KR100638871B1 - 발광 다이오드 패키지 및 그 제조 방법 - Google Patents

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김형호
이종면
박정규
최석문
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삼성전기주식회사
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Abstract

본 발명에 따른 발광 다이오드 패키지는, 상면에 LED 소자의 탑재부를 가지며 배선 도체가 형성된 세라믹 기판과; 상기 탑재부 상에 실장되어 상기 배선 도체와 전기적으로 접속되어 있는 LED 소자와; 상기 기판 상면의 외주부에 상기 탑재부를 둘러싸도록 접합되고, 내주면이 상기 LED 소자로부터 발광되는 빛을 반사하는 반사면으로 되어 있는 금속 반사판을 포함하고, 상기 금속 반사판은 PbO, SiO2, B2O3 및 TiO2를 포함하는 유리 접합층에 의하여 상기 세라믹 기판에 접합되어 있다.
발광 다이오드, LED, 패키지

Description

발광 다이오드 패키지 및 그 제조 방법{LIGHT EMITTING DIODE PACKAGE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME}
도 1은 종래 기술에 따른 발광 다이오드 패키지의 단면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시형태에 따른 발광 다이오드 패키지의 단면도이다.
도 3은 본 발명의 다른 실시형태에 따른 발광 다이오드 패키지의 단면도이다.
도 4은 본 발명의 또 다른 실시형태에 따른 발광 다이오드 패키지의 단면도이다.
도 5는 본 발명의 또 다른 실시형태에 따른 발광 다이오드 패키지의 단면도이다.
도 6a 내지 도 6e는 본 발명의 일 실시형태에 따른 발광 다이오드 패키지의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 7은 본 발명에 따라 제조된 발광 다이오드 패키지의 세라믹 기판과 유리 접합층의 계면 부위의 단면을 나타내는 광학 현미경 사진이다.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
100, 200, 300, 400: 발광 다이오드 패키지
101: 세라믹 기판 102a, 102b: 배선 도체
104: 금속 반사판 104a: 관통 구멍
104b: 반사면 105: 투광성 몰딩부
108: LED 소자 109: 본딩 와이어
111: 금속층 113: 유리 접합층
120: 투광성 커버 20: 탑재부
본 발명은 발광 다이오드 패키지 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 특히 기계적 강도와 열적 안정성이 우수한 고신뢰성의 발광 다이오드 패키지 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
최근 발광 다이오드(이하, LED 라고도 함)가 다양한 색의 광원으로 사용되고 있다. 특히, 조명용 LED등 고출력, 고휘도의 LED에 대한 수요가 증가함에 따라, LED 소자에 많은 열이 발생된다. 소자의 특성 열화와 수명 단축을 방지하기 위해서는, LED 소자(LED 칩)에 발생되는 열은 LED 패키지에서 효과적으로 방출되어야 한다. 따라서, 고출력 LED 패키지에 있어서, LED 소자로부터 발생되는 열을 효과적으로 방출시키고자 하는 노력이 진행되고 있다. 예를 들어, 한국공개특허 제2003- 0053853호는, 세라믹 기판과 금속 반사판을 구비하는 발광 다이오드 패키지를 개시하고 있다.
도 1은 종래의 LED 패키지의 일례를 나타내는 측단면도이다. 도 1을 참조하면, LED 패키지(10)는 세라믹 재질의 기판(11)과 금속 재질의 반사판(14)을 구비한다. 반사판(14)에는 관통 구멍(14a)이 형성되어 있고, 이 관통 구멍(14a)의 내면은 반사면(14b)을 형성한다. 반사판(14)은 Au-Sn 솔더(13)에 의해서 기판(11) 상에 접합되어 있다. LED 소자(18)는 기판(11) 상면의 탑재부(2)에 접합되고 와이어(19)에 의해 와이어 본딩됨으로써 배선 도체(12a, 12b)와 전기적으로 접속된다. 관통 구멍(14a) 내에는 LED 소자(18)를 포장하도록 실리콘 수지 등의 투광성 몰딩 부재(15)가 구비되어 있다.
