DE102008054683A1 - Optisches System einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage, sowie Verfahren zum Manipulieren der Abbildungseigenschaften eines optischen Systems - Google Patents

Optisches System einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage, sowie Verfahren zum Manipulieren der Abbildungseigenschaften eines optischen Systems Download PDF

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Abstract

Die Erfindung betrifft ein optisches System einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage, mit einem ersten Teilabschnitt (110, 561, 661, 711), dem ein erster Eigen-Polarisationszustand zugeordnet ist, welcher bei Lichtdurchtritt durch den ersten Teilabschnitt erhalten bleibt, und einem zweiten Teilabschnitt (120, 562, 662, 712), dem ein zweiter Eigen-Polarisationszustand zugeordnet ist, welcher bei Lichtdurchtritt durch den zweiten Teilabschnitt erhalten bleibt, wobei der zweite Eigen-Polarisationszustand von dem ersten Eigen-Polarisationszustand verschieden ist, wobei Licht im Betrieb des optischen Systems in den ersten Teilabschnitt mit einem ersten Eingangs-Polarisationszustand eintritt, welcher im Wesentlichen dem ersten Eigen-Polarisationszustand entspricht, und wobei Licht im Betrieb des optischen Systems in den zweiten Teilabschnitt mit einem zweiten Eingangs-Polarisationszustand eintritt, welcher im Wesentlichen dem zweiten Eigen-Polarisationszustand entspricht. Die Erfindung betrifft ferner ein Verfahren zum Manipulieren der Abbildungseigenschaften eines optischen Systems.

Description

  • Die Erfindung betrifft ein optisches System einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage. Die Erfindung betrifft ferner ein Verfahren zum Manipulieren der Abbildungseigenschaften eines optischen Systems.
  • Mikrolithographie wird zur Herstellung mikrostrukturierter Bauelemente, wie beispielsweise integrierter Schaltkreise oder LCD's, angewendet. Der Mikrolithographieprozess wird in einer sogenannten Projektionsbelichtungsanlage durchgeführt, welche eine Beleuchtungseinrichtung und ein Projektionsobjektiv aufweist. Das Bild einer mittels der Beleuchtungseinrichtung beleuchteten Maske (= Retikel) wird hierbei mittels des Projektionsobjektivs auf ein mit einer lichtempfindlichen Schicht (Photoresist) beschichtetes und in der Bildebene des Projektionsobjektivs angeordnetes Substrat (z. B. ein Siliziumwafer) projiziert, um die Maskenstruktur auf die lichtempfindliche Beschichtung des Substrats zu übertragen.
  • Es sind verschiedene Ansätze bekannt, in der Beleuchtungseinrichtung oder im Projektionsobjektiv zur Optimierung des Abbildungskontrastes gezielt Einstellungen bzw. Korrekturen der Polarisationsverteilung vorzunehmen. So ist etwa bei einer hochaperturigen Abbildung, wie sie in der Immersionslithographie erfolgt, insbesondere die Einstellung einer Polarisationsverteilung vorteilhaft, bei der die Beugungsordnungen auf Waferebene tangential polarisiert sind, um einen Kontrastverlust aufgrund des sogenannten Vektoreffektes zu vermeiden. Unter dem Vektoreffekt bei hochaperturiger Abbildung wird der Effekt verstanden, dass für unterschiedliche Beugungsordnungen auch bei Vorliegen des gleichen Polarisationszustandes der elektrische Feldstärkevektor im Bildraum in unterschiedliche Richtungen verläuft, da die jeweiligen p-Komponenten (TM-Komponenten) des elektrischen Feldstärkevektors nicht mehr parallel zueinander verlaufen, mit dem Resultat, dass der Bildkontrast polarisationsabhängig wird.
  • Aus WO 2005/069081 A2 ist u. a. ein polarisationsbeeinflussendes optisches Element bekannt, welches aus einem optisch aktiven Kristall besteht und ein in Richtung der optischen Achse des Kristalls variierendes Dickenprofil aufweist, wodurch beispielsweise eine konstant lineare Eingangspolarisationsverteilung in eine tangentiale Ausgangspolarisationsverteilung (bei der die Schwingungsrichtung des elektrischen Feldstärkevektors senkrecht zu dem auf die optische Systemachse gerichteten Radius verläuft) umgewandelt werden kann.
  • In der Praxis tritt jedoch das weitere Problem auf, dass eine in der Beleuchtungseinrichtung oder im Projektionsobjektiv eingestellte Polarisationsverteilung in unerwünschter Weise durch polarisationsbeeinflussende Effekte, insbesondere aufgrund von intrinsischer Doppelbrechung in Linsen aus kubisch kristallinem Material, aufgrund von durch Fassungskomponenten induzierter Spannungsdoppelbrechung in dem Material der optischen Komponenten wie z. B. Linsen, sowie aufgrund von polarisationsbeeinflussenden Effekten von dielektrischen (hochreflektierenden oder antireflektierenden) Schichten verändert wird. Infolge der unerwünschten Veränderung des Polarisationszustandes treten auch unerwünschte Kontrast- und Intensitätsschwankungen über die Feld- bzw. Waferebene auf, wodurch das Abbildungsergebnis weiter beeinträchtigt wird.
