KR100719055B1 - 반도체 장치 및 그 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

전력 반도체 소자의 칩 사이즈가 알루미늄 와이어의 지름으로 결정되지 않는 반도체 장치를 제공한다. IGBT(1)의 이미터 전극 위에는, 제1 및 제2접속 전극이 서로 마주 하도록 분리·형성되고, 다이오드(2)의 애노드 전극 위에도 서로 마주 하도록 분리된 제1 및 제2접속 전극이 형성되어 있다. 인출전극(4)의 한쪽의 측면부 4SP1로부터는 내측에 절곡된 제1전극 배선부(5A)가 형성되고, 다른 쪽의 측면부 4SP2로부터도 제2전극 배선부(5B)가, 제1전극 배선부(5A)와 마주 하도록 분리·형성되어 있다. IGBT(1)에 마주 하는 위치에 있는 제1 및 제2전극 배선부(5A, 5B)는 각각 제1 및 제2접속 전극에만 납땜 되고, 마찬가지로, 다이오드(2)에 마주 하는 위치에 있는 제1 및 제2전극 배선부(5A, 5B)도 각각 제1 및 제2접속 전극에만 납땜 되어 있다.
IGBT, 다이오드, 배선부, 인출전극

Description

반도체 장치 및 그 제조 방법{SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF}
도 1은 본 발명의 실시예 1에 관한 반도체 장치의 구성을 도시한 도면,
도 2는 실시예 1에 있어서의 인출전극의 구성을 도시한 도면,
도 3은 실시예 1에 관한 IGBT와 프리 휠 다이오드가 이면금속판 위에 탑재되어 있는 상태를 도시한 상면도,
도 4는 실시예 1에 관한 IGBT의 표면상의 구성을 확대적으로 도시한 상면도,
도 5는 실시예 1에 관한 IGBT의 접속 전극의 구성을 모식적으로 도시한 상면도,
도 6은 실시예 1에 관한 다이오드의 접속 전극의 구성을 모식적으로 도시한 상면도,
도 7은 본 발명의 실시예 2에 관한 반도체 장치의 제조공정을 도시한 종단면도,
도 8은 본 발명의 실시예 2에 관한 반도체 장치의 제조공정을 도시한 종단면도,
도 9는 본 발명의 실시예 2에 관한 반도체 장치의 제조공정을 도시한 종단면 도이다.
[도면의 주요부분에 대한 부호의 설명]
1 : IGBT 2 : 다이오드
3 : 이면금속판 4 : 인출전극
5, 5A, 5B : 전극 배선부 6, 7, 8, 9 : 납땜
10, 11 : 접속 전극 12 : 온도 센서
[기술분야]
본 발명은, 전력 반도체 소자와, 이 전력 반도체 소자의 전류를 인출하는 전극과의 접속에 관한 것이다.
[배경기술]
모터 등을 구동하는 파워 일렉트로닉스에서는, 스위칭 소자로서, 정격전압이 300V이상의 영역에서는 그 특징상 IGBT가 사용되고 있고, 또한, 스위칭 소자에 병렬로 접속된 환류용의 프리 휠 다이오드가 사용되어 있다.
인버터 회로는 직류와 교류와의 변환기이며, 스위칭 소자인 IGBT와 프리 휠 다이오드로 구성되고, IGBT 및 프리 휠 다이오드의 각각은 4소자 또는 6소자로 모터 제어용으로 사용된다. 인버터 회로는, 직류단자가 직류전원에 접속되고, IGBT를 스위칭시카는 것으로, IGBT직류전압을 교류전압으로 변환하고, 부하인 모터에 급전한다.
IGBT와 프리 휠 다이오드가 각각 6소자 있는 인버터 회로의 제품에서는, 동일 기판 위에, 1개의 IGBT와 1개의 프리 휠 다이오드로 이루어지는 페어가 6개 배치되어 있다. 그리고, 이 6개의 페어는 하우징의 내부에 형성되고, 하우징에는, 외부 컬렉터 전극, 외부 이미터 전극 및 외부 게이트 전극이 형성되어 있다. 이들의 외부전극과, IGBT와 프리 휠 다이오드와의 한 쌍은, 알루미늄 와이어에 의해 접속되어 있다.
