KR100773335B1 - 포지티브 레지스트 조성물 - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명의 포지티브 레지스트 조성물에 상기 계면활성제를 함유시킴으로써, 250nm 이하, 특히 220nm 이하의 파장을 갖는 노광광원을 사용시, 레지스트 조성물의 감도, 해상력, 기판밀착성 및 건식에칭 내성이 우수하고, 장기간 보존한 후에도 입자의 발생이 적을 뿐만 아니라, 현상결함 및 스컴이 적은 레지스트 패턴이 얻어진다.
다음으로, 하기 실시예에 의해 본 발명에 대해서 실제적으로 설명한다. 그러나 본 발명의 범위가 이들 실시예에 의해 제한되는 것은 아니다.
실시예31의 PHS/ST는 p-히드록시스티렌/스티렌(몰비로 85:15) 공중합체(중량평균 분자량:20,000, 분산도:2.9)이며, 이는 알칼리 가용성 수지이다.
Claims (36)
- 제1항에 있어서, 분자량이 3000 이하이고, 산의 작용에 의해 분해되어 알칼리 현상액에서의 용해도가 증가하는 화합물(D)을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 포지티브 레지스트 조성물.
- 제1항에 있어서, 식(Ⅰ)로 표시되는 화합물의 pKa가 -5~5의 범위에 있는 것을 특징으로 하는 포지티브 레지스트 조성물.
- 제4항에 있어서, 상기 식(Ⅱ)의 Z는 치환된 알킬기 또는 치환된 아랄킬기인 것을 특징으로 하는 포지티브 레지스트 조성물.
- 제1항에 있어서, (F)질소함유 염기성 화합물 및 (G)불소원자 함유 계면활성제와 실리콘원자 함유 계면활성제 중 1종 이상을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 포지티브 레지스트 조성물.
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- 제1항에 있어서, 화학선 또는 방사선의 조사에 의해 술폰산을 발생하는 화합물(C)를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 포지티브 레지스트 조성물.
- 제10항에 있어서, 상기 식(Ⅰ)로 표시되는 화합물의 pKa는 -5~5의 범위에 있는 것을 특징으로 하는 포지티브 레지스트 조성물.
- 제10항에 있어서, (F)질소함유 염기성 화합물 및 (G)불소원자 함유 계면활성제와 실리콘원자 함유 계면활성제 중 1종 이상을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 포지티브 레지스트 조성물.
- 삭제
- 삭제
- 제10항에 있어서, 화학선 또는 방사선의 조사에 의해 술폰산을 발생하는 화합물(C)를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 포지티브 레지스트 조성물.
- 제16항에 있어서, 식(Ⅳa)에서, R1, R2, R4~R7, R9~R12, R14, R15, Ra 및 Rb는 각각 수소원자이며, R3, R8 및 R13은 각각 독립적으로 수소원자, 탄소수 1~5의 알킬기, 탄소수 1~5의 알콕시기 또는 할로겐 원자인 것을 특징으로 하는 술포늄염 화합물.
- 제18항에 있어서, 상기 식(Ⅴa)에서 R16~R27, Ra 및 Rb는 각각 수소원자인 것을 특징으로 하는 술포늄염 화합물.
- 식(Ⅵa)로 표시되는 것을 특징으로 하는 요오드늄염 화합물.여기에서, R28~R37은 각각 독립적으로 수소원자, 탄소수 1~5의 직쇄상 또는 분기상 알킬기, 탄소수 3~8의 환상 알킬기, 탄소수 1~4의 알콕시기, 할로겐원자 또는 -S-R38(여기에서, R38은 탄소수 1~5의 직쇄상 또는 분기상 알킬기, 탄소수 3~8의 환상 알킬기 또는 탄소수 6~14의 아릴기를 나타낸다)를 나타내며; Ra 및 Rb는 각각 독립적으로 수소원자, 할로겐원자, 탄소수 1~5의 알킬기, 탄소수 1~5의 알콕시기, 니트로기 또는 히드록시기를 나타낸다.
- 제20항에 있어서, 상기 식(Ⅵa)에서, R28, R29, R31~R34, R36, R37, Ra 및 Rb는 각각 수소원자이고, R30 및 R35은 각각 독립적으로 수소원자 또는 탄소수 1~5의 알킬기인 것을 특징으로 하는 요오드늄염 화합물.