  • Zur wenigstens teilweisen Kompensation von Störungen der Polarisationsverteilung ist aus US 6,252,712 B1 u. a. der Einsatz wenigstens eines eine Freiformfläche aufweisenden doppelbrechenden optischen Elementes (insbesondere zweier solcher Elemente) mit über den Lichtbündelquerschnitt variierender Dicke bekannt.
  • Ferner ist es zur Reduzierung des negativen Einflusses der intrinsischen Doppelbrechung in Fluoridkristall-Linsen auf die optische Abbildung aus US 2004/0105170 A1 und WO 02/093209 A2 u. a. bekannt, Fluoridkristall-Linsen des gleichen Kristallschnitts gegeneinander verdreht anzuordnen (sogenanntes „Clocking"), sowie zusätzlich auch mehrere Gruppen solcher Anordnungen mit unterschiedlichen Kristallschnitten (z. B. aus [100]-Linsen und [111]-Linsen) miteinander zu kombinieren.
  • Aus US 2005/0243222 A1 ist es bekannt, in einem optischen System einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage ein optisches Element aus doppelbrechendem Material so auszurichten, dass jeder auf das optische Element auftreffende Lichtstrahl entweder im Wesentlichen parallel oder im Wesentlichen senkrecht zur langsamen Achse der Doppelbrechung im Material für den betreffenden Strahl ausgerichtet ist, um eine möglichst geringe Störung der Polarisationsverteilung durch das optische Element zu erzielen. Hierzu wird beispielsweise eine tangentiale Polarisationsverteilung in Verbindung mit einer (durch gegeneinander verdrehte [100]-Linsen erzeugten) tangentialen Doppelbrechungsverteilung oder einer (durch gegeneinander verdrehte [111]-Linsen erzeugten) radialen Doppelbrechungsverteilung eingesetzt.
  • Aus US 2004/0245439 A1 ist es bekannt, mittels eines drehbaren Polarisators die Polarisationsrichtung von in das Projektionsobjektiv eintretendem Licht so zu wählen, dass nur der ordentliche oder nur der außerordentliche Strahl im doppelbrechenden Medium angeregt wird.
  • Es ist eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein optisches System einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage sowie ein Verfahren zum Manipulieren der Abbildungseigenschaften eines optischen Systems bereitzustellen, welche einen besseren Erhalt eines eingestellten Polarisationszustandes ermöglichen.
  • Diese Aufgabe wird gemäß den Merkmalen der unabhängigen Patentansprüche gelöst.
  • Ein erfindungsgemäßes optisches System einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage weist auf:
    • – einen ersten Teilabschnitt, dem ein erster Eigen-Polarisationszustand zugeordnet ist, welcher bei Lichtdurchtritt durch den ersten Teilabschnitt erhalten bleibt; und
    • – einem zweiten Teilabschnitt, dem ein zweiter Eigen-Polarisationszustand zugeordnet ist, welcher bei Lichtdurchtritt durch den zweiten Teilabschnitt erhalten bleibt, wobei der zweite Eigen-Polarisationszustand von dem ersten Eigen-Polarisationszustand verschieden ist;
    • – wobei Licht im Betrieb des optischen Systems in den ersten Teilabschnitt mit einem ersten Eingangs-Polarisationszustand eintritt, welcher im Wesentlichen dem ersten Eigen-Polarisationszustand entspricht; und
    • – wobei Licht im Betrieb des optischen Systems in den zweiten Teilabschnitt mit einem zweiten Eingangs-Polarisationszustand eintritt, welcher im Wesentlichen dem zweiten Eigen-Polarisationszustand entspricht.
  • Dabei ist im Sinne der vorliegenden Anmeldung unter einem „Teilabschnitt" eine beliebige Anordnung bzw. Aufeinanderfolge von optischen Elementen des optischen Systems zu verstehen. Im Unterschied zu einem „Teilsystem", welches gemäß der üblichen Terminologie einer Anordnung optischer Elemente entspricht, durch die ein reales Objekt in ein reales Bild oder Zwischenbild abgebildet wird, welches also mit anderen Worten ausgehend von einer bestimmten Objekt- oder Zwischenbildebene stets sämtliche optischen Elemente bis zum nächsten realen Bild oder Zwischenbild umfasst, kann der „Teilabschnitt" auch mehr oder weniger optische Elemente als ein Teilsystem (insbesondere z. B. auch nur eine einzige Linse) umfassen. Des Weiteren kann der Teilabschnitt auch zugleich ein Teilsystem im Sinne der vorstehenden Definition darstellen.
  • Durch die Maßnahme der Anpassung des Eingangs-Polarisationszustandes in Bezug auf den Eigen-Polarisationszustand eines Teilabschnitts wird (unter Ausnutzung des für ein einzelnes System als solches bekannten Effektes) erreicht, dass – auch bei einer grundsätzlich in dem betreffenden Teilabschnitt vorhandenen Doppelbrechung – aufgrund des Lichtdurchtritts im Eigen-Polarisationszustandes für die einzelnen Lichtstrahlen jeweils nur eine der zueinander senkrechten Komponenten des elektrischen Feldstärkevektors (s- und p-Komponente) auftritt, so dass keine unerwünschte Störung der Polarisationsverteilung erfolgt.
