KR100749839B1 - 유기절연막의 에칭방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 반도체장치의 제조에 사용되는 유기절연막을 에칭하는 방법에 관한 것이다.
수소가스와 질소가스 또는 암모니아가스로 이루어지는 혼합가스를 플라즈마화하여, 상기 플라즈마 중의 수소원자 및 시안분자의 발광스펙트럼강도를 측정하고, 수소원자와 시안분자의 발광스펙트럼 강도의 비율이 소정의 값이 되도록 가스유량 및 압력을 제어하여 저유전율 유기절연막이 형성된 피에칭시료를 에칭처리한다. 이에 의하여 층간 절연막으로서의 저유전율 유기절연막의 에칭에 있어서, 에칭 스토퍼층을 사용하지 않고 전기배선용 홈이나 구멍의 바닥면을 평탄하게 에칭할 수 있다.

Description

유기절연막의 에칭방법{ETCHING METHOD OF ORGANIC INSULATING FILM}
도 1은 본 발명의 에칭방법을 실시하기 위한 에칭장치의 일례를 나타내는 종단면도,
도 2는 도 1의 에칭장치를 설치한 플라즈마 에칭처리장치의 전체를 나타내는 평면도,
도 3은 도 2의 장치를 사용한 에칭처리를 나타내는 플로우도,
도 4는 도 3에 나타내는 에칭 플로우에 맞추어 웨이퍼의 에칭단면형상을 나타내는 종단면도,
도 5는 유기절연막의 배선홈가공에 있어서, 서브트렌치가 없는 에칭공정에서의 플라즈마의 발광강도를 나타내는 도,
도 6은 유기절연막의 배선홈가공에 있어서, 서브트렌치가 생기는 에칭공정에서의 플라즈마의 발광강도를 나타내는 도,
도 7은 도 5의 플라즈마발광 강도상태에서 에칭가공한 에칭단면형상을 나타내는 단면도,
도 8은 도 6의 플라즈마발광 강도상태에서 에칭가공한 에칭단면형상을 나타내는 단면도,
도 9는 유기절연막의 배선홈가공에 있어서의 플라즈마 중의 시안분자와 수소 원자와의 발광강도비(CN/H)와, 서브트렌치와의 관계를 나타내는 도,
도 10은 유기절연막의 배선홈가공에 있어서의 서브트렌치를 억제하는 플로우를 나타내는 도면이다.
본 발명은 유기절연막의 에칭방법에 관한 것으로, 반도체장치의 제조에 사용되는 유기절연막의 에칭에 적합한 에칭방법에 관한 것이다.
[종래기술 1]
에치 스토퍼층을 사용하지 않고 마이크로 트렌칭을 방지하여 유기절연막을 에칭하는 방법으로서는, 예를 들면 국제공개번호 WO 01/15213 A1(일본국 특개2001-60582호 공보)에 기재된 것이 알려져 있다. 상기 공보에는 다음의 것이 기재되어 있다.
웨이퍼의 온도를 처리에 따라 20℃ 내지 60℃ 정도로 유지한다. 이어서 처리가스로서 N2와 H2와 Ar의 혼합가스를 처리실로 도입한다. 처리실내의 압력분위기를 실질적으로 500mTorr 이상, 바람직하게는 실질적으로 500mTorr 내지 800mTorr로 한다. 이어서 하부 전극에 주파수가 13.56MHz이고, 전력이 600W 내지 1400W의 고주파전압을 인가한다. 상부 전극에 주파수가 60MHz이고, 전력이 600W 내지 1400W의 고주파 전력을 인가한다. 이에 의하여 처리실내에 고밀도 플라즈마를 생성하 고, 상기 플라즈마에 의해 웨이퍼의 유기계 저유전율 재료로 이루어지는 층간 절연층에 소정형상의 콘택트홀을 형성한다.
또 상기 공보에는 이하의 것이 기재되어 있다.
처리실내에 적어도 질소원자함유 기체와 수소원자함유 기체를 포함하는 처리가스를 도입하여 진공처리실내의 압력을 실질적으로 500mTorr 이상으로 하여 처리실내에 배치된 피처리체에 형성된 유기층막에 대한 에칭을 행한다. 유기막은 비유전률이 3.5 이하의 저유전율 재료가 바람직하다. 또 진공처리실내의 압력은 실질적으로 500mTorr 내지 800mTorr가 바람직하다.
또 처리가스에 적어도 질소원자함유 기체와 수소원자함유 기체를 포함하고, 진공처리실내의 압력을 실질적으로 500mTorr 이상으로 하면, 에치 스토퍼를 사용하지 않고 마이크로 트렌칭을 방지할 수 있다. 또 마스크선택비를 높일 수 있다. 이에 의하여 에칭을 유기층막의 도중에 정지할 필요가 생기는 공정, 예를 들면 듀얼다마신공정(dual damascene) 등에 있어서 특히 효과적이다.
또 질소원자함유 기체로서 N2를 채용하여도 좋고, 수소원자함유 기체로서 H2를 채용하여도 좋다. N2와 H2의 가스유량의 예로서, N2/H2가 400sccm/400sccm, N2/H2가 200sccm/200sccm, N2/H2가 100sccm/300sccm의 예가 설명되어 있다.
[종래기술 2]
마찬가지로 유기절연막의 에칭방법으로서는, 예를 들면 일본국 특개2000-252359호 공보에 기재된 것이 알려져 있다. 상기 공보에는 다음의 것이 기재되어 있다.
수소가스와 질소가스의 혼합가스, 또는 암모니아가스를 포함하는 가스 플라즈마에 의해 발생하는 NH기를 포함하는 이온 또는 라디칼에 의하여 CN기를 포함하는 반응생성물 등을 생성하면서, 폴리아릴에테르막 등의 유기계 유전막의 절연막(층간 절연막)을 에칭가공한다.
층간 절연막의 에칭에 있어서, ECR(Electron Cyclotron Resonance)형의 플라즈마 에칭장치에 의하여 예를 들면(기판설치 전극온도 : 20℃, μ파 파워(2.45 GHz):2000W, 압력 : 0.8Pa, RF파워 : 300W, 에칭가스 및 유량 : NH3 = 1OOsccm )의 조건으로 에칭처리를 실시한다.
상기한 에칭처리에 있어서, 에칭가스로서 예를 들면 수소와 질소의 혼합가스 [유량 H2 + N2 = 100sccm (예를 들면 H2/N2 = 75/25sccm)]를 사용하는 조건으로 하고, 상기와 마찬가지로 수소와 질소의 혼합가스를 포함하는 가스 플라즈마에 의하여 에칭처리하는 것도 가능하다.
