KR100747785B1 - 리소그래피 장치, 교정 방법 및 디바이스 제조방법 - Google Patents
리소그래피 장치, 교정 방법 및 디바이스 제조방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR100747785B1 KR100747785B1 KR1020040037783A KR20040037783A KR100747785B1 KR 100747785 B1 KR100747785 B1 KR 100747785B1 KR 1020040037783 A KR1020040037783 A KR 1020040037783A KR 20040037783 A KR20040037783 A KR 20040037783A KR 100747785 B1 KR100747785 B1 KR 100747785B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- elements
- substrate
- array
- detector
- projection
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70491—Information management, e.g. software; Active and passive control, e.g. details of controlling exposure processes or exposure tool monitoring processes
- G03F7/70516—Calibration of components of the microlithographic apparatus, e.g. light sources, addressable masks or detectors
-
- D—TEXTILES; PAPER
- D03—WEAVING
- D03D—WOVEN FABRICS; METHODS OF WEAVING; LOOMS
- D03D13/00—Woven fabrics characterised by the special disposition of the warp or weft threads, e.g. with curved weft threads, with discontinuous warp threads, with diagonal warp or weft
- D03D13/004—Woven fabrics characterised by the special disposition of the warp or weft threads, e.g. with curved weft threads, with discontinuous warp threads, with diagonal warp or weft with weave pattern being non-standard or providing special effects
-
- D—TEXTILES; PAPER
- D03—WEAVING
- D03D—WOVEN FABRICS; METHODS OF WEAVING; LOOMS
- D03D1/00—Woven fabrics designed to make specified articles
-
- D—TEXTILES; PAPER
- D03—WEAVING
- D03D—WOVEN FABRICS; METHODS OF WEAVING; LOOMS
- D03D15/00—Woven fabrics characterised by the material, structure or properties of the fibres, filaments, yarns, threads or other warp or weft elements used
-
- D—TEXTILES; PAPER
- D03—WEAVING
- D03D—WOVEN FABRICS; METHODS OF WEAVING; LOOMS
- D03D9/00—Open-work fabrics
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70283—Mask effects on the imaging process
- G03F7/70291—Addressable masks, e.g. spatial light modulators [SLMs], digital micro-mirror devices [DMDs] or liquid crystal display [LCD] patterning devices
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70591—Testing optical components
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Textile Engineering (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
Abstract
Description
Claims (14)
- 리소그래피 장치에 있어서,- 방사선 투영빔을 공급하는 조명시스템;- 소정 패턴을 갖는 투영빔을 부여하는 역할을 하는 개별적으로 제어가능한 요소들의 배열;- 기판을 지지하는 기판테이블; 및- 패터닝된 빔을 기판의 타겟부상으로 투영하기 위한 투영시스템을 포함하고,- 상기 기판 상에 투영된 상기 기판의 위치 내 투영된 패터닝된 빔내에 위치설정가능하고 복수의 개별검출요소들을 갖는 픽셀 교정 디텍터를 포함하며, 각 검출요소는 상기 배열의 단일 픽셀에 대응되는 스폿보다 크며,- 상기 복수의 개별검출요소에 대응되는 복수의 어퍼처를 갖는 어퍼처 부재를 포함하는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
- 제1항에 있어서,상기 디텍터가 상기 기판테이블상에 장착되는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
- 제1항 또는 제2항에 있어서,상기 디텍터는 CCD, CMOS 센서 또는 포토-다이오드 배열을 포함하는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
- 제1항에 있어서,상기 각 어퍼처는 상기 디텍터상으로 투영되고 상기 패터닝수단의 단일 픽셀에 대응되는 스폿보다 큰 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
- 제1항에 있어서,상기 디텍터는 마이크로렌즈 배열을 더 포함하고, 상기 마이크로렌즈 배열의 각각의 마이크로렌즈는 1 이상의 상기 검출요소를 가로지르는 상기 배열의 단일 요소에 대응되는 방사선을 확산시키는 역할을 하는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
- 리소그래피 투영장치 교정방법에 있어서,- 방사선 투영빔을 공급하는 조명시스템;- 소정 패턴을 갖는 투영빔을 부여하는 역할을 하는 개별적으로 제어가능한 요소들의 배열;- 기판을 지지하는 기판테이블; 및- 패터닝된 빔을 기판의 타겟부상으로 투영하기 위한 투영시스템을 포함하고,- 상기 기판 위치 내 투영되는 패터닝된 빔내에 픽셀 교정 디텍터를 위치설정시키는 단계로서, 상기 디텍터가 복수의 검출요소들을 가지며, 각각의 상기 검출요소는 상기 배열의 단일 요소에 대응되는 상기 기판 상에 투영된 스폿보다 큰 상기 단계;- 상기 배열의 요소들을 선택적으로 작동시키는 단계;- 상기 검출요소들 각각에 수용되는 방사선을 검출하는 단계;- 상기 검출 단계의 결과들을 기준으로 하여 상기 리소그래피 투영장치를 교정하는 단계; 및- 상기 디텍터는 상기 복수의 검출요소에 대응되는 복수의 어퍼처를 갖는 어퍼처 부재를 포함하는 것을 특징으로 하는 교정방법.
