KR100676707B1 - 고용량 고체 전해콘덴서 및 그 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 ⓐ 바인더를 혼합한 금속분말에 테프론와셔(12) 및 금속와이어(11)를 삽입하고 해당 설계치수의 크기로 소자를 성형하는 단계, ⓑ 상기 소자를 소결하여 소결체로 만드는 단계, ⓒ 상기 소결체 및 금속와이어(11)의 표면에 화성피막을 성장시켜 유전체층을 만드는 단계, ⓓ 상기 소결체를 소성하여 고체 전해질층을 형성하는 단계, ⓔ 카본(carbon) 및 은(silver)을 도포하여 콘덴서용 소자(10)로 만드는 단계, ⓕ 양측에 상하부로 연결된 플러스 신호라인(21) 및 마이너스 신호라인(22)을 각각 갖는 PCB 기판(20)을 제공하는 단계, ⓖ 상기 금속와이어(11)를 하향시켜 상기 PCB 기판(20)의 플러스 신호라인(21)에 접속하고 상기 콘덴서용 소자(10) 외측과 상기 PCB 기판(20)의 마이너스 신호라인(22)을 은접착제(30)로 접착하는 단계, ⓗ 상기 PCB 기판(20) 위에 탑재된 상기 콘덴서용 소자(10)를 에폭시 수지(40)로 몰딩하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 그 기술적 방법상의 기본 특징으로 하고, 이로써 PCB 기판(20)의 마이너스 신호라인(22)을 활용하고 금속와이어(11)를 콘덴서용 소자(10)에 편심되게 위치시키면서 하향시켜 플러스 신호라인(21)에 전기저항 용접, 초음파 용접 또는 골드와이어로 용접함으로써 콘덴서용 소자(10)의 크기를 극대화시킬 수 있을 뿐만 아니라 플러스 신호라인(21)과 금속와이어(11)와의 접속시 기계적 스트레스를 최소화시킬 수 있다.

Description

고용량 고체 전해콘덴서 및 그 제조방법{HIGH CAPACITY SOLID ELECTROLYTIC CONDENSER AND THEREOF MANUFACTURING METHOD}
도 1은 종래 기술에 따른 고용량 고체 전해콘덴서를 나타내는 정단면도.
도 2는 본 발명에 따른 고용량 고체 전해콘덴서의 제조방법을 나타내는 플로우차트.
도 3은 본 발명에 따른 고용량 고체 전해콘덴서를 나타내는 정단면도.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 명칭 *
10 : 콘덴서용 소자 11 : 금속와이어
12 : 테프론와셔 20 : PCB 기판
21 : 플러스 신호라인 22 : 마이너스 신호라인
30 : 은접착제 40 : 에폭시 수지
100 : 고용량 고체 전해콘덴서
본 발명은 고용량 고체 전해콘덴서 및 그 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 콘덴서용 소자의 용적률을 극대화시키면서 불량률을 최소화시킬 수 있는 고용량 고체 전해콘덴서 및 그 제조방법에 관한 것이다.
일반적으로 고용량 고체 전해콘덴서(100)는 전극에 탄탈륨 또는 니오븀 등과 같은 금속재료를 사용하고 양극산화방법에 의해 두께가 500㎚ 이하인 대단히 얇고 균일한 유전체를 성장시킬 수 있기 때문에 다른 콘덴서들에 비해 단위 면적당 용량이 크다는 장점이 있으며, 온도특성(온도의 변화에 따라 용량이 변화하는 것을 말하며 용량의 변화폭이 작을수록 특성이 좋음) 및 주파수특성 또한 매우 우수한 이점이 있다.