  • Der Erfindung liegt nun von diesem bekannten Effekt ausgehend das weitere Konzept zugrunde, ein optisches System in mehrere Teilabschnitte so zu zergliedern, dass die aufeinander folgenden Teilabschnitte jeweils voneinander verschiedene Eigen-Polarisationszustände aufweisen, wobei vor bzw. bei Lichteintritt in den jeweiligen Teilabschnitt der Polarisationszustand des Lichtes an dieser Stelle (der betreffende Polarisationszustand ist hier und im Folgenden als Eingangs-Polarisationszustand bezeichnet) an den jeweiligen Eigen-Polarisationszustand angepasst wird, was unter Verwendung eines gebräuchlichen Polarisationsmanipulators, typischerweise eines Rotators zur Drehung der Polarisationsvorzugsrichtung, erfolgen kann. Mit anderen Worten wird also erfindungsgemäß mittels geeigneter Zergliederung eines optischen Systems in mehrere (d. h. wenigstens zwei) Teilabschnitte das Licht so durch das optische System hindurch geführt, dass die jeweiligen Teilabschnitte jeweils im Eigen-Polarisationszustand durchlaufen werden.
  • Durch das Kriterium, wonach ein Eingangs-Polarisationszustand „im Wesentlichen" dem jeweiligen Eigen-Polarisationszustand entspricht, wird zum Ausdruck gebracht, dass gewisse Abweichungen von dem Idealzustand, bei welchem über den Lichtbündelquerschnitt hinweg sämtliche Strahlen exakt entlang einer für diese Strahlposition vorhandenen Eigen-Polarisation ausgerichtet sind, tolerabel sind und als von der vorliegenden Erfindung umfasst gelten. Insbesondere entspricht im Sinne der vorliegenden Anmeldung ein Eingangs-Polarisationszustand „im Wesentlichen" einem Eigen-Polarisationszustand, wenn über den Lichtbündelquerschnitt hinweg für jeden Strahl der Winkel zwischen seiner Polarisationsrichtung und einer für diese Strahlposition vorhandenen Eigen-Polarisation nicht größer als 15°, vorzugsweise nicht größer als 10°, weiter vorzugsweise nicht größer als 5° ist.
  • Gemäß einer Ausführungsform entspricht für wenigstens einen der Teilabschnitte, vorzugsweise sämtliche der Teilabschnitte, der dem jeweiligen Teilabschnitt zugeordnete Eigen-Polarisationszustand einer linearen Polarisationsverteilung. Dabei ist im Sinne der vorliegenden Anmeldung unter einer „linearen Polarisationsverteilung" jede Polarisationsverteilung mit lokal linearer Polarisation zu verstehen, wobei die Polarisati onsrichtung nicht notwendigerweise über den gesamten Lichtbündelquerschnitt konstant sein muss. Von dem Begriff „lineare Polarisationsverteilung" wird im Sinne der vorliegenden Anmeldung also auch z. B. eine tangentiale Polarisationsverteilung (bei der die Schwingungsrichtung des elektrischen Feldstärkevektors senkrecht zu dem auf die optische Systemachse gerichteten Radius verläuft) oder eine radiale Polarisationsverteilung (bei der die Schwingungsrichtung des elektrischen Feldstärkevektors parallel zu dem auf die optische Systemachse gerichteten Radius verläuft) umfasst.
  • Mittels des erfindungsgemäßen Konzeptes kann wie erläutert eine unerwünschte Veränderung des Polarisationszustandes vermieden werden, wie sie insbesondere durch doppelbrechende Elemente (beispielsweise kubisch kristalline Linsen mit intrinsischer Doppelbrechung) hervorgerufen wird.
  • Die Erfindung ist jedoch nicht auf die Vermeidung der polarisationsbeeinflussenden Auswirkungen von doppelbrechenden Elementen beschränkt, sondern geht gemäß einem weiteren Aspekt auch von der Erkenntnis aus, dass Veränderungen des Polarisationszustandes nicht nur aus der durch Doppelbrechung erzeugten Verzögerung (mit „Verzögerung" wird die Differenz der optischen Wege zweier orthogonaler bzw. senkrecht zueinander stehender Polarisationszustände bezeichnet) resultiert, sondern auch daraus, dass insbesondere in dielektrischen Schichten orthogonale bzw. senkrecht zueinander stehende Polarisationszustände unterschiedlich stark abgeschwächt werden. Dieser Effekt wird auch als „Diattenuation" bezeichnet. Die Wirkung der dielektrischen Schichten (typischerweise auf Linsen vorhandene AR-Schichten und/oder auf Spiegeln vorhandene HR-Schichten) entspricht der Wirkung eines partiellen (d. h. nicht perfekten) Polarisators und führt dazu, dass etwa ursprünglich unpolarisiertes Licht partiell polarisiert wird und ursprünglich polarisiertes Licht eine Drehung seiner Polarisationsrichtung erfährt.
  • Wenngleich der Effekt der durch Doppelbrechung in Linsenmaterialien hervorgerufenen Verzögerung in der Regel gegenüber der partiellen Polarisation aufgrund der „Diattenuation" dominiert, wird nun gemäß dem weiteren Aspekt der vorliegenden Erfindung auch die vorstehend beschriebene „Diattenuation" insbesondere der im optischen System vorhandenen dielektrischen Schichten ebenfalls berücksichtigt. Dies erfolgt dadurch, dass der vor bzw. bei Eintritt in einen Teilabschnitt jeweils eingestellte Eingangs-Polarisationszustand unter Berücksichtigung beider Störgrößen (d. h. der durch Doppelbrechung innerhalb des Teilabschnitts hervorgerufenen Verzögerung und der durch „Diattenuation" im Teilabschnitt bewirkten partiellen Polarisation), gewissermaßen als gemittelter optimaler Eingangs-Polarisationszustand bestimmt wird.
