KR100600574B1 - 합성수지의 전착을 위한 기판 활성화 방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 합성수지 기판을 금속화 하는 방법에 관한 것으로, 합성수지 표면을 에칭하고 활성화 하고 세척하고 선택적으로 촉진제로 처리하고 화학-환원적으로 및 이어서 전해 금속화 한다.

간단하며 저렴하고 신속한 공정 실시로 금속화 능력을 현저히 개선하고 기능을 확실히 하면서 재현성 있는 금속 피막이 생성되게 하는 상기한 종류의 방법을 마련하기 위해, 본 발명에서는 합성수지 기판의 에칭과 활성화를 공동의 공정 단계에서 실시하고 적어도 일종의 무기산 함유 에칭제 및 이온 원 활성화제를 포함하는 제 1 용액에서 행할 것이 추천된다.

그리고 합성수지 기판의 동시적 에칭 및 활성화를 위해 일종 또는 수종의 에칭제, 에칭 활성 망 형성제, 염산 및 귀금속 이온 함유 활성화제를 함유하여 마련된, 특히 본 발명 방법을 사용하기에 적합한 용액이 개발 개시되었다.

합성수지, 전착, 기판

Description

합성수지의 전착을 위한 기판 활성화 방법{Procedure for the activation of substrates for galvanizing the plastic}

본 발명은 합성수지 표면을 에칭(산세, 부식)하고, 활성화하고, 세척하고, 촉진제로 처리하고 화학-환원적으로 그리고 이어서 전해질적으로 금속화(도금)하는 합성수지 기판을 금속화하는 방법에 관한 것이다.

합성수지를 금속화하는 방법의 개발은 오늘날에는 장식적 표면의 생성 외에 특히 피복된 금속 물체에 대해 달성하고자하는 대단히 유리한 기능적 물성들에 기초하여 특히 강력하게 추진되고 있다. 대단히 작은 중량, 합성수지의 간단하고 비용유리한 제조와 복잡하지 않은 처리가공성 및 합성수지의 다양한 형상화는, 특히 장식 부문 또는 전착 용도의 분야에서 이미 시장에서 확고한 위치를 갖기에 이르렀다.

또한 금속 피복된 합성수지의 여러 다양성에 대한 수요로, 금속화 방법들 및 금속화 가능한 합성수지들의 수도 증가했다. 전해적 합성수지 금속화에 대한 기본 전제는, 비전도성 합성수지가 후속하는 금속화를 위한 기초로서 전도성 층으로 접착력 강하게 피복될 수 있는 것이다.

가장 보편적 방법에서는 합성수지 표면을 거칠게 하고 또한 화학적으로 변성시켜 금속 핵을 수용할 수 있도록 하기 위해, 금속 표면을 먼저 에칭시킨다. 예컨대 크롬-황산 에칭, 산성 또는 알칼리성 과망간산염 에칭 또는 기타 산화성 에칭에 의해 에칭시킨다. 기판 표면의 거칠게 하기는 플라즈마 처리에 의해서도 또한 행해질 수 있다. 에칭된 합성수지 부재를 세척하고 이어서 핵 생성 또는 활성화시킨다. 활성화에 이어서는, 활성화 층에 따라, 전도층의 화학-환원적이고 무전류적 금속 퇴적이 합성수지 표면 위에 행해지고 이어서 전해질적 층 형성이 행해지거나, 또는 그렇지 않으면 직접적인 직접 금속화가 행해진다.

활성화는 콜로이드 또는 이온 원 촉매 방법으로 또한 금속 활성화제나 금속 착체 활성화제의 사용에 의해 행해질 수 있다. 상기 활성화제는 난용성 황화물 또는 다황화물을 형성하는데, 그 금속으로서는 특히 주석, 연, 은, 코발트, 망간 및 동이 적합하다. 그러나 고전적 콜로이드 공정은 다수의 시간 및 비용 집중적 환원 공정 및 세척 공정들을 포함한다.

