KR100654631B1 - 고전압 출력보호회로 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 이중전원을 사용하는 제품에 고전압 인가시 출력회로를 보호하기 위한 고전압 출력보호회로에 관한 것이다.
본 발명에 의한 출력회로의 오동작을 방지하기 위한 고전압 출력보호회로에 있어서, 상기 출력회로 전단에 위치하여 인가되는 전원전압(VCC)과 고전압(VPP)의 공급을 감지하는 고전압(VPP) 검출기; 및 상기 출력회로 전단에 위치하여 고전압(VPP)이 인가되면, 내부전압전원 VP와 VDDI를 발생시키는 내부전압발생기;를 포함하고, 상기 고전압(VPP) 검출기는 고전압(VPP)이 먼저 인가되는 경우 VPP-UP신호가 소정의 초기구간동안만 인가되고, 전원전압(VCC)이 먼저 인가되는 경우, VPP-UP신호가 발생되지 않음을 특징으로 한다.
본 발명에 의하면, 고전압이 먼저 인가되는 경우 내부 저전압(VDDI)을 발생시켜 전원전압(VCC)이 인가되기 이전 구간동안 출력회로의 출력을 원하는 상태로 만들어 출력회로의 오동작을 방지할 수 있다. 또한, 저전압(전원전압(VCC))이 먼저 인가되는 경우 불필요한 출력제어가 진행되지 않도록 전압검출기의 동작을 억제하여 정상적인 출력회로의 출력 값을 만들 수 있다.

Description

고전압 출력보호회로{A output protect circuit of high voltage}
도 1은 종래의 이중전원을 사용하는 출력회로의 블록도를 도시한 것이다.
도 2는 종래의 이중전원을 사용하는 출력회로의 실시예를 도시한 것이다.
도 3은 종래의 출력회로의 타이밍도의 일실시예를 도시한 것이다.
도 4는 종래의 출력회로의 타이밍도의 다른 일실시예를 도시한 것이다.
도 5는 본 발명에 의한 고전압 출력보호회로의 블록도를 도시한 것이다.
도 6은 본 발명에 의한 고전압 출력보호회로의 실시예를 도시한 것이다.
도 7은 본 발명에 의한 출력보호회로의 타이밍도의 일실시예를 도시한 것이다.
도 8은 본 발명에 의한 출력보호회로의 타이밍도의 다른 일실시예를 도시한 것이다.
본 발명은 이중전원을 사용하는 출력회로에 관한 것으로, 특히 고전압 출력보호회로에 관한 것이다.
도 1은 종래의 이중전원을 사용하는 출력회로의 블록도를 도시한 것이다.
도 1은 전원전압인 VCC와 상기 전원전압(VCC)보다 고전압인 VPP전압이 인가되고, 입력신호가 입력되는 회로를 나타낸 것으로, 단순히 출력이 고전압에 견디도록 소자에서 게이트(gate) 내성전압을 높이는 방식을 사용하여 왔다.
도 2는 도 1의 실시예를 도시한 것이다.
전원전압(VCC)은 I1, I2에 인가되고, 고전압(VPP)은 M11, M12, M13의 소오스에 인가되고, 입력신호가 I1의 입력 측에 연결되고, I1의 출력이 M21, M23의 게이트에 연결되고, I2의 출력이 M22의 게이트에 연결된다.
그리고, M21, M22, M23의 소오스는 접지전압(VSSP)에 연결된다.
도 3은 종래의 출력회로의 타이밍도의 일실시예를 도시한 것이다.
도 3에서는 고전압(VPP)가 전원전압(VCC)보다 먼저 인가되는 경우를 나타낸 것으로, 전원전압(VCC)이 인가되지 않는 구간동안 출력회로의 출력이 하이(high) 레벨인지 로우(low) 레벨인지 알 수 없는 구간이 존재하게 된다.
도 4는 종래의 출력회로의 타이밍도의 다른 일실시예를 도시한 것이다.
도 4에서 전원전압(VCC)가 고전압(VPP)보다 먼저 인가되는 경우를 나타낸 것으로, 출력회로의 출력이 정상적으로 동작하는 것을 보여준다.
