KR20060045631A - 마이크로 리소그라피 투영노출장치의 광학장치 - Google Patents

마이크로 리소그라피 투영노출장치의 광학장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20060045631A
KR20060045631A KR1020050030424A KR20050030424A KR20060045631A KR 20060045631 A KR20060045631 A KR 20060045631A KR 1020050030424 A KR1020050030424 A KR 1020050030424A KR 20050030424 A KR20050030424 A KR 20050030424A KR 20060045631 A KR20060045631 A KR 20060045631A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
optical
birefringence
axis
crystal
projection exposure
Prior art date
Application number
KR1020050030424A
Other languages
English (en)
Other versions
KR101190438B1 (ko
Inventor
만프레트 마울
미카엘 토트체크
오라프 디트만
다미안 피올카
Original Assignee
칼 짜이스 에스엠테 아게
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 칼 짜이스 에스엠테 아게 filed Critical 칼 짜이스 에스엠테 아게
Publication of KR20060045631A publication Critical patent/KR20060045631A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101190438B1 publication Critical patent/KR101190438B1/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/7095—Materials, e.g. materials for housing, stage or other support having particular properties, e.g. weight, strength, conductivity, thermal expansion coefficient
    • G03F7/70958—Optical materials or coatings, e.g. with particular transmittance, reflectance or anti-reflection properties
    • G03F7/70966—Birefringence
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B13/00—Optical objectives specially designed for the purposes specified below
    • G02B13/14—Optical objectives specially designed for the purposes specified below for use with infrared or ultraviolet radiation
    • G02B13/143—Optical objectives specially designed for the purposes specified below for use with infrared or ultraviolet radiation for use with ultraviolet radiation
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00—Optical elements other than lenses
    • G02B5/30—Polarising elements
    • G02B5/3083—Birefringent or phase retarding elements
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/7055—Exposure light control in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. pulse length control or light interruption
    • G03F7/70566—Polarisation control

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Lenses (AREA)
  • Polarising Elements (AREA)

Abstract

예를 들어, 조명장치 또는 투사대물렌즈(10)를 구성하는 마이크로리소그라피 투사노출장치의 광학장치가 복굴절재료로 구성된 광학요소(L2,L3)를 포함한다. 선형편광된 광선들에 의해 형성된 투사광선빔(14)이 상기 광학요소(L2,L3)를 통과한다. 광선빔의 편광분포의 교란을 방지하기 위하여, 상기 재료에 입사되는 각 광선이 복굴절축에 대해 평행하거나 수직으로 편광되고 상기 복굴절축을 따라 재료의 굴절률이 각 광선에 대해 가장 크도록 상기 광학요소(L2,L3)를 구성하는 재료가 배열된다.