NH기를 포함하는 이온 또는 라디칼에 의한 에칭에 의하면, 도전불량의 원인이 되는 손상층을 형성하는 일 없이 사이드에치를 억제하고, 또 450nm/분 정도의 높은 에칭율을 유지하여 처리량(throughput)의 저하를 초래하지 않고 신속하게 유기계 유전막을 포함하는 절연막을 이방성 에칭가공할 수 있다.
이에 의하여 유기계 유전막을 포함하는 절연막을 에칭하여 콘택트홀을 개구하는 외에, 홈배선을 형성하기 위한 다마신공정(damascene), 또는 홈배선과 콘택트홀을 동시에 개구하는 듀얼다마신공정 등의 에칭가공에 적용하는 것도 가능하다.
또 층간 절연막의 에칭처리로서, (a) N2 = 100sccm, (b) N2/H2 = 50/50sccm, (c) H2 = 100sccm으로 하였을 때의 발광스펙트럼을 측정하면, N2/H2 혼합가스 (b)로 에칭을 행한 경우에는 N2가스 (a) 또는 H2 가스 (c)를 사용한 경우에는 보이지 않는 NH의 피크가 관측된다. 또 CN의 피크에 대해서는 N2/H2 혼합가스 (b)의 경우는 N2가스 (a) 또는 H2가스 (c)의 경우보다도 강하게 피크가 관측된다.
또한 층간 절연막의 에칭처리로서, N2/H2 = 100/0 내지 50/50 내지 0/100sccm 과 에칭가스 유량비를 변화시켰을 때의 상대 에칭율(N2/H2 = 100/0sccm 일 때의 에칭율을 1로 한다)와, 각 유량비에 있어서의 (CN, NH, N2, CH, H)의 각 발광성분의 발광스펙트럼 강도비를 측정하면 에칭율와, CN과 NH의 발광스펙트럼 강도비는 거의 동일한 거동을 나타내는 것을 알 수 있다.
최근, 반도체소자의 배선에 Cu를 사용한 다마신공정이 사용되게 되었다. 이 다마신공정의 응용으로서 듀얼다마신이 있다. 종래의 듀얼다마신은 층간 절연막이 되는 유기절연막에의 배선홈을 형성할 때에 서브트렌치(「마이크로 트렌치」라고도 부른다)를 방지하기 위하여 에치 스토퍼층을 사용하고 있었다. 그러나 에치 스토퍼층은 유전율이 높기 때문에 최근에는 에치 스토퍼층을 없애어 층간 절연막의 유전율을 저하하는 시도가 이루어지고 있다.
전자의 종래기술(일본국 특개2001-60582호 공보)은, 진공처리실내의 압력을 500mTorr (약 66.5Pa) 이상, 바람직하게는 500mTorr 내지 800mTorr로 하여 유기층막에 대한 에칭을 행하고 있다. 그러나 이 에칭방법의 경우, 처리실내의 압력이 매우 높기 때문에, (1) 300mm 웨이퍼와 같이 대구경화하는 시료에 대해서는 웨이퍼면내에서 발생한 반응생성물의 배기제거가 웨이퍼 중앙부에서 충분히 행하여지지 않게 되어 웨이퍼면내의 에칭율의 균일성이 나빠진다, (2) 반응생성물의 양이 매우 많아져 형상제어가 어렵다, (3) 반응생성물의 양이 많아져 처리실내가 오염되기 쉽게 되어 에칭처리의 재현성이 저하한다 라는 문제가 상정된다. 이 때문에 높은 처리압력으로 처리하는 경우에는 이들 문제를 해결하는 수단을 강구할 필요가 있다.
한편, 상기한 높은 처리압력에서의 에칭처리에 있어서의 문제를 고려할 필요가 없는 것으로서, 후자의 종래기술(일본국 특개2000-252359호 공보)에 기재된 바와같이 낮은 처리압력(0.8Pa)으로 유기절연막을 에칭처리하는 방법이 알려져 있다. 그러나 후자의 종래기술은, 에치 스토퍼층을 사용하는 일 없이 마이크로 트렌치를 방지하여 듀얼다마신공정의 유기절연막을 에칭하는 점에 대해서는 배려되어 있지 않다.
후자의 종래기술은, 처리가스로서 수소가스와 질소가스의 혼합가스 중, 또는 암모니아가스의 혼합가스 중에 있어서의 기체방전 등에 의해 발생하는 NH기를 포함하는 이온 또는 라디칼에 의해 CN기를 포함하는 반응생성물 등을 생성하면서, 유기절연막을 에칭하고 있다. 그러나 수소와 질소의 혼합가스 또는 암모니아를 사용한 모든 유량비에 있어서, 에치 스토퍼층을 사용하는 일 없이 마이크로 트렌치를 방지하여 에칭할 수는 없다.
또 후자의 종래기술은, 에칭율와, CN과 NH의 발광스펙트럼 강도비가 거의 동일한 거동을 나타내는 것에 착안한 에칭방법으로 하고 있다. 이 때문에 CN과 NH의 발광스펙트럼 강도비에서는 에칭의 최적조건을 선택할 수는 없고, 에치 스토퍼층을 사용하는 일 없이 마이크로 트렌치를 방지하여 유기절연막을 에칭할 때의 최적조건을 선택할 수 없다는 문제가 있었다.
또한 마이크로 트렌치(또는「서브트렌치」라 함)가 발생하여 피에칭부의 홈이나 구멍의 바닥면을 평탄하게 할 수 없게 되는 원인은, 특히 에칭 중의 홈이나 구멍의 바닥면의 형상에 있어서는, 피에칭부인 홈이나 구멍의 측면이 약간의 테이퍼에 의해 플라즈마로부터의 입사이온이 측벽에 충돌하여 홈이나 구멍의 바닥면의 측벽 가장자리에 집중하거나, 홈이나 구멍의 중앙부에 에칭에 따르는 많은 반응생성물이 재부착하는 등으로 인하여 에칭된 홈이나 구멍의 측벽 가장자리에 대한 에칭율이 홈이나 구멍의 중앙부의 에칭율보다 빨라지기 때문이다.
본 발명의 목적은, 상기 문제점을 해결하는 것으로, 처리실내에의 반응생성물의 부착을 억제하고 마이크로 트렌치를 방지하여 유기절연막을 에칭할 수 있는 유기절연막의 에칭방법을 제공하는 것에 있다.
