KR100592524B1 - 반도체웨이퍼처리방법및장치 - Google Patents

반도체웨이퍼처리방법및장치 Download PDF

Info

Publication number
KR100592524B1
KR100592524B1 KR1019980057480A KR19980057480A KR100592524B1 KR 100592524 B1 KR100592524 B1 KR 100592524B1 KR 1019980057480 A KR1019980057480 A KR 1019980057480A KR 19980057480 A KR19980057480 A KR 19980057480A KR 100592524 B1 KR100592524 B1 KR 100592524B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
wafer
warpage
electrostatic chuck
clamping voltage
clamping
Prior art date
Application number
KR1019980057480A
Other languages
English (en)
Other versions
KR19990063358A (ko
Inventor
마크 호인키스
대릴 레스타이노
Original Assignee
인터내셔널 비지네스 머신즈 코포레이션
지멘스 악티엔게젤샤프트
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 인터내셔널 비지네스 머신즈 코포레이션, 지멘스 악티엔게젤샤프트 filed Critical 인터내셔널 비지네스 머신즈 코포레이션
Publication of KR19990063358A publication Critical patent/KR19990063358A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100592524B1 publication Critical patent/KR100592524B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02N—ELECTRIC MACHINES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H02N13/00—Clutches or holding devices using electrostatic attraction, e.g. using Johnson-Rahbek effect

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Manipulator (AREA)

Abstract

웨이퍼가 후속하여 처리될 때 최소 클램핑 전압을 정전 척(ESC)에 공급하기 위한 웨이퍼의 휨을 측정하기 위한 방법 및 장치가 개시되었다. 이 장치는 정전 척(12,120)과 제어장치(16,18,20)를 포함한다. 정전 척은 인가된 클램핑 전압에 좌우되는 클램핑 힘에 의해 웨이퍼를 클램핑하는 클램핑 표면(13,30)을 포함한다. 제어장치는 웨이퍼의 처리 이전에 웨이퍼의 고유 휨을 탐지하기 위해 사용되고, 웨이퍼의 후속하는 처리 동안 정전 척에 인가되어야 할 측정된 휨으로부터의 최소 클램핑 전압을 결정한다. 최소 클램핑 전압은 웨이퍼를 클램핑 표면에 고정되게 클램핑하고 웨이퍼의 과도한 휨 및 후면 마모를 방지하는 각각의 웨이퍼를 위한 값을 갖는다. 제어장치는 커패시턴스 휨 특정 툴(50,52,54) 또는 웨이퍼의 고유 휨을 측정하는 광학식 휨 특정 툴(20)과 정전 척 소프트웨어 제어부(18)를 포함한다. 정전 척 소프트웨어 제어부는 각각의 웨이퍼를 후속하여 처리하는 데 사용하기 위해 각각의 웨이퍼에 대한 연관된 웨이퍼 식별과 최소 클램핑 전압의 데이터를 저장 및 결정하기 위해 측정된 휨을 사용한다.