알루미늄 전해 콘덴서는 크라프트(kraft)지 등에 전해액이 스며들게 한 것을 금속 알루미늄으로 삽입하여 감아 붙인 구조로 되어 있지만, 고용량 고체 전해콘덴서의 경우에는 탄탈분말이나 니오븀분말을 소결하여 굳혔을 때에 나오는 빈틈, 즉 다수의 구멍을 이용하는 구조로 되어 있고 고체전해질을 사용하기 때문에 알루미늄 전해 콘덴서에 비해 표면적이 현저히 증가하며 온도특성 및 주파수 특성이 매우 탁월하다.
그런데, 종래의 제조방법에 의하여 만들어진 고용량 고체 전해콘덴서(100)는 패키지 내에서 카본 및 은 도포가 완료된 콘덴서용 소자의 용적률이 약 17∼29％정 도로써 매우 낮은 실정이었다.
이처럼 용적률이 현저히 낮은 이유는 패키지 내부 구조의 비효율성 때문이라 할 수 있다.
패키지 내부 구조의 비효율성에 대한 주된 요인은 콘덴서용 소자(10)의 외측에 은접착제(30)를 통하여 접속된 마이너스 리드프레임(52)의 포밍에 따른 필연적인 공간 요구, 콘덴서용 소자와 플러스 리드프레임(51)간의 용접거리 확보에 따른 필요성에 기인되고 있다.
더욱 구체적으로, 종전의 고용량 고체 전해콘덴서를 도면을 참조하여 설명하면 다음과 같다.
도 1은 종래 기술에 따른 고용량 고체 전해콘덴서(100)를 나타내는 정단면도이다.
도 1에 도시된 바와 같이 종래 기술에 따른 고용량 고체 전해콘덴서(100)는 먼저 비표면적이 큰 금속분말, 예를 들면 탄탈분말과 바인더를 용해시킨 유기용제를 혼합하고 직선형 탄탈와이어(11; 금속와이어)를 삽입하여 일정한 체적을 갖는 탄탈소자를 성형한다.
이때, 금속분말을 탄탈분말을 사용할 경우 고용량 고체 전해콘덴서(100)는 고용량 탄탈 고체 전해콘덴서가 된다.
그리고, 바인더와 기타 금속 불순물을 제거하고 다공성의 단단한 탄탈 소결체(10; 콘덴서용 소자)를 제조하기 위하여 고온과 고진공 분위기에서 소결을 행하고, 탄탈와이어(11)에 테프론와셔(12)를 삽입한다.
이때, 젖음성이 없는 테프론와셔(12)를 삽입하는 이유는 수용성 함침액에 소자를 침적할 때 함침액이 탄탈와이어(11)를 타고 오르는 현상을 방지하기 위함이다. 만약 함침액이 탄탈와이어(11)를 타고 오를 경우 열분해 과정에서 탄탈와이어(11)에 MnO2층이 일정 길이로 과도하게 성장하게 되고 이와 같이 과도하게 성장된 MnO2의 일부가 플러스 리드프레임(51)의 용접에 관여하게 되면 콘덴서의 3대 특성중의 하나인 누설전류가 크게 상승하게 되며 심한 경우에는 쇼트 발생의 원인이 되기도 한다.
한편, 종래 기술에 따른 고용량 고체 전해콘덴서(100)의 다른 문제점은 마이너스 리드프레임(52)이 에폭시 수지(40)의 내부에서 포밍되기 때문에 굽혀진 부분에 해당하는 공간(S1)이 필연적으로 요구되고, 이 공간(S1)이 바로 제품의 크기를 확대하는데 있어서 또 다른 제약조건으로 작용하고 있다는 사실이다.
또한, 플러스 리드프레임(51)을 포밍하여야 하기 때문에 테프론와셔(12)로부터 에폭시 수지(40)의 끝부분에 해당하는 필요이상의 공간(S2)이 요구되고, 이 공간(S2)은 콘덴서용 소자(10)와 용접부(탄탈와이어(11)와 플러스 리드프레임(51) 상호간의 용접부)까지의 안전거리에 대한 확보의 필요성, 더불어 용접부의 노출을 피하기 위한 어쩔 수 없는 제품설계상의 기술적 한계에 따른 부득이한 공간(S2)으로서 실질적으로 콘덴서용 소자(10)의 크기를 오히려 제한하고 있다.
