JP5510987B2 - マイクロリソグラフィ投影露光装置 - Google Patents

Description

本発明は、マイクロリソグラフィ投影露光装置に関する。

マイクロリソグラフィは、例えば集積回路又はＬＣＤなどの微細構造構成要素の製造に利用される。マイクロリソグラフィ・プロセスは、照明系と投影対物レンズとを持つ投影露光装置と呼ばれるもので実行される。この照明系を用いて照射されたマスク（＝レチクル）の像が、この場合、上記投影対物レンズを用いて基板（例えば、シリコン・ウェーハ）上に投影される。この基板は、感光層（フォトレジスト）で覆われており、かつ、その投影対物レンズの像面内に配置されて、そのマスク構造物を、この基板の感光塗膜上に転写する。

上記照明系にも、例えば、定められた偏光分布を与えるか、あるいは、特に、偏光分布を操作するために、上記対物レンズにリターデイション素子が使用されることが多い。その点において、例として、例えば、ラムダ／２（１／２波長）板を使用するか、あるいは、固有に、又は自然に複屈折の材料でできた１つ又は複数のレンズのリターデイションに起因する偏光分布の不要な外乱を特に補償することがある。「リターデイション(retardation)」という用語は、直交する（互いに垂直な）２つの偏光状態の光路差を表すために使用される。

その点において、このようなリターデイション装置を利用に対して、現在及び将来の投影露光装置には、それぞれのリターデイション素子によって生成されるリターデイション分布の均等性に関して増し続ける厳しさが要求される。しかしながら、公知の複屈折リターデイション装置にかかわる一問題は、生成されるリターデイション分布が、現在、その複屈折材料中の電磁放射線のそれぞれの伝搬方向に依存していることである。生成されるリターデイション分布に及ぼす上記電磁放射線の伝搬方向又は入射角の影響は、一般に、この複屈折材料の厚さが増すとともに大きくなるから、「ゼロ次(zero-order)」リターデイション素子と呼ばれるものが使用されることが多い。しかしながら、これは、製造技術の点から、また次に観測されることになっている一般に数ミクロンという小さな部品厚さに関して、諸問題に結びつけられる。

特許文献１は、とりわけ、例えば偏光測定データに基づいて修正変更される偏光マニピュレータ装置を用いて、偏光状態を所望の偏光状態に合わせる投影露光装置における方法を開示している。

特許文献２と特許文献３は、とりわけ、ビーム伝搬方向が＜１１０＞結晶方向に平行であるアルカリ土類金属フッ化結晶材料（特に、フッ化カルシウム（ＣａＦ₂）又はフッ化バリウム）から作られるリターデイション素子を開示している。

特許文献４は、複屈折作用を持つ透過型光学素子と、その透過型光学素子の製造用のプロセスを開示しており、そこでは、所定期間の間、応力複屈折性（stress-birefringent properties）を持つ粗い光学素子の少なくとも１つの所定領域に作用した後で、生成される結果は、継続する作用なしに持続する変化が、その光学材料の内部応力分布に起こることである。

特許文献５は、光学的に正の結晶材料と光学的に負の結晶材料が互いに組み合わされている複数の平面板から成る複合リターデイション板を開示している。

米国特許出願公開第２００５／０１４６７０４Ａ１号 米国特許出願公開第２００４／０２１８２７１Ａ１号 国際公開第２００４／０６３７７７Ａ１号 独国特許出願公開第１０３１２００３Ａ１号 米国特許第２，６０７，２７２号

本発明の目的は、複屈折リターデイション装置が比較的に大きい部品厚さを持つときでも、電磁放射線の入射角又は伝搬方向に応じて、その複屈折リターデイション装置で生成されるリターデイションの不要変化を減らすか、又は避けることのできる上記複屈折リターデイション装置を持つマイクロリソグラフィ投影露光装置を提供することである。

本発明によるマイクロリソグラフィ投影露光装置は、
・第１の光学結晶軸を持つ光学的に正の一軸性の結晶材料でできた第１のサブエレメントと、
・第２の光学結晶軸を持ち、また、上記第１のサブエレメントの前又は後に、少なくとも１つのリターデイション素子の素子軸線に沿って配置されている光学的に負の一軸性の結晶材料でできた第２のサブエレメントと、
を含み、
上記第１の光学結晶軸と上記第２の光学結晶軸がそれぞれ、上記光学系軸線に垂直な平面内に配置され、しかも、互いに０°±５°の角度をなして、あるいは、互いに９０°±５°の角度をなして配置されているような上記リターデイション素子を有する少なくとも１つの複屈折リターデイション装置を持っている。

光学的に正の一軸性の結晶材料（同様に：光学的に正の性格を持つ複屈折材料）という用語は、本明細書では、異常屈折率ｎ_eが正常屈折率ｎ_oよりも大きい光学的に一軸性の結晶材料を表すために、使用される。同様に、光学的に負の一軸性の結晶材料（同様に：光学的に負の性格を持つ複屈折材料）という用語は、異常屈折率ｎ_eが正常屈折率ｎ_oよりも小さい光学的に一軸性の結晶材料を表すために、使用される。

上記リターデイション素子の素子軸線という用語は、上記リターデイション素子の回転対称構成が本発明の一実施形態により与えられる場合に、その対称軸、さらに、又は一般に、このリターデイション素子の動作時に光伝搬方向に向く軸線を表すために使用される。それゆえ、その軸線に沿って、上記リターデイション素子が、その方向に生成されるリターデイションに関して設計される。

本発明により特に適し、また、２５０ｎｍよりも短いマイクロリソグラフィの代表的な動作波長に対して、充分に透過的である光学的に正の材料は、例えば、結晶質石英（Ｓ_iＯ₂）とフッ化マグネシウム（ＭｇＦ₂）である。本発明により特に適した光学的に負の材料は、例えば、サファイア（Ａｌ₂Ｏ₃）とフッ化ランタン（ＬａＦ₃）である。

本発明は、反対の光学的性格を持つ光学的に一軸性の結晶材料（すなわち、光学的に正の一軸性の結晶材料と光学的に負の一軸性の結晶材料）を、それらの結晶材料中のそれぞれの光学結晶軸の本発明による向きにおいて組み合わせると、そのときに発生する反対の効果の結果として、この生成されるリターデイションの、その電磁放射線の入射角又は伝搬方向への依存性を大幅に減らすことができるという認識に基づいている。