[특허문헌 1] 일본국 공개특허공보 특개평9-172136호 공보
[특허문헌 2] 일본국 공개특허공보 특개2002-43508호 공보
[특허문헌 3] 일본국 공개특허공보 특개2004-228461호 공보
[발명의 개시]
IGBT의 특성의 향상 및 IGBT칩의 축소화에 따라, 현재의 IGBT칩의 사이즈는, 10년전과 비교하면, 1/2∼1/4이하까지 작아지고 있다. 한편, 인버터 회로의 제품단계에서는, IGBT와 다이오드를 알루미늄 와이어에 의해 서로 접속하고 있기 때문에, 상기한 바와 같이 IGBT의 칩 사이즈가 작아지면, 알루미늄 와이어를 펴야할 칩 표면영역의 면적을 줄여야만 한다. 그런데, 알루미늄 와이어에 흐르는 전류값에는 한계가 있기 때문에(그 값이 결정되어 있기 때문에), 칩 사이즈가 알루미늄 와이어의 지름에 의해 결정되게 되는, 상기한 칩 사이즈의 소형화의 경향과는 상반되는 문제점이 최근 발생하고 있다.
또한, 칩의 상부측에서 알루미늄 와이어를 칩에 직접적으로 접속하므로, 칩 상부로 열이 덜 달아난다는 문제점도 발생하고 있다.
또한 Heat Cycle(H/C)의 수명이 알루미늄 와이어와의 접촉 면적으로 결정되므로, 현재의 제품은, 요구값이 높아진 최근의 H/C수명의 요구를 만족할 수도 없게 되었다.
본 발명은, 이러한 기술적 상황에 감안하여 행해진 것으로, 전력 반도체 소자의 칩 사이즈가 알루미늄 와이어의 지름으로 결정되는 경우가 없으며, 전력 반도체 소자의 칩 사이즈의 소형화에 대응가능하며, 또한, 제조상의 여러가지 이점을 발휘할 수 있는, 반도체 장치를 제공하는 것을 그 목적으로 하고 있다.
[과제를 해결하기 위한 수단]
본 발명의 주제에 관한 반도체 장치는, 표면 및 이면위에 각각 형성된 제1 및 제2주전극을 구비하는 전력 반도체 소자와, 상기 전력 반도체 소자의 상기 제2주전극과 전기적으로 접속된 금속판과, 상기 제1주전극 위에 상대하도록 분리 형성된 제1 및 제2접속 전극과, 그 한쪽의 측면부로부터 아래쪽을 향해 형성된 제1전극 배선부와, 상기 한쪽의 측면부에 대향하는 다른 쪽의 측면부로부터 아래쪽을 향해 상기 제1전극 배선부와 상대하도록 상기 제1전극 배선부와는 분리하여 형성된 제2전극 배선부를 구비하는 인출전극을 구비하고, 상기 제1전극 배선부는 상기 제1접 속 전극과만 전기적으로 접속되고 있는 한편, 상기 제2전극 배선부는 상기 제2접속 전극과만 전기적으로 접속되는 것을 특징으로 한다.
이하, 본 발명 주제의 여러가지 구체화를, 첨부된 도면을 기초로, 그 효과·이점과 함께, 상세한 설명한다.
[발명을 실시하기 위한 최선의 형태]
(실시예 1)
본 실시예의 특징점은, 인출 배선(후술하는 전극 배선부에 상당)의 분할에 대응하여, 전력 반도체 소자의 표면전극(제1주전극)상의 접속 전극도 분할하고, 분할된 인출 배선과 그것에 대응하는 분할된 접속 전극끼리를 상대향시켜 전기적으로 접속한 점에 있다. 이하, 인버터 회로의 IGBT와 다이오드와의 1페어에 관해서, 상기 특징점을 도면에 근거하여 구체적으로 기재한다.
도 1은, 본 실시예의 일례에 관한 반도체 장치의 구성을 도시한 정면도(a)와 그 측면도(b)이다. 또한, 도 2는, 상부측의 인출전극(4)의 구성을 도시한 정면도(a), 하면도(b) 및 측면도(c)이다. 또한, 도 3은, 밑면의 전극에 해당하는 이면금속판(3)위에 탑재된 전력 반도체 소자, 즉 IGBT(1) 및 다이오드(2)를 도시한 상면도이다. 도 1 및 도 3중, 부호 D1은 제1방향에 해당하고, 부호 D2는 제1방향 D1과 직교하는 제2방향이다. 또한 도 4은, 도 3의 IGBT(1)의 상면 구성을 확대화하여 도시한 상면도이다.