상기 종래 기술에 따르면, 반사판(14)을 기판(11)에 접합시키기 위해서 Au-Sn 솔더(13)를 사용한다. 이 Au-Sn 솔더(13)는 충분한 접합 강도를 제공해주지만, 금(Au)을 주 재료로 사용하기 때문에 매우 고가이다. 따라서, LED 패키지의 제조 비용이 크게 높아진다는 문제가 있다. 또한, Au-Sn 솔더(13)는 세라믹 기판(11)이나 금속 반사판(14)보다 더 큰 열팽창 계수(15 ppm/K이상의 열팽창 계수)를 갖기 때문에, 열적 안정성이 우수하지 못하다. 따라서, 고온 가열후 냉각시 Au-Sn 솔더(13)와 다른 부재(11, 14) 간의 접합부에서 큰 응력이 발생하여 그 접합 강도가 약화될 수 있다.
반사판(14)을 기판(11)에 접합하는 다른 방법으로서, Si 수지 또는 에폭시 수지 등의 고분자 수지를 접합층으로 사용하는 방법이 있다. 그외에도, 고온에서 압력을 가하여 반사판(14)과 기판(11)을 접합시키는 브레이징(brazing)법이 있다. 그러나, 고분자 수지 접합층 또는 브레이징을 이용하는 경우, 접합 강도가 낮아서 외부 충격으로 인해 반사판(14)과 기판(11)간의 접합이 쉽게 파괴될 수 있다.
본 발명은 상기한 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 본 발명의 목적은 반사판과 기판 간의 접합 강도가 우수하며 제조 비용이 저감된 고 신뢰성의 발광 다이오드 패키지를 제공하는 것이다.
또한, 본 발명의 다른 목적은, 반사판과 기판 간의 우수한 접합 강도를 구현할 수 있고, 제조 비용을 저감시킬 수 있는 발광 다이오드 패키지의 제조 방법을 제공하는 것이다.
상술한 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 발광 다이오드 패키지는, 상면에 LED 소자의 탑재부를 가지며 배선 도체가 형성된 세라믹 기판과; 상기 탑재부 상에 실장되어 상기 배선 도체와 전기적으로 접속되어 있는 LED 소자와; 상기 세라믹 기판 상면의 외주부에 상기 탑재부를 둘러싸도록 접합되고, 내주면이 상기 LED 소자로부터 발광되는 빛을 반사하는 반사면으로 되어 있는 금속 반사판을 포함하고, 상기 금속 반사판은 PbO, SiO2, B2O3, TiO2를 포함하는 유리 접합층에 의하여 상기 세라믹 기판에 접합되어 있다. 바람직하게는, 상기 유리 접합층은, PbO을 70 내지 80중량%로 포함하고, SiO2를 10 내지 20중량%로 포함하고, B2O3를 5 내지 10중량%로 포함하고, TiO2를 5 내지 10중량%로 포함한다.
본 발명의 실시형태에 따르면, 상기 유리 접합층은 탄산칼슘, 탄산나트륨, 탄산바륨, 탄산칼륨 및 Al2O3를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 실시형태에 따르면, 상기 배선 도체는 Ag 또는 주성분으로서 Ag를 포함하는 도체로 이루어질 수 있다. 상기 배선 도체는 상기 기판 상면으로부터 상기 기판에 형성된 비아홀을 통해 상기 기판의 하면으로 연장될 수 있다.
본 발명의 실시형태에 따르면, 상기 세라믹 기판은 Al2O3 또는 AlN을 포함하는 세라믹 재료로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 상기 세라믹 기판은 Al2O3 를 주성분으로 하는 알루미나계 소결체로 이루어질 수 있다.
본 발명의 실시형태에 따르면, 상기 금속 반사판은 Fe, Ni, Co, Cu, Al 및 이들의 조합으로 이루어진 그룹으로부터 하나 이상 선택된 금속 또는 합금을 포함할 수 있다. 바람직하게는, 상기 금속 반사판은 Fe, Ni 및 Co의 합금을 포함하여 이루어진다.
본 발명의 실시형태에 따르면, 상기 세라믹 기판과 상기 유리 접합층 사이에 형성된 금속층을 더 포함할 수도 있다. 상기 금속층은 Ag, Cu 및 Al로 이루어진 그룹으로부터 선택된 금속을 포함할 수 있다. 바람직하게는 상기 금속층은 상기 배선 도체와 동일한 재질로 되어 있다. 예를 들어, 상기 금속층과 배선 도체는 Ag를 포함하는 금속 재료로 이루어질 수 있다.