그리고, 에폭시 수지(40)의 내부에서 마이너스 리드프레임(52)이 포밍될 경우 포밍부의 구조적 형상 때문에 에폭시 수지(40)의 몰딩 과정에서 필연적으로 공 기층이 형성되어 핀홀과 같은 불량을 피할 수 없다.
본 발명의 목적은 콘덴서용 소자의 용적률을 극대화시키면서 불량률을 최소화시킬 수 있는 고용량 고체 전해콘덴서 및 그 제조방법을 제공함에 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명은,
ⓐ 바인더를 혼합한 금속분말에 테프론와셔 및 금속와이어를 삽입하고 해당 설계치수의 크기로 소자를 성형하는 단계,
ⓑ 상기 소자를 소결하여 소결체로 만드는 단계,
ⓒ 상기 소결체 및 금속와이어의 표면에 화성피막을 성장시켜 유전체층을 만드는 단계,
ⓓ 상기 소결체를 소성하여 고체 전해질층을 형성하는 단계,
ⓔ 카본(carbon) 및 은(silver)을 도포하여 콘덴서용 소자로 만드는 단계,
ⓕ 양측에 상하부로 연결된 플러스 신호라인 및 마이너스 신호라인을 각각 갖는 PCB 기판을 제공하는 단계,
ⓖ 상기 금속와이어를 하향시켜 상기 PCB 기판의 플러스 신호라인에 접속하고 상기 콘덴서용 소자 외측과 상기 PCB 기판의 마이너스 신호라인을 은접착제로 접착하는 단계,
ⓗ 상기 PCB 기판 위에 탑재된 상기 콘덴서용 소자를 에폭시 수지로 몰딩하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 그 기술적 방법상의 기본 특징으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명은,
테프론와셔 및 금속와이어가 장착된 콘덴서용 소자,
상기 금속와이어와 접속되는 플러스 신호라인과 상기 콘덴서용 소자의 외측에 은접착제를 통하여 접착되는 마이너스 신호라인이 양측에서 상하부로 연결되도록 구비된 PCB 기판,
상기 PCB 기판 위에 탑재된 상기 콘덴서용 소자를 몰딩시키는 에폭시 수지를 포함하여 이루어지는 것을 그 기술적 구성상의 기본 특징으로 한다.
이하, 본 발명에 따른 고용량 고체 전해콘덴서의 바람직한 실시예를 도면을 참조하여 설명하면 다음과 같다.
본 발명은 동일 크기의 패키지 내에서 고용량화가 가능하며 패키지의 소형화를 가능하게 한다. 더욱 구체적으로 패키지에 들어가는 콘덴서용 소자(10)의 크기를 상대적으로 확대하기 위하여 도 3과 같이 개선한 것이다.
본 발명에 따른 고용량 고체 전해콘덴서 및 그 제조방법은 납성분이 없는(Pb Free) 환경 친화적인 PCB 기판(20) 위에 콘덴서용 소자(10)가 탑재된 상태로 플러스 신호라인(21) 및 마이너스 신호라인(22)을 인출할 수 있는 구조로 제작하여 콘덴서용 소자(10)의 크기를 확대시킬 수 있고, 금속와이어(11)와 플러스 신호라인(21) 상호간의 안정된 접속으로 종래의 점용접 과정에서 발생할 수 있는 콘덴서용 소자(10)에 대한 기계적 충격을 최소화시킬 수 있다.
