KR100642418B1 - 열전소자 - Google Patents

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KR100642418B1
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카즈키요 야마다
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혼다 기켄 코교 가부시키 가이샤
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Abstract

열전소자(熱電素子)의 리드선의 접합(接合)을 용이하게 하며, 또한 접합 후의 인장강도을 향상시킨다.
사절판(仕切板)(1) 상(上)에 형성된 열전 모듈용 표면측(表面側) 리드패턴 16A 및 열전(熱電) 모듈용 이면측(裏面側) 리드패턴 16B의 좌단(左端)을, 사절판(仕切板)(1)에 고정된 열전 반도체 소자 군(素子群)의 우단(右端)에 설치된 Cu 롯드(rod
) 2C에 납땜 24에 의해 접합한다. 열전 모듈용 리드선(lead線) 22의 선단부(先端部)22A를 구부려, 열전 모듈용 표면측(表面側) 리드패턴 16A 측으로부터 열전 모듈용 표면측(表面側) 리드패턴 16A와 열전모듈용 이면측(裏面側) 리드패턴 16B와의 사이의 관통구멍(through hole)으로 통과시킨 후, 열전 모듈용 이면측(裏面側) 리드패턴 16B에 납땜25로 접합한다.
열전소자

Description

열전소자{THERMOELECTRIC MODULE}
제1도는 본 발명을 적용한 열전소자(熱電素子)의 주요부의 개략적인 정면도,
제2도는 본 발명을 적용한 열전소자의 일례의 평면도,
제3도는 제2도의 열전소자의 일부 확대도,
제4도는 제2도의 열전소자로부터 열양도성(熱良導性) 전기 절연박막을 제거한 상
태를 나타내는 평면도,
제5도는 제2도의 열전소자로부터 열 양도성 전기 절연박막을 제거한 상태를 나타
내는 배면도(背面圖),
제6도는 본 발명을 적용한 열전소자의 또 다른 일례의 평면도,
제7도는 제6도의 열전소자의 일부 확대도,
제8도는 제6도의 열전소자로부터 열 양도성 전기 절연박막을 제거한 상태를 나타
내는 평면도,
제9도는 제6도의 열전소자로부터 열 양도성 전기 절연박막을 제거한 상태를 나타
내는 배면도,
제10도는 본 발명을 적용한 열전소자에 있어서의 열전모듈용 리드패턴과 전극과
의 접속부의 다른 예를 나타내는 도면,
제11도는 종래의 열전소자의 구성을 나타내는 도면.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
1 : 사절판(仕切板)
2P : p형 열전 반도체 소자
2N : n형 열전 반도체 소자
3 : 하측 전극
4 : 상측 전극
5 : 하측 열 양도성 전기 절연박막
6 : 상측 열 양도성 전기 절연박막
9 : 온도 검지 소자
S : 온도 검지 소자 수납 공간
본 발명은 펠티에(Peltier) 소자 등의 열전(熱電) 반도체 소자를 이용한 열전 소자(熱電素子)에 관한 것으로서, 특히 리드선(lead線)의 취부(取付)가 용이하고 또한 취부(取付) 후의 인장강도가 높으며, 더욱이 온도 검지소자(溫度檢知素子)를 탑재(搭載) 가능하게 한 열전소자에 관한 것이다.
종래로부터 알려져 있는 일반적인 열전소자의 구성을 제11도에 나타낸다. 여기서 제11a도는 정면도이고, 제11b도는 사시도이다. 이들 도면에 도시한 바와 같이, 종래의 열전소자에서는 n형 열전 반도체 소자와 p형 열전 반도체 소자로 이루어지는 열전 반도체 소자 41이 교대로 배열되어 있으며, 열전 반도체 소자 41의 상면(上面)과 하면(下面)은 각각 금속 전극 42, 43 에 접합되어 있다. 열전 반도체 소자 41은 상면과 하면에서 금속 전극 42, 43 에 교대로 접합되며, 최종적으로는 모든 열전 반도체 소자 41이 전기적(電氣的)으로 직렬로 접속된다. 상하의 금속 전극 42,43 과 열전 반도체 소자 41과의 접합은 납땜으로 행해진다. 그리고, 상면, 하면의 각각의 금속 전극 42, 43은 메탈라이즈한 세라믹 기판(基板) 44, 43에 접합되어 전체가 강체(剛體)로 고정되어 있다.