  • Gemäß einem weiteren Aspekt betrifft die Erfindung somit auch ein optisches System einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage, mit:
    • – wenigstens einem Teilabschnitt; und
    • – wenigstens einem Polarisationsmanipulator, welcher den Eingangs-Polarisationszustand von in den Teilabschnitt eintretendem Licht derart einstellt, dass eine Änderung des Polarisationszustandes, welche ohne den Polarisationsmanipulator innerhalb des Teilabschnittes sowohl aufgrund von Doppelbrechung als auch aufgrund von unterschiedlicher Abschwächung zueinander orthogonaler Polarisationszustände auftritt, verhindert wird.
  • Dabei kann eine quantitative Beschreibung des gemäß dem vorstehenden Aspekt der Erfindung innerhalb eines Teilabschnitts erzielten Polarisationserhalts darüber erfolgen, dass betrachtet wird, mit welcher Intensität das Licht nach Durchlaufen dieses Teilabschnittes in dem zu dem ursprünglichen Eingangspolarisationszustand orthogonalen Polarisationszustand (d. h. dem unerwünschten oder „falschen" Polarisationszustand) vorliegt. Von der Verhinderung einer Änderung des Polarisationszustandes in dem Teilabschnitt wird hier dann gesprochen, wenn nach Austritt aus dem Teilabschnitt der Intensitätsanteil des Lichtes, welches einen zum Eingangs-Polarisationszustand orthogonalen Polarisationszustand aufweist, zur Gesamtintensität des aus dem Teilabschnitt austretenden Lichtes nicht größer als 5%, bevorzugt nicht größer als 3%, besonders bevorzugt nicht größer als 2% ist.
  • Gemäß einem weiteren Aspekt betrifft die Erfindung ein Verfahren zum Manipulieren der Abbildungseigenschaften eines optischen Systems einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage. Die Erfindung betrifft ferner auch eine mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage mit einer Beleuchtungseinrichtung und einem Projektionsobjektiv, wobei die Beleuchtungseinrichtung und/oder das Projektionsobjektiv ein optisches System mit den vorstehend beschriebenen Merkmalen aufweisen.
  • Weitere Ausgestaltungen der Erfindung sind der Beschreibung sowie den Unteransprüchen zu entnehmen.
  • Die Erfindung wird nachstehend anhand von in den beigefügten Abbildungen dargestellten Ausführungsbeispielen näher erläutert.
  • Es zeigen:
  • 1 eine schematische Darstellung zur Erläuterung des allgemeinen Konzeptes der vorliegenden Erfindung;
  • 2a–b einen beispielhaften Eigenpolarisations-Zustand am Beispiel einer Linse aus kubisch kristallinem Material im [100]-Kristallschnitt (2a) bzw. eine Rotationswinkelverteilung eines zur Anpassung einer linearen Eingangs-Polarisationsverteilung an diesen Eigenpolarisations-Zustand geeigneten Rotators (2b);
  • 3a–b einen weiteren beispielhaften Eigenpolarisations-Zustand am Beispiel einer Linse aus kubisch kristallinem Material im [111]-Kristallschnitt (3a) bzw. eine Rotationswinkelverteilung eines zur Anpassung einer linearen Eingangs-Polarisationsverteilung an diesen Eigenpolarisations-Zustand geeigneten Rotators (3b);
  • 4 eine weitere schematische Darstellung zur Veranschaulichung des Prinzips der vorliegenden Erfindung; und
  • 57 beispielhafte Ausführungsformen von Projektionsobjektiven, in welchen die vorliegende Erfindung realisiert wird, im Meridionalschnitt.
  • Im Weiteren wird zunächst unter Bezugnahme auf 1 das der vorliegenden Erfindung zugrunde liegende allgemeine Prinzip erläutert.
  • 1 zeigt in schematischer Darstellung einen ersten Teilabschnitt 110, dem ein in 1 mit „E1" bezeichneter erster Eigen-Polarisationszustand zugeordnet ist, sowie einen zweiten Teilabschnitt 120, dem ein in 1 mit „E2" bezeichneter zweiter Eigen-Polarisationszustand zugeordnet ist. Dabei sind die Eigen-Polarisationszustände „E1" und „E2" voneinander verschieden. Beispielsweise kann es sich bei dem ersten Eigen-Polarisationszustand E1 um einen Zustand mit einer konstant linearen Polarisationsverteilung handeln, bei welcher die Schwingungsrichtung des elektrischen Feldstärkevektors konstant parallel zur y-Achse im eingezeichneten Koordinatensystem verläuft, während es sich bei dem zweiten Eigen-Polarisationszustand E2 um einen Zustand mit einer konstant linearen Polarisationsverteilung handeln kann, bei welcher die Polarisationsrichtung unter einem konstanten Winkel von 45° zur y-Achse im eingezeichneten Koordinatensystem verläuft.
