JP4147875B2 - ろう材、これを用いた半導体装置の組み立て方法並びに半導体装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体素子のダイボンディングや電子部品の組立等に用いられる高温ろう材に関し、具体的にはPbを含まない高温ろう材に関する。
【0002】
【従来の技術】
高周波素子や半導体素子をリードフレーム等にダイボンディングして半導体装置を組み立てる際、あるいは電子部品を組み立てる際に、融点が300℃前後のAu/20mass%Sn(Auが20mass%で残部がSn)に代表されるAu系のろう材やPb/5mass%Sn(Pbが5mass%で残部がSn)に代表されるPb系のろう材が使用されている。
【0003】
ダイボンディング用として融点が300℃前後のこれらのろう材が使用されるのは、組み立てた半導体装置をプリント基板に実装するときの温度240〜260℃、加熱時間が10秒以下という条件で行われるが、この際にダイボンディング時に使用されたろう材が再溶解し、性能劣化を起こすのを防止するためである。また、電子部品の組立においては後工程で行われるステップろう付け(220〜260℃)で、前工程で用いたろう材が再溶解しないためである。
【0004】
しかし、Au系のろう材は価格が高いという問題があり、Pb系のろう材は環境汚染という問題がある。そこで、安価でPbを含まず、ろう材の溶解温度が260℃以上で、300〜340℃でろう付けが可能であり、さらに良好な濡れ性をもつろう材の提供が求められている。
【0005】
こうした要望をかなえるべく提案されたものの一つとして、Fe,Niのうち少なくとも1種を0.005〜5.0mass%を含み、好ましくはAg 0.1〜20mass%、又はCu 0.05〜9mass%、又はAg 0.1〜15mass%とCu 0.05〜5mass%を含み、さらにはSb 0.1〜15mass%を含み、残部が実質的にSnからなる半田材料が提案されている。(特開2001−144111号公報参照)
また、他の一つとしてSbを11.0〜20.0mass%、Pを0.01〜0.2mass%、好ましくはさらにCu,Niのうち少なくとも1種を0.005〜5.0mass%含み、残部Sn及び不可避的不純物からなるダイボンディング用半田材料が提案されている。(特開2001−284792号公報参照)
これらはいずれも耐熱疲労性能が悪いというSn/Sb系半田の欠点を解消すると共に、半導体装置をプリント基板に半田実装する際の高温度にさらしてもダイボンド部の抵抗変化を小さくすることを目的に提案されているものである。
【0006】
ところで、半導体素子の半田との接合面(以下、「半導体素子ダイボンディング面」と称する。)には、半田との濡れ性を良好にすべくCr−Ni−AgやTi−Cu−Agのような多層金属層が設けられている。ダイボンディング用半田としてSn/Sb系半田を用いると、多金属層の最表面のAgが半田材と融合して半田材の融点を過度に低下させる(特開2001−196393号公報 段落0006参照)。これを解決すべく半導体装置のダイボンディング面に第1の金属被膜と第2の金属被膜をこの順に形成し、第2の金属被膜を錫またはアンチモンを含む被膜とし、半田としてSn/Sb系半田を用いること(特開2001−196393号公報 段落0008参照)が提案されている。
【0007】
取りわけ、半導体素子の発熱量が大きい場合には高信頼性を得るためにSn−5mass%Sb系半田が使用されるが、この際に前記多金属層のNiやCuといった中間金属層が半導体装置稼働時の熱やストレスの印可により半田と反応し、硬く、且つ脆い金属間化合物層が形成され、この層より破壊が進む(特許3033378号公報 段落0005〜0006参照)という問題があり、これを解決すべく半導体素子のダイボンディング面の最外層をCr,Ti,Mo,W,Zr,Hfとし、あるいはこれらの金属層の上にSn、Sb、Au、Ag、Pt、Ni、Cu、Zn、Al、Co、Fe、Pbの群から選択された少なくとも1種の金属からなる表面金属層を設けてSn/Sb系半田を用いること(特許3033378号公報 段落0010〜0011参照)が記載されている。
【0008】
確かに、前記二つの方法に従えば、半田の融点が過度に低下することを防止でき、あるいは硬くて脆い金属間化合物層の生成を防止できる。しかし、ダイボンディング後の半田層の半導体素子側に多量のボイドが発生するという新たな問題が発生することがわかった。このボイドの存在は長期信頼性を低下させるものである。