이 열전소자의 전극에 직류전원 46을 접속하여, n형 열전 반도체 소자로부터 p형 열전 반도체 소자의 방향으로 전류를 흘리면, 펠티에(Peltier)효과에 의해 π형의 상부에서는 흡열(吸熱)이 일어나고, 하부에서는 방열(放熱)이 일어난다. 결국, 제11a도에 나타나 있는 바와 같이, 열전 반도체 소자 41의 상부가 흡열측(cold junction) 47이 되고, 하부가 방열측(hot junction) 48이 된다. 이 때, 전원의 접속 방향을 역(逆)으로 하면, 흡열, 방열의 방향이 변한다. 이 현상을 이용하여 열전소자가 냉각·가열 장치에 사용된다. 열전소자는 LSI(대규모 집적회로), 컴퓨터의 CPU(중앙연산 처리장치)나 레이저 다이오드 등의 냉각을 비롯하여, 보온 냉장고에 달하는 광범위한 용도를 가지고 있다.
상기 종래의 열전 모듈에서는 금속 전극에 직류전류를 흘리기 위한 리드선이 금속 전극에 직접 납땜되어 있기 때문에 리드선의 인장강도가 약하다고 하는 문제점이 있었다.
또한, 상기 열전 모듈을 사용하여 냉각/가열을 행할 때, 어떠한 원인으로 열전 모듈의 온도가 매우 높아진 경우, 열전 모듈이 파괴되기 전에 일정한 온도를 감지하여 전류공급의 정지(停止) 등 파괴를 방지하는 처치를 하는 것이 요구된다. 또, 상기 열전 모듈을 사용하여 냉각/가열을 행할 때는, 냉각측 또는 방열측을 일정한 온도로 제어하는 것이 필요하다. 그리고, 이를 위해서는 열전 반도체 소자의 온도를 정확히 측정하는 것이 요구된다. 그러나, 종래의 열전소자에 있어서 열전 반도체 소자의 가장 고온의 부분인 하측 금속 전극과의 접합면의 온도를 측정하려고 해도 열전 모듈의 내부에 온도 검지소자를 수납하는 공간이 없기 때문에, 현실적으로는 하측 세라믹 기판의 하면(下面)의 온도를 열전 모듈의 외부로부터 간접적으로 측정하게된다. 이 때문에, 열전 반도체 소자의 온도를 정확히 측정하는 것은 불가능하였다.
본 발명은 이러한 문제점을 감안하여 발명된 것으로서, 열전소자의 리드선의 접합을 용이하게 하고, 또한 접합 후의 인장강도를 향상시킬 수 있는 열전소자를 제공하는 것을 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 열전소자의 내부에 온도 검지소자를 수납하는 공간을 가지는 열전소자를 제공하는 것을 목적으로 한다.
또, 본 발명은 내부에 온도 검지소자를 수납한 열전소자를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명에 관한 열전소자는 사절판(仕切板)과, 이 사절판(仕切板)을 관통한 상태에서 상기 사절판(仕切板)에 고정된 p형 열전 반도체 소자 및 n형 열전 반도체 소자와, 상기 p 형 열전 반도체 소자 및 n형 열전 반도체 소자의 제1의 면에 접합된 제1의 금속 전극과, 상기 p형 열전 반도체 소자 및 n형 열전 반도체 소자의 제2의 면에 접합된 제2의 금속 전극과, 상기 제1의 금속 전극에 접합된 제1의 열 양도성 전기 절연박막(絶緣薄膜)과, 상기 제2의 금속 전극에 접합된 제2의 열 양도성 전기 절연박막과, 상기 사절판(仕切板)의 단부의 표면(表面) 또는 이면(裏面)에 형성된 열전 반도체 소자의 리드선 접속용의 제1의 리드 패턴을 구비하고 있다. 이 구성에 의해, 열전소자의 리드선의 접합이 용이하게 된다.
또한, 본 발명에 관한 열전소자는 상기 제1의 리드 패턴은 사절판(仕切板)의 표리양면(表裏兩面)에 형성되고, 다시 상기 양면의 리드 패턴의 사이가 관통구멍으로 관통하고, 열전 반도체 소자의 리드선의 선단부가 절곡(折曲)되어 상기 관통구멍을 관통하여 납땜에 의해 접합되어 있다. 이러한 구성에 의해, 리드선 접합 후의 인장강도를 높일 수 있다.