종래에는 단순히 출력이 고전압에 견디도록 소자에서 게이트(gate) 내성전압을 높이는 방식으로 진행되어 상대적으로 게이트 문턱이 높아짐으로 출력에 사용되는 소자의 특성 저하의 원인이 된다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 이중전원을 사용하는 제품에 고전압 인가시 출력회로를 보호하기 위한 고전압 출력보호회로를 제공하는 것이다.
상기 기술적 과제를 해결하기 위한 본 발명에 따른 고전압 출력보호회로는, 전원전압(VCC) 및 상기 전원전압(VCC)의 전압레벨보다 높은 전압레벨를 갖는 고전압(VPP)의 공급을 감지하는 고전압(VPP) 검출기; 및 상기 출력회로 전단에 위치하여 상기 고전압(VPP)에 응답하여 상기 출력회로에 내부전압(VP,VDDI)을 인가하는 내부전압발생기를 구비하고, 상기 고전압(VPP) 검출기는, 상기 전원전압(VCC)보다 상기 고전압(VPP)이 먼저 인가되는 것을 감지할 경우에, 상기 고전압(VPP)이 인가된 후 상기 전원전압(VCC)이 인가될 때까지의 시간 동안 상기 출력회로에 VPP-UP 신호를 인가하는 것을 특징으로 한다.
이하 도면을 참조하여 본 발명을 상세히 설명하기로 한다.
도 5는 본 발명에 의한 고전압 출력보호회로의 블록도를 도시한 것이다.
전원전압(VCC)과 상기 전원전압(VCC)의 전압레벨보다 높은 전압레벨을 가지는 고전압(VPP) 신호가 출력회로(100)에 인가되면, 출력회로(100) 전단에 위치한 고전압(VPP) 검출기(110)는 전원전압(VCC)과 고전압(VPP)의 인가전원의 공급을 감지하고, 상기 고전압(VPP) 검출기(110)는 다음과 같이 동작한다.
첫째, 고전압(VPP)이 전원전압(VCC)보다 먼저 인가되었다면, 고전압(VPP)이 인가된 후 전원전압(VCC)이 인가될 때까지의 시간 동안에 VPP-UP신호를 출력회로(100)에 인가한다.
둘째, 전원전압(VCC)이 고전압(VPP) 보다 먼저 인가되었다면, 정상적인 동작이 되도록 VPP-UP 신호를 발생시키지 않는다.
그리고, 상기 입력된 고전압(VPP) 신호는 출력회로(100)전단에 위치한 내부전압발생기(120)로부터 출력된 내부전압 VP와 VDDI를 출력회로(100)에 인가한다.
이때, 상기 내부전압발생기(120)는 다음과 같이 동작한다.
첫째, 고전압(VPP)이 전원전압(VCC) 보다 먼저 인가되는 경우에는 전원전압(VCC)이 제공되지 않는 구간, 구체적으로, 고전압(VPP)이 인가된 후 전원전압(VCC)이 인가될 때까지의 시간 동안에 내부전압(VDDI)을 발생시켜 고전압(VPP) 검출기(110)가 동작하는 구간 동안 출력 값을 원하는 상태로 만들어 출력회로(100)의 오동작을 방지할 수 있다.
둘째, 전원전압(VCC)이 고전압(VPP)보다 먼저 인가되는 경우에는 불필요한 출력제어가 진행되지 않는다.
도 6은 본 발명에 의한 고전압 출력보호회로의 실시예를 도시한 것이다.
전원전압(VCC)은 제1,제2인버터(I1,I2)에 인가되고, 고전압(VPP)은 3개의 트랜지스터(M11,M12,M13)에 인가되고, 내부전압발생기(120)에 의해 발생되는 내부전압(VP)은 2개의 트랜지스터(M14, M15) 사이에 인가되고, 내부전압발생기(120)에 의해 발생되는 내부전압(VDDI)은 제3,제4인버터(I3,I4)에 인가되고, 고전압(VPP) 검출기(110)에 의해 출력되는 VPP-UP신호는 트랜지스터(M41)에 인가된다.
도 6을 상세히 설명하면 다음과 같다.
