KR100709940B1 - 분리조정회로 - Google Patents
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Abstract
스테레오 합성신호로부터 L-R 성분 신호를 추출하기 위하여 전류 미러 회로의 트랜지스터 (23) 를 통하여 흐르는 전류의 전류값을 제어 회로 (25) 에 의해 생성되는 제어신호에 따라서 조절한다.
스테레오 합성신호, 전류미러회로
Description
기술분야
본 발명은 스테레오 수신기에서의 좌측신호와 우측신호 간의 분리도를 증가시키는 분리조정회로에 관한 것이다.
배경기술
도 1 은 종래의 스테레오 수신기를 나타낸다.
도 1 에 나타낸 바와 같이, 스테레오 수신기 (70) 는 안테나 (71), 동기 처리 및 주파수 변환처리 등을 실시하는 프론트엔드부 (72), L (좌측신호) + R (우측신호) 성분신호, L-R 성분신호 및 파일럿 신호 (스테레오 신호를 결정하기 위한 신호) 를 포함하는 합성신호를 출력하는 F.M. 검출부 (73), 합성신호를 스테레오 좌측신호와 스테레오 우측신호로 복조하는 스테레오 복조회로 (74), 및 스테레오 신호들 간의 분리정도 (분리도) 를 증가시키기 위하여 스테레오 복조회로 (74) 의 이전 스테이지에 제공되어 L+R 성분신호와 L-R 성분신호 간의 강도비를 조정하는 분리조정회로 (75) 를 포함한다.
분리조정회로 (75) 는 직류성분을 차단하기 위한 커패시터 (76), 커패시터 (77), 가변저항 (78), 저항 (79), 버퍼 증폭기 (80) 및 저항 (81) 을 포함한다. 이 회로는 가변저항 (78) 의 저항값을 변경함으로써 L+R 성분신호의 강도를 조정한다. 반면, 커패시터 (76, 77), 가변저항 (78) 및 저항 (79) 은 IC 칩 상에 구 성되지 않은 외부부품들이다.
F.M. 검출부 (73) 로부터 출력되는 L+R 성분신호의 강도는 가변저항 (78) 및 저항 (79 및 81) 의 영향을 받는다. 그러나, L-R 성분신호의 강도는, 가변저항 (78) 의 영향을 거의 받지 않으며, 저항 (79 및 81) 의 영향만을 받는다.
즉, 다음 식들이 만족된다.
L+R 성분신호의 강도≒저항 (81) 의 저항값/(가변저항 (78) 의 저항값 + 저항 (79) 의 저항값)
L-R 성분신호의 강도≒저항 (81) 의 저항값/저항 (79) 의 저항값)
L-R 성분신호의 주파수 대역은 38㎑의 주파수를 센터링함으로써 얻어진다. L-R 성분신호가 가변저항 (78) 을 통과하는 경우, 커패시터 (77) 의 임피던스가 작아지고, 이 신호는 가변저항 (78) 의 영향을 많이 받지 않고 커패시터 (77) 를 통과한다. 반면, L+R 성분신호의 경우, 커패시터 (77) 의 임피던스는 커지고 그 강도 (신호레벨) 은 가변저항 (78) 의 저항값에 따라 변경된다.
이러한 방법으로, 가변저항 (78) 의 저항값을 변경함으로써, L+R 성분신호의 강도를 변경할 수 있다. 따라서, L+R 성분신호와 L-R 성분신호 간의 강도비는 적절하게 조정할 수 있기 때문에, 스테레오 신호들 간의 분리정도를 증가시키는 것이 가능하다.
그러나, 종래의 스테레오수신기 (70) 에서는, 커패시터 (77), 가변저항 (78) 등과 같은 많은 부품들이 IC 칩에 탑재되어, 외부부품을 탑재하는 비용이 증가하는 문제가 발생한다.
