KR100687783B1 - 발광 장치 - Google Patents
발광 장치 Download PDFInfo
- Publication number
- KR100687783B1 KR100687783B1 KR20050054517A KR20050054517A KR100687783B1 KR 100687783 B1 KR100687783 B1 KR 100687783B1 KR 20050054517 A KR20050054517 A KR 20050054517A KR 20050054517 A KR20050054517 A KR 20050054517A KR 100687783 B1 KR100687783 B1 KR 100687783B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- nitride semiconductor
- semiconductor stack
- hexagonal
- nitride
- transparent conductive
- Prior art date
Links
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims abstract description 134
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 96
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 34
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 47
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 32
- -1 nitride nitride Chemical class 0.000 claims description 14
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 claims description 11
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 claims description 11
- XXLJGBGJDROPKW-UHFFFAOYSA-N antimony;oxotin Chemical compound [Sb].[Sn]=O XXLJGBGJDROPKW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- HEQWUWZWGPCGCD-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+) oxygen(2-) tin(4+) Chemical compound [O--].[O--].[O--].[Cd++].[Sn+4] HEQWUWZWGPCGCD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 238000000605 extraction Methods 0.000 claims description 9
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 claims description 9
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- BNEMLSQAJOPTGK-UHFFFAOYSA-N zinc;dioxido(oxo)tin Chemical compound [Zn+2].[O-][Sn]([O-])=O BNEMLSQAJOPTGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N indium;tin;hydrate Chemical compound O.[In].[Sn] MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- JYMITAMFTJDTAE-UHFFFAOYSA-N aluminum zinc oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Al+3].[Zn+2] JYMITAMFTJDTAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 238000003475 lamination Methods 0.000 claims description 5
- JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N dialuminum;dizinc;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3].[Zn+2].[Zn+2] JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910020068 MgAl Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 3
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N zinc oxide Inorganic materials [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims description 3
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 claims description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 16
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 16
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 2
- 238000005036 potential barrier Methods 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 230000005641 tunneling Effects 0.000 description 2
- 240000002329 Inga feuillei Species 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000013500 data storage Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/20—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
- H01L33/22—Roughened surfaces, e.g. at the interface between epitaxial layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
- H01L33/40—Materials therefor
- H01L33/42—Transparent materials
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
Description
본 발명에 따른 발광장치는,
기판;
상기 기판상에 형성된 제 1 질화 반도체 스택(stack);
상기 제 1 질화 반도체 스택상에 형성된 질화 발광 레이어;
상기 질화 발광 레이어에 마주보는 제 2 질화 반도체 스택의 표면으로부터 하향 연장되는 다수의 육각-피라미드 캐비티를 구비하는 질화 발광 레이어 상에 형성된 제 2 질화 반도체 스택;
상기 제 2 질화 반도체 스택상에 형성된 제 1 투명 전도성 산화 레이어를 포함하며,
상기 제 2 질화 반도체 스택의 다수의 육각-파라미드 캐비티는 상기 제 1 투명 전도성 산화 레이어로 충진되는 것을 특징으로 한다.
여기서, 상기 제 2 질화 반도체 스택에서 상기 육각-피라미드 캐비티들 중 하나의 대각선 길이는 10나노미터 내지 1마이크로미터의 범위에 속한다.
한편, 상기 육각-파라미드 캐비티의 밀도는 1 ×107cm-2 내지 1 ×1011cm-2 의 범위에 놓인다.
또한, 상기 육각-피라미드 캐비티들 중 하나의 깊이는 10나노미터 내지 1 마이크로미터의 범위에 속한다.
또한, 상기 기판과 상기 제 1 질화 반도체 스택 사이에 형성된 버퍼 레이어를 추가로 구비한다.
또한, 상기 제 1 투명 전도성 산화 레이어는 산화 주석 인듐(ITO), 산화 주석 카드뮴(CTO), 산화 주석 안티몬, 산화 아연 인듐, 산화 알루미늄 아연, 산화 주석 아연으로 이루어진 그룹에서 선택되는 적어도 하나의 물질을 구비한다.
또한, 상기 제 1 투명 전도성 산화 레이어의 투과율은 빛의 파장이 300나노미터 내지 700나노미터의 범위에 있을 때 50% 이상이다.
또한, 상기 제 1 투명 전도성 산화 레이어의 두께는 50나노미터 내지 1마이크로미터의 범위에 있다.