도 1에 도시한 바와 같이, IGBT(1)의 컬렉터 전극(제2주전극) 1PE2 및 다이오드(2)의 캐소드 전극(제2주전극) 2PE2은, 각각 땜납(6, 7)에 의해, 이면금속판 (3)의 표면상에 전기적으로 접속되어 있다.
도 3 및 도 4에 도시한 바와 같이, 제1주전극을 그 위에 형성해야 할 IGBT(1)의 표면 주위에는, 통상의 IGBT와 마찬가지로, 게이트 패드와 연결된 게이트 배선 GL이 형성되고 있고, 이 게이트 배선 GL을 둘러싸도록, 분할 영역 DR이 이 표면에 형성되어 있다. 그리고, 이 분할 영역 DR내에는, 제1주전극은 형성되고 있지 않다. 즉, 분할 영역 DR으로 둘러싸인 내측의 IGBT(1)의 표면상에, 이미터 전극(제1주전극)1PE1이 배치되어 있다. 특히, IGBT(1)의 표면중앙에 있어서 제2방향 D2을 따라 연장하는 분할 영역 DR1의 존재에 의해, 이미터 전극 1PE1은 제 1방향 D1에 관해 상하로 2분할 되고 있다. 즉 이미터 전극 1PE1은, 상부측의 이미터 전극 1PE1A과, 하부측의 이미터 전극 1PE1B으로 분할되고 있다. 또한 분할 영역 DR 내에서 제 1방향 D1을 따라 빗살모양으로 연장된 6개의 분할 영역 DR2의 존재에 의해, 상부측의 이미터 전극 1PE1A는 제2방향 D2를 따라 대략 4분할된 상태에 있고, 마찬가지로, 하부측의 이미터 전극 1PE1B도 제2방향 D2을 따라 마치 4분할된 상태에 있다. 그리고, 이미터 전극 1PE1의 각 분할 부분위에, 접속 전극(10)이 형성되어 있다. 즉 상부측의 이미터 전극 1PEIA의 각 분할 부분위에 형성된 접속 전극(10)인 제1접속 전극(10A)은, 분할 영역 DR1을 사이에 놓고, 하부측의 이미터 전극 1PE1B의 대응하는 분할 부분위에 형성된 접속 전극(10)인 제2접속 전극(10B)과 서로 마주하고 있다. 바꾸어 말하면, 제1접속 전극(10A) 및 그것과 마주 하는 제2접속 전극(10B)은 모두 제1방향 D1을 따라 형성되고, 또한, 제2방향 D2에 관해서 분할되고 있다. 이들의 접속 전극(10)은, 후술하는 접속 전극(11)과 마찬가지로, 최 표면에 Au가 형성된 금속이며, 이 구조에 의해 동 전극(10)과의 납땜을 가능하게 하고 있다.
또한 이미터 전극 1PE1을 상부측의 이미터 전극 1PEIA과 하부측의 이미터 전극 1PE1B으로 2분할하는 분할 영역 DR1의 대략 중앙부분에는, IGBT칩의 온도를 모니터하는 온도 센서(12)가 배치되어 있다. 도 4중, 부호 12L1, 12L2는 온도 센서(12)의 입력용 및 출력용 배선이다.
한편, 온도 센서(12)를 설치하지 않을 경우에는, 분할 영역 DR1을 설치할 필요성은 없다. 즉, 이러한 경우에는, 이미터 전극 1PE1은 상하로 2분할 되지 않는다.
마찬가지로, 도 3에 도시한 것과 같이, 다이오드(2)의 표면에 형성된 애노드 전극(제1주전극에 상당) 2PE1 위에도, 제1 및 제2접속 금속(11A, 11B)이 서로 마주 하도록 제1방향 D1에 관하여 분할형성되고 있다(편의상, 양자(11A, 11B)를 접속 전극(11)이라고 총칭함).