【0009】
【特許文献1】
特開2001−144111号公報
【特許文献2】
特開2001−284792号公報
【特許文献3】
特開2001−196393号公報
【特許文献4】
特許第3033378号公報
【0010】
【発明が解決しようとする課題】
従来提供されているSn/Sb系ろう材はβ’相の粗大粒が析出しやすく、素子や接合部でクラックが発生しやすいという欠点が充分克服されておらず、また前記した特殊な膜を半導体素子ダイボンディング面に設けた際にボイドが発生するという欠点も克服されておらず、必ずしも充分なものとは言えない。
【0011】
本発明はかかる点に鑑みてなされたものであり、半導体素子のダイボンディングや電子部品の組立等で用いるのに好適な、Pbを含まない新規なSn/Sb系ろう材の提供を目的とする。
【0012】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決する本第一の発明は、Sbを5〜20mass%、Teを0.01〜5wts%含み、残部がSnおよび不可避不純物であるろう材である。また、このろう材の熱サイクル性を改善するために、Ag、Cu、Fe、Niのうちの1種以上を合計量として0.01〜5mass%添加しても良い。
【0013】
本第二の発明は、Sbを5〜20mass%、Teを0.01〜5mass%、Pを0.001〜0.5mass%を含み、残部がSnおよび不可避不純物であるろう材である。また、このろう材の熱サイクル製を改善するために、Ag、Cu、Fe、Niのうちの1種以上を合計量として0.01〜5mass%添加しても良い。
【0014】
本第三の発明は、ろう材を用いて半導体素子をダイボンディングし、半導体装置を組み立てる半導体装置の組み立て方法に於いて、ろう材として本第一、本第二の発明のろう材を用いることを特徴とする半導体装置の組み立て方法である。
【0015】
そして、本題四の発明は本第一、第二のろう材を用いて組み立てた半導体装置である。
【0016】
【発明の実施の形態】
上記課題を解決する本第一の発明は、Sbを5〜20mass%、Teを0.01〜5mass%含み、残部がSnおよび不可避不純物であるろう材である。Teを添加するのは、そうすることにより発生するβ’相を微細化し、もってクラックの発生を防止しようとするものである。Te濃度を0.01〜5mass%としたのは0.01mass%未満ではβ’相微細化の十分な効果が得られず、5mass%を超えてもβ’相の更なる微細化効果が期待できず、コストのみ上昇するからである。また、Sb濃度を5〜20mass%としたのは5mass%未満では液相温度が240℃より低くなり、ダイボンディング後の後工程で用いられる260℃の処理温度に耐えられないためである。また、20mass%を超えると液相温度が320℃を超え340℃でのダイボンディングが不十分になるためである。また、このろう材にAg、Cu、Fe、Niのうちの1種以上を合計量として0.01〜5mass%添加し、分散させると、ろう材の熱サイクル性がより改善される。
【0017】
本第二の発明は、Sbを5〜20mass%、Teを0.01〜5mass%、Pを0.001〜0.5mass%を含み、残部がSnおよび不可避不純物であるろう材である。SbやTeの添加範囲の理由については前記と同様である。Pを添加するのは、濡れ性をより改善し、ダイボンディング時に半導体素子とろう材との間にボイドをより発生させにくくするためである。Pが0.001mass%未満ではこの効果は得られず、0.5mass%を越えて添加しようとすると低コストでの鋳造が困難になる。Pを添加するとボイドの発生がより押さえられる理由として、本発明者はろう材溶解時に酸素がPと優先的に反応し、溶解体表面に酸化膜が発生するのを防止し、濡れ性がより改善されるためと推定している。また、前記本第一の発明のろう材と同様に、このろう材にAg、Cu、Fe、Niのうちの1種以上を合計量として0.01〜5mass%添加し、分散させると、ろう材の熱サイクル性がより改善される。
【0018】
本第一、第二の発明のろう材を用いるに際しては、従来の工程や条件を何ら変更することなく用いることができる。また、本発明のろう材を用いて製造した半導体装置は、従来の金系合金製ろう材や鉛系合金製ろう材を用いて得た半導体装置と比較して同等以上の信頼性を有する。
【0019】
【実施例】
次に実施例を用いて本発明をさらに説明する。
(実施例1〜20)
それぞれ純度99.9%のSn、Sb、Teを用いて、表1に示す組成のSn合金を大気溶解炉により溶製し、1mmφに押し出し加工を行いワイヤー形状のサンプルを作製した。