その点において、リターデイションの角度依存性を減らす本発明による効果は、これらのサブエレメントの両側にて、光学結晶軸の互いに垂直な向きでも、さらに、これらの光学結晶軸の互いに平行な向きの場合でも、達成できる。本発明により、これらの光学結晶軸の互いに垂直な向きの場合には、後でさらに詳しく説明される通り、そのリターデイションは、その場合、これらの光学結晶軸の一方のサブエレメントにおいて、このリターデイション装置の傾斜角αが大きくなるにつれて連続的に減少するが、しかるに、他方のサブエレメントにおいて、そのリターデイションは、傾斜角αが大きくなるにつれて連続的に増大して、その結果、このリターデイション装置の傾斜角に応じたリターデイションの変化がより小さくなるという意味で補償効果が達成されることになるという事実が利用される。

これらの結晶軸の互いに平行な向きの場合に、本発明は、このリターデイション装置を傾斜させると、光学的に反対の性格を持つ２つの結晶材料の異なる屈折率に基づいて、その入射光ビームが、大きい方の平均屈折率を含むサブエレメントを、その垂直面に対して、小さい方の平均屈折率を含むサブエレメントよりも小さい角度で（すなわち、光が垂直方向に通り抜ける所に「さらに近づく」位置にて）なお通り抜けるという事実を利用している。その結果、このリターデイション装置の傾斜が大きくなるにつれて（すなわち、このリターデイション装置への電磁放射線の入射角が大きくなるにつれて）、上記小さい方の平均屈折率を含む結晶材料は、事実上、さらに大きい角度依存性を呈し、次に、これらの２つの側での部品厚さの適切な選択に基づいて、小さい方の平均屈折率の結晶材料を含むサブエレメントには、大きい方の平均屈折率の結晶材料と比較して、より大きいリターデイション（すなわち、ラムダ／２板の場合にλ／２の総合リターデイションを達成するために、例えば、石英のサブエレメントでは１＊λの大きさに換算したリターデイション、また、サファイアのサブエレメントでは１．５＊λの大きさに換算したリターデイション）が設定される限りでは、所望の補償効果という意味において、上記角度依存性を利用できる。これら２つの部品の光学的に反対の性格とともに、そのことから、これも後でさらに詳しく説明される通り、或る部品厚さまで、このリターデイション装置の傾斜角に応じたリターデイションの変化がさらに小さいという意味で、補償効果を達成することも可能になる（さらに具体的に言えば、弱い方の屈折力を持つ結晶材料において、角度依存性がさらに大きくなっても、強い方の屈折力を持つ結晶材料において、その角度依存性が過剰補償されない限り）。

本発明の利点は、リターデイション装置における電磁放射線の入射角又は伝搬方向に応じて、生成されるリターデイションの変化が減らされる結果として、光学的に一軸性の結晶材料でできたサブエレメント（すなわちゼロ次より高次のリターデイション素子）に関して、さらに大きい部品厚さを使用することも可能であり、しかも、そのリターデイションに関しては、角度依存性が依然として受け入れられ、したがって、小さな部品厚さに結びつけられる製造技術の問題が回避される。

上述の０°±５°と９０°±５°の基準はそれぞれ、それぞれの軸線間又は方向間のそれぞれ平行な向きと垂直な向きからの一定の偏差が、なおも可能であるか、あるいは、本発明に含まれると見なされるという要点を表している。

本発明の一実施態様によれば、このリターデイション素子は、その素子軸線に対して回転対称構成である。特に、この素子軸線は、その光学系軸線と同一であるか、あるいは、その光学系軸線と平行である。

本発明の一実施態様によれば、上記第１のサブエレメント及び／又は上記第２のサブエレメントは、その光学系軸線に対して直角方向に変化する厚さのプロファイルを持っている。このような厚さのプロファイルの形成が部品厚さの減少とともにますます問題となってくるので、これらのサブエレメントのさらに大きい部品厚さが本発明により可能となり、それにもかかわらず、生成されるリターデイションに関しては、角度依存性がさらに低くなり、そのことが、後でさらに詳しく説明される通り、本明細書では特に有利である。

本発明はさらに、
・第１の光学結晶軸を持つ光学的に正の一軸性の結晶材料でできた第１のサブエレメントと、
・第２の光学結晶軸を持ち、また、上記第１のサブエレメントの前又は後に、少なくとも１つのリターデイション素子の素子軸線に沿って配置されている光学的に負の一軸性の結晶材料でできた第２のサブエレメントと、
を持ち、
上記第１の光学結晶軸と上記第２の光学結晶軸がそれぞれ、上記光学系軸線に垂直な平面内に配置され、しかも、互いに０°±５°の角度をなして、あるいは、互いに９０°±５°の角度をなして配置され、また、
上記第１のサブエレメント及び／又は上記第２のサブエレメントが、その光学系軸線に対して直角方向に変化する厚さのプロファイルを持っているような上記リターデイション素子を含む複屈折リターデイション装置にも関わっている。

この態様により、光学的に正の結晶材料でできたサブエレメントと光学的に負の結晶材料でできたサブエレメントを、本発明により、これらの結晶軸の適切な向きを選択して組み合わせることは、変動しうる厚さのプロファイルを含むこれらのサブエレメントの少なくとも１つを提供して、有利に組み合わされる。このような厚さのプロファイルの形成が、部品厚さの減少とともに、製造技術の観点からさらに困難となるので、充分な角度受入れで（すなわち、この生成されるリターデイションに関して、角度依存性が低い）、比較的に大きい部品厚ささえも可能にする本発明による上述の着想は、本明細書では特に有利である。したがって、所望の（例えば、非球面の）厚さのプロファイルは、充分に確立された技術を使用して、それぞれのサブエレメントに組み入れられることもある。その点において、所望の（比較的に高い）レベルの角度受入れは、例えば、光学的に反対の性格を持つサブエレメントを追加して材料を除去することで、厚さを減らす代わりに、本発明により、達成される。

本発明はさらに、
・第１の光学結晶軸を持つ光学的に正の一軸性の結晶材料でできた第１のサブエレメントと、
・第２の光学結晶軸を持ち、また、上記第１のサブエレメントの前又は後に、少なくとも１つのリターデイション素子の素子軸線に沿って配置されている光学的に負の一軸性の結晶材料でできた第２のサブエレメントと、
を持ち、
上記第１の光学結晶軸と上記第２の光学結晶軸がそれぞれ、上記光学系軸線に垂直な平面内に配置され、しかも、互いに０°±５°の角度をなして、あるいは、互いに９０°±５°の角度をなして配置され、また、
上記光学的に負の一軸性の結晶材料が、サファイア（Ａｌ₂Ｏ₃）とフッ化ランタン（ＬａＦ₃）とを含むグループから選択されるような上記リターデイション素子を含む複屈折リターデイション装置にも関わっている。

