KR100595037B1 - 솔더링 충전재 금속, 이를 이용하는 반도체 디바이스에대한 조립 방법 및 반도체 디바이스 - Google Patents

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Abstract

종래의 Sn/Sb형 납땐 충전재 금속에는, β'위상에서 큰 그레인이 증착되기 쉽고, 소자들과 접합부분에서 크랙이 발생하기 쉬우며, 상술된 특수 코팅이 반도체 소자의 다이 본딩면상에 제공될 때 공극이 형성되는 단점이 있다. 본 발명의 납땜 충전재 금속은 나머지가 Sn과 부수적 불순물을 가지는, 5 내지 20 중량%의 Sb 및 0.01 내지 5 중량%의 Te를 포함하거나 납땜 충전재 금속가 나머지가 Sn과 부수적 불순물을 가지는, 5 내지 20 중량%의 Sb, 0.01 내지 5 중량%의 Te 및 0.001 내지 0.5 중량%의 P를 포함한다.

Description

솔더링 충전재 금속, 이를 이용하는 반도체 디바이스에 대한 조립 방법 및 반도체 디바이스 {Soldering Filler Metal, Assembly Method for Semiconductor Device Using Same, and Semiconductor Device}
본 발명은 반도체 소자들의 다이 본딩(die bonding) 및 전자 부품들의 조립에 사용되는, 고온 납땜 충전재 금속에 관한 것으로, 상세하게는 Pb를 포함하지 않는 고온 납땜 충전재 금속에 관한 것이다.
고주파수 소자 또는 반도체 소자가 반도체 디바이스 또는 전자 부품들을 조립하기 위하여 리드 프레임(lead frame)에 다이 본딩될 때, 300℃ 정도의 녹는점을 가지는 Au/20중량%Sn(Sn이 20중량%이고, 나머지가 Au으)로 표현되는 Au형 납땜 충전재 금속들 또는 Pb/5중량%Sn으로 표현되는 Pb형 납땜 충전재 금속이 사용된다.
300℃ 정도의 녹는점을 가지는 이들 납땜 충전재 금속들이 다이 본딩에 사용되는 이유는, 조립된 반도체 디바이스가 240 내지 260℃의 온도 및 10초 이하의 가열 기간의 조건하에서 프린트 기판상에 장착될 때, 다이 본딩시에 사용되는 납땜 충전재 금속이 성능 저하를 일으키는 재용융(remelting)되는 것을 방지하기 때문이다. 또한, 전자 부품의 조립시에, 이들 납땜 충전재 금속은, 이전 단계에 사용된 납땜 충전재 금속이 연 이은 단계에서 수행된 (220 내지 260℃에서의)납땜 단계시 에 재용융되지 않도록 사용된다.
그러나, Au형 납땜 충전재 금속은 고가인 문제점을 가지고 있고, Pb형 납땜 충전재 금속은 환경 오염의 문제점을 가지고 있다. 따라서, Pb를 포함하지 않고, 그 녹는점이 260℃ 이상이고, 경제적인 면에서도 300 내지 340℃에서 납땜을 할 수 있고 탁월한 젖음성(wettability)을 가지는 납땜 충전재 금속이 요구되고 있다.
이러한 요구에 상응하기 위하여, 0.005 내지 5.0 중량%의 양으로, 바람직하게는 0.1 내지 20 중량%의 Ag, 또는 0.05 내지 9 중량%의 Cu 또는 0.1 내지 15 중량%의 Ag 및 0.05 내지 5 중량%의 Cu의 양으로 Fe 및 Ni 중에 1이상의 종류를 포함하고, Sb의 0.1 내지 15 중량%를 더 포함하는, 나머지가 실질적으로 Sn인 솔더링 재료(soldering material)가 제안되어 왔다(일본국 특허공보 제 특개 2001-144111호 참조).
또한, 11.0 내지 20.0 중량%의 Sb, 0.01 내지 0.2 중량%의 P, 바람직하게는 Cu 및 Ni 중에 1이상의 종류의 0.005 내지 5.0 중량%를 포함하고, 나머지가 Sn과 부수적 불순물을 가지는 다이 본딩용 솔더링 재료가 제안되었다(일본국 특허 공보 제 특개 2001-284792호 참조).