상기 목적은, 유기절연막의 에칭방법에 있어서, 수소원자와 질소원자를 포함하는 분자가스를 플라즈마화하여 플라즈마 중의 수소원자 및 시안분자의 발광스펙트럼 강도비율을 측정하고, 상기 측정값을 소정의 값 이하로 하여 처리함으로써 달성된다.
또 플라즈마 중의 대략 파장 486nm의 수소원자(H) 발광스펙트럼과 대략 파장 388nm의 시안분자(CN) 발광스펙트럼의 강도비(CN/H)가 1 이하가 되는 플라즈마를 사용한다.
또 상기 목적은 유기절연막의 에칭방법에 있어서, 수소가스와 질소가스 또는 암모니아가스를 플라즈마화하여 플라즈마 중의 수소원자 및 시안분자의 발광스펙트럼 강도비율이 소정의 값 이하가 되도록 수소가스의 유량을 제어하여 처리함으로써 달성된다.
또 처리는 처리압력을 일정하게 제어하여 행하여진다.
또 상기 목적은 유기절연막을 형성한 피에칭시료가 배치된 에칭처리실내에 질소가스와 수소가스, 또는 수소원자와 질소원자를 포함하는 분자가스를 공급하고 에칭처리실내의 압력을 10Pa 미만으로 하여, 대략 파장 486nm의 수소원자(H) 발광스펙트럼과 대략 파장 388nm의 시안분자(CN) 발광스펙트럼의 강도비(CN/H)가 1 이하가 되는 플라즈마를 생성하고, 상기 플라즈마를 사용하여 피에칭시료를 처리함으로써 달성된다.
또 플라즈마의 생성에 수소가스 및 질소가스를 사용하여 질소가스에 대한 수소가스의 혼합비를 10 이상으로 한다. 또한 수소가스와 질소가스의 총 유량을 200 cc/분 이상으로 한다.
또 수소원자를 포함하는 분자가스가 수소가스이고, 질소원자를 포함하는 분자가스가 암모니아가스로서, 암모니아가스에 대한 수소가스의 혼합비를 10 이상으 로 한다. 또한 수소가스와 암모니아가스의 총 유량을 200cc/분 이상으로 한다.
또 다른 형태에 의하면, 상기 목적은 피에칭시료를 배치 가능한 시료대와, 에칭가스가 공급되는 기밀성이 좋은 처리실과, 처리실내를 감압분위기로 하는 진공펌프와, 수소가스와 질소가스, 또는 수소원자와 질소원자를 포함하는 분자가스의 유량을 제어 가능한 유량제어밸브와, 진공펌프와 처리실 사이에 설치되어 처리실내에 공급된 에칭가스의 배기속도를 제어 가능한 배기속도 조정밸브와, 처리실내의 에칭가스를 플라즈마화하는 전력을 투입 가능한 회로 및 전원과, 처리실내의 압력을 측정하는 진공계를 구비하는 장치를 사용하여 처리실내에 플라즈마를 발생시켜 플라즈마 중의 시안분자와 수소원자의 발광강도비를 계측하여, 상기 계측값이 소정값 이하가 되도록 상기 유량제어밸브를 제어하고, 피에칭시료를 에칭함으로써 달성할 수 있다. 또한 유량제어밸브의 제어는 수소가스의 유량을 늘리도록 제어한다. 또한 처리실내의 압력이 일정하게 되도록 상기 배기속도 조정밸브를 제어한다.
또 계측값이 소정값 이하가 되도록 상기 에칭가스를 플라즈마화하는 전원의 출력을 제어하여 피에칭시료를 에칭한다. 전원의 제어는 플라즈마 중에서 수소원자가 많이 발생하도록 출력을 올리도록 제어한다.
또 상기 시료대에 피에칭시료에의 바이어스전압을 인가 가능한 전원을 접속하여 계측값이 소정값 이하가 되도록 바이어스전압을 내리도록 상기 전원을 제어한다.
이하, 본 발명의 다른 목적, 특징 및 장점은 첨부한 도면에 의거하여 본 발 명의 실시예로부터 명백하게 알 수 있다.
이하, 본 발명의 일 실시예를 도 1 내지 도 10을 사용하여 설명한다.
도 1 및 도 2에 본 발명의 에칭방법을 실시하기 위한 플라즈마 에칭처리장치의 일례를 나타낸다. 도 1은 에칭처리부의 개략 구성을 나타낸다. 도 2는 도 1에 나타내는 에칭처리부를 설치한 플라즈마 에칭처리장치의 전체를 나타낸다.
진공용기(11)내에는 피처리재인 웨이퍼(2)를 배치 가능한 시료대(24)가 설치되어 있다. 시료대(24)에는 웨이퍼(2)에 바이어스전압을 인가하기 위한 바이어스전압용 고주파 전원(25) (예를 들면 주파수 800kHz)이 접속되어 있다. 또 시료대(24)에는 웨이퍼(2)의 온도를 제어하기 위한 온도 조정장치(26)가 접속되어 있다.
진공용기(11)의 상부에는 원통형상의 처리실이 형성되어 있다. 진공용기 (11)의 처리실부의 바깥쪽에는 처리실을 둘러싸 자장발생용 코일(23a 및 23b)이 설치되어 있다. 진공용기(11)내에서 처리실 상부에는 전자파를 투과 가능한 유전체(12)를 거쳐 시료대(24)에 대향시켜 도전체로 이루어지는 평판 안테나(13)가 설치되어 있다. 평판 안테나(13) 상부에는 동축 선로(15)가 설치되고, 동축 선로(15)를 거쳐 플라즈마생성용 고주파 전원(16)(예를 들면 주파수 450MHz)이 접속되어 있다.
평판 안테나(13)에는 처리실내에 에칭가스를 흘리기 위한 다공구조를 이루는 가스공급로(14)가 형성되어 있다. 가스공급로(14)에는 유량제어밸브(17, 18, 19)를 거쳐 각각에 가스공급원(20, 21, 22)이 접속되어 있다.
또 진공용기(11)의 하부에는 진공 배기구가 설치되고, 배기속도 조정밸브 (27)를 거쳐 진공펌프(28)가 접속되어 있다.