- 제6항에 있어서,상기 배열의 요소들을 선택적으로 작동시키는 단계에 있어서,측정 간격동안 상기 요소들은 상기 검출요소들 중 주어진 하나에 대응되는 상기 배열의 복수의 요소들 중 단 하나만 작동되도록 상기 요소들이 작동되는 것을 특징으로 하는 교정방법.
- 제7항에 있어서,상기 선택적으로 작동 및 검출하는 단계들은, 작동되는 상기 검출요소들 중 주어진 하나에 대응되는 상기 배열의 상기 복수의 요소들 중 상이한 것들을 이용하여 반복되는 것을 특징으로 하는 교정방법.
- 제6항에 있어서,상기 배열의 요소들을 선택적으로 작동시키는 단계에서, 제1측정 간격동안 상기 검출요소들 중 주어진 하나에 대응되는 상기 배열의 복수의 요소들의 제1세트가 작동되도록 상기 요소들이 작동되는 것을 특징으로 하는 교정방법.
- 제9항에 있어서,상기 선택적으로 작동 및 검출하는 단계들은, 작동되는 상기 검출요소들 중 주어진 하나에 대응되는 상기 배열의 상기 복수의 요소들의 상이한 세트를 이용하여 반복되는 것을 특징으로 하는 교정방법.
- 제8항 또는 제9항에 있어서,상기 디텍터는, 상기 선택적으로 작동 및 검출하는 단계들의 반복 중에 상기 투영되는 패터닝된 빔에 대해 움직이는 것을 특징으로 하는 교정방법.
- 디바이스 제조방법에 있어서,- 기판을 제공하는 단계;- 조명시스템을 사용하여 방사선 투영빔을 제공하는 단계;- 상기 투영빔에 소정 패턴을 부여하기 위하여 개별적으로 제어가능한 요소들의 배열을 사용하는 단계;- 방사선의 상기 패터닝된 빔을 상기 기판의 타겟부상으로 투영하는 단계를 포함하고,상기 개별적으로 제어가능한 요소들의 배열을 사용하는 단계에 앞서, 제6항에 따른 방법에 의하여 상기 배열이 교정되는 것을 특징으로 디바이스 제조방법.
- 제4항에 있어서,상기 각 어퍼처는 투영되는 스폿 크기의 10배보다 큰 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
- 제4항 또는 제13항에 있어서,상기 각 어퍼처는 검출요소 크기의 75%보다 작은 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
EP03253333.3 | 2003-05-28 | ||
EP03253333 | 2003-05-28 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20040103346A KR20040103346A (ko) | 2004-12-08 |
KR100747785B1 true KR100747785B1 (ko) | 2007-08-08 |
Family
ID=33560882
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020040037783A KR100747785B1 (ko) | 2003-05-28 | 2004-05-27 | 리소그래피 장치, 교정 방법 및 디바이스 제조방법 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US7183566B2 (ko) |
JP (1) | JP4522147B2 (ko) |
KR (1) | KR100747785B1 (ko) |
CN (1) | CN100487579C (ko) |
SG (1) | SG116550A1 (ko) |
TW (1) | TWI304522B (ko) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI304522B (en) | 2003-05-28 | 2008-12-21 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus, method of calibrating and device manufacturing method |
US7102733B2 (en) * | 2004-08-13 | 2006-09-05 | Asml Holding N.V. | System and method to compensate for static and dynamic misalignments and deformations in a maskless lithography tool |
US7924416B2 (en) * | 2005-06-22 | 2011-04-12 | Nikon Corporation | Measurement apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method |
CN101286011B (zh) * | 2008-05-30 | 2010-06-02 | 上海微电子装备有限公司 | 光刻设备的探测装置、探测方法及制造方法 |
WO2012130532A1 (en) * | 2011-03-29 | 2012-10-04 | Asml Netherlands B.V. | Measurement of the position of a radiation beam spot in lithography |
US9263233B2 (en) * | 2013-09-29 | 2016-02-16 | Carl Zeiss Microscopy Gmbh | Charged particle multi-beam inspection system and method of operating the same |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6121626A (en) | 1998-09-17 | 2000-09-19 | Vanguard International Semiconductor Corporation | Method and system of exposure with a universal dynamic mask and charge coupled device image feedback control |
JP2003057714A (ja) | 2001-08-13 | 2003-02-26 | Nikon Corp | 露出補正装置 |
US20030081303A1 (en) | 2001-09-12 | 2003-05-01 | Micronic Laser Systems Ab | Method and apparatus using an SLM |
KR20040064719A (ko) * | 2001-11-28 | 2004-07-19 | 마이크로닉 레이저 시스템즈 에이비 | 손상 픽셀 보상 방법 |
Family Cites Families (32)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5523193A (en) * | 1988-05-31 | 1996-06-04 | Texas Instruments Incorporated | Method and apparatus for patterning and imaging member |
JPH03264837A (ja) * | 1990-02-23 | 1991-11-26 | Ricoh Co Ltd | 発光アレイの光強度分布測定装置 |
JPH03264937A (ja) | 1990-03-15 | 1991-11-26 | Canon Inc | 写真印画紙収納機器 |