한편, 제2방향 D2으로 연장하고, 마주 하도록 분할된 전극 배선부(5)를 구비하는 인출전극(4)은, 1개의 금속체로부터 전극 배선부(5)와 일체로 형성되는 것이다. 인출전극(4)의 구조는 다음과 같다. 도 1 및 도 2에 명시하는 바와 같이, 제2방향 D2로 연장한, 인출전극(4)의 한쪽 측면부(제1측면부) 4SP1로부터는, 아래쪽을 향해 연장하고, 종단면 형상이 대략 L자모양이 되도록 내측으로 절곡된 제1전극 배선부(제1인출 배선이라고도 칭한다)(5A)가 형성되어 있다. 또한, 제1측면부 4SP1에 대향하는 인출전극(4)의 다른 쪽 측면부(제2측면부) 4SP2로부터도, 아래쪽 을 향해 연장하고, 제1전극 배선부(5A)의 선단부와 마주 하면서, 마찬가지로 종단면 형상이 대략 L자모양이 되도록 내측으로 절곡된 제2전극 배선부(제2인출 배선이라고도 칭한다)(5B)가 형성되어 있다. 즉 인출전극(4)은, 서로 마주 하도록 제2방향 D2에 관해서 분할된 제1 및 제2전극 배선부(5A, 5B)를 가지고 있다. 그리고, 서로 마주 하는 제1 및 제2전극 배선부(5A, 5B)의 각 페어와, IGBT(1)의, 서로 마주 하는 제1 및 제2접속 전극(10A, 10B)의 각 페어의 위치 관계는 서로 마주 보고 있다. 따라서, 서로 마주 하는 제1 및 제2전극 배선부(5A, 5B)의 4페어의 각각은, 서로 마주 하는 제1 및 제2접속 전극(10A, 10B)의 4페어 내의 대응하는 것과, 위치 관계 상, 마주 하고 있다. 이러한 위치상 관계, 다이오드(2)에 대해서도 적용할 수 있다. 도 1 및 도 3에 도시한 바와 같이, 다이오드(2)와의 접속용의, 인출전극(4)에 있어서의 제1 및 제2전극 배선부(5A, 5B)의 1페어는, 다이오드(2)측의 서로 마주 하는 제1 및 제2접속 전극(11A, 11B)의 1페어와, 위치 관계 상, 마주 하고 있다.
이러한 전극 배선부(5A, 5B)의 분할, 이러한 분할에 대응한 접속 전극(10A, 10B)(11A, 11B)의 분할 및 상기한 위치 관계의 마주 하는 관계에 따른, 제1 및 제2전극 배선부(5A, 5B)를 납땜하는 것 만으로, 제1의 인출 배선(5A)과 접속 전극(10A)(11A)과의 접합 및 제2의 인출 배선(5B)과 접속 전극(10B)(11B)과의 접합을 통해, 인출 전극(4)과 전기적으로 접속된다. 즉 제1전극 배선부(5A)의 각각의 바닥부(대략 평탄면))5AB는, 단지 서로 마주하는 제 1접속 전극(10A)(11A)과, 땜납(8)(9)에 의해 전기적으로 접속되는 한편, 제2전극 배선부(5B) 각각의 바닥부(대략 평탄면) 5BB는, 단지 서로 마주하는 제2접속 전극(10B)(11B)과, 납땜(8)(9)에 의해 전기적으로 접속된다. 따라서 IGBT(1)의 이미터 전극 1PE1과 다이오드(2)의 애노드 전극 2PE1을 연결하기 위한 알루미늄 와이어는 불필요하게 된다.
이상과 같이 형성된 반도체 장치는, 그 후에 수지 등으로 밀봉되고, 인버터 회로에 있어서의 스위칭 소자와 프리 휠 다이오드와의 1페어가 된다. 이러한 페어를 여러개 사용함으로써 최종제품으로서의 인버터 회로가 형성된다.
[이점 그 1]
본 실시예에서는, 제1주전극 위에 형성된 접속 전극(10, 11)은 서로 마주 하도록 분할되고 있으며, 또한, 인출전극(4)의 전극 배선부(5)도 서로 마주 하도록 분할되고 있으며, 덧붙여서, 제1접속 전극(10A, 11A)과 대응하는 제1전극 배선부(5A)와의 위치는 상대 관계에 있음과 동시에, 제2접속 전극(10B, 11B)과 대응하는 제2전극 배선부(5B)와의 위치도 상대 관계에 있기 때문에, IGBT(1)와 다이오드(2)에 인출배선(5)을 납땜 할 때의 위치 결정이 간단하게 된다는 제조상의 이점이 있다.