금속 활성화제 및 금속 착체 활성화제에 기초하는 신형 방법은 사실 대단히 짧은 처리 기간을 가능하게 하고, 그렇지만 매 합성수지들이 모두 그런 금속 착체들이 침투 및 삽입하기에 적합한 것은 아니며, 그렇기 때문에 세척 또는 중간 침지 후 표면에 느슨하게 결합되어 있던 착체들은 전해액 내로 떨어져 제거되고 교차결합 용액에 의해 금속 착체들의 교차 결합은 불균일 및/또는 불완전하게 발생하는 것으로, 이것은 불리하게도 합성수지 표면의 불완전한 금속화 및/또는 건조된 금속화 층의 균열 및/또는 탈락을 야기한다. 거기에 반해 이온 원 촉매 방법은 사실 통 상적 방법에 대해 간단성을 제공하며 차례로 교체 사용되는 처리조들의 잔류 이월 약품들에 대해 덜 민감하고 그리하여 환경 친화적이다. 그러나 여태까지의 이온 원 촉매의 방법들도 역시 모든 합성수지들에 적합하지는 못하다.

폴리아세테이트, 폴리설폰, 폴리스티렌, 폴리페닐렌옥사이드, 폴리프로필렌 또는 폴리아미드와 같은 특별한 합성수지들은 여태까지의 공지의 방법들로는 전혀 금속화가 될 수 없거나 또는 아주 높은 비용을 들여야만 금속화 될 수 있다. 그래서 예컨대 당면 합성수지에 대해 합목적적으로 에칭을 일치 조화시키고, 추가적인 고가의, 특히 비용 집중적 공정 적합화에 의해 상기 합성수지들 중의 몇 가지를 금속화 시키는 것이 가능하다. 그로부터 정해진 아주 특정적 작업 조건들의 엄수 필요로 인해 그런 공정들은 흔히 극히 교란에 취약하다. 공정 조건에 최소의 변화만 있어도 벌써 합성수지 표면은 최적하게 처리되지 않을 수 있고, 그렇기 때문에 합성수지 표면 위에의 기능 확실하고 만족한 금속층의 부착 및 충분히 재현성 있는 결과는 여태까지는 달성되지 못하였다. 특히 잘못된 에칭 시간은, 폐기 제품율을 최소로 억제하기 위해 극히 정확한 제어가 필요할 만큼, 표면을 불리하게 변성시킨다.

폴리아미드로 된 특별한 가공물들은 현 기술 수준에서 알려져 있는 방법들에 의하면 설사 가능하다 하더라도 단지 비교할 수 없이 높은 비용에 의해서만 전기적으로 부착될 수 있다. 그래서 여태까지는 실질적으로 만족한 금속 층을 제조하기 위해서는 아주 빈번히 공정 단계들을 다중으로 시행하는 것으로, 그 경우 주로는 활성화 단계들이 다중으로 연속으로 행해진다. 그러나 특히 대형 가공물의 경우에 는 결점 있게 피복된 부재들의 분량은 단지 만족스럽지는 못한 정도로만 감소한다.

본 발명의 목적은 간단하고 저렴하고 신속한 공정 실시로 금속화(도금) 능력이 크게 개선되며 기능 확실하고 재현성 있는 금속 피막이 생성되는, 여러 상이한 합성수지 표면들, 특히 폴리아미드로 된 가공물들을 금속화하는 방법을 제공하는 것이다.

상기 목적은 본 발명에 따라, 합성수지의 기판의 에칭과 활성화가 한 공동의 공정 단계에서 실시되고 적어도 일종의 무기산 함유 에칭제 및 한 이온 원 활성화제를 포함하는 제 1 용액에서 행해지는 것을 특징으로 하는 모두에 언급된 종류의 방법에 의해 달성된다.