또한, 스테레오 수신기 (70) 가 인쇄회로기판에 탑재되는 경우, 외부부품들의 수가 증가할수록 인쇄회로기판의 탑재면적이 증가하는 또 다른 문제가 있다.
또한, 가변저항 (78) 은 예를 들면, 트리머 저항 등을 포함하는 것으로 상정할 수 있다. 스테레오 수신기 (70) 의 조정라인 또는 제조라인에서는, 드라이버를 이용하여 트리머 저항을 조정함으로써 저항값을 조정한다. 이러한 방법으로, 가변저항 (78) 의 저항값의 조정은 조정 오퍼레이터에 의해 수행되기 때문에, 조정을 잘 수행할 수 없다. 따라서, 이러한 조정을 실시하는데 때때로 장시간이 걸린다.
상기 문제들을 감안하여, 본 발명의 목적은 수개의 외부부품들이 탑재되고 합성 신호들 간의 강도비를 용이하게 조정할 수 있는 분리조정회로를 제공하는 것이다.
발명의 개요
본 발명에서는, 상술한 문제들을 해결하기 위하여, 다음 구성을 적용하였다.
즉, 스테레오 우측신호와 스테레오 좌측신호 간의 분리정도를 증가시키고 스테레오 합성신호에서의 합신호와 차신호 간의 강도비를 조정하는 분리조정회로는 스테레오 합성신호로부터 합신호를 검출하는 합신호 검출유닛; 스테레오 합성신호로부터 차이신호를 검출하는 차신호 검출유닛; 합신호와 차신호를 믹싱하고, 이에 의해 스테레오 좌측신호와 스테레오 우측신호를 구하는, 믹싱유닛; 합신호 검출유닛 또는 차신호 검출유닛에 흐르는 전류량을 조정하고 합신호의 강도 또는 차신호의 강도를 조정하는 제 1 조정유닛; 및 제 1 조정유닛의 조정동작을 제어하는 제어 신호를 생성하는 생성유닛을 포함한다.
합신호는 스테레오 우측신호와 스테레오 좌측신호를 가산하여 얻은 L+R 성분신호를 나타내는 신호이다. 차신호는 스테레오 우측신호와 스테레오 좌측신호 간의 차이인 L-R 성분신호를 나타내는 신호이다.
예를 들면, 합신호검출유닛은 차동 증폭기로 입력되는 스테레오 합성신호로부터의 합신호를 검출하는 전류미러회로이다. 이와 유사하게, 예를 들면, 차신호 검출유닛은 스테레오 합성신호로부터 차신호를 검출하는 전류미러회로이다.
예를들면, 믹싱유닛은 합신호와 차신호를 믹싱하여, 이에 의해 스테레오 좌측신호와 스테레오 우측신호를 구하는 믹서회로이다. 스테레오 복조기능은 합신호 검출유닛, 차신호 검출유닛, 및 믹싱유닛에 의해 구현된다.
예를들면, 제 1 조정유닛은 전류미러회로를 구성하기 위한, 출력측 상의 트랜지스터이다. 합신호 또는 차신호의 강도는 이 출력측의 트랜지스터의 전류량을 조정함으로써 조정하기 때문에, 스테레오 우측신호와 스테레오 좌측신호 간의 분리정도가 증가할 수 있다. 이러한 방법으로, 종래의 스테레오 수신기에 대하여 요구되는, 합신호 또는 차신호의 강도를 조정하기 위한 외부부품들의 수가 감소할 수 있다. 따라서, 인쇄회로기판의 탑재면적을 감소시키는 것이 가능해진다.
제 1 조정유닛의 동작이 생성유닛에 의해 생성되는 제어신호에 기초하여 제어되기 때문에, 수동조작 없이도, 합신호 또는 차신호의 강도가 용이하게 제어될 수 있고 스테레오 우측신호와 스테레오 좌측신호 간의 분리정도가 증가할 수 있다.
