KR20030000640A - Sol-Gel법에 의한 고용량 고체 전해질 콘덴서 - Google Patents

Sol-Gel법에 의한 고용량 고체 전해질 콘덴서 Download PDF

Info

Publication number
KR20030000640A
KR20030000640A KR1020010036684A KR20010036684A KR20030000640A KR 20030000640 A KR20030000640 A KR 20030000640A KR 1020010036684 A KR1020010036684 A KR 1020010036684A KR 20010036684 A KR20010036684 A KR 20010036684A KR 20030000640 A KR20030000640 A KR 20030000640A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
sol
high dielectric
solid electrolyte
dielectric material
conductive polymer
Prior art date
Application number
KR1020010036684A
Other languages
English (en)
Inventor
김재근
Original Assignee
파츠닉(주)
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 파츠닉(주) filed Critical 파츠닉(주)
Priority to KR1020010036684A priority Critical patent/KR20030000640A/ko
Publication of KR20030000640A publication Critical patent/KR20030000640A/ko

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01GCAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G9/00Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
    • H01G9/004Details
    • H01G9/022Electrolytes; Absorbents
    • H01G9/025Solid electrolytes
    • H01G9/032Inorganic semiconducting electrolytes, e.g. MnO2
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01GCAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G9/00Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
    • H01G9/15Solid electrolytic capacitors

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Chemically Coating (AREA)

Abstract

본 발명은 졸 겔법(Sol-Gel process)에 의해서 종래 콘덴서의 유전체층의 유전물질을 고유전율의 물질로 대체한뒤에 전도성 고분자를 전해질로 사용하는 Sol-Gel법에 의한 고용량 고체 전해질 콘덴서에 관한 것이며, 고체전해질 콘덴서에 있어서, 메탈 알콕사이드를 이용하여 Sol-Gel법을 적용하여 생성한 고유전체 물질을 유전체로 사용하며, 고유전체 물질이 입혀진 알루미늄 호일을 폴리피롤, 폴리아닐린 등의 전도성 고분자의 모노머를 아세트 니트릴 등의 용제에 용해시키고 암모늄염을 첨가한 용액에서 전기적 중합을 실시 하거나, 가용성 전도성 고분자 용액에 함침시켜 전도성 고분자 층을 형성한 다음 카본 및 실버 코팅하는 것을 특징으로 하며, 고유전체 물질은 Ta2O5, ZrO2, TiO2, Nb2O5중 하나인 것을 특징으로 한다.