또, 본 발명에 관한 열전소자는 상기 사절판(仕切板) 상(上)에 온도검지(溫度檢知) 소자 수납 공간을 가진다. 이러한 구성에 의해, 열전소자의 내부에 온도 검지 소자를 수납(收納)할 수 있다.
그리고, 본 발명에 관한 열전소자는 상기 온도 검지소자수납 공간에 온도 검지소자를 수납한 것이다. 이러한 구성에 의해, 내부에 온도 검지소자를 수납한 열전소자를 제공할 수 있다.
이하, 본 발명의 실시의 형태에 관해서 도면을 참조하면서 상세하게 설명한다.
제1도는 본 발명을 적용한 열전소자의 주요부의 개략적인 정면도이다. 이 열전소자는 사절판(仕切板)(1)에 대하여 p형 열전 반도체 소자 2P와 n형 열전 반도체 소자 2N이 관통한 상태로 고정된 구조를 가진다. p형 열전 반도체 소자 2P와 n형 열전 반도체 소자 2N은 교대로 배열되어 있다. p형 열전 반도체 소자 2P와 n형 열전 반도체 소자 2N의 상면 및 하면에는, 각각 두께가 300㎛ 정도의 동판(銅板)으로 구성된 상측 전극 4 및 하측 전극 3이 납땜에 의해 접합되어 있다. p형 열전 반도체 소자 2P와 n형 열전 반도체 소자 2N은 상면과 하면에서 전극에 교대로 접합되며, 최종적으로는 모든 열전 반도체 소자가 전기적으로 직렬로 접속된다.
또한, 하측 전극 3의 하면 및 상측 전극 4의 상면에는 각각 두께가 수십∼100㎛, 바람직하게는 70∼80㎛ 정도의 하측 열 양도성 전기 절연박막 5 및 상측 열 양도성 전기 절연박막 6이 접합되어 있다. 이들의 열 양도성 전기절연 박막의 재료로서는, 예컨데 엑폭시계(系) 수지(樹脂)에 열 양도성 필러(filler)를 첨가한 것, 불소 수지, 실리콘계 열 전도성 수지 등을 사용할 수 있다. 그리고, 사절판(仕切板)(1)의 단부(端部)(도면에서는 우단:右端)와 상하의 열 양도성 전기 절연박막 6, 5의 단부
(도면에서는 우단)와의 사이에는 온도 검지소자 수납 공간 S가 설치되어 있다.
또, 여기에는 도시되어 있지 않지만, 상측 전극 4 및 하측 전극 3의 표면에는 Ni 도금이 실행되어 있다. 이 Ni 도금 층은, 전극을 구성하는 동(銅)의 분자가 열전 반도체 소자에 확산되는 것을 방지함과 동시에, 습기(濕氣) 등에 의해 전극이 산화 부식되는 것을 방지한다. 또한, Ni 도금 층의 표면에 산화 방지용의 Au(금)의 박막을 형성하는 것이 좋다.
온도 검지 소자 수납 공간 S 에 온도 검지 소자로서 열전대(熱電對) 를 부착함에 의해 온도를 연속적으로 측정할 수 있다. 또한, 폴리머계의 서미스터(thermistor) 스위치를 사용하는 것도 가능하다. 이 스위치는 일정 이상의 온도가 되면 오프(off
)가 되고, 그 후 온도가 내려가면 온(on)이 되기 때문에, 과전류(過電流) 등에 의한 열전소자의 발열 및 과열보호 소자로서 사용할 수 있다.
온도 검지 소자를 사절판(仕切板)(1)의 상측에만 고정한 경우에는, 제1도의 상측을 방열측으로서 사용했을 때에, 그 온도를 측정할 수 있다. 온도 검지소자를 사절판(仕切板)(1)의 상측과 하측의 쌍방에 고정한 경우에는, 열전 반도체 소자에 인가하는 전류의 극성(極性)을 반전(反轉)하여 하측을 방열측으로서 사용했을 때에, 하측에 고정된 온도 검지소자에 의해 열전 반도체 소자의 고온부의 온도를 측정할 수 있다.