분리조정회로에서, 제 1 조정유닛은 복수의 트랜지스터들, 및 제어신호에 기 초하여 이 복수의 트랜지스터들을 선택하는 선택유닛을 포함한다. 제 1 조정유닛은 선택유닛에 의해 선택되는 트랜지스터들의 총 전류량에 기초하여, 합신호의 강도 또는 차신호의 강도를 조정할 수 있다.
예를 들면, 선택유닛은 스위치이며, 이 스위치는 각각의 트랜지스터에 접속된다. 제어신호에 기초하여 스위치의 ON 연산 또는 OFF 연산을 제어하여, 전류미러 회로에 흐르는 전류량을 조정함으로써, 스위치가 합신호와 차신호 간의 강도비를 조정할 수 있다. 따라서, 스테레오 우측신호와 스테레오 좌측신호 간의 분리정도를 증가시키는 것이 가능하게 된다.
분리조정회로는 분리조정회로의 출력 스테이지에 접속되는 저항, 및 저항과 병렬로 접속되어 있고 저항에 흐르는 전류량을 조정하는 제 2 조정유닛을 포함한다. 제 2 조정유닛은 제 1 조정유닛에 의해 조정되는 전류량에 기초하여 저항에 흐르는 전류량을 조정할 수 있다.
따라서, 분리조정회로의 출력에서의 DC 바이어스가 또한 합신호 또는 차신호의 강도조정에 따라서 제 1 조정유닛에서 조정될 수 있다. 따라서, 이 DC 바이어스를, 출력신호를 왜곡시키지 않는 소정의 DC 바이어스로 설정하는 것이 가능하게 된다.
또한, 제어신호는, 분리조정회로로부터 출력되는 스테레오 우측신호와 스테레오 좌측신호 간의 분리정도에 기초하여 생성하는 방식으로 구성된다.
따라서, 제어신호의 신뢰성을 증가시키는 것이 가능하게 된다.
도면의 간단한 설명
이하, 본 발명을, 후술할 상세한 설명부와 첨부된 도면을 통하여 더욱 자세하게 설명한다.
도 1 은 종래의 스테레오 수신기를 나타낸다.
도 2 는 본 발명의 바람직한 실시형태인 스테레오 수신기를 나타낸다.
도 3 은 분리조정회로의 회로구성을 나타낸다.
도 4 는 도 3 의 파선부 (C) 의 전류미러회로의 구체적인 예를 나타낸다.
도 5 는 또 다른 바람직한 실시형태의 분리조정회로의 구성을 나타낸다.
도 6 은 또 다른 바람직한 실시형태의 분리조정회로의 구성을 나타낸다.
최상의 실시모드
이하, 본 발명의 상세한 설명을 첨부된 도면을 통하여 설명한다.
도 2 는 본 발명의 바람직한 실시형태인 스테레오 수신기를 나타낸다.
도 2 에 나타낸 바와 같이, 스테레오 수신기 (10) 는 안테나 (11), 동기처리 및 주파수 변환처리 등을 실시하는 프론트 엔드부 (12), L (좌측신호) + R (우측신호) 성분신호, L-R 성분신호 및 파일럿 신호 (스테레오 신호를 결정하기 위한 신호) 를 포함하는 합성신호를 출력하는 F.M. 검출부 (13), 합성신호를 스테레오 좌측신호와 스테레오 우측신호로 복조하는 스테레오 복조기능 및 스테레오 신호들 간의 분리정도 (분리도) 를 증가시키기 위하여 L+R 성분신호와 L-R 성분신호 간의 강도비를 조정하는 분리조정기능을 모두 포함하는 분리조정회로 (14) 를 포함한다.
분리조정회로 (14) 의 이전 스테이지에서는, 수신신호의 DC 바이어스를 조정하기 위하여 기준전압을 공급하는 저항 (15), 버퍼 증폭기 (16) 및 직류성분을 차 단하는 커패시터 (17) 가 외부부품으로서 제공된다.