本発明はさらに、
・第１の光学結晶軸を持つ光学的に正の一軸性の結晶材料でできた第１のサブエレメントと、
・第２の光学結晶軸を持ち、また、上記第１のサブエレメントの前又は後に、少なくとも１つのリターデイション素子の素子軸線に沿って配置されている光学的に負の一軸性の結晶材料でできた第２のサブエレメントと、
を持ち、
上記第１の光学結晶軸と上記第２の光学結晶軸がそれぞれ、上記光学系軸線に垂直な平面内に配置され、しかも、互いに０°±５°の角度をなして、あるいは、互いに９０°±５°の角度をなして配置され、また、
上記光学的に正の一軸性の結晶材料がフッ化マグネシウム（ＭｇＦ₂）を含むような上記リターデイション素子を含む複屈折リターデイション装置にも関わっている。

本発明はさらに、微細構造構成要素のマイクロリソグラフィ製造（microlithographic production）用のプロセス、及び微細構造構成要素にも関わっている。

本発明のさらに他の構成は、以下の説明及び併記の特許請求の範囲にも記載されることになっている。

本発明は、以下の添付図面に示される例示として、実施形態を用いて、後でさらに詳しく説明される。

図１ａ、図１ｂ及び図２ａ、図２ｂを参照して、まず最初に、リターデイション素子が、例えば結晶質石英などの光学的に一軸性の結晶材料でできた平面平行板１０の形式を取っている場合に、生成されるリターデイションに関して、入射光ビームＳの方向に対する上記平面平行板の傾斜角に見出される依存性を述べる。その点において、この光学的に一軸性の結晶材料の光学結晶軸ｃａは、図１ａ、図１ｂでも、また図２ａ、図２ｂでも、平面平行板１０の平面内にある。

図１ａ、図１ｂは、平面平行板１０が、垂直な光入射を持つ位置からスタートして（図１ａ）、光学結晶軸ｃａに垂直な平面内で傾斜が行われるように（図１ｂ）、すなわち、光学結晶軸ｃａと平行な向きにある回転軸線を中心として、角度αだけ傾斜されるような状況を考慮に入れている。この傾斜は、以下において、状況１とも呼ばれる。

この場合に、下にφ_Sで特定されるリターデイションは、次式により与えられる。

その場合に、この屈折率の差ｎ_e−ｎ_oは、様々な傾斜角αでも一定にとどまる。そこでは、傾斜角αが大きくなるにつれて、平面平行板１０中で光ビームＳによりカバーされる幾何学的距離、したがって、その結果得られるリターデイションも大きくなる。

図２ａ、図２ｂは、平面平行板１０が、垂直な光入射を含む位置からスタートして（図２ａ）、光学結晶軸ｃａに対して平行であるか、又は共面である平面内で傾斜が行われるように、すなわち、光学結晶軸ｃａに対して垂直向きにある回転軸線を中心として、角度αだけ傾斜されるような状況を考慮に入れている。この傾斜は、以下において、状況２とも呼ばれる。

この場合に、下にφ_Dで特定されるリターデイションは、次式により与えられる。

その場合に、傾斜角αが大きくなるにつれて、この屈折率の差ｎ_e−ｎ_oが連続的に小さくなり、また、平面平行板１０中で光ビームＳによりカバーされる幾何学的距離が増す。しかしながら、最後に挙げた効果は、傾斜角αが大きくなるにつれて屈折率の差が小さくなることを完全には補償しないことを意味するから、両方の効果を考慮して総体的に発生するリターデイションは、傾斜角αが大きくなるにつれて、連続的に小さくなる。

平面平行板１０が、垂直な光入射を含む位置からスタートして（図１ａ、図２ａ）角度αだけ傾斜されるが、その傾斜が、光学結晶軸ｃａと平行な平面内でも、また、光学結晶軸ｃａに垂直な平面内でもないような一般的な状況では、φで特定されるリターデイションは、次式により与えられる。

式中、αは傾斜角を表し、また、θは、光伝搬方向又は光学系軸線ＯＡ（ｚ軸）に垂直な平面（ｘｙ平面）内に配置された所定の基準軸（例えば、ｘ軸）と関係があるこの結晶軸の向きの方位角を表している。

この点において、この方位角θの値＝０は、図１ｂに示される状況１に対応している。それゆえ、図１ｂでは、光学結晶軸ｃａに垂直な平面内で傾斜が発生する。図３の唯一の略示グラフ表現により、図１ａ、図１ｂに示される傾斜と、図２ａ、図２ｂに示される２つの極端な傾斜の間で、傾斜角αの変化に対してリターデイションφが一定にとどまるような傾斜方向（すなわち、傾斜に関して方位角）が存在する。本発明は、後でさらに詳しく説明されるように、その効果を働かせる。

表１ａと表１ｂは、上述の式（３）の結果として、λ≒１９３．３０４ｎｍの動作波長にて、結晶質石英のラムダ／２板（ｎ_o≒１．６６０４５５、ｎ_e≒１．６７３９６３）に対して、様々な傾斜角αで、リターデイションが変化することを示している。また、表１ａは、ゼロ次のラムダ／２板用に用いられる（すなわち、ゼロ次のラムダ／２板で起こされるリターデイションは、厳密にはλ／２であって、約７．１５５２μｍの板の厚さに対応する）。また、表１ｂは、１次の板に用いられる（すなわち、光が１次の板を垂直方向に通り抜ける場合に、その１次の板で生成されるリターデイションは、厳密にλ＋λ／２であって、約２１．４６５５μｍの板の厚さに対応する）。

したがって、このリターデイションは、傾斜方向によっても、また、傾斜角によっても、かなり広い範囲で（すなわち、上に指定された傾斜角値では、約２５％以下だけ）、変化する。

上述の問題を解決するために、図４は、本発明の第１の実施形態によれば、複屈折リターデイション装置４００のだいたいの構造を示しており、そこでは、ラムダ／２板が、複屈折リターデイション装置４００により具現されている。