제1인버터(I1)는 입력단자가 입력신호와 연결된다. 제2인버터(I2)는 입력단자가 상기 제1인버터(I1)의 출력단자에 연결된다. 제3인버터(I3)는 입력단자가 상기 제2인버터(I2)의 출력단자에 연결된다. 제4인버터(I4)는 입력단자가 상기 제3인버터(I3)의 출력단자에 연결된다. 트랜지스터(M41)은 일단자가 상기 제2인버터(I2) 및 상기 제3인버터(I3)의 공통단자에 연결되고, 다른 일단자가 접지전압(VSSP)에 연결되고, 게이트에 상기 VPP-UP 신호가 인가된다.
트랜지스터(M11)는 일단자가 상기 고전압(VPP)에 연결된다. 트랜지스터(M14)는 일단자가 상기 트랜지스터(M11)의 다른 일단자에 연결된다. 트랜지스터(M21)는 일단자가 상기 트랜지스터(M14)의 다른 일단자에 연결되고, 다른 일단자가 접지전압(VSSP)에 연결되고, 게이트에 상기 제3인버터(I3)의 출력신호가 인가된다.
트랜지스터(M12)는 일단자가 상기 고전압(VPP)에 연결되고, 게이트는 상기 트랜지스터(M11) 및 상기 트랜지스터(M14)의 공통노드에 연결된다. 트랜지스터(M15)는 일단자가 상기 트랜지스터(M12)의 다른 일단자에 연결된다. 트랜지스터(M22)는 일단자가 상기 트랜지스터(M15)의 다른 일단자에 연결되고, 다른 일단자가 접지전압(VSSP)에 연결되고, 게이트에 상기 제4인버터(I4)의 출력신호가 인가된다.
트랜지스터(M13)는 일단자가 상기 고전압(VPP)에 연결된다. 트랜지스터(M23)는 일단자가 상기 트랜지스터(M13)의 다른 일단자에 연결되고, 다른 일단자가 접지전압(VSSP)에 연결되고, 게이트에 상기 제3인버터(I3)의 출력신호가 인가된다.
상기 트랜지스터(M11)의 게이트 및 상기 트랜지스터(M13)의 게이트는 상기 트랜지스터(M12) 및 상기 트랜지스터(M15)의 공통노드에 연결된다. 상기 트랜지스터(M14)의 게이트 및 상기 트랜지스터(M15)의 게이트에는 상기 내부전압(VP)이 인가된다. 상기 트랜지스터(M13) 및 상기 트랜지스터(M23)의 공통노드로부터 출력신호가 출력된다.
도 6에서 고전압(VPP)이 전원전압(VCC)보다 먼저 인가되는 경우, 고전압(VPP) 검출기(110)에 의해 출력되는 VPP-UP신호가 트랜지스터(M41)에 인가되고, VPP-UP 신호에 의해 M41이 턴 온 됨에 따라 내부전압발생기(120)에 의해 발생되는 내부전압(VDDI)이 제3,제4인버터(I3,I4)에 인가되고, 내부전압발생기(120)에 의해 발생되는 내부전압(VP)신호가 2개의 트랜지스터(M14,M15)의 게이트 단 사이에 인가된다.
이때, 상기 VPP-UP신호와 내부전압(VDDI)에 의해 노드 C와 연결된 트랜지스터들(M21,M23)에 HIGH 신호가 인가되고, 노드 D와 연결된 트랜지스터(M22)에는 LOW 신호가 인가된다.
상기 VPP-Up신호와 VDDI신호에 의해 노드 C와 연결된 M21, M23에 High 신호가 인가되고, 노드 D와 연결된 M22에는 Low 신호가 인가된다.
또한, 도 6에서 전원전압(VCC)이 고전압(VPP)보다 먼저 인가되는 경우, 고전압(VPP) 검출기(110)에 의해 VPP-UP신호가 발생되지 않아 트랜지스터(M41)에 전압이 인가되지 않고, 내부전압발생기(120)에 의해 발생되는 내부전압(VDDI) 또한 발생되지 않으므로 제3,제4인버터(I3,I4)에 전압이 인가되지 않는다.
이때, 노드 C와 연결된 트랜지스터들(M21,M23)과 노드 D와 연결된 트랜지스터(M22)에는 입력신호가 인가되지 않지만, 고전압(VPP)이 LOW인 상태이므로 출력회로(100)의 출력(output)은 초기상태인 LOW를 출력하게 된다.