다음, 분리조정회로 (14) 를 자세히 설명한다.
도 3 은 분리조정회로 (14) 의 회로구성을 나타낸다.
먼저, 합성신호와 DC기준전압이 P 채널 MOS 트랜지스터 (20) 를 포함하는 차동증폭기에 입력된다. 이후, 차동증폭기에 입력된 합성신호가, N 채널 MOS 트랜지스터 (21 및 22) 를 포함하는 전류미러 회로 (합신호 검출유닛) 및 트랜지스터 (21 및 23) 를 또 다른 전류미러회로 (차신호 검출유닛) 에 의해 파선 프레임 A 와 파선 프레임 B 에 분배된다. 파선부 A 에 분배되는 신호는 L+R 성분신호로 나타내는 반면, 파선부 B 에 분배되는 신호는 L-R 성분신호를 나타낸다. L-R 성분신호는 트랜지스터 (24) 를 포함하는 믹서회로 (믹싱유닛) 에 입력되며, 이후, 38㎑ 성분신호가 제거된다. 그리고, 믹서회로에서는, 38㎑ 성분신호를 제거하여 얻은 L-R 성분신호와 L+R 성분신호를 믹싱 (합 또는 차 연산) 하여, 스테레오 우측신호 (R신호) 와 스테레오 좌측신호 (L신호) 를 얻는다.
이후, 바람직한 실시형태의 분리조정회로 (14) 에서, 트랜지스터 (21 및 23), 즉 파선부 B 의 트랜지스터 (23; 제 1 조정유닛) 를 포함하는 전류미러 회로에 흐르는 전류의 전류량을, 제어회로 (25; 생성유닛) 에 의해 생성되는 제어신호에 의해 조정한다. 이러한 방법으로 트랜지스터 (23) 에 흐르는 전류값을 변경함으로써, L-R 성분신호의 강도를 조정함으로써, L-R 성분신호와 L+R 성분신호 간의 강도비를 조정할 수 있다. 그 결과, L 신호와 R 신호 간의 분리정도를 증가시키는 것이 가능하게 된다.
제어회로 (25) 에 의해 생성되는 제어신호는 옵션 비트 수의 디지털 신호이며, 이 신호는 후술되는 전류량 조정스위치의 ON 연산 또는 OFF 연산을 제어한다.
도 4 는 도 3 의 파선부 C 의 전류미러회로의 구체예를 나타낸다. 반면, 파선부 C 외의 트랜지스터 (21 및 23) 를 포함하는 전류미러회로는 동일한 구성을 가지는 것으로 가정한다. 또한, 동일한 제어신호는 제어회로 (25) 로부터 2 개의 트랜지스터 (23) 로 제공되며, 이들은 동일한 방식으로 기능한다.
도 4a 에 나타낸 바와 같이, 전류미러회로 (30) 는 복수의 트랜지스터 (23-1, 23-2, ..., 23-n) 및 트랜지스터 (23) 각각의 드레인에 연결되는 스위치 (31; 선택유닛) 를 포함한다. 각각의 스위치 (31) 의 ON 연산 또는 OFF 연산은 제어회로 (25) 로부터 출력되는 제어신호에 기초하여 제어된다. 반면, 스위치 (31) 는 반도체 스위칭 소자를 포함한다.
선택스위치 (31) 에 따르면, 전류미러회로 (30) 에 흐르는 전류의 전류값이 변경되며, L-R 성분신호의 강도가 조정된다. 즉, ON 으로 되는 스위치 (31) 의 개수가 증가함에 따라서, 접점 D 에 흐르는 전류량도 증가한다. 따라서, 강한 강도를 가진 L-R 성분신호가 믹서회로에 입력된다. 이와 반대로, 스위치 (31) 의 개수가 작을수록, 접점 D 에 흐르는 전류량도 감소하며, 약한 강도를 가진 L-R 성분신호가 믹서회로에 입력된다. 이러한 방법으로, ON 인 스위치 (31) 의 개수에 기초하여, L-R 성분신호의 강도를 조정함으로써, L-R 성분신호와 L+R 성분신호 간의 강도비를 조정할 수 있다. 따라서, L 신호와 R 신호 간의 분리정도를 증가시키는 것이 가능하게 된다.