Description

마이크로 리소그라피 투영노출장치의 광학장치{OPTICAL SYSTEM OF A MICROLITHOGRAPHIC PROJECTION EXPOSURE APPARATUS}
도 1은 마이크로 리소그라피 (microlithographic ) 투영노출장치를 개략도시한 단면도.
도 2는 렌즈(L2)의 전방에서 투영광의 접선방향의 편광분포를 도시한 도면.
도 3은 결정방향이 도시될 때, CaF2 결정으로 제조된 두 개의 렌즈(L2, L3)들이 확대되시되고 도 1을 상세히 도시한 도면.
도 4는 틈새각(aperture angle) 및 방위각을 설명하기 위한 선도.
도 5는 도 3에 도시된 두 개의 렌즈(L2, L3)들의 조합에 의해 형성되는 복굴절 분포를 도시한 도면.
도 6은 서로 다르게 정렬된 결정구조를 가진 렌즈들 또는 유사하게 응력이 형성된 복굴절 수정유리에 의해 형성되는 복굴절 분포를 도시한 도면.
도 7은 렌즈(L2)의 전방에서 투영광선의 균일한 선형 편광분포를 도시한 도면.
도 8은 서로 다르게 정렬된 결정구조를 가진 두 개의 렌즈(L2, L3)들에 의해 각각 형성된 복굴절분포를 도시한 도면.
*부호설명*
14.....빔 15......조명장치
17....조명광학기구 26.....광학축
본 발명은 선형으로 편광된 광선들에 의해 형성된 투영광선빔(14)이 복굴절재료로 제조된 광학요소들을 통과하고 예를 들어, 조명장치 또는 투영대물렌즈장치와 같은 마이크로리소그라피 투영노출장치의 광학장치에 관한 것이다. 본 발명은 또한 투영광선빔의 주어진 편광분포내에서 복굴절광학요소가 형성하는 교란을 감소시키기 위한 방법에 관한 것이다.
광학복굴절은 이방성 굴절률을 가진 재료에 관한 것이다. 즉 상기 재료를 통과하는 광선에 대하여, 굴절률은 재료에 대한 방향 및 편광특성에 의존한다. 엄격한 의미에서 복굴절은 복굴절재료가 가지는 최대굴절률차이( Δ n )를 의미한다. 편광특성에 의존하는 굴절률에 기인하여, 비편광상태의 광선 빔은 일반적으로 광선빔이 복굴절재료에 입사할 때 서로 직교하는 선형의 편광특성을 가진 두 개의 빔성분들로 분리된다.
광학재료의 복굴절은 서로 다른 원인들을 가진다. 이방성 결정구조를 가진 재료에 대해 진성복굴절이 이용된다. 칼크스파(clacspar)와 같은 이방성 결정들이 상기 예로서 제공된다. 비결정선 재료들 및 등방성 결정구조를 가진 재료들이 광 학적으로 복굴절특성을 가진다. 상기 경우들에 있어서, 예를 들어, 외부에서 작용하는 기계적 하중, 전기장 또는 자기장에 기인한 범위가 작은 원자차수의 교란에 의해 상기 복굴절이 발생된다. 흔히 범위가 작은 차수의 교란원인이 중지될 때 상기 재료는 재료의 복굴절특성을 잃어 버린다. 예를 들어, 렌즈 장착부가 렌즈수용기능의 렌즈몸체위에서 기계적 하중을 제공하면, 상기 하중들은 응력에 의한 복굴절을 형성하고, 상기 렌즈장착부가 다시 제거될 때 상기 복굴절특성은 없어진다.
외부하중에 기인한 응력이 재료내에 유지되면, 응력은 영구적인 응력에 기인한 복굴절특성을 형성한다. 렌즈들 및 다른 굴절광학요소들의 생산을 위해 이용되는 수정유리 블랭크들이 응력에 기인한 영구적인 복굴절특성을 나타낸다. 일반적으로 상기 복굴절특성은 생산방법의 결과이며, 광선이 재료위에 충돌하는 위치에서 복굴절특성의 크기 및 방향에 대해 대략 회전대칭되는 의존성을 가진다. 상기 경우에 있어서, 일반적으로 광학요소의 중심으로 부터의 거리를 증가시키기 위해 복굴절의 크기는 증가한다. CaF2및 유사한 결정들이 가지는 복굴절특성과 대조적으로 상기 형태의 응력에 기인한 복굴절은 일반적으로 광선방향에 대해 독립적이다.
상기 형태의 복굴절이 허용될 수 없다면, 응력에 기인한 영구적인 복굴절이 매우 작은 블랭크가 이용될 뿐이다. 그러나 상기 블랭크는 일반적으로 매우 비싸다.
특히 193nm 또는 157nm와 같이 짙은 자외선(DUV)스펙트럼영역의 파장을 위해 설계된 마이크로리소 그라피 투영노출장치에서 상기 복굴절특성은 중요성을 가진 다. 상기 장치들이 대규모 집적회로 및 다른 마이크로구조 부품들의 리소그라피 생산을 위해 이용된다. 상기 목적을 위해, 조명장치로부터 투영광선이 구조체의 패턴(pattern)을 포함한 마스크(mask)를 향한다. 투영대물렌즈장치에 의해 마스크가 감광층위에 영상형성된다. 상기 층은 실리콘웨이퍼로서 제공되는 지지부위에 배열된다.
DUV투영광선을 위한 종래기술의 렌즈재료의 낮은 투명도에 기인하여 상기 투영노출장치내에서 CaF2 또는 예를 들어, BaF2 또는 Ca1-xBaxF2와 같은 입방결정재료가 다양한 정도로 이용되고 있다.
상기 결정들은 DUV 투영광선을 위해 충분히 투명하다. 그러나 상기 결정들은 상기 파장들에 대해 진성복굴절특성을 가진다. 투영대상렌즈장치내에서 복굴절특성이 발생되면, 적합한 대응수단을 고려되지 않을 때 감광층이 배열된 영상면내에서 허용할 수 없는 콘트라스트(contrast)손실이 발생한다.
특히 투영광선이 정확히 형성된 편광특성을 가지고 감광층에 도달할 때 상기 복굴절은 바람직하지 않는 효과를 가진다. 이것은 일반적으로 이전에 설정된 편광상태가 상기 복굴절에 의해 파괴되기 때문이다. 예를 들어, 선형으로 편광된 투영광선이 복굴절재료를 통과할 때 타원형으로 편광된 투영광선으로 변환된다.
CaF2 및 유사한 입방결정내에서 진성복굴절을 가능한 최소화하기 위하여, 적어도 대략 회전대칭을 이루는 복굴절의 방향분포를 형성하거나 심지어 복굴절결정들에 의해 형성되는 억제작용들이 서로 보상되도록 복수개의 결정들의 결정방향이 선택된다. 예를 들어, 상기 배열이 문헌 WO 02/093209 A2호에 설명된다.
그러나 심지어 결정방향들을 최적으로 선택하는 것에 의해 복굴절이 완전히 보상될 수 없다. 이것은 복굴절에 기이한 억제작용을 완전히 보상하기 위하여, 재료특성으로서 복굴절의 해당 크기 및 방향분포가 요구될 뿐만아니라 광학축에 대하여 결정내에서 광선들이 이동하는 기하학적 경로길이 및 각도에 관한 특정기준이 만족되어야 한다. 또한 완전한 보상이 가지는 문제점에 의하면, 고비용을 요구하는 다수의 CaF2 결정들이 필요하고, 예를 들어, [100]결정축들이 광학축과 평행하게 배열된다.
따라서 본 발명의 목적은 마이크로리소그라피 투영노출장치의 광학장치를 제공하여, 전달된 투영광선의 선형편향상태에 대해 진성 또는 유도된 복굴절이 가지는 불필요한 효과들이 바로 감소되는 것이다.