Description

Sol-Gel법에 의한 고용량 고체 전해질 콘덴서{High capacity solid electrolysis condensor by sol-gel process}
본 발명은 졸 겔법(Sol-Gel process)에 의해서 종래 콘덴서의 유전체층의 유전물질을 고유전율의 물질로 대체한뒤에 전도성 고분자를 전해질로 사용하는 Sol-Gel법에 의한 고용량 고체 전해질 콘덴서에 관한 것이다.
종래에 제조되는 콘덴서의 유전체층의 형성방법은 압연된 알루미늄 호일의 평활면을 전기화학적으로 표면을 에칭하여 실효면적을 증가시키는 에칭과정, 에칭된 알루미늄 호일을 전기분해하여 알루미늄 호일의 표면에 유전체가 되는 산화 알루미늄(Al2O3)피막을 생성하는 화성과정, 화성 과정을 거쳐 화성된 전극박을 제품의 용량에 맞는 일정한 규격으로 절단하고 인출단자를 접속한 후 음극박과 전해질(separator)를 넣어 동심원으로 절단하는 절단 과정, 권취한 소자에 전해액을 넣는 함침 공정을 거치게 된다. 이와 같은 공정에 있어서, 알루미늄 전해 콘덴서의 공정 중 에칭 공정은 염산 수용액에 알루미늄 호일이 지나가도록 하고, 외부에서 일정전압을 가하여서 이루어지게 된다. 상기 에칭 공정을 수행하게 되면, 알루미늄 호일 의 표면이 매끄럽지 않고 파단면이 형성되어 알루미늄 호일 표면의 실효 면적을 증가시키게 된다.
위와 같이 알루미늄 호일에 에칭 공정을 거치게 되면 다음과 같은 문제점이 발생함을 알 수 있다.
첫째, 알루미늄 호일의 단면이 에칭에 의하여 그 두께가 일정하지 않게 되고 응력이 집중되는 점이 생기므로 알루미늄 호일의 기계적 강도가 떨어지게 된다. 둘째, 에칭 공정시 염산(HCl)을 사용하기 때문에 잔류의 염소 이온(Cl-)으로 인해 알루미늄 호일의 부식이 촉진되어 완성된 소자의 수명과 성능이 저하된다. 셋째, 유전체로 산화 알루미늄(Al2O3)만을 사용할 수 있기 때문에 용량 구현에 한계가 있다. 넷째, 완성된 알루미늄 전해 콘덴서의 용량을 증가시키기 위해서는 알루미늄 호일을 에칭하기 때문에 고가인 순도 99.99% 알루미늄 호일을 사용해야 한다.
본 발명은 전술한 문제점을 해결하기 위하여 안출한 것으로서, 유전체로 산화알루미늄을 사용하지 않고 고유전체 물질을 제조하여 그 고유전체 물질을 사용하여 고체 질 콘덴서의 용량을 증대시키고, 에칭정도가 작은 호일을 사용하여, 알루미늄 호일의 기계적 강도를 증대시키고자 하는 목적을 가지고 있다.
본 발명은 전술한 목적을 달성하기 위하여 고체전해질 콘덴서에 있어서, 메탈 알콕사이드를 이용하여 Sol-Gel법을 적용하여 생성한 고유전체 물질을 유전체로 사용하며, 고유전체 물질이 입혀진 알루미늄 호일을 폴리피롤의 모노머를 아세트니트릴에 용해시키고 리튬염을 첨가한 용액에서 전기적 중합을 실시한 다음 카본 및 실버 코팅하는 것을 특징으로 하는 Sol-Gel법에 의한 고용량 고체 전해질 콘덴서를 제공하며, 상기 고체 전해질 콘덴서의 고유전체 물질은 Ta2O5, ZrO2, TiO2, Nb2O5중 하나인 것을 특징으로 한다.
이하 본 발명의 구성 및 작용을 상세히 설명하면 다음과 같다.
알루미늄 고체 전해질 콘덴서에 유전체로 Al2O3대신에 고유전체 물질을 대체한다. 이러한 고유전체 물질으로는 Ta2O5, ZrO2, TiO2, Nb2O5를 사용한다.
고유전체 sol용액을 제조하는 방법은 메탈 알콕사이드(Metal-Alkoxide)를 이용하며, 예를 들어 니오븀 에톡시드를 사용할 경우, 니오븀 에톡시드(Niobium ethoxide)에 에탄올, 물, 촉매(Acetic Acid), 디에탄올 아민과 같은 킬레이팅제를 첨가하여 제조한다.
졸(sol)원액은 니오븀 에톡시드(Niobium ethoxide), 에탄올, 초산, 디에탄올아민, 물을 1 : 100 : 1 : 1 : 2의 몰비로 혼합하여 1∼3일간 교반하고, 상기 sol원액에 알루미늄 호일을 코팅한 후에 상온에서 건조하거나 300℃ 전후의 온도에서 건조하면, Nb2O5를 생성한다. 그런후 전도성 폴리머 레이어 (Polymer layer)를 적용하여 전술한 결정구조의 Nb2O5가 입혀진 알루미늄 호일을 폴리피롤의 모노머(Polypyrrole monomer), 폴리아닐린의 모노머, 폴리사이오펜의 모노머 등의전도성 고분자의 모노머를 아세트 니트릴 등의 용제에 용해시키고 Li 염등과 같은 염을 첨가한 용액에서 전기적으로 중합을 실시하거나 가용성 전도성 고분자 용액에 함침시키는 방법 등으로 전도성 폴리머층을 형성한 뒤에 카본과 은을 코팅한다.