Description

반도체 웨이퍼 처리 방법 및 장치{METHOD AND APPARATUS FOR DETERMINING WAFER WARPAGE FOR OPTIMIZED ELECTROSTATIC CHUCK CLAMPING VOLTAGE}
본 발명은 웨이퍼의 처리 동안 정전 척에서 웨이퍼를 위한 최적 클램핑 전압을 결정하여 공급하기 위해 웨이퍼의 고유한 휨을 측정하기 위한 방법 및 장치에 관한 것이다.
현재 정전 척(ESC)이 개발되어 반도체 웨이퍼의 제조시 사용되고 있다. ESC의 개념은 감소된 입자, 양호한 온도 제어 및 감소된 에지 배타 구역과 같은 이점을 실현하기 위해 기계적 웨이퍼 클램핑 매커니즘을 정전 클램핑 매커니즘으로 대체하기 위한 것이다.
ESC의 특성(모노폴라 및 바이폴라)중의 하나는 ESC에 인가된 전압이 증가함에 따라 클램핑 힘이 증가한다는 것이다. 정전 척의 온도 제어된 장착대에 웨이퍼를 유지시키기 위한 클램핑 힘은 웨이퍼와 장착대 사이에 (일반적으로 웨이퍼상의 후면 가스 압력에 의해 촉진되는) 열 컨덕턴스를 향상시키기 위해 필요로 된다. 이것은 양호한 웨이퍼 온도 제어 및 균일성을 제공한다.
1992년 4월 7일 특허허여된 미국 특허 제 5,103,367호(Horwitz)는 A.C. 필드 여기를 이용한 반도체 웨이퍼용 정전 척을 개시한다. 상기 정전 척은 거의 편평한 면을 한정하는, 유전체 박막에 매립된 제 1 및 제 2 정렬된 전극을 포함한다. 제 1 및 제 2 정렬된 전극은 웨이퍼 표면에서 최종 저전압을 공급하는, 제어된 진폭 및 위상의 정현파 필드를 형성하기 위해 저주파 AC 공급에 의해 각각 여기된다. 상기 제 1 및 제 2 정렬된 전극 사이에 배열된 제 3 전극은 제 1 및 제 2 정렬된 전극에 대한 기준 포인트 또는 차폐 전극으로서 작용한다. 제어된 전압 인가 및 제어 비율에 따라, 저전압 그래디언트(gradient)가 웨이퍼상에서 획득되고 어떠한 보유력도 유전 매체에 존재하지 않는다. 일 실시예에서, 척의 작은 AC 진폭 여기는 유전체 막에 대한 웨이퍼의 위치에 대해 정전용량성 전류 감지를 가능케하여, 제 1 및 제 2 정렬된 전극으로의 전압 인가를 간단하게 제어할 수 있게 한다.
1994년 6월 28일 특허허여된 미국특허 제 5,325,261 호(Horwitz)는 개선된 릴리즈(release)를 가지면서 보디(반도체 웨이퍼와 같은)를 홀딩하기 위한 정전 척(ESC) 시스템을 개시한다. ESC 시스템은 보디를 콘택팅하는 표면을 갖는 정전 척과 같은 홀딩 디바이스, 정전기식으로 보디를 표면에 잡아두기 위해 전극에 구동전압을 인가하는 전극 및 인가 수단 및, 보디를 릴리즈시키기 위해 전극에 인가된 구동 릴리즈 전압의 값을 결정하는 결정 수단을 포함한다. 이 결정수단은 바람직하게 구동 전압이 변동함에 따라 보디의 움직임을 모니터링하기 위한 모니터링 수단을 포함한다. 상기 인가수단은 보디의 오실레이팅 움직임을 야기시키기 위해 구동 전압에 대해 전압신호를 인가할 수 있다. 보디의 오실레이팅 움직임은 오실레이션에 따라 복조(demodulate)된 센스 출력을 발생시키기 위해 위치 센싱 회로에 의해 모니터링된다. 구동전압이 변동됨에 따라, 보디가 릴리즈되는 포인트에 도달된다. 이 포인트는 복조된 AC 센스 출력을 모니터링함으로써 결정될 수 있다.
최소 임계 전압이 일반적으로 정전 척의 장착대에 웨이퍼를 클램핑시키기 위해 필요할지라도, 매우 높은 전압이 장착대에 웨이퍼를 "가압" 시킬 것이고 웨이퍼와 장착대 표면사이에 마모를 야기시킬 것이다. 이것은 바람직하지 못하며 입자 문제점 및/또는 척 수명의 단축을 유발할 것이다. 따라서, 척에 과도한 전압을 인가하는 것(ESC 수명을 단축시키고 입자문제를 야기시킬 수 있음)과 충부한 전압을 인가하지 않는 것(웨이퍼가 정전 척의 장착대에 충분히 클램핑되지 않도록 충분한 전압을 인가하지 못함) 사이에 모순점이 존재할 수 있다.
(일반적으로 막 변형력(film stress)에 기인한) 큰 고유한 구부러짐(bow) 또는 휨(warpage)을 갖는 웨이퍼는 충분한 클램핑 전압을 제공하기 위해 높은 ESC 척킹 또는 클래핑 전압을 필요로 함을 발견하였다. 다시 말하면, 최적 클램핑 전압은 웨이퍼 휨 또는 구부러짐 정도에 좌우되며, 고유한 웨이퍼 휨이 클수록 더 큰 ESC 클램핑 전압이 필요하다. 현재, 단일 ESC 클램핑 전압이 필요한 것 보다 높은 하나 이상의 웨이퍼 그룹을 위해 사용된다. 정전 척의 히터 설정 포인트와 고유한 웨이퍼 휨의 산정치와 같은 요인은 흔히 하나 이상의 웨이퍼 그룹에 대해 ESC 클램핑 전압 값을 결정하기 위해 고려되어야 한다. 고유한 웨이퍼 구부러짐 또는 휨의 과도한 양에 기인하여 웨이퍼가 적절히 클램핑되지 않는 경우가 있다. 또한 후면 마모 및 스크래칭이 감소 또는 방지될 수 있도록 웨이퍼 그룹을 위해 사용된 단일 ESC 클램핑 전압 보다 낮은 저전압으로 클램핑될 수 있는 웨이퍼도 존재한다.
따라서, 본 발명의 목적은 고유한 휨이 웨이퍼 마다 변동하기 때문에, 웨이퍼의 고유한 휨 또는 구부러짐을 측정하며, 웨이퍼가 처리되는 동안 웨이퍼의 과도한 스크래칭 및 후면 마모량을 실질적으로 방지하도록 각각의 웨이퍼에 대한 최적 척킹 및 클램핑 전압을 정전 척에 실질적으로 인가하기 위해 상기한 바와 같은 측정된 데이터를 사용하는 방법 및 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은 각각의 웨이퍼에 대한 처리 동안 정전 척에 의해 사용된 최적 클램핑 전압을 제공하기 위해 정전 척에서 웨이퍼 휨을 결정하는 방법 및 장치를 설명한다.