노드 C와 연결된 M21, M23과 노드 D와 연결된 M22에는 입력신호가 인가되지 않지만, 고전압(VPP)이 Low인 상태이므로 출력회로(100)의 출력(output)은 초기상태인 Low를 출력하게 된다.
도 7은 본 발명에 의한 출력보호회로의 타이밍도의 일실시예를 도시한 것이다.
도 7에서 고전압(VPP)가 전원전압(VCC)보다 먼저 인가되는 경우를 나타낸 것으로, 출력회로의 출력이 정상적으로 동작하는 모습을 보여준다.
고전압(VPP)이 인가되면, 내부전압(VDDI)이 고전압(VPP) 레벨보다 낮은 레벨(전원전압(VCC)의 전압레벨과 동일한 전압레벨)로 인가된다. VPP-UP신호는 고전압(VPP)이 인가되는 초기동작구간, 구체적으로 상기 고전압(VPP)이 인가된 후 상기 전원전압(VCC)이 인가될 때까지의 시간 동안에만 인가된다. 노드 C에서는 내부전압(VDDI)과 동일한 전압레벨을 갖는다. 따라서, 출력회로(100)의 출력은 전원전압(VCC)이 인가되기 전까지 LOW 상태를 유지한다.
도 8은 본 발명에 의한 출력보호회로의 타이밍도의 다른 일실시예를 도시한 것이다.
도 8에서 전원전압(VCC)이 고전압(VPP)보다 먼저 인가되는 경우를 나타낸 것으로, 출력회로의 출력이 정상적으로 동작하는 모습을 보여준다.
전원전압(VCC)이 인가되면, 내부전압(VDDI)은 고전압(VPP)이 인가되기 전까지 LOW 상태를 유지하며, VPP-UP 신호도 LOW 상태를 유지한다. 노드 C에서도 LOW 상태이기 때문에 고전압(VPP)이 인가되기 이전까지 출력회로(100)의 출력은 LOW 상태를 유지한다.
이상으로, 본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 본 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 등록청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이다.
본 발명에 의하면, 고전압이 먼저 인가되는 경우 내부 저전압(VDDI)을 발생시켜 전원전압(VCC)이 인가되기 이전 구간동안 출력회로의 출력을 원하는 상태로 만들어 출력회로의 오동작을 방지할 수 있다.
또한, 저전압(전원전압(VCC))이 먼저 인가되는 경우 불필요한 출력제어가 진행되지 않도록 전압검출기의 동작을 억제하여 정상적인 출력회로의 출력 값을 만들 수 있다.

Claims (3)

  1. 출력회로의 오동작을 방지하기 위한 고전압 출력보호회로에 있어서,
    전원전압(VCC) 및 상기 전원전압(VCC)의 전압레벨보다 높은 전압레벨를 갖는 고전압(VPP)의 공급을 감지하는 고전압(VPP) 검출기; 및
    상기 출력회로 전단에 위치하여 상기 고전압(VPP)에 응답하여 상기 출력회로에 내부전압(VP,VDDI)을 인가하는 내부전압발생기를 구비하고,
    상기 고전압(VPP) 검출기는,
    상기 전원전압(VCC)보다 상기 고전압(VPP)이 먼저 인가되는 것을 감지할 경우에, 상기 고전압(VPP)이 인가된 후 상기 전원전압(VCC)이 인가될 때까지의 시간 동안 상기 출력회로에 VPP-UP 신호를 인가하는 것을 특징으로 하는 고전압 출력보호회로.