이들은 열적 피로(thermal fatigue)에 대하여 나쁜 성능을 가지는 Sn/Sb형 솔더링의 단점을 해결하고 반도체 디바이스가 프린트 기판상에 솔더링에 의해 장착될 때 고온에서 위치되는 다이 접합부분의 저항 변화를 감소시키기 위해 제안되었다.
부수적으로, 땜납(solder)에 의해 젖음성을 향상시키기 위하여, Cr-Ni-Ag 또 는 Ti-Cu-Ag와 같은 멀티-레벨 금속층이 땜납 및 반도체 소자의 접합면(이하, "반도체 소자의 다이 본딩면"이라 일컬어짐)상에 제공된다. Sn/Sb형 땜납이 다이 본딩 땜납으로 사용되면, 멀티-금속층의 최외측면상의 Ag가 솔더링 금속으로 용해되어, 솔더링 재료의 녹는점을 크게 떨어뜨린다(일본국 특허공보 제 특개 2001-196393호의 0006 단락 참조). 이러한 문제점을 해결하기 위하여, 제1금속 코팅 및 제2금속 코팅이 반도체 디바이스의 다이 본딩면상에 상기의 순서대로 형성되는 방법이 제안되었으며, 제2금속 코팅은 주석 또는 안티몬을 포함하는 코팅이고, 땜납으로는 Sn/Sb형 땜납이 사용된다(일본국 특허공보 제 특개 2001-196393호의 0008단락 참조).
특히, 반도체 소자의 열 발생이 많은 경우에, Sn-5중량%의 Sb형 땜납이 높은 신뢰성을 얻기 위해 사용된다. 그러나, 이 때, 멀티-금속층내의 Ni 및 Cu와 같은 중간 금속층이 반도체 디바이스의 작동시의 열 또는 응력의 적용으로 인해 땜납과 작용하여, 경질의 깨지기 쉬운 중간 금속 화합물 층을 형성하고, 이러한 층으로부터 파괴가 진행되는 문제점이 있다(일본국 특허등록 제 3033378호의 0005 내지 0006 단락 참조). 이러한 문제점을 해결하기 위하여, Cr, Ti, Mo, W, Zr, Hf의 반도체 소자의 다이 본딩면의 최외측 층을 형성하거나 금속층상에 Sn, Sb, Au, Ag, Pt, Ni, Cu, Zn, Al, Co, Fe, Pb로 구성된 그룹으로부터 선택된 1이상의 종류의 금속을 포함하는 표면 금속층을 제공하는, Sn/Sb형 땜납의 사용이 개시되어 있다(일본국 특허등록 제 30333378호의 0010 내지 0011 단락 참조).
상술된 2가지 방법에 따르면, 땜납의 녹는점의 과도한 하강을 방지하거나 경 질의 깨지기 쉬운 중간금속 화합물 층의 생성을 방지할 수 있다. 그러나, 다이 본딩 후에 땜납층에서 반도체 소자측상에 다수의 공극(void)이 생성되는 새로운 문제점이 발생하는 것으로 알려져 있다. 공극의 존재는 장기적인 신뢰성을 저하시킨다.
이전에 제공된 Sn/Sb형 납땜 충전재 금속에는, β'위상에서 큰 그레인(grains)이 증착되기 쉽고, 소자들과 접합부분에서 크랙이 발생하기 쉬우며, 상술된 특수 코팅이 반도체 소자의 다이 본딩면상에 제공될 때 공극이 형성되는 단점이 있으며, 이러한 단점들은 아직 극복되지 않고 있다. 따라서, Sn/Sb형 납땜 충전재 금속이 알맞다고 말할 수 없다.
상기 상황을 고려하여, 본 발명의 목적은, Pb를 포함하지 않고 반도체 소자의 다이 본딩 또는 전자 부품들의 조립에 사용하기 적절한 새로운 Sn/Sb형 납땜 충전재 금속을 제공하는 것이다.
상기 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 제1형태에 따르면, 납땜 충전재 금속은 나머지가 Sn과 부수적 불순물을 가지는 5 내지 20 중량%의 Sb 및 0.01 내지 5 중량%의 Te를 포함한다. 또한, 납땜 충전재 금속의 열 주기성을 향상시키기 위하여, Ag, Cu, Fe, Ni 중에 1이상의 부재가 전체 0.01 내지 5 중량%의 양으로 납땜 충전재 금속에 첨가될 수 있다.
