KR100695584B1 - 감압 환경에서 대전 입자 비임 리소그래피 시스템 내의 탄소 오염물질을 제거하는 방법 및 장치 - Google Patents

감압 환경에서 대전 입자 비임 리소그래피 시스템 내의 탄소 오염물질을 제거하는 방법 및 장치 Download PDF

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Abstract

대전 입자 비임 리소그래피 시스템을 이용하기 위한 세정 시스템이 기술되어 있다. 세정 시스템은 리소그래피 시스템의 이미징 챔버 내부로 산화제를 주입시키는 산화제 공급원 및 산화제 분배 기구를 포함한다. 산화제는 이미징 챔버 내에서 필요한 감압을 유지시키는 유량 및 압력에서 챔버 내부로 펌핑된다. 산화제는 이미징 챔버 내에, 또는 이미지 마스크 등의 챔버 내의 부품 상에 존재하는 탄소 오염물질을 산화시키기도록 작동된다. 휘발 산화된 탄소 가스는 탄소 오염물질의 산화에 의해 생성된다. 산화된 탄소 가스는 이미징 챔버 밖으로 펌핑되어 챔버로부터 오염물질을 제거시킨다.

Description

감압 환경에서 대전 입자 비임 리소그래피 시스템 내의 탄소 오염물질을 제거하는 방법 및 장치 {METHOD AND APPARATUS FOR REMOVING CARBON CONTAMINATION IN A SUB-ATMOSPHERIC CHARGED PARTICLE BEAM LITHOGRAPHY SYSTEM}
도 1a는 마스크의 측면도이다.
도 1b는 마스크 상에 탄소 증착물의 효과를 도시한 도 1a의 마스크의 측면도이다.
도 2a는 본 발명의 일 실시예에 따른 감압 환경의 전자 비임 리소그래피 시스템에 대한 산소-기반 세정 시스템을 도시한 도면이다.
도 2b는 본 발명에 따른 또 다른 실시에에 따른 감압 환경의 전자 비임 리소그래피 시스템에 대한 산소-기반 세정 시스템을 도시한 도면이다.
도 2c는 본 발명에 따른 또 다른 실시예에 따른 감압 환경의 전자 비임 리소그래피 시스템에 대한 산소-기반 세정 시스템을 도시한 도면이다.
도 3은 도 2a에 도시된 전자 비임 리소그래피 시스템을 보다 상세하게 도시한 도면이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 감압 환경에서의 대전 입자 비임 리소그래피 시스템의 이미징 챔버로부터 탄소 증착물을 세정하기 위한 단계를 도시한 흐름도이다.
도 5는 본 발명의 실시예와 관련하여 이용가능한 마스크 방호 시스템을 도시한 도면이다.
*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명*
100, 208, 304, 501 : 마스크
112 : 탄소 증착물 201, 218 : 진공 펌프
202 : 전자 공급원 204 : 조사 챔버
206 : 마스크 스테이지 210 : 이미징 컬럼
210 : 웨이퍼 스테이지 217 : 에어 로크
220 : 프로세싱 챔버 500 : 박막
502 : 박막 멤브레인 504 : 박막 프레임
본 발명은 반도체 제조를 위한 리소그래피 시스템에 관한 것이며, 특히 감압 환경에서의 대전 입자 비임 리소그래피 시스템 (sub-atmospheric charged particle beam lithography systems)에서 탄소 오염물질을 감소시키기 위한 것이다.
포토리소그래피는 최근의 집적회로(IC) 소자의 제조시에 중요한 기술이 되었다. 포토리소그래피 공정은 일반적으로 패터닝된 복사선을 발생하기 위해 패터닝된 마스크를 시준된(collimated) 복사선에 노출시키는 단계를 수반한다. 패터닝된 복사선은 광학적 축소 시스템을 통과하며, 축소된 패턴 복사선 또는 마스크 이미지는 포토레지스트로 피복된 기판 일반적으로, 실리콘 웨이퍼 상에 투영된다. 복사선 노출은 포토레지스트의 특성을 변화시키며 기판의 후속 처리가 가능하도록 한다.
회로 집적도가 증가됨에 따라, 집적 회로(IC)의 피쳐(feature) 크기는 크게 감소된다. 차후의 반도체 제조 요건을 지원하기 위해서, 전자 비임 또는 이온 비임과 같은 대전 입자 비임을 이용한 리소그래피 시스템을 개발하여 통상적인 광학 시스템의 한계를 극복하고자 할 것이다. 대전 입자 비임의 투영 리소그래피 시스템에서, 기판 상에 마스크의 이미지를 투영시키기 위해 마스크 부분은 대전 입자 비임으로 조사(illuminate)된다. 몇몇 새로운 대전 입자 비임 리소그래피 시스템은 리소그래피 성능이 0.15 미크론 이하의 피쳐 크기 레벨로 확장되도록 개선되어졌다. 이러한 시스템 중의 하나가 IBM에 의해 개발된 마이크로컬럼(microcolumn) 전자 비임 시스템이다. 이러한 시스템은 마스크 이미지를 0.1 미크론 정도의 웨이퍼상의 형상으로 투영시키기 위해 위상 어레이(a phased array)에 다수의 소형(miniature) 전자 비임 라이터(writer)를 이용한다. 또 다른 시스템은 AT&T Bell Laboratories에 의해 개발된 상표명 SCALPEL 전자 비임 리소그래피 시스템이며, SCALPEL는 "투영 전자 비임 리소그래피에서의 제한된 각도로의 산란(Scattering with Angular Limitation in Projection Electron-beam Lithography)"을 나타내며, 미국 뉴저지 무레이 힐 소재의 AT&T Bell Laboratories의 상표로 등록되어 있다. SCALPEL 리소그래피 시스템은 포토마스크를 통해 고 에너지 전자를 투영시킨다.
현재의 대전 입자 비임 리소그래피 시스템과 관련된 단점은 리소그래피 시스템의 이미징(또는 프로세싱) 챔버의 벽, 마스크 및 기타 표면이 탄소 오염물질에 노출되기 쉽다는 것이다. 대전 입자 비임에 마스크가 반복적으로 노출되면, 이미징 챔버 내에 존재하는 탄소 오염물질의 에너지 수치가 충분히 높게 유지되는 경우에, 마스크 상에 탄소가 축적되게 된다. 도 1a는 SCALPEL 리소그래피 시스템에서 이용되는 마스크와 같은 마스크의 측면도이다. 마스크는 그 마스크 상에 형성된 이미지 패턴을 가지며 기판 상에 축소된 이미지 패턴을 투영시키기 위해 이용된다. 임계 치수(CD)는 통상적으로 기판상에 형성되어 집적 회로 소자를 형성하는 피쳐들 사이의 최소 피쳐 크기 또는 간극을 나타낸다. 임계 치수는 마스크(100) 상에서 치수(104)를 갖는 피쳐(102)에 의해 제어되며, 상기 피쳐는 웨이퍼 상에 임계 치수(CD)를 발생시킨다. SCALPEL 리소그래피 시스템에서 이용되는 마스크의 경우에, 피쳐(102)는 "차단" 영역을 나타내며, 표면(106)은 투명 영역을 나타낸다. 차단 영역은 입사 전자를 산란시키며 투명 영역은 입사 전자를 전달한다.