도 4b 에 나타낸 바와 같이, 또 다른 예의 전류미러회로 (32) 는 복수의 트랜지스터 (23-1, 23-2, ..., 23-n) 및 트랜지스터 (23) 각각의 게이트에 연결되는 스위치 (31) 를 포함한다. 각각의 스위치 (31) 의 ON 연산 또는 OFF 연산은 제어회로 (25) 로부터 출력되는 제어신호에 기초하여 제어된다. 도 4a 에 나타낸 방법과 동일한 방법으로, 전류미러회로 (32) 에 흐르는 전류의 전류값이 선택된 스위치 (31) 의 개수에 따라서 변경된다. 따라서, L-R 성분신호의 강도를 이러한 변경에 따라 조정한다.
제어회로 (25) 에 의해 생성되는 제어신호는 출력되는 스테레오 우측신호와 스테레오 좌측신호 간의 분리정도에 기초하여 생성된다. 즉, 예를 들어, 스테레오 우측신호와 스테레오 좌측신호 간의 분리정도가 낮고 L-R 성분신호의 강도가 L+R 성분신호의 강도보다 더 높은 경우, 제어회로 (25) 는 ON 인 스위치 (31) 의 개수를 감소시키기 위한 제어신호를 생성한다. 또한, 이때의 스위치 (31) 의 개수는 L+R 성분신호의 강도가 L-R 성분신호의 강도와 동일하게 되는 방식으로 조정된다. 이러한 방법으로, 믹서 회로에 흐르는 전류량이 감소되고 L+R 성분신호의 강도가 L-R 성분신호의 강도와 동일하게 된다. 따라서, 스테레오 우측신호와 스테레오 좌측신호 간의 분리정도를 증가시키는 것이 가능하게 된다.
또한, 전류미러회로 (30 또는 32) 의 각각의 트랜지스터 (23) 의 크기를 변경하는 것, 및 스위치 (31) 를 이용하여 트랜지스터 (23) 를 옵션적으로 설정하는 것이 가능하게 된다. 이러한 방법으로, 전류미러회로 (30 또는 32) 의 각각의 트랜지스터 (23) 의 크기를 변경함으로써, 그 선택된 트랜지스터 (23) 의 결합에 따라서, 파선부 C 의 전류미러회로에 흐르는 전류의 전류량을 옵션값으로 선택하는 것이 가능하게 된다.
이하, 또 다른 바람직한 실시형태의 분리조정회로의 구성을 설명한다. 이 분리조정회로 (14) 는 분리조정을 위한 L-R 성분의 전류량을 변경하도록 구성된다. L-R 성분의 전류량을 변경함으로써, 출력신호인 L 신호와 R 신호의 DC 바이어스 성분이 때때로 변경된다. 예를 들어, L-R 성분신호의 전류량이 증가하도록 조정되는 경우, 분리조정회로 (14) 로부터 출력되는 L 신호와 R 신호의 DC 바이어스는 증가한다. 따라서, L 신호와 R 신호에서 왜곡이 때때로 발생한다.
도 5 는 출력된 L 신호와 R 신호에 대하여 왜곡이 생성되지 않게 하기 위한 분리조정회로를 나타낸다. 도 5 에서, 도 3 의 구성요소와 동일한 것은 동일한 부재번호로 나타내기 때문에, 그 설명을 생략한다.