ATE123885T1 (de) * | 1990-05-02 | 1995-06-15 | Fraunhofer Ges Forschung | Belichtungsvorrichtung. |
US5229872A (en) * | 1992-01-21 | 1993-07-20 | Hughes Aircraft Company | Exposure device including an electrically aligned electronic mask for micropatterning |
US6219015B1 (en) * | 1992-04-28 | 2001-04-17 | The Board Of Directors Of The Leland Stanford, Junior University | Method and apparatus for using an array of grating light valves to produce multicolor optical images |
JP3224041B2 (ja) * | 1992-07-29 | 2001-10-29 | 株式会社ニコン | 露光方法及び装置 |
US5729331A (en) * | 1993-06-30 | 1998-03-17 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, optical projection apparatus and a method for adjusting the optical projection apparatus |
JP3339149B2 (ja) * | 1993-12-08 | 2002-10-28 | 株式会社ニコン | 走査型露光装置ならびに露光方法 |
US5677703A (en) * | 1995-01-06 | 1997-10-14 | Texas Instruments Incorporated | Data loading circuit for digital micro-mirror device |
DE19505729C1 (de) * | 1995-02-20 | 1996-10-31 | Siemens Ag | Röntgendiagnostikeinrichtung |
US5530482A (en) * | 1995-03-21 | 1996-06-25 | Texas Instruments Incorporated | Pixel data processing for spatial light modulator having staggered pixels |
DE69729659T2 (de) * | 1996-02-28 | 2005-06-23 | Johnson, Kenneth C., Santa Clara | Mikrolinsen-rastereinrichtung für mikrolithografie und für konfokale mikroskopie mit grossem aufnahmefeld |
GB9618717D0 (en) * | 1996-09-07 | 1996-10-16 | Philips Electronics Nv | Image sensor |
KR100459813B1 (ko) | 1997-01-29 | 2004-12-04 | 마이크로닉 레이저 시스템즈 에이비 | 집속된 레이저 광선에 의해 감광 물질로 코팅된 기판상에 구조체를 형성시키는 방법 및 장치 |
US6177980B1 (en) * | 1997-02-20 | 2001-01-23 | Kenneth C. Johnson | High-throughput, maskless lithography system |
JP3595117B2 (ja) * | 1997-02-27 | 2004-12-02 | Hoya株式会社 | アレイ素子検査方法およびアレイ素子検査装置 |
SE509062C2 (sv) | 1997-02-28 | 1998-11-30 | Micronic Laser Systems Ab | Dataomvandlingsmetod för en laserskrivare med flera strålar för mycket komplexa mikrokolitografiska mönster |
US5982553A (en) * | 1997-03-20 | 1999-11-09 | Silicon Light Machines | Display device incorporating one-dimensional grating light-valve array |
SE9800665D0 (sv) * | 1998-03-02 | 1998-03-02 | Micronic Laser Systems Ab | Improved method for projection printing using a micromirror SLM |
US6261728B1 (en) * | 1998-10-19 | 2001-07-17 | Vanguard International Semiconductor Corporation | Mask image scanning exposure method |
DE69940442D1 (de) * | 1999-01-06 | 2009-04-02 | Hideyoshi Horimai | Vorrichtung und verfahren zur dreidimensionalen bildaufnahme und vorrichtung und verfahren zur dreidimensionalen bildwiedergabe |
JP2001160973A (ja) * | 1999-12-02 | 2001-06-12 | Nikon Corp | 固体撮像素子及び電子カメラ |
US6811953B2 (en) * | 2000-05-22 | 2004-11-02 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, method for manufacturing therof, method for exposing and method for manufacturing microdevice |
JP2002125156A (ja) * | 2000-08-11 | 2002-04-26 | Nikon Corp | 固体撮像素子及び電子カメラ |
JP2002185032A (ja) * | 2000-10-06 | 2002-06-28 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 受光アレイ素子、受光モジュール及び受光モジュールと光コネクタとの接続構造 |
JP2002217394A (ja) * | 2001-01-18 | 2002-08-02 | Sony Corp | 固体撮像装置およびその製造方法 |
JP3563384B2 (ja) * | 2001-11-08 | 2004-09-08 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 画像記録装置 |
SG130007A1 (en) * | 2002-06-12 | 2007-03-20 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US6870554B2 (en) * | 2003-01-07 | 2005-03-22 | Anvik Corporation | Maskless lithography with multiplexed spatial light modulators |