마스크 또는 웨이퍼 상의 탄소 증착물은 통상적으로 CD를 변화(통상적으로, 증가)시킨다. 이러한 효과는 도 1b에 도시되며, 피쳐(102) 상의 탄소 증착물(112)은 피쳐(102)의 치수를 제 1 폭(104)에서 제 2 폭(114)으로 증가시킨다. 마스크의 피쳐 상의 탄소 증착물은 입사 전자를 산란시키기 보다는 과도하게 흡수하여 마스크 피쳐의 가열을 또한 초래한다. 이러한 가열은 마스크 피쳐가 바람직하지 못하게 비틀어지게 할 수도 있다.
마스크 상의 탄소 증착물의 정도가 CD를 변경시킬 정도로 충분히 크지 않은 경우에라도, 마스크 및 개구부 표면 상의 오염물질의 존재는 마스크 및/또는 기타 개구부를 통과하는 전자 비임의 바람직하지 못한 편향을 초래할 수 있다. 도 1b를 참조하면, 마스크(100)의 투명 영역 상의 탄소 증착물(116)은 입사 전자를 바람직하지 못하게 산란시켜, 웨이퍼 상에 바람직하지 못한 이미지를 생성할 수도 있다. 따라서, 소량의 탄소 오염물질도 전자 비임 리소그래피 시스템의 이미징 공정에 악 영향을 미칠 수 있다.
탄소 오염물질은 대전 입자 비임 리소그래피 시스템의 전자 공급원, 마스크, 웨이퍼, 및 이미지 성분을 포함하는 다양한 공급원에 의해 이미징 챔버 내부로 유입될 수 있다. 오염물질 공급원은 챔버 내에 존재할 수 있는 탄화수소 증기, 또는 와이링 또는 전자 공급원, 스테이지 지지대, 및 다른 유사 공급원 내에 잔류하는 탄소 를 포함한다. 단지 비탄소(non-carbon) 재료만이 이미징 챔버 내에서 이용됨을 보장하거나, 또는 챔버 및 마스크를 빈번하게 완전히 물리적으로 세정함으로써 탄소 오염물질을 감소시키는 것이 가능하나, 그러한 방법은 매우 고가이고 시간을 소모하는 것으로서 리소그래피 시스템의 생산량을 제한하게 된다. 더욱이, 이러한 방법은 이미징 챔버 내에 탄소 오염물질을 전체적으로 제거하지 못하는데, 이는 유기 화합물이 마스크 및 웨이퍼 자체에 종종 존재하기 때문이다.
전술한 사항으로 보아, 전자 비임 포토리소그래피 장치의 챔버 내에 부착된 탄소 오염물질을 제거하기 위한 시스템이 요구된다.
본 발명은 감압 환경에서의 대전 입자 비임 리소그래피 시스템의 이미징 챔버 내에 탄소 증착물의 축적을 방지하는 세정 시스템에 관한 것이다. 특히, 본 발명은 감압 환경에서의 대전 입자 비임 리소그래피 시스템 내에서 마스크 및 이미징 챔버 표면 상에 축적된 탄소 증착물을 제거하는 세정 시스템에 관한 것이다.
감압 환경에서의 대전 입자 비임 리소그래피 시스템과 함께 이용하기 위한 세정 시스템이 설명된다. 본 발명의 일 실시예에서, 세정 시스템은 마스크 및 챔버 벽과 같이 챔버 내의 표면 상에 축적된 탄소 오염물질을 산화시키기 위해 리소그래피 시스템의 이미징 챔버 내부로 산화제를 주입시키는 산화제 공급원을 포함한다. 산화된 탄소 가스를 포함하는 휘발성 가스 종(species)이 산화 공정으로부터 생성된다. 휘발성 가스는 이미징 챔버에 결합된 진공 펌프에 의해 챔버의 외부로 펌핑되며, 이로 인해 이미징 챔버로부터 탄소 오염물질 부착물이 제거된다.
본 발명의 일 실시예에서, 세정 공정은 마스크로부터 탄소 증착물을 제거하기 위해 산소 가스와 같은 산화제가 마스크 양단에 균일하게 향하게 하며, 이때 마스크는 이미징 챔버 내에 위치되며, 챔버는 감압 하에서 유지된다. 본 발명의 일 실시예에 따라, 세정 공정은 예정된 수의 웨이퍼가 처리된 후에 주기적으로 수행된다. 본 발명의 대안의 실시예에서, 세정 공정은 각각의 웨이퍼가 처리되는 동안에 이미징 챔버 내부로 산화제를 연속적으로 주입시킴으로서 수행된다.
바람직한 실시예의 설명
감압 환경에서의 대전 입자 비임 리소그래피 시스템을 위한 세정 시스템이 설명된다. 다음의 설명에서, 설명의 목적으로, 본 발명의 이해를 위해 여러가지 특정된 사항들이 제공된다. 그러나, 소위 당업자들은 본 발명이 그러한 특정된 사항 없이도 실시될 수 있다는 것을 인지할 수 있을 것이다. 또 다른 경우에서, 설명을 용이하게 하기 위해 공지된 구조물 및 소자를 블록선도에 도시하였다. 바람직한 실시예의 설명은 첨부된 청구범위의 영역을 제한하기 위해 의도된 것은 아니다.
대전 입자 비임의 리소그래피 동안, 높은 에너지로 대전된 입자 비임은 실리콘 웨이퍼와 같은 기판 상에 마스크 부분의 이미지를 투영시키기 위해 마스크를 통해 투영된다. 일반적으로, 대전 입자 비임 리소그래피 시스템은 이미지 마스크를 이용하여 웨이퍼를 제조하기 위해 전자 비임 또는 이온 비임 투영 시스템을 이용한다. 도 2a는 본 발명에 따른 실시예로서 반도체 프로세싱에서 이용하기 위한 전자 비임 리소그래피 시스템(200)의 횡단면도이다.
본 발명의 실시예에서, 탄소 증착물 세정 시스템은 SCALPEL(투영 전자 비임 리소그래피에서 제한된 각도로의 산란) 시스템에서 수행된다. 도 2a는 본 발명의 실시예에서 이용하기 위해 변경된 SCALPEL 시스템의 횡단면을 도시하고 있다.
공지된 바와 같이, SCALPEL 시스템에서, 기판 상에 마스크의 이미지를 투영시키기 위해 고 에너지의 전자가 마스크를 통해 투영된다. 마스크는 일반적으로 높은 원자 번호를 갖는 재료층으로 덮혀져 있는 낮은 원자 번호를 갖는 멤브레인으로 구성된다. 마스크 패턴은 원자 번호가 큰 원자 재료 내에 패턴 층으로서 형성된다. 마스크는 전자를 전송하기 위해 이용되는 에너지(일반적으로 100 keV)에서 전자에 거의 투명하다. 그러나, 낮은 원자 번호의 멤브레인과 원자 번호가 큰 패터닝된 층 사이의 전자 산란 특성의 차이는 웨이퍼 상에 이미지를 투영하기에 충분한 콘트라스트(contrast)를 제공한다. 멤브레인을 통해 전송된 전자는 실질적으로 산란되지 않으며 패턴 층을 통해 전송된 전자는 산란된다. SCALPEL 시스템은 강하게 산란된 전자를 차단하는 투영 광학 장치(projection optics)의 이면-초점면(back-focal plane) 내의 개구부를 포함한다. 이는 웨이퍼 평면에서 상당히 높은 콘트라스트의 이미지를 형성한다.