도 5 에 나타낸 분리조정회로 (40) 에서, 트랜지스터 (41) 를 포함하는 전류미러회로는 도 3 의 분리조정회로 (14) 의 출력부에 접속되며, 저항 (42), 및 저항 (42) 과 병렬로 접속되어 있는 고정전류원(43; 제 2 조정유닛) 은 모두 이 전류미러회로의 출력 스테이지에 접속된다. 또한, 저항 (42) 의 그 외의 단자와 전류원 (43) 의 그 외의 단자는 접지상태에 접속되어 있다.
고정전류원 (43) 의 전류량이, L-R 성분신호의 강도에 기초하여 제어회로 (25) 의 제어신호에 의하여 변경되며, 출력신호가 왜곡을 생성하지 않도록 하는 방식으로 그 변경된 전류량이 소정의 DC 바이어스로 조정된다.
이러한 방식으로 L-R 성분신호의 강도에 기초하여 고정전류원 (43) 의 전류 량을 변경함으로써, 저항 (42) 에 흐르는 전류의 전류량이 변경될 수 있다. 따라서, 예를 들어, 전류량이 L-R 성분신호의 강도를 증가하도록 조정되는 경우에도, 출력을 억제하여, 고정 DC 바이어스를 초과하지 않게 할 수 있으며, 출력신호의 왜곡을 방지할 수 있다.
고정전류원 (43) 의 전류량의 변경방법에서, 도 4 에 나타낸 바와 같이, 트랜지스터의 드레인 측에 고정전류원을 접속함으로써 그리고, 스위치 (31) 를 이용하여, 트랜지스터 (21), 복수의 트랜지스터 (23) 및 각각의 트랜지스터 (23) 에 접속되는 스위치 (31) 를 포함하는 전류미러회로 중에서 트렌지스터 (23) 를 선택함으로써 저항 (42) 에 흐르는 전류가 조정되는 것이 가능하게 된다. 즉, 고정전류원 (43) 을 복수의 트랜지스터를 포함하는 전류미러회로에 접속함으로써 그리고 스위치 등을 이용하여 출력측의 트랜지스터들의 개수를 선택함으로써 전류량을 변경하는 방법이 수행가능하다.
반면, 도 5 에 나타낸 바와 같이, 분리조정회로 (40) 의 출력 스테이지에 제공되는 저항 (42) 과 고정전류원 (43) 은 전류미러회로에 접속되지 않도록 구성될 수도 있다.
도 6 은 전류미러회로에 접속되지 않고 출력 스테이지의 전류량을 조정하도록 하는 방식으로 구성되는 분리조정회로를 나타낸다.
도 6 에 나타낸 바와 같이, 저항 (42) 과, 저항과 병렬로 접속되어 있는 고정전류원 (43) 은 분리조정회로 (50) 의 출력 스테이지에 접속된다. 저항 (42) 의 그외의 단자와, 고정전류원 (43) 의 그 외의 단자는 전원 (VDD) 에 접속되어 있 다. 고정전류원 (43) 에 흐르는 전류값은 도 5 와 동일한 방법으로 제어회로 (25) 로부터 출력되는 제어신호에 기초하여 변경된다.
분리조정회로가 전류미러회로에 접속되지 않고 출력 스테이지에서 저항 (42) 에 흐르는 전류량을 조정하도록 구성되는 경우에도, 출력신호의 DC 바이어스는 소정의 값으로 제어될 수 있다.
또한, 도 3 의 분리조정회로 (14) 의 트랜지스터 (23) 를 대신하여 가변저항을 제공할 수도 있다.
스테레오 복조기능을 가진 믹서회로의 바이어스 전류 (전류미러회로의 전류량) 를 조정함으로써, 38㎑ 성분신호가 제거된 L-R 성분신호와 L+R 성분신호 간의 합 또는 차 연산을 수행하는 스테레오 복조기능 및 L-R 성분신호와 L+R 성분신호 간의 강도비를 조정하는 분리조정기능을 모두 수행할 수 있다.