상기 목적을 위하여, 복굴절재료에 입사하는 각 광선이 복굴절축에 대해 평행하거나 수직으로 선형편광되고 각 광선에 대하여 복굴절축을 따라 복굴절재료의 굴절률이 가장 크게 형성된다.
본 발명에 의하면, 광학장치내에 포함된 광학요소들의 복굴절효과를 보상하는 것이 항상 필요한 것은 아니다. 종종 투영광선빔의 편광분포가 가능한 작게 교란되는 것이 중요하다. 본 발명에 의하면, 편광분포에 대하여 복굴절재료를 단지 적합하게 배열하여 상기 목적이 달성될 수 있다. 재료를 통과하는 모든 광선들에 대해 광선들의 편광방향이 복굴절의 방향 즉 완만한 축 또는 급한 축에 대해 평행하거나 수직으로 배열되도록 상기 배열이 제공된다. 상기 배열에 의하면, 모든 광선들은 재료내에서 분균일한 전파속도들을 가진 채 서로 다른 편광성분들을 가지지 못한다. 그 결과 편광분포의 교란들이 임의적인 배열에 의해 발생할 때 불필요한 교란이 방지된다.
본 발명을 따르는 배열은 모든 광선들이 항상 재료내에서 동일속도로 전파되는 것을 의미하지 않는다. 그러나 실제로 편광분포가 본 발명의 특성을 유지하기 위해 동일속도의 전파가 필요하지는 않다.
재료의 배열을 위해 광선들은 종종 단지 복굴절재료의 체적 또는 복수개의 매우 작은 체적들을 통과한다는 사실을 고려할 수 있다. 예를 들어, 동공면과 근접하게 위치한 조명장치의 광학요소들내에서 투영광선은 오직 복수개의 개별분리영역들 또는 원형영역을 이동할 수 있다. 재료의 배열을 위하여, 투영광선이 실제로 재료를 통과하는 영역들에서만 복굴절축을 고려할 수 있다. 응력에 기인한 복굴절현상은 광선의 방향이 아니라 광선이 재료에 충돌하는 위치에 의존하기 때문에, 상기 고려는 응력에 기인한 복굴절현상에 대해 중요하다. 진성의 복굴절재료에 대하여, 복굴절은 상기 위치와 독립적이어서, 투영광선이 통과하는 체적에 대한 제한은 서로 다른 결과를 제공하지 못한다.
재료를 통과하는 광선들은 재료의 완만한 축에 대해 가능한 정확히 평행하거나 수직으로 편광되는 것이 선호된다. 경미한 편차가 편광상태를 악화시키지 않는다. 완만한 복굴절축의 배열이 각 광선의 편광방향에 대해 평행할 때, 재료를 통 과한 광선이 각 복굴절축으로부터 15°이하 또는 5°이하의 값으로 벗어나는 편광방향을 가지면, 복굴절재료에 기인한 교란효과는 무시될 수 있다.
재료를 통과하는 광선들에 대하여 광선의 편광방향이 완만한 복굴절축에 대해 수직으로 배열되도록 재료가 배열될 때, 재료를 통과한 광선들이 각 복굴절축으로부터 75°보다 크고 105°보다 작거나 85°보다 크고 95°보다 작은 값만큰 벗어나는 편광방향을 가지면, 교란효과는 무시할 수 있을 정도로 작게 유지된다.
예를 들어, 광학요소를 통과하는 모든 광선들의 진동평면이 적어도 서로에 대해 평행하도록 편광빔내부의 편광분포가 배열될 수 있다. 선형의 균일한 편광작용에 의하여, 모든 광선들에 대해 완만한 복굴절축은 편광방향에 대해 평행하거나 수직으로 배열되도록 재료가 배열되어야 한다.
예를 들어, 상기 배열을 위하여 입방결정선재료는 CaF2 또는 BaF2 또는 Ca1-xBaxF2를 가지고, [110] 결정축이 광학장치의 광학축을 따라 향하도록 재료들이 배열된다. 특히 40°이하 또는 20°이하 또는 10°이하의 작은 각이 선호되는 틈새각에 있어서, 상기 결정방향에 대한 복굴절분포는 대략 선형이고 균일하게 형성된다.
투영노출장치내에서 접선방향 또는 반경방향의 편광이 종종 바람직하다. 접선방향의 편광에 의하여, 광학요소를 통과하는 모든 광선들의 진동평면들이 광학장치의 광학축 및 광선의 전파방향에 의해 형성된 평면에 대해 수직으로 배열된다. 반경방향의 편광에 의하여 진동평면들은 반경방향에 수직으로 즉 상기 평면에 대해 평행하게 연장된다.
이 경우 편광분포에 관한 복굴절의 교란효과를 감소시키기 위하여, 광학요소를 위한 재료 특히 CaF2 또는 BaF2 또는 Ca1-xBaxF2와 같은 재료로서 입방결정이 이용되고, [100]결정축이 광학축에 대해 평행하게 연장구성되도록 재료가 배열된다. 복굴절분포가 결정방향과 회전대칭이 아니더라도 복굴절분포는 대략 접선방향으로 제공되어, 개별 광선들의 편광분포에 대해 완만한 복굴절축들이 평행하게 배열된다.
입방결정으로 구성된 적어도 두 개의 요소들에 의해 상기 광학요소가 형성되면, 반경방향 또는 접선방향 반드시 회전대칭은 아닌 복굴절분포가 형성되고, 적어도 두 개의 상기 요소들의 전체적인 복굴절방향분포가 광학장치의 광학축에 대해 반경방향 또는 접선방향으로 배열되도록 상기 요소들의 결정들이 배열된다.
회전대칭을 이루는 접선방향의 복굴절분포를 형성하기 위하여, [100]결정축들이 광학축에 대해 평행하고 45° 또는 45°의 홀수배의 각도만큼 서로 회전되도록 결정의 격자들이 배열된 결정들로 형성된 두 개의 요소들이 선택된다. 결과적으로 형성된 복굴절분포에서, 완만한 복굴절축은 광학축에 대해 회전대칭이고 접선방향으로 연장구성된다.
반경방향으로 연장되는 완만한 축에 의해 회전대칭의 복굴절분포를 형성하기 위하여, [111] 결정축들이 광학축에 대해 평행하고 광학축에 대해 60° 또는 60°도의 홀수배의 각도만큼 서로 회전되도록 결정들의 결정격자들이 배열되고, 결정격 자들을 가진 두 개의 요소들을 이용하여 광학요소가 형성된다. 광학축을 따라 구성된 [100] 결정축들을 가진 고가의 CaF2 결정들이 불필요하다.
다수의 광학요소들은 예를 들어, 진성복굴절을 가지지 않지만 대신에 영구적으로 응력에 기인한 복굴절을 나타내는 수정유리들로 구성된다. 현재의 복굴절방향분포가 광학장치의 광학축에 대하여 반경방향 또는 접선방향으로 배열되도록 상기 재료가 배열되면, 응력에 기인한 복굴절 광학요소는 접선방향 또는 반경방향의 편광분포를 교란하지 않는다.
첨부된 도면들을 참고하여 하기 상세한 설명에 의해 본 발명의 다양한 특징들 및 장점들이 이해된다.
도 1은 마이크로 리소그라피(microlithogaphy) 투영노출장치를 개략도시한 도면이고 상기 투영노출장치가 PEA로 표시된다. 상기 투영노출장치는 투영광선 빔(beam)(14)을 발생시키기 위한 조명장치(15)를 가진다. 도시된 실시예에서, 투영광의 파장은 λ= 193nm 이다. 조명장치(15)는 광원(16) 및 조명광학기구(17) 및 조리개(18)를 포함한다. 상기 조영광학기구(17)에 의해 서로 다른 조명각분포가 설정될 수 있다. 상기 목적을 위하여, 조명장치는 예를 들어, 교체가능한 회절성의 광학요소들 또는 마이크로렌즈 배열을 포함한다. 상기 조명광학기구(17)은 또한 액시콘(axicon)요소들을 포함하고, 상기 액시콘요소들은 광학축(26)을 따라 이동하도록 액시콘요소들이 배열된다. 예를 들어, 문헌 제 6 285 443 A호에 상기 조 명광학기구가 종래기술로서 공개되기 때문에 본 출원에서 상세히 설명하지 않는다.