도 2a를 참조하면, 시스템(200)은 본 발명의 실시예를 포함하는 SCALPEL 리소그래피 시스템을 나타낸다. 리소그래피 시스템은 전자 공급원(202)을 포함하며, 일반적으로 전자 총으로 구현된다. 전자 공급원(202)은 고 밀도의 전자 플럭스(203) 형태의 전자 비임을 조사(illumination) 챔버(204) 내의 조사 컬럼을 통해 마스크 스테이지(206)로 투영시킨다. 마스크 스테이지(206)는 전자 투과 멤브레인 층 및 패턴 층을 포함하는 마스크(208)를 보유한다. 전자 비임은 웨이퍼 스테이지(212)에 의해 보유된 웨이퍼(214)상에 투영된 촛점이 맞추어진 전자 비임(205)을 형성하기 위해 마스크(208) 및 이미징(또는 투영) 컬럼(210)을 통과한다. 또한, 이미징 컬럼(210)은 산란된 전자를 차단하고 산란되지 않은 전자가 웨이퍼(214)를 통과하도록 이면-촛점면 개구부(도 3에 부재 (312)로 도시되어 있음)를 포함한다.
마스크 스테이지(206), 웨이퍼 스테이지(212), 및 이미징 컬럼(210)은 프로세싱 챔버(220) 내에 포함된다. SCALPEL 시스템에서, 프로세싱 챔버(220)는 일반적으로 감압 환경에서 유지되며, 따라서 진공 챔버로 지칭될 수 있다. 마스크 스테이지 (206) 및 웨이퍼 스테이지(212)는 일반적으로 전체 광학 시스템에 대한 열적 및 기계적 안정기로서의 역할을 하며 계측 판(불명료해지는 것을 피하기 위해 도시하지 않음)으로 지칭되는 대형의 금속 블록의 상부 및 바닥에 장착된다. 진공 펌프(218)는 이미징 공정중에 챔버(220) 내에 진공을 형성하기 위해 프로세싱 챔버(220)에 결합된다. 전술한 바와 같이, 웨이퍼 제조중에 프로세싱 챔버(220)는 감압 환경 (진공 또는 부분 진공)에서 유지된다. 일반적인 SCALPEL 시스템의 경우에, 프로세싱 챔버는 일반적으로 10-6 내지 10-7 Torr의 진공 하에서 유지되는 반면에, 조사 챔버는 10-8 내지 10-9 Torr의 진공 하에서 유지된다.
이와 같은 저압 환경에서, 가스 분자는 일반적으로 벽에 부딪힐 때까지 초기 궤적을 따를 것이다. 임의의 탄소가 존재하는 경우 탄소는 벽에 들러 붙어 챔버 내에 탄소 오염물질을 발생시킬 수 있다. 그러나, 탄소 산화는 비교적 낮은 점착 계수(sticking cofficient)를 나타내는 산화된 탄소 가스(CO 또는 CO2)를 생성한다. 이러한 가스는 진공 펌프에 의해 조사 및/또는 프로세싱 챔버로부터 효과적으로 제거될 수 있다.
웨이퍼 제조중에 프로세싱 챔버(220) 내에 진공 상태를 깨지 않고 프로세싱 챔버(220) 안팎으로 웨이퍼를 교환할 수 있게 하는 하나 이상의 에어 로크(217)가 이미징 챔버 (220)에 또한 결합되어 있다. 이러한 실시예에 대해, 조사 챔버(204) 및 프로세싱 챔버(220)는 시스템(200)에 대한 이미징 챔버를 함께 구성하고 있다. 따라서, 다른 말이 없으면 도 2a에 도시된 실시예의 경우에, 본 명세서에서 사용되는 용어 "이미징 챔버(imaging chamber)"는 조사 챔버(204) 및 프로세싱 챔버(220)를 포함한다. 이러한 실시예에 대해, 마스크 스테이지(206) 및 마스크(208)는 두개의 챔버(204, 220) 사이에 기밀한 배리어(airtight barrier)을 형성하지 않는다. 본 발명의 또 다른 실시예에서, 이미징 챔버는 두 챔버를 함께 지칭하는 것과는 대조적으로, 이미징 챔버가 조사 챔버 또는 프로세싱 챔버 중 하나 만을 지칭할 수도 있다.
본 발명의 일 실시예에서, 마스크(208)는 마스크 스테이지(206)에 결합된 지지 링(도시되지 않음) 내에 장착되거나 또는 지지 링에 부착된다. 이러한 실시예의 경우에, 마스크 스테이지(206)는 전자가 마스크(208)를 통과하도록 허용하고 또한 가스가 마스크(208)의 표면 위로 유동하도록 허용하는 개구를 포함한다. 이용되는 리소그래피 시스템에 따라, 다른 마스크 지지 구조물이 또한 가능하다.
본 발명의 SCALPEL 리소그래피 시스템 및 다른 대전 입자 비임 투영 리소그래피 시스템과 관련된 문제점은 리소그래피 공정중에 이미징 챔버 내의 마스크, 웨이퍼 및/또는 다른 표면상에 탄소가 축적될 가능성이 있다는 것이다. 이미징 챔버 내의 탄화수소 증기 형태 또는 챔버 내의 표면(와이어, 벽, 등) 상의 유기 재료형태의 탄소 오염물질은 챔버 작동중에 마스크 또는 웨이퍼 상에 탄소 증착물을 야기시킨다. 이러한 탄소 증착물은 도 1a 및 도 1b에 도시되어진 것처럼 마스크 이미지의 피쳐 크기를 증가시킴으로써, 또는 전자 비임을 바람직하지 못하게 산란시킴으로써 시스템의 이미징 효율에 악영향을 미칠 수 있다. 이미징 챔버 내의 탄소 오염물질을 최소화시키는 것이 가능하다 하더라도, 탄소가 여러가지 공급원에 의해 용이하게 주입될 수 있기 때문에 탄소가 없는 시스템을 유지하는 것이 항상 비용 측면에서 효율적이지 않고 또는 항상 가능한 것도 아니다. 예를 들어, 전자 비임 프로세싱에 웨이퍼를 연속적으로 노출시키는 것은 웨이퍼 내에 유기 재료로부터 그리고 웨이퍼로부터 탄소가 방출되게 한다.
도 2a에 도시된 본 발명의 일 실시예에서, 리소그래피 시스템(200)은 예정된 압력 및 유량에서 조사 챔버(204) 및 프로세싱 챔버(220) (함께, 이미징 챔버로 지칭됨) 내부로 산화제를 주입시키는 산화제 공급원(216)을 포함한다. 산화제 공급원(216)에 의해 제공되는 산화제는 일반적으로 순수 산소 가스의 형태를 취하고 있다. 본 발명의 대안의 실시예에서, 산화제는 O3, N2O, 수증기, 도핑된 산화 화합물, 알코올 화합물, 및 중성 또는 이온화된 다른 유사 화합물 등의 산소 함유 화합물로부터 공급될 수 있다. 본 발명의 다른 실시예에서, 산화제는 이미징 챔버 내부로 주입가능하고 어떠한 잔류 탄소도 휘발성 가스 종으로 산화시키는 작용을 하는 임의의 가스상 혼합물일 수 있다. 산화제의 선택시에, 리소그래피 시스템의 다른 부품을 부식시키거나 손상시키지 않는 산화제를 선택하여야 한다는 것을 고려해야 한다.
