TW416182B - Method and apparatus for determining wafer warpage for optimized electrostatic chuck clamping voltage - Google Patents
Method and apparatus for determining wafer warpage for optimized electrostatic chuck clamping voltage Download PDFInfo
- Publication number
- TW416182B TW416182B TW087121521A TW87121521A TW416182B TW 416182 B TW416182 B TW 416182B TW 087121521 A TW087121521 A TW 087121521A TW 87121521 A TW87121521 A TW 87121521A TW 416182 B TW416182 B TW 416182B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- wafer
- warpage
- clamping
- electrostatic chuck
- voltage
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 21
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims abstract description 27
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 14
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims description 183
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 48
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 29
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 21
- 238000012360 testing method Methods 0.000 claims description 11
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 9
- 230000003068 static effect Effects 0.000 claims description 9
- 230000005611 electricity Effects 0.000 claims description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 8
- 230000002079 cooperative effect Effects 0.000 claims description 7
- 230000000875 corresponding effect Effects 0.000 claims description 6
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 4
- 238000012805 post-processing Methods 0.000 claims description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 2
- PCTMTFRHKVHKIS-BMFZQQSSSA-N (1s,3r,4e,6e,8e,10e,12e,14e,16e,18s,19r,20r,21s,25r,27r,30r,31r,33s,35r,37s,38r)-3-[(2r,3s,4s,5s,6r)-4-amino-3,5-dihydroxy-6-methyloxan-2-yl]oxy-19,25,27,30,31,33,35,37-octahydroxy-18,20,21-trimethyl-23-oxo-22,39-dioxabicyclo[33.3.1]nonatriaconta-4,6,8,10 Chemical compound C1C=C2C[C@@H](OS(O)(=O)=O)CC[C@]2(C)[C@@H]2[C@@H]1[C@@H]1CC[C@H]([C@H](C)CCCC(C)C)[C@@]1(C)CC2.O[C@H]1[C@@H](N)[C@H](O)[C@@H](C)O[C@H]1O[C@H]1/C=C/C=C/C=C/C=C/C=C/C=C/C=C/[C@H](C)[C@@H](O)[C@@H](C)[C@H](C)OC(=O)C[C@H](O)C[C@H](O)CC[C@@H](O)[C@H](O)C[C@H](O)C[C@](O)(C[C@H](O)[C@H]2C(O)=O)O[C@H]2C1 PCTMTFRHKVHKIS-BMFZQQSSSA-N 0.000 claims 3
- 101150064138 MAP1 gene Proteins 0.000 claims 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 claims 1
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 claims 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 claims 1
- 125000001475 halogen functional group Chemical group 0.000 claims 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 claims 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 claims 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims 1