진공용기(11)의 처리실부에는 평판 안테나(13)와 시료대(24)와의 사이에 형성되는 플라즈마(32)로부터의 발광을 채광하여, 특정파장의 빛을 전기신호로 변환하는 분광·광전변환기(30)가 설치되어 있다. 분광·광전변환기(30)로부터의 전기신호는 제어장치(31)에 입력된다. 제어장치(31)내에는 뒤에서 설명하는 연산이 행하여져 유량제어밸브(17, 18, 19) 및 고주파 전원(16, 25)에 제어용 전기신호를 출력한다. 또 진공용기(11)에는 진공계(29)가 설치되어 있고, 도시를 생략하고 있으나, 검출신호는 제어장치(31)에 입력되고, 제어장치(31)는 배기속도 조정밸브(27)를 제어한다.
도 1과 같이 구성된 에칭처리부는, 도 2에 나타내는 바와 같이 진공반송실(6)의 주위에 에칭처리실(10a, 10b)로서 설치된다. 또 진공반송실(6)의 주위에는 로드록실(5a) 및 언로드록실(5b)이 설치되어 있다. 로드록실(5a) 및 언로드록실(5b)에는 대기유닛(3)이 접속되어 있다. 대기유닛(3)에는 대기반송로봇(4)이 설치되어 있고, 대기반송로봇(4)에 의해 카세트(1a 또는 1b)와 로드록실(5a) 또는 언로드록실(5b)의 사이에서 웨이퍼(2)를 반송한다. 진공반송실(6)에는 진공반송로봇(7)이 설치되어 있고, 진공반송로봇(7)에 의해 로드록실(5a) 또는 언로드록실(5b)과 에칭처리실(10a 또는 10b)과의 사이에서 웨이퍼(2)를 반송한다.
상기한 바와 같이 구성된 장치에 있어서, 예를 들면 도 2에 나타내는 바와 같이 카세트(1a)로부터 에칭처리실(10a)에 웨이퍼(2)를 반입한다. 웨이퍼(2) 반입후, 웨이퍼(2)는 시료대(24)에 유지되고, 상하이동 가능한 시료대에 의해 처리실내의 소정높이 위치에 설정된다. 또 웨이퍼(2)는 온도 조절장치에 의해 소정의 온도로 유지된다. 진공용기(11) 내부를 진공펌프(28)에 의해 감압한 후, 유량제어 밸브(17, 18, 19)를 제어하여 가스공급원(20, 21, 22)으로부터 가스공급로(14)를 거쳐 처리가스, 이 경우 에칭가스를 처리실내에 도입하여 소망의 압력으로 조정한다. 처리실내의 압력조정후, 고주파 전원(16)으로부터 예를 들면 주파수 450MHz의 고주파 전력을 발진한다. 고주파 전원(16)으로부터 발진된 고주파 전력은 동축 선로 (15)를 전파하여 평판 안테나(13) 및 유전체(12)를 거쳐 처리실내에 도입된다. 처리실내에 도입된 고주파 전력에 의한 전계는, 자장발생용 코일(23a 및 23b), 예를 들면 솔레노이드코일에 의해 처리실내에 형성된 자장과의 상호작용에 의해 처리실내에 저압으로 플라즈마(32)를 생성한다. 특히 전자사이클로트론공명을 일으키는 자장강도(예를 들면 160G)를 처리실내에 형성한 경우, 효율 좋게 플라즈마를 생성할 수 있다. 플라즈마생성과 동시에, 시료대(24)에는 고주파 전원(25)에 의하여, 예를 들면 주파수 800KHz의 고주파 전력을 인가한다. 이에 의하여 플라즈마(32) 중의 이온이 웨이퍼(2)에의 입사에너지를 부여받고, 이온은 웨이퍼(2)에 입사되어 웨이퍼 (2)의 이방성 에칭이 촉진된다.
다음에 도 3 및 도 4에 의해 상기한 장치를 사용하여 듀얼다마신공정에서 사용되는 유기절연막으로 이루어지는 층간 절연막의 에칭공정을 설명한다.
먼저, 제 1 에칭처리실(10a)에 미처리 웨이퍼(2)를 반입한다(단계 101). 이 때의 미처리 웨이퍼(2)는 도 4(a)에 나타내는 바와 같이 미가공의 하드 마스크(45)상에 패터닝된 포토레지스트가 형성되어 있는 상태의 것이다. 웨이퍼 (2)는 기판 상에 다층배선이 형성된 것이고, 이 경우 하층 유기절연막(41)(층간 절연막), 하층 배선(42), 하층 하드 마스크(43)의 층은 이미 가공이 끝났다. 하층 하드 마스크(43)의 상부에 지금부터 가공을 행하는 층간 절연막인 유기절연막(44)(유전율 2.6 내지 2.7의 저유전율의 유기막, 예를 들면 다우케미컬사 제품의 SiLKTM), 하드 마스크(45)(이 경우, SiN막/SiO2막에 의한 듀얼 하드 마스크)가 막부착되어, 패터닝된 포토레지스트 (46)가 최상면에 형성되어 있다.
다음에 제 1 에칭처리실(1Oa)의 처리실내에 하드 마스크 에칭가공용 처리가스 [예를 들면, Ar + O2 + CF계 가스(C5F8)]를 공급하여 플라즈마 에칭을 실행한다. 이 에칭처리에서는 유기절연막(44)을 에칭가공하기 위한 접속구멍 가공용 마스크를 형성한다(단계 102).
하드 마스크(45)의 에칭가공은 발광분광법에 의한 종점검출에 의해 그 에칭종료를 검출한다(단계 103). 이 때의 피에칭재의 가공단면을 도 4(b)에 나타낸다. 이 시점에서는 포토레지스트(46)가 남아 있어도 좋다.
다음에 하드 마스크(45)의 가공이 종료한 웨이퍼(2)를 제 2 에칭처리실(10b)로 반송한다(단계 104).
제 2 에칭처리실(10b)의 처리실에서는 상기 처리실내에 유기절연막 에칭가공용 처리가스[암모니아(NH3)]를 공급하여 플라즈마 에칭을 실행한다. 이 에칭처리에서는 유기절연막(44)에 하층 배선(42)과의 접속구멍을 형성한다(단계 105). 또한 전공정에서 남아 있던 포토레지스트는 기본적으로 유기절연막과 동일한 성분으로 이루어지기 때문에 본 공정의 에칭처리시에 함께 에칭제거된다.
유기절연막(44)의 에칭가공은 발광분광법에 의한 종점검출에 의해 그 에칭종료를 검출한다(단계 106). 이 때의 피에칭막의 가공단면을 도 4(c)에 나타낸다. 이 시점에서는 포토레지스트(46)는 제거되어 있고, 접속구멍(47)이 하층 배선(42)까지 도달하여 있다.