본 발명의 실시형태에 따르면, 상기 금속 반사판의 내측에 상기 LED 소자를 포장하도록 설치되는 투광성 몰딩 부재를 더 포함할 수 있다. 이 투광성 몰딩 부재로는 예를 들어, 에폭시 수지 또는 실리콘 수지를 사용할 수 있다. 또한, 상기 투광성 몰딩 부재는 형광체를 포함할 수도 있다. 또한, 상기 금속 반사판 상에는 평판 형상 또는 렌즈 형상 등의 투광성 커버가 접합될 수도 있다.
본 발명의 다른 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 발광 다이오드 패키지의 제조 방법은, 상면에 LED 소자의 탑재부를 가지며 배선 도체가 형성된 세라믹 기판을 준비하는 단계와; 상기 탑재부 상에 LED 소자를 실장하고 상기 배선 도 체에 전기적으로 접속시키는 단계와; PbO, SiO2, B2O3, TiO2를 포함하는 유리 페이스트를 이용하여, 관통 구멍을 갖는 금속 반사판을 상기 세라믹 기판의 외주부에 접합하는 단계를 포함한다. 상기 유리 페이스트는 탄산칼슘, 탄산나트륨, 탄산바륨, 탄산칼륨 및 Al2O3을 더 포함할 수 있다.
본 발명의 실시형태에 따르면, 상기 세라믹 기판은, Al2O3 또는 AlN을 포함하는 세라믹 재료로 형성될 수 있다. 또한, 상기 금속 반사판은, Fe, Ni, Co, Cu, Al 및 이들의 조합으로 이루어진 그룹으로부터 하나 이상 선택된 금속 또는 합금을 포함하도록 형성될 수 있다.
본 발명의 실시형태에 따르면, 상기 금속 반사판을 접합하는 단계는, 상기 유리 페이스트를 상기 금속 반사판과 상기 세라믹 기판의 접합면 중 일면 또는 양면에 도포하는 단계와; 상기 도포된 유리 페이스트를 사이에 두고 상기 금속 반사판과 상기 세라믹 기판을 가압 접착하는 단계와; 상기 접착된 결과물을 열처리하여 상기 접착부를 경화시키는 단계를 포함할 수 있다. 이 경우, 바람직하게는 상기 경화 단계는, 300 내지 500℃의 온도에서 환원성 분위기에서 열처리하는 단계를 포함한다.
상기 실시형태에 따르면, 상기 유리 페이스트를 도포하기 전에 상기 기판의 외주부 상에 금속층을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다. 바람직하게는 상기 금속층은 상기 배선 도체와 동일한 재료로 형성된다. 예를 들어, 상기 금속층과 배선 도체는 Ag 페이스트를 고온에서 소성하여 동시에 형성될 수 있다.
본 발명의 실시형태에 따르면, 상기 금속 반사판의 접합 단계 후에, 상기 LED 소자를 포장하도록 상기 관통 구멍 내에 투광성 몰딩 부재를 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
또한, 본 발명의 실시형태에 따르면, 상기 금속 반사판 상면에 평판 형상 또는 렌즈 형상 등의 투광성 커버를 접합시키는 단계를 더 포함할 수도 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시형태를 설명한다. 그러나, 본 발명의 실시형태는 여러가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 이하 설명하는 실시형태로 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 실시형태는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서, 도면에서의 요소들의 형상 및 크기 등은 보다 명확한 설명을 위해 과장될 수 있으며, 도면 상의 동일한 부호로 표시되는 요소는 동일한 요소이다.