[이점 그 2]
또한, 본 실시예에서는 접속 전극(10, 11)을 서로 마주하도록 제2방향 D2에 관하여 분할하고 있기 때문에, 각 접속 전극(10A, 10B, 11A, 11B)으로의 땜납 적출량을 조정함으로써, 땜납(8, 9)의 두께를 균일하게 할 수 있다는 제조상의 이점이 있다. 즉, 접속 전극의 면적이 커지면 커질 수록, 면과 면 사이에 균일하게 땜납의 두께를 조절 하는 것이 곤란하게 되기 때문이다. 바꾸어 말하면, 칩이 크면, 칩 안에서 땜납굄이 형성되기 쉬워진다.
본 이점에 관해서는, IGBT(1)와 다이오드(2)가 동시에 형성되는 경우를 나타냈지만, IGBT 또는 다이오드중 어느 하나가 형성되는 경우에도, 마찬가지로 이 이점을 얻을 수 있다.
[이점 그 3]
또한, 도 1의 구조에서는, IGBT(1)와 다이오드(2)를 이면금속판(3)위에 제2방향 D2을 따라 나란히 배치하고, 또한, 양자 1, 2를 그것들의 상부에 위치하는 인출전극(4)의 연장방향 D2을 따라 나란히 배치함과 동시에, 인출전극(4)의 측면 내에서 IGBT(1)의 상부에 해당하는 부분 및 다이오드(2)의 상부에 해당하는 부분의 각각으로부터, 마찬가지로, 전극 배선부(5)(5A, 5B)를 내측을 향해서 절곡 형성하고 있다. 또한, 인출전극(4)과 전극 배선부(5)(5A, 5B)는 일체화되고 있다. 이러한 인출전극(4)을 이용함으로써, 인출전극(4)과 전극 배선부(5)로 이루어지는 상면측 리드프레임을, IGBT(1) 및 다이오드(2)의 분할된 접속 전극(10, 11)에, 1공정(상대 위치 관계에 있는 전극 배선부(5)와 대응하는 접속 전극(10, 11)과의 납땜 공정)에서 전기적으로 접합시키는 것이 가능하게 된다. 이 점에서, IGBT 및 다이오드의 접속단자를 각각 형성하는 경우와 비교하면, 상면측 리드프레임의 형성이 간단하게 된다.
[이점 그 4]
상기한 바와 같이, IGBT(1)의 상부에 위치하는 인출전극(4)에 평행하게 연장한 분할 영역 DR1내에는 온도 센서(12)가 형성되어 있다. 따라서, IGBT칩의 단 이 외의 장소의 온도를 모니터하는 것이 가능하다. 특히, 온도 센서(12)는, IGBT(1)의 표면 중앙에, 즉 분할 영역 DR1의 중앙부내에 설치되고 있기 때문에, 온도가 더욱 높아지는 IG BT칩 중앙의 온도를 모니터 할 수 있다.
도 1 및 도 4에 나타낸 바와 같이, IGBT(1)는 인출전극(4) 내지는 인출배선(5)에 평행한 분할 영역 DR1을 가지므로, 도 5에 예시하는 것과 같이, 제2방향 D2(횡방향)에 관한 이미터 전극 1PE1 내지는 접속 전극(10)의 분리수에 의하지 않고, IGBT칩 중앙에 온도 센서(12)를 배치할 수 있다.
또한, 도 6에 다이오드(2)의 여러가지 경우의 상면도를 나타내지만, 도 4에 예시한 IGBT(1)와 마찬가지로, 인출전극(4)과 평행하게 연장하는 분리 영역 DR을 다이오드 칩 표면의 제1방향 D1에 관한 중앙부에 설치하고, 이 분리 영역 DR의 중앙부, 따라서 다이오드 칩 표면 중앙부에 온도 센서를 배치하도록 해도 된다. 이러한 경우에도, 다이오드 칩 중앙의 온도를 모니터하는 것이 가능하게 된다.
(실시예 2)
본 실시예는, 도 1에 예시한 반도체 장치의 제조 방법에 관해서 있어, 도 7 내지 도 9는, 도 1의 반도체 장치를 제조하는 공정의 각 단계에 있어서의 동 장치의 종단면도이다.
우선 도7에 도시한 공정에 있어서, 이면의 전극이 되는 금속기판(3)을 준비한다.
다음에 도 8에 도시한 공정에 있어서, 표면과 이면에 전극을 갖고, 또한 이 표면상에 서로 마주 하도록 분할·형성된 제1 및 제2접속 전극을 가지는 IGBT(1) 및 다이오드(2)를, 땜납(6, 7)에 의해, 이면금속기판(3)의 표면에 납땜 한다. 여기에서, 제1 및 제2접속 전극은, IGBT(1) 및 다이오드(2)가 웨이퍼 상태에 있을 때, 그 최표면에 Au를 가지는 금속을 증착하거나 혹은 도금을 실시하는 것으로 형성된다.