본 발명의 한 태양에서, 정전 척 및 제어 장치를 포함하며 반도체 웨이퍼 및 이와 유사한 장치를 처리하기 위한 장치를 설명한다. 정전 척은 정전 척에 인가된 클램핑 전압에 좌우되는 웨이퍼상에서 클램핑 힘에 의해 웨이퍼를 클램핑하는 클램핑 표면을 포함한다. 제어장치는 웨이퍼에서의 고유한 휨을 검출하며, 검출된 고유한 웨이퍼 휨을 사용하며, 클램핑 표면에 장착된 웨이퍼의 처리 동안 정전 척에 인가되어야 할 최소 클램핑 전압을 결정한다. 최소 클램핑 전압 값은 웨이퍼를 클램핑 표면에 단단히 클램핑하는 동안 웨이퍼의 과도한 휨 및 후면 마모를 방지한다.
본 발명의 다른 태양에서, 다음 단계들을 포함하는 반도체 웨이퍼 및 이와 유사한 디바이스를 처리하는 방법을 설명한다. 제 1 단계에서, 웨이퍼는 소정 표면에 장착된다. 제 2 단계에서, 웨이퍼의 휨은 웨이퍼가 처리되기 이전에 측정된다. 제 3 단계에서, 웨이퍼를 위해 사용되어야 할 최소 클램핑 전압은 제 2 단계에서 측정된 웨이퍼 휨으로부터 결정된다. 제 4 단계에서, 웨이퍼는 정전 척의 클램핑 표면에 장착되며 제 3 단계에서 결정된 최소 클램핑 전압은 정전 척에 인가된다.
본 발명은 첨부도면 및 특허청구범위를 참조하여 다음의 상세한 설명으로부터 더욱 양호하게 이해될 것이다.
첨부도면의 각각에서 동일 기능을 갖는 대응 엘리먼트는 동일 부재번호로 표시되었다.
도 1을 참조하면, 본 발명에 따른 정전 척 시스템(10)(점선으로 된 사각형을 표시됨)의 블록도가 도시되어 있다. 정전 척 시스템(10)은 웨이퍼(14)의 장착 및 클램핑이 용이하도록 구성된 장착대(13)를 포함하는 정전 척(12), 정전 척 전압 공급부(16), 메모리(19)를 포함하는 정전 척 소프트웨어 제어부(18) 및 웨이퍼 휨 측정 툴(20)을 포함한다. 정전 척 전압 공급부(16) 및 정전 척 소프트웨어 제어부(18)는 정전 척(12)의 일부분일 수 있고 별개로 장착될 수 있음을 유의해야 하며 이러한 사항은 당업계에서 공지되어 있다. 또한, 웨이퍼 휨 측정 툴(20)은 시스템(10)의 일부분일 수 있고 다음에 설명되는 바와 같이 별개일 수 있음을 유의해야 한다.
웨이퍼 휨 측정 툴(20)은 하나 이상의 리드(22)를 통해 정전 척 소프트웨어 제어부(18)에 연결되고; 정전 척 소프트웨어 제어부(18)는 하나 이상의 리드(24)를 통해 정전 척 전압 공급부(16)에 연결되고; 정전 척 전압 공급부(16)는 하나 이상의 리드(26)를 통해 정전 척(12)에 연결된다. 웨이퍼 휨 측정 툴(20)은 웨이퍼(14)에서의 고유한 휨 또는 구부러짐을 측정하고 이렇게 측정된 고유한 휨 또는 구부러짐 데이터를 리드(22)를 통해 정전 척 소프트웨어 제어부(18)에 공급하기 위해 사용된다. 또한, 웨이퍼 휨의 측정은 통상적으로 정전 척상에서 웨이퍼(14)의 처리에 앞서 행해진다. 웨이퍼(14)에 대해 획득된 고유한 휨 또는 구부러짐 데이터는 웨이퍼(14)에 대해 메모리(19)에서의 최소 클램핑 전압의 값을 결정하고 저장하기 위해 정전 척 소프트웨어 제어부(18)에 의해 사용된다. 메모리(19)에 저장된 최소 클램핑 전압의 값은 웨이퍼(14)의 순차적인 처리 동안 정전 척(12)에 정전 척 전압 공급부(16)에 의해 인가되어야 할 클램핑 전압 값이다. 이러한 최소 클램핑 전압 값은 웨이퍼(14)와 정전 척(12) 사이에 높은 열 전도를 허용하기 위해 웨이퍼(14)를 정전 척(12)의 장착대(13)에 충분히 클램핑하는데 사용된다. 이것은 웨이퍼(14)의 과도한 양의 후면 마모 및 스크래칭을 방지한다. 웨이퍼 휨 측정 툴(20)은 웨이퍼의 고유한 구부러짐 또는 휨을 측정할 임의의 적절한 장치를 포함할 수 있다. 웨이퍼 휨 측정 툴(20)의 대표적인 예가 도 3 및 도 4와 관련하여 아래에서 설명된다.
이제 도 2를 참조하면, 정전 척(E-CHUCK) 전압 대 웨이퍼 휨에 대한 대표적인 그래프가 도시되어 있다. (웨이퍼(14)와 같은) 웨이퍼의 루틴(제조)처리가 수행되기 이전에, 도 2에 도시된 바와 같은 대표적인 곡선(30,31 또는 32)이 도시되어 있다. 부재번호 30(선형 플롯), 31(점선으로 도시된 하향으로 만곡하는 플롯) 또는 32(점선으로 도시된 상향으로 만곡하는 플롯)은 E-CHUCK 온도와 같은 특정 파라미터에 좌우된다. 곡선(30,31 또는 32)과 같은 곡선은 여러 웨이퍼의 루틴 처리 이전에 경험적으로 설정된다. 이들 곡선은 메모리(19)에 저장되고 정전 척 소프트웨어 제어부(18)에 의해 액세스될 수 있다. 곡선은 일단 웨이퍼 휨-루틴하게 처리되어야 할 특정 테스트 웨이퍼에 대해-이 설정되면 E-CHUCK 전압 설정 포인트가 선택되는 것으로부터 관계를 구성한다. 곡선(30,31 또는 32)과 같은 곡선을 획득하기 위한 하나의 기술은 다음과 같다. 도 3 또는 도 4중의 하나에 대해 다음에 설명되는 바와 같은 임의의 적절한 기술을 이용하여 그 휨이 미리 측정된 웨이퍼가 정전 척(12)에 위치되며 높은 클램핑 전압이 정전 척 전압 공급부(16)로부터 인가된다. 소정 압력으로 가압되어 있는 가스가 그 후 테스팅되는 웨이퍼의 후방 표면, 장착대(13)의 내면과 정전 척(12)의 최상부면에 의해 제한된 영역에서 인가된다(도 1에 도시되지 않음). 상기 가압된 가스는 테스트 웨이퍼가 정전 척(12)에 적절히 클램핑되었는지를 결정하는데 사용된다. 테스트 웨이퍼가 정전 척(12)에 충분히 클램핑되었을 때, 후방 표면 압력은 충분하게 정상 상태로 존재한다. 정전 척(12)에 인가된 클램핑 전압은 그 후 가스 압력이 급격히 제로로 변경할 때까지 천천히 감소된다. 이와 같은 급격한 변경은 정전 척 클램핑 힘이 테스트 웨이퍼에 대한 후방 표면 가스압력에 의해 초과되는 임계전압을 나타낸다. 상기 임계전압 이상의 클램핑 전압값은 메모리(19)에 저장되어야 할 최소 클램핑 전압을 위해 사용될 수 있다. 이러한 처리는 도 2의 단일 곡선(30,31 또는 32)상에서 단일 포인트를 설정한다. 표준곡선(30,31 또는 32)을 설정하기 위한 다른 포인트를 실험적으로 결정하기 위해, 이 과정은 상이한 처리 조건하에서, 상이한 휨을 갖는 기타 테스트 웨이퍼와 함께 반복된다.