본 발명의 제2형태에 따르면, 납땜 충전재 금속은 나머지가 Sn과 부수적 불순물을 가지는 5 내지 20 중량%의 Sb, 0.01 내지 5 중량%의 Te 및 0.001 내지 0.5 중량%의 P를 포함한다. 또한, 납땜 충전재 금속의 열 주기성을 개선시키기 위하여, Ag, Cu, Fe, Ni 중에 1이상의 부재가 전체 0.01 내지 5 중량%의 양으로 납땜 충전재 금속에 첨가될 수 있다.
본 발명의 제3형태에 따르면, 반도체 디바이스를 조립하기 위하여 반도체 소자가 납땜 충전재 금속을 이용하여 다이 본딩되는 반도체 디바이스에 대한 조립 방법이 제공되고, 본 발명의 제1 또는 제2형태에 따른 납땜 충전재 금속이 사용된다.
본 발명의 제4형태에 따르면, 반도체 디바이스가 본 발명의 제1 또는 제2형태에 따른 납땜 충전재 금속을 이용하여 조립된다.
상기 문제점들을 해결하기 위한 본 발명의 제1형태에 따르면, 납땜 충전재 금속은 나머지가 Sn과 부수적 불순물을 가지는 5 내지 20 중량%의 Sb, 0.01 내지 5 중량%의 Te를 포함한다. 발생된 β'위상을 정제하기 위하여 Te가 첨가되어, 크랙의 발생을 방지한다. Te 농도가 0.01 내지 5 중량%로 설정되는 이유는 그 농도가 0.01 중량% 미만인 경우에, β'위상을 정제하기에 충분한 효과가 달성될 수 없고, 그 농도가 5중량%를 초과하는 경우에는, β'위상을 정제하기 위한 더 큰 효과를 기대할 수 없으며, 단지 비용만을 증가시키기 때문이다.
Sb의 농도가 5 내지 20 중량%로 설정되는 이유는 그 농도가 5중량% 미만인 경우에, 액상 온도(liquid phase temperature)가 240℃보다 낮아지고, 납땜 충전재 금속이 다이 본딩 후의 연 이은 단계에 사용되는 260℃의 처리 온도를 견딜 수 없기 때문이다. 또한, 그 농도가 20중량%를 초과하는 경우에는, 액상 온도가 320℃ 를 초과하고, 340℃에서의 다이 본딩이 불충분하기 때문이다. Ag, Cu, Fe, Ni 중에 1이상의 부재가 전체 0.01 내지 5 중량%의 양으로 납땜 충전재 금속에 첨가되고, 확산되는 경우에, 납땜 충전재 금속의 열 주기성이 더 향상된다.
본 발명의 제2형태에 따르면, 납땜 충전재 금속은 나머지가 Sn과 부수적 불순물을 가지는 5 내지 20 중량%의 Sb, 0.01 내지 5 중량%의 Te 및 0.001 내지 0.5 중량%의 P를 포함한다. Sb 및 Te의 첨가 범위에 대한 이유는 본 발명의 제1형태와 동일하다. P는 젖음성을 더 향상시키기 위해 첨가되어, 다이 본딩시에 반도체 소자와 납땜 충전재 금속 사이에서 공극이 발생할 가능성을 없앤다. P의 농도가 0.001중량% 미만인 경우에, 이러한 효과가 달성될 수 없고, P가 0.5중량%를 초과하여 첨가되면, 저가의 캐스팅(casting)이 어려워진다.
P를 첨가하여 공극의 발생이 억제되는 이유로, 본 발명자는 납땜 충전재 금속이 용융될 때, 산소가 우선적으로 P와 반응하여, 용융체의 표면상에 산화물 막이 형성되는 것을 방지할 수 있기 때문에, 젖음성을 향상시키는 것으로 생각했다. 본 발명의 제1형태의 납땜 충전재 금속에서와 같이, Ag, Cu, Fe, Ni 중에 1이상의 종류가 전체 0.01 내지 5 중량%의 양으로 납땜 충전재 금속에 첨가되고 확산되면, 납땜 충전재 금속의 열 주기성이 더 개선된다.
본 발명의 제1 및 제2형태의 납땜 충전재 금속을 이용할 때, 종래의 단계들 및 조건들이 어떤 변화도 없이 사용될 수 있다. 본 발명의 납땜 충전재 금속을 이용하여 제조된 반도체 디바이스는 금 베이스 합금(gold base alloy)으로 만들어진 종래의 납땜 충전재 금속 또는 납 베이스 합금으로 만들어진 납땜 충전재 금속을 이용하여 제조된 반도체 디바이스와 동일하거나 더 우수한 신뢰성을 가진다.