유기절연막(44)의 에칭가공이 종료한 웨이퍼(2)는 원래의 카세트(1a)로 회수된다(단계 107).
카세트(1a)내의 웨이퍼(2)가 모두 상기한 바와 같이 가공되어 카세트(1a)내로 회수되면, 다음에 유기절연막(44)에 배선용 홈을 가공하기 위한 준비로 이행한다. 접속구멍(47)의 가공이 종료한 웨이퍼(2)를 수납한 카세트(1a)는 다른 장치(세정장치, 레지스트 도포장치, 노광장치, 현상장치 등)로 운반된다. 이들 장치에 의해 카세트(1a)내의 웨이퍼(2)에는 하드 마스크(45)상에 배선홈의 패턴이 패터닝된 포토레지스트가 형성되어 있다(단계 108).
다음에 패터닝이 끝난 포토레지스트가 형성된 웨이퍼(2)를 수납한 카세트 (1a)가 플라즈마 에칭처리장치의 대기유닛(3)에 세트된다(단계 111).
카세트(1a)가 세트된 후, 제 1 에칭처리실(1Oa)로 웨이퍼(2)를 반입한다 (단계 112). 이 때의 웨이퍼(2)는 도 4(d)에 나타내는 바와 같이 하드 마스크(45)상에 패터닝된 포토레지스트(48)가 형성되어 있다.
다음에 제 1 에칭처리실(1Oa)의 처리실내에 상기 단계(1O2)와 동일한 하드 마스크 에칭가공용 처리가스[예를 들면 Ar + O2 + CF계 가스(C5F8)]를 공급하여 플라즈마 에칭을 실행한다. 이 에칭처리에서는 유기절연막(44)을 에칭가공하기 위한 배선홈 가공용 마스크를 형성한다(단계 113).
하드 마스크(45)의 에칭가공은, 발광분광법에 의한 종점검출에 의해 그 에칭종료를 검출한다(단계 114). 이 때의 피에칭재의 가공단면을 도 4(e)에 나타낸다. 하드 마스크(45)에는 접속구멍(47)보다도 개구가 큰 배선홈용 개구가 형성된다. 이 시점에서는 포토레지스트(46)가 남아 있어도 좋다.
다음에 하드 마스크(45)의 가공이 종료한 웨이퍼(2)를 제 2 에칭처리실(1Ob)로 반송한다(단계 115).
제 2 에칭처리실(10b)의 처리실에서는 상기 처리실내에 유기절연막 에칭가공용 처리가스[수소가스(H2)와 질소가스(N2)]를 공급하여 플라즈마 에칭을 실행한다. 이 에칭처리에서는 유기절연막(44)에 소정 깊이의 배선홈을 형성한다(단계 116). 본 에칭처리에서는 에칭 스토퍼층을 사용하지 않기 때문에 에칭 바닥면의 평탄화가 중요함과 동시에, 웨이퍼면내의 균일성이 중요하게 된다. 본 에칭처리에서의 공정조건 및 공정 제어방법은 뒤에서 설명한다. 또한 전공정에서 남아 있던 포토레지스트(48)는 상기와 마찬가지로 본 공정의 에칭처리시에 함께 에칭제거된다.
유기절연막(44)의 에칭가공은, 예를 들면 미국 특허출원번호09/946504(일본국 특원2001-28098호)에 기재되어 있는 바와 같은 간섭광의 미분값의 파장 패턴을 사용하여 그 표준패턴과 실처리시의 실패턴으로부터 막두께를 측정하여 에칭깊이를 산출하는 종점 검출방법에 의해 그 에칭종료를 검출한다(단계 117). 이 때의 피 에칭재의 가공단면을 도 4(f)에 나타낸다. 이 시점에서는 포토레지스트(46)는 제거되어 있고, 배선홈(49)이 소정의 깊이로 형성되어 있다.
유기절연막(44)의 에칭가공이 종료한 웨이퍼(2)는 원래의 카세트(1a)로 회수된다(단계 118).
상기한 공정을 실시함으로써, 듀얼다마신공정의 유기절연막가공이 행하여진다. 본 실시예의 플라즈마 에칭처리장치에 의하면, 에칭처리실을 2개 사용할 수 있으므로 접속구멍가공시의 하드 마스크(45)의 에칭가공과 유기절연막(44)의 에칭가공을 연속하여 실시할 수 있고, 또 제 2 에칭처리실의 처리가스를 전환하는 것만으로 배선홈 가공시의 하드 마스크(45)의 에칭가공과 유기절연막(44)의 에칭가공을 연속하여 실시할 수 있다. 이에 의하여 1대의 장치로 듀얼다마신공정의 유기절연막가공을 행할 수 있다.
또 에칭처리실을 진공반송실(6)의 주위에 3개 설치함으로써, 접속구멍용과 배선홈용의 하드 마스크(45)의 에칭가공을 중앙에 배치한 제 2 에칭처리실에서 행하고, 유기절연막(44)의 접속구멍의 에칭가공을 제 2 에칭처리실 근처(예를 들면, 좌측)의 제 1 에칭처리실에서 행하고, 유기절연막(44)의 배선홈의 에칭가공을 제 2 에칭처리실 근처(예를 들면, 우측)의 제 3 에칭처리실에서 행하도록 하면, 각각의 에칭처리실에서 공정을 고정할 수 있다. 또 제 2 에칭처리실을 교대로 사용하여 제 2 및 제 1 에칭처리실에서 연속처리할 수 있고, 제 2 및 제 3 에칭처리실에서 연속처리할 수 있다. 이에 의하여 예를 들면, 카세트(1a)에는 접속구멍 가공용 웨 이퍼를 수납하고, 카세트(1b)에는 배선홈 가공용 웨이퍼를 수납하여 1대의 장치로 접속구멍의 에칭가공과 배선홈의 에칭가공을 동시에 실시(동시처리)할 수 있다.