  2. 제1항에 있어서, 상기 출력회로는,
    입력단자가 입력신호와 연결되는 제1인버터(I1);
    입력단자가 상기 제1인버터(I1)의 출력단자에 연결되는 제2인버터(I2);
    입력단자가 상기 제2인버터(I2)의 출력단자에 연결되는 제3인버터(I3);
    입력단자가 상기 제3인버터(I3)의 출력단자에 연결되는 제4인버터(I4);
    일단자가 상기 제2인버터(I2) 및 상기 제3인버터(I3)의 공통단자에 연결되고, 다른 일단자가 접지전압(VSSP)에 연결되고, 게이트에 상기 VPP-UP 신호가 인가되는 트랜지스터(M41);
    일단자가 상기 고전압(VPP)에 연결되는 트랜지스터(M11);
    일단자가 상기 트랜지스터(M11)의 다른 일단자에 연결되는 트랜지스터(M14);
    일단자가 상기 트랜지스터(M14)의 다른 일단자에 연결되고, 다른 일단자가 접지전압(VSSP)에 연결되고, 게이트에 상기 제3인버터(I3)의 출력신호가 인가되는 트랜지스터(M21);
    일단자가 상기 고전압(VPP)에 연결되고, 게이트는 상기 트랜지스터(M11) 및 상기 트랜지스터(M14)의 공통노드에 연결되는 트랜지스터(M12);
    일단자가 상기 트랜지스터(M12)의 다른 일단자에 연결되는 트랜지스터(M15);
    일단자가 상기 트랜지스터(M15)의 다른 일단자에 연결되고, 다른 일단자가 접지전압(VSSP)에 연결되고, 게이트에 상기 제4인버터(I4)의 출력신호가 인가되는 트랜지스터(M22);
    일단자가 상기 고전압(VPP)에 연결되는 트랜지스터(M13); 및
    일단자가 상기 트랜지스터(M13)의 다른 일단자에 연결되고, 다른 일단자가 접지전압(VSSP)에 연결되고, 게이트에 상기 제3인버터(I3)의 출력신호가 인가되는 트랜지스터(M23)를 구비하고,
    상기 트랜지스터(M11)의 게이트 및 상기 트랜지스터(M13)의 게이트는 상기 트랜지스터(M12) 및 상기 트랜지스터(M15)의 공통노드에 연결되고,
    상기 트랜지스터(M14)의 게이트 및 상기 트랜지스터(M15)의 게이트에는 상기 내부전압(VP)이 인가되고,
    상기 제1인버터(I1) 및 상기 제2인버터(I2)에는 상기 전원전압(VCC)이 인가되고,
    상기 제3인버터(I3) 및 상기 제4인버터(I4)에는 상기 내부전압(VDDI)이 인가되고,
    상기 트랜지스터(M13) 및 상기 트랜지스터(M23)의 공통노드로부터 출력신호가 출력되는 것을 특징으로 하는 고전압 출력보호회로.
  3. 제1항에 있어서, 상기 내부전압(VDDI)은,
    상기 전원전압(VCC)의 전압레벨과 동일한 전압레벨을 갖는 것을 특징으로 하는 고전압 출력보호회로.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR970700395A (ko) * 1994-01-13 1997-01-08 제이. 마이클 로스 고전압 검출을 이용한 항복 방지용 회로(breakdown protection circuit using high voltage detection)
KR19990011704A (ko) * 1997-07-25 1999-02-18 윤종용 고압전원장치
KR20010055877A (ko) * 1999-12-13 2001-07-04 박태진 전원 공급 장치 보호 회로 및 그 방법
KR20050010511A (ko) * 2002-06-14 2005-01-27 톰슨 라이센싱 소시에떼 아노님 보호된 이중-전압 마이크로회로 전원 장치
KR20060016641A (ko) * 2004-08-18 2006-02-22 주식회사 하이닉스반도체 고전압 감지회로 및 이를 이용한 고전압 펌핑장치

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR970700395A (ko) * 1994-01-13 1997-01-08 제이. 마이클 로스 고전압 검출을 이용한 항복 방지용 회로(breakdown protection circuit using high voltage detection)
KR19990011704A (ko) * 1997-07-25 1999-02-18 윤종용 고압전원장치
KR20010055877A (ko) * 1999-12-13 2001-07-04 박태진 전원 공급 장치 보호 회로 및 그 방법
KR20050010511A (ko) * 2002-06-14 2005-01-27 톰슨 라이센싱 소시에떼 아노님 보호된 이중-전압 마이크로회로 전원 장치
KR20060016641A (ko) * 2004-08-18 2006-02-22 주식회사 하이닉스반도체 고전압 감지회로 및 이를 이용한 고전압 펌핑장치

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