그러므로 본 발명에서는 종래에 유전체로 사용하는 Al2O3를 전술한 바와 같이 형성되는 Nb2O5등의 고유전체로 대체하여 사용한다. 전술한 바와 같이 고유전체 sol 용액을 만들기 위하여 사용하는 메탈 알콕사이드(Metal-Alkoxide)의 구조는 M - O - R의 구조로서 메탈에 해당하는 M의 자리에 Nb, Ti, Al, Zr 이 위치하고, R의 자리에는 알킬 글룸이 위치한다.
전술한 Nb2O5의 예와 같이 메탈을 바꾸어 생성시키면, Ta2O5, ZrO2, TiO2, IrO2의 고유전체 물질이 생성된다. 이렇게 생성되는 Ta2O5, ZrO2, TiO2, IrO2의 유전율과 종래에 사용하는 유전체인 Al2O3의 유전율과 비교해 보면, Al2O3의 유전율이 7인데 비해, Nb2O5의 유전율은 41, Ta2O5의 유전율은 24, ZrO2의 유전율은 21, TiO2의 유전율은 114로 월등하게 차이가 난다.
Sol-Gel 공정에 의해 생성된 고유전율 산화피막을 위해 전도성고분자층의 제조는 산화중합과 전해중합에 의해 형성된다. 산화중합은 고분자의 모노머를 산화피막위에 산화중합시켜 형성하는 것으로 용액상에서 음이온을 공급할 수 있는 산화제는 예를 들어 iodine, bromine, bromine iodide, antimony pentafluoride, teric-chloride 등과 같은 할로겐화합물, 황산, 질산, fluorosulfuric acid 등과 같은protonic acid sulfur trioxide, nitrogen dioxide 등과 같은 산소화합물, 암모늄퍼실페이트, sodiumpersulfate, potassium persulfate 등의 퍼설페이트류, 과산화수소등과 같은 과산화물이 사용된다. 이들은 수용액에 적정농도로 용해시키고 소자를 산화제 용액에 함침시켜서 산화제를 코팅하고 이를 꺼내서 건조시킨 뒤 모노머 용액에 함침시켜 고분자를 생성한다. 그리고 다시 건조후 전해중합용 용액에 소자를 함침시키고 적정 전류를 인가하여 전해중합에 의한 고분자를 형성한다.
산화제 용액의 농도는 01.∼2 몰 범위이며 모노머 용액은 전도성고분자 모노머를 0.1∼2몰 농도로 함유한 에세토니트릴 용액이다. 함침시간은 10∼60분 정도이고 건조는 대기건조이다. 전해중합용 용액은 모노머를 0.1∼1몰 농도의 도판트(양이온 내지는 음이온 도판트가 있으며 음이온 도판트에는 hexafluorophosphate, hexafluoarsenate, lelrafluoroborate, perchlorate등과 같은 halogenated anion, chloride, bromide, liodide 등과 같은 halide, alkylbenzenesulfonate, naphthalenesulfonate 등과 같은 sulfonate등이 사용된다. 양이온 도판트에는 lithium, sodium, potassium등과 같은 알칼리금속, ammonium, tetraalkilammonium 같은 암모늄 양이온 도판트가 사용된다. 본 실험에서는 파라톨루엔설페이트를 사용하였다.)와 황산이나 oxalic acid등을 0.1∼1몰 혼합하여 사용하였으며 혼합전해액에 인가하는 전류는 0.1∼5mA의 전류로 30분에서 3시간 정도 중합한다.
가용성고분자 용액은 전도성고분자를 극성 내지는 비극성용매(에틸렌글리콜, 알콜, 아세톤, 프로필렌카보네이트, GBL(감마부티론락톤), NMP(N-메틸피롤리돈), DSMO(다이메틸설폭사이트), DEG(디에틸렌글리콜), TEG(트리에틸렌글리콜), DMF(다이메틸포름아마이드), 초산계열의 acid에 폴리피롤, 폴리아닐린을 0.1-20w% 용해하고 여기에 졸,겔에 의해 형성된 산화물을 함침시키고, 약 30분정도 건조시켜(상온에서-150℃) 형성시킨다.
이상과 같이 본 발명은 고체전해질 콘덴서의 용량을 증대시키고, 에칭 정도가 적은 알루미늄 호일을 사용할 수 있으므로 알루미늄 호일의 기계적 강도가 증대 된다. 그리고 종래의 Al2O3생산공정 대신에 sol 용액 코팅방식으로 대체하여 생산 속도가 빨라지므로 생산성이 향상된다.

