KR100689190B1 - 편광보정기를가진광학시스템및그제조방법 - Google Patents

편광보정기를가진광학시스템및그제조방법

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Abstract

본 발명은 광선속(10)의 횡단면에 있어서 편광 배분(polarisation distribution)의 장애를 야기시키는 적어도 하나의 광학 요소(2, 11, 12)를 가지는 광학 시스템에 관한 것이며, 이 경우 편광 배분의 장애가 적어도 부분적으로 보정되도록, 횡단면에 있어서 불균일하게 변하는 두께를 가지는, 적어도 하나의 복굴절하는 광학 요소(22)가 제공된다.

Description

편광 보정기를 가진 광학 시스템 및 그 제조 방법
본 발명은 편광 보정기를 가진 광학 시스템에 관한 것이다.
일정한 편광 작용의 광으로 - 예를 들어 선형으로 편광되어 - 조명된 광학 시스템에서 이 편광의 장애가 국지적으로 다르게 발생하며, 특히 경사진 광학상의 경계면에서 편광 방향에 따른 반사 정도에 의해 그리고 렌즈에서의 스트레인 복굴절(strain double refraction)에 의해 야기된다.
이런 효과가 의미있는 시스템은 DUV 에서 선형 편광되는 엑시머 레이저 및 편광 빔 스프리터를 가지는 반사굴절 축소 대물렌즈(catadioptric reduction objective)를 가지는 마이크로리소그래피의 투사형 노광 장치들이며, 예를 들어 DE 196 16 922 (1997년 4월 15일의 US Serial No.08/845,384)에 공지되어 있으며, 이 특허 출원은 여기에도 인용되어 있다.
편광 방향의 연속적으로 변하는 회전을 위한 보정기는 전체 광선속 횡단면에 대한 통일적인 효과만을 가지는, 예를 들어 솔레이유 바비네 보정기(Soleil-Babinet-compensator)의 형태로 공지되어 있다.
"나노(nano) 범위"-정밀 프로화일을 가지는 이온 빔 에칭을 통해 가공되어 정밀 광학 장치(optics)에서의 파면 수정(wave front correcture)을 위한 위상 수정 플레이트(phase correcture plate)가 마이크로리소그래피-투사형 노광 장치에서의 이용에 공지되어 있다.
마그네슘 플로라이드 및 석영의 복굴절 작용을 하는 결정들은, 예를 들어 193nm 까지 DUV에서 전달 작용을 가지는 편광 광학 소자의 제조에 적합하다. 그와 더불어 스트레인 복굴절을 가지는 소자들 역시 DE 196 37 563에 공지되어 있다.
본 발명의 목적은 광학 시스템에서의 광의 편광 상태의 국지적인 장애를 보정하는 장치를 제공하는 것이다. 특히 편광 장애를 통해 야기되는 균일성의 장애들은 상기 유형의 반사굴절 축소 대물렌즈에서처럼, 편광 빔 스프리터를 가지는 광학 시스템에서 상쇄될 수 있다. 이를 위한 제조 방법이 제공된다.
상기 목적은 편광 보정기로서 불균일하게 변하는 두께를 가지는 적어도 하나의 복굴절하는 요소를 가지는 제 1 항에 따른 광학 시스템을 통해 달성된다. 유리한 그 외 구성들은 제 2 항 내지 제 9 항의 대상이 되며, 이 경우 제 6 항, 제 7 항 및 제 8 항이 선호되는 적용예를 제공한다.
특히 유리한 것은 제 2 항 및 제 3 항에 따른 실시예이며, 이 경우 쌍을 이루어 복굴절하는 요소는, 상호 대향하여 회전된 (바람직하게는 45°) 주축을 구비한다. 따라서 방향에 있어서 실제로 임의적인 편광 장애는, 이것에 의하여 방지될 수 있다.
제 4 항에 따른 동일 재료로 된 보정 플레이트의 배열은 수정을 최적화시킨다.
본 발명에 따른 제조 방법은 제 10 항에 제공되어 있으며, 이를 위해 제 11 항 내지 제 13 항에 유리한 실시예들이 제공되어 있다.
본 발명은 실시예를 재현하는 도면을 통해 하기에서 상술된다.
도 1 에 따른 투사형 노광 장치의 핵심은 반사굴절 축소 대물렌즈(1)이며, 이것은 웨이퍼(3)에 마스크(레티클)(2)를 축소 모사한다. 웨이퍼(3)처럼 마스크(mask)(2)는 지지 및 위치 선정 시스템(21, 31)에 부착되어 있으며, 이것으로 정확한 위치 선정 및 스텝-앤드-리피트(step-and-repeat) 및 스텝-앤드-스캔(step-and-scan) 작업이 실시된다.
조명-광학 장치(42)를 가지는 레이저 (41), 특히 선형 편광되는 DUV 엑시머 레이저를 통해 마스크(2)가 적절하게 조명된다.