본 발명에 의한 방법에 의해 유리하게도 금속화하려는 합성수지의 실질적으로 간단하고 경제적인 조건(콘디쇼닝)이 제공되고, 그럼으로써 공정 단계의 절약 및 특히 시장 관련 폴리아미드와 같은 합성수지 기판 위에의 금속화 층의 부착력의 개선이 가능해진다. 그리고 조건 조절 공정에서는 합성수지 표면의 동시적 에칭 및 활성화를 위해 적어도 일종의 에칭제 및 한 이온 원 활성화제를 포함하는 제 1 용액 내에 금속화 하려는 합성수지 기판을 투입한다. 그 위에 본 발명에 의한 방법은 금속화될 합성수지 표면이 교란 적게 또한 비용 낮게 금속화될 수 있다는 점이 특징이다. 이 방법에 의해, 용액을 합성수지 기판의 조건 조절용 제 1 용액으로 사용할 수 있도록, 유리하게도 활성화 용액에 에칭제를 적합화시킬 수 있었다. 이 제 1 용액이 - 또는 조건 조절 용액으로도 호칭 - 그의 최적 조성으로 인해 유리하게도 한 공정 단계로 두 공정 단계의 수행을 가능하게 하는 것이다. 이 용액은, 적어도 일종 또는 수종의 에칭제, 에칭 활성 망(교차결합) 형성제, 예컨대 염산, 황산, 질산 등과 같은 무기산, 및 귀금속 이온, 바람직하게는 팔라듐 이온을 함유하는 활성화제를 갖는다.

놀랍게도 이로부터, 본 발명에 의한 방법에 의해서는 대면적 부재뿐 아니라 복잡한 가공물, 특히 폴리아미드로 구성된 합성수지 기판도 이 조절 단계에서, 예컨대 직접적 금속화 공정을 위해 필요한 표면 조직이 현저한 거칠기 및 다수의 공극들을 가진 채 생성되고, 그리하여 활성화 분자들에 의해 최적이면서 완전한 핵 형성이 보장되도록, 유리하게 조건 조절될 수 있게 된다.

마찬가지로 이로부터 놀랍게도, 조건 조절 단계에서는 조건 조절 용액 속에 존재하는 망 형성제 및 이온 원 활성화제에 의한 동시적인 합성수지 표면의 거칠게 하기 및 활성화에 의해 활성화제 분자들이 생성된 공극 내로 도입되는 것이 활성화 단계를 에칭에 이어 행하는 통상적 공정 실시의 경우보다 훨씬 적게 억제된다는 것도 확실해졌다. 따라서 조건 조절 단계에서 직접 도입된 활성화 핵들은 유리하게도 합성수지 내에 형성된 공극들 내로 훨씬 더 깊이 침입한다. 이에 의해 후속하는 금속화에서 통상적 방법에서 보다 금속층이 합성수지 내로 균일하게 더 깊이 침투하여 금속층과 합성수지 사이의 부착성이 훨씬 더 양호해지는 것이 유리해진다.

유리한 추가 양태에 따라 20℃ 내지 90℃, 바람직하게는 30℃ 내지 35℃의 온도에서 조건 조절 용액으로 합성수지 기판의 처리를 행하고, 그럼으로써 유리한 방식으로 보다 낮은 온도에서도 작업이 가능해져 에너지와 각 비용이 절약되고 그 럼으로써 공정이 보다 경제적으로 형성될 수 있다. 그리고 조건 조절 용액은 그의 조성으로 인해 공지의 에칭 용액에 비해 덜 공격적이고 또한 공지의 활성화 용액에 비해 보다 안정성이 있고 덜 교란 취약적이고, 그리하여 보다 더 큰 작업 융통성이 존재하는데, 그 이유는 정확한 침지 시간, 온도 등이 고비용으로 유지될 필요가 없기 때문이며, 한편 이로 인해 본 발명에 의한 방법은 훨씬 더 높은 내구성을 갖게된다. 이것은 특히 본 발명에 의한 공정의 양호한 재현성 및 감소된 폐품 율을 야기한다. 이에 의해 추가적으로 상설적인 랙 비치를 생략할 수 있다.