도 2는 본 발명의 일 실시형태에 따른 LED 패키지(100)를 나타내는 측단면도이다. 도 2를 참조하면, LED 패키지(100)는, 세라믹 기판(101)과 금속 반사판(104) 을 포함한다. 세라믹 기판(101) 상면에는 배선 도체(102a, 102b)가 형성되어 있으며, 상기 배선 도체(102a, 102b)는 기판(101)에 형성된 비아홀을 통해 기판(101)의 하면으로 연장되어 있다. 또한, 세라믹 기판(101)은 그 상면에 LED 소자(108)의 탑재부(20)를 갖는다. 금속 반사판(104)에는 관통 구멍(104a)이 형성되어 있고, 그 내주면은 반사면(104b)을 이룬다. 이 반사면(104b)은 LED 소자(108)로부터 방출되어 오는 빛을 상방향으로 반사시키는 역할을 한다. LED 소자(108)는 탑재부(20)는 탑재부(20)에 형성된 배선 도체(102a) 상에 접합 고정되어 있고, 본딩 와이어(109)를 통해 배선 도체(102b)와 전기적으로 접속된다. 금속 반사판(104)의 내측(관통 구멍(104a) 내부)에는 실리콘 수지 등으로 이루어진 투광성 몰딩부(105)가 LED 소자(108)를 포장하고 있다. 이 투광성 몰딩부(105)에는, LED 소자(108)가 발광하는 빛을 파장변환시키는 형광체가 포함될 수 있다.
상기 배선 도체(102a, 102b)는 Ag 또는 주성분으로서 Ag를 포함하는 도체로 이루어질 수 있다. 예를 들어, Ag 페이스트를 기판(101) 상에 인쇄한 후 이를 고온에서 소성하여 배선 도체(102a, 102b)를 형성할 수 있다. 또한, 상기 세라믹 기판(101)은 Al2O3 또는 AlN을 포함하는 세라믹 재료로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 상기 세라믹 기판(101)은 Al2O3를 주성분으로 하는 알루미나계 소결체로 이루어질 수 있다.
상기 금속 반사판(104)은 Fe, Ni, Co, Cu, Al 및 이들의 조합으로 이루어진 그룹으로부터 하나 이상 선택된 금속 또는 합금을 포함할 수 있다. 바람직하게는, 상기 금속 반사판은 Fe, Ni 및 Co의 합금으로 이루어진다. 이러한 합금으로는 상품명 KOVAR로 시판되고 있는 합금을 사용할 수 있다.
도 2에 도시된 바와 같이, 금속 반사판(104)은 세라믹 기판(101)의 외주부에 접합되어 탑재부(20)를 둘러싸고 있다. 이 금속 반사판(104)은 유리 접합층(113)에 의해 세라믹 기판(101)에 접합된다. 이 유리 접합층(113)은 종래의 Au-Sn 솔더에 비하여 훨씬 낮은 가격으로 입수 또는 제조할 수 있는 유리 페이스트의 소결체이다. 이 유리 접합층(113)은 PbO, SiO2, B2O3 및 TiO2를 포함한다. 이러한 주성분에 더하여, 열적 및 화학적 안정성을 높여주기 위해 탄산칼슘, 탄산나트륨, 탄산바륨, 탄산칼륨 및 Al2O3이 유리 접합층(113)에 더 포함될 수 있다. 바람직하게는, 상기 유리 접합층(113)은, PbO를 70 내지 80중량%로 포함하고, SiO2를 10 내지 20중량%로 포함하고, B2O3를 5 내지 10중량%로 포함하고, TiO2를 5 내지 10중량%로 포함한다. 이러한 유리 접합층(113)은 열팽창계수가 1 ppm/K 이하로서 Au-Sn 솔더에 비하여 낮다. 따라서, 유리 접합층(113)의 열적 안정성이 기존의 Au-Sn 솔더에 비하여 우수하다.
발명자는, 상기 유리 접합층(113)이 높은 접합 강도를 나타낸다는 것을 확인 하였다. 도 7은 상기 실시형태에 따라 제조된 발광 다이오드 패키지의 세라믹 기판(101)과 유리 접합층(104)의 계면 부위의 단면을 나타내는 광학 현미경 사진이다. 도 7에 도시된 바와 같이, 세라믹 기판(101)과 유리 접합층(113) 사이의 계면에는, 수분의 침투경로를 제공하여 접합력을 저하시킬 수 있는 틈이 거의 보이지 않는다. 실제 접합 강도 테스트(shear strength test)를 실시한 결과, 세라믹 기판(101)으로서 Al2O3계 소결체를 사용하고 금속 반사판(104)으로서 Fe, Ni 및 Co의 합금(KOVAR)을 사용한 경우 유리 접합층(113)은 기존의 Au-Sn 솔더에 필적할만한 또는 그 이상의 충분한 접합 강도를 나타내었다. 유리 접합층(113)은 열 팽창계수가 종래의 Au-Sn 솔더에 비하여 낮기 때문에, 온도 안정성이 기존의 Au-Sn 솔더보다 더 우수한다. 뿐만 아니라, 저가의 유리 접합층을 사용하여 반사판(104)과 기판(101)을 접합시키기 때문에, 발광 다이오드 패키지의 제조 비용이 상당히 감소된다.