  • Der Erfindung liegt das Konzept zugrunde, das die Teilabschnitte 110 und 120 aufweisende optische System so auszugestalten, dass das Licht im Betrieb des optischen Systems die Teilabschnitte 110, 120 jeweils mit einem an den Eigen-Polarisationszustand des jeweiligen Teilabschnitts angepassten Polarisationszustand durchläuft, wie im Weiteren näher erläutert wird.
  • Zunächst tritt das Licht in den ersten Teilabschnitt 110 mit einem ersten Eingangspolarisationszustand ein, welcher im Wesentlichen dem ersten Eigen-Polarisationszustand E1 entspricht. Zwischen dem ersten Teilabschnitt 110 und dem zweiten Teilabschnitt 120 befindet sich ein Polarisationsmanipulator 115, welcher den Polarisationszustand des das optische System durchlaufenden Lichtes derart manipuliert, dass das Licht in den zweiten Teilabschnitt 120 mit einem zweiten Eingangspolarisationszustand eintritt, welcher im Wesentlichen dem zweiten Eigen- Polarisationszustand E2 entspricht. Im vorstehend definierten, konkreten Ausführungsbeispiel handelt es sich bei dem Polarisationsmanipulator 115 um einen Polarisationsrotator, der die Polarisationsvorzugsrichtung von durch ihn hindurchtretendem Licht um 45° dreht und der beispielsweise als Planplatte aus optisch aktivem, kristallinem Quarz mit zur optischen Systemachse OA bzw. Lichtausbreitungsrichtung paralleler optischer Kristallachse sowie geeigneter Dicke ausgestaltet sein kann. Der Polarisationsmanipulator 115 ändert somit den Polarisationszustand des durch ihn hindurch laufenden Lichtes von „E1" nach „E2". Das mit dem Polarisationszustand E2 in den zweiten Teilabschnitt eintretende Licht wird, da der Polarisationszustand E2 dem Eigen-Polarisationszustand des zweiten Teilabschnitts 120 entspricht, bei Durchlaufen des zweiten Teilabschnitts 120 nicht verändert, so dass das Licht mit dem Polarisationszustand E2 auch aus dem zweiten Teilabschnitt 120 austritt.
  • Es ist zu betonen, dass das in 1 gezeigte Beispiel einer Anordnung von zwei Teilabschnitten 110, 120 lediglich der Einfachheit halber gewählt wurde, wobei im allgemeinen Fall gemäß der Erfindung eine Unterteilung des optischen Systems in n Teilabschnitte vorgenommen wird, wobei n eine beliebige ganze Zahl größer oder gleich Zwei ist.
  • Lediglich beispielhaft ist ferner auch die erläuterte Umstellung des Polarisationszustandes mittels des Polarisationsmanipulators 115 zwischen zwei Zuständen mit voneinander verschiedener, jeweils konstant linearer Polarisationsverteilung. Gemäß einem weiteren Ausführungsbeispiel kann es sich bei dem Eigen-Polarisationszustand „E2" auch z. B. um einen Zustand mit zumindest näherungsweise tangentialer Verteilung der Eigen-Polarisationen handeln. Eine derartige Verteilung liegt beispielsweise bei einer Linse aus kubisch kristallinem Material, z. B. Kalziumfluorid (CaF2) im [100]-Kristallschnitt vor und ist in 2a dargestellt, wobei in üblicher Weise die Richtung der Striche im Diagramm von 2a die Richtung der schnellen Achse der Doppelbrechung angibt, und wobei die Länge der Striche die Stärke der Doppelbrechung in dieser Richtung wiedergibt.
  • Entspricht nun beispielsweise weiterhin der erste Eigen-Polarisationszustand „E1" einem Zustand mit konstant linearer Polarisationsverteilung in y-Richtung, so ist ein geeigneter Polarisationsmanipulator bzw. Rotator zur Anpassung an den zweiten Eigen-Polarisationszustand „E2" entsprechend der Verteilung von 2 beispielsweise aus optisch aktivem, kristallinem Quarz mit über den Querschnitt variierendem Dickenprofil derart ausgestaltet, dass der Polarisationsmanipulator eine über den Querschnitt variierende Drehung der Polarisationsvorzugsrichtung bewirkt, die an jedem Ort über den Querschnitt gerade der Differenz zwischen der Orientierung der Eingangspolarisation einerseits und der Orientierung der jeweiligen Eigen-Polarisation in der Verteilung von 2a andererseits entspricht. Die entsprechende, zweidimensionale Verteilung des durch den Rotator bereitgestellten Rotationswinkels ist in 2b dargestellt.
  • 3a zeigt ein weiteres Beispiel eines Eigen-Polarisationszustandes, welcher einer zumindest näherungsweise radialen Verteilung der Eigen-Polarisationen entspricht, wie sie beispielsweise bei einer Linse aus kubisch kristallinem Material, z. B. Kalziumfluorid (CaF2), im [111]-Kristallschnitt auftritt. Falls nun dieser Eigen-Polarisationszustand dem Polarisationszustand „E2" des zweiten Teilabschnitts 120 von 1 entspricht und als Eigen-Polarisationszustand „E1" wiederum ein solcher mit konstant linearer Polarisationsverteilung in y-Richtung angenommen wird, so wird ein geeigneter Polarisationsmanipulator bzw. Rotator zur Umstellung von „E1" auf „E2" durch die in 3b dargestellte, zweidimensionale Verteilung des durch den Polarisationsmanipulator erzeugten Rotationswinkels beschrieben.