이 축소 대물렌즈(1)는 렌즈 그룹(11 내지 14), 빔 스프리터(15), 회전 거울(17), 오목 거울(16) 및 1/4 파장 플레이트(quarter wave plate)(22)로 이루어진다.
상이한 영향들(특히 스트레인 복굴절)로부터 기인하여 빔 통로의 횡단면 위에서 국지적으로 변하는 방향 및 크기를 갖는 편광 상태의 장애가 나타난다. 따라서 빔 분할은 폴 스프리터(pole splitter)에서 불균일하게 되며, 어떠한 조치도 취해지지 않으면, 그 이미지(image)는 장애를 받게 된다.
본 발명에 따라 빔 통로(10)에서 렌즈 그룹(11, 12) 뒤에서 복굴절시키는, 횡단면에 있어서 두께가 불규칙적인 두께를 가지는 광학 요소(21a, 21b)(적어도 하나)가 제공되며, 또한 이것은 빔 통로(10)에서 선형 편광의 국지적 장애를 적어도 부분적으로 보정한다.
모든 편광 방향의 최적의 포착 및 수정을 위해 2 개의 요소(21a, 21b)가 필요하며, 이의 주축(MCA)은 회전되며 도 2 에서처럼 바람직하게는 45°를 나타낸다.
1/4 파장 플레이트(22)의 두께 역시 상기 예에서 수정되며 또한 다른 빔 통로에서 나타나는 편광 에러 및 경우에 따라서는 나머지 에러를 보정한다. 이 경우에 주의해야 하는 것은 이것이 광선속(10)을 2 번 통과시킨다는 것이다.
등방성 재료(석영 유리)로 된 플레이트(23a, 23b)는 수정 플레이트(21a, 21b)에 대해 광학적으로 네가티브 형태(negative forms)를 갖는다. 그 때문에 광학 경로는 이 광선속(10)의 전체 횡단면 위에서 다시 동일하므로, 파면은 요소(21a, 21b) 및 플레이트(23a, 23b)의 조합을 통해 장애받지 않는다.
이 요소(21a, 21b) 및 플레이트(23a, 23b)의 자유 형상면들은 이온 빔 가공을 통해 만들어질 수 있다. 이 요소(21a, 21b) 및 플레이트(23a, 23b)의 두께 변경은 이 경우 약 3㎛ 까지의 값 정도 움직인다.
경계면에서의 반사를 피하기 위해, 요소(21a, 21b) 및 플레이트(23a, 23b)는 서로, 그리고 가능하다면 에어 갭(air gap)없이 빔 스프리터(15)와 하나가 되도록 한다. 이는 압착(wringing)을 통해 또는 퍼티(putty)를 통해 이루어지며, 후자는 DUV 파장 영역에 있지는 않다.
동일한 이유로 플레이트(23a, 23b)는 동일 재료로 이루어지며 바람직하게는 하나의 요소로 되어 일 부재(one-piece)로 실시되어 있다.
플레이트(23a, 23b)가 편광 보정기 요소(21a, 21b)의 가공면의 코팅을 통해 동일 재료로 - 예를 들어 석영 유리의 CVD 침착 - 만들어지면, 제조에서도 또한 정확한 형상 결합 및 갭없는 접합이 장점이 된다. 종국적으로 이것은 광학적으로 극성을 갖게된다. 상이한 굴절율로부터 기인한 파면의 나머지 장애는 이온 빔 또는 원자 빔 가공을 통해 보다 작은 크기 차이를 가지고 수정된다.
편광 수정 요소로서 형성된 1/4 파장 플레이트(22)는 단지 예시적이지만, 여기에서도 동일 보정기와의 조합 및 이웃하는 요소와의 구성적인 결합은 특히 빔 스프리터(15)에서의 압착을 통해 의미를 가지며 장점이 된다.
상기 요소(21a, 21b, 22) 및 플레이트(23a, 23b)의 수정면의 형상이 대물렌즈 각각에 대해 개별적으로 고정되는 것이 유리하다. 이를 위해 테스트 노광의 질이 평가되거나, 또는 국지적인 편광 또는 광선속(10)의 단면에서의 파면(波面)이 주사 탐침(scanning probe)으로 결정될 수 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 광학 시스템에서는 광의 편광 상태의 국지적인 장애를 보정하는 장치를 제공하며, 특히 편광 장애를 통해 야기되는 균일성의 장애들은, 상기 유형의 반사굴절 축소 대물렌즈에서처럼, 편광 빔 스프리터를 가지는 광학 시스템에서 방지될 수 있다.
도 1 은 복굴절하는 편광-수정요소를 가지는 투사형 노광 장치,
도 2 는 여러 주축 방향을 가지는 2 개의 편광-수정요소.
*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명*
1 : 축소 대물렌즈 2 : 마스크
3 : 웨이퍼 11 ~ 14 : 렌즈 그룹
21, 31 : 광학 요소 22 : 1/4 파장 플레이트