투영노출장치는 또한 복수개의 렌즈들을 포함한 투영대물렌즈장치(10)를 포함한다. 도 1에 있어서, 이해를 위해 단지 일부 렌즈(L1 내지 L7)들이 표시된다. 투영대물렌즈장치(10)의 대물렌즈평면(OP)내에 배열된 마스크(11)의 축소된 영상을 감광층(12)위에 투영하기 위해 상기 투영대물렌즈장치(10)가 이용되고, 예를 들어, 상기 감광층은 웨이퍼(13)에 부착된 포토레지스트(photoresist)이고 투영대물렌즈장치(10)의 영상평면(IP)내에 배열된다.
조명장치(15)에 의해 형성된 투영광선 빔(14)이 접선방향으로 편광된다. 접선방향의 편광상태에서 투영광선 빔(14)의 광선들이 편광방향에 의해 선형으로 편광되고, 광학축(26)에 의해 형성된 평면 및 각 광선의 전파방에 대해 수직으로 상기 편광방향이 연장된다. 상기 편광방향은 전기장벡터가 진동하는 방향을 의미한다. 전파방향과 함께, 상기 벡터가 각 광선의 진동평면을 형성한다.
도 2를 참고할 때, 가상평면(28)내에서 투영광선빔(14)의 접선방향 편광분포가 개략적으로 도시되고, 상기 가상평면은 렌즈(L2)의 전방에 배열되며 광학축(26)에 대해 수직으로 연장된다. 광선 빔의 (이중화살표(30)로 도시된 )편광방향들은 광학축(26)에 대해 접선방향으로 연장구성된다.
광선빔들이 감광층(12)과 충돌할 때 투영광선빔(14)을 형성하는 광선빔들이 입사각에 대해 수직으로 (s- 편광) 편광되기 때문에, 수직방향의 상기 편광은 특히 유리하다. 따라서 감광층(12)위에 형성되는 원하는 간섭현상은 다양한 회절차수가 감광층(12)에 형성하는 각도와 무관한다. 그러나 서로 다른 회절차수들은 서로 다른 편광방향을 가지기 때문에 투영광선이 입사평면에 대해 평행하게 (p- 편광)편광된 투영광선을 상기 회절차수들이 간섭할 수 없다.
접선방향의 편광형성은 종래기술에 공지되어 있다. 예를 들어, 문헌 제 2002/0126380 A호에 공개된 편광회전장치가 이용될 수 있다. 상기 장치가 반경방향의 편광 광선을 발생시킨다. 적합한 방향의 반파(half-wave)평면들내에서 편광방향을 90°회전시켜서 상기 편광광선이 접선방향으로 편광된 광선으로 변환된다. 접선방향의 편광을 형성하기 위한 상기 장치가 조명장치(15)내에 배열되고, 상기 장치들이 투영노출장치내에서 다른 위치내에 선택적으로 배열될 수 있다.
투영광선빔(14)이 투영대물렌즈장치(10)를 통과할 때 투영광선 빔(14)의 접선방향 편광(도 2를 참고)을 유지하기 위하여, 광선빔들의 편광상태를 상당히 변화시키는 광학요소들이 상기 투영대물렌즈장치내에 포함되지 않아야 한다. 예를 들어, 상기 변화는 복굴절요소들에 의해 형성된다.
투영대물렌즈장치(10)의 렌즈(L2, L3)들은 CaF2 결정으로 제조된다. 상기 결정들은 단파 UV 광선에 대해 따라서 193nm의 파장을 가진 본 실시예의 투영광선을 위해 진성 복굴절특성을 가진다.
도 3을 참고할 때, 두 개의 렌즈(L2, L3)들이 확대도시되고, 결정격자들의 방향이 삼방향으로 도시된다. 렌즈를 구성하는 상기 CaF2 의 결정들이 광학축(26)에 대해 배열되어, 결정들의 결정축 [100] 들이 [100]2 및 [100]3 으로 표시되고, 각각 투영대물렌즈장치(10)의 광학축(26)에 대해 평행하게 배열된다. 또한 도 3의 화살표로 도시된 것과 같이 결정격자들이 결정축 [100]주위에서 약 45°만큼 서로 회전된다.
문헌 WO 02/093209 호에 설명된 것과 같이, 결정격자의 상기 배열은 도 4에 도시된 것과 같이 회전대칭의 복굴절을 형성한다. 도 4의 선들은 광선에 대한 크기 및 방향을 표시하고 틈새각 (θ ) 및 방위각 (α ) 으로 정의되며, 상기 각도들에 의해 광선은 렌즈(L2)와 충돌한다. 도 5를 참고할 때, 틈새각( θ )은 광학축(26)과 일치하는 z축 및 광선방향사이의 각도를 나타낸다. 방위각( α )은 x-y 평면에 대한 광선의 투영 및 기준방향으로서 z축사이에 형성된 각도이다.
도 4에 도시된 선들의 길이는 복굴절의 크기 Δ n ( θ,α ) 즉 최대 굴절률 차이에 대해 비례한다. 기하학적으로 선들의 길이는 굴절률 타원면을 통해 타원부분의 주축길이의 차이를 나타내고, 선들의 방향은 타원부분의 상대적으로 더 긴 주축의 방향을 나타낸다. 광선방향에 대해 수직이고 굴절률 타원면의 중심을 포함하는 평면에 의해 방향 ( θ,α )을 가진 관련 광선을 위해 타원부분이 굴절률타원면을 절단하여 구해진다.
도 4를 참고할 때, 결과적으로 형성된 복굴절 분포 Δ n (θ,α) 는 도 3에 도시된 것과 같이 결정격자들의 배열과 회전대칭을 형성한다. 완만한 복굴절축들 즉, 타원부분의 상대적으로 더 긴 주축들이 접선방향으로 연장구성되고, 상기 주축을 따라 결정의 굴절률이 광선에 대해 가장 크다.
도 4에 도시된 것과 같이 전체 복굴절률 분포를 형성하는 렌즈(L2, L3)들의 개별 복굴절률들의 중첩은 단지 (a)두 개의 렌즈(L2, L3)들의 광선들이 동일한 각으로 전달되고 (b) 동일한 기하학적 경로를 이동할 때에만 적용될 수 있다. 상기 조건은 동일한 두께를 가진 평면-평행한 평판들에 대해 충족된다. 두 개의 렌즈들이 상대적으로 작은 굴절력을 가지기 때문에 상기 조건은 아직까지 대략적으로 도 3에 도시된 렌즈(L2, L3)들에 대해 적용된다.
도 2에서 개략도시된 접선방향의 편광기능을 가진 투영광선 빔(14)이 렌즈(L2, L3)들과 충돌하면, 각각의 광선 빔에 대하여 광선빔의 편광방향은 (도 4에서 서로 다른 길이 및 방향을 가진 선들로 도시되고 ) 각각의 광선빔에 대해 적용될 수 있는 완만한 복굴절 축방향과 대략적으로 평행하다. 상기 효과에 의하면, 각각의 광선빔에 대하여 CaF2 결정들이 편광에 대해 독립적이지만 방향에 의존하는 굴절률을 가진 한 개의 재료로 구성된다. 따라서 서로 다른 광선빔의 편광요소들이 결정내에서 서로 다른 속도로 전파될 때 발생할 수 있는 불필요한 편광교란이 형성되지 않는다.