複屈折リターデイション装置４００は、光学的に等方性の結晶質石英でできたキャリヤ（支持体）４１０上に、光学的に正の一軸性の複屈折結晶材料（すなわち、ｎ_e−ｎ_o＞０）の平面板の形式を取る第１のリターデイション素子４２０と、この第１のリターデイション素子４２０上に、光学的に負の一軸性の複屈折結晶材料（すなわち、ｎ_e−ｎ_o＜０）のさらに他の平面板の形式を取る第２のリターデイション素子４３０とを含み、しかも、これらのリターデイション素子は、素子軸線ＥＡに沿って次々に配置されており、また、この例示された実施形態によれば、互いにじかに接触している（本発明は、それに限定されることはない）。第１のリターデイション素子４２０中の光学結晶軸と第２のリターデイション素子４３０中の光学結晶軸はそれぞれ、ｃａ−１とｃａ−２で表されている。これら２つの光学結晶軸（ｃａ−１とｃａ−２）の向きはそれぞれ、これらの平面板の平面内に配置されており、かつ、９０°の角度で互いに交差している。本発明により特に適切な光学的に正の材料は、結晶質石英（Ｓ_iＯ₂）とフッ化マグネシウム（ＭｇＦ₂）である。本発明により特に適切な光学的に負の材料は、サファイア（Ａｌ₂Ｏ₃）とフッ化ランタン（ＬａＦ₃）である。図４に示される構造の第１の実施形態用の正確なデータは、表２に指定されている。

表３は、角度依存関係における表１の実施形態について、さらに具体的に言えば、上に定められた状況１についても、また、上に定められた状況２についても、リターデイションの値を述べている。

図４及び表２の実施形態において、表３からわかるように、このリターデイションは、図１と図２を参照して述べられた状況と比較して、傾斜方向（すなわち、方位角θ）によっても、また、傾斜角によっても、非常にわずかにだけ（さらに具体的に言えば、上に指定された傾斜角値のみでは、約０．２８％以下だけ）変化し、この点において、傾斜角α＝２０°の場合でも、状況１と状況２との差がゼロになっている。

その結果、リターデイション素子４２０とリターデイション素子４３０の厚さも、いわゆるゼロ次素子のそれぞれの厚さよりも、大きくなることもある。さらに、その点において、表５からわかるように、傾斜方向と傾斜角に応じて、許容できるリターデイション変化が認められる。表５は、表３と同様に、１次板に対するリターデイションの値（すなわち、このリターデイション装置で生成されるリターデイションは、光がこのリターデイション装置を垂直方向に通り抜ける場合に、厳密にλ／２＋λである）を提示している。その場合、このリターデイション装置の正確なデータは、表４に示されている。

傾斜方向に応じたリターデイション変化も、また、傾斜角に応じたリターデイション変化も、図１と図２を参照して述べられた状況と比較して、この１次リターデイション装置に対しても非常にわずかであって、上に指定された傾斜角値では、最大で０．８６％である。

表６と表７は、同様に、中間の角度範囲（２０°の傾斜角まで）に対して、１０次リターデイション装置のさらに他の実施形態も示している（すなわち、光がこのリターデイション装置を垂直方向に通り抜ける場合に、このリターデイション装置で生成されるリターデイションは、厳密にλ／２＋１０＊λ／２である）。

傾斜方向に応じたリターデイション変化も、また、傾斜角に応じたリターデイション変化も、図１と図２を参照して述べられた状況と比較して、この中間の角度範囲に対して、なお非常にわずかであって、上に指定された傾斜角値では、最大で０．３４％である。

全体として、上述の実施形態は、本発明による高次のリターデイション装置では、傾斜角と傾斜方向に応じたリターデイションの変化が、図１と図２に示されるように個別の板から成る従来のリターデイション装置を用いる対応するリターデイション変化よりも大幅に小さいことを示している。

このリターデイション装置の次数がさらに大きくなると、温度感受性（すなわち、温度の変化とともに、リターデイションの変化が大きくなる）が高まり、例えば、上述の１０次のリターデイション装置の例では、温度によるリターデイション変化は、１°Ｃの温度変化で約０．４ｎｍである。リソグラフィのために、投影対物レンズを比較的に適切に温度制御できることを考慮に入れる場合には、一方では、ともなう問題ができるだけ少ない製造と、他方では、リターデイションに関して、なお低い温度依存性（１°Ｃの温度変化で約０．１２ｎｍ〜０．２４ｎｍ）との間の関係のように、例えば次数Ｋ＝５（すなわち、光がこのリターデイション装置を垂直方向に通り抜ける場合に、このリターデイション装置で生成されるリターデイションは、厳密にλ／２＋５＊λ／２である）に対して、適切な妥協点が得られる。この点において、この傾斜方向の変化は、特に自由に選択できる角度でも、ゼロになることもある。

図５は、本発明のさらに他の実施形態による複屈折リターデイション装置５００のだいたいの構造を示しており、さらに、ラムダ／２板が、複屈折リターデイション装置５００により具現されている。

複屈折リターデイション装置５００は、この場合も、光学的に等方性の石英ガラスでできたキャリヤ（支持体）５１０上に、光学的に正の一軸性の複屈折結晶材料（すなわち、ｎ_e−ｎ_o＞０）の平面板の形式を取る第１のリターデイション素子５２０と、この第１のリターデイション素子５２０上に、光学的に負の一軸性の複屈折結晶材料（すなわち、ｎ_e−ｎ_o＜０）のさらに他の平面板の形式を取る第２のリターデイション素子５３０とを含む。第１のリターデイション素子５２０中の光学結晶軸と第２のリターデイション素子５３０中の光学結晶軸はそれぞれ、ｃａ−１とｃａ−２で表されている。これらの光学結晶軸（ｃａ−１とｃａ−２）の向きはそれぞれ、この平面板の平面内に配置されており、かつ、互いに平行な関係で向けられている。適切な光学的に正の一軸性の材料は、この場合も、結晶質石英（Ｓ_iＯ₂）とフッ化マグネシウム（ＭｇＦ₂）である。適切な光学的に負の一軸性の材料は、この場合も、サファイア（Ａｌ₂Ｏ₃）とフッ化ランタン（ＬａＦ₃）である。図５に示される構造を含む実施形態用の正確なデータは、表８に指定されている。

傾斜方向に応じたリターデイション変化も、また、傾斜角に応じたリターデイション変化も、図１と図２を参照して述べられた状況と比較して、非常にわずかであって、上に指定された傾斜角値では、最大で１．５６％である。

図５、及び表８と表９に示される実施形態では、サファイアと比較して小さい石英結晶体の（平均）屈折率が使用され、その点において、このことから、リターデイションに関して傾斜角への依存性が、例えば２０°の傾斜角の場合よりも大きくなり、また、その入射光ビームは、垂直面に対して、その石英のサブエレメントよりも小さい角度で（すなわち、光が垂直方向に通り抜ける所に「さらに近づく」位置にて）、このサファイアのサブエレメントを通り抜ける。

これら２つの側での部品厚さの適切な選択に基づいて、大きい方の平均屈折率を持つサブエレメントに大きい方のリターデイション（すなわち、例えば、石英のサブエレメントでは１＊λの大きさに換算したリターデイション、また、サファイアのサブエレメントでは１．５＊λの大きさに換算したリターデイション）が設定される。次に、これら２つの部品の光学的に反対の性格とともに、リターデイション装置５００の傾斜角に応じた総合装置のリターデイションの変化がさらに小さいという意味で、補償効果を達成することができる。