또한 에칭처리실을 진공반송실(6)의 주위에 4개 설치함으로써, 제 1 및 제 2 에칭처리실을 사용하여 접속구멍용 하드 마스크(45)의 에칭가공과 유기절연막(44)의 접속구멍의 에칭가공을 전용의 처리실에서 연속처리할 수 있고, 또 제 3 및 제 4 에칭처리실을 사용하여 배선홈용의 하드 마스크(45)의 에칭가공과 유기절연막(44)의 배선홈의 에칭가공을 전용의 처리실에서 연속처리할 수 있다. 이에 의하여 예를 들면, 카세트(1a)에는 접속구멍 가공용 웨이퍼를 수납하고, 카세트(1b)에는 배선홈 가공용 웨이퍼를 수납하여 1대의 장치로 접속구멍의 에칭가공과 배선홈의 에칭가공을 병렬처리할 수 있다.
또한 본 실시예에서는 로드록실(5a)과 언로드록실(5b)를 구별하여 사용하고 있으나, 카세트(1a)의 웨이퍼반입, 반출용으로 로드록실(5a)을 사용하고, 카세트 (1b)의 웨이퍼반입, 반출용으로 언로드록실(5b)을 사용하도록 하여도 좋다. 이에 의하여 상기한 에칭처리실을 3개 및 4개 설치한 처리의 경우의 동시처리 및 병렬처리에 있어서의 웨이퍼의 반송루트를 최단으로 할 수 있다.
다음에 상기 단계 116에 있어서의 유기절연막(44)에의 배선홈 가공의 에칭방법을 도 5 내지 도 10에 의해 설명한다.
배선홈의 에칭에 있어서, 표 1에 나타내는 5개의 케이스로 에칭의 상태를 평가하였다.


케이스 가스유량(cc/분) 처리실내 압력(Pa) 에칭율 (nm/분) CN/H 강도비 서브트렌치율
수소가스 질소가스 암모니아가스
1 200 10 0 3 122 0.6 96
2 200 0 20 3 154 0.7 100
3 50 50 0 3 159 4.5 122
4 50 0 50 3 189 6 126
5 200 10 0 10 127 3.7 120
케이스 1 내지 4는 처리압력을 10Pa 미만, 이 경우 3Pa로 하여 처리가스의 종류 및 가스유량을 바꾸어 실험하였다. 케이스 1 및 3은 처리가스로서 유기절연막의 에칭제가 되는 가스에 질소가스를 사용하고, 수소가스(H2)와 질소가스(N2)의 혼합가스를 사용하였다. 케이스 2 및 4는 처리가스로서 유기절연막의 에칭제가 되는 가스에 암모니아가스를 사용하고, 수소가스(H2)와 암모니아가스(NH3)의 혼합가스를 사용하였다. 케이스 1은 유기절연막의 에칭제가 되는 질소가스에 대하여 수소가스의 양을 20배하였다. 케이스 2는 유기절연막의 에칭제가 되는 암모니아가스에 대하여 수소가스의 양을 10배하였다. 케이스 3은 유기절연막의 에칭제가 되는 질소가스에 대하여 수소가스의 양을 동일하게 하였다. 케이스 4는 유기절연막의 에칭제가 되는 암모니아가스에 대하여 수소가스의 양을 동일하게 하였다. 케이스 5는 케이스 1과 동일한 처리가스조건으로 처리압력을 1OPa 이상, 이 경우 1OPa로 하였다. 또한 어느 것이나 플라즈마를 발생시키는 고주파 전압의 전력은 1kW로 하였다.
그 결과, 다음의 것을 알 수 있다.
(1) 에칭율에 있어서는 에칭제가 되는 가스로서 암모니아가스를 사용한 쪽이 에칭율이 향상한다.
(2) 서브트렌치율에 있어서는, 에칭제 가스에 비하여 수소가스를 많게 함으로써 서브트렌치율이 개선된다. 또한 서브트렌치율이란, 에칭한 측벽 가장자리의 에칭율/홈 중앙부의 에칭율을 퍼센트(%) 표시한 것이고, 이 율이 100% 이하이면 서브트렌치가 발생하지 않은 것이 된다.
(3) 서브트렌치를 방지하기 위해서는, 적어도 처리가스 중의 H성분가스와 N성분가스와의 혼합비(H성분가스/N성분가스)는 10 이상이고, 총 유량은 200cc/분 이상으로서, 발광스펙트럼 강도비율(CN/H)이 1 이하가 되는 조건으로 할 필요가 있다. 또 이것으로부터 서브트렌치를 방지하기 위해서는 에칭처리실내의 압력을 1OPa 미만으로 할 필요가 있다.
상기한 바와 같이 서브트렌치가 생기지 않은 것 및 서브트렌치가 생긴 것에 대하여 플라즈마의 발광강도를 측정하여 보면, 파장 388nm과 파장 486nm의 2점에 특징적인 발광강도가 나타나는 것을 알 수 있었다. 이 2개의 발광스펙트럼은 파장 388nm의 시안분자(CN)와 파장 486nm의 수소원자(H)인 것을 알 수 있었다.
결과적으로 서브트렌치가 없는 에칭조건은, 케이스 1 및 2였다. 서브트렌치가 생기지 않은 조건에서의 플라즈마 중의 반응생성물인 시안분자(CN)와 수소원자 (H)의 발광강도를 측정하면 도 5에 나타내는 바와 같이 시안분자(CN)의 발광강도와 비교하여 수소원자(H)의 발광강도가 높은 것을 알 수 있었다. 이 경우의 에칭조건 은 H2 : 300sccm, N2 : 10sccm, 처리압력 : 3Pa, 플라즈마발생용 고주파 전력 : 1kW 이다.
시안분자(CN)의 발광강도에 비하여 수소원자(H)의 발광강도가 높다는 것은 플라즈마 중의 수소원자(H)량, 바꿔 말하면 H라디칼량이 시안분자(CN)량보다 많이 존재하는 것을 의미한다. 이는 도 7에 나타내는 바와 같은 반응상태를 일으키고 있는 것으로 생각된다. 즉, 플라즈마 중에는 에칭제인 N이온과 비교하여 H라디칼이 많이 존재하고, N이온의 피에칭면에의 입사에 의해 유기절연막(44)과 반응하여 반응생성물이 되어 나와 행한 시안분자(CN)가 다시 웨이퍼(2)에 입사하여 피에칭부의 바닥면에 부착된다. 이 부착된 시안분자(CN)에 플라즈마로부터의 H라디칼이 접하여 반응을 일으키고, 이 시안분자(CN)는 더욱 휘발성이 높은 반응생성물(HCN)이 되어 에칭 표면으로부터 휘발하여 배기된다. 이에 의하여 피에칭부의 반응생성물[이 경우, 시안분자(CN)]의 부착분포(반응생성물은 피에칭부의 측벽측에 비하여 홈 중앙부에 부착되기 쉽다)의 영향을 받는 일 없이 에칭이 진행되어 서브트렌치를 방지할 수 있다.