종래의 스테레오 수신기 (70) 에 대하여 중요한 커패시터 (77) 와 같은 외부부품들의 수를 감소시킬 수 있기 때문에, 인쇄회로기판의 탑재면적을 감소시키는 것이 가능하게 된다.
또한, 수동 조작 없이, 생성유닛에 의해 생성되는 제어신호에 기초하여 전기제어에 의해 구현되기 때문에, 우측신호와 좌측신호 간의 분리정도를 증가시키는 것이 가능하게 된다.
또한, 본 발명의 바람직한 실시형태의 분리조정회로를 이용하여, 도 1 에서의 종래의 스테레오 수신기 (70) 에서 요구되는 가변저항 (78) 등을 생략할 수 있기 때문에, 수신신호가 저항에 기초한 임피던스의 영향을 받지 않게 된다. 따 라서, 수신신호의 DC 성분을 차단하기 위한 커패시터 (76) 의 커패시티를 감소시키는 것이 가능하게 된다. 이러한 방법으로, 작은 커패시티를 가진 DC 성분을 차단하기 위한 커패시터 (76)(본 발명의 바람직한 실시형태의 커패시터 (17)) 즉, 작은 크기를 가진 커패시터를 탑재할 수 있다. 따라서, 인쇄회로기판의 탑재영역을 추가로 감소시키는 것이 가능하게 된다.
또한, 상술한 분리조정회로는 L-R 성분의 전류량을 조정하도록 구성하였지만, 이 회로를 L+R 성분의 전류량을 조정하도록 구성할 수도 있다.
본 발명의 분리조정회로에 따르면, 합신호 또는 차신호가 스테레오 합성신호로부터 검출되는 경우, 생성유닛에 의해 생성되는 제어신호에 기초하여, 검출유닛에 흐르는 전류량을 조정할 수 있어, 이러한 구성들을 IC 칩 등에서 구현할 수 있다. 따라서, 종래의 스테레오 수신기에서 요구되는 분리조정을 위한 외부부품의 개수를 감소시킬 수 있고, 따라서, 인쇄회로기판의 탑재면적도 또한 감소시킬 수 있다.
또한, 수동조작 없이, 제어유닛에 의해 생성되는 제어신호에 기초하여 차신호와 합신호 간의 강도비가 조정되기 때문에, 우측신호와 좌측신호 간의 분리정도를 증가시키는 것이 가능하게 된다.
Claims (7)
- 스테레오 합성신호에서의 합신호와 차신호의 강도비를 조정하고, 스테레오 우측신호와 스테레오 좌측신호의 분리정도를 증가시키는 분리조정회로로서,상기 스테레오 합성신호로부터 합신호를 검출하기 위해, 전류 미러로 구성되는 합신호 검출 수단,상기 스테레오 합성신호로부터 차신호를 검출하기 위해, 전류 미러로 구성되는 차신호 검출 수단,복수의 트랜지스터와 복수의 스위치로 구성되는 상기 차신호 검출 수단의 전류 미러에 있어서의 그들 복수의 스위치를 선택하여 상기 차신호 검출 수단에 흐르는 전류량을 조정함으로써 상기 차신호의 강도를 조정하는 제 1 조정 수단,상기 강도를 조정된 차신호와, 상기 합신호를 혼합하여, 스테레오 우측신호와 스테레오 좌측신호를 얻는 혼합 수단, 및상기 제 1 조정 수단의 복수의 스위치의 동작을 제어하기 위한 제어신호를 생성하는 생성 수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 분리 조정 회로.