  • Das vorstehend beschriebene Prinzip ist in der schematischen Darstellung von 4 nochmals veranschaulicht, wobei hier ein Polarisationsmanipulator 415 in Form eines Rotators aus optisch aktivem Quarz mit über den Querschnitt variierendem Dickenprofil in der Pupillenebene PP eines optischen Systems 400 angeordnet ist, wobei dieses optische System 400 einen ersten Teilabschnitt 410 und einen zweiten Teilabschnitt 420 aufweist und wobei der zweite Teilabschnitt 420 hier durch eine doppelbrechende Plankonvexlinse gebildet ist. Die skalare Phasenwirkung des Polarisationsmanipulators 415 kann durch ein (nicht dargestelltes) komplementäres Kompensationselement aus optisch isotropem, nicht doppelbrechendem Material (z. B. Quarzglas) kompensiert werden.
  • 5 zeigt ein Projektionsobjektiv 500 im Meridionalschnitt, welches in WO 2004/019128 A2 (siehe dort 19 und Tabelle 9, 10) offenbart ist. Das Projektionsobjektiv 500 umfasst ein erstes refraktives Teilsystem 510, ein zweites katadioptrisches Teilsystem 530 und ein drittes refraktives Teilsystem 540 und wird daher auch als „RCR-System" bezeichnet. Dabei ist unter einem „Teilsystem" stets eine solche Anordnung optischer Elemente zu verstehen, durch die ein reales Objekt in ein reales Bild oder Zwischenbild abgebildet wird. Mit anderen Worten umfasst jedes Teilsystem, ausgehend von einer bestimmten Objekt- oder Zwischenbildebene, stets sämtliche optischen Elemente bis zum nächsten realen Bild oder Zwischenbild. Das erste refraktive Teilsystem 510 umfasst refraktive Linsen 511 bis 520, nach denen im Strahlengang ein erstes Zwischenbild IMI1 erzeugt wird. Das zweite Teilsystem 530 umfasst einen Doppelfaltspiegel mit zwei in einem Winkel zueinander angeordneten Spiegelflächen 531 und 532, wobei von dem ersten Teilsystem 510 eintreffendes Licht zu nächst an der Spiegelfläche 531 in Richtung zu Linsen 533 und 534 und einem nachfolgenden Konkavspiegel 535 reflektiert wird. Der Konkavspiegel 535 ermöglicht in für sich bekannter Weise eine effektive Kompensation der durch die Teilsysteme 510 und 540 erzeugten Bildfeldkrümmung. Das an dem Konkavspiegel 535 reflektierte Licht wird nach erneuter Durchquerung der Linsen 534 und 533 an der zweiten Spiegelfläche 532 des Doppelfaltspiegels reflektiert, so dass die optische Achse OA im Ergebnis zweimal um 90° gefaltet wird. Das zweite Teilsystem 530 erzeugt ein zweites Zwischenbild IMI2, und das von diesem ausgehende Licht trifft auf das dritte, refraktive Teilsystem 540, welches refraktive Linsen 541 bis 555 umfasst. Durch das dritte, refraktive Teilsystem 540 wird das zweite Zwischenbild IMI2 auf die Bildebene IP abgebildet.
  • Im Weiteren wird nun davon ausgegangen, dass der Polarisationszustand von durch das Projektionsobjektiv 500 hindurch laufendem Licht im Wesentlichen beeinflusst wird durch die auf den Spiegelflächen 531 und 532 des Doppelfaltspiegels befindlichen hochreflektierenden (HR-)Schichten sowie durch die aus kubisch kristallinem Material hergestellte, bildebenenseitig letzte (Plankonvex-)Linse 555. Dabei weist infolge der auf den Spiegelflächen 531 und 532 befindlichen HR-Schichten ein entsprechender erster Teilabschnitt 561, welcher sämtliche optischen Elemente des Projektionsobjektiv 500 von der Objektebene Ob bis zur Pupillenebene PP3 umfasst, einen Eigen-Polarisationszustand auf, welcher einer konstant linearen Polarisationsverteilung mit konstanter Polarisationsvorzugsrichtung in y-Richtung entspricht. Ein zweiter Teilabschnitt 562, welcher sämtliche Elemente des Projektionsobjektivs von der Pupillenebene PP3 bis zur Bildebene IP umfasst, weist für den Fall, dass die bildebenenseitig letzte Linse 555 im [100]-Kristallschnitt vorliegt, einen Eigen-Polarisationszustand auf, welcher einer tangentialen Polarisati onsverteilung entspricht. Analog zu den vorstehenden beschriebenen Ausführungsbeispielen von 2a–b und 4 wird somit erfindungsgemäß ein Polarisationsmanipulator 590 in der Pupillenebene PP3 angeordnet, welcher eine konstant lineare Polarisationsverteilung in eine tangentiale Polarisationsverteilung umwandelt.