Claims (14)

  1. 광선속의 횡단면에 있어서 편광 배분의 장애를 야기시키는 하나 이상의 광학 요소(2, 11, 12)와;
    편광 배분의 장애가 감소되도록, 상기 횡단면에 있어서 불균일하게 변하는 두께를 가지는 하나 이상의 복굴절 광학 요소;를 포함하는 것을 특징으로 하는 광학 시스템.
  2. 제1항에 있어서,
    가변적인 두께를 가지며, 그 주축은 서로에 대향하여 회전되는 2 개 이상의 복굴절 광학 요소를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 광학 시스템.
  3. 제2항에 있어서, 상기 2개 이상의 복굴절 광학 요소의 주축은 서로에 대향하여 45˚ 회전되는 것을 특징으로 하는 광학 시스템.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 복굴절 광학 요소를 통해 상기 횡단면에 있어서 파면의 장애가 상쇄되도록, 상기 횡단면에 있어서 가변적인 두께를 가지고 동일 재료로 이루어지는 하나 이상의 플레이트;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 광학 시스템.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 하나 이상의 플레이트와 상기 복굴절 광학 요소가 하나로 되는 것을 특징으로 하는 광학 시스템.
  6. 제4항에 있어서,
    편광 빔 스프리터;를 더 포함하며,
    상기 하나 이상의 복굴절 광학 요소 및 상기 플레이트는 상기 편광 빔 스프리터와 구조적으로 하나가 되는 것을 특징으로 하난 광학 시스템.
  7. 제1항에 있어서,
    편광 빔 스프리터;가 포함되어 있는 것을 특징으로 하는 광학 시스템.
  8. 제7항에 있어서,
    그 안에 상기 편광 빔 스프리터가 배열되는 반사굴절 대물렌즈;를 더 포함하며,
    상기 복굴절 광학 요소는 상기 편광 빔 스프리터 앞의 빔 통로에 배열되는 것을 특징으로 하는 광학 시스템.
  9. 제7항 또는 제8항에 있어서,
    오목 거울;을 더 포함하며,
    상기 복굴절 광학 요소는 상기 편광 빔 스프리터와 상기 오목 거울 사이의 광선속이 두 번 통과하는 경로에 배열되어 있는 것을 특징으로 하는 광학 시스템.
  10. 부분 시스템은 완전히 조립 및 조정되며,
    상기 부분 시스템은 편광 광학적으로 정밀 측정되고,
    상기 편광 광학적인 측정 데이터에 상응하게 하나 이상의 제1복굴절 광학 요소를 국지적으로 상이하게 에칭 가공하며,
    상기 제1복굴절 광학 요소는 상기 부분 시스템 뒤의 광학 시스템의 빔 통로에 배열되어 있는 것을 특징으로 하는 제조 방법.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 제1복굴절 광학 요소는 이온 빔 가공을 통해 국지적으로 상이하게 에칭 가공되는 것을 특징으로 하는 제조 방법.
  12. 제10항에 있어서,
    제2복굴절 광학 요소는 상기 제1복굴절 광학 요소에 대해 회전된 주축(MCA)을 가지고서 국지적으로 다르게 에칭 가공되며, 빔 통로 내에 배치되는 것을 특징으로 하는 제조 방법.
  13. 제10항 내지 제12항 중 어느 한 항에 있어서,
    하나 이상의 파면 보정 플레이트는 동일 재료로 만들어지고, 횡단면에 있어서 상기 제1 및 제2복굴절 광학 요소에 대해 광학적으로 상보적인 두께 배분을 가지며,
    상기 하나 이상의 파면 보정 플레이트는 상기 제1 및 제2복굴절 광학 요소에 이웃하여 빔 통로 내에 배치되는 것을 특징으로 하는 제조 방법.
  14. 제1항에 있어서,
    상기 복굴절 광학 요소는, 광선속의 횡단면에 있어서 편광 배분의 장애를 야기시키는 상기 광학 요소(2, 11, 12)의 편광 배분 장애를 보정하는 것을 특징으로 하는 광학 시스템.
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Families Citing this family (78)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3985346B2 (ja) 1998-06-12 2007-10-03 株式会社ニコン 投影露光装置、投影露光装置の調整方法、及び投影露光方法
DE19851749A1 (de) * 1998-11-10 2000-05-11 Zeiss Carl Fa Polarisationsoptisch kompensiertes Objektiv
WO2000041226A1 (fr) * 1999-01-06 2000-07-13 Nikon Corporation Systeme optique de projection, procede de fabrication associe et appareil d'exposition par projection utilisant ce systeme
DE19929403A1 (de) * 1999-06-26 2000-12-28 Zeiss Carl Fa Objektiv, insbesondere Objektiv für eine Halbleiter-Lithographie-Projektionsbelichtungsanlage und Herstellungverfahren
KR100894303B1 (ko) * 2000-04-25 2009-04-24 에이에스엠엘 유에스, 인크. 조사 편광 제어부를 구비한 광학 축소 시스템
DE10030495A1 (de) * 2000-06-21 2002-01-03 Zeiss Carl Verfahren zum Verbinden einer Vielzahl von optischen Elementen mit einem Grundkörper
JPWO2002031570A1 (ja) * 2000-10-10 2004-02-19 株式会社ニコン 結像性能の評価方法
US7014328B2 (en) 2001-04-12 2006-03-21 Carl Zeiss Smt Ag Apparatus for tilting a carrier for optical elements