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- 스테레오 합성신호에서의 합신호와 차신호의 강도비를 조정하고, 스테레오 우측신호와 스테레오 좌측신호의 분리정도를 증가시키는 분리조정회로로서,상기 스테레오 합성신호로부터 합신호를 검출하기 위해, 전류 미러로 구성되는 합신호 검출 수단,상기 스테레오 합성신호로부터 차신호를 검출하기 위해, 전류 미러로 구성되는 차신호 검출 수단,복수의 트랜지스터와 복수의 스위치로 구성되는 상기 합신호 검출 수단의 전류 미러에 있어서의 그들 복수의 스위치를 선택하여 상기 합신호 검출 수단에 흐르는 전류량을 조정함으로써 상기 합신호의 강도를 조정하는 제 1 조정 수단,상기 강도를 조정된 합신호와, 상기 차신호를 혼합하여, 스테레오 우측신호와 스테레오 좌측신호를 얻는 혼합 수단, 및상기 제 1 조정 수단의 복수의 스위치의 동작을 제어하기 위한 제어신호를 생성하는 생성 수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 분리 조정 회로.
- 스테레오 합성신호에서의 합신호와 차신호의 강도비를 조정하고, 스테레오 우측신호와 스테레오 좌측신호의 분리정도를 증가시키는 분리조정회로로서,상기 스테레오 합성신호로부터 합신호를 검출하기 위해, 전류 미러로 구성되는 합신호 검출 수단,상기 스테레오 합성신호로부터 차신호를 검출하기 위해, 전류 미러로 구성되는 차신호 검출 수단,복수의 트랜지스터와 복수의 스위치로 구성되는 상기 차신호 검출 수단의 전류 미러에 있어서의 그들 복수의 스위치를 선택하여 상기 차신호 검출 수단에 흐르는 전류량을 조정함으로써 상기 차신호의 강도를 조정하는 제 1 조정 수단,상기 강도를 조정된 차신호와, 상기 합신호를 혼합하여, 스테레오 우측신호와 스테레오 좌측신호를 얻는 혼합 수단,상기 제 1 조정 수단의 복수의 스위치의 동작을 제어하기 위한 제어신호를 생성하는 생성 수단,상기 분리 조정 회로의 출력단에 접속되는 저항, 및상기 저항에 병렬로 접속되고, 그 저항에 흐르는 전류랑을 조정하는 제 2 조정 수단을 구비하고,상기 제 2 조정 수단은, 상기 제 1 조정 수단이 조정하는 차신호의 강도에 기초하여, 상기 생성 수단의 제어 수단에 의해 전류량을 조정하는 것을 특징으로 하는 분리 조정 회로.
- 스테레오 합성신호에서의 합신호와 차신호의 강도비를 조정하고, 스테레오 우측신호와 스테레오 좌측신호의 분리정도를 증가시키는 분리조정회로로서,상기 스테레오 합성신호로부터 합신호를 검출하기 위해, 전류 미러로 구성되는 합신호 검출 수단,상기 스테레오 합성신호로부터 차신호를 검출하기 위해, 전류 미러로 구성되는 차신호 검출 수단,복수의 트랜지스터와 복수의 스위치로 구성되는 상기 합신호 검출 수단의 전류 미러에 있어서의 그들 복수의 스위치를 선택하여 상기 합신호 검출 수단에 흐르는 전류량을 조정함으로써 상기 합신호의 강도를 조정하는 제 1 조정 수단,상기 강도를 조정된 합신호와, 상기 차신호를 혼합하여, 스테레오 우측신호와 스테레오 좌측신호를 얻는 혼합 수단,상기 제 1 조정 수단의 복수의 스위치의 동작을 제어하기 위한 제어신호를 생성하는 생성 수단,상기 분리 조정 회로의 출력단에 접속되는 저항, 및상기 저항에 병렬로 접속되고, 그 저항에 흐르는 전류랑을 조정하는 제 2 조정 수단을 구비하고,상기 제 2 조정 수단은, 상기 제 1 조정 수단이 조정하는 합신호의 강도에 기초하여, 상기 생성 수단의 제어 수단에 의해 전류량을 조정하는 것을 특징으로 하는 분리 조정 회로.
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