- 화학선 또는 방사선의 조사에 의해 하기 식(Ⅰ)로 표시되는 화합물을 발생하는 화합물(A), 및산의 작용에 의해 분해되어 알칼리 현상액에서의 조성물의 용해도를 증가시키는 기를 보유하는 수지(B)를 포함하며,하기 식(Ⅰ)로 표시되는 화합물을 발생하는 상기 화합물(A)는 식(Ⅰ)로 표시되는 화합물 중의 N-H의 해리에 의해 형성된 음이온의 술포늄염 또는 요오드늄염인 것을 특징으로 하는 포지티브 레지스트 조성물.여기에서, Y는 단일결합, -CO- 또는 -SO2-를 나타내고; R'과 R"은 같거나 달라도 좋고, 각각은 직쇄상, 분기상 또는 환상의 치환되어도 좋은 알킬기, 치환되어도 좋은 아릴기, 치환되어도 좋은 아랄킬기, 또는 장뇌기를 나타내고; R'과 R"은 서로 결합하여 알킬렌기, 아릴렌기 또는 아랄킬렌기를 형성함으로써, 식(Ⅰ)의 구조는 환을 형성하여도 좋고; Y가 -CO-기일 경우, R"은 히드록시기 또는 알콕시기이어도 좋다.
- 제24항에 있어서, 분자량이 3000 이하이고, 산의 작용에 의해 분해되어 알칼리 현상액에서의 용해도가 증가하는 화합물(D)을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 포지티브 레지스트 조성물.
- 제26항에 있어서, 상기 식(Ⅱ)의 Z는 치환된 알킬기 또는 치환된 아랄킬기인 것을 특징으로 하는 포지티브 레지스트 조성물.
- 제24항에 있어서, (F)질소함유 염기성 화합물 및 (G)불소원자 함유 계면활성제와 실리콘원자 함유 계면활성제 중 1종 이상을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 포지티브 레지스트 조성물.
- 제24항에 있어서, 상기 화합물(A)는 하기 식(Ⅳ)~(Ⅵ)중 어느 하나로 표시되는 구조를 보유하는 화합물인 것을 특징으로 하는 포지티브 레지스트 조성물.여기에서, R1~R37은 각각 독립적으로 수소원자, 직쇄상, 분기상 또는 환상 알킬기, 직쇄상, 분기상 또는 환상 알콕시기, 히드록시기, 할로겐원자 또는 -S-R38기(여기에서, R38은 직쇄상, 분기상 또는 환상 알킬기 또는 아릴기를 나타낸다)를 나타내고; X-는 상기 식(Ⅰ)로 표시되는 화합물 중의 NH의 해리에 의해 형성된 음이온을 나타내고; A는 단일결합, 황원자, 산소원자 또는 메틸렌기를 나타낸다.
- 제24항에 있어서, 화학선 또는 방사선의 조사에 의해 술폰산을 발생하는 화합물(C)를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 포지티브 레지스트 조성물.
- 화학선 또는 방사선 조사에 의해 하기 식(Ⅰ)로 표시되는 화합물을 발생하는 화합물(A);분자량이 3000 이하이고, 산의 작용에 의해 분해되어 알칼리 현상액에서의 용해도가 증가하는 화합물(D); 및알칼리 가용성 수지(E)를 포함하며,하기 식(Ⅰ)로 표시되는 화합물을 발생하는 상기 화합물(A)는 식(Ⅰ)로 표시되는 화합물 중의 N-H의 해리에 의해 형성된 음이온의 술포늄염 또는 요오드늄염인 것을 특징으로 하는 포지티브 레지스트 조성물.여기에서, Y는 단일결합, -CO- 또는 -SO2-를 나타내고; R'과 R"은 같거나 달라도 좋고, 각각은 직쇄상, 분기상 또는 환상의 치환되어도 좋은 알킬기, 치환되어도 좋은 아릴기, 치환되어도 좋은 아랄킬기, 또는 장뇌기를 나타내고; R'과 R"은 서로 결합하여 알킬렌기, 아릴렌기 또는 아랄킬렌기를 형성함으로써, 식(Ⅰ)의 구조가 환을 형성하여도 좋고; Y가 -CO-기일 경우, R"은 히드록시기 또는 알콕시기이어도 좋다.
- 제32항에 있어서, (F)질소함유 염기성 화합물 및 (G)불소원자 함유 계면활성제와 실리콘원자 함유 계면활성제 중 1종 이상을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 포지티브 레지스트 조성물.
- 제32항에 있어서, 화학선 또는 방사선의 조사에 의해 술폰산을 발생하는 화합물(C)를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 포지티브 레지스트 조성물.
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