예를 들어, 구형 또는 비구형 표면을 가진 투명 보상요소를 이용하여 상대적으로 큰 틈새각 (θ )보다 작은 틈새각 (θ )에 대해 굴절률이 더 완만하다는 사실이 보상될 수 있고 또한 상기 비구면은 굴절률 프로파일에 기인하여 광학경로의 이탈을 보상한다. 그러나 복굴절 또는 다른 렌즈들이 장치내에 제공될 때 수정된 굴절률프로파일이 고려된다.
상기 [100] 결정축이 광학축을 따라 배열되면 CaF2 결정의 복굴절분포가 회전대칭이 아닐지라도, 완만한 복굴절축은 대략 접선방향으로 연장구성되지 못한다. 따라서 심지어 각각의 렌즈(L2, L3)들에 대해 접선방향으로 편광된 입사광선들의 편광방향이 결정내에서 완만한 복굴절축에 대해 평행하다. 두 개의 렌즈(L2, L3)들의 조합을 통과할 때뿐만아니라 각 개별렌즈를 통과할 때에도 광선의 편광상태는 불변상태를 유지한다. 광선(32)에 대해 상기 설명이 도 3에 제시되고, 광선(32)의 전파방향 및 광학축(26)에 의해 형성되는 평면(즉 도 3에서 도면의 평면)에 대해 수직으로 연장구성되는 편광방향이 점(33)에 의해 표시된다.
그러나 두 개의 렌즈(L2, L3)들의 조합이 가지는 장점에 의하면, 전체적으로 회전대칭을 이루는 복굴절분포가 구해진다. 접선방향으로 편광된 투영광선 빔(14)에 대해 상기 조합없이 각각의 렌즈(L2, L3)들이 틈새각(θ )에서 4중 균형상태에 의존하는 굴절률 프로파일을 가질 수 있다. 4중 특성은 개별 결정들과 관련된 복굴절분포의 4중특성에 의해 형성된다. 서로 회전되는 결정방향에 기인하여, 전체적으로 회전대칭되는 복굴절률 프로파일을 두 개의 렌즈(L2, L3)들에 제공하기 위하여 각각의 4중 복굴절률 프로파일이 중첩된다.
그러나 완만한 복굴절 축들이 광선들의 편광방향에 대해 평행하지 않고 수직으로 배열되면 투영광선빔(14)의 접선방향 편광상태는 불변상태를 유지한다.
도 6에 도시된 복굴절분포 Δ n (θ,α)를 참고하여 상기 구성이 설명된다. 도 4와 유사하게 광선이 틈새각(θ ) 및 방위각(α )을 가지고 복굴절결정과 충돌할 때 광선이 운동하는 완만한 복굴절 축의 방향이 도 6에서 선들의 방향으로 도시된다. 도 4의 경우와 대조적으로 완만한 복굴절축들은 광학축(26)에 대해 접선방향이 아니라 반경방향으로 연장구성된다. 이 경우 접선방향으로 편광된 광선들의 편광방향은 완만한 복굴절축이 아니라 급한 복굴절축에 대해 평행하고, 상기 급한 복굴절축은 완만한 복굴절축과 수직으로 배열된다. 이 경우 재료내에서 서로 다른 굴절률을 경험하고 따라서 편광상태의 변화를 초래하는 편광요소들을 개별 광선들이 포함하지 않는다.
예를 들어, 두 개의 CaF2 결정들이 광학축(26)에 평행하게 배열된 결정축[111]들과 정렬되지만 광학축(26)주위에서 60° 또는 60°의 홀수배만큼 서로 회전될 때 도 6에 도시되고 회전대칭인 반경방향의 복굴절분포가 구해진다.
도 6에 도시된 것과 같이, 복굴절특성을 가지고 대략 회전대칭인 반경방향 복굴절 분포가 진성의 복굴절특성을 가지지 않지만 대신에 응력에 의한 복굴절특성을 나타내는 재료내에서 종종 나타난다. 상기 재료의 예로서 렌즈생산을 위한 수정유리 블랭크들이 제공된다. 이 경우 복굴절특성은 입사광선들의 방향이 아니라 광선이 재료에 충돌하는 위치에 의존한다. 적어도 대략적으로 반경방향이고 회전대칭인 복굴절분포가 일반적으로 생산작업과 관련되고, 일단 발생되면 입방 결정선을 가진 재료들내에서 진성복굴절에 대해 유사한 방법으로 보상된다. 블랭크가 가지는 응력에 의한 복굴절특성이 매우 작은 블랭크를 이용할 수 있지만 상기 블랭크들은 매우 비싸다.
영구적인 응력 복굴절특성을 가진 블랭크(blank)가 선택되지만 상기 복굴절이 적어도 양호하게 근사화되어 회전대칭인 반경방향 또는 접선방향을 향하고 국소적으로 변화하는 복굴절분포를 가지면, 투영광선빔(14)의 접선방향 편광상태를 변동시키지 않고도 상기 블랭크가 이용될 수 있다. 단지 복굴절의 대칭축이 광학축 과 동축으로 연장되는 것이 필요하다.
조명장치가 도 2에 도시된 접선방향의 편광분포를 가진 광선이 아니라 반경방향의 편광분포를 가진 광선을 발생시키는 경우에 있어서, 상기 동일한 수단에 의해 편광상태의 변화가 방지될 수 있다. 즉 접선방향의 편광분포 및 반경방향의 편광분포내에서 편광방향들이 서로 수직으로 배열된다. 결과적으로 접선방향의 편광분포내에서 편광방향들이 완만한 복굴절축에 대해 평행할 때마다, 반경방향의 편광분포내에서 편광방향들이 급한 복굴절축에 대해 평행하다. 이 경우 편광상태가 복굴절에 의해 교란되지 않는다.
평면(28)내에 형성되는 편광분포는 접선방향으로 형성되는 것이 아니라 균일하게 형성된다. 이 경우 상기 평면(28)을 통과하는 투영광선빔(14)의 모든 광선들이 동일한 편광특성을 가진다. 상기 특성이 도 7에서 이중화살표(30')로 표시된다.
진성 복굴절재료를 통과할 때 상기 편광분포를 유지하기 위하여 편광방향(30')이 완만하거나 급한 복굴절축에 대해 평행하게 연장구성되도록 상기 재료가 배열되어야 한다.
도 8을 참고할 때, CaF2 결정으로 구해지는 복굴절분포 Δ n' ( θ,α)가 도시되고, 결정의 결정축[110]은 광학축(26)을 따라 배열된다. 상기 복굴절분포 Δn' (θ,α)내에서, 완만한 복굴절축이 대략 모든 광선들에 대해 동일하다는 사실을 감안할 때 복굴절분포가 적어도 상대적으로 작은 틈새각(θ )에 대해 균일하다. 도 8에서, 임계각(θth )에 해당하는 반경을 가진 원(34)은 복굴절분포가 대략 균일한 영역을 나타낸다.
도 8에 도시된 복굴절분포를 가진 진성 복굴절 결정에 의해 도 7에 도시된 균일상태의 복굴절분포를 교란하는 것을 회피하기 위하여, 결정은 광학축(26)주위에서 회전되어, 완만한 복굴절축들이 투영광선빔(14)의 편광방향에 대해 평행하거나 수직으로 배열된다. 상기 목적을 위하여, 예를 들어, 결정으로 구성된 광학요소가 장착부내에 고정되고, 회전기구를 위하여 상기 장착부는 광학요소(26)가 광학축(26)주위에서 회전할 수 있게 한다.
정해진 복굴절분포를 가진 복굴절 광학요소의 상기 배열이 투영노출장치의 투영대물렌즈 뿐만아니라 조명장치내에서 이용될 수 있다. 본 발명은 광선들이 접선방향 또는 반경방향으로 선형편광되거나 균일하게 편광되는 상기 복굴절분포에 국한되지 않는다.
또한 CaF2 대신에 BaF2 와 같은 다른 입방결정선 재료들을 이용할 수 있다. CaF2 와 비교할 때, 상기 BaF2 에서 완만한 복굴절축 및 급한 복굴절축이 역전되지만, 상기 배열이 이용될 때 전달된 투영광선의 편광상태를 변화시키지 않는다.