더욱 구체적으로, 플러스 신호라인(21) 및 마이너스 신호라인(22)을 PCB 기판(20) 상에 동박, 은박 또는 금박으로 제작한다. 기존의 제조방법에서는 콘덴서용 소자(10)와 접합되는 마이너스 리드프레임(52)과 플러스 리드프레임(51)을 각각 포밍함으로써 포밍부분에 해당하는 비효율적인 공간(S1, S2)이 필연적으로 발생하였다. 그러나 본 발명에서는 콘덴서용 소자(10)와 접합되는 마이너스 신호라인(22)을 포밍하지 않고 플러스 신호라인(21) 하부에 편심되게 하면서 하향시키므로써 포밍부분에 해당하는 공간(S1, S2)만큼 소자를 확대시킬 수 있어 체적증가분 만큼의 용량을 증가시킬 수 있다.
이와 같은 개선책으로써 본 발명은 기존의 제조방법에 의해 제작된 제품에 비해 콘덴서용 소자(10)의 용적률을 패키지 별로 약 1.5∼4.5배 가량 확대시킬 수 있고, 아울러 콘덴서의 3대 특성 중 하나에 해당하는 정전용량의 값을 기존의 제품보다 약 110∼220％가량 획기적으로 증가시킬 수 있다.
바람직한 실시예로서, 본 발명에 따른 고용량 고체 전해콘덴서 및 그 제조방법을 도면을 참조하여 설명하면 다음과 같다.
도 2는 본 발명에 따른 고용량 고체 전해콘덴서의 제조방법을 나타내는 플로우차트이고, 도 3은 본 발명에 따른 고용량 고체 전해콘덴서를 나타내는 정단면도이다.
본 발명에 따른 고용량 고체 전해콘덴서의 제조방법은 바인더를 혼합한 금속분말에 테프론와셔(12) 및 금속와이어(11)(금속분말과 동일한 성분의 금속와이어(11))를 삽입하고 해당 설계치수의 크기로 소자를 성형한 다음 소자를 1200∼2000℃의 고진공(10-5torr 이하) 분위기에서 30분정도 소결하여 소결체로 만든다(ⓐ 단 계∼ⓑ 단계)
이때, 상기 금속분말은 탄탈분말, 니오븀분말, 알루미늄분말 및 티타늄분말 중에서 선택할 수 있고, 탄탈분말을 선택할 경우 금속와이어(11)는 탄탈와이어를 사용하여 고용량 탄탈 고체 전해콘덴서를 만들어 낼 수 있고, 니오븀분말을 선택할 경우 금속와이어(11)는 니오븀와이어를 사용하여 고용량 니오븀 고체 전해콘덴서를 양산할 수 있으며, 알루미늄분말을 선택할 경우 금속와이어(11)는 알루미늄와이어를 사용하여 고용량 알루미늄 고체 전해콘덴서를 생산할 수 있고, 티타늄분말을 선택할 경우 금속와이어(11)는 티타늄와이어를 사용하여 고용량 티타늄 고체 전해콘덴서를 제조할 수 있게 된다.
이어서, 양극산화방식에 의해 소결체와 금속와이어(11)의 표면에 화성피막(유전체 피막)을 성장시킨다(ⓒ 단계).
이 단계를 구체적으로 설명하면, 1wt％ 이하의 인산(H3PO4)과 같은 전해질 용액에 소결체를 침적시키고 소결체에 +극을 인가하고, 전해질 용액이 담긴 용기에 -극을 인가하여 전기분해를 행할 경우 산화환원 반응이 일어나게 되며 총괄반응식은 금속분말의 종류, 즉 탄탈분말, 니오븀분말, 알루미늄분말 또는 티타늄분말에 따라 다음의 반응식 1, 2, 3, 4와 같이 반응하게 된다.
2Ta + 5H2O → Ta2O5 + 5H2
2Nb + 5H2O → Nb2O5 + 5H2
2Al + 3H2O → Al2O3 + 3H2
Ti + 2H2O → TiO2 + 2H2
본 발명은 상기의 반응식 1 내지 4 중에서 설명상의 번잡함을 피하기 위하여 탄탈분말을 적용하는 것을 구체적인 실시예로서 정의하기로 하고, 이에 따라 소결체는 자연스럽게 탄탈소결체가 될 것이며, 금속와이어(11)는 탄탈와이어가 될 것이다.