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 claims 1
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 abstract description 2
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- 101000905241 Mus musculus Heart- and neural crest derivatives-expressed protein 1 Proteins 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 2
- 230000006870 function Effects 0.000 description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 2
- 238000011088 calibration curve Methods 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 210000002304 esc Anatomy 0.000 description 1
- 230000007717 exclusion Effects 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000012806 monitoring device Methods 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02N—ELECTRIC MACHINES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H02N13/00—Clutches or holding devices using electrostatic attraction, e.g. using Johnson-Rahbek effect
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Manipulator (AREA)
Description
經濟部中央標準局員工消費合作社印繁 416182 A7 B7 五、發明説明(,) 發明領域 本發明乃有間於用於測定一晶圓中之一晶圓靜電夾盤 之固有翹曲的方法及裝置以在晶圓處理過程中決定並提 供晶圈靜電夾盤之最適夾緊電壓。 發明背景 靜電夾盤(ESC)現正被發展及用於半導體晶圓的製造, 一 ESC之觀念偽在於以一種靜電夾緊機構來取代機槭式 的晶圖夾緊機構以實現像是減少粒子,較佳的溫度控制及減 少邊緣排斥帶。 ESCs的性質之一(單極或雙極)僳為該夾緊力量隨著被 施加至ESC的電壓的增加而增加,將該晶圓握在靜電夾 盤之一溫控座上之一夾緊力量傜被需要以強化位於該晶 圈及座間的熱傳導 < 通常由該晶圓上之一背側氣壓所支 援)〇眈舉提供了較佳的晶圜溫度控制及均勻性。 美國第5,103,367號(何威茲(!1〇1^4 2)及其他的人)於 1392年4月7日所公佈之專利案掲露了用於半導體晶圓 使用交流A.C.場激發法之一靜電夾盤(ESC),該夾盤包 含被埋藏於一薄介電暌中之第一及第二受對齊電極,其 定義了一實質平坦表面,該第一及第二電搔各為一低頻 A C電流所激發以産生受控制振幅及相位之]E弦波電場, 其於該晶圓表而上提供了一低合成電壓,平行於該第一 及第二電極之一被掲露的第三電極對於第一及第二電極 作用如一遮蔽電極或一參考點。藉由控制電壓施加及移 除之速率,在晶圓上可以獲得低電壓梯度,而在介電質 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) --------„---- 水-------^ — 訂 {請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 B7 416182 五、發明説明(> ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 介質中並無保持力存在,於一宵施例中之該夾盤之一低 AC振幅激發使得能夠做相對於介電膜之晶圓位置的電容 電流臧因而致能了對施加於該第一及第二電搔之電 壓的簡單控制。 美國第5,325,26 1號(何睬茲(11〇1>«42)及其他的人)於 1994年6月28日所公佈之專利案掲露了具備改良釋放功 能而用於掮持物體(像是半導體晶圓)之靜電夾盤(ESC) 条統,該ESC条統包含一握持裝置像是具備用於接觸該 物體之表面之一靜電夾盤,一電極以及施加裝置以施加 驅動電壓至該電搔以靜電式地抓住該物體至表面,以及 制定裝置用於潮定施加於電掻之驅動釋放電壓之值,以 使能釋放此物體6該決定裝置最好包含在該驅動電壓加 以變化時用於監督物饅之蓮動的監督裝置,該施加裝置 能施加一電壓信號於該驅動電壓之上以造成物體之振動 ,該物體之此振動運動傺由位置感制電路所監督以根據 振動以産生一解調變感潮輪出。當該_動電壓變化時, 將達到一點,該物體於此被釋放,此點可由監督解調變 ACi£潮輪出而加以測定β 經濟部中央標準扃員工消費合作社印裝 雖然通常需要一最小量之臨界電壓以夾緊一晶圔至一 靜電夾盤之一座,過高之一電壓將"壓迫”該晶圓於該座 之上且造成位於晶圓及座表面間之摩損,此舉偽為不想 要的且會導致粒子問題及/或一被缩短的夾盤壽命,所 以一種取捨存在於施加過度電壓至該夾盤而會縮短ESC 壽命及造成粒子問題以及不施加足夠電壓以致於該晶圓 -4 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 416182 A7 B7_ 五、發明説明(令) 對靜電夾盤座的夾緊不足之間。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 已發現具備一大的固有彎曲或翹曲(通常為膜應力之 一結果)之晶圓需要一較高的ESC夾緊或夾住電®以提供 一足夠的夾緊力,換言之,一最佳的ESC夾緊電壓依晶 圓彎曲或翹曲的程度而定,且因此該固有晶圓翹曲愈高 則所需的ESC夾緊電壓愈大,現在一單一的ESC夾緊電壓 偽被用於遠高於所需之一或多群晶圓,通常考廉像是該 靜電夾盤之一加熱器設定點及固有晶圓翹曲的預估等因 素以決定用於一或多群晶圓之ESC夾緊電壓值,仍有其 他實施例,其中晶圓由於一過量的固有晶圓彎曲或翹曲 而無法適當地夾住,亦存有晶圚其可以較用於一群晶圓 之單一 ESC夾緊電壓為低之電壓來加以夾住而使背倒磨 損及刮傷可降低及避免。 