Claims (22)

  1. 선형으로 편광된 광선들에 의해 형성된 투영광선빔(14)이 복굴절재료로 제조된 광학요소(L2, L3)들을 통과하는 마이크로리소그라피 투영노출장치의 광학장치에 있어서,
    상기 복굴절재료에 입사하는 각 광선이 복굴절축에 대해 평행하거나 수직으로 선형편광되고 각 광선에 대하여 복굴절축을 따라 복굴절재료의 굴절률이 가장 큰 것을 특징으로 하는 마이크로리소그라피 투영노출장치의 광학장치.
  2. 제 1 항에 있어서, 재료에 입사되는 각 광선은 15°이하 또는 5°이하의 각도로 각 복굴절축으로부터 벗어나는 편광방향(30, 30')을 가지는 것을 특징으로 하는 마이크로리소그라피 투영노출장치의 광학장치.
  3. 제 1 항에 있어서, 재료에 입사되는 각 광선은 75°보다 크고 105°보다 작거나 85°보다 크고 95°보다 작은 각으로 각 복굴절축으로부터 벗어나는 편광방향(30, 30')을 가지는 것을 특징으로 하는 마이크로리소그라피 투영노출장치의 광학장치.
  4. 전항들중 한 항에 있어서, 광학요소(L2, L3)들에 입사되는 모든 광선들의 진동평면들이 적어도 서로에 대해 평행한 것을 특징으로 하는 마이크로리소그라피 투 영노출장치의 광학장치.
  5. 제 4 항에 있어서, 재료는 입방결정 CaF2 또는 BaF2 또는 Ca1-xBaxF2를 가지고, [110] 결정축이 광학장치(10)의 광학축(26)을 따라 향하도록 재료가 배열되는 것을 특징으로 하는 마이크로리소그라피 투영노출장치의 광학장치.
  6. 제 5 항에 있어서, 결정에 입사하는 광선들은 광학축(26)에 대해 40°이하이거나 20°이하이거나 10°이하인 틈새각을 형성하는 것을 특징으로 하는 마이크로리소그라피 투영노출장치의 광학장치.
  7. 제 1항내지 제 3항중 한 항에 있어서, 광학요소(L2, L3)를 입사하는 모든 광선들의 진동평면이 광학장치(10)의 광학축(26) 및 각 광선의 전파방향에 의해 형성되는 평면에 대해 수직이거나 평행하게 배열되는 것을 특징으로 하는 마이크로리소그라피 투영노출장치의 광학장치.
  8. 제 7 항에 있어서, 재료는 [100]결정축이 광학축(26)에 대해 평행하게 연장구성되도록 배열된 입방결정 CaF2 또는 BaF2 또는 Ca1-xBaxF2를 가지는 것을 특징으로 하는 마이크로리소그라피 투영노출장치의 광학장치.
  9. 제 7 항에 있어서, 입방결정 CaF2 또는 BaF2 또는 Ca1-xBaxF2로 구성된 적어도 두 개의 부요소들에 의해 광학요소(L2, L3)가 구성되고, 적어도 두 개의 부요소들이 가지는 결정들의 전체 복굴절방향분포가 광학장치(10)의 광학축(26)에 대해 반경방향 또는 접선방향으로 배열되도록 적어도 두 개의 부요소들이 구성되는 것을 특징으로 하는 마이크로리소그라피 투영노출장치의 광학장치.
  10. 제 9 항에 있어서, 방향분포가 적어도 회전대칭이 되도록 결정들이 배열되는 것을 특징으로 하는 마이크로리소그라피 투영노출장치의 광학장치.
  11. 제 10 항에 있어서, 광학요소가 제 1 요소(L2) 및 제 2 요소(L3)를 가지고, 상기 요소들이 결정들을 가지며, [100] 결정축들이 광학축(26)에 대해 평행하고 광학축(26)에 대해 45° 또는 45°도의 홀수배의 각도로 서로 회전되도록 결정들의 결정격자들이 배열되는 것을 특징으로 하는 마이크로리소그라피 투영노출장치의 광학장치.
  12. 제 10 항에 있어서, 광학요소가 제 1 요소 및 제 2 요소를 가지고, 상기 요소들이 결정들을 가지며, [111] 결정축들이 광학축(26)에 대해 평행하고 광학축(26)에 대해 60° 또는 60°도의 홀수배의 각도로 서로 회전되도록 결정들의 결정격자들이 배열되는 것을 특징으로 하는 마이크로리소그라피 투영노출장치의 광학장 치.
  13. 제 7 항에 있어서, 복굴절방향분포에 따라 응력에 의한 복굴절특성을 가진 재료에 의해 광학요소가 구성되고, 상기 복굴절방향분포가 광학장치(10)의 광학축(26)에 대해 반경방향 또는 접선방향으로 배열되는 것을 특징으로 하는 마이크로리소그라피 투영노출장치의 광학장치.
  14. 전항들중 한 항에 있어서, 광학장치가 마스크(11)를 조명하기 위한 조명장치(15)인 것을 특징으로 하는 마이크로리소그라피 투영노출장치의 광학장치.
  15. 제 1항내지 제 13항중 한 항에 있어서, 상기 광학장치가 마스크(11)내에서 감광층(12)위에 구속된 영상구조체를 위한 투영대물렌즈장치(10)인 것을 특징으로 하는 마이크로리소그라피 투영노출장치의 광학장치.
  16. 마이크로리소그라피 투영노출장치내에서 복굴절 광학요소(L2, L3)가 투영광선빔(14)의 정해진 편광분포위에 작용하는 교란들을 감소시키기 위한 방법에 있어서,
    상기 광학요소(L2, L3)를 구성하는 재료에 입사하는 각 광선이 복굴절축에 대해 평행하거나 수직으로 선형편광되고, 각 광선에 대하여 복굴절축을 따라 상기 재료의 굴절률이 가장 크도록 상기 재료가 배열되는 것을 특징으로 하고 교란들을 감소시키기 위한 방법.
  17. 제 16 항에 있어서, 정해진 편광분포에 의해, 광학요소에 유입된 모든 광선들의 진동평면들이 투영노출장치의 광학축(26)에 의해 형성되는 평면 및 각 광선의 전파방향에 대해 수직이거나 평행한 것을 특징으로 하는 교란들을 감소시키기 위한 방법.
  18. 제 17 항에 있어서, 재료가 입방결정 CaF2 또는 BaF2 또는 Ca1-xBaxF2로 구성되고, [100] 결정축이 광학축(26)에 대해 평행하게 연장되도록 상기 입방결정이 배열되고, 편광분포의 교란을 감소시키기 위해 결정이 광학축(26)주위에서 회전되는 것을 특징으로 하는 교란들을 감소시키기 위한 방법.
  19. 제 16항내지 제 18항중 한 항에 있어서, 재료의 배열을 결정할 때, 광선들이 재료를 통과하는 위치들이 고려되는 것을 특징으로 하는 교란들을 감소시키기 위한 방법.
  20. 제 19 항에 있어서, 재료가 응력에 의한 복굴절특성을 가지는 것을 특징으로 하는 교란들을 감소시키기 위한 방법.
  21. a) 감광재료의 층(12)을 지지하는 지지부(13)를 제공하고,
    b) 영상형성되는 구조체들을 포함한 마스크(11)를 제공하며,
    c) 제 1 항내지 제 15항중 한 항에 따라 광학장치(10)를 포함한 투영노출장치를 이용하여 적어도 일부분의 마스크(11)를 상기 층(12)위에 투영하는 단계로 구성된 마이크로구조의 부품들을 마이크로리소그라피 생산을 위한 방법.
  22. 제 21 항의 방법에 의해 생산되는 마이크로구조의 부품.
KR1020050030424A 2004-04-14 2005-04-12 마이크로 리소그라피 투영노출장치의 광학장치 KR101190438B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US56206004P 2004-04-14 2004-04-14
US60/562,060 2004-04-14