반응식 1의 식, 즉 2Ta + 5H2O → Ta2O5 + 5H2를 통하여 +극이 인가된 탄탈소결체와 탄탈와이어의 표면에서는 산화반응이 일어나며 인가된 전압에 비례하여 유전체(Ta2O5)층이 성장하게 된다. 그리고 전해질 용액이 담긴 용기의 표면에서는 환원반응에 의해 수소기체가 발생하게 된다.
이때, 유전체층은 금속분말의 종류, 즉 탄탈분말, 니오븀분말, 알루미늄분말 또는 티타늄분말에 따라 양극산화(anodization)에 의해 제조된 비정질(amorphous) 상태의 산화물인 Ta2O5, Nb2O5, Al2O3 및 TiO2으로 성장할 수 있음은 물론이다.
본 발명의 다음공정은 유전체층 표면에 열분해 과정을 통하여 고체전해질층을 형성시킨다(ⓓ 단계).
이 ⓓ 단계를 더욱 구체적으로 설명하면, 유전체층이 성장된 탄탈소결체를 10~70wt%의 질산망간[Mn(NO3)2·xH2O]용액에 함침시켜서 탄탈소결체의 수많은 내부 기공속으로 질산망간액이 스며들도록 한다. 그런 다음 200~300℃의 로(furnace)에서 스팀을 공급하면서 열분해를 행한다. 이 과정에서 유전체층 표면에 10-1~100 Ωcm의 전도성을 지닌 고체전해질(MnO2)이 생성되며 그 반응식은 다음과 같다.
Mn(NO3)2·xH2O → MnO2 + 2NO2 + xH2O
한편, 고체 전해질층은 무기화합물 반도체인 MnO2뿐만 아니라 ITO, SnO2, ZnO, CdO 또는 유기 전도성 고분자인 TCNQ, Polypyrrole , Polyaniline 중에서 선택될 수 있음은 물론이다.
그 후, MnO2의 표면에 접촉저항을 감소시키기 위하여 카본(carbon)을 도포하고, 마이너스 극을 인출하기 위하여 은(silver)을 도포하여 콘덴서용 소자(10)로 만들고(ⓔ 단계), 도 3에 도시된 바와 같이 PCB 기판(20)을 제공한다(ⓕ 단계).
PCB 기판(20)은 플러스 신호라인(21) 및 마이너스 신호라인(22)을 양측에 상하부로 연결되도록 구성한다. 예를 들어 도 3에 도시된 바와 같이 PCB 기판(20)의 양단을 경유하여 플러스 신호라인(21) 및 마이너스 신호라인(22)을 연결시킬 수도 있고, PCB 기판(20) 자체에 도금된 구멍(미 도시됨)을 갖추어 상하로 연결시킬 수도 있다.
다음으로, 금속와이어(11)를 하향시켜 PCB 기판(20)의 플러스 신호라인(21)에 접속하고 콘덴서용 소자(10) 외측 및 PCB 기판(20)의 마이너스 신호라인(22)을 은접착제(30)로 접착시킨다(ⓖ 단계).
ⓖ 단계에 의해 본 발명에 따른 고용량 고체 전해콘덴서(100)는 PCB 기판(20) 위에 콘덴서용 소자(10)가 탑재된 상태로 플러스 신호라인(21) 및 마이너스 신호라인(22)을 인출할 수 있는 구조로 제작되어 콘덴서용 소자(10)의 크기를 확대시킬 수 있고, 여기서 기존의 제조방법인 콘덴서용 소자(10)와 접합되는 마이너스 리드프레임(52)과 플러스 리드프레임(51)을 각각 포밍함으로써 포밍부분에 해당하는 비효율적인 공간(S1, S2)이 필연적으로 발생하는 점을 감안할 때 본 발명인 콘덴서용 소자(10)와 접합되는 마이너스 신호라인(22)을 포밍하지 않고 플러스 신호라인(21) 하부에 편심되게 하면서 하향시키므로써 포밍부분에 해당하는 공간(S1, S2)만큼 소자를 확대시킬 수 있어 체적증가분 만큼의 용량을 크게 증가시킬 수 있음을 알 수 있다.