이에 대하여, 나머지 케이스 3, 4, 및 5에서는 서브트렌치가 생겼다. 서브트렌치가 생겼을 때의 조건에서의 플라즈마 중의 시안분자(CN)와 수소원자(H)의 발광강도를 측정하면, 도 6에 나타내는 바와 같이 시안분자(CN)의 발광강도에 비하여 수소원자(H)의 발광강도가 작은 것을 알 수 있었다. 이 경우의 에칭조건은, H2 : 35sccm, N2 : 35sccm, 처리압력 : 3Pa, 플라즈마발생용 고주파 전력 : 1kW 이다. 이 때의 반응상태는 도 8에 나타내는 바와 같은 상태로 되어 있다고 생각된다. 즉, 플라즈마 중에는 N이온의 양이 많아 높은 에칭율이 얻어진다. 동시에 시안분자 (CN)의 양도 많아져 에칭면에의 CN의 재부착이 생긴다. 반응생성물의 재부착은 에칭면의 측벽측 바닥면보다도 바닥면 중앙부에 부착되기 쉽기 때문에, 측벽측 바닥면부가 에칭되기 쉬워져 서브트렌치가 발생한다고 생각된다. 또 웨이퍼에의 입사에너지가 큰 N이온이 상기한 바와 같이 피에칭부의 측벽측에 집중하여 서브트렌치가 생기는 것으로 생각된다.
상기한 시안분자(CN)와 수소원자(H)와의 발광강도의 비(CN/H)와 서브트렌치율과의 관계를 도 9에 나타낸다. 도 9로부터 알 수 있는 바와 같이 서브트렌치가 생기지 않은 서브트렌치율 100% 이하가 되는 CN/H 비는 거의 1 이하인 것을 알 수 있다. 덧붙여 말하면, 표 1에 나타낸 케이스의 포인트는 케이스번호를 붙인 점이다. 또 도 5에 나타낸 발광강도의 상태가 포인트 (a)이고, 도 6에 나타낸 발광강도의 상태가 포인트(b)이다.
다음에 도 1에 나타내는 제어장치(31)에 의한 서브트렌치를 방지하기 위한 제어방법에 대하여 도 10에 의해 설명한다.
상기한 유기절연막에 배선홈을 형성하는 에칭의 단계 116에 있어서 플라즈마로부터의 시안분자(CN)와 수소원자(H)의 발광스펙트럼을 광전변환기에 의해 전기신호로 변환하여, 각각의 발광강도를 측정한다(단계 121). 측정한 CN 및 H의 발광강도로부터 CN/H의 발광강도비를 구한다(단계 122). 다음에 발광강도비(CN/H)가 1 이하인지의 여부를 판정한다(단계 123). 판정한 결과, 발광강도비가 1 이하이면 그대로 에칭을 계속한다(단계 129). 에칭이 계속되어 상기한 막두께 측정을 사용한 에칭종점검출에 의하여 소정의 에칭량에 도달하였는지의 여부를 판정한다(단계 130). 아직 소정의 에칭량에 도달하고 있지 않은 경우에는 단계 121로 되돌아가 처리를 계속한다. 소정의 에칭량에 도달하여 에칭의 종점을 검출하였으면 에칭처리를 종료한다.
한편 단계 123에 있어서, 발광강도비가 1 보다 큰 경우, 수소가스의 유량제어밸브를 제어하여 수소가스의 유량을 증가시킨다(단계 124). 이 경우 질소가스의 양을 적게 하도록 하여도 좋으나, 에칭율이 저하하기 때문에 수소가스 유량을 제어하는 쪽이 바람직하지 않다. 또한 도시를 생략하고 있으나, 제어장치(31)는 처리압력이 일정하게 되도록 배기속도 조정밸브(27)를 제어한다. 다음에 수소가스의 유량제어에 있어서 유량제어의 값이 상한에 도달하고 있는지의 여부, 즉 최대인지의 여부를 판정한다(단계 125). 유량제어의 값이 최대에 도달하고 있지 않은 동안은 단계 121로 되돌아가 발광강도비의 체크를 반복한다.
다른 한편, 유량제어의 값이 최대이고, 더 이상 수소가스를 증가시킬 수 없는 경우에는 플라즈마생성용 전력을 증가시킨다(단계 126). 이에 의하여 플라즈마 중의 수소분자의 분해가 높아지고, H라디칼이 많이 발생하여 H의 발광강도가 높아진다. 다음에 플라즈마생성용 고주파 전원으로부터의 고주파 전력의 출력값이 최대인지의 여부를 판정한다(단계 127). 고주파 전력의 출력값이 최대에 도달하고 있지 않은 동안은 단계 121로 되돌아가 발광강도비의 체크를 반복한다.
한편, 고주파 전력의 출력값이 최대이고, 더 이상 전력값을 올릴 수 없는 경 우에는, 웨이퍼에의 바이어스인가의 고주파 전력의 출력값을 저하한다(단계 128).
상기한 바와 같이 제 1 단계에서는 수소가스를 증가시키고, 제 2 단계에서는 플라즈마생성용 전력을 증가시켜 제어하고 있기 때문에, 에칭율에 기인하는 파라미터를 저하하는 일 없이 서브트렌치의 발생을 억제하기 때문에, 소정의 에칭율을 유지한 채로 서브트렌치를 방지할 수 있다.
이상, 본 실시예에 의하면 1OPa 보다 낮은 처리압력으로 함과 동시에, 에칭처리시에 재부착되기 쉬운 반응생성물(CN)을 수소성분과 반응시켜 적극적으로 휘발성이 높은 반응생성물(HCN)로 하여 배출하고 있기 때문에, 처리실내에의 반응생성물의 부착을 억제하고, 마이크로 트렌치를 방지하여 유기절연막을 에칭할 수 있다는 효과가 있다.
또 본 실시예에 의하면, 저유전율의 유기절연막의 에칭에 있어서, 서브트렌치를 생기게 하는 일 없이, 홈 또는 구멍 바닥형상을 평탄하게 할 수 있으므로, 에칭스토퍼층을 사용하는 일 없이 반도체 LSI칩상의 전기배선용 홈을 형성할 수 있다.