본 발명은 예로서 더 상세히 설명된다.
예시1 내지 20
각각 99.9%의 순도를 가지는 Sn, Sb, Te가 사용되어, 대기하의 용융노(atmospheric melting furnace)에 의하여 표1에 도시된 성분을 가지는 Sn합금의 잉곳(ingot)을 획득한다. 잉곳은 1mm의 직경으로 성형되어, 와이어 형태의 샘플을 준비한다.
획득된 합금의 젖음성을 평가하기 위하여, 와이어가 340℃의 질소 가스 스트림에서 구리 플레이트에 대하여 가압되고, 용융된 후에, 와이어가 질소 대기에서 느리게 냉각된다. 느린 냉각은 β'위상이 거칠어지는(coarser) 가혹한 조건하에서 젖음성을 평가하기 위해 수행된다.
구리 플레이트에 대하여 가압되고 느리게 냉각된 부분의 단면은 마멸되고 폴리싱되어, 형성된 β'위상의 크기를 관찰한다. 따라서, β'위상의 크기가 모두 20㎛보다 큰 것은 아니다. 이것은 Te를 첨가한 효과로 판단된다.
접합 신뢰성을 평가하기 위하여, 실리콘 다이 본딩면상에 Au를 증착시켜 준비된 더미 칩이, 1mm의 직경을 가지는 샘플을 이용하여 구리 리드 프레임(copper lead frame) 및 다이 본더상에 다이 본딩된다. 그런 다음, 더미 칩이 에폭시 수지를 이용하여 주조된다. 주조된 물건은 -50℃ 내지 150℃의 온도에서 500 사이클 동안에 온도 사이클 테스트를 수행하는데 사용된다. 그 후, 수지가 개방되고, 접합부분이 관찰된다. 칩 또는 접합부분에 크랙이 없는 경우에 "우수"로 평가되고 크랙이 발생된 경우에는 "나쁨"으로 평가되었다. 결과가 표1에 도시된다.
주조된 물건의 일부가 마운트 보드상에 장착되어, 창작된 칩 또는 접합부분에서 이상이 발생하는 경우 및 납땜 충전재 금속에서 공극이 발생하는 경우를 검사한다. 그 결과, 모든 샘플들에서 어떤 이상도 발견되지 않았고, 어떤 공극도 확인되지 않았다.
Figure 112005014459406-pct00001
표1로부터, 본 발명에 따른 Sn합금이 접합 신뢰성에 문제가 없는 것을 알 수 있다.
예시 21 내지 80
각각 99.9%의 순도를 가지는 Sn, Sb, Te, P의 원재료가 사용되어, 대기하의 용융노에 의하여 표2에 도시된 성분을 가지는 Sn합금의 잉곳을 획득한다. 그런 다음, 잉곳이 1mm의 직경으로 성형되어, 와이어 형태의 샘플을 준비한다.
획득된 합금의 젖음성을 평가하기 위하여, 와이어가 340℃의 질소 가스 스트림에서 구리 플레이트에 대하여 가압되고, 용융된 후에, 와이어가 질소 대기에서 느리게 냉각된다. 느린 냉각은 β'위상이 거칠어지는 가혹한 조건하에서 젖음성을 평가하기 위해 수행된다.
구리 플레이트에 대하여 가압되고 느리게 냉각된 부분의 단면은 마멸되고 폴리싱되어, 형성된 β'위상의 크기를 관찰한다. 따라서, β'위상의 크기가 예시 1 내지 20에서와 같이, 모두 20㎛보다 큰 것은 아니다. 이것은 Te를 첨가한 효과로 판단될 수 있다.
접합 신뢰성을 평가하기 위하여, 실리콘 다이 본딩면상에 Au를 증착시켜 준비된 더미 칩이, 1mm의 직경을 가지는 샘플을 이용하여 구리 리드 프레임 및 다이 본더상에 다이 본딩된다. 그런 다음, 더미 칩이 에폭시 수지를 이용하여 주조된다. 주조된 물건은 -50℃ 내지 150℃의 온도에서 500 사이클 동안에 온도 사이클 테스트를 수행하는데 사용된다. 그 후, 수지가 개방되고, 접합부분이 관찰된다. 칩 또는 접합부분에 크랙이 없는 경우에 "우수"로 평가되고 크랙이 발생된 경우에는 "나쁨"으로 평가되었다. 결과가 표2 내지 표5에 도시된다.