US20020159112A1 (en) * 2001-04-13 2002-10-31 Coppeta David A. Device and method for reducing polarization dependent loss in an optical monitor device
KR20040015251A (ko) 2001-05-15 2004-02-18 칼 짜이스 에스엠티 아게 불화물 결정 렌즈들을 포함하는 렌즈 시스템
DE10123725A1 (de) * 2001-05-15 2002-11-21 Zeiss Carl Projektionsbelichtungsanlage der Mikrolithographie, Optisches System und Herstellverfahren
US7239447B2 (en) * 2001-05-15 2007-07-03 Carl Zeiss Smt Ag Objective with crystal lenses
DE10124566A1 (de) * 2001-05-15 2002-11-21 Zeiss Carl Optisches Abbildungssystem mit Polarisationsmitteln und Quarzkristallplatte hierfür
DE10124803A1 (de) * 2001-05-22 2002-11-28 Zeiss Carl Polarisator und Mikrolithographie-Projektionsanlage mit Polarisator
US7053988B2 (en) * 2001-05-22 2006-05-30 Carl Zeiss Smt Ag. Optically polarizing retardation arrangement, and microlithography projection exposure machine
US6683710B2 (en) * 2001-06-01 2004-01-27 Optical Research Associates Correction of birefringence in cubic crystalline optical systems
EP1780570A3 (en) * 2001-06-01 2008-01-02 ASML Netherlands B.V. Correction of birefringence in cubic crystalline optical systems
DE10133841A1 (de) 2001-07-18 2003-02-06 Zeiss Carl Objektiv mit Kristall-Linsen
DE10136387A1 (de) * 2001-07-26 2003-02-13 Zeiss Carl Objektiv, insbesondere Objektiv für die Halbleiter-Lithographie
US6844972B2 (en) 2001-10-30 2005-01-18 Mcguire, Jr. James P. Reducing aberration in optical systems comprising cubic crystalline optical elements
US6970232B2 (en) * 2001-10-30 2005-11-29 Asml Netherlands B.V. Structures and methods for reducing aberration in integrated circuit fabrication systems
US7453641B2 (en) * 2001-10-30 2008-11-18 Asml Netherlands B.V. Structures and methods for reducing aberration in optical systems
US6995908B2 (en) * 2001-10-30 2006-02-07 Asml Netherlands B.V. Methods for reducing aberration in optical systems
EP1451619A4 (en) * 2001-10-30 2007-10-03 Asml Netherlands Bv STRUCTURES AND METHOD FOR REDUCING BERRATION IN OPTICAL SYSTEMS
DE10162796B4 (de) * 2001-12-20 2007-10-31 Carl Zeiss Smt Ag Verfahren zur Optimierung der Abbildungseigenschaften von mindestens zwei optischen Elementen sowie photolithographisches Fertigungsverfahren
US7075721B2 (en) * 2002-03-06 2006-07-11 Corning Incorporated Compensator for radially symmetric birefringence
US20050094268A1 (en) * 2002-03-14 2005-05-05 Carl Zeiss Smt Ag Optical system with birefringent optical elements
WO2003077011A1 (en) * 2002-03-14 2003-09-18 Carl Zeiss Smt Ag Optical system with birefringent optical elements
DE10219514A1 (de) * 2002-04-30 2003-11-13 Zeiss Carl Smt Ag Beleuchtungssystem, insbesondere für die EUV-Lithographie
US7292388B2 (en) 2002-05-08 2007-11-06 Carl Zeiss Smt Ag Lens made of a crystalline material
US20050190446A1 (en) * 2002-06-25 2005-09-01 Carl Zeiss Amt Ag Catadioptric reduction objective
DE10229614A1 (de) * 2002-06-25 2004-01-15 Carl Zeiss Smt Ag Katadioptrisches Reduktionsobjektiv