しかしながら、リターデイションの角度依存性に関して図５の実施形態に適用される補償原理（すなわち、これらのサブエレメント中の光学結晶軸の平行な向きで）は、厚さが増すとともに、石英結晶体の角度依存性がサファイアの角度依存性を過剰補償するので、これらのサブエレメントの選択された厚さに限定される。好ましくは、ここで、これら２つのサブエレメントの厚さは、大きい方の屈折率を含むサブエレメントに、大きい方のリターデイションが生成されるように選択される。その場合、傾斜角α＝４０°に対して、以下で表１０と表１１の例からわかるように、所与の傾斜角に対して、２つの極端な傾斜方向（すなわち、上に定められた状況１と状況２）の差をゼロにすることが可能である。これと対照的に、表１２は、光学的に反対の性格を持つ２つのサブエレメントを含み、またラムダ／２板としての総合効果を持ち、さらに、個々のサブエレメントに関して４０°の傾斜角に最適化された値を超えてリターデイションを大きくするリターデイション装置では、状況１のリターデイションと状況２のリターデイションとの差が連続的に大きくなることを示している。

状況１用の総合リターデイションと、状況２用の総合リターデイションとの差は、このリターデイション装置の個々のサブエレメントの厚さが増すにつれて大きくなるが、そのような差が、図６中のグラフにも示されている。図６では、サファイアのサブエレメント５３０に関して５＊λ＋０．５λのリターデイション（石英のサブエレメント５２０としては５＊λのリターデイションに対応する）までの範囲Ａが表示されていて、この場合も、一方では、ともなう問題ができるだけ少ない製造と、他方では、傾斜方向と傾斜角とともにリターデイションのなお許容できる変化、及び、なお低いレベルの温度依存性との間で適切な妥協点を表している。

図７を参照して、３つ以上の個々のサブエレメント（図示される実施形態では、４つのサブエレメント）から成るリターデイション装置のさらに他の実施形態を後で述べる。これらの実施形態はそれぞれ、反対の光学的性格を持つ光学的に一軸性の結晶材料を含む平面板の形式をそれぞれが取っている第１の対のサブエレメントと第２の対のサブエレメントを持ち、しかも、１つの対に関係するサブエレメントの光学結晶軸はそれぞれ、この平面板の平面内で向けられ、また互いに垂直な関係にある。その場合、これらのサブエレメントにより共同で生成されるリターデイションが動作波長の整数倍（例えば、５＊λ）であるように、第１の対のサブエレメントの厚さを選択する。すなわち、これらの厚さが、高次（例えば、５次）の「空板(empty plate)」（すなわち、光が垂直方向に板を通り抜ける場合に、偏光中立的である板）を形成する。これらのサブエレメントにより共同で生成されるリターデイションが動作波長の２分の１の奇数倍（例えば、５＊λ＋λ／２＝１１／２＊λ）であるように、第２の対のサブエレメントの厚さを選択する。すなわち、これらの厚さが、高次（例えば、５次）の「ラムダ／２板」を形成する。ラムダ／２のリターデイションはそれぞれの場合に、本明細書では、例示としてのみ示されており、また、そのとき、全体的にこれらのサブエレメントにより生成されるリターデイションが、４分の１動作波長の奇数倍（すなわち、例えば５＊λ＋λ／４＝２１／４＊λ）であるように、第２の対のサブエレメントの厚さを選択する限りにおいて、例えばラムダ／４のように、結果として得られる別の所望のリターデイションを設定することも可能であることが理解されよう。状況１と状況２における総合装置のリターデイションが同一であるように、このリターデイション装置を、所定の角度向けに設計できる。その点において、同時に、このリターデイション装置の温度感受性（すなわち、温度の変化とともに、リターデイションが変わる）は、ゼロ次のリターデイション素子の場合と同じくらい低い。特定の実施形態は、例示として、表１３と表１４に記述される。

高次のリターデイション装置の前述例では、光学結晶軸の向きは、高精度で（例えば、ゼロ次のリターデイション素子に対して）、この板の平面内にあることに留意されたい。

本発明は、前述の実施形態に示される平面板を持つリターデイション装置には限定されない。もっと適切に言えば、光学的に反対の性格を持つ光学的に一軸性の結晶材料を含むサブエレメントと、光学結晶軸の互いに垂直な（「交差した」）向きか、互いに平行な向きのいずれかを組み合わせるという本発明による原理はまた、例えば米国特許第６，２５２，７１２ Ｂ１号からの偏光影響型光学素子（polarisation-influencing optical element）として知られているように、その横断面にわたって変化する厚さのプロファイルを含むリターデイション装置に適用されることもある。この種の偏光影響型光学素子は、例えば、投影対物レンズに存在する偏光分布の外乱を補償するために使用される。

ここで、投影対物レンズでは、光学系軸線の方向に変化する厚さのプロファイル（非常に誇張された形式で示されている）を持つ上記の偏光影響型光学素子は、偏光影響型光学素子８００に対して図８に略示されるように、反対の光学的性格を持つ少なくとも２つのサブエレメントから成っている。偏光影響型光学素子８００は、２つのサブエレメント（８１０と８２０）を含み、しかも、それらのサブエレメントの光学結晶軸は、それぞれｃａ−１とｃａ−２により特定され、また、それぞれ、この板の平面内で向けられて、９０°の角度で互いに交差している。本発明により特に適切な光学的に正の材料は、結晶質石英（Ｓ_iＯ₂）とフッ化マグネシウム（ＭｇＦ₂）である。本発明により特に適切な光学的に負の材料は、サファイア（Ａｌ₂Ｏ₃）とフッ化ランタン（ＬａＦ₃）である。これらの部品寸法は、リソグラフィ対物レンズ（lithography objective）内のそれぞれの位置に応じて、したがって、例えば３０ｍｍ〜３００ｍｍの範囲内のそれぞれの角度ローディング（angle loading）に応じても、かなり変化することもある。

図９は、図８と同様に、２つのサブエレメント（９１０と９２０）を含む偏光影響型光学素子９００を示している。図９では、これらのサブエレメントは、例えば石英ガラスなどの光学的に等方性の材料でできたキャリヤ（支持体）要素９３０の互いに向かい合う側の表面上に配置されている。この石英ガラス・キャリヤの厚さは、例えば、それぞれの直径に応じて、ほぼ２ｍｍ〜２０ｍｍの範囲内で変化することもある。これらの結晶体の厚さ変化は、例えば０μｍ〜１０μｍの範囲内にある。

