KR100670150B1 - 플라즈마 표시 장치와 그 구동 방법 - Google Patents

플라즈마 표시 장치와 그 구동 방법 Download PDF

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Abstract

플라즈마 표시 장치에서, 전력 회수 회로의 전압 상승시 전력 회수용 커패시터의 전압을 유지방전 전압의 중간 전압보다 높게 설정하고, 전압 하강시 커패시터의 전압을 유지방전 전압의 중간 전압보다 낮게 설정한다. 이와 같이 하면 전력 회수 효율을 높일 수 있다.
플라즈마 표시 장치, 유지방전, 공진

Description

플라즈마 표시 장치와 그 구동 방법{PLASMA DISPLAY AND DRIVING METHOD THEREOF}
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 표시 장치를 나타내는 도면이다.
도 2a는 본 발명의 제1 실시예에 따른 주사 전극 구동부의 회로도이다.
도 2b는 본 발명의 제1 실시예에 따른 주사 전극 구동부의 각 모드에서의 전류 경로를 나타내는 도면이다.
도 3은 본 발명의 제2 실시예에 따른 주사 전극 구동부의 회로도이다.
도 4는 본 발명의 제3 실시예에 따른 주사 전극 구동부의 회로도이다.
본 발명은 플라즈마 표시 장치 및 그 구동 방법에 관한 것으로, 특히 플라즈마 표시 장치의 전력 회수 회로에 관한 것이다.
플라즈마 표시 장치는 기체 방전에 의해 생성된 플라즈마를 이용하여 문자 또는 영상을 표시하는 평면 표시 장치로서, 그 크기에 따라 수십에서 수백 만개 이상의 화소가 매트릭스 형태로 배열되어 있다.
이러한 플라즈마 표시 장치의 패널에서는 한 필드(1TV 필드)가 각각의 가중 치를 가지는 복수의 서브필드로 분할되어 구동되며, 복수의 서브필드 중 표시 동작이 일어나는 서브필드의 가중치의 조합에 의해 계조가 표시된다.
그리고 각 서브필드는 복수의 방전 셀 중에서 발광할 방전 셀과 발광하지 않을 방전 셀을 선택하기 위한 어드레싱 동작을 수행하는 어드레스 기간과, 어드레스 기간에서 선택된 방전 셀에서 서브필드의 가중치에 대응하는 기간 동안 유지방전이 일어나서 표시 동작이 수행되는 유지 기간을 포함한다.
이때, 유지 방전 펄스가 인가되는 전극은 다른 전극과 함께 용량성 부하로 작용한다. 그러므로 유지 방전 펄스를 전극에 인가하기 위해서는 유지 방전을 위한 전력 이외에 전하 주입용 무효 전력이 필요하다. 따라서 유지 방전 회로에는 무효 전력을 회수하여 재사용하는 전력 회수 회로가 사용된다.
그런데, 종래의 전력 회수 회로에서는 전력을 회수하는 과정에서 스위치의 소실 및 회로 자체의 손실에 의해 에너지를 100% 회수하는 것이 현실적으로 불가능하며, 따라서 전력 회수 동작시에 유지 방전 전압을 유지 방전 펄스의 하이레벨 전압까지 올리지 못하거나 유지 방전 펄스의 로우레벨 전압까지 내리지 못한다. 이 상태에서 유지 방전 펄스의 하이레벨 전압 또는 로우레벨 전압을 공급하는 스위치를 턴 온하면 스위치가 하드 스위칭을 하게 되어 스위칭 손실이 생길 뿐만 아니라 EMI에도 좋지 않은 영향을 끼친다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 전력 회수 회로에서 스위칭 손실을 줄일 수 있는 플라즈마 표시 장치의 구동 방법을 제공하는 것이다.