US7072102B2 (en) 2002-08-22 2006-07-04 Asml Netherlands B.V. Methods for reducing polarization aberration in optical systems
DE10239344A1 (de) 2002-08-28 2004-03-11 Carl Zeiss Smt Ag Vorrichtung zum Abdichten einer Projektionsbelichtungsanlage
DE10258732A1 (de) 2002-12-06 2004-06-17 Carl Zeiss Smt Ag Optisches System zur Bereitstellung eines polarisationsbeeinflussten Nutzlichtstrahls
KR101163435B1 (ko) 2003-04-09 2012-07-13 가부시키가이샤 니콘 노광 방법 및 장치, 그리고 디바이스 제조 방법
DE10328938A1 (de) * 2003-06-27 2005-01-20 Carl Zeiss Smt Ag Korrektureinrichtung zur Kompensation von Störungen der Polarisationsverteilung sowie Projektionsobjektiv für die Mikrolithografie
DE10329793A1 (de) 2003-07-01 2005-01-27 Carl Zeiss Smt Ag Projektionsobjektiv für eine mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage
DE10331390A1 (de) * 2003-07-11 2005-01-27 Carl Zeiss Smt Ag Verfahren zur Herstellung von asphärischen optischen Flächen
US7408616B2 (en) 2003-09-26 2008-08-05 Carl Zeiss Smt Ag Microlithographic exposure method as well as a projection exposure system for carrying out the method
TW201834020A (zh) * 2003-10-28 2018-09-16 日商尼康股份有限公司 照明光學裝置、曝光裝置、曝光方法以及元件製造方法
TWI512335B (zh) 2003-11-20 2015-12-11 尼康股份有限公司 光束變換元件、光學照明裝置、曝光裝置、以及曝光方法
US7265917B2 (en) * 2003-12-23 2007-09-04 Carl Zeiss Smt Ag Replacement apparatus for an optical element
US8279524B2 (en) 2004-01-16 2012-10-02 Carl Zeiss Smt Gmbh Polarization-modulating optical element
US20070019179A1 (en) 2004-01-16 2007-01-25 Damian Fiolka Polarization-modulating optical element
US8270077B2 (en) 2004-01-16 2012-09-18 Carl Zeiss Smt Gmbh Polarization-modulating optical element
TWI395068B (zh) 2004-01-27 2013-05-01 尼康股份有限公司 光學系統、曝光裝置以及曝光方法
CN101078811B (zh) * 2004-02-06 2012-04-25 株式会社尼康 偏光变换元件、光学照明装置、曝光装置以及曝光方法
TWI412067B (zh) 2004-02-06 2013-10-11 尼康股份有限公司 偏光變換元件、光學照明裝置、曝光裝置以及曝光方法
DE102004010569A1 (de) * 2004-02-26 2005-09-15 Carl Zeiss Smt Ag Beleuchtungssystem für eine Mikrolithographie-Projektionsbelichtungsanlage
US7324280B2 (en) 2004-05-25 2008-01-29 Asml Holding N.V. Apparatus for providing a pattern of polarization
US8605257B2 (en) * 2004-06-04 2013-12-10 Carl Zeiss Smt Gmbh Projection system with compensation of intensity variations and compensation element therefor
US20060072207A1 (en) * 2004-09-30 2006-04-06 Williams David L Method and apparatus for polarizing electromagnetic radiation
TW200923418A (en) * 2005-01-21 2009-06-01 Nikon Corp Exposure device, exposure method, fabricating method of device, exposure system, information collecting device, and measuring device
US7728975B1 (en) 2005-02-23 2010-06-01 Carl Zeiss Smt Ag Method for describing, evaluating and improving optical polarization properties of a microlithographic projection exposure apparatus
EP1910874A4 (en) * 2005-08-03 2009-08-05 Corning Inc FAR-UV UV TELECENTRY IMAGING SYSTEM WITH AXISYMETRIC BIREFRINGENT ELEMENT AND POLAR ORTHOGONAL POLARIZATION
KR20080043835A (ko) 2005-09-14 2008-05-19 칼 짜이스 에스엠테 아게 마이크로리소그래피용 노광 시스템의 광학 시스템