平面板の形式を取っているサブエレメントの構成とともに、上述のものと同様に、対向する光学キャリヤの光学的に一軸性の結晶材料でできたサブエレメント（それぞれ、８１０、８２０、及び９１０、９２０）を、図８と図９に示されるように、本発明により組み合わせれば、傾斜方向へのリターデイションの依存性、さらに、傾斜角への依存性も大幅に減らすことができる。さらに、所定の角度ローディングのために平面板の形式を取っているサブエレメントの構成とともに述べられた表１０と表１１の実施形態と同様に、そのリターデイションも、その傾斜方向の影響を受けないこともある。さらに、方位角及び／又は傾斜角を介してのリターデイションの変化に関して、所望の構成を設定して、次に、このような効果を、光学系軸線に垂直な方向に、あるいは、この偏光影響型光学素子の光伝搬方向に垂直な横断面にわたって上述のように厚さ、リターデイションが変化することに起因する変化に、加えるようにすることも可能である。

図１０は、それぞれが図９に対応する構造を持ち、また、それぞれ２つのサブエレメント（９５１ａと９５１ｂ、９５２ａと９５２ｂ、９５３ａと９５３ｂ）から成る３つの偏光影響型光学素子（９５１、９５２、９５３）でできている機構を略示しており、しかも、それぞれｃａ−１とｃａ−２で特定される光学結晶軸がそれぞれ、この板の平面内で向けられ、また、同一の偏光影響型光学素子（９５１、９５２、９５３）に関係するサブエレメントの光学結晶軸（ｃａ−１とｃａ−２）が、この場合も、それぞれ９０°の角度にて互いに交差している。その場合、光学的に正の一軸性の結晶材料でできたサブエレメント（９５３ｂと９５２ｂ）では、光学結晶軸ｃａ−２が互いに垂直な関係で向けられるが、一方、光学的に負の一軸性の結晶材料でできたサブエレメント（９５３ａと９５２ａ）では、光学結晶軸ｃａ−１が互いに垂直な関係で向けられるように、第３の偏光影響型光学素子（９５３）と第２の偏光影響型光学素子（９５２）を配置している。光学的に正の一軸性の結晶材料でできたサブエレメント９５１ｂでは、光学結晶軸ｃａ−２が、サブエレメント（９５２ｂと９５３ｂ）のそれぞれの光学結晶軸（ｃａ−２）に対して、０°とは異なり、かつ９０°とも異なる角度（一般に、９０°の整数倍とは異なる角度）に向けられるように、第１の偏光影響型光学素子（９５１）を配置しており、また、光学的に負の一軸性の結晶材料でできたサブエレメント９５１ａ中の光学結晶軸ｃａ−１は、サブエレメント９５１ｂの光学結晶軸ｃａ−２に垂直に配置される。図１０の実施形態では、光学的に正の一軸性の結晶材料でできたサブエレメント９５１ｂでは、光学結晶軸ｃａ−２は、ｘ軸に対して、ｘｙ平面内で４５°に向けられるが（ｚ軸は、それぞれの素子軸線の方向に、あるいは光伝搬方向に延びている）、一方、光学的に負の一軸性の結晶材料でできたサブエレメント９５１ａ中の光学結晶軸ｃａ−１は、ｘ軸に対してｘｙ平面内で１３５°の角度に向けられる。

リターデイション装置９５０を用いて、偏光影響型光学素子（９５１、９５２、９５３）の個々の厚さのプロファイル（すなわち、それらのサブエレメント９５１ａと９５１ｂ、サブエレメント９５２ａと９５２ｂ、サブエレメント９５３ａと９５３ｂの厚さのプロファイル）を適切に選択すれば、リターデイション装置９５０の傾斜角、又は通り抜ける光の入射角によっても、また、光学系軸線に垂直な方向に、あるいはこの偏光影響型光学素子の光伝搬方向に垂直な横断面にわたって、位置座標によっても、所望のどんなリターデイション変化も設定することが、基本的に可能となる。

平面板の形式を取っているサブエレメントに関連してすでに述べられた利点と同様に、リターデイションに関してなお許容できる角度依存性で、サブエレメント９５１〜サブエレメント９５３の厚さを、例えば５０μｍ〜５００μｍの範囲内で大きくすることが、高次の偏光影響型光学素子を利用して、図１０のリターデイション装置９５０で実施されることもある。

図１０のリターデイション装置９５０の個々のサブエレメントは、直接に次々と続くものとして図１０に示されているが、これらのサブエレメントは、好ましい実施形態により投影対物レンズで使用されるときには、図１１に略示されるように、投影対物レンズにわたって分布するように配置されている。この投影対物レンズにわたって分布されたリターデイション装置１０７−１０９を用いれば、特に非対称像フィールドの場合に、追加の補正オプションを与えることが可能である。

図１１は、マイクロリソグラフィ投影露光装置１００の構造の略図を示している。マイクロリソグラフィ投影露光装置１００は、照明装置１０１と投影対物レンズ１０２を持っており、また、光軸ＯＡは、マイクロリソグラフィ投影露光装置１００のレンズ機構（詳細には示されてない）により定められている。マスクホルダ１０４を用いてビーム経路中に固定されたマスク１０３が、照明装置１０１と投影対物レンズ１０２との間に配置されている。マスク１０３は、ミクロンからナノメートルまでの範囲内の構造を持っており、その像は、投影対物レンズ１０２を用いて、例えば４分の１又は５分の１に縮小して、像面ＩＰ上に形成される。基板ホルダ１０６により位置づけられる感光性基板１０５又はウェーハは、像面ＩＰ内に固定されている。像面ＩＰ又はウェーハにもっとも近い光学素子は、例えば、固有に複屈折の材料でできたレンズであることもある。そのレンズのＩＤＢは、本発明によるリターデイション装置により補償される。

本発明が特定の実施形態を参照して述べられているが、多数の変形例及び代替実施形態は、例えば、個々の実施形態の特徴の組合せ及び／又は交換により、当業者には明らかとなろう。よって、このような変形例及び代替実施形態も、本発明に含まれ、また、本発明の範囲は、併記の特許請求の範囲、及びその同等物の意味においてのみ限定されることが当業者に理解されよう。