【0020】
得られた合金の濡れ性評価として、上記ワイヤーを340℃、窒素気流中で銅板に押し付け、溶解後に窒素雰囲気中で徐冷した。徐冷したのはβ’相を粗大化させる、より厳しい条件で評価するためである。
【0021】
銅板に押し付けて徐冷した部分の断面を研磨し、生成しているβ’相の大きさを観察した。その結果、β’相の大きさはいずれも20μm以下となっていた。これはTeの添加による効果と判断できる。
【0022】
次に、接合信頼性の評価として前記1mmφのサンプルとダイボンダーを用い銅製のリードフレームにシリコンのダイボンディング面にAuを蒸着して作成したダミーチップをダイボンディングした。次に、これをエポキシ樹脂でモールドした。モールドしたものを用いて−50℃/150℃の温度サイクル試験を500サイクル実施した。その後に樹脂を開封して接合部の観察を行い、チップや接合部に割れの発生が無い場合を「良」、割れが発生した場合を「不良」と評価した。以上の結果を表1に示した。
【0023】
次いで、モールドしたものの一部を実装基板に実装し、実装後チップや接合部の異常の有無と、ろう材部のボイドの有無とを調べた。その結果、いずれも異常は見られず、ボイドも確認できなかった。
【0024】
【表1】
【0025】
表1より本発明によるSn合金は接合信頼性に問題がないことがわかる。
【0026】
(実施例21〜80)
それぞれ純度99.9%のSn、Sb、Te、Pの原料を用いて、表2〜5に示す組成のSn合金を大気溶解炉により溶製し、1mmφに押し出し加工を行いワイヤー形状のサンプルを作製した。
【0027】
得られた合金の濡れ性評価として、上記ワイヤーを340℃、窒素気流中で銅板に押し付け、溶解後に窒素雰囲気中で徐冷した。徐冷したのはβ’相を粗大化させる、より厳しい条件で評価するためである。
【0028】
銅板に押し付けて徐冷した部分の断面を研磨し、生成しているβ’相の大きさを観察した。その結果、β’相の大きさは実施例1〜20と同様にいずれも20μm以下となっていた。これはTeの添加による効果と判断できる。
【0029】
次に、接合信頼性の評価として前記1mmφのサンプルとダイボンダーを用い銅製のリードフレームにシリコンのダイボンディング面にAuを蒸着して作成したダミーチップをダイボンディングした。次に、これをエポキシ樹脂でモールドした。モールドしたものを用いて−50℃/150℃の温度サイクル試験を500サイクル実施した。その後に樹脂を開封して接合部の観察を行い、チップや接合部に割れの発生が無い場合を「良」、割れが発生した場合を「不良」と評価した。以上の結果を表2〜5に示した。
【0030】
次いで、モールドしたものの一部を実装基板に実装し、チップや接合部の異常の有無と、ろう材部のボイドの有無とを調べた。その結果、いずれも異常は見られず、ボイドも確認できなかった。
【0031】
【0032】
【表2】
【0033】
【表3】
【0034】
【表4】
【0035】
【表5】
【0036】
表2〜5より本発明によるSn合金は接合信頼性に問題が無いことがわかる。
(実施例81〜100)
それぞれ純度99.9%のSn、Sb、Te、P、Ag、Cu、Fe、Niの原料を用いて、表6に示す組成のSn合金を大気溶解炉により溶製し、1mmφに押し出し加工を行いワイヤー形状のサンプルを作製した。
【0037】
得られた合金の濡れ性評価として、上記ワイヤーを340℃、窒素気流中で銅板に押し付け、溶解後に窒素雰囲気中で徐冷した。徐冷したのはβ’相を粗大化させる、より厳しい条件で評価するためである。
【0038】
銅板に押し付けて徐冷した部分の断面を研磨し、生成しているβ’相の大きさを観察した。その結果、β’相の大きさは実施例1〜20と同様にいずれも20μm以下となっていた。これはTeの添加による効果と判断できる。
【0039】
次に、接合信頼性の評価として前記1mmφのサンプルとダイボンダーを用い銅製のリードフレームにシリコンのダイボンディング面にNi、Sbをこの順で蒸着して金属膜を作成したダミーチップをダイボンディングした。次に、これをエポキシ樹脂でモールドした。モールドしたものを用いて−50℃/150℃の温度サイクル試験を500サイクル実施した。その後に樹脂を開封して接合部の観察を行い、チップや接合部に割れの発生が無い場合を「良」、割れが発生した場合を「不良」と評価した。以上の結果を表6に示した。
【0040】