본 발명에 의한 방법의 유리한 추가 양태에 의하면, 제 1 용액에 의한 합성수지 기판의 조건 조절은 1 내지 10 분, 바람직하게는 4 내지 6 분의 기간 내에 행해질 것이 추천된다. 본 발명에 의한 방법으로는 추가 활성화가 또는 여태까지는 통상적이었지만 단 한번의 다회 활성화도 불필요하기 때문에, 특히 공정의 이 부분만큼 유리한 방식으로 시간 절약이 이루어진다.

특히 폴리아미드로 된 복잡한 합성수지 기판 등의 유리한 금속화 외에 본 발명에 의한 방법의 유리한 이점은, 이것을 사용하기 위해서 이미 존재하는 금속화 시설을 해체하거나 개조할 필요가 없다는 데에 있다.

본 발명에 따른 조건 조절 단계에 이어서 추가의 공정 단계들, 특히 세척 단계가 후단에 설치될 수 있다. 조건 조절된 합성수지 기판은 실온에서 다회, 바람직하게는 3 회 세척할 것이 추천된다.

그렇게 처리된 몇 합성수지 기판들은, 본 발명에 따른 이 공정 대신에, 이미 소위 촉진제의 통상적인 제 2 전처리 단계 없이 그 기판들은 직접 외부 전류 없이 금속화될 수, 예컨대 니켈 도금 또는 동 도금될 수 있을 정도로, 유리하게 준비된 표면을 갖는다.

제 1 용액으로 전처리된 합성수지 기판 및 추가 방법에서 무전류 금속화를 위한 후속 공정 단계에 의해 준비된 합성수지 기판, 특히 폴리아미드 기판은, 적어도 일종의 금속 이온, 예컨대 동- 또는 니켈 이온, 환원제, 예컨대 차아인신나트륨, 착체 형성제, 예컨대 시트르산 또는 암모니아, 및 안정화제, 예컨대 연 또는 비스무트를 갖는 제 3 용액 내에서, 궁국적으로 개선된 전해 금속화를 가능하게 하기 위해, 완전히 무전류적으로 금속화된다.

제 2 용액, 즉 소위 촉진 용액은, 후속하는 무전류 공정에 조화일치하는 적어도 제 1 환원제, 및 추가 환원제를 갖는다. 이 촉진 단계에 이어 선택적으로 추가 세척 단계가 후단 설치될 수 있다.

외부 무전류 금속화에 대한 대안으로서 촉진 용액 이후에 실행할 가치가 있는 직접 금속화, 예컨대 니켈 도금 또는 동 도금이 행해질 수 있다. 이를 위해서는 단지 제 1 용액의 팔라듕 함량을 100 ppm 이상으로 증가시킬 필요가 있다.

본 발명에 의한 방법의 유리한 추가 양태에 의하면, 각 용액들 내에서의 합성수지 기판의 처리 중, 특히 조건 조절 단계 동안, 각 용액 및/또는 각 용액 내 합성수지 기판을 움직여 줄 것이 추천된다. 그리고 처리조의 움직임은 예컨대 공기 취입에 의해 또는 합성수지 기판을 범람시킴에 의해서도 야기될 수 있다. 처리조 및/또는 합성수지의 움직임에 의해, 유리한 방식으로, 용액이 최적 최대한 전체 합성수지 표면 위에 작용할 수 있는 것이 보장된다. 그럼으로써 기능 확실하고 부착 력 강한 금속화(금속 피복)는 도움 받는다. 그 위에 본 발명에 의한 방법의 각 공정 단계 중 각 용액들을 여과할 것이 추천된다. 이것은 처리조 내에서 또는 처리조의 외부의 분기된 별도의 지류를 통해, 예컨대 전기 투석에 의해 행해질 수 있다.

