KR20060097528A - 플라즈마처리방법 및 플라즈마처리장치 - Google Patents
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Abstract
Description
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- 웨이퍼가 탑재되는 전극상과 그 주변부에 탑재된 부재상의 쉬스를 제어할 수 있는 기구를 가지는 플라즈마처리장치를 사용하여, 웨이퍼 끝부에 이온을 비스듬하게 입사시켜 웨이퍼 끝부의 퇴적을 저감하는 것을 특징으로 하는 플라즈마처리방법.
- 플라즈마를 생성하여, 웨이퍼를 처리하는 플라즈마처리장치에 있어서,웨이퍼가 탑재되는 전극과, 상기 전극의 주변부에 설치한 부재와, 상기 전극 및 상기 전극의 주변부에 설치한 부재에 고주파 바이어스전압을 인가하는 고주파 바이어스전원을 가지고, 전극에 인가되는 고주파 바이어스전압과 그 주변부에 설치한 부재에 인가되는 고주파 바이어스전압의 비율을 조정하는 것을 특징으로 하는 플라즈마처리장치.
- 제 2항에 있어서,상기 고주파 바이어스전압의 비율을 조정하는 기구로서, 상기 전극의 주변부에 설치한 부재에 인가하는 고주파 바이어스전압을, 임피던스조정회로를 사용하여 분배하는 것을 특징으로 하는 플라즈마처리장치.
- 제 2항에 있어서,고주파 바이어스전압의 비율을 조정하는 기구로서, 상기 전극의 주변부에 설치한 부재에 인가하는 고주파 바이어스전압을, 가변콘덴서를 사용한 임피던스조정회로를 사용하여 분배하는 것을 특징으로 하는 플라즈마처리장치.
- 제 2항에 있어서,고주파 바이어스전압의 비율을 조정하는 기구로서, 2개의 고주파 바이어스전원을 사용하여 조정하는 것을 특징으로 하는 플라즈마처리장치.
- 제 2항에 있어서,상기 전극의 주변부에 설치한 부재로서, 실리콘재를 사용하는 것을 특징으로 하는 플라즈마처리장치.
- 제 2항에 있어서,상기 전극의 주변부에 설치한 부재로서, 실리콘재와 절연물의 적층물을 사용하는 것을 특징으로 하는 플라즈마처리장치.
- 제 2항에 있어서,상기 전극의 주변부에 설치한 부재로서, 절연재를 사용하는 것을 특징으로 하는 플라즈마처리장치.
- 제 2항에 있어서,고주파 바이어스전원으로서, 400 kHz 내지 200 MHz의 고주파 바이어스전원을 사용하는 것을 특징으로 하는 플라즈마처리장치.
- 제 2항에 있어서,플라즈마생성 고주파 전원으로서, 10 MHz 내지 2.5 GHz의 고주파 전원을 사용하는 것을 특징으로 하는 플라즈마처리장치.
- 제 2항에 있어서,플라즈마처리압력으로서, 0.1 내지 100 Pa의 압력범위에서 처리하는 것을 특징으로 하는 플라즈마처리장치.
- 제 2항에 있어서,레지스트 마스크박리 플라즈마처리 중에, 웨이퍼 바깥 둘레부의 퇴적막을 제거하는 것을 특징으로 하는 플라즈마처리장치.
- 제 2항에 있어서,O2 또는 O를 함유하고, H2 또는 H를 함유하는 가스를 사용한 레지스트 마스크박리 플라즈마처리 중에, 웨이퍼 바깥 둘레부의 퇴적막을 제거하는 것을 특징으 로 하는 플라즈마처리장치.
- 플라즈마를 생성하여, 웨이퍼를 처리하는 플라즈마처리장치에 있어서,웨이퍼가 탑재되는 전극과, 상기 전극의 주변부에 설치한 부재와, 상기 전극 및 상기 전극의 주변부에 설치한 부재에 고주파 바이어스전압을 인가하는 고주파 바이어스전원을 가지고, 전극에 인가되는 고주파 바이어스전압과 그 주변부에 설치한 부재상의 이온 쉬스를 제어하는 기구로서, 상기 전극의 주변부에 탑재된 부재의 높이를 조정할 수 있는 기구를 구비한 것을 특징으로 하는 플라즈마처리장치.
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