주조된 물건의 일부가 마운트 보드상에 장착되어, 창작된 칩 또는 접합부분에서 이상이 발생하는 경우 및 납땜 충전재 금속에서 공극이 발생하는 경우를 검사한다. 그 결과, 모든 샘플들에서 어떤 이상도 발견되지 않았고, 어떤 공극도 확인되지 않았다.
Figure 112005014459406-pct00002
Figure 112005014459406-pct00003
Figure 112005014459406-pct00004
Figure 112005014459406-pct00005
표2 내지 표5로부터, 본 발명에 따른 Sn합금이 접합 신뢰성에서 문제가 없는 것을 알 수 있다.
예시 81 내지 100
각각 99.9%의 순도를 가지는 Sn, Sb, Te, P, Ag, Cu, Fe, Ni의 원재료가 사용되어, 대기하의 용융노에 의하여 표6에 도시된 성분을 가지는 Sn합금의 잉곳을 획득한다. 그런 다음, 잉곳이 1mm의 직경으로 성형되어, 와이어 형태의 샘플을 준비한다.
획득된 합금의 젖음성을 평가하기 위하여, 와이어가 340℃의 질소 가스 스트림에서 구리 플레이트에 대하여 가압되고, 용융된 후에, 와이어가 질소 대기에서 느리게 냉각된다. 느린 냉각은 β'위상이 거칠어지는 가혹한 조건하에서 젖음성을 평가하기 위해 수행된다.
구리 플레이트에 대하여 가압되고 느리게 냉각된 부분의 단면은 마멸되고 폴리싱되어, 형성된 β'위상의 크기를 관찰한다. 따라서, β'위상의 크기는 예시 1 내지 20에서와 같이, 모두 20㎛보다 큰 것은 아니다. 이것은 Te를 첨가한 효과로 판단될 수 있다.
접합 신뢰성을 평가하기 위하여, 실리콘 다이 본딩면상에 Ni, Sb를 순서대로 증착시켜 준비된 금속막을 구비한 더미 칩이, 1mm의 직경을 가지는 샘플을 이용하여 구리 리드 프레임 및 다이 본더상에 다이 본딩된다. 그런 다음, 더미 칩이 에폭시 수지를 이용하여 주조된다. 주조된 물건은 -50℃ 내지 150℃의 온도에서 500 사이클 동안에 온도 사이클 테스트를 수행하는데 사용된다. 그 후, 수지가 개방되고, 접합부분이 관찰된다. 칩 또는 접합부분에 크랙이 없는 경우에 "우수"로 평가되고 크랙이 발생된 경우에는 "나쁨"으로 평가되었다. 결과가 표6에 도시된다.
주조된 물건의 일부가 마운트 보드상에 장착되어, 창작된 칩 또는 접합부분에서 이상이 발생하는 경우 및 납땜 충전재 금속에서 공극이 발생하는 경우를 검사한다. 그 결과, 모든 샘플들에서 어떤 이상도 발견되지 않았고, 어떤 공극도 확인되지 않았다.
Figure 112005014459406-pct00006
표6에서, 본 발명에 따른 Sn합금이 접합 신뢰성에서 문제가 없는 것을 알 수 있다.
비교 예시 1 내지 20
각각 99.9%의 순도를 가지는 Sn, Sb, Te, P의 원재료가 사용되어, 대기하의 용융노에 의하여 표7 및 표8에 도시된 성분을 가지는 Sn합금의 잉곳을 획득한다. 그런 다음, 잉곳이 1mm의 직경으로 성형되어, 와이어 형태의 샘플을 준비한다.
획득된 합금의 젖음성을 평가하기 위하여, 와이어가 340℃의 질소 가스 스트림에서 구리 플레이트에 대하여 가압되고, 용융된 후에, 와이어가 질소 대기에서 느리게 냉각된다. 느린 냉각은 β'위상이 거칠어지는 가혹한 조건하에서 젖음성을 평가하기 위해 수행된다.
구리 플레이트에 대하여 가압되고 느리게 냉각된 부분의 단면은 마멸되고 폴리싱되어, 형성된 β'위상의 크기를 관찰한다. 그 결과, β'위상의 크기는 모두 100㎛정도 였다.