더욱이 본 발명에 의해, 금속화하려는 합성수지 표면의 물성에 철저히 영향을 미치고 표면이 보다 효과적으로 금속화될 수 있도록 그 표면을 화학적으로 변성시키는 용액이 보호될 수 있다. 이 목적과 관련하여 이 목적은, 합성수지 기판을 동시에 에칭 및 활성화시키기 위해, 일종 또는 그 이상의 에칭제, 에칭 활성 망 형성제, 무기산들 및 귀금속 이온을 가진 활성화제를 포함하는 용액을 제조하는 것에 의해 달성된다.

놀랍게도 이로부터, 본 발명에 의한 용액의 사용에 의해 금속화하려는 합성수지가 보다 양호하게 전착되고 및 또는 몇 가지 합성수지들에서는, 특히 폴리아미드 기판의 경우에는 도대체 비로소 전착이 가능해진다는 것을 확실히 알 수 있다. 합성수지 기판의 조건 조절을 위한 이 용액의 사용은 특히 유리한 것으로 볼 수 있다. 이 용액, 즉 소위 조건 조절 용액 내에서는, 유리하게도 적어도 일종의 에칭 용액이 활성화 용액과 결합되어 있다. 이 본 발명에 의한 조건 조절 용액의 사용에 의해, 짧은 처리 시간 후 이미 강력 부착 금속층을 위한 기본 전제가 되는 조각된 중공 공극들이 형성되고 이 공극들이 동시에 금속화를 위해 활성화되는 식으로, 합성수지 표면은 극히 유리하게 변화된다. 그리하여 합성수지 표면들을 비용 및 시간 집중적으로 조건 조절하는 것은 더 이상 필요하지 않다. 특히 대형 및/또는 복잡한 가공물들 및 조건조절하기 어려운 합성수지들, 특히 폴리아미드 기판들을 조건 조 절하기 위해서, 공지의 방법과는 반대로, 둘이 아닌 또는 다수 조건 조절 단계들은 아닌, 오직 단 하나의 공정 단계가 필요하다.

본 발명에 의한 용액은 에칭 용액으로서 또는 에칭제로서 바람직하게는 10 내지 30 ml/l의 유기산, 예로서 포름산, 아세트산 또는 트리플루오로아세트산, 바람직하게는 아세트산을 포함한다.

그 위에 본 발명에 의한 용액은 0.001 내지 10 g/l, 바람직하게는 0.001 내지 1 g/l의 에칭 활성 망 형성제를 포함한다. 바람직하게는 에칭 활성 망 형성제로서, 과 플루오르화된, 또는 부분 플루오르화된 망 헝성제를 포함하는 용액이 사용된다. 그런 망 형성제는 강산 용액 중에서 안정하기 때문에 그 사용이 유리하다.

그 위에 본 발명에 의한 용액을 위해 이온 원 활성화제를 사용하는 것이 유리한 것으로 밝혀졌다. 이 경우 활성화제는 바람직하게는 귀금속 이온, 특히 바람직하게는 팔라듐 이온을 갖는다. 특히 2 가 팔라듕 이온을 조건 조절 용액 내에 10 내지 1000 mg/l, 바람직하게는 45 내지 55 mg/l의 농도로 사용하면, 유리하게 기판 표면의 완전한 활성화 및 그리하여 기능 확실하고 재현성 있는 금속화가 가능해진다. 그런 활성화제는 대부분의 금속들, 특히 동과 니켈을 위한 금속화 핵으로서의 역할을 하기 때문에, 그런 활성화제의 사용은 유리하다.

본 방법을 실시예에 따라 상세히 설명하겠다. 그러나 이 실시예는 단지 설명을 위한 것이고 제한을 위한 것은 아니다. 특히 본 발명에 의한 용액(조건 조절 용액)의 조성은, 특히 그 안에 함유된 에칭 용액 및/또는 활성화 용액은 가변적이다.

폴리아미드-합성수지에 대한 실시예

공정 단계 1: 조거 조절(전처리 및 활성화)

금속화하려는 합성수지 표면을, 염산 함유 폴리아미드 에칭제 및 귀금속 이온을 함유한 제 1 용액 내에 도입했다. 폴리아미드 에칭제로서는 바람직하게는 유기산을 사용하고 귀금속 이온으로서는 바람직하게는 염화팔라듐을 사용했다.