TWI304522B (en) * | 2003-05-28 | 2008-12-21 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus, method of calibrating and device manufacturing method |
EP1482373A1 (en) * | 2003-05-30 | 2004-12-01 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
-
2004
- 2004-05-19 TW TW093114126A patent/TWI304522B/zh active
- 2004-05-19 US US10/848,583 patent/US7183566B2/en active Active
- 2004-05-26 SG SG200402967A patent/SG116550A1/en unknown
- 2004-05-27 KR KR1020040037783A patent/KR100747785B1/ko active IP Right Grant
- 2004-05-27 CN CNB2004100476584A patent/CN100487579C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2004-05-27 JP JP2004157038A patent/JP4522147B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2007
- 2007-02-12 US US11/705,147 patent/US7459710B2/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6121626A (en) | 1998-09-17 | 2000-09-19 | Vanguard International Semiconductor Corporation | Method and system of exposure with a universal dynamic mask and charge coupled device image feedback control |
JP2003057714A (ja) | 2001-08-13 | 2003-02-26 | Nikon Corp | 露出補正装置 |
US20030081303A1 (en) | 2001-09-12 | 2003-05-01 | Micronic Laser Systems Ab | Method and apparatus using an SLM |
KR20040064719A (ko) * | 2001-11-28 | 2004-07-19 | 마이크로닉 레이저 시스템즈 에이비 | 손상 픽셀 보상 방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN1573560A (zh) | 2005-02-02 |
TW200510953A (en) | 2005-03-16 |
JP4522147B2 (ja) | 2010-08-11 |
US20050006563A1 (en) | 2005-01-13 |
SG116550A1 (en) | 2005-11-28 |
JP2004356632A (ja) | 2004-12-16 |
US20070145306A1 (en) | 2007-06-28 |
US7183566B2 (en) | 2007-02-27 |
US7459710B2 (en) | 2008-12-02 |
TWI304522B (en) | 2008-12-21 |
CN100487579C (zh) | 2009-05-13 |
KR20040103346A (ko) | 2004-12-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4320319B2 (ja) | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 | |
KR100674225B1 (ko) | 잠재 오버레이 메트롤로지 | |
KR100767090B1 (ko) | 리소그래피장치 및 디바이스 제조방법 | |
US7965380B2 (en) | Lithographic apparatus and device manufacturing method | |
US7804603B2 (en) | Measurement apparatus and method | |
US7388663B2 (en) | Optical position assessment apparatus and method | |
US8390787B2 (en) | Lithographic apparatus and device manufacturing method | |
US7459710B2 (en) | Lithographic apparatus, method for calibrating and device manufacturing method | |
JP5112662B2 (ja) | リソグラフィ装置及びレチクル誘導cduを補償するデバイス製造方法 | |
US7233384B2 (en) | Lithographic apparatus and device manufacturing method, and device manufactured thereby for calibrating an imaging system with a sensor | |
US7239393B2 (en) | Calibration method for a lithographic apparatus and device manufacturing method | |
JP2010206221A (ja) | リソグラフィ装置、放射線ビーム検査デバイス、放射線ビームの検査方法およびデバイス製造方法 | |
JP4414327B2 (ja) | 回折格子パッチ構造、リソグラフィ装置及び試験方法 | |
EP1482371A1 (en) | Method of calibrating a lithographic apparatus | |
EP1491966A1 (en) | Calibration method for a lithographic apparatus |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
G170 | Publication of correction | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20120723 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130726 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20140725 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20150724 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160722 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170721 Year of fee payment: 11 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20180719 Year of fee payment: 12 |