제2도는 본 발명을 적용한 열전소자의 일례의 평면도이고, 제3a도, 제3b도는 제2도에 있어서 a, b 를 부착한 부분의 확대도이다. 또한 제4도, 제5도는 상기 열전소자에서 열양도성(熱良導性) 전기 절연박막 5, 6을 제거한 상태를 나타내는 평면도 및 배면도이다.
이들 도면에 도시한 바와 같이, 사절판(仕切板)(1)의 상면(평면도에 나타나 있는 면)의 상부의 좌우단(左右端)에는 온도 검지 소자용 표면측(表面側) 리드 패턴 11A, 12A, 13A, 14A 가 형성되어 있다. 또한, 사절판(仕切板)(1)의 배면의 하부(상면의 상부의 이면측(裏面側))의 좌우단에는 온도 검지 소자용 이면측(裏面側) 리드 패턴 11B, 12B, 13B , 14B 가 형성되어 있다. 또, 사절판(仕切板)(1)의 상면의 하부의 우단(右端)에는, 열전 모듈용 표면측(表面側) 리드패턴 15A, 16A가 형성되어 있다. 또한, 사절판(仕切板)(1)의 배면의 상부(상면의 하부의 이면측(裏面側))의 우단(右端)에는, 열전 모듈용 이면측(裏面側) 리드 패턴 15B, 16B가 형성되어 있다. 여기서, 표면측(表面側)과 이면측(裏面側)의 동일 숫자의 리드패턴의 사이는 관통구멍으로 관통되어 있다. 또, 여기에서는 사절판(仕切板)(1)의 평면형상을 정방형(正方形)으로한 예를 도시하였지만, 사절판(仕切板)의 형상은 장방형(長方形), 다각형, 원형 등 어떠한 형상이라도 좋다.
이상과 같이 구성된 사절판(仕切板)(1)의 상면에 설치된 상측 열 양도성 전기 절연박막 6은 돌출편(突出片) 6A를 가지고 있고, 그 하측과 사절판(仕切板)(1)과의 사이에 설치된 온도 검지소자 수납 공간에 온도 검지 소자 9를 고정할 수 있다.
여기에 고정하는 온도 검지 소자 9는, 예컨데 얇은 구형(矩形)의 판상(板狀)으로 구성되어 있으며, 그 양단에 온도 검지 소자 리드 9A, 9B를 구비하고 있다. 온도 검지 소자 리드 9A, 9B는 온도 검지소자용 표면측(表面側) 리드패턴 11A, 13A의 일단(一端)에 납땜에 의해 접합된다. 온도 검지 소자용 리드패턴 11A, 13A의 타단(他端)에는 온도 검지 소자용 리드선 17, 19가 납땜에 의해 접합된다.
온도 검지 소자용 리드선 17과, 온도 검지 소자용 표면측(表面側) 리드패턴 11A
및 온도 검지 소자용 이면측(裏面側) 리드패턴 11B와의 접합부에 대해서는 제3a도의 확대도에 나타나 있다. 즉, 온도 검지 소자용 리드선 선단부 17A를 구부려, 온도 검지 소자용 표면측(表面側) 리드패턴 11A 측으로부터, 온도 검지 소자용 표면측(表面側) 리드패턴 11A와 온도 검지 소자용 이면측(裏面側) 리드패턴 11B와의 사이의 관통구멍으로 통과시킨 후, 온도 검지 소자용 이면측(裏面側) 리드패턴 11B에 납땜 26으로 접합한다. 이와 같이 접합함으로써 온도 검지 소자용 리드선 17의 인장강도를 높일 수 있다. 온도 검지 소자용 리드선 19에 관해서도 상기와 같이 동일하게 한다.
또한, 사절판(仕切板)(1)의 배면에 온도 검지소자를 고정하는 경우에도 상기와 동일하게 한다. 이 경우, 제5도에 도시한 바와 같이 온도 검지 소자 리드 9A, 9B 를 온도 검지 소자용 이면측(裏面側) 리드패턴 12B, 14B의 일단(一端)에 납땜에 의해 접합한다.
그리고, 온도 검지 소자용 이면측(裏面側) 리드패턴 12B, 14B의 타단(他端)에 온도 검지 소자용 리드선 18, 20을 납땜에 의해 접합한다. 접합부의 구조는 표면측(表面側)의 경우와 동일하게 한다.