처리조 조성: 250 ml/l의 HCl(37%)

5 ml/l의 에칭 활성 망 형성제

25 ml/l의 아세트산

50 ppm의 Pd²⁺

반응 시간: 4 분

반응 온도: 30℃

추가 매개변수: 여과

물건 움직이기

공정 단계: 세척

조건 조절된 합성수지 기판을 적어도 한번, 이상적으로는 3 회 세척했다.

공정 단계: 촉진 용액(선택적)

금속화 하려는 합성수지 표면을, 제 1 용액에 의한 처리 결과에 따라 선택적으로, 외부 무전류 금속화를 위해, 다음 용액에 일치 조화된 제 1 환원제 및 추가 환원제를 함유하는 제 1 용액에 도입했다. 환원제로서는 바람직하게는 차아인산나 트륨 및 디메틸아미노보란을 사용했다.

처리조 조성: 20 g/l의 차아인산나트륨

1 g/l의 디메틸아미노보란

반응 시간: 4 분

반응 온도: 45℃

추가 매개변수: 여과

제 2 용액에서의 합성수지 기판의 처리는 바람직하게는 1 내지 10 분의 기간 내에, 바람직하게는 4 내지 6 분 내에, 35℃ 내지 55℃, 바람직하게는 40 내지 50℃의 온도에서 행했다.

공정 단계 4: 세척(선택적)

이것에 있어서는 부득이하면 추가 세척을 실시했다.

공정 단계 5: 화학적 니켈

전처리 결과 또는 공정 구조에 따라 공정 단계 2, 3 및 4에 이어 합성수지 기판을 화학-환원적 피복(화학적 니켈)을 위해 제 3 용액에 도입했다. 그리고 이 용액은 니켈 이온, 환원제, 바람직하게는 차아인산나트륨, 착체 형성제, 바람직하게는 시트르산 및 염화암모늄 및 안정화제, 바람직하게는 연 이온을 함유했다.

합성수지 기판을 5 내지 15 분, 바람직하게는 8 내지 12 분 동안 제 3 용액내에 체류시킬 것이 추천된다. 그런데 제 3 용액은 바람직하게는 5 내지 5.5, 바람직하게는 5.2 내지 5.4 범위의 pH 치를 가져야했다. 합성수지 기판의 화학-환원적 피복은 60 내지 75℃, 바람직하게는 65 내지 70℃의 온도에서 행했다.

이 경우 공정 진행은 다음의 매개 변수들로 실시했다:

처리조 조성: 4 g/l의 Ni²⁺-이온

30 g/l의 아인산나트륨

30 g/l의 시트르산

20 g/l의 염화암모늄

1 ppm의 Pb²⁺-이온

반응 시간: 10 분

반응 온도: 65-68℃

pH-범위: 5.2-5.4

추가 매개변수: 여과

실시예에 따라 본 발명에 의한 조건 조절 용액을 사용할 때에는 외부 전류 없는 니켈의 퇴적이 균일하게 진행하고 그렇게 퇴적된 니켈층은 종래의 각각의 에칭 단계와 활성화 단계에 따라 생성된 니켈 층에 비해 보다 높은 비 전도도를 갖는 것이 발견되었다.

그리고 기능 확실하고 재현성 있는 금속화를 야기하기 위해 본 발명 방법에 의한 전류 처리 조건은 처음부터 금속화 하려는 당해 합성수지에 조절될 필요는 없고, 최초에 예거한 온갖 합성수지들은 본 발명 방법으로 비용이 많이 드는 공정 적합화 없이 금속화가 될 수 있는 것이다. 상기한 조건 조절화 용액에 의한 에칭 및 활성화의 조합에 의해 합성수지 표면은 금속화를 위해 최적하게 준비될 수 있는 것 이다.