도 1을 다시 참조하면, 임의 웨이퍼(14)의 루틴(제조) 처리에 대해 일단 최소 클램핑 전압 및 표준 곡선(30,31 또는 32)이 상기한 바와 같이 결정되면, 다음 시퀀스가 규정된다. 웨이퍼(14)는 도 3 및 4에 대해 아래에서 설명되는 바와 같은 임의의 적절한 장치에 의해 웨이퍼 휨이 측정된다. 도 2에서 획득된 곡선으로부터, 정전 척 소프트웨어 제어부(18)는 웨이퍼 휨 값을 특정 웨이퍼(14)(휨에 기초한)에 대한 클램핑 전압을 위한 값으로 변환하며 웨이퍼(14)가 루틴하게 처리될 때 인가되어야 할 최소 정전 척 클램핑 전압과 웨이퍼(14)의 관련 식별표시(예로서, 번호, 바코드등)를 메모리(19)에 저장한다. 웨이퍼(14)가 정상적인 소정 온도로 가열된, 정전 척(12)의 장착대(13)에 위치되었을 때, 정전 척 소프트웨어 제어부(18)는 루틴하게 처리되는 웨이퍼(14)를 식별하며 메모리(19)로부터 웨이퍼(14)에 대한 소정의 최소 클램핑 전압을 검출한다. 정전 척 소프트웨어 제어부(18)는 최소 클램핑 전압이 웨이퍼(14)의 처리 동안 정전 척(12)에 인가되어야 할 메모리(19)로부터 검출되도록 하나 이상의 리드(24)를 통해 제어신호를 정전 척 전압 공급부(16)에 전달한다.
도 3을 참조하면, 본 발명에 따라 웨이퍼(14)의 고유한 휨 또는 구부러짐을 측정하기 위해 대표적인 광학식 웨이퍼 휨 측정 툴(20)의 다이어그램이 도시되어 있다. 광학식 웨이퍼 휨 측정 툴(20)은 좁은 레이저 빔(48)( 두 빔이 상이한 각도에서 도시된)과 광검출기 어레이(46)를 포함한다. 동작시, 측정되어야 할 웨이퍼(14)는 스탠드 또는 장착대와 같은 편평 물체(38)에 위치되어 레이저(44)는 웨이퍼(14)의 노광표면을 가로질러 좁은 레이저 빔(48)을 스캐닝할 수 있다. 레이저(44)에는 에너지가 공급되고 소정 패턴으로 웨이퍼(14)의 노광표면을 가로질러 좁은 레이저 빔(48)을 주사하게 된다. 레이저 빔(48)에서의 광은 빔(48)이 웨이퍼(14)의 노광 표면상에서 부딪치는 각각의 포인트로부터 광검출기 어레이(46)상의 개별 포인트로 반사된다. 레이저 빔(48)이 광검출기 어레이(46)에 부딪치는 포인트는 레이저 빔(48)이 웨이퍼(14)를 부딪치는 포인트에서 웨이퍼(14)의 휨 정도에 좌우된다. 다른 말로 하면, 웨이퍼(14)의 노광 표면상에서 하나 이상의 포인트로부터 반사된 광은 웨이퍼(14)의 고유한 휨 정도에 좌우되는 광검출기 어레이(46)상의 상이한 포인트로 반사될 것이다. 이 정보는 광검출기 어레이(46)로부터 리드(22)를 통해 정전 척 소프트웨어 제어부(18)로 전달된다. 정전 척 소프트웨어 제어부(18)는 광검출기 어레이(46)로부터의 정보를 웨이퍼 휨 값으로 상관시키며, 이 값으로부터 웨이퍼(14)의 후속하는 처리 동안 정전 척(12)(도 1에 도시된)에 인가되어야 할 최소 클램핑 전압 값을 결정한다. 이 최소 클램핑 전압은 조사 테이블(도시되지 않음)의 정전 척 소프트웨어 제어부(18)의 메모리(19)에 저장된 경험적으로 테스팅되는 웨이퍼(14)의 식별표시와 함께, 정전 척 소프트웨어 제어부(18)에 의해 결정된다. 이 웨이퍼(14)의 후속하는 처리 동안, 정전 척 소프트웨어 제어부(18)는 처리되는 웨이퍼(14)를 식별하며 웨이퍼(14)에 대해 메모리(19)에 이미 저장된 최소 클램핑 전압을 획득한다. 정전 척 소프트웨어 제어부(18)는 웨이퍼가 처리될 때 정전 척의 클램핑 전압이 지시된 최소 클램핑 전압으로 설정되도록 하기 위해 대응 제어신호를 정전 척 전압 공급부(16)에 보낸다. 도 3의 광학식 웨이퍼 휨 측정 툴(20)은 도 1의 웨이퍼 휨 측정 툴(20)을 위해 사용될 수 있다.
이제 도 4를 참조하면, 도 1의 시스템(10)과 매우 유사한 정전 척 시스템(100)의 다이어그램이 도시되어 있으며 본 발명에 따라 웨이퍼 휨을 결정하기 위해 도 1의 웨이퍼 휨 측정 툴(20)을 위한 대표적인 정전용량성 장치의 특정 실시예를 제공한다. 시스템(10)의 엘리먼트와 동일한 엘리먼트가 시스템(100)의 엘리먼트에는 동일한 부재번호가 부여되었다. 시스템(100)은 정전 척(120), 정전 척 전압 공급부(16) 및 메모리(19)를 포함하는 정전 척 소프트웨어 제어부(18)를 포함한다. 정전 척(120)은 시스템(10)의 척(12)의 수정된 형태이고 웨이퍼(14)가 위치되는 장착대(130), 클램핑 전압이 정전 척 전압 공급부(16)로부터 인가될 때 웨이퍼(14)에 클램핑 힘을 공급하기 위한 제 1 전극(40) 및 제 2 전극(41)을 포함한다. 정전 척(120)의 전극(40 및 41)의 배열은 공지되어 있으며, 예로서 본 명세서에 참조문헌으로서 통합된 미국 특허 제 5,325,261 호(Horwitz)에 개시되어 있다. 정전 척(120), 정전척 전압 공급부(16), 및 정전 척 소프트웨어 제어부(18) 및 메모리(19) 기능은 도 1의 엘리먼트(12, 16, 18 및 19)에 설명된 것과 마찬가지이다.