Claims (2)

  1. 고체전해질 콘덴서에 있어서, 메탈 알콕사이드를 이용하여 Sol-Gel법을 적용하여 생성한 고유전체 물질을 유전체로 사용하며, 고유전체 물질이 입혀진 알루미늄 호일을 폴리피롤의 모노머를 아세트 니트릴에 용해시키고 암모늄염을 첨가한 용액에서 전기적 중합을 실시하는 전해중합 방법이나 가용성 전도성 고분자 용액에 함침시켜 전도성 고분자층을 형성한 다음 카본 및 실버 코팅하는 것을 특징으로 하는 Sol-Gel법에 의한 고용량 고체 전해질 콘덴서.
  2. 제 1 항에 있어서, 고유전체 물질은 Ta2O5, ZrO2, TiO2, Nb2O5, IrO2중 하나인 것을 특징으로 하는 Sol-Gel법에 의한 고용량 고체 전해질 콘덴서.
KR1020010036684A 2001-06-26 2001-06-26 Sol-Gel법에 의한 고용량 고체 전해질 콘덴서 KR20030000640A (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020010036684A KR20030000640A (ko) 2001-06-26 2001-06-26 Sol-Gel법에 의한 고용량 고체 전해질 콘덴서

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020010036684A KR20030000640A (ko) 2001-06-26 2001-06-26 Sol-Gel법에 의한 고용량 고체 전해질 콘덴서

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20030000640A true KR20030000640A (ko) 2003-01-06

Family

ID=27711241

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020010036684A KR20030000640A (ko) 2001-06-26 2001-06-26 Sol-Gel법에 의한 고용량 고체 전해질 콘덴서

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20030000640A (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100676707B1 (ko) * 2004-06-05 2007-01-31 최강식 고용량 고체 전해콘덴서 및 그 제조방법
CN106340400A (zh) * 2016-09-09 2017-01-18 华中科技大学 一种碳包覆正交晶系纳米棒状Nb2O5材料及其制备方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20000006968A (ko) * 1999-11-16 2000-02-07 장관식 전해콘덴서용 가용성 폴리피롤 전해질 제조방법
JP2000068160A (ja) * 1998-08-19 2000-03-03 Nec Corp Ta固体電解コンデンサおよびその製造方法
KR20000014156A (ko) * 1998-08-18 2000-03-06 권호택 전해캐패시터용 포일의 유전체층 형성방법
KR20000019855A (ko) * 1998-09-16 2000-04-15 권호택 알루미늄 전해 캐패시터용 알루미늄 박막
KR20000033259A (ko) * 1998-11-21 2000-06-15 권호택 Sol-gel법에 의한 고용량 고체 전해질 콘덴서

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20000014156A (ko) * 1998-08-18 2000-03-06 권호택 전해캐패시터용 포일의 유전체층 형성방법
JP2000068160A (ja) * 1998-08-19 2000-03-03 Nec Corp Ta固体電解コンデンサおよびその製造方法
KR20000019855A (ko) * 1998-09-16 2000-04-15 권호택 알루미늄 전해 캐패시터용 알루미늄 박막
KR20000033259A (ko) * 1998-11-21 2000-06-15 권호택 Sol-gel법에 의한 고용량 고체 전해질 콘덴서
KR20000006968A (ko) * 1999-11-16 2000-02-07 장관식 전해콘덴서용 가용성 폴리피롤 전해질 제조방법

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100676707B1 (ko) * 2004-06-05 2007-01-31 최강식 고용량 고체 전해콘덴서 및 그 제조방법
CN106340400A (zh) * 2016-09-09 2017-01-18 华中科技大学 一种碳包覆正交晶系纳米棒状Nb2O5材料及其制备方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH0474853B2 (ko)
JPH0546693B2 (ko)
JP2006024708A (ja) 固体電解コンデンサ及びその製造方法
JPH0458165B2 (ko)
KR20030000640A (ko) Sol-Gel법에 의한 고용량 고체 전해질 콘덴서
JP4565730B2 (ja) 固体コンデンサ及びその製造方法
JP2011228636A (ja) 固体電解コンデンサ及びその製造方法
JPH0682592B2 (ja) 固体電解コンデンサの製造方法
JP2011258808A (ja) 固体電解コンデンサの製造方法
JP3213994B2 (ja) 固体電解コンデンサの製造方法
JPH0583167B2 (ko)
JP2640864B2 (ja) タンタル固体電解コンデンサの製造方法
JPH02238613A (ja) 固体電解コンデンサ
JP2945100B2 (ja) 固体電解コンデンサの製造方法
JPH0276211A (ja) 固体電解コンデンサ及びその製造方法
JPH0645195A (ja) 固体電解コンデンサの製造方法
JPH0365008B2 (ko)
KR20000033259A (ko) Sol-gel법에 의한 고용량 고체 전해질 콘덴서
JP3242464B2 (ja) 固体電解コンデンサの製造方法
JP2005259807A (ja) 固体電解コンデンサ及びその製造方法
JP4847088B2 (ja) イオン性液体を電解液として使用したアルミニウム電解コンデンサ、電解コンデンサ用アルミニウム電極箔及びそのアルミニウム電極箔の製造方法
JP2904453B2 (ja) 固体電解コンデンサの製造方法
JP2898443B2 (ja) 固体電解コンデンサの製造方法
JPH0445966B2 (ko)
JP3117222B2 (ja) 固体電解コンデンサ

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application