본 발명의 일 실시예에서, 산화제 공급원(216)에 의해 제공된 산화제는 활성화된 상태에 놓여져 있다. 산화제는 열 활성화, 오존 활성화, 마이크로파 공급원 또는 원격의 플라즈마 공급원에 의한 활성화, 또는 다른 유사 방법을 포함한 여러 방법들 중 하나에 의해 활성화된다. 이러한 실시예의 경우에, 산화제 공급원(216)은 산화제를 활성화시키기 위한 마이크로파 회로, 또는 산화제 활성 방법에 적합한 다른 회로를 포함한다.
본 발명의 일 실시예에서, 조사 챔버(204) 및 프로세싱 챔버(220) 내의 특정 분압에 도달할 때까지 산화제가 특정 유량으로 주입된다. 대형 직경의 웨이퍼(214)가 처리되는 고압 용도의 경우, 또는 탄소가 심하게 축적된 시스템의 경우에, 산화제는 고압의 펌프를 통해 산화제 공급원(216)으로부터 이미징 챔버 내부로 펌핑된다. 유동 제어 유닛(219)은 이미징 챔버 내부로의 산화제의 유동을 제어한다. 유동 제어 유닛(219)은 사용자가 조사 챔버(204) 및 프로세싱 챔버(220)로의 산화제의 유동을 독립적으로 정확하게 지정하여 모니터링할 수 있게 한다. 유지되는 실제적인 산화제 유량 및 압력은 마스크(208)의 크기, 조사 챔버(204)의 체적, 프로세싱 챔버(220)의 체적, 및 제거될 탄소 오염물질의 양을 포함하는 여러 요소에 따라 달라진다. 감압 환경의 리소그래피 시스템에 있어서, 산화제는 이미징 챔버 내에서 감압 환경을 유지시키는 속도 및 압력으로 주입된다.
본 발명의 일 실시예에서, 진공 펌프(218), 전자 공급원(202), 유동 제어 유닛(219), 하나 이상의 에어 로크(217)를 제어하기 위해 컴퓨터(222)가 이용된다. 컴퓨터(222)는 리소그래피 시스템(200) 부품의 작동을 조정함으로써 세정 공정을 자동 제어할 수 있다. 또한, 컴퓨터(222)는 리소그래피 시스템(200)의 부품들이 사용자 입력부를 통해 작동자에 의해 수동으로 제어될 수 있게도 한다. 사용자 입력부는 웨이퍼 수송 시스템 또는 클러스터 기구를 포함한 기타 웨이퍼 프로세싱 구성부와 함께 리소그래피 시스템(200)의 작동을 조정할 수 있는 다른 제어 시스템에 연결될 수 있다.
도 2a에 도시된 본 발명의 실시예에서, 산화제는 조사 챔버(204)의 벽을 통해 삽입된 노즐(224)을 통해 상기 조사 챔버(204)내로, 그리고 프로세싱 챔버(220)의 벽을 통해 삽입된 노즐(215)을 통해 프로세싱 챔버(220) 내부로 주입된다. 통상적으로, 마스크 상의 탄소 오염물질이 SCALPEL 시스템 내에서 가장 중요한 요소이기 때문에, 노즐(215)은 마스크(208)의 표면 양단에 흐르는 산화제가 균일하게 향하게 배치된다. 그러나, 선택적으로, 노즐(215,224)은 벽 또는 웨이퍼 영역과 같은 조사 챔버(204) 및 프로세싱 챔버(220) 내의 다른 표면 위로 산화제를 안내하도록 구성될 수도 있다. 이는 축적된 탄소의 제거가 가장 필요한 영역에 산화제가 집중되도록 한다. 노즐(215,224)의 직경, 그리고 조사 챔버(204) 및 프로세싱 챔버(220) 내부로 연장하는 정도는 세정 시스템의 요건 및 리소그래피 시스템(200)의 물리적인 제한 및 작동과 관련한 제한에 따라 조절될 수 있다.
도 2a에 도시된 실시예에서는 노즐(215,224)에 의해 조사 챔버(204) 및 프로세싱 챔버(220) 내부로 산화제를 주입하는 것이 도시되어 있으나, 산화제는 여러가지 다른 방식으로 이미징 챔버 내부로 주입될 수 있다. 예를 들어, 본 발명의 대안의 실시예에서, 산화제는 마스크(208) 표면 양단 및 이미징 챔버 내부로 산화제를 분산시키는 공기 유입 구멍을 갖는 형상의 튜브 또는 가스 분사 매니폴드를 통해 이미징 챔버로 주입될 수 있다.
도 2b는 본 발명의 대안의 실시예에 따라 세정 시스템을 구현한 전자 비임 리소그래피 시스템을 도시하고 있다. 상기 실시예에서, 산화제 공급원(216)에 의해 공급된 산화제는 가스 분사 매니폴드(221)를 통해 조사 챔버(204) 내부로 펌핑된다. 가스 분사 매니폴드(221)는 조사 챔버(204) 내부로 산화제를 안내하는 다수의 입구 구멍(223)을 포함한다. 입구 구멍(223)이 조사 챔버(204)의 내부면 둘레로 분배되고 조사 챔버(204)의 내부면과 동일한 높이를 갖도록, 가스 분사 매니폴드(221)는 조사 챔버(204) 내에 위치된다. 따라서, 전자 비임 리소그래피 시스템(250)의 횡단면을 도시한 도 2b에서, 가스 분사 매니폴드(221)는 조사 챔버(204)의 내부면을 따라 연속적으로 연장된다.
도 2b에 도시된 시스템(250)의 실시예에서, 가스 분사 매니폴드(221)는 산화제 공급원(216)에 의해 각각의 입구 구멍(223)을 통해 공급된 산화제를 분배시키는 중공(hollow) 챔버이다. 선택적으로, 가스 분사 매니폴드(221)는 특정 방향 또는 패턴을 따라 조사 챔버(204) 내부로 산화제를 안내하도록 각각의 입구 통로(223)에 결합된 각각의 노즐을 포함할 수 있다. 도 2b에 도시되어진 바와 같이, 가스 분사 매니폴드(221) 및 가스 분사 매니폴드(221) 내의 입구 구멍(223)의 구성 및 위치는 마스크(208)의 표면 양단에 산화제를 균일하게 유동시키도록 구성되어 있다. 그러나, 조사 챔버(204) 내의 입구 구멍(223) 및 가스 분사 매니폴드(221)의 구성 및 위치는 조사 챔버(204)가 상이한 산화제 유동 패턴을 제공하기 위해 도 2b에 도시된 구성과 달라질 수 있다. 도 2b에 도시된 다른 부품의 구성 및 작동은 도 2a를 참조하여 전술된 내용에 대응된다.
도 2b에 도시된 실시예의 경우에, 산화제는 프로세싱 챔버(220) 내부로 삽입된 노즐(215)에 의해 이미징 챔버 내부로 주입될 수 있다. 선택적으로, 시스템(250) 내에서, 산화제는 가스 분사 매니폴드(221)만을 통해 이미징 챔버 내부로 주입된다.