또힌. 상기 기판은 C-(0001) 사파이어 기판이며, 각각의 육각-피라미드 캐비티의 인접한 모든 피라미드 표면 사이의 각은 거의 120도이며, 각각의 피라미드 표면은 (10-11) 또는 (11-22) 격자 표면 그룹을 구비한다.
또한, 상기 기판은 0도 내지 10도의 오프 각도(off angle)를 가지는 (0001) 또는 (11-20) 사파이어 기판이다.
또한, 상기 기판은 GaN, SiC, GaAs, GaP, Si, ZnO, MgO, MgAl2O4 및 유리로 이루어진 그룹에서 선택되는 적어도 하나의 물질을 포함한다.
또한, 상기 제 1 질화 반도체 스택은 AlN, GaN, AlGaN, InGaN 및 AlInGaN을 포함하는 그룹에서 선택되는 적어도 하나의 물질을 포함한다.
또한, 상기 제 1 질화 반도체 스택은 적어도 하나의 n-형 질화 반도체 레이어를 포함하며, 상기 제 2 질화 반도체 스택은 적어도 하나의 p-형 질화 반도체 레이어를 포함한다.
또한, 상기 제 1 질화 반도체 스택은 적어도 하나의 p-형 질화 반도체 레이어를 포함하며, 상기 제 2 질화 반도체 스택은 적어도 하나의 n-형 질화 반도체 레이어를 포함한다.
또한, 상기 질화 발광 레이어는 AlN, GaN, AlGaN, InGaN 및 AlInGaN으로 이루어진 그룹에서 선택되는 적어도 하나의 물질을 포함한다.
또한, 상기 질화 발광 레이어는 이중 헤테로 구조, 단일 퀀텀-웰 구조, 다중 퀀텀-웰 구조를 포함하는 그룹에서 선택되는 하나의 구조를 포함한다.
또한, 상기 제 2 질화 반도체 스택은 AlN, GaN, AlGaN, InGaN 및 AlInGaN으로 이루어진 그룹에서 선택되는 적어도 하나의 물질을 포함한다.
또한, 상기 버퍼 레이어는 AlN, GaN, AlGaN, InGaN 및 AlInGaN으로 이루어진 그룹에서 선택되는 적어도 하나의 물질을 포함한다.
또한, 상기 제 2 질화 반도체 스택의 상기 육각-피라미드 캐비티는 적층 성장에 의해 형성된다.
또한, 상기 제 2 질화 반도체 스택의 육각-피라미드 캐비티는 습식 에칭에 의해 형성된다.
또한, 상기 제 2 질화 반도체 스택의 육각-파리미드 캐비티는 적층 성장 및 습식 에칭에 의해 형성된다.
또한, 상기 육각-피라미드 캐비티로의 바닥으로부터 상기 기판까지의 거리는 상기 질화 발광 레이어의 상부 표면으로부터 상기 기판까지의 거리이상이다.
또한, 상기 제 1 투명 전도성 산화 레이어와 접촉하는 육각-피라미드 캐비티의 내측면에 형성된 접촉 저항은 상기 제 1 투명 전도성 산화 레이어의 제 2 질화 반도체 스택의 표면에 형성된 접촉 저항보다 낮다.
또한, 상기 제 1 투명 전도성 산화 레이어의 반사율은 질화물의 반사율과 패키지 재료의 반사율 사이이다.
또한, 상기 기판으로부터 이격된 상기 제 1 질화 반도체 스택의 표면은 제 1 표면, 제 2 표면을 구비하며, 상기 질화 발광 레이어는 상기 제 1 질화 반도체 스택의 제 1 표면상에 형성된다.
또한, 상기 제 1 질화 반도체 스택의 제 2 표면상에 형성된 제 2 투명 전도성 산화 레이어를 추가로 구비한다.
또한, 상기 제 2 투명 전도성 산화 레이어는 산화 주석 인듐, 산화 주석 카드뮴, 산화 주석 안티몬, 산화 아연 인듐, 산화 알루미늄 아연 및 산화 주석 아연으로 이루어진 그룹에서 선택되는 적어도 하나의 물질을 포함한다.
또한, 상기 제 2 투명 전도성 산화 레이어의 반사율은 질화물의 반사율과 패키지 재료의 반사율 사이이다.
또한, 상기 제 1 질화 반도체 스택의 제 2 표면은 높은 광 추출 효율의 표면이다.