ａ：光が垂直方向に通り抜ける従来の複屈折リターデイション素子の略図である。 ｂ：光が傾斜して通り抜ける従来の複屈折リターデイション素子の略図である。 ａ：光が垂直方向に通り抜ける従来の複屈折リターデイション素子の略図である。 ｂ：光が傾斜して通り抜ける従来の複屈折リターデイション素子の略図である。 それぞれ図２で示されるリターデイション素子の傾斜角及び方位角（それぞれ、上に定められている）と、この光学結晶軸に応じて、このリターデイション素子によって生成されるリターデイションの構成を定量的に示す。 本発明によるリターデイション装置の実施形態の略図を示す。 本発明によるリターデイション装置の実施形態の略図を示す。 図５に示されるリターデイション装置の次数Ｋ及びそのリターデイション装置の傾斜角への総合リターデイションの依存性を明らかにするために、そのリターデイション装置に対し、また所定の傾斜角に対する略図を示す。 ４つのサブエレメントを持つリターデイション装置のさらに他の好ましい実施形態の略図を示す。 ４つのサブエレメントを持つリターデイション装置のさらに他の好ましい実施形態の略図を示す。 ４つのサブエレメントを持つリターデイション装置のさらに他の好ましい実施形態の略図を示す。 ４つのサブエレメントを持つリターデイション装置のさらに他の好ましい実施形態の略図を示す。 ４つのサブエレメントを持つリターデイション装置のさらに他の好ましい実施形態の略図を示す。 ４つのサブエレメントを持つリターデイション装置のさらに他の好ましい実施形態の略図を示す。 様々な厚さのプロファイルのサブエレメントから成るリターデイション装置のさらに他の実施形態を示す。 様々な厚さのプロファイルのサブエレメントから成るリターデイション装置のさらに他の実施形態を示す。 様々な厚さのプロファイルのサブエレメントから成るリターデイション装置のさらに他の実施形態を示す。 本発明によるリターデイション装置が備えられているマイクロリソグラフィ投影露光装置の略図を示す。

符号の説明

１０７、１０８、１０９ 複屈折リターデイション装置
４００ リターデイション素子
４１０ キャリヤ（支持体）
４２０ 第１のサブエレメント
４３０ 第２のサブエレメント

Claims (19)