전자 비임 리소그래피 시스템에 대한 세정 시스템을 구현하는 본 발명에 따른 대안의 실시예가 도 2c에 도시되어 있다. 도 2c의 시스템(270)에서, 산화제는 마스크(208) 둘레에 근접 위치된 원형의 입구 튜브(233)를 통해 조사 챔버(204) 내부로 주입된다. 도 2c에 도시된 시스템(270)의 일 실시예에서, 입구 튜브(233)는 연속하는 원형 통로로 형성된 중공(hollow)의 원통형 튜브이다. 원형의 입구 튜브(233)는 튜브 표면 둘레에 분배된 다수의 구멍(239)을 포함하고 있다. 원형의 입구 튜브(233)는 조사 챔버(204)의 벽에 부착된 브레이스(237)와 같은 하나 이상의 브레이스에 의해 지지된다. 산화제 공급원(216)은 통로(235)를 통해 원형의 입구 튜브(233)에 산화제를 공급하고, 산화제는 입구 튜브를 통해 유동하고 구멍(239)으로부터 배출된다. 이러한 방식에서, 산화제는 마스크(208)의 표면 양단을 직접적으로 균일하게 유동한다. 원형 입구 튜브(233)의 형상, 크기, 및 방향을 필요에 따라 변경하여, 마스크(208) 또는 조사 챔버(204)의 특정 표면 양단 또는 마스크(208) 또는 조사 챔버(204) 표면의 특정 부분 양단에 산화제 유동이 집중되게 할 수 있다. 시스템(270) 내의 입구 튜브가 마스크(208)에 비교적 근접하여 위치되어 있으므로, 도 2c에 도시된 실시예는 도 2b에 도시된 실시예보다 마스크(208)의 표면 양단에 보다 집중되고 균일한 산화제의 유동을 제공한다. 도 2c에 도시된 기타 부품의 구성 및 작동은 도 2a를 참조하여 전술한 내용과 같다.
도 2c에 도시된 실시예에 대해, 산화제는 프로세싱 챔버(220) 내부로 삽입된 노즐(215)에 의해 이미징 챔버 내부로 주입될 수 있다. 대안적으로, 시스템(270) 내에서, 산화제는 원형의 입구 튜브(223)를 통해서만 이미징 챔버 내부로 주입된다.
본 발명의 실시예에 따라 다른 산화제 주입 방식이 가능함을 인지할 수 있다. 예를 들어, 본 발명의 또 다른 대안의 실시예에서, 산화제는 이미징 챔버 내부로 주입되지 않고 마스크의 표면 상으로 직접 주입된다. 이러한 실시예에서, 산화제를 산화제 공급원으로부터 마스크(208) 상으로 향하도록 하기 위해 하나 이상의 입구 통로가 마스크 스테이지(206) 내에 제공된다.
본 발명의 일 실시예에서, 산화제 공급원으로부터 이미징 챔버 내부로 주입된 산화제는 챔버 내에 존재할 수 있는 탄소 오염물질을 산화시키는 작용을 한다. 따라서, 챔버의 마스크 및 벽 , 그리고 챔버 내의 임의의 다른 표면 상의 탄소 잔류물 또는 부착물이 산화된다. 산화 공정은 고체 상의 임의의 탄소 잔류물을 가스상으로 변형시킨다. 유사하게, 이미징 챔버 내에 존재하는 임의의 탄화수소 가스는 산화제 공급원에 의해 제공된 산화제에 의해 산화된다. 따라서, 산화 공정은 산화된 탄소 가스를 이미징 챔버 내에서 발생시킨다. 이러한 가스는 일산화탄소 또는 이산화탄소, 또는 다른 휘발성 탄소-산소 화합물의 형태로 발생될 수 있다. 산화된 탄소 가스는 이미징 챔버로부터 배기될 수 있는 휘발성 가스 종이며, 이로 인해 산화된 탄소 오염물질을 제거할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에서, 마스크 또는 기타 의도된 표면이 산화제에 완전히 노출되기에 충분한 시간 동안 이미징 챔버내로 산화제가 주입된다. 일반적으로, 그 시간 주기는 챔버의 체적, 축적된 탄소의 양, 및 웨이퍼 및 마스크 피쳐의 산화에 대한 민감도에 따라 달라진다. 탄소 증착물 및 잔류물이 산화된 후에, 결과적으로 산화된 탄소 가스는 이미징 챔버 외부로 펌핑된다. 이러한 방식으로, 이미징 챔버내의 탄소 오염물질이 마스크 및/또는 챔버 표면으로부터 제거된다.
본 발명의 일 실시예에서, 산화제는 웨이퍼 제조 공정중에 이미징 챔버 내부로 주입된다. 이러한 실시예에서, 이미징 챔버가 감압(부분 진공) 환경에서 유지되는 동안에 마스크는 세정된다. 산화제가 마스크 양단에 유도됨에 따라, 마스크상의 탄소 증착물이 산화된다. 이어서, 결과적으로 산화된 탄소 가스는 진공 펌프의 작동에 의해 이미징 챔버 외부로 펌핑된다.
입자 비임 리소그래피 시스템의 이미징 챔버 내의 비임 경로에 대한 보다 상세한 설명이 도 3에 도시되어 있다. 도 3은 도 2a에 도시된 SCALPEL 리소그래피 시스템에 대한 통상적인 대전 입자 비임 경로를 도시하고 있다. 도 3에서, 다수의 전자 비임을 포함하는 전자 플럭스(302)가 마스크(304)를 통해 투영된다. SCALPEL 리소그래피 시스템에 따라, 마스크(304)의 패턴 층에 부딪히는 전자 비임은 산란된 비임(306)으로 도시되어진 것과 같이 산란되는 반면에, 일부 전자 비임은 산란되지 않은 비임(308)으로 도시되어진 바와 같이 멤브레인을 통해 산란되지 않은 채로 이동한다. 산란되지 않은 전자 비임(308)은 본 발명을 이해하기 용이하도록 광학 렌즈 형태로 도시된 전자 렌즈(310)에 의해 촛점이 집중되며, 이면-초점면 개구부(312)를 통과하고 웨이퍼(314) 상에서 충돌한다. 산란된 비임(306)은 전자 렌즈(310)에 의해 배향되나 개구부(312)에 의해 효과적으로 차단된다. SCALPEL 시스템의 이미징 공정중에, 이미징 챔버(301)는 감압 하에서 유지된다.
본 발명의 일 실시예에서, 하나 이상의 산화제 스트림(316 및 320)이 마스크(304) 표면 양단에 유도된다. 마스크(304)와 챔버(301)의 다른 표면 상의 탄소 증착물은 산화되며 예를 들어 CO 또는 CO2 를 포함하는 휘발성 가스 종으로 변형된다. 마스크(304) 피쳐 및 챔버 측면, 또는 챔버 내부의 다른 표면상의 탄소 증착물과 반응한 후에, 최종적으로 산화된 탄소 가스(이산화탄소로 표시됨)(318)는 챔버로부터 배기된다. 도 3은 산화제가 마스크(304)에 근접한 위치에서 특별히 마스크(304)를 향하는 스트림으로 주입되는 본 발명의 실시예를 도시하고 있다. 그러나, 산화제는 이미징 챔버 내부로도 주입될 수 있으며, 마스크(304) 양단을 자연스럽게 유동하도록 한다. 본 발명의 일 실시예에서, 산화제 스트림(320)은 도 2a의 노즐(224)과 같은 분배 장치 및 산화제 공급원에 의해 제공되며, 산화된 탄소 가스 스트림(318)은 감압 하에서 조사 챔버(204)를 유지시키는 진공 펌프(201)의 작동에 의해 배기된다.