또한, 상기 높은 광 추출 효율의 표면은 높은 광 추출 효율의 표면에 형성된 육각-파리미드 캐비티로 형성된다.
또한, 제 2 투명 전도성 산화 레이어는 상기 육각-피라미드 캐비티로 형성된 제 1 질화 반도체 스택의 제 2 표면상에 형성된다.
또한, 상기 제 1 질화 반도체 스택의 각각의 육각-파리미드 캐비티는 상기 제 2 투명 전도성 산화 레이어로 충진된다.
또한, 상기 제 2 질화 반도체 스택의 표면에서 육각-피라미드 캐비티들 중 하나의 대각선 길이는 10나노미터 내지 1마이크로미터의 범위에 있다.
상기 육각-피라미드 캐비티의 밀도는 1 ×107cm-2 내지 1 ×1011cm-2 이다.
상기 육각-피라미드 캐비티의 깊이는 10나노미터 내지 1마이크로미터의 범위에 있다.
상기 육각-피라미드 캐비티는 습식 에칭에 의해 형성된다.
상기 제 2 투명 전도성 산화 레이어는 산화 주석 인듐, 산화 주석 카드뮴, 산화 주석 안티몬, 산화 아연 인듐, 산화 알루미늄 아연 및 산화 주석 아연으로 이루어진 그룹에서 선택되는 적어도 하나의 물질을 포함한다.
높은 광 추출 효율의 표면은 거친 구조로 형성된다.
제 2 투명 전도성 산화 레이어는 상기 거친 구조로 형성되는 상기 제 1 질화 반도체 스택의 제 2 표면상에 형성된다.
상기 제 2 투명 전도성 산화 레이어는 산화 주석 인듐, 산화 주석 카드뮴, 산화 주석 안티몬, 산화 아연 인듐, 산화 알루미늄 아연, 및 산화 주석 아연으로 이루어진 그룹에서 선택되는 적어도 하나의 물질을 포함한다.
상기 거친 구조는 습식 에칭에 의해 형성된다.
상기 제 2 투명 전도성 산화 레이어의 반사율은 질화물의 반사율과 패키지 재료의 반사율 사이이다.
Claims (42)
- 기판;상기 기판상에 형성된 제 1 질화 반도체 스택(stack);상기 제 1 질화 반도체 스택상에 형성된 질화 발광 레이어;상기 질화 발광 레이어에 마주보는 제 2 질화 반도체 스택의 표면으로부터 하향 연장되는 다수의 육각-피라미드 캐비티를 구비하는 질화 발광 레이어 상에 형성된 제 2 질화 반도체 스택;상기 제 2 질화 반도체 스택상에 형성된 제 1 투명 전도성 산화 레이어를 포함하며,상기 제 2 질화 반도체 스택의 다수의 육각-파라미드 캐비티는 상기 제 1 투명 전도성 산화 레이어로 충진되는 것을 특징으로 하는 발광 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 제 2 질화 반도체 스택에서 상기 육각-피라미드 캐비티들 중 하나의 대각선 길이는 10나노미터 내지 1마이크로미터의 범위에 속하는 것을 특징으로 하는 발광 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 육각-파라미드 캐비티의 밀도는 1 ×107cm-2 내지 1 ×1011cm-2 의 범위에 놓인 것을 특징으로 하는 발광 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 육각-피라미드 캐비티들 중 하나의 깊이는 10나노미터 내지 1 마이크로미터의 범위에 속하는 것을 특징으로 하는 발광 장치.