次いで、モールドしたものの一部を実装基板に実装し、チップや接合部の異常の有無と、ろう材部のボイドの有無とを調べた。その結果、いずれも異常は見られず、ボイドも確認できなかった。
【0041】
【表6】
表6より本発明によるSn合金は接合信頼性に問題が無いことがわかる。
【0042】
(比較例1〜20)
それぞれ純度99.9%のSn、Sb、Te、Pの原料を用いて、表7,8に示す組成のSn合金を大気溶解炉により溶製し、1mmφに押し出し加工を行いワイヤー形状のサンプルを作製した。
【0043】
得られた合金の濡れ性評価として、上記ワイヤーを340℃、窒素気流中で銅板に押し付け、溶解後に窒素雰囲気中で徐冷した。徐冷したのはβ’相を粗大化させる、より厳しい条件で評価するためである。
【0044】
銅板に押し付けて徐冷した部分の断面を研磨し、生成しているβ’相の大きさを観察した。その結果、β’相の大きさはいずれも100μm前後となっていた。
【0045】
次に、接合信頼性の評価として前記1mmφのサンプルとダイボンダーを用い銅製のリードフレームにシリコンのダイボンディング面にAuを蒸着したダミーチップをそれぞれのサンプルを用いてダイボンディングした。次に、これをエポキシ樹脂でモールドした。モールドしたものを用いて−50℃/150℃の温度サイクル試験を500サイクル実施した。その後に樹脂を開封して接合部の観察を行い、チップや接合部に割れの発生が無い場合を「良」、割れが発生した場合を「不良」と評価した。以上の結果を表7,8に示した。
【0046】
【表7】
【0047】
【表8】
【0048】
表7,8より本発明のSn合金の有用性が裏付けられる。
【0049】
【発明の効果】
以上述べたように、本第一の発明のろう材はその組成をSbを5〜20mass%、Teを0.01〜5wts%含み、残部がSnおよび不可避不純物とする。これによりダイボンディング時に発生するβ’相を微細化し、もってクラックの発生が防止しできる。また、このろう材にAg、Cu、Fe、Niのうちの1種以上を合計量として0.01〜5mass%添加し、分散させると、ろう材の熱サイクル性がより改善される。
【0050】
本第二の発明のろう材はその組成をSbを5〜20mass%、Teを0.01〜5mass%、Pを0.005〜0.5mass%を含み、残部がSnおよび不可避不純物とする。これにより濡れ性がより改善され、ダイボンディング時に半導体素子とろう材との間にボイドが発生し難い。このろう材にAg、Cu、Fe、Niのうちの1種以上を合計量として0.01〜5mass%添加し、分散させると、ろう材の熱サイクル性がより改善される。
【0051】
本第三の発明は本第一、二の発明のろう材を用いる半導体装置の組み立て方法であるが、本発明のろう材を用いることにより安価で高信頼性の半導体装置が得られる。
【0052】
本第四の発明は本第一、第二のろう材を用いて組み立てた半導体装置であるが、該半導体装置は本発明のろう材を用いることにより安価で高信頼性の半導体装置となる。
Claims (6)
- Sbを5〜20mass%、Teを0.01〜5mass%含み、残部がSnおよび不可避不純物であることを特徴とするろう材。
- 請求項1記載のろう材に、Ag、Cu、Fe、Niのうちの1種以上を合計量として0.01〜5mass%添加したことを特徴とするろう材。
- Sbを5〜20mass%、Teを0.01〜5mass%、Pを0.001〜0.5mass%を含み、残部がSnおよび不可避不純物であることを特徴とするろう材。
- 請求項3記載のろう材に、Ag、Cu、Fe、Niのうちの1種以上を合計量として0.01〜5mass%添加したことを特徴とするろう材。
- ろう材を用いて半導体素子をダイボンディングし、半導体装置を組み立てる半導体装置の組み立て方法に於いて、ろう材として請求項1〜4記載のいずれかのろう材を用いることを特徴とする半導体装置の組み立て方法。
- 請求項1〜4記載のいずれかのろう材を用いて組み立てられたことを特徴とする半導体装置。
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US5837191A (en) * | 1996-10-22 | 1998-11-17 | Johnson Manufacturing Company | Lead-free solder |
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Cited By (5)
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