  • 6 zeigt ein weiteres Ausführungsbeispiel eines Projektionsobjektivs 600, welches sich von dem Projektionsobjektiv 500 aus 5 dadurch unterscheidet, dass die unmittelbar benachbart zu dem Konkavspiegel 635 angeordnete Linse 634 ebenfalls aus kubisch kristallinem Material hergestellt ist und somit auch eine polarisationsbeeinflussende Wirkung aufweist. In diesem Falle wird erfindungsgemäß zusätzlich zu einem wiederum in der Pupillenebene PP3 angeordneten Polarisationsmanipulator 690 ein weiterer Polarisationsmanipulator 680 im Strahlengang zwischen der Linse 634 und dem die Spiegelflächen 631 und 632 enthaltenden Doppelfaltspiegel angeordnet, welcher im Strahlengang zweifach durchlaufen wird und dazu dient, eine Anpassung des Polarisationszustandes an den Eigen-Polarisationszustand des jeweils folgenden Teilabschnitts vorzunehmen. Diese Anpassung durch den Polarisationsmanipulator 680 erfolgt zwischen einem ersten Teilabschnitt 661, welcher alle Elemente von der Objektebene Ob bis einschließlich der ersten Spiegelfläche 631 des Doppelfaltspiegels enthält, einem zweiten Teilabschnitt 662, welcher die Linsen 633 und 634 sowie den Konkavspiegel 635 enthält, und einem dritten Teilabschnitt 663, welcher alle Elemente von der zweiten Spiegelfläche 632 des Doppelfaltspiegels bis zur Pupillenebene PP3 enthält. Ein vierter Teilabschnitt 564 umfasst analog zu 5 sämtliche Elemente des Projektionsobjektivs 600 von der Pupillenebene PP3 bis zur Bildebene IP, wobei sich in der Pupillenebene PP3 der andere Polarisationsmanipulator 690 befindet.
  • Gemäß 7 ist ein weiteres katadioptrisches Projektionsobjektiv 700 im Meridionalschnitt dargestellt, welches in WO 2005/069055 A2 (siehe dort 21 sowie Tabellen 21, 21A) offenbart ist und welches zwei Spiegel mit dazwischen angeordneten Linsen aufweist. Das Projektionsobjektiv 700 kann analog zu dem Projektionsobjektiv 500 von 5 in zwei Teilabschnitte 711 und 712 unterteilt werden, wobei der erste Teilabschnitt 711 einen Eigen-Polarisationszustand aufweist, welcher einer konstant linearen Polarisationsverteilung mit konstanter Polarisationsvorzugsrichtung in y-Richtung entspricht, und wobei der zweite Teilabschnitt 712 einen Eigen-Polarisationszustand aufweist, welcher einer tangentialen Polarisationsverteilung entspricht. Analog zu den vorstehenden beschriebenen Ausführungsbeispielen von 2a–b und 4 wird somit erfindungsgemäß ein Polarisationsmanipulator 715 in der Pupillenebene des bildebenenseitigen Teilsystems angeordnet, welcher eine konstant lineare Polarisationsverteilung in eine tangentiale Polarisationsverteilung umwandelt.
  • Wenn die Erfindung auch anhand spezieller Ausführungsformen beschrieben wurde, erschließen sich für den Fachmann zahlreiche Variationen und alternative Ausführungsformen, z. B. durch Kombination und/oder Austausch von Merkmalen einzelner Ausführungsformen. Dementsprechend versteht es sich für den Fachmann, dass derartige Variationen und alternative Ausführungsformen von der vorliegenden Erfindung mit umfasst sind, und die Reichweite der Erfindung nur im Sinne der beigefügten Patentansprüche und deren Aquivalente beschränkt ist.
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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  • Zitierte Patentliteratur
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    • - WO 2004/019128 A2 [0041]
    • - WO 2005/069055 A2 [0044]

Claims (18)

  1. Optisches System einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage, mit • einem ersten Teilabschnitt (110, 561, 661, 711), dem ein erster Eigen-Polarisationszustand zugeordnet ist, welcher bei Lichtdurchtritt durch den ersten Teilabschnitt erhalten bleibt; und • einem zweiten Teilabschnitt (120, 562, 662, 712), dem ein zweiter Eigen-Polarisationszustand zugeordnet ist, welcher bei Lichtdurchtritt durch den zweiten Teilabschnitt erhalten bleibt, wobei der zweite Eigen-Polarisationszustand von dem ersten Eigen-Polarisationszustand verschieden ist; • wobei Licht im Betrieb des optischen Systems in den ersten Teilabschnitt (110, 561, 661, 711) mit einem ersten Eingangs-Polarisationszustand eintritt, welcher im Wesentlichen dem ersten Eigen-Polarisationszustand entspricht; und • wobei Licht im Betrieb des optischen Systems in den zweiten Teilabschnitt (120, 562, 662, 712) mit einem zweiten Eingangs-Polarisationszustand eintritt, welcher im Wesentlichen dem zweiten Eigen-Polarisationszustand entspricht.
  2. Optisches System nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass wenigstens einem der Teilabschnitte (110, 561, 661, 711; 120, 562, 662, 712) ein Polarisationsmanipulator (115, 590, 680, 715) zur Einstellung des jeweiligen Eingangs-Polarisationszustandes zugeordnet ist.
  3. Optisches System nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass dieser Polarisationsmanipulator (115, 590, 680) in Lichtausbreitungsrichtung unmittelbar vor dem betreffenden Teilabschnitt angeordnet ist.
  4. Optisches System nach Anspruch 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, dass der Polarisationsmanipulator (115, 590, 680, 715) ein Rotator ist, welcher für hindurchtretendes Licht eine Drehung der Polarisationsvorzugsrichtung bewirkt.