이러한 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 특징에 따른 플라즈마 표시 장치는 복수의 제1 전극, 제1 전압을 공급하는 제1 전원과 상기 복수의 제1 전극 사이에 연결되어 있는 제1 트랜지스터, 상기 제1 전압보다 낮은 제2 전압을 공급하는 제2 전원과 상기 복수의 제1 전극 사이에 연결되어 있는 제2 트랜지스터, 상기 복수의 제1 전극에 제1 단이 연결되어 있는 적어도 하나의 인덕터, 제3 전원의 양극과 음극 사이에 연결되어 상기 제1 전압과 상기 제2 전압의 차이의 절반에 해당하는 제3 전압보다 높은 제4 전압을 공급하는 제4 전원, 상기 적어도 하나의 인덕터 중 하나의 인덕터의 제2단과 상기 제4 전원 사이에 연결되어 있는 제3 트랜지스터, 상기 제3 전원의 양극과 음극 사이에 연결되어 상기 제3 전압보다 낮은 제5 전압을 공급하는 제5 전원, 그리고 상기 적어도 하나의 인덕터 중 하나의 인덕터의 제2단과 상기 제5 전원 사이에 연결되어 있는 제4 트랜지스터를 포함한다.
또한 본 발명의 특징에 따른 플라즈마 표시 장치의 구동 방법은, 제1 전압을 공급하는 제1 전원을 이용하여 상기 제1 전압의 절반보다 큰 제2 전압을 공급하는 제2 전원을 생성하는 단계, 상기 제1 전원을 이용하여 상기 제1 전압의 절반보다 작은 제3 전압을 공급하는 제3 전원을 생성하는 단계, 상기 제2 전원과 상기 제2 전원에 연결된 제1 인덕터를 통하여 복수의 제1 전극의 전압을 증가시키는 단계, 상기 복수의 제1 전극에 제4 전압을 인가하는 단계, 상기 제3 과 상기 제3 전원에 연결된 제2 인덕터를 통하여 상기 복수의 제1 전극의 전압을 감소시키는 단계, 그리고 상기 복수의 제1 전극에 제5 전압을 인가하는 단계를 포함한다.
아래에서는 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다. 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였다. 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 붙였다.
명세서 전체에서, 어떤 부분이 다른 부분과 "연결"되어 있다고 할 때, 이는 "직접적으로 연결"되어 있는 경우뿐 아니라, 그 중간에 다른 소자를 사이에 두고 "전기적으로 연결"되어 있는 경우도 포함한다. 또한 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.
먼저, 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 표시 장치의 개략적인 구조에 대해서 도 1을 참조하여 자세하게 설명한다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 표시 장치를 나타내는 도면이다.
도 1에 도시한 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 표시 장치는 플라즈마 표시 패널(100), 어드레스 구동부(200), 주사 전극 구동부(320), 유지 전극 구동부(340) 및 제어부(400)를 포함한다.
플라즈마 표시 패널(100)은 열 방향으로 배열되어 있는 다수의 어드레스 전극(이하, "A 전극"이라 함)(A1~Am), 행 방향으로 교대로 배열되어 있는 다수의 주사 전극(이하, "Y 전극"이라 함)(Y1~Yn) 및 다수의 유지 전극(이하, "X 전극"이라 함)(X1~Xn)을 포함한다.
어드레스 구동부(200)는 제어부(200)로부터 어드레스 구동 제어 신호(SA)를 수신하여 표시하고자 하는 방전 셀을 선택하기 위한 표시 데이터 신호를 각 A 전극에 인가한다.
주사 전극 구동부(320) 및 유지 전극 구동부(340)는 제어부(200)로부터 각각 주사 전극 구동신호(SY)와 유지 전극 구동신호(SX)를 수신하여 Y 전극과 X 전극에 인가한다.
제어부(400)는 외부로부터 영상신호를 수신하여, 어드레스 구동제어신호(SA), 주사 전극 구동신호(SY) 및 유지 전극 구동신호(SX)를 생성하여 각각 어드레스 구동부(200), 주사 전극 구동부(320) 및 유지 전극 구동부(340)에 전달한다.