본 발명의 일 실시예에서, 산화제를 기초로 한 세정 방법은 대전 입자 비임 리소그래피 시스템에서 이용되며, 그러한 리소그래피 시스템에서 마스크(304)는 광학 리소그래피 시스템에서 이용되는 박막(pellicle)과 같은 보호성 피복물에 의해 보호된다. 일반적으로, 박막은 유해한 입자 오염물질로부터 마스크(또한 레티클로 지칭됨)를 실링하는 투명 멤브레인이다. 박막은 미립자 및 다른 오염물질이 마스크의 표면 상으로 낙하함을 방지하기 위해 마스크 상으로 직접 위치되도록 설계된다. 따라서, 오염물질은 마스크의 표면 대신에 박막 멤브레인의 표면 상에 부착될 것이다. 이러한 오염물질은 마스크 표면을 세정할 필요 없이 제거될 수 있다. 일반적으로, 박막 멤브레인은 마스크 표면으로부터 일정한 거리에서 유지된다. 이는 입자 오염물질이 촛점상에 존재하지 않게하고 또 웨이퍼상으로 이미지화되는 것을 방지한다.
도 5는 본 발명의 실시예와 관련하여 이용가능한 박막의 실시예를 도시하고 있다. 박막(500)은 박막 프레임(504)에 의해 보유된 상부 박막 멤브레인(502)을 포함한다. 마스크(501)는 박막 멤브레인(502)로부터 일정 거리에 위치된다. 본 발명의 일 실시예에서, 마스크(501)는 도 3의 마스크(304)와 같이 SCALPEL 리소그래피 시스템 내에서 이용되는 마스크를 나타낸다. 이러한 실시예에서, 박막 멤브레인(502)은 전자 공급원에 의해 발생된 대전 입자(전자)에 대해 투명한 재료로 구성된다. 오염입자 부착으로부터 마스크(501)의 이면을 보호하기 위해 이면 박막 멤브레인(506)이 또한 제공될 수 있다. 본 발명의 실시예에 따라, 박막 멤브레인(502)의 표면 또는 박막(500)의 다른 표면 상의 탄소 증착물의 제거를 용이하게 하기 위해 하나 이상의 산화제 스트림(510)이 박막 멤브레인(502)의 표면 위로 향한다.
도 5에 도시된 박막(500)은 본 발명의 실시예에 이용가능한 박막중 하나를 도시한 것이고, 여러가지 다른 박막 구성도 가능할 것이다. 더욱이, 도 5는 본 발명의 실시예에서 이용할 수 있는 마스크 보호 시스템의 한 형태를 도시하고 있다. 다른 형태의 마스크 보호 시스템 또는 투명 피복물도 마스크(501)를 보호하고 산화제의 이용을 통한 탄소 증착물의 제거를 용이하게 하기 위해 이용될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에서, 세정 공정은 산화제를 주입시키는 단계, 탄소 증착물을 산화시켜 휘발성 가스를 발생시키는 단계, 및 산화된 탄소 가스를 배기시키는 단계를 포함하며, 그러한 세정 공정은 배치 세정 공정에서 주기적으로 수행된다. 특정 수의 웨이퍼가 리소그래피 시스템 내에서 이미지 처리된 후에, 산소를 기반으로한 세정 공정을 실시하여 마스크 및 챔버 표면으로부터 축적된 탄소를 제거한다. 이러한 주기적인 공정은 특정 수의 웨이퍼가 처리되어진 이후에 또는 예정된 간격으로 수행되어 챔버 내의 표면 및 마스크로부터 원치않는 탄소 증착물을 제거한다. 이러한 세정 공정에서, 마스크는 챔버로부터 제거되지 않고 인슈트(in-situ) 세정된다. 세정 공정이 이미징 챔버로부터의 마스크 제거를 필요로 하지 않기 때문에, 세정에 요구되는 시스템 정지 시간이 최소화되며 웨이퍼 제조 시스템의 생산량이 유지될 수 있다.
본 발명의 대안의 실시예에서, 세정 공정은 전자 비임 이미지 투영 공정과 동시에 그리고 연속적으로 수행된다. 연속적인 세정 공정에서, 산화제는 웨이퍼 처리중에 또는 각각의 웨이퍼 처리 직후에 챔버내로 주입된다. 이러한 방식에서, 웨이퍼 이미징 중에 탄소 오염물질은 마스크, 웨이퍼, 및 챔버 표면으로부터 연속적으로 산화된다. 이러한 실시예의 경우에, 통상적으로 산화제는 저압으로 주입되고 배기된다. 이는 챔버 내의 압력이 SCALPEL 및 다른 대전 입자 비임 리소그래피 방법의 효과적인 작동에 요구되는 감압 환경을 초과하지 않게 한다.
본 발명의 대안의 실시예에서, 이미징 챔버가 산화 공정에 의해 세정되기 이전에 리소그래피 시스템으로부터 마스크가 제거된다. 통상적으로, 이러한 방법은 챔버 표면에 탄소 잔류물이 다량 축적되어 있고 부착물 제거를 위해 긴 산화제 노출시간 또는 고압이 요구되는 경우에만 이용된다. 이러한 경우에, 챔버 내에 마스크 또는 웨이퍼를 남겨두는 것이 바람직하지 못한데, 이는 주요 피쳐의 부분들이 탄소 증착물과 함께 바람직하지 못하게 산화되기 때문이다.
본 발명의 일 실시예에서, 도 2a를 참조하면, 전자 공급원(202)은 차단되고 조사 챔버(204)는 세정 공정중에 프로세싱 챔버(220)로부터 차단된다. 이는 산화제가 이미징 챔버의 독립된 챔버들 내부로 각각 주입될 수 있게 한다. 이는 프로세싱 챔버(220) 내에 산화제를 유지하면서도 조사 챔버(204) 및 전자 공급원(202) 부품의 산화를 방지하는 역할을 한다. 본 발명의 대안의 실시예에서, 조사 챔버(204)는 컬럼 및 전자 공급원(202)으로부터 탄소 증착물이 제거될 수 있도록 개방된 채로 유지된다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따라 감압 환경에서의 대전 입자 비임 리소그래피 시스템의 이미징 챔버로부터 탄소 증착물을 세정하는 단계를 도시한 흐름도이다. 단계(402)에서, 산화제는 리소그래피 시스템의 이미징 챔버 내부로 주입된다. 전술한 바와 같이, 산화제는 활성화된 상태일 것이고 순수 산소 가스 공급원에 의해 제공되거나 산소 함유 화합물 공급원으로부터 제공될 수 있다. 산화제는 이미징 챔버 내의 최소 또는 최대 요구 압력 레벨을 유지하는 시간 주기 및 유속으로 주입된다. 단계(404)에서, 이미징 챔버 내의 챔버 표면, 마스크 및 웨이퍼는 예정된 시간 주기동안 산화제에 노출된다. 그 대신에, 마스크 만이 산화제에 노출되며, 이미징 챔버 내부 전체가 아니라 마스크 표면 위로만 산화제가 향하도록 산화제 분배 시스템이 배열된다.
도 4에 도시된 실시예에서, 이미징 챔버 내의 산화제는 마스크, 웨이퍼, 및 챔버 표면 상의 탄소 증착물 뿐만 아니라 이미징 챔버 내에 존재하는 부수적인 탄화수소 가스를 산화시켜 휘발성 가스 종 형태의 산화된 탄소를 발생시킨다(단계:406). 산화된 탄소 가스는 이미징 챔버 밖으로 배기된다(단계:408). 이러한 방식에서, 탄소 증착물은 챔버 내부로 펌핑된 산화제와 함께 제거된다. 전술한 바와 같이, 도 4에 도시된 세정 공정은 웨이퍼 제조 공정중에 연속적으로 또는 웨이퍼 공정의 수와 관련된 간격으로 주기적으로 수행될 수 있다.