- 제1 항에 있어서,상기 기판과 상기 제 1 질화 반도체 스택 사이에 형성된 버퍼 레이어를 추가로 구비하는 것을 특징으로 하는 발광 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 제 1 투명 전도성 산화 레이어는 산화 주석 인듐(ITO), 산화 주석 카드뮴(CTO), 산화 주석 안티몬, 산화 아연 인듐, 산화 알루미늄 아연, 산화 주석 아연으로 이루어진 그룹에서 선택되는 적어도 하나의 물질을 구비하는 것을 특징으로 하는 발광 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 제 1 투명 전도성 산화 레이어의 투과율은 빛의 파장이 300나노미터 내 지 700나노미터의 범위에 있을 때 50% 이상인 것을 특징으로 하는 발광 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 제 1 투명 전도성 산화 레이어의 두께는 50나노미터 내지 1마이크로미터의 범위에 있는 것을 특징으로 하는 발광 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 기판은 C-(0001) 사파이어 기판이며, 각각의 육각-피라미드 캐비티의 인접한 모든 피라미드 표면 사이의 각은 거의 120도이며, 각각의 피라미드 표면은 (10-11) 또는 (11-22) 격자 표면 그룹을 구비하는 것을 특징으로 하는 발광 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 기판은 0도 내지 10도의 오프 각도(off angle)를 가지는 (0001) 또는 (11-20) 사파이어 기판인 것을 특징으로 하는 발광 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 기판은 GaN, SiC, GaAs, GaP, Si, ZnO, MgO, MgAl2O4 및 유리로 이루어진 그룹에서 선택되는 적어도 하나의 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 제 1 질화 반도체 스택은 AlN, GaN, AlGaN, InGaN 및 AlInGaN을 포함하는 그룹에서 선택되는 적어도 하나의 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 제 1 질화 반도체 스택은 적어도 하나의 n-형 질화 반도체 레이어를 포함하며, 상기 제 2 질화 반도체 스택은 적어도 하나의 p-형 질화 반도체 레이어를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 제 1 질화 반도체 스택은 적어도 하나의 p-형 질화 반도체 레이어를 포함하며, 상기 제 2 질화 반도체 스택은 적어도 하나의 n-형 질화 반도체 레이어를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 질화 발광 레이어는 AlN, GaN, AlGaN, InGaN 및 AlInGaN으로 이루어진 그룹에서 선택되는 적어도 하나의 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 질화 발광 레이어는 이중 헤테로 구조, 단일 퀀텀-웰 구조, 다중 퀀텀-웰 구조를 포함하는 그룹에서 선택되는 하나의 구조를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 제 2 질화 반도체 스택은 AlN, GaN, AlGaN, InGaN 및 AlInGaN으로 이루어진 그룹에서 선택되는 적어도 하나의 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 장치.
- 제 5 항에 있어서,상기 버퍼 레이어는 AlN, GaN, AlGaN, InGaN 및 AlInGaN으로 이루어진 그룹에서 선택되는 적어도 하나의 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 제 2 질화 반도체 스택의 상기 육각-피라미드 캐비티는 적층 성장에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 발광 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 제 2 질화 반도체 스택의 육각-피라미드 캐비티는 습식 에칭에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 발광 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 제 2 질화 반도체 스택의 육각-파리미드 캐비티는 적층 성장 및 습식 에칭에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 발광 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 육각-피라미드 캐비티로의 바닥으로부터 상기 기판까지의 거리는 상기 질화 발광 레이어의 상부 표면으로부터 상기 기판까지의 거리이상인 것을 특징으로 하는 발광 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 제 1 투명 전도성 산화 레이어와 접촉하는 육각-피라미드 캐비티의 내측면에 형성된 접촉 저항은 상기 제 1 투명 전도성 산화 레이어의 제 2 질화 반도체 스택의 표면에 형성된 접촉 저항보다 낮은 것을 특징으로 하는 발광 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 제 1 투명 전도성 산화 레이어의 반사율은 질화물의 반사율과 패키지 재료의 반사율 사이인 것을 특징으로 하는 발광 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 기판으로부터 이격된 상기 제 1 질화 반도체 스택의 표면은 제 1 표면, 제 2 표면을 구비하며, 상기 질화 발광 레이어는 상기 제 1 질화 반도체 스택의 제 1 표면상에 형성되는 것을 특징을 하는 발광 장치.
- 제 25 항에 있어서,상기 제 1 질화 반도체 스택의 제 2 표면상에 형성된 제 2 투명 전도성 산화 레이어를 추가로 구비하는 것을 특징으로 하는 발광 장치.
- 제 26 항에 있어서,상기 제 2 투명 전도성 산화 레이어는 산화 주석 인듐, 산화 주석 카드뮴, 산화 주석 안티몬, 산화 아연 인듐, 산화 알루미늄 아연 및 산화 주석 아연으로 이루어진 그룹에서 선택되는 적어도 하나의 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 장치.
- 제 26 항에 있어서,상기 제 2 투명 전도성 산화 레이어의 반사율은 질화물의 반사율과 패키지 재료의 반사율 사이인 것을 특징으로 하는 발광 장치.
- 제 25 항에 있어서,상기 제 1 질화 반도체 스택의 제 2 표면은 높은 광 추출 효율의 표면인 것을 특징으로 하는 발광 장치.