JP4920041B2 (ja) * 2005-10-04 2012-04-18 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー 光学系とりわけマイクロリソグラフィック投影露光機における偏光分布に影響を与えるための装置及び方法
WO2007063136A2 (de) * 2005-12-02 2007-06-07 Carl Zeiss Smt Ag Optisches element mit doppelbrechender beschichtung
JP2007189079A (ja) * 2006-01-13 2007-07-26 Canon Inc 照明光学系、当該照明光学系を有する露光装置及びデバイス製造方法
DE102006021334B3 (de) * 2006-05-05 2007-08-30 Carl Zeiss Smt Ag Polarisationsbeeinflussendes optisches Element sowie Verfahren zu dessen Herstellung sowie optisches System und mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage mit einem solchen Element
CN101443647B (zh) * 2006-05-10 2012-02-29 睿励科学仪器（上海）有限公司 同时具有多波长、多入射角和多方位角的光学测量系统
JP5174810B2 (ja) * 2006-06-16 2013-04-03 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー マイクロリソグラフィ投影露光装置の投影対物器械
DE102007059258A1 (de) 2007-01-22 2008-07-24 Carl Zeiss Smt Ag Mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage
US8023104B2 (en) * 2007-01-22 2011-09-20 Carl Zeiss Smt Gmbh Microlithographic projection exposure apparatus
DE102007010650A1 (de) 2007-03-02 2008-09-04 Carl Zeiss Smt Ag Beleuchtungseinrichtung einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage
DE102007012564A1 (de) 2007-03-13 2008-09-25 Carl Zeiss Smt Ag Projektionsobjektiv einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage
WO2008110501A1 (de) 2007-03-13 2008-09-18 Carl Zeiss Smt Ag Projektionsobjektiv einer mikrolithographischen projektionsbelichtungsanlage
DE102008001761A1 (de) 2007-06-06 2008-12-11 Carl Zeiss Smt Ag Projektionsobjektiv einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage
DE102007055567A1 (de) * 2007-11-20 2009-05-28 Carl Zeiss Smt Ag Optisches System
DE102008043321A1 (de) 2008-01-17 2009-07-23 Carl Zeiss Smt Ag Optisches System einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage
DE102008054683A1 (de) 2008-03-13 2009-09-17 Carl Zeiss Smt Ag Optisches System einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage, sowie Verfahren zum Manipulieren der Abbildungseigenschaften eines optischen Systems
DE102008000967B4 (de) * 2008-04-03 2015-04-09 Carl Zeiss Smt Gmbh Projektionsbelichtungsanlage für die EUV-Mikrolithographie
US20110037962A1 (en) * 2009-08-17 2011-02-17 Nikon Corporation Polarization converting unit, illumination optical system, exposure apparatus, and device manufacturing method
US20110205519A1 (en) * 2010-02-25 2011-08-25 Nikon Corporation Polarization converting unit, illumination optical system, exposure apparatus, and device manufacturing method
EP2588916B1 (en) 2010-06-29 2020-02-26 Imax Corporation Spatially modifying polarization state of light
DE102015223982A1 (de) 2015-12-02 2017-06-08 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches System einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage oder einer Waferinspektionsanlage
US20210239893A1 (en) * 2020-01-30 2021-08-05 Lawrence Livermore National Security, Llc Polarization manipulation of free-space electromagnetic radiation fields