전술한 바와 같이, 감압 환경에서의 대전 입자 비임 리소그래피 시스템내에서 산화제를 이용하는 것은 탄소 증착물로 오염된 마스크를 세정하기 위한 저렴하고 효과적인 방법을 제공한다. 또한 이미징 챔버 내에 존재할 수 있는 탄화수소 가스 및 다른 탄소 공급원을 산화시킴으로써 탄소 오염물질이 마스크 상에 축적되는 것을 방지하는 역할을 한다.
SCALPEL 리소그래피 시스템과 관련하여 본 발명의 특정 실시예를 설명하였지만, 소위 당업자들은 감압 환경에서의 대전 입자 비임 리소그래피 시스템의 다른 형태에서도 본 발명의 실시예를 이용할 수 있음을 인지할 수 있을 것이다. 이러한 시스템은 마이크로-컬럼 전자 비임 시스템, 이온 비임 투영 시스템, 및 유사 형태의 리소그래피 시스템을 포함할 수 있다. 이러한 경우에, 휘발된 탄소 가스를 생성시키기 위해 이미징 챔버 또는 프로세싱 챔버 내에서 산화제를 이용하는 것은 SCALPEL 시스템과 관련하여 전술한 바와 같이 동일 방식으로 수행된다.
이상에서, 감압 환경에서의 대전 입자 비임 리소그래피 시스템내에서 이용하기 위한 탄소 부착 제거 시스템이 기술되어져 있다. 상기 설명에서는 특정의 예시적인 실시예를 참조하여 본 발명을 상세하게 설명하였지만, 본 기술 분야의 당업자들은 하기의 특허 청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역을 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
본 발명에 따라 감압 환경에서의 대전 입자 비임 리소그래피 시스템에서 탄소 오염물질을 감소시킬 수 있다.

Claims (41)

  1. 대전 입자 비임 리소그래피를 이용한 반도체 웨이퍼 패터닝 장치로서,
    마이크로-컬럼 어레이 구조로 배열되는 하나 이상의 대전 입자 공급원;
    웨이퍼 스테이지, 하나 이상의 대전 입자 비임 이미지 부품 및 패터닝된 마스크를 수용하는 마스크 스테이지를 포함하는 이미징 챔버;
    상기 이미징 챔버에 결합된 산화제 공급원;
    상기 산화제 공급원에 결합되며 상기 마스크 스테이지 상에 장착된 상기 패터닝된 마스크 표면 양단에 상기 산화제 공급원에 의해 생성된 산화제를 주입하는 산화제 분배 기구; 및
    상기 이미징 챔버 내에서 감압 환경이 생성되도록 상기 이미징 챔버에 결합된 진공 펌프
    를 포함하는 반도체 웨이퍼 패터닝 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 산화제 공급원은 O2, O3, N2O, 수증기, 도핑된 산소 화합물, 및 알코올로 이루어진 그룹에서 선택된 산화제를 생성하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 패터닝 장치.
  3. 삭제
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 산화제 분배 기구는 상기 산화제 공급원에 결합되고 상기 이미징 챔버의 벽을 통해 삽입되는 노즐을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 패터닝 장치.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 노즐은 상기 산화제 공급원에 의해 발생된 산화제 스트림을 상기 패터닝된 마스크 표면 양단에 직접 유도하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 패터닝 장치.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 산화제 분배 기구는 그의 표면 상에 분배된 다수의 산화제 입구 구멍을 포함하는 산화제 분사 매니폴드를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 패터닝 장치.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 산화제 분사 매니폴드는, 상기 산화제 공급원에 의해 생성된 산화제를 상기 패터닝된 마스크의 표면에 근접한 영역을 향하는 다수의 산화제 스트림 형태로 이미징 챔버 내부로 주입시키는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 패터닝 장치.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 산화제 분배 기구는 상기 마스크 스테이지의 둘레에 근접 위치된 원형의 산화제 입구 튜브를 포함하며, 상기 원형의 입구 튜브는 상기 원형의 입구 튜브의 표면 상에 분배된 다수의 구멍을 포함하고, 상기 원형의 산화제 입구 튜브는 상기 산화제에 의해 생성된 산화제를 상기 패터닝된 마스크의 표면 양단에 다수의 산화제 스트림 형태로 유도하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 패터닝 장치.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 산화제 공급원은 활성화된 상태의 산화제를 생성하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 패터닝 장치.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 산화제 공급원은 열 활성제, 오존 활성제, 및 마이크로파 활성제로 이루어진 그룹에서 선택된 활성제를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 패터닝 장치.
  11. 제 1 항에 있어서,
    상기 대전 입자 공급원은 전자 공급원을 포함하며, 상기 이미징 챔버는 전자 비임 리소그래피 시스템의 부재(element)를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 패터닝 장치.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 전자 비임 리소그래피 시스템은 SCALPEL 리소그래피 시스템을 포함하는것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 패터닝 장치.
  13. 대전 입자 비임 리소그래피를 이용하는 반도체 웨이퍼 제조 장치로서,
    대전 입자 공급원;
    상기 대전 입자 공급원, 웨이퍼 스테이지, 하나 이상의 대전 입자 비임 이미징 부품, 및 패터닝된 마스크를 수용하는 마스크 스테이지를 포함하는 이미징 챔버;
    상기 이미징 챔버에 결합되고 산화제를 생성시키며 상기 패터닝된 마스크의 표면 상에 존재하는 오염물질과 반응하여 휘발성 가스가 생성되도록 상기 마스크 스테이지 상에 장착된 패터닝된 마스크의 표면 양단에 상기 산화제를 유도하는, 산화제 공급원; 및
    상기 이미징 챔버 내에 감압 환경이 생성되도록 상기 이미징 챔버에 결합되고, 상기 이미징 챔버로부터의 휘발성 가스를 배기시키는 진공 펌프
    를 포함하는 반도체 웨이퍼 제조 장치.
  14. 제 13 항에 있어서,
    상기 산화제는 O2, O3, N2O, 수증기, 도핑된 산소 화합물, 및 알코올로 이루어진 그룹에서 선택되는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 제조 장치.
  15. 제 13 항에 있어서,
    상기 산화제 공급원에 결합된 산화제 분배 기구를 더 포함하며, 상기 산화제 분배 기구는 상기 산화제 공급원에 의해 생성된 산화제를 상기 마스크 스테이지를 통해서 상기 마스크 스테이지 스테이지에 장착된 상기 패터닝된 마스크의 표면 양단에 직접 유도시키는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 제조 장치.
  16. 감압 환경의 마이크로-컬럼 어레이 전자 비임 리소그래피 시스템의 이미징 챔버로부터 탄소 오염물질을 제거하는 방법으로서,
    상기 이미징 챔버 내부로 산화제를 주입시키는 단계;
    상기 이미징 챔버에 결합된 마스크 및 상기 이미징 챔버 내부 표면을 상기 산화제에 노출시키는 단계;
    상기 산화제가 상기 이미징 챔버의 내부 표면 및 상기 마스크 상의 탄소 증착물을 산화시켜 산화된 탄소 가스를 생성하는 단계, 및
    상기 마스크에 바로 근접하여 감압 환경을 유지시켜, 상기 이미징 챔버로부터 상기 산화된 탄소 가스를 배기시키기 위해, 상기 이미징 챔버 속에 주입되는 산화제의 유량을 측정하는 단계
    를 포함하는 탄소 오염물질 제거 방법.