- 제 29 항에 있어서,상기 높은 광 추출 효율의 표면은 높은 광 추출 효율의 표면에 형성된 육각-파리미드 캐비티로 형성된 것을 특징으로 하는 발광 장치.
- 제 30 항에 있어서,제 2 투명 전도성 산화 레이어는 상기 육각-피라미드 캐비티로 형성된 제 1 질화 반도체 스택의 제 2 표면상에 형성된 것을 특징으로 하는 발광장치.
- 제 31 항에 있어서,상기 제 1 질화 반도체 스택의 각각의 육각-파리미드 캐비티는 상기 제 2 투명 전도성 산화 레이어로 충진되는 것을 특징으로 하는 발광 장치.
- 제 30 항에 있어서,상기 제 2 질화 반도체 스택의 표면에서 육각-피라미드 캐비티들 중 하나의 대각선 길이는 10나노미터 내지 1마이크로미터의 범위에 있는 것을 특징으로 하는 발광 장치.
- 제 30 항에 있어서,상기 육각-피라미드 캐비티의 밀도는 1 ×107cm-2 내지 1 ×1011cm-2 인 것을 특징으로 하는 발광 장치.
- 제 30 항에 있어서,상기 육각-피라미드 캐비티의 깊이는 10나노미터 내지 1마이크로미터의 범위에 있는 것을 특징으로 하는 발광 장치.
- 제 30 항에 있어서,상기 육각-피라미드 캐비티는 습식 에칭에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 발광 장치.
- 제 31 항에 있어서,상기 제 2 투명 전도성 산화 레이어는 산화 주석 인듐, 산화 주석 카드뮴, 산화 주석 안티몬, 산화 아연 인듐, 산화 알루미늄 아연 및 산화 주석 아연으로 이루어진 그룹에서 선택되는 적어도 하나의 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 장치.
- 제 29 항에 있어서,높은 광 추출 효율의 표면은 거친 구조로 형성되는 것을 특징으로 하는 발광 장치.
- 제 38 항에 있어서,제 2 투명 전도성 산화 레이어는 상기 거친 구조로 형성되는 상기 제 1 질화 반도체 스택의 제 2 표면상에 형성되는 것을 특징으로 하는 발광 장치.
- 제 39 항에 있어서,상기 제 2 투명 전도성 산화 레이어는 산화 주석 인듐, 산화 주석 카드뮴, 산화 주석 안티몬, 산화 아연 인듐, 산화 알루미늄 아연, 및 산화 주석 아연으로 이루어진 그룹에서 선택되는 적어도 하나의 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 장치.
- 제 38 항에 있어서,상기 거친 구조는 습식 에칭에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 발광 장치.
- 제 31 항에 있어서,상기 제 2 투명 전도성 산화 레이어의 반사율은 질화물의 반사율과 패키지 재료의 반사율 사이인 것을 특징으로 하는 발광 장치.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
TW93118481A TWI237903B (en) | 2004-06-24 | 2004-06-24 | High efficiency light emitting device |
TW093118481 | 2004-06-24 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20060049672A KR20060049672A (ko) | 2006-05-19 |
KR100687783B1 true KR100687783B1 (ko) | 2007-02-27 |
Family
ID=35504676
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR20050054517A KR100687783B1 (ko) | 2004-06-24 | 2005-06-23 | 발광 장치 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4339822B2 (ko) |
KR (1) | KR100687783B1 (ko) |
DE (1) | DE102005029268B4 (ko) |
TW (1) | TWI237903B (ko) |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100887067B1 (ko) * | 2006-02-14 | 2009-03-04 | 삼성전기주식회사 | 나노 패턴 구조를 지닌 반도체 발광 소자의 제조 방법 |
US9508902B2 (en) | 2005-02-21 | 2016-11-29 | Epistar Corporation | Optoelectronic semiconductor device |
DE102005056604A1 (de) * | 2005-09-28 | 2007-03-29 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronischer Halbleiterkörper und Verfahren zur Herstellung eines solchen |
KR100755598B1 (ko) * | 2006-06-30 | 2007-09-06 | 삼성전기주식회사 | 질화물 반도체 발광소자 어레이 |
JP5201566B2 (ja) * | 2006-12-11 | 2013-06-05 | 豊田合成株式会社 | 化合物半導体発光素子及びその製造方法 |
JP5493252B2 (ja) * | 2007-06-28 | 2014-05-14 | 日亜化学工業株式会社 | 半導体発光素子 |
KR100905859B1 (ko) * | 2007-12-17 | 2009-07-02 | 삼성전기주식회사 | 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조 방법 |
KR20090073935A (ko) * | 2007-12-31 | 2009-07-03 | 주식회사 에피밸리 | 3족 질화물 반도체 발광소자 |
TWI420694B (zh) * | 2008-07-29 | 2013-12-21 | Epistar Corp | 光電元件 |
JP5282503B2 (ja) * | 2008-09-19 | 2013-09-04 | 日亜化学工業株式会社 | 半導体発光素子 |
CN101859856B (zh) | 2010-06-04 | 2016-06-15 | 清华大学 | 发光二极管 |