또한, 사절판(仕切板)(1) 상(上)에 형성된 열전 모듈용 표면측(表面側) 리드패턴
15A, 16A의 일단(제2도에서는 좌단)은, 사절판(仕切板)(1)에 고정된 열전 반도체 소자 군(群)의 단(端)(제2도에서는 우단)에 설치된 Cu(銅) 롯드 2C에 납땜에 의해 접합되어 있다. 그리고, 열전 모듈용 표면측(表面側) 리드패턴 15A, 16A의 타단에 는 열전 모듈용 리드선 21, 22가 납땜에 의해 접합되어 있다.
열전 모듈용 표면측(表面側) 리드패턴 16A 및 열전 모듈용 이면측(裏面側) 리드패턴 16B와, Cu 롯드 2C 및 열전 모듈용 리드선 22와의 접합부에 대해서는 제3b도의 확대도에 도시되어 있다. 이 도면에 도시한 바와 같이, 열전 모듈용 표면측 리드패턴 16A 및 열전 모듈용 이면측(裏面側) 리드패턴 16B의 일단(이 도면에서는 좌단)은, Cu 롯드 2C에 납땜 24에 의해 접합되어 있다. 또한, 열전 모듈용 리드선 22
의 선단부 22A를 구부려, 열전 모듈용 표면측(表面側) 리드패턴 16A 측에서, 열전 모듈용 표면측(表面側) 리드패턴 16A와 열전 모듈용 이면측(裏面側) 리드패턴 16B와의 사이의 관통구멍으로 통과시킨 후, 열전 모듈용 이면측(裏面側) 리드패턴 16B에 납땜25로 접합한다. 이와 같이 접합함으로써, 열전 모듈용 리드선 22의 인장강도를 높일 수 있다. 열전 모듈용 리드선 21에 관해서도 상기와 같이 동일하게 한다. 또, Cu 롯드 2C는 열전 반도체 소자 2P, 2N 과 같이 사절판(仕切板)(1)을 관통한 상태에서 이 사절판(仕切板)(1)에 고정되어 있는 것이다.
이상과 같이 구성된 열전소자에 있어서, 일대(一對)의 열전 모듈용 리드선 21, 22에 직류전압을 인가하면, 리드선 21, 22의 선단(先端), 열전 모듈용 리드패턴 15A, 15B, 16A, 16B, Cu 롯드 2C, 금속 전극 3, 4를 통해 열전 반도체 소자에 직류전류가 흘러, 방열측(放熱側)과 흡열측(吸熱側)이 된다. 여기에서는, 제2도에 있어서 사절판(仕切板)(1)의 상측이 방열측이 된다. 또한, 이 열전소자에 있어서 온도 검지 소자 9는 상측 전극 4의 온도를 검지하여 검지 신호를 일대(一對)의 온도 검지 소자용 리드선 17, 19로부터 출력한다. 이 검지신호를 기초로 하여 일대(一對) 의 열전 모듈용 리드선 21, 22에 인가하는 직류전압이나 전류를 제어함으로써, 적절한 온도 컨트롤을 행하는 것이 가능해진다. 또 온도 검지 소자용(素子用) 9 로써 상술한 서미스터 스위치를 사용한 경우, 온도 검지 소자용(素子用) 9는 상측 전극 4의 온도를 검지하여, 일정 온도를 초과하면 온도 검지 소자용(素子用) 9 자신이 오프(off)가 된다. 그래서, 이 온도 검지 소자용(素子用) 9의 출력을 열전 모듈용 리드선 21, 22의 직류 전원회로에 피드백(feed back)하여, 전류 또는 전압의 온(on
)/오프(off), 또는 증감을 행하도록 구성함에 의해, 자동적으로 과열보호 동작을 행하는 것이 가능해진다.
제6도는 본 발명을 적용한 열전 소자의 일례의 평면도이고, 제7a도, 제7b도는 제6도에 있어서 a, b 를 부착한 부분의 확대도이다. 또, 제8도, 제9도는 상기 열전소자로부터 열 양도성 전기 절연박막 5, 6 을 제거한 상태를 나타내는 평면도 및 배면도이다. 여기서, 제2도∼제5도와 대응하는 구성요소에는 그들 도면에서 사용한 부호와 동일한 부호를 붙였다.