  17. 제 16 항에 있어서,
    상기 산화제는 O2, O3, N2O, 수증기, 도핑된 산소 화합물, 및 알코올로 이루어진 그룹에서 선택되는 것을 특징으로 하는 탄소 오염물질 제거 방법.
  18. 제 16 항에 있어서,
    상기 이미징 챔버 내부로 상기 산화제를 주입시키는 단계를 수행하기 이전에 상기 산화제를 활성화시켜 활성화된 산화제를 생성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 탄소 오염물질 제거 방법.
  19. 제 18 항에 있어서,
    상기 활성화된 산화제를 생성하는 단계는 산화제의 열적 활성화, 산화제의 오존 활성화, 산화제의 마이크로파 활성화로 이루어진 그룹에서 선택되는 것을 특징으로 하는 탄소 오염물질 제거 방법.
  20. 삭제
  21. 제 16 항에 있어서,
    상기 이미징 챔버 내부로 산화제를 주입시키는 단계는 특정 수의 반도체 웨이퍼가 상기 대전 입자 비임 리소그래피 시스템 내에서 처리된 이후에 수행되는 것을 특징으로 하는 탄소 오염물질 제거 방법.
  22. 제 16 항에 있어서,
    상기 이미징 챔버 내부로 산화제를 주입시키는 단계는 상기 대전 입자 비임 리소그래피 시스템 내에서 반도체 웨이퍼를 처리하는 동안에 연속적으로 수행되는것을 특징으로 하는 탄소 오염물질 제거 방법.
  23. 감압 환경에서의 대전 입자 비임 리소그래피 시스템 내에서 사용되는 이미지 마스크의 표면으로부터 탄소 오염 증착물을 제거하는 방법으로서,
    하나 이상의 산화제 스트림을 상기 이미지 마스크의 오염된 표면 양단에 유도하는 단계;
    상기 마스크를 산화제에 노출시키는 단계;
    상기 산화제가 상기 마스크 상의 탄소 오염 증착물을 산화시켜 산화된 탄소 가스를 생성하는 단계; 및
    상기 이미지 마스크의 부근으로부터 상기 산화된 탄소 가스를 배기시키기 위해 상기 마스크에 바로 근접하게 감압 환경을 유지시키는 단계
    를 포함하는 탄소 오염 증착물 제거 방법.
  24. 제 23 항에 있어서,
    상기 산화제는 O2, O3, N2O, 수증기, 도핑된 산소 화합물, 및 알코올로 이루어진 그룹에서 선택되는 것을 특징으로 하는 탄소 오염 증착물 제거 방법.
  25. 제 23 항에 있어서,
    하나 이상의 산화제 스트림을 상기 이미지 마스크의 오염된 표면 양단에 유도하는 단계를 수행하기 이전에 상기 산화제를 활성화시켜 활성화된 산화제를 생성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 탄소 오염 증착물 제거 방법.
  26. 제 25 항에 있어서,
    활성화된 산화제를 생성하는 단계는 산화제의 열적 활성화, 산화제의 오존 활성화, 산화제의 마이크로파 활성화로 이루어진 그룹에서 선택되는 것을 특징으로 하는 탄소 오염 증착물 제거 방법.
  27. 제 23 항에 있어서,
    상기 마스크 둘레에 생성된 상기 감압 환경을 유지시키기 위해 상기 대전 입자 비임 리소그래피 시스템의 이미징 챔버 내부로 주입되는 상기 산화제의 유량을 측정하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 탄소 오염 증착물 제거 방법.
  28. 대전 입자 비임 리소그래피 시스템의 감압된 이미징 챔버 내의 표면으로부터 오염물질을 세정하는 장치로서,
    상기 이미징 챔버 내의 상기 오염물질과 반응하여 휘발성 가스 종을 생성하는데 이용되는 산화제를 생성하는 산화제 생성 수단;
    상기 이미징 챔버 내에 장착된 이미지 마스크의 표면 부근 영역으로 상기 산화제를 주입시키는 산화제 주입 수단;
    상기 이미지 마스크에 바로 근접하여 감압 환경을 유지시키는 감압 환경 유지 수단; 및
    상기 이미지 마스크의 표면에 근접한 영역으로부터 상기 휘발성 가스를 배기시키는 배기 수단
    을 포함하는 오염물질 세정 장치.
  29. 제 28 항에 있어서,
    상기 산화제는 O2, O3, N2O, 수증기, 도핑된 산소 화합물, 및 알코올로 이루어진 그룹에서 선택되는 것을 특징으로 하는 오염물질 세정 장치.
  30. 제 28 항에 있어서,
    상기 이미지 마스크에 근접한 영역으로 주입되는 상기 산화제의 유량을 제어하는 유량 제어 수단을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 오염물질 세정 장치.
  31. 제 30 항에 있어서,
    활성화된 산화제를 생성하기 위해 상기 산화제를 활성화시키는 산화제 활성화 수단을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 오염물질 세정 장치.
  32. 제 30 항에 있어서,
    상기 이미징 챔버 내에 장착된 이미지 마스크의 표면 부근의 영역으로 상기 산화제를 주입시키는 수단은 상기 이미징 챔버 내부 전반에 걸쳐 상기 산화제를 주입하는 수단을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 오염물질 세정 장치.
  33. 제 30 항에 있어서,
    상기 이미징 챔버 내의 오염물질은 탄소 함유 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 오염물질 세정 장치.
  34. 제 33 항에 있어서,
    상기 대전 입자 비임 리소그래피 시스템은 전자 비임 리소그래피 시스템인 것을 특징으로 하는 오염물질 세정 장치.
  35. 제 34 항에 있어서,
    상기 이미징 챔버는 상기 대전 입자 비임 리소그래피 시스템의 조사 챔버를 포함하는 것을 특징으로 하는 오염물질 세정 장치.
  36. 제 34 항에 있어서,
    상기 이미징 챔버는 상기 대전 입자 비임 리소그래피 시스템의 프로세싱 챔버를 포함하는 것을 특징으로 하는 오염물질 세정 장치.
  37. 제 1 항에 있어서,
    상기 패터닝된 마스크는 상기 대전 입자를 투과시키는 재료에 의해 보호되는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 패터닝 장치.
  38. 제 13 항에 있어서,
    상기 패터닝된 마스크는 박막(pellicle)에 결합되며, 상기 박막은 상기 패터닝된 마스크의 표면으로부터 일정 거리에서 박막 멤브레인을 보유하는 박막 프레임을 포함하며, 상기 박막 멤브레인은 상기 대전 입자를 전달하고 오염물질이 상기 패터닝된 마스크의 표면 상으로 낙하되는 것을 방지하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 제조 장치.
  39. 제 1 항에 있어서,
    상기 산화제 공급원에 결합되고, 상기 산화제 공급원, 상기 대전 입자 공급원, 및 진공 펌프 중 하나 이상의 작동을 제어하도록 동작가능한 컴퓨터를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 패터닝 장치.
  40. 제 13 항에 있어서,
    상기 산화제 공급원에 결합되고, 상기 산화제 공급원, 대전 입자 공급원, 및 상기 진공 펌프 중 하나 이상의 작동을 제어하도록 동작가능한 컴퓨터를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 제조 장치.
  41. 제 28 항에 있어서,
    상기 산화제를 생성하는 산화제 생성 수단, 상기 산화제를 주입시키는 산화제 주입 수단, 및 상기 휘발성 가스를 배기시키는 배기 수단 중 하나 이상의 작동을 제어하도록 동작가능한 컴퓨터 수단을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 오염물질 세정 장치.
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