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5566259A (en) * 1994-12-13 1996-10-15 E-Tek Dynamics, Inc. Dual stage optical device with low polarization mode dispersion
JPH10288754A (ja) * 1997-04-14 1998-10-27 Shin Etsu Chem Co Ltd 偏波無依存型光アイソレータ
KR0155068B1 (ko) * 1995-07-10 1998-12-15 윤덕용 편광 왜곡을 보상하여 4경로 증폭을 하는 레이저 증폭 장치와 방법
US5930038A (en) * 1991-09-19 1999-07-27 Lucent Technologies Inc. Optical isolator with polarization dispersion and differential transverse deflection correction

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3052152A (en) * 1959-03-27 1962-09-04 American Optical Corp Optical compensating system
FR2020466A5 (ko) * 1969-01-28 1970-07-10 Commissariat Energie Atomique
US3917399A (en) * 1974-10-02 1975-11-04 Tropel Catadioptric projection printer
US4408334A (en) * 1981-03-13 1983-10-04 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Waveplate for correcting thermally induced stress birefringence in solid state lasers
US4643534A (en) * 1984-08-20 1987-02-17 General Electric Company Optical transmission filter for far field beam correction
US4902100A (en) * 1986-06-02 1990-02-20 Honeywell Inc. Method and apparatus for removing phase aberrations in windows using broadband phase conjugation
US4795246A (en) * 1987-07-30 1989-01-03 Loro Albert Differential interference contrast microscope using non-uniformly deformed plastic birefringent components
US5257092A (en) * 1990-06-27 1993-10-26 Asahi Kogaku Kogyo Kabushiki Kaisha Apparatus for measuring polarization and birefringence
DE19535392A1 (de) * 1995-09-23 1997-03-27 Zeiss Carl Fa Radial polarisationsdrehende optische Anordnung und Mikrolithographie-Projektionsbelichtungsanlage damit
DE19616922A1 (de) * 1996-04-27 1997-10-30 Zeiss Carl Fa Hochauflösendes lichtstarkes Objektiv
DE19637563A1 (de) 1996-09-14 1998-03-19 Zeiss Carl Fa Doppelbrechende Planplattenanordnung und DUV-Viertelwellenplatte
US5986815A (en) * 1998-05-15 1999-11-16 Optical Coating Laboratory, Inc. Systems, methods and apparatus for improving the contrast ratio in reflective imaging systems utilizing color splitters

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5930038A (en) * 1991-09-19 1999-07-27 Lucent Technologies Inc. Optical isolator with polarization dispersion and differential transverse deflection correction
US5566259A (en) * 1994-12-13 1996-10-15 E-Tek Dynamics, Inc. Dual stage optical device with low polarization mode dispersion
KR0155068B1 (ko) * 1995-07-10 1998-12-15 윤덕용 편광 왜곡을 보상하여 4경로 증폭을 하는 레이저 증폭 장치와 방법
JPH10288754A (ja) * 1997-04-14 1998-10-27 Shin Etsu Chem Co Ltd 偏波無依存型光アイソレータ

Also Published As

Publication number Publication date
KR19990071444A (ko) 1999-09-27
TW403842B (en) 2000-09-01
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US6252712B1 (en) 2001-06-26
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EP0937999A1 (de) 1999-08-25

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