접합 신뢰성을 평가하기 위하여, 실리콘 다이 본딩면상에 Au를 증착시켜 준비된 더미 칩이, 1mm의 직경을 가지는 샘플을 이용하여 구리 리드 프레임 및 다이 본더상에 다이 본딩된다. 그런 다음, 더미 칩이 에폭시 수지를 이용하여 주조된다. 주조된 물건은 -50℃ 내지 150℃의 온도에서 500 사이클 동안에 온도 사이클 테스트를 수행하는데 사용된다. 그 후, 수지가 개방되고, 접합부분이 관찰된다. 칩 또는 접합부분에 크랙이 없는 경우에 "우수"로 평가되고 크랙이 발생된 경우에는 "나쁨"으로 평가되었다. 결과가 표7 및 표8에 도시된다.
Figure 112005014459406-pct00007
Figure 112005014459406-pct00008
표7 및 표8에서, 본 발명의 Sn합금의 유효성이 입증될 수 있다.
상술된 바와 같이, 본 발명의 제1형태의 납땜 충전재 금속은 나머지가 Sn과 부수적 불순물을 가지는 5 내지 20 중량%의 Sb 및 0.01 내지 5 중량%의 Te를 포함한다. 그 결과, 다이 본딩시에 발생된 β'위상이 정제될 수 있어, 크랙의 발생을 방지할 수 있다. 또한, Ag, Cu, Fe, Ni 중에 1이상의 부재가 전체 0.01 내지 5 중량%의 양으로 납땜 충전재 금속에 첨가되고 확산되는 경우에, 납땜 충전재 금속의 열 주기성이 더 향상될 수 있다.
본 발명의 제2형태의 납땜 충전재 금속은 나머지가 Sn과 부수적 불순물을 가지는 5 내지 20 중량%의 Sb, 0.01 내지 5 중량%의 Te 및 0.001 내지 0.5 중량%의 P를 포함한다. 그 결과, 젖음성이 향상되고, 다이 본딩시에, 반도체 소자와 납땜 충전재 금속 사이에서 공극이 발생할 가능성이 없다. Ag, Cu, Fe, Ni 중에 1이상의 부재가 전체 0.01 내지 5 중량%의 양으로 납땜 충전재 금속에 첨가되고 확산되는 경우에, 납땜 충전재 금속의 열 주기성이 더 개선될 수 있다.
본 발명의 제3형태에 따르면, 반도체 디바이스에 대한 조립 방법에 본 발명의 제1 또는 제2형태에 따른 납땜 충전재 금속이 이용된다. 본 발명의 납땜 충전재 금속을 이용하면, 신뢰성이 높은 반도체 디바이스들을 저가로 획득할 수 있다.
본 발명의 제4형태에 따르면, 본 발명의 제1 또는 제2형태에 따른 납땜 충전재 금속을 이용하여 조립된 반도체 디바이스가 제공된다. 반도체 디바이스는 본 발명의 납땜 충전재 금속을 이용하여 저렴해지고 신뢰성이 높아진다.

Claims (6)

  1. 납땜 충전재 금속에 있어서,
    5 내지 20 중량%의 Sb 및 0.01 내지 5 중량%의 Te를 포함하고, 나머지가 Sn과 부수적 불순물인 납땜 충전재 금속.
  2. 제1항에 있어서,
    Ag, Cu, Fe, Ni 중에 1이상의 부재가 전체 0.01 내지 5 중량%의 양으로 상기 납땜 충전재 금속에 첨가되는 것을 특징으로 하는 납땜 충전재 금속.
  3. 납땜 충전재 금속에 있어서,
    5 내지 20 중량%의 Sb, 0.01 내지 5 중량%의 Te 및 0.001 내지 0.5 중량%의 P를 포함하고 나머지가 Sn과 부수적 불순물인 납땜 충전재 금속.
  4. 제3항에 있어서,
    Ag, Cu, Fe, Ni 중에 1이상의 부재가 전체 0.01 내지 5 중량%의 양으로 상기 납땜 충전재 금속에 첨가되는 것을 특징으로 하는 납땜 충전재 금속.
  5. 제1항 내지 제4항 중에 어느 한 항에 따른 납땜 충전재 금속을 상기 납땜 충전재 금속으로 사용하여, 반도체 소자가 다이 본딩되어 반도체 디바이스를 조립하 는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스에 대한 조립 방법.
  6. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 따른 납땜 충전재 금속을 이용하여 조립된 반도체 디바이스.
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