1. 少なくとも１つのリターデイション素子（４００、５００、７１０〜７６０、８００、９００、９５０）を有する複屈折リターデイション装置（１０７〜１０９）を持っているマイクロリソグラフィ投影露光装置であって、前記リターデイション素子が、
   第１の光学結晶軸を持つ光学的に正の一軸性の結晶材料でできた第１のサブエレメント（４２０、５２０、７１１、７２１、７３１、７４１、７５２、７６１、８２０、９２０、９５１ｂ）と、
   第２の光学結晶軸を持ち、かつ、前記第１のサブエレメントの前又は後に、前記リターデイション素子の素子軸線に沿って配置されている光学的に負の一軸性の結晶材料でできた第２のサブエレメント（４３０、５３０、７１２、７２３、７３３、７４３、７５１、７６２、８１０、９１０、９５１ａ）と、
   を含み、
   前記第１の光学結晶軸と前記第２の光学結晶軸がそれぞれ、前記光学系軸線（ＯＡ）に垂直な平面内に配置され、しかも、互いに０°±５°の角度をなして、又は、互いに９０°±５°の角度をなして配置され、
   前記第１のサブエレメント及び前記第２のサブエレメントの厚さは、所与の傾斜角に対して、大きい方の屈折率を含むサブエレメントに、大きい方のリターデイションが生成されるように選択されていることを特徴とする、マイクロリソグラフィ投影露光装置。
2. 前記第１のサブエレメント（４２０、５２０、７１１、７２１、７３１、７４１、７５２、７６１）と、前記第２のサブエレメント（４３０、５３０、７１２、７２３、７３３、７４３、７５１、７６２）が、実質的に平面板の形であることを特徴とする請求項１に記載のマイクロリソグラフィ投影露光装置。
3. 前記第１のサブエレメント（８２０、９２０、９５１ｂ）及び／又は前記第２のサブエレメント（８１０、９１０、９５１ａ）が、前記光学系軸線に対して直角方向に変化する厚さのプロファイルを持っていることを特徴とする請求項１に記載のマイクロリソグラフィ投影露光装置。
4. 前記リターデイション素子（４００、５００、７１０〜７６０、８００、９００、９５０）が、前記素子軸線に対して回転対称構成のものであることを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載のマイクロリソグラフィ投影露光装置。
5. 前記素子軸線が前記光学系軸線（ＯＡ）と平行であることを特徴とする請求項１ないし４のいずれかに記載のマイクロリソグラフィ投影露光装置。
6. 前記第１のサブエレメント（４２０、５２０、９２０、９５１ｂ）及び／又は前記第２のサブエレメント（４３０、５３０、９１０、９５１ａ）が、光学的に等方性の材料でできたキャリヤ（支持体）要素（４１０、５１０、９３０，９５１ｃ）上に配置されていることを特徴とする請求項１ないし５のいずれかに記載のマイクロリソグラフィ投影露光装置。
7. 所定の動作波長の光が前記光学系軸線と平行な関係で通り抜ける場合に、前記リターデイション装置が、Ｒ＝Ｒ₀＋Ｋ＊λ（式中、Ｋは少なくとも３であり、好ましくは少なくとも５である）のリターデイションを生成することを特徴とする請求項１ないし６のいずれかに記載のマイクロリソグラフィ投影露光装置。
8. 第１の結晶軸と第２の結晶軸の互いに平行な配置では、これら２つのサブエレメントの一方（５３０）の結晶材料が、他方のサブエレメント（５２０）の結晶材料よりも大きい平均屈折率を持ち、光が前記素子軸線に沿って前記リターデイション素子（５００）を通り抜ける場合に、他のサブエレメント（５２０）よりも大きいリターデイションが生成されることを特徴とする請求項１ないし７のいずれかに記載のマイクロリソグラフィ投影露光装置。
9. 光学的に正の一軸性の結晶材料でできたサブエレメント（９５２ｂ、９５３ｂ）の光学結晶軸がそれぞれ互いに垂直な関係で向けられ、また、光学的に負の一軸性の結晶材料でできたサブエレメント（９５２ａ、９５３ａ）の光学結晶軸がそれぞれ互いに垂直な関係で向けられるように相対的に配置された少なくとも２つのこのようなリターデイション素子（９５２、９５３）を前記リターデイション装置が持っていることを特徴とする請求項１ないし８のいずれかに記載のマイクロリソグラフィ投影露光装置。
10. 前記第３のリターデイション素子（９５３）の光学的に正の一軸性の結晶材料でできたサブエレメント（９５１ｂ）において、前記光学結晶軸が、前記第１のリターデイション素子（９５１）及び前記第２のリターデイション素子（９５２）中の光学的に正の一軸性の結晶材料でできたサブエレメント（９５１ｂ、９５２ｂ）のそれぞれの光学結晶軸に対して９０°の整数倍とは異なる角度に向けられるように、前記第１のリターデイション素子（９５１）及び前記第２のリターデイション素子（９５２）に対して配置された少なくとも１つの第３のリターデイション素子（９５３）を前記リターデイション装置が持っていることを特徴とする請求項９に記載のマイクロリソグラフィ投影露光装置。
11. 前記リターデイション素子（９５１〜９５３）が、前記光学系軸線（ＯＡ）に沿って直接に続く関係で配置されることを特徴とする請求項９又は１０に記載のマイクロリソグラフィ投影露光装置。
12. 前記次々と続くそれぞれのリターデイション素子が互いにじかに接触して配置されることを特徴とする請求項１１に記載のマイクロリソグラフィ投影露光装置。
13. 前記光学的に正の一軸性の結晶材料が、結晶質石英（ＳiＯ₂）とフッ化マグネシウム（ＭｇＦ₂）とを含むグループから選択されることを特徴とする請求項１ないし１２のいずれかに記載のマイクロリソグラフィ投影露光装置。
14. 前記光学的に負の一軸性の結晶材料が、サファイア（Ａｌ₂Ｏ₃）とフッ化ランタン（ＬａＦ₃）とを含むグループから選択されることを特徴とする請求項１ないし１３のいずれかに記載のマイクロリソグラフィ投影露光装置。
15. 少なくとも１つのリターデイション素子（４００、５００、７１０〜７６０、８００、９００、９５０）を含む複屈折リターデイション装置であって、前記リターデイション素子が、
    第１の光学結晶軸を持つ光学的に正の一軸性の結晶材料でできた第１のサブエレメント（８２０、９２０，９５１ｂ）と、
    第２の光学結晶軸を持ち、また、前記第１のサブエレメントの前又は後に、前記リターデイション素子の素子軸線に沿って配置されている光学的に負の一軸性の結晶材料でできた第２のサブエレメント（８１０、９１０、９５１ａ）と、
    を持ち、
    前記第１の光学結晶軸と前記第２の光学結晶軸がそれぞれ、前記光学系軸線（ＯＡ）に垂直な平面内に配置され、しかも、互いに０°±５°の角度をなして、又は、互いに９０°±５°の角度をなして配置され、
    前記第１のサブエレメント（８２０、９２０、９５１ｂ）及び／又は前記第２のサブエレメント（８１０、９１０、９５１ａ）が、前記光学系軸線（ＯＡ）に対して直角方向に変化する厚さのプロファイルを持ち、
    前記第１のサブエレメント及び前記第２のサブエレメントの厚さは、所与の傾斜角に対して、大きい方の屈折率を含むサブエレメントに、大きい方のリターデイションが生成されるように選択されることを特徴とする、複屈折リターデイション装置。
16. 少なくとも１つのリターデイション素子（４００、５００、７１０〜７６０、８００、９００、９５０）を含む複屈折リターデイション装置であって、前記リターデイション素子が、
    第１の光学結晶軸を持つ光学的に正の一軸性の結晶材料でできた第１のサブエレメント（４２０、５２０、７１１、７２１、７３１、７４１、７５２、７６１、８２０、９２０、９５１ｂ）と、
    第２の光学結晶軸を持ち、また、前記第１のサブエレメントの前又は後に、前記リターデイション素子の素子軸線に沿って配置されている光学的に負の一軸性の結晶材料でできた第２のサブエレメント（４３０、５３０、７１２、７２３、７３３、７４３、７５１、７６２、８１０、９１０、９５１ａ）と、
    を持ち、
    前記第１の光学結晶軸と前記第２の光学結晶軸がそれぞれ、前記光学系軸線（ＯＡ）に垂直な平面内に配置され、しかも、互いに０°±５°の角度をなして、又は、互いに９０°±５°の角度をなして配置され、また、
    前記光学的に負の一軸性の結晶材料が、サファイア（Ａｌ₂Ｏ₃）とフッ化ランタン（ＬａＦ₃）とを含むグループから選択され、
    前記第１のサブエレメント及び前記第２のサブエレメントの厚さは、所与の傾斜角に対して、大きい方の屈折率を含むサブエレメントに、大きい方のリターデイションが生成されるように選択されることを特徴とする、複屈折リターデイション装置。
17. 少なくとも１つのリターデイション素子（４００、５００、７１０〜７６０、８００、９００、９５０）を含む複屈折リターデイション装置であって、前記リターデイション素子が、
    第１の光学結晶軸を持つ光学的に正の一軸性の結晶材料でできた第１のサブエレメント（４２０、５２０、７１１、７２１、７３１、７４１、７５２、７６１、８２０、９２０、９５１ｂ）と、
    第２の光学結晶軸を持ち、また、前記第１のサブエレメントの前又は後に、前記リターデイション素子の素子軸線に沿って配置されている光学的に負の一軸性の結晶材料でできた第２のサブエレメント（４３０、５３０、７１２、７２３、７３３、７４３、７５１、７６２、８１０、９１０、９５１ａ）と、
    を持ち、
    前記第１の光学結晶軸と前記第２の光学結晶軸がそれぞれ、前記光学系軸線（ＯＡ）に垂直な平面内に配置され、しかも、互いに０°±５°の角度をなして、又は、互いに９０°±５°の角度をなして配置され、
    前記光学的に正の一軸性の結晶材料がフッ化マグネシウム（ＭｇＦ₂）を含み、
    前記第１のサブエレメント及び前記第２のサブエレメントの厚さは、所与の傾斜角に対して、大きい方の屈折率を含むサブエレメントに、大きい方のリターデイションが生成されるように選択されることを特徴とする、複屈折リターデイション装置。
18. 照明装置（１０１）及び投影対物レンズ（１０２）を含み、また、前記照明装置（１０１）及び／又は前記投影対物レンズ（１０２）が、請求項１５ないし１７のいずれかに記載のリターデイション装置（１０７〜１０９）を持っていることを特徴とするマイクロリソグラフィ投影露光装置（１００）。
19. 感光材料でできている１層が少なくとも一部付けられている基板（１０５）を用意するステップと、
    複写される構成体を持つマスク（１０３）を用意するステップと、
    請求項１ないし１４のいずれかに記載の、又は請求項１８に記載の投影露光装置（１００）を用意するステップと、
    前記投影露光装置（１００）を用いて、前記層の１領域上に、前記マスク（１０３）の少なくとも一部として投影するステップと、
    を含むことを特徴とする、微細構造構成要素のマイクロリソグラフィ製造用のプロセス。

Images