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20060045631A true KR20060045631A (ko) 2006-05-17
KR101190438B1 KR101190438B1 (ko) 2012-10-11

Family

ID=34934415

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020050030424A KR101190438B1 (ko) 2004-04-14 2005-04-12 마이크로 리소그라피 투영노출장치의 광학장치

Country Status (4)

Country Link
US (1) US20050243222A1 (ko)
EP (1) EP1586946A3 (ko)
JP (1) JP4880915B2 (ko)
KR (1) KR101190438B1 (ko)

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7423727B2 (en) * 2005-01-25 2008-09-09 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US20060198029A1 (en) * 2005-03-01 2006-09-07 Karl-Heinz Schuster Microlithography projection objective and projection exposure apparatus
US7764427B2 (en) * 2006-02-21 2010-07-27 Carl Zeiss Smt Ag Microlithography optical system
US8023104B2 (en) * 2007-01-22 2011-09-20 Carl Zeiss Smt Gmbh Microlithographic projection exposure apparatus
JP5480151B2 (ja) * 2007-11-08 2014-04-23 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． リソグラフィ投影装置および摂動因子を補償する方法
DE102008054683A1 (de) 2008-03-13 2009-09-17 Carl Zeiss Smt Ag Optisches System einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage, sowie Verfahren zum Manipulieren der Abbildungseigenschaften eines optischen Systems
DE102012200368A1 (de) * 2012-01-12 2013-07-18 Carl Zeiss Smt Gmbh Polarisationsbeeinflussende optische Anordnung, insbesondere in einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage
CN104049473B (zh) * 2014-07-01 2016-01-20 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 一种径向抽拉式结构的物镜保护窗口
DE102017115262B9 (de) * 2017-07-07 2021-05-27 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zur Charakterisierung einer Maske für die Mikrolithographie