아래에서는 본 발명의 실시예에 따른 주사 전극 구동부(320)의 회로 구조 및 동작에 대해서 도면을 참조하여 자세하게 설명한다.
도 2a는 본 발명의 제1 실시예에 따른 주사 전극 구동부(320)의 회로도이다. 주사 전극 구동부(320)는 복수의 Y 전극(Y1~Yn) 또는 일부의 Y 전극에 공통으로 연결될 수 있다.
도 2a에 도시한 바와 같이, 본 발명의 제1 실시예에 따른 주사 전극 구동부(320)는 전압(Vs)에 드레인이 연결되어 있고 패널 커패시터(Cp)의 Y 전극에 소스가 연결되어 있는 트랜지스터(Ys), Y 전극에 드레인이 연결되어 있고 접지단에 소스가 연결되어 있는 트랜지스터(Yg), 전원(Vs)과 인덕터(L) 사이에 연결되어 인덕터(L)의 일단 전압을 Vs 전압으로 클램핑하는 다이오드(Ds), 인덕터(L)와 접지단 사이에 연결되어 인덕터(L)의 일단 전압을 0V로 클램핑하는 다이오드(Dg)를 포함한다. 또한 전력을 회수하여 재사용하는 전력 회수 회로로서 인덕터(L), 트랜지스터(Yr, Yf), 다이오드(Dr, Df), 커패시터(Cer, Cr, Cf) 및 저항(Rr1, Rr2, Rf1, Rf2)을 포함한다.
패널 커패시터(Cp)는 X 전극과 Y 전극 사이의 커패시턴스 성분을 등가적으로 나타낸 것이며, 편의상 패널 커패시터(Cp)의 X 전극은 접지 단자에 연결된 것으로 표시하였다.
커패시터(Cer)의 음극은 접지단에 연결되어 있으며, 커패시터(Cer)의 양극과 음극 사이에는 각각 직렬 연결된 저항(Rr1, Rr2)과 저항(Rf1, Rf2)이 병렬로 연결된다. 양극은 또한, 저항(Rr2)에는 커패시터(Cr)가 병렬로 연결되고 저항(Rf2)에는 커패시터(Cf)가 병렬로 연결된다. 커패시터(Cer)에는 Vs 전압이 충전되어 있으며, 저항(Rr1, Rr2)에 의해 분배된 전압 중 저항(Rr2)에 걸리는 전압이 커패시터(Cr)에 충전되고, 마찬가지로 저항(Rf1, Rf2)에 의해 분배된 전압 중 저항(Rf2)에 걸리는 전압이 커패시터(Cf)에 충전된다. 또한 커패시터(Cer)에 충전된 전압을 항상 Vs 전압으로 유지하기 위하여 커패시터(Cer)의 양극은 전원(Vs)에 연결될 수 있다.
또한 저항(Rr1)과 저항(Rr2)의 접점에 트랜지스터(Yr)의 드레인이 연결되고, 저항(Rf1)과 저항(Rf2)의 접점에 트랜지스터(Yf)의 소스가 연결된다. 또한, 트랜지스터(Yr, Yf)에는 각각 애노드가 소스에 연결되고 캐소드가 드레인에 연결되는 바디 다이오드가 형성될 수 있으며, 이러한 바이 다이오드에 의한 전류 흐름을 차단하는 방향으로 다이오드(Dr)와 다이오드(Df)가 연결된다.
또한 각각의 트랜지스터는 복수 개의 트랜지스터가 병렬로 연결되어 구성될 수 있다.
다음, 도 2a 및 도 2b를 참조하여 본 발명의 제1 실시예에 따른 구동 회로의 유지구간에서의 시계열적 동작 변화를 설명한다. 여기서, 동작 변화는 4개의 모드(M1∼M4)로 일순하며, 모드 변화는 트랜지스터의 조작에 의해 생긴다. 그리고 여기서 공진으로 칭하고 있는 현상은 연속적 발진은 아니며 트랜지스터(Yr, Yf)의 턴온시에 생기는 인덕터(L)와 패널 커패시터(Cp)의 조합에 의한 전압 및 전류의 변화 현상이다. 아래에서는 방전 전압에 비해 반도체 소자(트랜지스터, 다이오드)의 문턱 전압이 매우 낮으므로 문턱 전압을 0V로 간주하여 근사 처리한다.