KR101389462B1 (ko) * | 2013-04-10 | 2014-04-28 | 주식회사 소프트에피 | 3족 질화물 반도체 소자 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0977280A3 (en) * | 1998-07-28 | 2008-11-26 | Interuniversitair Micro-Elektronica Centrum Vzw | Devices for emitting radiation with a high efficiency and a method for fabricating such devices |
JP2002164570A (ja) * | 2000-11-24 | 2002-06-07 | Shiro Sakai | 窒化ガリウム系化合物半導体装置 |
JP4233268B2 (ja) * | 2002-04-23 | 2009-03-04 | シャープ株式会社 | 窒化物系半導体発光素子およびその製造方法 |
TWI237402B (en) * | 2004-03-24 | 2005-08-01 | Epistar Corp | High luminant device |
-
2004
- 2004-06-24 TW TW93118481A patent/TWI237903B/zh active
-
2005
- 2005-06-21 JP JP2005180721A patent/JP4339822B2/ja active Active
- 2005-06-23 KR KR20050054517A patent/KR100687783B1/ko active IP Right Grant
- 2005-06-23 DE DE102005029268.2A patent/DE102005029268B4/de active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TWI237903B (en) | 2005-08-11 |
JP4339822B2 (ja) | 2009-10-07 |
DE102005029268A1 (de) | 2006-01-19 |
TW200601575A (en) | 2006-01-01 |
JP2006013500A (ja) | 2006-01-12 |
DE102005029268B4 (de) | 2017-04-13 |
KR20060049672A (ko) | 2006-05-19 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100687783B1 (ko) | 발광 장치 | |
US7385226B2 (en) | Light-emitting device | |
CN1812117B (zh) | 半导体发光器件及其制造方法 | |
US7355210B2 (en) | High-efficiency light-emitting element | |
KR101258583B1 (ko) | 나노 로드 발광 소자 및 그 제조 방법 | |
US8877529B2 (en) | Radiation-emitting body and method for producing a radiation-emitting body | |
CN102456799B (zh) | 半导体发光器件及其制造方法 | |
CN108140700B (zh) | 发光器件 | |
EP3758076A1 (en) | Light emitting diode | |
US20070267640A1 (en) | Semiconductor light emitting diode and method of manufacturing the same | |
US20080099776A1 (en) | Nitride semiconductor light emitting device and method of manufacturing the same | |
JP2005183911A (ja) | 窒化物半導体発光素子及び製造方法 | |
KR101111750B1 (ko) | 반도체 발광 소자 | |
JP2007019488A (ja) | 半導体発光素子 | |
KR101054785B1 (ko) | 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법 | |
KR20120055391A (ko) | 나노로드 발광소자 | |
US20130126829A1 (en) | High efficiency light emitting diode | |
JP5989318B2 (ja) | 半導体発光素子及びその製造方法 | |
KR20110111799A (ko) | 비극성 기판을 채택한 발광 다이오드 | |
US10847678B2 (en) | Light emitting device that includes a light-transmissive conductive layer | |
CN108140697B (zh) | 发光器件 | |
KR102563266B1 (ko) | 발광소자 및 이를 구비한 광원 모듈 | |
KR100836132B1 (ko) | 질화물계 반도체 발광다이오드 | |
KR100756842B1 (ko) | 광추출용 컬럼들을 갖는 발광 다이오드 및 그것을 제조하는방법 | |
KR100801618B1 (ko) | 발광 소자 및 그 제조방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130207 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20140210 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20150205 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160119 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170119 Year of fee payment: 11 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20180118 Year of fee payment: 12 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20190116 Year of fee payment: 13 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20200115 Year of fee payment: 14 |