시스템(100)은 또한 개별 절연재(52)에 의해 정전 척(120)의 제 1 및 제 2 전극(40 및 41)의 상부 표면상의 소정 위치에 장착된 복수 개의 금속층(54) 및 정전용량성 측정 디바이스(50)를 포함하여 도 1의 웨이퍼 휨 측정 툴(20)을 형성하는 정전용량성 웨이퍼 휨 측정 장치를 포함한다. 금속층(54)은 케이블 또는 버스의 개별 리드(58)를 통해 정전용량성 측정 디바이스(50)에 전기적으로 연결되며, 정전용량성 측정 디바이스(50)는 리드(59)에 의해 정전 척 소프트웨어 제어부(18)에 연결된다.
동작시, 웨이퍼(14)는 장착대(130)에 위치되고, 제 1 및 제 2 전극(40 또는 41)위에서 웨이퍼(14)의 후방표면과 금속층(54) 사이에 있는 모든 포인트에서의 커패시턴스(56)가 발생된다. 금속층(54)과 연관된 모든 커패시턴스는 커패시턴스 측정 디바이스(50)에 의해 측정된다. 커패시턴스 측정 디바이스(50)는 커패시턴스 측정치를 리드(59)를 통해 정전 척 소프트웨어 제어부(18)로 전송되는 대응하는 전기적 제어신호로 변환한다. 정전 척 소프트웨어 제어부(18)는 커패시턴스 측정 디바이스(50)로부터 커패시턴스 측정치를 수용하여 이 커패시턴스 측정치를 대응하는 웨이퍼 휨 값으로 변환한다. 정전 척 소프트웨어 제어부(18)는 웨이퍼(14)를 위해 사용되어야 할 최소 클램핑 전압을 획득하기 위해 측정된 웨이퍼 휨 값을 사용하며, 웨이퍼(14)의 식별표시와 함께 메모리(19)에 상기 최소 클램핑 전압을 저장한다. 웨이퍼(14)의 후속 처리 동안, 정전 척 소프트웨어 제어부(18)는 메모리(19)로부터 웨이퍼(14)와 함께 사용되어야 할 최소 클램핑 전압을 얻기 위해 웨이퍼(14)의 식별표시를 사용한다. 정전 척 소프트웨어 제어부(18)는 정전척 전압 공급부(16)으로 하여금 웨이퍼(14)의 처리 동안 정전 척의 전극(40 및 41)에 최소 클램핑 전압을 인가하도록 하기 위해 정전척 전압 공급부(16)에 대응하는 제어신호를 보낸다.
본 발명에 따라, 정전 척(12 또는 120)상에서 후속하여 처리되어야 할 각각의 웨이퍼(14)의 고유한 휨이 측정되고, 최소 웨이퍼(14)가 처리될 때 후속 사용을 위해 최소 클램핑 전압이 측정 휨으로부터 결정된다. 각각의 웨이퍼에 대한 최소 클램핑 전압은 웨이퍼(14)의 소정 식별표시와 함께 정전 척 소프트 웨어 제어부(18)의 메모리(19)에 저장된다. 웨이퍼(14)가 정전 척(12 또는 120)상에서 후속하여 처리될 때, 웨이퍼(14)의 식별표시는 메모리(19)를 액세스하고 웨이퍼(14)에 대해 저장된 최소 클램핑 전압을 판독하기 위해 정전 척 소프트 웨어 제어부(18)에 의해 사용된다. 이 최소 클램핑 전압은 그후 웨이퍼(14)의 처리 동안 정전 척(12 또는 120)에 인가된다.
상기한 본 발명의 특정 실시예는 단순히 본 발명의 일반적인 원리를 나타냄을 유의해야 한다. 당업자는 개시된 본 발명의 원리와 양립할 수 있는 다양한 변경이 이루어 질 수 있음을 인식할 것이다. 예로서, 상기한 정전용량적 방법 및 광학식 방법으로부터 당업계에서 공지된 임의의 기타 적절한 광학식 및 기타 휨 측정 장치가 도 1의 웨이퍼 휨 측정 툴(20)을 위해 사용될 수 있다.
정전 척 소프트 웨어 제어부(18) 및 정전 척 전압 공급부(16)는 정전 척상의 클램핑 전압을 웨이퍼를 정전 척에 적절히 클램핑하기 위한 최소값으로 자동적으로 설정할 수 있다. 그러나 실제로 열 또는 가스 압력이 웨이퍼의 처리 동안 약간 변동하는 경우에는 웨이퍼(14)를 정전 척(12 또는 120)에 적절히 클램핑하는 것을 보장하기 위해 클램핑 전압을 지시된 최소 클램핑 전압 값 보다 약간 높게 설정하는 것이 바람직하다. 특정 웨이퍼(14)에 대해 약간 증가된 최소 클램핑 전압은 경험적으로 측정된 최소 클램핑 전압 대신에 메모리(19)에 저장될 수 있다.
상기한 바와 같은 본 발명의 구성에 의해 최적의 클램핑 전압을 결정하여 공급하므로써 웨이퍼의 과도한 후면 마모 및 스크래칭을 방지함과 동시에 웨이퍼의 고유한 휨을 측정할 수 있다.
도 1은 본 발명에 따른 정전 척 시스템의 블록도.
도 2는 소정의 정전 척 온도와 처리되는 웨이퍼에 대한 정전 척(E-CHUCK) 전압 대 웨이퍼 휨을 나타낸 도.
도 3은 본 발명에 따라 도 1의 정전 척 시스템에서의 데이터를 사용하기 위해 웨이퍼의 고유한 휨을 측정하기 위한 대표적인 광학식 장치를 나타낸 도.
도 4는 본 발명에 따라 도 1의 정전 척 시스템에서의 데이터를 사용하고 웨이퍼의 고유한 휨을 측정하기 위한 대표적인 정전용량성 장치를 사용하는 도 1의 정전 척 시스템을 나타낸 도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *
10,100; 정전 척 시스템 12,120; 정전 척
13,130; 장착대 14; 웨이퍼
16; 정전 척 전압 공급부 18; 정전 척 소프트웨어 제어부
20; 웨이퍼 휨 측정 툴 38; 편평 물체
40; 제 1 전극 42; 제 2 전극
44; 레이저 46; 광검출기 어레이
50; 커패시턴스 측정 디바이스 52; 절연재
54; 금속 층