또 본 실시예에 의하면, 1OPa 보다 낮은 처리압력하에서 처리가스로서 질소가스와 수소가스의 혼합가스를 사용하여 플라즈마 중의 시안분자(CN)와 수소원자(H)와의 발광스펙트럼의 발광강도비(CN/H)를 1 이하로 제어함으로써, 서브트렌치 없이 유기절연막을 에칭처리할 수 있다.
또 발광강도비(CN/H)가 1 이하가 되도록 수소가스의 유량을 증가 제어함으로써, 유기절연막의 에칭율을 저하시키는 일 없이 서브트렌치를 억제할 수 있다.
또 발광강도비(CN/H)가 1 이하가 되도록 플라즈마생성용 고주파 전력의 출력을 증가 제어함으로써, 플라즈마 중의 H라디칼량을 증가시켜 유기절연막의 에칭율을 저하시키는 일 없이 서브트렌치를 억제할 수 있다.
또 처리가스로서 질소가스와 수소가스와의 혼합가스를 사용하고 있기 때문에, 플라즈마 중의 가스조성이 단순하고, 처리가스의 유량제어로 용이하게 발광강도비(CN/H)를 제어할 수 있다.
또한 본 실시예에서는 유기절연막의 홈가공에 처리가스로서 질소가스와 수소가스와의 혼합가스를 사용하였으나, 암모니아가스와 수소가스와의 혼합가스를 사용하여도 마찬가지로 플라즈마 중의 발광강도비(CN/H)를 1 이하로 함으로써, 동일한 효과를 얻을 수 있다.
또 본 실시예에서는 플라즈마생성용 고주파 전원으로서 주파수 450MHz의 전원을 사용한 UHF 유자장형의 플라즈마처리장치를 사용하였으나, 1OPa 보다 낮은 처리압력으로 유기절연막을 에칭처리하는 장치이면, 다른 방전방식(예를 들면 마이크로파 ECR방식, 용량결합방식, 유도결합방식, 마그네트론방식 등)의 장치에 있어서도 시안분자와 수소원자와의 균형을 취하여 동일한 효과를 얻는 것이 가능하다.
이상, 본 발명에 의하면 처리실내에의 반응생성물의 부착을 억제하여 마이크로 트렌치를 방지하여 유기절연막을 에칭할 수 있다는 효과가 있다.
상기한 설명은 본 발명의 실시예에 관한 것이고, 본 발명의 정신과 첨부한 청구범위로부터 일탈하지 않는 범위에서 다양하게 변화 및 변경할 수 있음을 당업 자는 폭넓게 이해할 것이다.

Claims (9)

  1. 유기절연막을 형성한 피에칭 시료를 생성된 플라즈마를 이용하여 에칭처리하는 유기절연막의 에칭방법에 있어서,
    상기 피에칭 시료가 설치된 에칭 처리실 내에 수소가스와 질소가스 또는 암모니아가스와의 혼합가스를 공급하여 상기 플라즈마를 생성하는 플라즈마 생성 단계와,
    상기 플라즈마 생성 단계에서 생성된 플라즈마 중의 수소원자의 발광 스펙트럼 파장 486 nm 및 시안분자의 발광 스펙트럼 파장 388 nm의 강도를 측정하는 측정 단계를 가지고,
    상기 플라즈마 생성 단계에 있어서 상기 측정 단계에서 측정된 수소원자의 발광 스펙트럼 강도를 상기 측정 단계에서 측정된 시안분자의 발광 스펙트럼 강도 이상으로 높이도록, 적어도 상기 공급되는 혼합가스의 혼합비를 제어하는 제어 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기절연막의 에칭방법.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 제어 단계에서 상기 수소원자의 발광 스펙트럼 강도에 대한 상기 시안분자의 발광 스펙트럼 강도의 비율을 산출하고, 상기 산출된 비율이 1 이하가 되도록 적어도 상기 공급되는 혼합가스의 혼합비를 제어하는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기절연막의 에칭방법.
  3. 유기절연막을 형성한 피에칭 시료를 생성된 플라즈마를 이용하여 에칭처리하는 유기절연막의 에칭방법에 있어서,
    상기 피에칭 시료가 설치된 에칭 처리실 내에, 수소가스와 질소가스 또는 암모니아가스와의 혼합가스를 공급하여 상기 플라즈마를 생성하는 플라즈마 생성 단계와,
    상기 플라즈마 생성 단계에서 생성된 플라즈마 중의 수소원자의 발광 스펙트럼 파장 486 nm 및 시안분자의 발광 스펙트럼 파장 388 nm의 강도를 측정하는 측정 단계를 가지고,
    상기 플라즈마 생성 단계에 있어서 상기 측정 단계에서 측정된 수소원자의 발광 스펙트럼 강도를 상기 측정 단계에서 측정된 시안분자의 발광 스펙트럼 강도 이상으로 높이도록, 적어도 상기 공급되는 혼합가스 중 상기 수소가스의 유량을 제어하는 제어 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기절연막의 에칭방법.
  4. 제 3항에 있어서,
    상기 제어 단계에서 상기 수소원자의 발광 스펙트럼 강도에 대한 상기 시안분자의 발광 스펙트럼 강도의 비율을 산출하고, 상기 산출된 비율이 1 이하가 되도록 적어도 상기 공급되는 혼합가스 중 상기 수소가스의 유량을 제어하는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기절연막의 에칭방법.
  5. 제 1항 또는 제 3항에 있어서,
    상기 플라즈마 생성 단계에서 상기 에칭 처리실 내의 압력은 10 Pa 미만 인 것을 특징으로 하는 유기절연막의 에칭방법.
  6. 제 1항 또는 제 3항에 있어서,
    상기 플라즈마 생성 단계에서 상기 공급되는 상기 혼합가스에서의 상기 질소가스 또는 상기 암모니아가스에 대한 상기 수소가스의 혼합비가 10 이상인 것을 특징으로 하는 유기절연막의 에칭방법.
  7. 제 1항 또는 제 3항에 있어서,
    상기 플라즈마 생성 단계에서 상기 공급되는 상기 혼합가스의 총유량이 200 cc/분 이상인 것을 특징으로 하는 유기절연막의 에칭방법.
  8. 제 1항 또는 제 3항에 있어서,
    상기 제어 단계에서 플라즈마 생성용 전력을 제어하는 것을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기절연막의 에칭방법.
  9. 제 1항 또는 제 3항에 있어서,
    상기 제어 단계에서 피에칭 시료에 대한 바이어스인가의 고주파 전력의 출력값을 제어하는 것을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기절연막의 에칭방법.
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