본 발명을 상기된 바와 같이 실시함으로써, 합성수지 기판을 금속화하는데 있어서, 간단하고 저렴하며 신속한 공정 실시로 금속화 능력을 현저히 개선시킬 수 있다.

Claims (19)

1. 합성수지기판을 에칭, 활성화, 세척하고 경우에 따라 촉진용액으로 처리하며 이어서 화학-환원적 및/또는 전해적 금속화하는, 합성수지기판을 금속화하는 방법에 있어서,

   합성수지기판의 에칭 및 활성화가 적어도 일종의 무기산 및 이온 활성화제를 포함하는 에칭-활성화 용액에서 하나의 공통 처리 단계로 행해지며, 상기 무기산은 적어도 일종의 유기산을 포함하는 에칭제를 함유하는 것을 특징으로 하는, 합성수지기판의 금속화 방법.
2. 제1항에 있어서, 상기 합성수지기판이 폴리아미드 기판인 것을 특징으로 하는 을 사용하는 것을 특징으로 하는 합성수지기판의 금속화 방법.
3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 에칭-활성화 용액이 적어도 일종의 에칭제, 에칭활성 망 형성제, 무기산 및 귀금속 이온 함유 활성화제를 포함하는 것을 특징으로 하는 합성수지기판의 금속화 방법.
4. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 에칭 및 활성화가 20∼90℃ 온도에서 행해지는 것을 특징으로 하는 합성수지기판의 금속화 방법.
5. 제4항에 있어서, 상기 에칭 및 활성화가 30∼35℃ 온도에서 행해지는 것을 특징으로 하는 합성수지기판의 금속화 방법.
6. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 합성수지기판이 1∼10분 동안 에칭-활성화 용액으로 처리되는 것을 특징으로 하는 합성수지기판의 금속화 방법.
7. 제5항에 있어서, 상기 합성수지기판이 4∼6분 동안 에칭-활성화 용액으로 처리되는 것을 특징으로 하는 합성수지기판의 금속화 방법.
8. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 합성수지기판이 후속하는 화학적 증착 공정에 사용될 수 있는 적어도 일종의 환원제를 포함하는 환원용액으로 더 처리되는 것을 특징으로 하는 합성수지기판의 금속화 방법.
9. 합성수지기판을 동시에 에칭 및 활성화하기 위한 용액에 있어서,

   적어도 일종의 에칭제, 에칭활성 망 형성제, 무기산 및 귀금속 함유 활성화제를 포함하며, 상기 에칭제는 적어도 일종의 유기산인 것을 특징으로 하는, 에칭 및 활성화 용액.
10. 제9항에 있어서, 상기 용액이 50g/L 이하의 유기산을 포함하는 것을 특징으로 하는 에칭 및 활성화 용액.
11. 제9항 또는 제10항에 있어서, 상기 유기산이 포름산, 아세트산, 트리플로로아세트산으로 이루어진 그룹에서 선택되는 것을 특징으로 하는 에칭 및 활성화 용액.
12. 제9항 또는 제10항에 있어서, 상기 용액이 0.001∼10g/L의 에칭활성 망 형성제를 포함하는 것을 특징으로 하는 에칭 및 활성화 용액.
13. 제12항에 있어서, 상기 용액이 0.01∼1g/L의 에칭활성 망 형성제를 포함하는 것을 특징으로 하는 에칭 및 활성화 용액.
14. 제9항 또는 제10항에 있어서, 상기 용액이 에칭활성 망 형성제로서 과 플로로화된 또는 부분 플로로화된 망 형성제를 포함하는 것을 특징으로 하는 에칭 및 활성화 용액.
15. 제9항 또는 제10항에 있어서, 상기 용액이 이온 활성화제로서 10∼1000mg/L의 팔라듐 이온을 포함하는 것을 특징으로 하는 에칭 및 활성화 용액.
16. 제15항에 있어서, 상기 용액이 이온 활성화제로서 45∼55mg/L의 팔라듐 이온을 포함하는 것을 특징으로 하는 에칭 및 활성화 용액.
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