Claims (24)

  1. 반도체 웨이퍼 및 유사한 디바이스를 처리하기 위한 장치로서,
    상기 웨이퍼가 처리되는 경우 인가된 클램핑 전압에 좌우되는 웨이퍼상에서의 클램핑 힘에 의해 상기 웨이퍼를 클램핑시키기 위한, 클램핑 표면을 포함하는 정전 척; 및
    상기 웨이퍼가 상기 정전 척 상에서 처리되기 전에 상기 웨이퍼의 고유한 휨을 측정하고, 측정된 상기 웨이퍼의 고유한 휨을 사용하여 상기 웨이퍼를 상기 정전 척의 상기 클램핑 표면에 고정되게(securely) 클램핑시키면서 상기 웨이퍼의 과도한 휨 및 후면 마모를 한정하는, 상기 클램핑 표면상에 장착된 상기 웨이퍼의 처리 동안 상기 정전 척에 인가되어야 할 최소 클램핑 전압을 결정하기 위해 제어장치를 포함하는, 반도체 웨이퍼 및 유사한 디바이스 처리 장치.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 제어장치는:
    상기 웨이퍼의 표면에서의 상기 웨이퍼의 고유한 휘 정도를 측정하고, 측정된 상기 웨이퍼의 고유한 휨 정도를 나타내는 출력 제어 신호를 발생시키는 휨 측정 장치; 및
    측정된 상기 웨이퍼의 고유한 휨 정도에 좌우되는 상기 웨이퍼를 위한 소정의 최소 클램핑 전압을 획득하기 위해, 그리고 상기 웨이퍼의 후속하는 처리 동안 상기 정전 척에 획득된 상기 최소 클램핑 전압을 인가하기 위해 상기 휨 측정 장치로부터의 출력 제어 신호에 응답하는 제어기를 포함하는 것을 특징으로 하는, 반도체 웨이퍼 및 유사한 디바이스 처리 장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 휨 측정장치는 웨이퍼 표면의 소정 포인트에서의 커패시턴스를 측정하기 위한 정전용량성 웨이퍼 휨 측정 툴을 포함하며, 상기 소정 포인트사이에서의 커패시턴스의 변화는 상기 웨이퍼의 휨의 변화에 따르는 것을 특징으로 하는, 반도체 웨이퍼 및 유사한 디바이스 처리 장치.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 정전 척은 상기 클램핑 표면에 장착된 상기 웨이퍼에 대한 클램핑 힘을 발생시키기 위해 상기 제어장치에 연결된 적어도 하나의 전극을 포함하고,
    상기 정전용량성 웨이퍼 휨 측정 툴은:
    각각의 층이 상기 웨이퍼의 인접한 표면으로 개별 커패시턴스를 제공하며 적어도 하나의 전극에 장착된 복수 개의 절연되고 이격된 금속층; 및
    상기 웨이퍼의 후속하는 처리 동안 상기 정전 척에 공급되어야 할 최소 클램핑 전압을 결정하기 위해 상기 복수 개의 절연되고 이격된 금속 층의 각각의 커패시턴스를 측정하고 상기 제어기에 개별적인 대응하는 제어신호를 공급하는 커패시턴스 측정 디바이스를 포함하는 것을 특징으로 하는, 반도체 웨이퍼 및 유사한 디바이스 처리 장치.
  5. 제 2 항에 있어서,
    상기 휨 측정 장치는 상기 웨이퍼의 고유한 휨을 측정하기 위한 광학식 웨이퍼 휨 측정 장치를 포함하는 것을 특징으로 하는, 반도체 웨이퍼 및 유사한 디바이스 처리 장치.
  6. 제 5 항에 있어서, 상기 광학식 웨이퍼 휨 측정 장치는:
    상기 웨이퍼의 노광된 표면에 좁은 레이저 빔을 주사하기 위한 레이저; 및
    상기 웨이퍼의 노광된 표면으로부터 반사된 상기 레이저 빔을 인터셉팅하고 상기 웨이퍼의 휨 정도를 지시하는 상기 제어기에 제어신호를 공급하도록 배치된 광 검출기 어레이를 포함하는 것을 특징으로 하는, 반도체 웨이퍼 및 유사한 디바이스 처리 장치.
  7. 제 1 항에 있어서, 상기 제어장치는:
    상기 웨이퍼의 고유한 휨 정도를 측정하고, 측정된 상기 웨이퍼의 고유한 휨 정도를 나타내는 출력 제어 신호를 발생시키는 휨 측정 장치; 및
    소프트웨어 제어부를 포함하며, 상기 소프트웨어 제어부는:
    각각의 웨이퍼에 대한 최소 클램핑 전압과 관련된 데이터와 상기 정전 척상에서 후속하여 처리되어야 할 각각의 웨이퍼에 대한 개별 식별표시를 저장하기 위한 메모리; 및
    측정된 상기 웨이퍼의 고유한 휨 정도에 기초하여 각각의 식별된 웨이퍼를 위해 사용되어야 할 최소 클램핑 전압을 결정하고 상기 메모리에 저장하기 위해, 그리고 처리되는 웨이퍼를 위해 정전 척에 인가되어야 할 최소 클램핑 전압을 상기 메모리로부터 판독하기 위해, 상기 휨 측정 장치로부터의 출력 제어 신호에 응답하는 제어기를 포함하는 것을 특징으로 하는, 반도체 웨이퍼 및 유사한 디바이스 처리 장치.
  8. 반도체 웨이퍼 및 유사한 장치를 처리하기 위한 장치로서,
    상기 웨이퍼를 장착하기 위한 클램핑 표면을 포함하는 정전 척;
    상기 클램핑 표면에 장착된 웨이퍼에 대응하는 클램핑 힘을 제공하도록 상기 정전 척에 선택적인 클램핑 전압을 발생시키기 위해 제어신호에 응답하는 클램핑 전압 발생 디바이스; 및
    상기 웨이퍼가 상기 정전 척 상에서 처리되기 이전에, 상기 웨이퍼의 고유한 휨을 측정하고 측정된 상기 웨이퍼의 고유한 휨으로부터 상기 웨이퍼에 대한 최소 클램핑 전압을 결정하고 상기 웨이퍼의 처리 동안 상기 정전 척에 최소 클램핑 전압을 발생시키기 위해, 상기 웨이퍼에 대해 결정된 상기 최소 클램핑 전압을 상기 클램핑 전압 발생 디바이스에 전달할 것을 지시하는 출력 제어 신호를 발생시키는 제어장치를 포함하며, 상기 최소 클램핑 전압은 상기 웨이퍼를 클램핑 표면에 고정되게 클램핑하면서 상기 웨이퍼의 휨 및 후면 마모를 제한하는 값을 갖는, 반도체 웨이퍼 및 유사한 디바이스 처리 장치.
  9. 제 8 항에 있어서, 상기 제어장치는:
    상기 웨이퍼의 표면에서의 상기 웨이퍼의 고유한 휨 정도를 측정하고, 측정된 상기 웨이퍼의 고유한 휨 정도를 나타내는 출력 제어 신호를 발생시키는 휨 측정 장치; 및
    측정된 상기 웨이퍼의 고유한 휨 정도에 좌우되는 상기 웨이퍼를 위한 소정의 최소 클램핑 전압을 획득하기 위해, 그리고 상기 웨이퍼의 후속하는 처리 동안 상기 정전 척에 획득된 상기 최소 클램핑 전압을 인가하기 위해 상기 휨 측정 장치로부터의 출력 제어신호에 응답하는 제어기를 포함하는 것을 특징으로 하는, 반도체 웨이퍼 및 유사한 디바이스 처리 장치.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 휨 측정 장치는 웨이퍼 표면의 소정 포인트에서의 커패시턴스를 측정하기 위한 정전용량성 웨이퍼 휨 측정 툴을 포함하며, 상기 소정 포인트사이에서의 커패시턴스 변화는 상기 웨이퍼의 휨의 변화에 따르는 것을 특징으로 하는, 반도체 웨이퍼 및 유사한 디바이스 처리 장치.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 정전 척은 상기 클램핑 표면에 장착된 상기 웨이퍼에 대한 클램핑 힘을 발생시키기 위해 상기 제어장치에 연결된 적어도 하나의 전극을 포함하고,
    상기 정전용량성 웨이퍼 휨 측정 툴은:
    각각의 층이 상기 웨이퍼의 인접한 표면으로 개별 커패시턴스를 제공하며 적어도 하나의 전극에 장착된 복수 개의 절연되고 이격된 금속층; 및
    상기 웨이퍼의 후속하는 처리 동안 상기 정전 척에 공급되어야 할 최소 클램핑 전압을 결정하기 위해 상기 복수 개의 절연되고 이격된 금속층의 각각의 커패시턴스를 측정하고 상기 제어기에 개별적인 대응하는 제어신호를 공급하는 커패시턴스 측정 디바이스를 포함하는 것을 특징으로 하는, 반도체 웨이퍼 및 유사한 디바이스 처리 장치.
  12. 제 9 항에 있어서,
    상기 휨 측정 장치는 상기 웨이퍼의 고유한 휨을 측정하기 위한 광학식 웨이퍼 휨 측정 장치를 포함하는 것을 특징으로 하는, 반도체 웨이퍼 및 유사한 디바이스 처리 장치.
  13. 제 12 항에 있어서, 상기 광학식 웨이퍼 휨 측정 장치는:
    상기 웨이퍼의 노광된 표면에 좁은 레이저 빔을 주사하기 위한 레이저;
    상기 웨이퍼의 노광된 표면으로부터 반사된 상기 레이저 빔을 인터셉팅하고 상기 웨이퍼의 휨 정도를 지시하는 상기 제어기에 제어신호를 공급하도록 배치된 광 검출기 어레이를 포함하는 것을 특징으로 하는, 반도체 웨이퍼 및 유사한 디바이스 처리 장치.
  14. 제 8 항에 있어서, 상기 제어장치는:
    상기 웨이퍼의 표면에서의 상기 웨이퍼의 고유한 휨 정도를 측정하고, 측정된 상기 웨이퍼의 고유한 휨 정도를 나타내는 출력 제어 신호를 발생시키는 휨 측정 장치; 및
    소프트웨어 제어부를 포함하며, 상기 소프트웨어 제어부는:
    각각의 웨이퍼에 대한 최소 클램핑 전압과 관련된 데이터와 상기 정전 척상에서 후속하여 처리되어야 할 각각의 웨이퍼에 대한 개별 식별표시를 저장하기 위한 메모리; 및
    측정된 상기 고유한 웨이퍼 휨 정도에 기초하여 각각의 식별된 웨이퍼를 위해 사용되어야 할 최소 클램핑 전압을 결정하고 상기 메모리에 저장하기 위해, 그리고 처리되는 상기 웨이퍼를 위해 상기 정전 척에 인가되어야 할 상기 최소 클램핑 전압을 상기 메모리로부터 판독하기 위해, 상기 휨 측정 장치로부터의 출력 제어 신호에 응답하는 제어기를 포함하는 것을 특징으로 하는, 반도체 웨이퍼 및 유사한 디바이스 처리 장치.
  15. 반도체 웨이퍼 및 유사한 디바이스를 처리하기 위한 장치로서,
    클램핑 표면에 장착된 상기 웨이퍼상에 대응하는 클램핑 힘을 제공하기 위해 선택적인 클램핑 전압을 발생시키는 클램핑 전압 발생 디바이스 및 클램핑 표면을 포함하는 정전 척;
    상기 정전 척상에서 처리되어야 할 상기 웨이퍼의 고유한 휨을 측정하고, 측정된 상기 웨이퍼의 고유한 휨 정도를 나타내는 출력신호를 발생시키는 휨 측정 장치; 및
    상기 휨 측정 장치에 의해 측정된 상기 웨이퍼의 고유한 휨 정도에 기초하여 상기 웨이퍼의 휨 및 후면 마모를 제한하며 상기 웨이퍼가 상기 정전 척 상에 장착되는 경우 상기 웨이퍼를 클램핑 표면에 고정되게 클램핑하는 최소 클램핑 전압을 결정하기 위해, 그리고 상기 최소 클램핑 전압이 후속하는 상기 웨이퍼의 처리 동안 상기 정전 척에 인가되도록 하기 위해 출력 제어 신호를 상기 클램핑 전압 발생 디바이스에 발생시키기 위해 상기 휨 측정 장치로부터의 출력신호에 응답하는 제어장치를 포함하는, 반도체 웨이퍼 및 유사한 디바이스 처리 장치.
  16. 제 15 항에 있어서,
    상기 휨 측정장치는 웨이퍼 표면의 소정 포인트에서의 커패시턴스를 측정하기 위한 정전용량성 웨이퍼 휨 측정 툴을 포함하며, 상기 소정 포인트사이에서의 커패시턴스의 변화는 상기 웨이퍼의 휨의 변화에 따르는 것을 특징으로 하는, 반도체 웨이퍼 및 유사한 디바이스 처리 장치.
  17. 제 16 항에 있어서,
    상기 정전 척은 상기 클램핑 표면에 장착된 상기 웨이퍼에 대한 클램핑 힘을 발생시키기 위해 상기 제어장치에 연결된 적어도 하나의 전극을 포함하고;
    상기 정전용량성 웨이퍼 휨 측정 툴은:
    각각의 층이 상기 웨이퍼의 인접한 표면으로 개별 커패시턴스를 제공하며, 적어도 하나의 상기 전극에 장착된 복수 개의 절연되고 이격된 금속층; 및
    상기 웨이퍼의 후속하는 처리 동안 상기 정전 척에 공급되어야 할 최소 클 램핑 전압을 결정하기 위해 상기 복수 개의 절연되고 이격된 금속층의 각각의 커패시턴스를 측정하고 상기 제어기에 개별적인 대응하는 제어신호를 공급하는 커패시턴스 측정 디바이스를 포함하는 것을 특징으로 하는, 반도체 웨이퍼 및 유사한 디바이스 처리 장치.
  18. 제 15 항에 있어서,
    상기 휨 측정 장치는 상기 웨이퍼의 고유한 휨을 측정하기 위한 광학식 웨이퍼 휨 측정 장치를 포함하는 것을 특징으로 하는, 반도체 웨이퍼 및 유사한 디바이스 처리 장치.
  19. 제 18 항에 있어서, 상기 광학식 웨이퍼 휨 측정 장치는:
    상기 웨이퍼의 노광된 표면에 좁은 레이저 빔을 주사하기 위한 레이저;
    상기 웨이퍼의 노광된 표면으로부터 반사된 상기 레이저 빔을 인터셉팅하고 상기 웨이퍼의 휨 정도를 지시하는 상기 제어기에 제어신호를 공급하도록 배치된 광 검출기 어레이를 포함하는 것을 특징으로 하는, 반도체 웨이퍼 및 유사한 디바이스 처리 장치.
  20. 제 15 항에 있어서, 상기 제어장치는:
    각각의 웨이퍼에 대한 최소 클램핑 전압과 관련된 데이터와 상기 정전 척상에서 후속하여 처리되어야 할 각각의 웨이퍼에 대한 개별 식별표시를 저장하기 위한 메모리; 및
    소프트웨어 제어부를 포함하며, 상기 소프트웨어 제어부는:
    상기 측정된 웨이퍼의 고유한 휨에 기초하여 각각의 식별된 웨이퍼를 위해 사용되어야 할 최소 클램핑 전압을 결정하고 상기 메모리에 저장하기 위해, 그리고 클램핑 전압에 의해 상기 정전 척에 인가되어야 할 최소 클램핑 전압을 상기 메모리로부터 판독하기 위해, 상기 휨 측정 장치로부터의 출력 제어 신호에 응답하는 제어기를 포함하는 것을 특징으로 하는, 반도체 웨이퍼 및 유사한 디바이스 처리 장치.
  21. 반도체 웨이퍼 및 유사한 디바이스를 처리하기 위한 방법으로서,
    상기 웨이퍼를 소정 표면에 장착시키는 단계;
    상기 웨이퍼가 처리되기 이전에 상기 웨이퍼의 고유한 휨을 측정하는 단계;
    상기 측정된 웨이퍼 휨으로부터 상기 웨이퍼에 대해 사용되어야 할 최소 클램핑 전압을 결정하는 단계; 및
    상기 정전 척의 클램핑 표면에 상기 웨이퍼를 장착하고 상기 정전 척에 상기 최소 클램핑 전압을 인가하는 단계를 포함하며, 상기 최소 클램핑 전압은 상기 웨이퍼를 상기 클램핑 표면에 고정되게 클램핑하여 상기 웨이퍼의 휨 및 후면 마모를 제한하는, 반도체 웨이퍼 및 유사한 디바이스 처리 방법.
  22. 제 21 항에 있어서,
    상기 웨이퍼의 휨을 측정하는 단계는 광학식 웨이퍼 휨 측정 툴을 이용하여 상기 웨이퍼의 고유한 휨을 측정하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는, 반도체 웨이퍼 및 유사한 디바이스 처리 방법.
  23. 제 21 항에 있어서,
    상기 웨이퍼의 휨을 측정하는 단계는 정전용량성 웨이퍼 휨 측정 툴을 이용하는 것을 특징으로 하는, 반도체 웨이퍼 및 유사한 디바이스 처리 방법.
  24. 제 21 항에 있어서,
    상기 최소 클램핑 전압을 결정하는 단계는:
    웨이퍼를 위해 사용되어야 할 최소 클램핑 전압을 결정하는 단계; 및
    사용된 상기 웨이퍼의 고유한 식별표시로 결정된 상기 최소 클램핑 전압을 메모리에 저장하는 단계를 포함하며,
    상기 웨이퍼를 소정 표면에 장착시키는 단계는:
    상기 정전 척의 클램핑 표면에 상기 최소 클램핑 전압을 결정하기 위해 사용된 상기 웨이퍼를 장착시키는 단계; 및
    상기 메모리로부터 상기 웨이퍼에 대한 저장된 최소 클램핑 전압값을 판독하여 상기 최소 클램핑 전압값을 상기 정전 척에 인가하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는, 반도체 웨이퍼 및 유사한 디바이스 처리 방법.
KR1019980057480A 1997-12-23 1998-12-23 반도체웨이퍼처리방법및장치 KR100592524B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US08/996,576 1997-12-23
US8/996,576 1997-12-23
US08/996,576 US5872694A (en) 1997-12-23 1997-12-23 Method and apparatus for determining wafer warpage for optimized electrostatic chuck clamping voltage