도 3은 본 발명의 다른 실시형태에 따른 발광 다이오드 패키지(200)의 측단면도이다. 도 3을 참조하면, 발광 다이오드 패키지(200)는 세라믹 기판(101)과 유리 접합층(113) 사이에 금속층(113)이 형성되어 있다. 상기 금속층(111)을 더 포함한다는 점을 제외하고는, 본 실시형태의 발광다이오드 패키지(200)는 전술한 실시형태의 발광 다이오드 패키지(100)와 동일한다.
금속층(111)은, Ag, Cu 및 Al로 이루어진 그룹으로부터 선택된 금속을 포함 할 수 있다. 바람직하게는 금속층(111)은 상기 배선 도체(102a, 102b)와 동일한 재질로 되어 있다. 예를 들어, 금속층(111)과 배선 도체(102a, 102b)는 Ag 페이스트의 소결체로 이루어질 수 있다.
도 4는 본 발명의 또 다른 실시형태에 따른 발광 다이오드 패키지(300)의 측단면도이다. 도 4를 참조하면, 금속 반사판(120) 상에는 투광성 커버(120)가 접합되어 있다. 투광성 커버(120)는 LED 소자(108)을 보호하는 역할을 한다. 또한, 투광성 커버(120)는, 소정의 광학적 특성을 갖는 광학 소자일 수 있다. 예를 들어, 투광성 커버(120)로서 오목 렌즈 또는 볼록 렌즈를 사용할 수 있다. 그외에도 평판 형상의 유리기판으로 된 투광성 커버(120)를 사용할 수도 있다.
전술한 실시형태들에서는, LED 소자(108)가 접합부(20)의 배선 도체(102a) 상에 접합됨과 아울러 와이어(109)를 통해 배선 도체(102b)에 연결됨으로써, 배선 도체(102a, 102b)와 전기적으로 접속되어 있었다. 그러나, 다른 방안으로서, 2개의 와이어를 통해 LED 소자가 패키지 배선과 전기적으로 접속될 수도 있다. 이러한 예가 도 5에 도시되어 있다.
도 5를 참조하면, 탑재부(20') 상에 실장된 LED 소자(108')는 2개의 와이어(109', 109'')를 통해 배선 도체(102a', 102b')와 전기적으로 접속되어 있다. 이 경우, 상기 LED 소자(108')는 수평구조의 LED 소자에 해당한다. 탑재부(20')는 전 기적 접속을 제공하지 않으므로, LED 소자(108')는 절연체 접합재(미도시)를 통해 탑재부(20')에 고정 접합될 수 있다. 또한, 다른 방안으로서, 상기 LED 소자(108')는 배선 도체에 플립 칩 본딩으로 접속될 수도 있다.
이하, 도 6a 내지 도 6e를 참조하여 본 발명의 일 실시형태에 따른 발광 다이오드 패키지의 제조 방법을 설명한다. 이 실시형태에서는, 도 2 패키지(100) 또는 도 4의 패키지(300)의 제조 방법을 설명한다. 그러나, 적절한 변경 또는 추가를 통해서 도 3의 패키지(200) 또는 도 5의 패키지(400)를 제조할 수 있다는 것은 당업자에게 자명하다.
먼저, 도 6a를 참조하면, 상면에 LED 소자의 탑재부(200)를 가지며 배선 도체(102a, 102b)가 형성된 세라믹 기판(101)을 준비한다. 배선 도체(102a, 102b)와 세라믹 기판(101)의 재질은 전술한 바와 같이 선택될 수 있다.
