 플라즈마처리방법.
  2. 플라즈마를 생성하여, 웨이퍼를 처리하는 플라즈마처리장치에 있어서,
    웨이퍼가 탑재되는 전극과, 상기 전극의 주변부에 설치한 부재와, 상기 전극 및 상기 전극의 주변부에 설치한 부재에 고주파 바이어스전압을 인가하는 고주파 바이어스전원을 가지고, 전극에 인가되는 고주파 바이어스전압과 그 주변부에 설치한 부재에 인가되는 고주파 바이어스전압의 비율을 조정하는 것을 특징으로 하는 플라즈마처리장치.
  3. 제 2항에 있어서,
    상기 고주파 바이어스전압의 비율을 조정하는 기구로서, 상기 전극의 주변부에 설치한 부재에 인가하는 고주파 바이어스전압을, 임피던스조정회로를 사용하여 분배하는 것을 특징으로 하는 플라즈마처리장치.
  4. 제 2항에 있어서,
    고주파 바이어스전압의 비율을 조정하는 기구로서, 상기 전극의 주변부에 설치한 부재에 인가하는 고주파 바이어스전압을, 가변콘덴서를 사용한 임피던스조정회로를 사용하여 분배하는 것을 특징으로 하는 플라즈마처리장치.
  5. 제 2항에 있어서,
    고주파 바이어스전압의 비율을 조정하는 기구로서, 2개의 고주파 바이어스전원을 사용하여 조정하는 것을 특징으로 하는 플라즈마처리장치.
  6. 제 2항에 있어서,
    상기 전극의 주변부에 설치한 부재로서, 실리콘재를 사용하는 것을 특징으로 하는 플라즈마처리장치.
  7. 제 2항에 있어서,
    상기 전극의 주변부에 설치한 부재로서, 실리콘재와 절연물의 적층물을 사용하는 것을 특징으로 하는 플라즈마처리장치.
  8. 제 2항에 있어서,
    상기 전극의 주변부에 설치한 부재로서, 절연재를 사용하는 것을 특징으로 하는 플라즈마처리장치.
  9. 제 2항에 있어서,
    고주파 바이어스전원으로서, 400 kHz 내지 200 MHz의 고주파 바이어스전원을 사용하는 것을 특징으로 하는 플라즈마처리장치.
  10. 제 2항에 있어서,
    플라즈마생성 고주파 전원으로서, 10 MHz 내지 2.5 GHz의 고주파 전원을 사용하는 것을 특징으로 하는 플라즈마처리장치.
  11. 제 2항에 있어서,
    플라즈마처리압력으로서, 0.1 내지 100 Pa의 압력범위에서 처리하는 것을 특징으로 하는 플라즈마처리장치.
  12. 제 2항에 있어서,
    상기 전극에 탑재된 웨이퍼의 레지스트 마스크 박리의 플라즈마처리 중에, 상기 전극에 인가되는 고주파 바이어스전압보다 상기 전극의 주변부에 설치한 부재에 인가되는 고주파 바이어스전압이 작아지도록 상기 고주파 바이어스전압의 비율을 조정하는 것을 특징으로 하는 플라즈마처리장치.
  13. 제 2항에 있어서,
    상기 전극에 탑재된 웨이퍼의 O2 또는 O를 함유하고, H2 또는 H를 함유하는 가스를 사용한 레지스트 마스크 박리의 플라즈마처리 중에, 상기 전극에 인가되는 고주파 바이어스전압보다 상기 전극의 주변부에 설치한 부재에 인가되는 고주파 바이어스전압이 작아지도록 상기 고주파 바이어스전압의 비율을 조정하는 것을 특징으로 하는 플라즈마처리장치.
  14. 플라즈마를 생성하여, 웨이퍼를 처리하는 플라즈마처리장치에 있어서,
    웨이퍼가 탑재되는 전극과, 상기 전극의 주변부에 설치한 부재와, 상기 전극 및 상기 전극의 주변부에 설치한 부재에 고주파 바이어스전압을 인가하는 고주파 바이어스전원을 가지고, 전극에 인가되는 고주파 바이어스전압과 그 주변부에 설치한 부재 위의 이온 쉬스(ion sheath)를 제어하는 기구로서, 상기 전극의 주변부에 탑재된 부재의 높이를 조정할 수 있는 기구를 구비한 것을 특징으로 하는 플라즈마처리장치.
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