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR19990063358A KR19990063358A (ko) 1999-07-26
KR100592524B1 true KR100592524B1 (ko) 2006-08-30

Family

ID=25543076

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019980057480A KR100592524B1 (ko) 1997-12-23 1998-12-23 반도체웨이퍼처리방법및장치

Country Status (6)

Country Link
US (1) US5872694A (ko)
EP (1) EP0926708A3 (ko)
JP (1) JPH11251420A (ko)
KR (1) KR100592524B1 (ko)
CN (1) CN1150608C (ko)
TW (1) TW416182B (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101273921B1 (ko) 2013-01-16 2013-06-12 (주)코셈 정전용량 센서 어레이 패널을 이용한 콜렛의 수평도 및 압력 측정 시스템

Families Citing this family (45)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6113165A (en) * 1998-10-02 2000-09-05 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Self-sensing wafer holder and method of using
US6452291B1 (en) * 1999-07-01 2002-09-17 Voyan Technology Reduction of switching transients via large signal/small signal thresholding
JP2002009140A (ja) * 2000-06-22 2002-01-11 Mitsubishi Electric Corp 静電チャック装置
JP4634581B2 (ja) * 2000-07-06 2011-02-16 キヤノンアネルバ株式会社 スパッタリング方法、表面処理方法、スパッタリング装置及び表面処理装置
DE60037188T2 (de) * 2000-08-29 2008-10-02 Qimonda Dresden Gmbh & Co. Ohg Verfahren zum Betreiben eines Suszeptors für Halbleiterscheiben
US6403322B1 (en) 2001-03-27 2002-06-11 Lam Research Corporation Acoustic detection of dechucking and apparatus therefor
JP3639546B2 (ja) * 2001-07-25 2005-04-20 株式会社日立国際電気 基板処理装置及び半導体装置の製造方法
US7198276B2 (en) * 2003-10-24 2007-04-03 International Business Machines Corporation Adaptive electrostatic pin chuck
US6950176B1 (en) * 2004-01-12 2005-09-27 Advanced Micro Devices, Inc. Method and system for monitoring EUV lithography mask flatness
US20050174665A1 (en) * 2004-02-09 2005-08-11 Xiaofeng Zhang Electrical current measurements at head-disk interface
JP2005353988A (ja) * 2004-06-14 2005-12-22 Canon Inc 板状体搬送方法、搬送装置及び露光装置
US7452793B2 (en) * 2005-03-30 2008-11-18 Tokyo Electron Limited Wafer curvature estimation, monitoring, and compensation
US7292428B2 (en) * 2005-04-26 2007-11-06 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck with smart lift-pin mechanism for a plasma reactor
CN100383413C (zh) * 2006-04-21 2008-04-23 上海大学 单体太阳电池在线测试用防碎、防粘连移栽吸盘
US20080084650A1 (en) * 2006-10-04 2008-04-10 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for substrate clamping in a plasma chamber
JP2008116354A (ja) * 2006-11-06 2008-05-22 Nec Electronics Corp 反り測定システム、成膜システム、及び反り測定方法
DE102006057075A1 (de) * 2006-11-30 2008-06-05 Friedrich-Schiller-Universität Jena Verfahren und Vorrichtung zur Messung der Form eines Wafer-Chucks
US8149562B2 (en) * 2007-03-09 2012-04-03 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. System for decharging a wafer or substrate after dechucking from an electrostatic chuck
US7957827B2 (en) * 2007-12-27 2011-06-07 United Microelectronics Corp. Method of controlling statuses of wafers
US7558045B1 (en) * 2008-03-20 2009-07-07 Novellus Systems, Inc. Electrostatic chuck assembly with capacitive sense feature, and related operating method
JP2010123810A (ja) * 2008-11-20 2010-06-03 Ulvac Japan Ltd 基板保持装置及び基板温度制御方法
US7957118B2 (en) * 2009-04-30 2011-06-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Multi-zone electrostatic chuck and chucking method
JP5412270B2 (ja) 2009-12-28 2014-02-12 株式会社日立ハイテクノロジーズ 走査電子顕微鏡
CN103065997B (zh) * 2011-10-19 2015-08-05 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 晶圆承载设备及晶圆承载的方法
CN103066000B (zh) * 2011-10-19 2015-11-25 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 晶圆承载设备及晶圆承载的方法
US8709528B2 (en) * 2011-12-28 2014-04-29 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Wafer processing method and system using multi-zone chuck
JP6180909B2 (ja) * 2013-12-06 2017-08-16 東京エレクトロン株式会社 距離を求める方法、静電チャックを除電する方法、及び、処理装置
US9891266B2 (en) 2014-02-25 2018-02-13 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Test circuit and method
CN106255924B (zh) 2014-05-06 2019-12-10 Asml荷兰有限公司 衬底支座、用于在衬底支撑位置上加载衬底的方法、光刻设备和器件制造方法
CN104900576A (zh) * 2015-05-27 2015-09-09 上海华力微电子有限公司 一种静电吸盘静电吸力分布的调节方法
TWI640059B (zh) * 2016-01-19 2018-11-01 因特瓦克公司 供基板加工使用的圖形化吸盤
JP6462614B2 (ja) * 2016-03-16 2019-01-30 東芝メモリ株式会社 パターン精度検出装置及び加工システム
KR102644272B1 (ko) 2016-10-31 2024-03-06 삼성전자주식회사 정전척 어셈블리
US10879094B2 (en) * 2016-11-23 2020-12-29 Applied Materials, Inc. Electrostatic chucking force measurement tool for process chamber carriers
US11114327B2 (en) * 2017-08-29 2021-09-07 Applied Materials, Inc. ESC substrate support with chucking force control
US10692749B2 (en) * 2017-12-05 2020-06-23 Axcelis Technologies, Inc. Method to provide consistent electrostatic clamping through real time control of electrostatic charge deposition in an electrostatic chuck
JP7101029B2 (ja) * 2018-04-12 2022-07-14 東京エレクトロン株式会社 静電チャック、基板処理装置、及び、基板保持方法
JP7246154B2 (ja) * 2018-10-02 2023-03-27 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置及び静電吸着方法
WO2020126963A1 (en) 2018-12-20 2020-06-25 Asml Netherlands B.V. Object table comprising an electrostatic clamp
JP2022520337A (ja) * 2019-02-06 2022-03-30 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 静電チャックのための方法およびツール
JP7108585B2 (ja) * 2019-08-16 2022-07-28 日本特殊陶業株式会社 保持装置
CN110556332B (zh) * 2019-10-14 2022-11-08 长江存储科技有限责任公司 静电吸附装置及晶圆吸附方法
JP7449198B2 (ja) * 2020-08-20 2024-03-13 株式会社日立ハイテク 荷電粒子ビーム装置
JP6902215B1 (ja) * 2020-12-14 2021-07-14 日新イオン機器株式会社 イオン注入装置
US11562918B2 (en) * 2021-01-07 2023-01-24 Advanced Energy Industries, Inc. Wafer chucking monitor using high frequency injected AC signal

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5732629A (en) * 1980-08-07 1982-02-22 Seiko Epson Corp Mask aligner
JPS59208741A (ja) * 1983-05-12 1984-11-27 Mitsubishi Electric Corp 半導体ウエ−ハ用吸着チヤツク装置
WO1988009054A1 (en) * 1987-05-06 1988-11-17 Labtam Limited Electrostatic chuck using ac field excitation
US5325261A (en) * 1991-05-17 1994-06-28 Unisearch Limited Electrostatic chuck with improved release
US5202748A (en) * 1991-06-07 1993-04-13 Litel Instruments In situ process control system for steppers
JPH06163674A (ja) * 1992-11-18 1994-06-10 Hitachi Ltd 試料保持装置のモニタ方法
US5436790A (en) * 1993-01-15 1995-07-25 Eaton Corporation Wafer sensing and clamping monitor
JPH07211768A (ja) * 1994-01-13 1995-08-11 Hitachi Ltd 静電吸着装置の保持状態確認方法
US5642298A (en) * 1994-02-16 1997-06-24 Ade Corporation Wafer testing and self-calibration system
US5535090A (en) * 1994-03-03 1996-07-09 Sherman; Arthur Electrostatic chuck
US5515167A (en) * 1994-09-13 1996-05-07 Hughes Aircraft Company Transparent optical chuck incorporating optical monitoring
JPH08191098A (ja) * 1995-01-09 1996-07-23 Hitachi Ltd 静電吸着装置
US6075375A (en) * 1997-06-11 2000-06-13 Applied Materials, Inc. Apparatus for wafer detection

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101273921B1 (ko) 2013-01-16 2013-06-12 (주)코셈 정전용량 센서 어레이 패널을 이용한 콜렛의 수평도 및 압력 측정 시스템

Also Published As

Publication number Publication date
EP0926708A2 (en) 1999-06-30
CN1150608C (zh) 2004-05-19
JPH11251420A (ja) 1999-09-17
EP0926708A3 (en) 2003-08-20
TW416182B (en) 2000-12-21
US5872694A (en) 1999-02-16
CN1230774A (zh) 1999-10-06
KR19990063358A (ko) 1999-07-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100592524B1 (ko) 반도체웨이퍼처리방법및장치
US6778377B2 (en) Electrostatic chucking system, and apparatus and method of manufacturing a semiconductor device using the electrostatic chucking system
JP4408569B2 (ja) プラズマ処理室におけるウェハバイアス補償方法及び装置
KR101604993B1 (ko) 정전 용량 감지 특징을 갖는 정전 척 조립체 및 관련 작동 방법
US6353210B1 (en) Correction of wafer temperature drift in a plasma reactor based upon continuous wafer temperature measurements using and in-situ wafer temperature optical probe
US6552561B2 (en) Apparatus and method for controlling temperature in a device under test using integrated temperature sensitive diode
US5948986A (en) Monitoring of wafer presence and position in semiconductor processing operations
JPH11507473A (ja) ウエハの温度制御方法及び装置
US5886865A (en) Method and apparatus for predicting failure of an eletrostatic chuck
JPH077073A (ja) 半導体ウエハの固定方法及びその装置
US6545494B1 (en) Apparatus and method for controlling temperature in a wafer using integrated temperature sensitive diode
JP4589710B2 (ja) プローバ
US11315766B2 (en) Plasma processing apparatus and method for measuring thickness of ring member
US5221142A (en) Method and apparatus for temperature measurement using thermal expansion
WO2008093053A1 (en) Securing a substrate to an electrostatic chuck
US5917327A (en) Technique and apparatus for testing electrostatic chucks
US6037781A (en) Measurement of electrical characteristics of semiconductor wafer
JP3416668B2 (ja) プロービングカード
JPH06170670A (ja) 静電チャック装置およびその運転方法
JPS6132510A (ja) 基板の温度制御機構
JP3617236B2 (ja) リーク電流の検出方法及びリーク電流検出装置
JPH09218104A (ja) 基板の温度測定装置
JPH06140479A (ja) 半導体集積回路テスト装置
JP3510762B2 (ja) 導電タイプ判定装置および電気特性測定装置
JPH05190653A (ja) 試料保持装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
LAPS Lapse due to unpaid annual fee