다음으로, 도 6b에 도시된 바와 같이, 탑재부(20) 상에 LED 소자(108)를 접합 고정시키고, 와이어(109)를 통해 배선 도체(102b)와 LED 소자(108)를 전기적으로 접속시킨다. 이에 따라, LED 소자(108)가 기판(101) 상에 실장된다.
다음으로, 도 6c에 도시된 바와 같이, PbO, SiO2, B2O3, TiO2를 포함하는 유 리 페이스트를 이용하여, 관통 구멍(104a)을 갖는 금속 반사판(104)을 세라믹 기판(101)의 외주부에 접합한다.
구체적으로 설명하면, 먼저 상기 유리 페이스트를 금속 반사판(104)과 세라믹 기판(101)의 접합면 중 일면 또는 양면에 도포한다. 그 후, 상기 도포된 유리 페이스트를 사이에 두고 금속 반사판(104)과 세라믹 기판(101)을 가압 접착한다. 그 후, 상기 접착된 결과물을 300 내지 500℃의 온도에서 열처리하여 상기 접착부를 경화시킨다. 상기 열처리시 금속 반사판(104)이 산화되는 것을 막기 위해, 상기 열처리는 환원성 분위기(예컨대, 질소 및 수소 가스 분위기)에서 실시한다. 이에 따라, 강한 접합 강도로 금속 반사판(104)은 세라믹 기판(101)에 접합된다. 접합된 금속 반사판(104)의 내주면은 반사면(104b)을 이룬다. 상기 유리 페이스트는 탄산칼슘, 탄산나트륨, 탄산바륨, 탄산칼륨 및 Al2O3을 더 포함할 수 있다. 도 3의 패키지(300)를 제조하기 위해서, 상기 유리 페이스트를 도포하기 전에 세라믹 기판(101)의 외주부 상에 금속층(111)을 형성할 수도 있다. 이 경우, 상기 금속층(111)은 상기 배선 도체(102a, 102b)와 동일한 재료로 형성된다. 예를 들어, 상기 금속층(101)과 배선 도체(1012a, 102b)는 Ag 페이스트를 고온에서 소성하여 동시에 형성될 수 있다.
다음으로, 도 6d에 도시된 바와 같이, 상기 LED 소자(108)를 포장하도록 상 기 관통 구멍(104a) 내에 에폭시 또는 실리콘 수지 등으로 된 투광성 몰딩 부재(105)를 형성한다. 그 후, 필요에 따라, 상기 금속 반사판(104) 상면에 평판 형상 또는 렌즈 형상 등의 투광성 커버(120)를 접합한다(도 6e 참조). 이에 따라, 금속 반사판(104)과 세라믹 기판(101) 간의 접합 강도가 우수한 발광 다이오드 패키지를 얻게 된다.
본 발명은 상술한 실시형태 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니고, 첨부된 청구범위에 의해 한정하고자 한다. 또한, 본 발명은 청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 형태의 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것은 당 기술분야의 통상의 지식을 가진 자에게 자명할 것이다.
이상 설명한 바와 같이 본 발명에 따르면, 우수한 접합 강도를 갖는 유리 접합층을 사용함으로써, 고신뢰성의 발광 다이오드 패키지를 구현할 수 있을 뿐만 아니라 발광 다이오드 패키지의 제조 비용을 크게 절감시킬 수 있게 된다. 또한, 낮은 열팽창 계수를 갖는 유리 접합층을 사용함으로써, 발광 다이오드 패키지의 열적 안정성을 향상시킬 수 있다.