이때, 금속와이어(11)를 콘덴서용 소자(10)의 하부로 편심되게 위치시킬 경우 플러스 신호라인(21) 하부를 향하여 하향되도록 함으로써 종래의 포밍부분에 해당하는 공간(S1, S2)만큼 소자를 더욱 확대시킬 수 있어 체적증가분 만큼의 용량을 크게 증가시킬 수 있다.
또한, ⓖ 단계에서 금속와이어(11) 및 PCB 기판(20)의 플러스 신호라인(21) 상호간의 접속을 전기저항 용접, 초음파 용접 또는 골드와이어 용접 방식을 취하여 기존의 점용접에 따른 기계적 스트레스를 크게 감축시킬 수 있도록 한다.
마지막으로 PCB 기판(20) 위에 탑재된 콘덴서용 소자(10)를 에폭시 수지(40)로 몰딩(ⓗ 단계)함으로써 본 발명의 고용량 고체 전해콘덴서(100)의 제적을 완료할 수 있게 된다.
이와 같은 고용량 고체 전해콘덴서의 제조방법과 더불어 양산되는 본 발명에 따른 고용량 고체 전해콘덴서(100)는 테프론와셔(12) 및 금속와이어(11)가 장착된 콘덴서용 소자(10)를 기본으로 하고, 금속와이어(11)와 접속되는 플러스 신호라인(21)과 콘덴서용 소자(10)의 외측에 은접착제(30)를 통하여 접착되는 마이너스 신호라인(22)이 양측에서 상하부로 연결되도록 구비된 PCB 기판(20) 위에 콘덴서용 소자(10)를 탑재하면서 콘덴서용 소자(10)를 엑폭시 수지로 몰딩시키므로써 부품을 완성할 수 있고, 이는 PCB 기판(20)과 콘덴서용 소자(10)가 하나의 모듈로서 고용량 고체 전해콘덴서(100)의 핵심 구성을 이룬 것으로 정의할 수 있다.
본 발명은 비효율적인 내부구조를 최적의 구조로 변화시켜 기존의 제조방법에 의해 제작된 제품에 비해 소자 용적률을 약 1.5∼4.5배 가량 확대시킬 수 있고, 콘덴서의 3대 특성 중의 하나인 정전용량의 값을 기존의 제조방법에 의해 제조된 제품보다 약 110∼220％가량 획기적으로 증가시킬 수 있다.
그리고, PCB 기판(20)의 마이너스 신호라인(22)을 활용하고 금속와이어(11)를 콘덴서용 소자(10)에 편심되게 위치시키면서 하향시켜 플러스 신호라인(21)에 전기저항 용접, 초음파 용접 또는 골드와이어로 용접함으로써 콘덴서용 소자(10)의 크기를 극대화시킬 수 있을 뿐만 아니라 플러스 신호라인(21)과 금속와이어(11)와 의 접속시 기계적 스트레스를 최소화시킬 수 있다.
또한, PCB 기판(20) 상의 마이너스 신호라인(22)을 이용함으로써 종래에서처럼 에폭시 수지(40) 내에서 포밍하지 않기 때문에 몰딩 후의 핀홀현상 또한 전혀 발생하지 않는다는 장점이 있다.