도 2b는 본 발명의 제1 실시예에 따른 Y 전극 구동부의 각 모드에서의 전류 경로를 나타내는 도면이다.
본 발명의 제1 실시예에서는 모드 1(M1)이 시작되기 전에 커패시터(Cer)에는 Vs 전압이 충전되어 있다고 가정한다. 그러므로 커패시터(Cr)에는 저항(Rr1, Rr2)에 의해 분배된 전압 중 저항(Rr2)에 걸리는 전압이 충전된다. 즉, 커패시터(Cr)에 걸리는 전압(Vcr)은 VsRr2/(Rr1+Rr2)이다.
① 모드 1(M1)
모드 1 구간에서는 트랜지스터(Yr)가 턴온된다. 그러면, 도 2b에 도시한 바와 같이 커패시터(Cr)-트랜지스터(Yr)-다이오드(Dr)-인덕터(L)-패널 커패시터(Cp)로 전류 경로(①)가 형성되어 인덕터(L)와 패널 커패시터(Cp) 사이에서 공진이 발생한다. 이 공진에 의해 커패시터(Cr)에 충전된 전하가 패널 커패시터(Cp)로 이동 하면서 패널 커패시터(Cp)가 충전되고, 패널 커패시터(Cp)의 Y 전극 전압은 0V에서부터 서서히 상승한다.
그런데, 각각의 소자에 형성되어 있는 기생 성분에 의해 Y 전극의 전압이 Vs 전압까지 상승할 수 없다. 그러므로 본 발명의 제1 실시예에서는 커패시터(Cr)에 충전된 전압을 Vs/2보다 큰 전압으로 설정하여 Y 전극의 전압을 Vs 근처까지 높인다. 즉, 커패시터(Cr)에 충전된 전압은 Vcr= VsRr2/(Rr1+Rr2)이므로 VsRr2/(Rr1+Rr2) > Vs/2를 만족해야 한다. 그러므로 저항(Rr2)을 저항(Rr1)보다 크게 설정한다.
② 모드 2(M2)
모드 2 구간에서는 트랜지스터(Yr)를 턴 오프하고 트랜지스터(Ys)를 턴 온한다. 그러면 도 2b에 도시한 바와 같이 전원(Vs)-트랜지스터(Ys)-패널 커패시터(Cp)로 전류 경로(②)가 형성되고 전원(Vs)으로부터 공급되는 Vs 전압이 트랜지스터(Ys)를 통하여 패널 커패시터(Cp)의 Y 전극에 인가된다.
그런데, 모드 1 구간에서 Y 전극의 전압이 Vs 전압까지 상승되었으므로 모드 2 구간에서 트랜지스터(Ys)가 턴 온될 때 하드 스위칭이 일어나지 않는다.
③ 모드 3(M3)
모드 3 구간에서는 트랜지스터(Ys)가 턴 오프되고 트랜지스터(Yf)가 턴온되며, 도 2b에 도시한 바와 같이 패널 커패시터(Cp)-인덕터(L)-다이오드(Df)-트랜지스터(Yf)-커패시터(Cf)로 전류 경로(③)가 형성되어 인덕터(L)와 패널 커패시터(Cp) 사이에서 공진이 발생한다. 이 공진에 의해 패널 커패시터(Cp)에 충전된 전하 가 커패시터(Cf)로 이동하면서 커패시터(Cf)가 충전되고, 패널 커패시터(Cp)의 Y 전극 전압은 Vs 전압에서부터 서서히 하강한다.