Claims (25)

  1. 상면에 LED 소자의 탑재부와 배선 도체가 형성된 세라믹 기판;
    상기 탑재부 상에 실장되어 상기 배선 도체와 전기적으로 접속되어 있는 LED 소자;
    상기 기판 상면의 외주부에 상기 탑재부를 둘러싸도록 접합되고, 내주면이 상기 LED 소자로부터 발광되는 빛을 반사하는 반사면으로 되어 있는 금속 반사판을 포함하고,
    상기 금속 반사판은 PbO, SiO2, B2O3 및 TiO2를 포함하는 유리 접합층에 의하여 상기 세라믹 기판에 접합되어 있는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 유리 접합층은, PbO를 70 내지 80중량%로 포함하고, SiO2를 10 내지 20중량%로 포함하고, B2O3를 5 내지 10중량%로 포함하고, TiO2를 5 내지 10중량%로 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 유리 접합층은 탄산칼슘, 탄산나트륨, 탄산바륨, 탄산칼륨 및 Al2O3를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 배선 도체는 Ag 또는 주성분으로서 Ag를 포함하는 도체로 이루어진 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 세라믹 기판은 Al2O3 또는 AlN을 포함하는 세라믹 재료로 이루어진 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 금속 반사판은 Fe, Ni, Co, Cu, Al 및 이들의 조합으로 이루어진 그룹으로부터 하나 이상 선택된 금속 또는 합금을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 금속 반사판은 Fe, Ni 및 Co의 합금을 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 세라믹 기판과 상기 유리 접합층 사이에 형성된 금속층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 금속층은 Ag, Cu 및 Al로 이루어진 그룹으로부터 선택된 금속을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지.
  10. 제8항에 있어서,
    상기 금속층은 상기 배선 도체와 동일한 재질로 되어 있는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 금속층과 상기 배선 도체는 Ag를 포함하는 금속으로 이루어진 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지.
  12. 제1항에 있어서,
    상기 금속 반사판의 내측에 상기 LED 소자를 포장하도록 설치되는 투광성 몰딩 부재를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 투광성 몰딩 부재에는 형광체가 포함되어 있는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지.
  14. 제1항에 있어서,
    상기 금속 반사판 상에 접합된 투광성 커버를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지.
  15. 상면에 LED 소자의 탑재부를 가지며 배선 도체가 형성된 세라믹 기판을 준비하는 단계;
    상기 탑재부 상에 LED 소자를 실장하고 상기 배선 도체에 전기적으로 접속시키는 단계; 및
    PbO, SiO2, B2O3 및 TiO2를 포함하는 유리 페이스트를 접합재로 이용하여, 관통 구멍을 갖는 금속 반사판을 상기 세라믹 기판의 외주부에 접합하는 단계를 포함하며,
    상기 금속 반사판을 접합하는 단계에서, 상기 금속 반사판은 상기 탑재부를 둘러싸도록 접합되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지의 제조 방법.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 유리 페이스트는 탄산칼슘, 탄산나트륨, 탄산바륨, 탄산칼륨 및 Al2O3을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지의 제조 방법.
  17. 제15항에 있어서,
    상기 세라믹 기판은, Al2O3 또는 AlN을 포함하는 세라믹 재료로 형성되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지의 제조 방법.
  18. 제15항에 있어서,
    상기 금속 반사판은, Fe, Ni, Co, Cu, Al 및 이들의 조합으로 이루어진 그룹으로부터 하나 이상 선택된 금속 또는 합금을 포함하도록 형성되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지의 제조 방법.
  19. 제15항에 있어서,
    상기 금속 반사판을 접합하는 단계는,
    상기 유리 페이스트를 상기 금속 반사판과 상기 세라믹 기판의 접합면 중 일면 또는 양면에 도포하는 단계;
    상기 도포된 유리 페이스트를 사이에 두고 상기 금속 반사판과 상기 세라믹 기판을 가압 접착하는 단계; 및
    상기 접착된 결과물을 열처리하여 상기 접착부를 경화시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지의 제조 방법.
  20. 제19항에 있어서,
    상기 경화 단계는, 300 내지 500℃의 온도에서 환원성 분위기에서 열처리하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지의 제조 방법.
  21. 제19항에 있어서,
    상기 유리 페이스트를 도포하기 전에 상기 기판의 외주부 상에 금속층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지의 제조 방법.
  22. 제21항에 있어서,
    상기 금속층은 상기 배선 도체와 동일한 재료로 형성되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지의 제조 방법.
  23. 제22항에 있어서,
    상기 금속층과 배선 도체는 Ag 페이스트를 소성하여 동시에 형성되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지의 제조 방법.
  24. 제15항에 있어서,
    상기 금속 반사판의 접합 단계 후에, 상기 LED 소자를 포장하도록 상기 관통 구멍 내에 투광성 몰딩 부재를 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지의 제조 방법.
  25. 제15항에 있어서,
    상기 금속 반사판 상면에 투광성 커버를 접합시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지의 제조 방법.
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