다음에 도 9에 도시한 공정에 있어서, 미리 일체로 형성된 인출전극(4)의 상대·분리된 각 전극 배선부의 바닥(도 1의 바닥5AB, 5BB을 참조)이, 이 전극 배선부에 대응하는 접속 전극과 서로 마주하도록, 인출전극(4)을 IGBT(1) 및 다이오드(2)의 상부에 배치한 후(인출전극(4)의 위치 결정), 땜납(8, 9) 을 이용하여, 각 전극 배선부를 이 전극 배선부에 서로 마주하도록 접속 전극에 납땜 하고, 이것에 의해, 인출전극(4)과 IGBT(1) 및 다이오드(2)를 전기적으로 접속한다.
이상과 같이 하여 형성된 반도체 장치는, 그 후에 수지 등으로 밀봉되어, 최종제품에 조립할 수 있다.
(부기)
본 발명에서 말하는 「전력 반도체 소자」의 개념에는, 실시예 1에서 예시한 IGBT 외에, 파워 MOSFET 등의 스위칭 소자나, 다이오드가 포함된다.
이상, 본 발명의 실시예를 상세하게 개시하여 기술했지만, 이상의 기술은 본 발명의 적용가능한 국면을 예시한 것이며, 본 발명은 이에 한정되는 것이 아니다. 즉 기술한 국면에 대한 여러가지 수정이나 변형예를, 본 발명의 범위에서 벗어나지 않는 범위내에서 생각하는 것이 가능하다.
본 발명의 주제에 의하면, 전력 반도체 소자의 칩 사이즈의 소형화에 대응 가능한 반도체 장치를 제공할 수 있다.

Claims (6)

  1. 표면 및 이면 위에 각각 형성된 제1 및 제2주전극을 구비하는 전력 반도체 소자와,
    상기 전력 반도체 소자의 상기 제2주전극과 전기적으로 접속된 금속판과,
    상기 제1주전극 위에 서로 마주 하도록 분리 형성된 제1 및 제2접속 전극과,
    한쪽의 측면부로부터 아래쪽을 향해 형성된 제1전극 배선부와, 상기 한쪽의 측면부에 대향하는 다른 쪽의 측면부로부터 아래쪽을 향해서 상기 제1전극 배선부와 서로 마주 하도록 상기 제1전극 배선부와는 분리하여 형성된 제2전극 배선부를 구비하는 인출전극를 구비하고,
    상기 제1전극 배선부는 상기 제1접속 전극과만 전기적으로 접속되고 있는 한편,
    상기 제2전극 배선부는 상기 제2접속 전극과만 전기적으로 접속되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 제1 및 제2접속 전극은 모두 제1방향을 따라 형성되고 있고,
    상기 인출전극은 상기 제1방향과 직교하는 제2방향으로 연장하고 있으며,
    상기 제1 및 제2접속 전극은 상기 제2방향에 관해서 분할되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  3. 제 2항에 있어서,
    상기 제1 및 제2전극 배선부는 모두 내측으로 절곡되어 서로 마주 하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  4. 제 2항에 있어서,
    상기 제1주전극은, 상기 제1접속 전극과 상기 제2접속 전극 사이의 영역에 있어서 2분할되고, 상기 제1주전극이 존재하지 않는 분할 영역이 상기 제1접속 전극과 상기 제2접속 전극 사이의 상기 전력 반도체 소자의 표면에 형성되고 있으며,
    상기 전력 반도체 소자의 온도를 모니터하는 온도 센서가 상기 분할 영역위에 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  5. 제 4항에 있어서,
    상기 온도 센서가 상기 전력 반도체 소자의 상기 표면의 중앙에 설치되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  6. 서로 마주 하도록 분리 형성된 제1 및 제2접속 전극이 그 위에 형성된 제1주전극 및 상기 제1주전극에 대향하는 제2주전극을 구비하는 전력 반도체 소자의 상기 제2주전극을 금속판의 표면과 전기적으로 접속하는 공정과,
    한쪽의 측면부로부터 아래쪽을 향해 형성된 제1전극 배선부와, 상기 한쪽의 측면부에 대향하는 다른 쪽의 측면부로부터 아래쪽을 향해 상기 제1전극 배선부와 마주 하도록 상기 제1전극 배선부와는 분리하여 형성된 제2전극 배선부를 구비하는 인출전극 내에서, 상기 제1전극 배선부를 상기 제1접속 전극에만 전기적으로 접속함과 동시에, 상기 제2전극 배선부를 상기 제2접속 전극에만 전기적으로 접속하는 공정을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
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Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102007039916A1 (de) * 2007-08-23 2009-02-26 Siemens Ag Aufbau- und Verbindungstechnik von Modulen mittels dreidimensional geformter Leadframes