그런데, 앞서 설명한 바와 같이 각각의 소자에 형성되어 있는 기생 성분에 의해 Y 전극의 전압이 0V까지 하강할 수 없다. 그러므로 본 발명의 제1 실시예에서는 커패시터(Cf)에 충전된 전압을 Vs/2보다 낮은 전압으로 설정하여 Y 전극의 전압을 0V 근처까지 낮춘다. 즉, 커패시터(Cf)에 충전된 전압은 Vcf= VsRf2/(Rf1+Rf2)이므로 VsRf2/(Rf1+Rf2) < Vs/2를 만족해야 한다. 그러므로 저항(Rf2)을 저항(Rf1)보다 작게 설정한다.
④ 모드 4(M4)
모드 4 구간에서는 트랜지스터(Yf)를 턴 오프하고 트랜지스터(Yg)를 턴 온한다. 그러면 도 2b에 도시한 바와 같이 커패시터(Cp)-트랜지스터(Yg)-접지단으로 전류 경로(④)가 형성되고 패널 커패시터(Cp)의 Y 전극에는 접지전압이 인가된다.
그런데, 모드 3 구간에서 Y 전극의 전압이 0V까지 하강하였으므로 모드 4 구간에서 트랜지스터(Yg)가 턴 온될 때 하드 스위칭이 일어나지 않는다.
이와 같이 본 발명의 실시예에 따른 전력 회수 회로는 전압(Vs/2)보다 높은 전위에서 상승 동작을 수행하고 전압(Vs/2)보다 낮은 전위에서 하강 동작을 수행하기 때문에 전력 회수 동작으로 Y 전극의 전압을 Vs 전압까지 완전히 상승시키고 0V까지 완전히 하강시킬 수 있다.
모드 1 내지 4(M1∼M4)의 과정을 통해 Y 전극의 전압은 0V에서 Vs 사이를 스윙할 수 있다. 그리고 모드 4(M4) 이후에는 다시 모드 1~4의 동작을 반복한다.
한편, 본 발명의 제1 실시예에서는 커패시터(Cer)에 직렬 연결된 저항들을 병렬로 연결하고 직렬 연결된 저항 중 어느 하나에 각각 커패시터를 연결하였으나 이와는 달리 직렬 연결된 모든 저항에 각각 커패시터를 연결할 수도 있다.
도 3은 본 발명의 제2 실시예에 따른 Y 전극 구동부(320)의 회로도이다.
도 3에 도시한 바와 같이, 본 발명의 제2 실시예에 따른 Y 전극 구동부(320)는 커패시터(Cr1, Cf1)가 추가되는 것을 제외하면 본 발명의 제1 실시예와 동일하다.
구체적으로 설명하면, 커패시터(Cer)에 병렬 연결되며 서로 직렬 연결된 저항(Rr1)과 저항(Rr2)에는 커패시터(Cr1)와 커패시터(Cr2)가 각각 병렬 연결된다. 마찬가지로, 커패시터(Cer)에 병렬 연결되며 서로 직렬 연결된 저항(Rf1)과 저항(Rf2)에는 커패시터(Cf1)와 커패시터(Cf2)가 각각 병렬 연결된다.
이 경우, 본 발명의 제1 실시예와 마찬가지로 전력회수 동작 중 전압 상승 기간에서는 커패시터(Cr2)에서 공급되는 전하를 통하여 Y 전극의 전압을 높이며, 전압 하강 기간에서는 커패시터(Cf2)에서 공급되는 전하를 통하여 Y 전극의 전압을 낮춘다.
본 발명의 제2 실시예에서도 저항(Rr2)이 저항(Rr1)보다 크게 설정하여 커패시터(Cr2)에 충전되는 전압(Vcr2)이 Vs/2보다 크도록 하며, 저항(Rf2)이 저항(Rf1)보다 작게 설정하여 커패시터(Cf2)에 충전되는 전압(Vcf2)이 Vs/2보다 작도록 한다.