이 열전소자와 제2도∼제5도를 참조하면서 설명한 열전소자와의 다른 점은, 표리
(表裏)의 리드패턴에 대하여 리드선을 고정하는 측에 반대로 되어있는 것이다. 즉, 제7a도의 부분 확대도에 도시한 바와 같이, 온도 검지 소자용 리드선 선단부 17A를 구부려, 온도검지 소자용 이면측(裏面側) 리드패턴 11B 측으로부터 온도 검지 소자용 이면측(裏面側) 리드패턴 11B와 온도 검지 소자용 표면측(表面側) 리드패턴 11A
와의 사이의 관통구멍으로 통과시킨 후, 온도 검지 소자용 표면측(表面側) 리드패턴 11A에 납땜 26으로 접합한다. 또한, 제7b도의 부분 확대도에 도시한 바와 같이, 열전 모듈용 리드선 선단부 22A를 구부려, 열전 모듈용 이면측(裏面側) 리드패턴 16B에서 열전 모듈용 이면측(裏面側) 리드패턴 16B와 열전 모듈용 표면측(表面側)
리드패턴 16A와의 사이의 관통구멍으로 통과시킨 후, 열전모듈용 표면측(表面側)
리드패턴 16A에 납땜 25로 접합한다.
이 열전소자의 그 밖의 부분의 구성 및 동작은 제2도∼제5도에 나타낸 열전소자와 동일하기 때문에, 설명은 생략한다.
이상과 같이, 본 발명의 실시의 형태의 열전소자는 이하의 (1)∼(3)에 기재한 특징을 가진다.
(1) 사절판(仕切板)(1) 상(上)에, 열전 반도체 소자용의 리드패턴 및 온도검지
소자용의 리드패턴을 형성하였기 때문에 그것들의 소자와 외부 회로와의
접속이 용이하다.
(2) 사절판(仕切板)(1)의 표면과 이면의 리드패턴 사이에 관통구멍을 설치하
고, 리드선을 절곡(折曲)하여 상기 관통구멍을 관통시켜 납땜으로 접합하
는 구조를 가지기 때문에 리드선의 인장강도가 향상된다.
(3) 열전 반도체 소자 2P, 2N과 금속 전극 3, 4와의 접합면과, 온도검지소자
9 와의 사이에는 금속 전극 3, 4 와 열 양도성 전기 절연박막 5, 6 만이
개재(介在)되어 있기 때문에, 상기 접합면의 온도를 정확하게 측정할 수
있다.
더욱이, 상기 실시의 형태에서는 열전 모듈용 표면측(表面側) 리드패턴 15A, 16A를 Cu 롯드 2C에 납땜에 의해 접합하였지만, 제10a도에 도시한 바와 같이, 상측 전 극 4 및 상측 열 양도성 전기 절연박막 6을 사절판(仕切板)(1)의 단부까지 연장하여 설치하고, 그 선단(先端)을 절곡하여 열전 모듈용 표면측(表面側) 리드패턴 15A
에 납땜 30에 의해 접합해도 좋다. 이 경우, 우선 제10b도에 도시한 바와 같이, 상측 열 양도성 전기 절연박막 6의 상면을 가압·고정블럭 31로 가압·고정한다. 다음으로, 제10c도에 도시한 바와 같이, 가압·전열(傳熱) 블록 32에 의해, 상측 열 양도성 전기 절연박막 6의 상면의 우단(右端)을 가압하여 구부린다.
이어서, 제10d도에 도시한 바와 같이 히터 블럭 33을 가압·전열(傳熱)블록32 상(上)에 재치하여, 일정시간 동안 가열·가압하여 납땜을 용융시킨다. 다음으로, 제10e도에 도시한 바와 같이 히터 블럭 33을 상승시켜 가압·전열(傳熱) 블럭 32를 냉풍(冷風)으로 급냉(急冷)하여 납땜의 재용융을 방지한다. 그 후에, 가압·전열(傳熱) 블럭 32 및 가압·고정블럭 31을 상승시킨다.