  5. Optisches System nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass diese Drehung der Polarisationsvorzugsrichtung über den Lichtbündelquerschnitt variiert.
  6. Optisches System nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass dieses ferner einen dritten Teilabschnitt (663) aufweist, dem ein dritter Eigen-Polarisationszustand zugeordnet ist, welcher bei Lichtdurchtritt durch den dritten Teilabschnitt erhalten bleibt, wobei Licht im Betrieb des optischen Systems in den dritten Teilabschnitt (663) mit einem dritten Eingangs-Polarisationszustand eintritt, welcher im Wesentlichen dem dritten Eigen-Polarisationszustand entspricht.
  7. Optisches System nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass zwischen dem ersten Teilabschnitt (661) und dem zweiten Teilabschnitt (662) sowie zwischen dem zweiten Teilabschnitt (662) und dem dritten Teilabschnitt (663) jeweils ein Polarisationsmanipulator (680) angeordnet ist.
  8. Optisches System nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass für wenigstens einen der Teilabschnitte, vorzugsweise sämtliche der Teilabschnitte, der dem jeweiligen Teilabschnitt zugeordnete Eigen-Polarisationszustand einer linearen Polarisationsverteilung entspricht.
  9. Optisches System nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass für wenigstens einen der Teilabschnitte der diesem Teilabschnitt zugeordnete Eigen-Polarisationszustand einer tangentialen Polarisationsverteilung entspricht.
  10. Optisches System nach einem der Ansprüche 2 bis 9, dadurch gekennzeichnet, dass wenigstens ein Polarisationsmanipulator (115, 590, 690, 715) in einer Pupillenebene des optischen Systems angeordnet ist.
  11. Optisches System einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage, mit • wenigstens einem Teilabschnitt; und • wenigstens einem Polarisationsmanipulator, welcher den Eingangs-Polarisationszustand von in den Teilabschnitt eintretendem Licht derart einstellt, dass eine Änderung des Polarisationszustandes, welche ohne den Polarisationsmanipulator innerhalb des Teilabschnittes sowohl aufgrund von Doppelbrechung als auch aufgrund von unterschiedlicher Abschwächung zueinander orthogonaler Polarisationszustände auftritt, verhindert wird.
  12. Verfahren zum Manipulieren der Abbildungseigenschaften eines optischen Systems einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage, wobei das Verfahren die Schritte aufweist: • Unterteilen des optischen Systems in wenigstens zwei Teilabschnitte (110, 561, 661, 711; 120, 562, 662, 712), wobei jedem dieser Teilabschnitte ein Eigen-Polarisationszustand zugeordnet ist, welcher bei Licht durchtritt durch den jeweiligen Teilabschnitt erhalten bleibt; und • Einstellen des Polarisationszustandes derart, dass Licht in jeden dieser Teilabschnitte mit einem Eingangs-Polarisationszustand eintritt, welcher im Wesentlichen dem Eigen-Polarisationszustand des jeweiligen Teilabschnitts entspricht.
  13. Verfahren nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, dass das Einstellen des Polarisationszustandes ein Einbringen eines Polarisationsmanipulators (115, 590, 680, 715) in Lichtausbreitungsrichtung unmittelbar vor wenigstens einem dieser Teilabschnitte umfasst.
  14. Verfahren zum Manipulieren der Abbildungseigenschaften eines optischen Systems einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage, wobei das Verfahren die Schritte aufweist: • Ermitteln, für wenigstens einen Teilabschnitt des optischen Systems, eines Eigen-Polarisationszustandes, welcher bei Lichtdurchtritt durch diesen Teilabschnitt erhalten bleibt, wobei dieses Ermitteln unter Berücksichtigung sowohl von in dem Teilabschnitt auftretender Doppelbrechung als auch von in dem Teilabschnitt auftretender unterschiedlicher Abschwächung von zueinander orthogonalen Polarisationszuständen erfolgt; und • Einstellen des Polarisationszustandes derart, dass Licht in diesen Teilabschnitt mit einem Eingangs-Polarisationszustand eintritt, welcher im Wesentlichen dem Eigen-Polarisationszustand entspricht.
  15. Mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage mit einer Beleuchtungseinrichtung und einem Projektionsobjektiv, wobei die Beleuchtungseinrichtung und/oder das Projektionsobjektiv ein optisches System nach einem der Ansprüche 1 bis 11 aufweist.
  16. Mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage nach Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet, dass das Projektionsobjektiv eine numerische Apertur von mehr als 0.85, vorzugsweise mehr als 1.1, aufweist.
  17. Mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage nach Anspruch 15 oder 16, dadurch gekennzeichnet, dass diese für einen Immersionsbetrieb ausgelegt ist.
  18. Verfahren zur mikrolithographischen Herstellung mikrostrukturierter Bauelemente mit folgenden Schritten: • Bereitstellen eines Substrats, auf das zumindest teilweise eine Schicht aus einem lichtempfindlichen Material aufgebracht ist; • Bereitstellen einer Maske, die abzubildende Strukturen aufweist; • Bereitstellen einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage nach einem der Ansprüche 15 bis 17; und • Projizieren wenigstens eines Teils der Maske auf einen Bereich der Schicht mit Hilfe der Projektionsbelichtungsanlage.
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