이와 같이 하면, 전력 회수 동작을 통하여 Y 전극의 전압을 Vs 전압까지 높 이고 0V까지 낮출 수 있다. 따라서 트랜지스터(Ys)와 트랜지스터(Yg)가 턴 온될 때 하드 스위칭이 일어나지 않는다. 또한, 커패시터(Cer)에 충전된 전하가 각각 두 개의 커패시터(Cr1, Cr2와 Cf1, Cf2)로 동시에 충전되므로 본 발명의 제1 실시예에 비하여 커패시터(Cr2, Cf2)가 충전되는 시간을 단축할 수 있다.
한편, 커패시터(Cer)에 제너 다이오드와 커패시터를 연결하여 전압 상승시 전원과 전압 하강시 전원의 크기를 다르게 할 수도 있다.
도 4는 본 발명의 제3 실시예에 따른 Y 전극 구동부(320)의 회로도이다.
도 4에 도시한 바와 같이, 본 발명의 제3 실시예에 따른 Y 전극 구동부는 저항(Rr)-제너 다이오드(Dzr)-커패시터(Cr)를 직렬 연결하고 저항(Rf)-제너 다이오드(Dzf)-커패시터(Cf)를 직렬 연결한다. 그리고 직렬 연결된 저항, 제너 다이오드 커패시터 그룹을 각각 커패시터(Cer)에 병렬로 연결한다. 커패시터(Cr)는 전력 회수 동작시 Y 전극의 전압을 상승시키는 전원으로 동작하며 커패시터(Cf)는 전력 회수 동작시 Y 전극의 전압을 하강시키는 전원으로 동작한다.
구체적으로 설명하면, 커패시터(Cer)에는 Vs 전압이 충전되어 있으므로 커패시터(Cr)에는 Vs 전압에서 제너 다이오드(Dzr)의 항복전압(Vdzr)만큼 전압 강하가 일어난 전압(Vs-Vdzr)이 충전되며, 커패시터(Cf)에는 Vs 전압에서 제너 다이오드(Dzf)의 항복전압(Vdzf)만큼 전압 강하가 일어난 전압(Vs-Vdzf)이 충전된다.
이때, (Vs-Vdzr) 전압이 Vs/2 전압보다 크도록 Vdzr 전압을 설정하고 (Vs-Vdzf) 전압이 Vs/2 전압보다 작도록 Vdzf 전압을 설정한다. 즉, Vdzr<Vs/2와 Vdzf>Vs/2를 만족하도록 제너 다이오드(Dzr, Dzf)의 항복전압을 설정한다.
이와 같이 하면, 전력 회수 동작을 통하여 Y 전극의 전압을 Vs 전압까지 높이고 0V까지 낮출 수 있으므로 트랜지스터(Ys)와 트랜지스터(Yg)가 턴 온될 때 하드 스위칭이 일어나지 않는다.
한편, 본 발명의 실시예에서는 트랜지스터(Yr, Yf, Ys, Yg)로서 바디 다이오드가 형성되는 NMOS 트랜지스터를 사용하였으나 이외에 다른 트랜지스터를 사용할 수도 있다.
또한, 본 발명의 실시예에서는 트랜지스터(Yr)와 인덕터(L) 사이에 다이오드(Dr)가 연결되고 트랜지스터(Yf)와 인덕터(L) 사이에 다이오드(Df)가 연결되는 것으로 도시하였으나, 트랜지스터(Yr)의 드레인에 애노드가 연결되도록 다이오드(Dr)를 연결하고 트랜지스터(Yf)의 소스에 애노드가 연결되도록 다이오드(Df)를 연결할 수도 있다.
또한, 본 발명의 실시예에서는 Y 전극에 하나의 인덕터를 연결하고 이 인덕터를 통하여 충전 경로와 방전 경로가 교대로 형성되도록 하였으나, 이와는 달리 두 개의 인덕터를 사용하여 충전 경로와 방전 경로를 분리할 수도 있다. 그리고 두 개의 인덕터를 사용할 경우에 커패시터(Cr)와 트랜지스터(Yr) 사이에 하나의 인덕터를 연결하고 커패시터(Cf)와 트랜지스터(Yf) 사이에 다른 하나의 인덕터를 연결할 수도 있다.