Family Cites Families (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2894808B2 (ja) * 1990-07-09 1999-05-24 旭光学工業株式会社 偏光を有する光学系
JP2796005B2 (ja) * 1992-02-10 1998-09-10 三菱電機株式会社 投影露光装置及び偏光子
US6285443B1 (en) * 1993-12-13 2001-09-04 Carl-Zeiss-Stiftung Illuminating arrangement for a projection microlithographic apparatus
DE19520563A1 (de) * 1995-06-06 1996-12-12 Zeiss Carl Fa Beleuchtungseinrichtung für ein Projektions-Mikrolithographie-Gerät
DE19535392A1 (de) * 1995-09-23 1997-03-27 Zeiss Carl Fa Radial polarisationsdrehende optische Anordnung und Mikrolithographie-Projektionsbelichtungsanlage damit
US6201634B1 (en) * 1998-03-12 2001-03-13 Nikon Corporation Optical element made from fluoride single crystal, method for manufacturing optical element, method for calculating birefringence of optical element and method for determining direction of minimum birefringence of optical element
US6067311A (en) * 1998-09-04 2000-05-23 Cymer, Inc. Excimer laser with pulse multiplier
WO2001001182A1 (en) * 1999-06-25 2001-01-04 Corning Incorporated Birefringence minimizing fluoride crystal optical vuv microlithography lens elements and optical blanks therefor
WO2001057483A1 (en) * 2000-02-01 2001-08-09 American Holographic, Inc. Holographic grating spectrum analyzer
DE10010131A1 (de) * 2000-03-03 2001-09-06 Zeiss Carl Mikrolithographie - Projektionsbelichtung mit tangentialer Polarisartion
JP2004526331A (ja) * 2001-05-15 2004-08-26 カール・ツアイス・エスエムテイ・アーゲー フッ化物結晶レンズを含む対物レンズ
DE10124566A1 (de) * 2001-05-15 2002-11-21 Zeiss Carl Optisches Abbildungssystem mit Polarisationsmitteln und Quarzkristallplatte hierfür
DE10124803A1 (de) * 2001-05-22 2002-11-28 Zeiss Carl Polarisator und Mikrolithographie-Projektionsanlage mit Polarisator
US6683710B2 (en) * 2001-06-01 2004-01-27 Optical Research Associates Correction of birefringence in cubic crystalline optical systems
US20030011893A1 (en) * 2001-06-20 2003-01-16 Nikon Corporation Optical system and exposure apparatus equipped with the optical system
US6831731B2 (en) * 2001-06-28 2004-12-14 Nikon Corporation Projection optical system and an exposure apparatus with the projection optical system
DE10133841A1 (de) * 2001-07-18 2003-02-06 Zeiss Carl Objektiv mit Kristall-Linsen
DE10162796B4 (de) * 2001-12-20 2007-10-31 Carl Zeiss Smt Ag Verfahren zur Optimierung der Abbildungseigenschaften von mindestens zwei optischen Elementen sowie photolithographisches Fertigungsverfahren
US6965484B2 (en) * 2002-07-26 2005-11-15 Massachusetts Institute Of Technology Optical imaging systems and methods using polarized illumination and coordinated pupil filter
KR20050057110A (ko) * 2002-09-03 2005-06-16 칼 짜이스 에스엠테 아게 복굴절 렌즈를 구비한 대물렌즈
JP4189724B2 (ja) * 2002-09-09 2008-12-03 株式会社ニコン 露光装置および露光方法
JP2004172328A (ja) * 2002-11-20 2004-06-17 Nikon Corp 投影光学系、投影光学系の調整方法、投影光学系の製造方法、露光装置及び露光方法
DE10302765A1 (de) * 2003-01-24 2004-07-29 Carl Zeiss Smt Ag Optische Anordnung mit Linse aus einachsig doppelbrechendem Material
US6943941B2 (en) * 2003-02-27 2005-09-13 Asml Netherlands B.V. Stationary and dynamic radial transverse electric polarizer for high numerical aperture systems
US6970233B2 (en) * 2003-12-03 2005-11-29 Texas Instruments Incorporated System and method for custom-polarized photolithography illumination

Also Published As

Publication number Publication date
JP4880915B2 (ja) 2012-02-22
EP1586946A3 (en) 2007-01-17
EP1586946A2 (en) 2005-10-19
KR101190438B1 (ko) 2012-10-11
US20050243222A1 (en) 2005-11-03
JP2005303313A (ja) 2005-10-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101190438B1 (ko) 마이크로 리소그라피 투영노출장치의 광학장치
US8379188B2 (en) Optical system
US6856379B2 (en) Polarizer and microlithography projection system with a polarizer
KR100689190B1 (ko) 편광보정기를가진광학시스템및그제조방법
US6829041B2 (en) Projection optical system and projection exposure apparatus having the same
US7483121B2 (en) Microlithograph system
KR101450362B1 (ko) 광학계, 특히 마이크로리소그래픽 투영 노광장치의 조명 장치 또는 투영 대물렌즈
JP2004535603A (ja) 結晶レンズを備えた対物レンズにおける複屈折の補正
US20080002172A1 (en) Microlithographic projection exposure apparatus
KR101085737B1 (ko) 분극 분배 방해 보상 교정 장치 및 이를 이용한 마이크로석판 인쇄 투영 렌즈
US7239450B2 (en) Method of determining lens materials for a projection exposure apparatus
US20110149261A1 (en) Optical system, in particular of a microlithographic projection exposure apparatus
US8576378B2 (en) Illumination optical system, exposure apparatus, and device manufacturing method
US7463422B2 (en) Projection exposure apparatus
US20110194093A1 (en) Polarization-influencing optical arrangement and an optical system of a microlithographic projection exposure apparatus
JP5566501B2 (ja) 特にマイクロリソグラフィ投影露光装置の光学系
US20060238735A1 (en) Optical system of a projection exposure apparatus
JP6660471B2 (ja) マイクロリソグラフィ投影露光システムまたはウェハ検査システムの光学系
Serebriakov et al. Correction of the phase retardation caused by intrinsic birefringence in deep UV lithography

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150924

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160922

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170922

Year of fee payment: 6