KR101505551B1 (ko) * 2007-11-30 2015-03-25 페어차일드코리아반도체 주식회사 온도 감지소자가 장착된 반도체 파워 모듈 패키지 및 그제조방법
US8053982B2 (en) * 2008-04-30 2011-11-08 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Light-emitting diodes with carrier extraction electrodes
JP5300784B2 (ja) * 2010-05-21 2013-09-25 三菱電機株式会社 半導体モジュール及び半導体モジュールを搭載した回転電機
DE112012005921B4 (de) * 2012-02-22 2021-04-29 Mitsubishi Electric Corporation Halbleitervorrichtung
JP6094392B2 (ja) 2013-06-11 2017-03-15 株式会社デンソー 半導体装置
JP6448418B2 (ja) * 2015-03-09 2019-01-09 三菱電機株式会社 電力用半導体装置
WO2017090413A1 (ja) * 2015-11-25 2017-06-01 三菱電機株式会社 電力用半導体装置
JP6566927B2 (ja) * 2016-12-01 2019-08-28 三菱電機株式会社 半導体装置および電力変換装置
US11778718B2 (en) * 2020-05-27 2023-10-03 Meidensha Corporation High voltage generator and X-ray generator
JP2022091484A (ja) 2020-12-09 2022-06-21 富士電機株式会社 半導体モジュール

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58186975A (ja) * 1982-04-26 1983-11-01 Sumitomo Electric Ind Ltd 連続組立受光素子
JPH0360058A (ja) * 1989-07-27 1991-03-15 Nec Corp 半導体集積回路装置の構造
JP2002299351A (ja) * 2001-03-30 2002-10-11 Fujitsu Quantum Devices Ltd 電力増幅用半導体装置

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3210621A (en) * 1960-06-20 1965-10-05 Westinghouse Electric Corp Plural emitter semiconductor device
DE1514563A1 (de) 1965-09-07 1969-06-19 Semikron Gleichrichterbau Steuerbares Halbleiterbauelement
JP3180863B2 (ja) * 1993-07-27 2001-06-25 富士電機株式会社 加圧接触形半導体装置およびその組立方法
US5705848A (en) * 1995-11-24 1998-01-06 Asea Brown Boveri Ag Power semiconductor module having a plurality of submodules
JP3507714B2 (ja) * 1998-12-07 2004-03-15 株式会社東芝 マルチチップモジュール型半導体装置
JP3871486B2 (ja) * 1999-02-17 2007-01-24 株式会社ルネサステクノロジ 半導体装置
JP4226200B2 (ja) 2000-07-25 2009-02-18 三菱電機株式会社 半導体装置およびその製造方法
JP2003017003A (ja) * 2001-07-04 2003-01-17 Canon Inc ランプおよび光源装置
DE10155373A1 (de) 2001-11-10 2003-05-28 Bosch Gmbh Robert Verfahren zum Erfassen von Strömen in einem Halbleiterbauelement mit einem Multi-Zellen-Stromsensor
JP2004172448A (ja) * 2002-11-21 2004-06-17 Renesas Technology Corp 半導体装置
JP4078993B2 (ja) * 2003-01-27 2008-04-23 三菱電機株式会社 半導体装置
JP2005310844A (ja) * 2004-04-16 2005-11-04 Toshiba Corp パワー半導体モジュール

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58186975A (ja) * 1982-04-26 1983-11-01 Sumitomo Electric Ind Ltd 連続組立受光素子
JPH0360058A (ja) * 1989-07-27 1991-03-15 Nec Corp 半導体集積回路装置の構造
JP2002299351A (ja) * 2001-03-30 2002-10-11 Fujitsu Quantum Devices Ltd 電力増幅用半導体装置

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