또한, 본 발명의 실시예에서는 주사 전극 구동부의 전력 회수 회로에 대하여 설명하였지만 본 발명은 유지 전극 구동부 및 어드레스 전극 구동부의 전력 회수 회로에도 적용할 수 있다.
이상에서 본 발명의 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.
이상에서와 설명한 바와 같이, 본 발명에 따르면 전력 회수 회로에서 전압 상승시의 전력 회수용 커패시터의 전압을 유지방전 전압의 중간 전압보다 높게 설정하고, 전압 하강시의 커패시터의 전압을 유지방전 전압의 중간 전압보다 낮게 설정한다. 즉, 전력 회수 동작을 통하여 패널 커패시터의 전압을 Vs 전압까지 높이거나 0V까지 낮춘 후 유지 방전 전압을 공급하는 스위치를 턴 온하므로 스위치가 하드 스위칭할 때 발생하는 서지성 전류 및 스위치의 스트레스 문제를 해결할 수 있다.

Claims (16)

  1. 복수의 제1 전극,
    제1 전압을 공급하는 제1 전원과 상기 복수의 제1 전극 사이에 연결되어 있는 제1 트랜지스터,
    상기 제1 전압보다 낮은 제2 전압을 공급하는 제2 전원과 상기 복수의 제1 전극 사이에 연결되어 있는 제2 트랜지스터,
    상기 복수의 제1 전극에 제1 단이 연결되어 있는 적어도 하나의 인덕터,
    제3 전원의 양극과 음극 사이에 연결되어 상기 제1 전압과 상기 제2 전압의 차이의 절반에 해당하는 제3 전압보다 높은 제4 전압을 공급하는 제4 전원,
    상기 적어도 하나의 인덕터 중 하나의 인덕터의 제2단과 상기 제4 전원 사이에 연결되어 있는 제3 트랜지스터,
    상기 제3 전원의 양극과 음극 사이에 연결되어 상기 제3 전압보다 낮은 제5 전압을 공급하는 제5 전원, 그리고
    상기 적어도 하나의 인덕터 중 하나의 인덕터의 제2단과 상기 제5 전원 사이에 연결되어 있는 제4 트랜지스터를 포함하는 플라즈마 표시 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제4 전원은,
    상기 제3 전원의 양극과 음극 사이에 직렬로 연결되어 있는 제1 및 제2 저 항, 그리고
    상기 제2 저항에 병렬로 연결되어 있으며, 상기 제1 및 제2 저항의 접점을 통하여 상기 제4 전압을 공급하는 제1 커패시터를 포함하며,
    상기 제5 전원은,
    상기 제3 전원의 양극과 음극 사이에 직렬로 연결되어 있는 제3 및 제4 저항, 그리고
    상기 제4 저항에 병렬로 연결되어 있으며, 상기 제3 및 제4 저항의 접점을 통하여 상기 제5 전압을 공급하는 제2 커패시터를 포함하는 플라즈마 표시 장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 제2 저항이 상기 제1 저항보다 크며, 상기 제4 저항이 상기 제3 저항보다 작은 플라즈마 표시 장치.
  4. 제2항에 있어서,
    상기 제4 전원은 상기 제1 저항에 병렬로 연결되어 있는 제3 커패시터를 더 포함하며,
    상기 제5 전원은 상기 제3 저항에 병렬로 연결되어 있는 제4 커패시터를 더 포함하는 플라즈마 표시 장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 제4 전원은,
    상기 제3 전원의 양극과 음극 사이에 직렬로 연결되어 있는 제1 제너 다이오드 및 제1 커패시터를 포함하고, 상기 제1 커패시터와 상기 제1 제너 다이오드의 접점을 통하여 상기 제4 전압을 공급하며,
    상기 제5 전원은,
    상기 제3 전원의 양극과 음극 사이에 직렬로 연결되어 있는 제2 제너 다이오드 및 제2 커패시터를 포함하고, 상기 제2 커패시터와 상기 제2 제너 다이오드의 접점을 통하여 상기 제5 전압을 공급하는 플라즈마 표시 장치.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 제1 제너 다이오드의 항복 전압이 상기 제3 전압보다 작으며, 상기 제2 제너 다이오드의 항복 전압이 상기 제3 전압보다 큰 플라즈마 표시 장치.