이상 상세하게 설명한 바와 같이, 본 발명에 관한 열전소자에 의하면 사절판(仕切板) 상(上)에 열전 반도체 소자의 리드선 접속용의 리드패턴을 구비하고 있기 때문에, 열전소자의 리드선의 접합이 용이하게 된다.
또한, 본 발명에 관한 열전소자에 의하면, 상기 리드패턴이 사절판(仕切板)의 표리양면(表裏兩面)에 형성되며, 또 양면(兩面)의 리드패턴의 사이가 관통구멍으로 관통되고, 열전 반도체 소자의 리드선의 선단부가 절곡되어 상기 관통구멍을 관통하여 납땜에 의해 접합되어 있기 때문에, 리드선 접합 후의 인장강도를 높일 수 있 다.
더욱이, 본 발명에 관한 열전소자에 의하면, 사절판(仕切板) 상(上)에 온도검지
소자 수납 공간을 설치하였기 때문에, 열전소자의 내부에 온도 검지소자를 수납할 수 있다.
그리고, 본 발명에 관한 열전소자에 의하면, 상기 온도 검지소자 수납 공간에 온도 검지소자를 수납하였기 때문에, 내부에 온도 검지소자를 수납한 열전소자를 제공할 수 있다.

Claims (9)

  1. 사절판(仕切板)과,
    상기 사절판(仕切板)을 관통한 상태에서 상기 사절판(仕切板)에 고정된 p형 열전
    반도체(熱電半導體) 소자 및 n형 열전 반도체 소자와,
    상기 p형 열전 반도체 소자 및 n형 열전 반도체 소자의 제1의 면에 접합된 제1의 금속 전극과,
    상기 p형 열전 반도체 소자 및 n형 열전 반도체 소자의 제2의 면에 접합된 제2의 금속 전극과,
    상기 제1의 금속 전극에 접합된 제1의 열 양도성 전기절연박막(熱良導性電氣絶緣薄膜)과,
    상기 제2의 금속 전극에 접합된 제2의 열 양도성 전기 절연박막과,
    상기 사절판(仕切板)의 단부의 표면 또는 이면(裏面)에 형성된 열전 반도체 소자
    의 리드선 접속용의 제1의 리드 패턴,
    을 구비한 것을 특징으로 하는 열전 소자.
  2. 청구항 제1항에 있어서, 사절판(仕切板)의 단부(端部)에는 열전 반도체 소자 대신에 리드선 취출용(取出用) 금속 봉편(棒片)이 고정되어 있는 것을 특징으로 하는 열전 소자.
  3. 청구항 제2항에 있어서, 리드선 취출용 금속 봉편과 제1의 리드패턴이 접합되어 있는 것을 특징으로 하는 열전 소자.
  4. 청구항 제2항에 있어서, 제1의 금속 전극 또는 제2의 금속 전극이 사절판(仕切板)의 단부까지 연장되어 설치되고, 그 선단이 절곡되어 제1의 리드 패턴에 접합되어 있는 것을 특징으로 하는 열전 소자.
  5. 청구항 제2항에 있어서, 제1의 리드 패턴은 사절판(仕切板)의 표리(表裏) 양면에 형성되고, 또한 상기 양면의 리드 패턴의 사이가 관통구멍(through hole)으로 관통되고, 열전 반도체 소자의 리드선의 선단부가 절곡되어 상기 관통구멍을 관통하여 납땜에 의해 접합되어 있는 것을 특징으로 하는 열전소자.
  6. 청구항 제1항에 있어서, 상기 사절판(仕切板) 상(上)에 온도검지 소자 수납 공간을 가지는 것을 특징으로 하는 열전소자.
  7. 청구항 제6항에 있어서, 사절판(仕切板)의 표면 또는 이면(裏面)의 단부(端部)로부터 온도검지 소자 수납 공간의 근방에 걸쳐서 온도 검지 소자의 리드선 접속용의 제2의 리드 패턴이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 열전소자.
  8. 청구항 제7항에 있어서, 제2의 리드 패턴은 사절판(仕切板)의 표리양면에 형성되고, 또한 상기 양면의 리드 패턴의 사이가 관통구멍으로 관통되어 있는 것을 특징으로 하는 열전소자.
  9. 청구항 제6항에 있어서, 상기 온도검지 소자 수납 공간에 온도 검지 소자를 수납한 것을 특징으로 하는 열전소자.
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