결국, 본 발명은 PCB 기판(20) 상의 마이너스 신호라인(22) 및 플러스 신호라인(21)을 사용하기 때문에 기존의 비효율적이었던 포밍부분의 공간(S1, S2)만큼 콘덴서용 소자(10)를 더욱 확대시킬 수 있고, 종전의 방식에서 문제시되었던 몰딩 후의 핀홀현상 또한 전혀 발생하지 않는 탁월함이 있음을 확인할 수 있다.

Claims (6)

  1. ⓐ 바인더를 혼합한 금속분말에 테프론와셔(12) 및 금속와이어(11)를 삽입하고 해당 설계치수의 크기로 소자를 성형하는 단계,
    ⓑ 상기 소자를 소결하여 소결체로 만드는 단계,
    ⓒ 상기 소결체 및 금속와이어(11)의 표면에 화성피막을 성장시켜 유전체층을 만드는 단계,
    ⓓ 상기 소결체를 소성하여 고체 전해질층을 형성하는 단계,
    ⓔ 카본(carbon) 및 은(silver)을 도포하여 콘덴서용 소자(10)로 만드는 단계,
    ⓕ 양측에 상하부로 연결된 플러스 신호라인(21) 및 마이너스 신호라인(22)을 각각 갖는 PCB 기판(20)을 제공하는 단계,
    ⓖ 상기 금속와이어(11)를 하향시켜 상기 PCB 기판(20)의 플러스 신호라인(21)에 접속하고 상기 콘덴서용 소자(10) 외측과 상기 PCB 기판(20)의 마이너스 신호라인(22)을 은접착제(30)로 접착하는 단계,
    ⓗ 상기 PCB 기판(20) 위에 탑재된 상기 콘덴서용 소자(10)를 에폭시 수지(40)로 몰딩하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 고용량 고체 전해콘덴서의 제조방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 ⓐ 단계의 금속분말은 탄탈분말, 니오븀분말, 알루미늄분말 및 티타늄분말 중에서 선택되는 어느 하나이고,
    상기 ⓐ 단계의 금속와이어(11)는 탄탈와이어, 니오븀와이어, 알루미늄와이어 및 티타늄와이어 중에서 선택되는 어느 하나이며,
    상기 ⓒ 단계의 유전체층은 양극산화(anodization)에 의해 제조된 비정질(amorphous) 상태의 산화물인 Ta2O5, Nb2O5, Al2O 3 및 TiO2 중에서 선택되는 어느 하나인 것을 특징으로 하는 고용량 고체 전해콘덴서의 제조방법.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 ⓓ 단계의 고체 전해질층은 무기화합물 반도체인 MnO2, ITO, SnO2, ZnO, CdO 또는 유기 전도성 고분자인 TCNQ, Polypyrrole, Polyaniline 중에서 선택되는 어느 하나를 이용하는 것을 특징으로 하는 고용량 고체 전해콘덴서의 제조방법.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 ⓐ 단계의 금속와이어(11)는 상기 콘덴서용 소자(10)의 하부로 편심되게 위치되는 것을 특징으로 하는 고용량 고체 전해콘덴서의 제조방법.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 ⓐ 단계에서 상기 금속와이어(11) 및 상기 PCB 기판(20)의 플러스 신호라인(21)의 접속은 전기저항 용접, 초음파 용접 및 골드와이어 용접 중에서 선택되는 어느 하나인 것을 특징으로 하는 고용량 고체 전해콘덴서의 제조방법.
  6. 테프론와셔(12) 및 금속와이어(11)가 장착된 콘덴서용 소자(10),
    상기 금속와이어(11)와 접속되는 플러스 신호라인(21)과 상기 콘덴서용 소자(10)의 외측에 은접착제(30)를 통하여 접착되는 마이너스 신호라인(22)이 양측에서 상하부로 연결되도록 구비된 PCB 기판(20),
    상기 PCB 기판(20) 위에 탑재된 상기 콘덴서용 소자(10)를 몰딩시키는 에폭시 수지(40)를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 고용량 고체 전해콘덴서(100).
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