  7. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제3 전원은, 상기 제1 전압과 제2 전압의 차이에 해당하는 전압을 충전하고 있으며 음극이 상기 제2 전원에 연결되어 있는 제5 커패시터를 포함하는 플라즈마 표시 장치.
  8. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 하나의 인덕터와 상기 제3 트랜지스터 사이에 전기적으로 연결되어 상 기 제1 전극이 충전되도록 전류의 방향을 결정하는 제1 다이오드, 그리고
    상기 인덕터와 상기 제4 트랜지스터 사이에 전기적으로 연결되어 상기 제1 전극이 방전되도록 전류의 방향을 결정하는 제2 다이오드를 더 포함하는 플라즈마 표시 장치.
  9. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제3 트랜지스터의 턴 온으로 상기 제1 전극의 전압을 상승시키고,
    상기 제4 트랜지스터의 턴 온으로 상기 제1 전극의 전압을 상기 제2 전압으로 하강시키는 플라즈마 표시 장치.
  10. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제3 트랜지스터에 연결되는 상기 하나의 인덕터와 상기 제4 트랜지스터에 연결되는 상기 하나의 인덕터는 동일한 플라즈마 표시 장치.
  11. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제3 트랜지스터에 연결되는 상기 하나의 인덕터와 상기 제4 트랜지스터에 연결되는 상기 하나의 인덕터는 다른 플라즈마 표시 장치.
  12. 복수의 제1 전극을 포함하는 플라즈마 표시 장치의 구동 방법에 있어서,
    제1 전압을 공급하는 제1 전원을 이용하여 상기 제1 전압의 절반보다 큰 제2 전압을 공급하는 제2 전원을 생성하는 단계,
    상기 제1 전원을 이용하여 상기 제1 전압의 절반보다 작은 제3 전압을 공급하는 제3 전원을 생성하는 단계,
    상기 제2 전원과 상기 제2 전원에 연결된 제1 인덕터를 통하여 상기 복수의 제1 전극의 전압을 증가시키는 단계,
    상기 복수의 제1 전극에 제4 전압을 인가하는 단계,
    상기 제3 전원에 연결된 제2 인덕터를 통하여 상기 복수의 제1 전극의 전압을 감소시키는 단계, 그리고
    상기 복수의 제1 전극에 제5 전압을 인가하는 단계를 포함하는 플라즈마 표시 장치의 구동방법.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 제2 전원은 상기 제1 전원의 일단에 음극이 연결된 제1 커패시터를 포함하고 상기 제3 전원은 상기 제1 전원의 일단에 음극이 연결된 제2 커패시터를 포함하며,
    상기 제2 전원을 생성하는 단계는 상기 제1 전원에서 공급되는 전하를 상기 제1 커패시터에 충전하고,
    상기 제3 전원을 생성하는 단계는 상기 제1 전원에서 공급되는 전하를 상기 제2 커패시터에 충전하는 플라즈마 표시 장치의 구동방법.
  14. 제12항에 있어서,
    상기 제1 전압은 상기 제4 전압과 상기 제5 전압의 차이에 해당하는 전압인 플라즈마 표시 장치의 구동방법.
  15. 제12항에 있어서,
    상기 제1 인덕터와 상기 제2 인덕터는 동일한 인덕터인 플라즈마 표시 장치의 구동방법.
  16. 제12항에 있어서,
    상기 제1 인덕터와 상기 제2 인덕터는 다른 인덕터인 플라즈마 표시 장치의 구동방법.
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