因該固有翹曲随晶圓而變,因此希望提供一種量測一 晶圓内固有彎曲或翹曲之方法及裝置,且使用如此所量 測的資料以對各晶圓施加一實質最佳的夾緊或夾住電壓 至一靜電夾盤以實質避免在晶國被處理時晶國背面的過 度磨損及刮傷》 發明槪酉 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 本發明旨在一靜電夾盤中測定晶圔翹曲諸方法與裝置 以於各晶圓處理期間對靜電夾盤提供其使用之最佳夾緊 電歷。 從一方面來看,本發明旨在用於處理包含一靜電夾盤 及一控制配置之半導體晶圓及類似裝置之儀器,該靜電 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210Χ297公釐) 416182 at B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明 ) 1 1 夾 盤 包 含 一 夾 緊 表 面 用 於 以 一 夾 緊 力 夾 緊 一 晶 圓 t 該 夾 1 1 緊 力 乃 取 決 於 被 施 加 至 該 靜 電 夾 盤 之 一 夾 緊 電 壓 9 該 控 1 制 配 置 檢 潮 了 在 晶 Π» 圓 中 之 一 固 定 翹 曲 且 使 用 該 受 檢 測 請 1 先 1 的 固 定 晶 圓 翹 曲 以 決 定 在 該 晶 圓 被 置 放 於 夾 緊 表 面 上 之 閱 1- 1 處 理 期 間 欲 被 施 加 於 靜 電 夾 Art 上 之 * 最 小 夾 緊 電 m 背 Φ [ I 之 1 該 最 小 夾 緊 電 壓 之 數 值 使 得 其 可 避 免 在 牢 牢 地 將 晶 圓 夾 意 1 事 1 緊 於 夾 緊 表 而 畤 該 晶 圓 的 過 度 翹 曲 及 背 倒 磨 損 〇 項 再 1 從 另 一 方 面 來 看 本 發 明 乃 導 向 包 含 後 绩 步 驟 處 理 半 填 寫 本 導 體 晶 圓 及 類 似 裝 置 之 一 方 法 » 於 一 第 一 步 驟 中 一 晶 頁 Sw-1 1 I 圓 偽 被 置 放 於 — 預 定 表 而 上 > 在 第 二 步 驟 中 , 該 晶 圓 之 1 i 一 饉 曲 僳 於 該 晶 圓 被 處 理 之 前 加 以 量 m 於 一 第 二 步 驟 1 1 中 9 該 晶 圓 所 用 之 __‘ 取 小 夾 緊 電 壓 俗 從 第 二 步 驟 中 所 置 訂 m 的 晶 圓 翹 曲 所 決 定 於 一 第 四 步 驟 中 該 晶 圆 僳 被 置 1 於 靜 電 夾 盤 之 __- 夾 緊 表 面 上 而 且 在 第 步 驟 中 所 m 定 1 1 之 取 小 夾 緊 電 壓 傜 被 施 加 至 靜 電 夾 盤 〇 1 該 發 明 從 隨 後 所 取 得 之 更 詳 細 的 敘 述 伴 隨 著 附 圖 1 ! 及 申 謓 專 利 範 圍 將 更 能 加 以 瞭 解 〇 I _ 式 簡 ασ 単 説 明 1 I 第 1 圖 為 根 據 本 發 明 之 靜 電 夾 盤 条 統 之 方 塊 _ 1 第 2 _ 顯 示 對 於 一 預 定 靜 電 夾 盤 溫 度 及 极 處 理 之 ^· 晶 1 [ 圓 的 靜 電 夾 盤 (Ε -夾盤) 電 壓 對 晶 圓 m 曲 之 範 例 圖 表 9 t 1 1 第 3 画 示 典 範 光 學 配 置 以 量 潮 晶 圓 中 固 有 的 m 曲 9 1 1 以 使 用 所 得 之 此 等 資 料 於 根 據 本 發 明 第 1 圖 之 靜 電 夾 盤 1 % 統 ; 以 及 1 1 6 1 i i i 本紙浪尺度適用中國國家標準(CMS ) A4規格(210X297公釐) 416182 A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 五、發明説明 ( Γ ) 1 1 第 4 圖 圖 示 第 1 圖 之 靜 電 夾 盤 % 統 * 其 使 用 一 典 範 之 丨 電 容 配 置 * 以 量 m 晶 圓 中 固 有 的 翹 曲 » 以 使 用 所 得 之 此 1 等 資 料 於 根 捧 本 發 明 第 1 國 之 靜 電 夾 盤 % 统 〇 請 1 先 1 該 _ 形 未 必 按 照 比 例 〇 閲 讀 I 11 細 說 明 背 1 | 之 1. 在 鬮 中 數 艏 觀 點 中 相 m 的 元 件 具 有 同 樣 的 功 能 並 注 意 1 事 1 被 提 供 相 同 的 指 定 號 碼 項 再 1 參 考 第 1 圃 > 其 顯 示 了 根 據 本 發 明 之 —- 靜 電 夾 盤 % 統 填 寫 本 1 0 <在虛線長方形内所顯示者), 該 靜 電 夾 盤 % 統 10包 含 頁 1 I — 靜 電 夾 盤 1 2 , 其 包 括 如 此 被 構 築 之 座 1 3以 利 裝 設 及 1 夾 緊 一 晶 圓 1 4 於 其 上 > 一 靜 電 夾 盤 電 壓 供 應 1 6 » 包 括 一 1 1 記 億 體 1 9 之 —- 靜 電 夾 盤 軟 體 控 制 18 9 以 及 __. 晶 圓 翹 曲 量 訂 m 工 具 2 0 應 瞭 解 該 靜 電 夾 盤 電 壓 供 應 16及 之 靜 電 夾 盤 1 軟 體 控 制 18可 為 該 靜 電 夾 盤 1 2之 部 份 或 分 別 從 該 靜 電 夾 1 1 盤 所 分 別 裝 設 且 各 僳 為 該 技 m 中 眾 所 周 知 者 更 有 甚 者 1 * 應 瞭 解 該 晶 圓 翹 曲 最 m 工 具 Z0 可 為 該 % 統 10 之 部 份 或 1 1 與 該 糸 統 分 開 > 該 % 統 10將 加 以 顯 示 於 後 〇 | 該 晶 圖 m 曲 置 潮 工 具 20偽 經 由 一 或 多 値 導 線 22加 以 連 1 [ 接 至 該 靜 電 夾 盤 軟 體 控 制 1 8 該 靜 電 夾 盤 软 體 控 制 18俗 1 經 由 一 或 多 個 導 線 2 4 加 以 建 接 至 該 靜 電 夾 盤 電 m 供 應 16 ; 1 該 靜 電 夾 盤 電 壓 供 m 1 6俗 經 由 一 或 多 鹤 導 線 2 6加 以 連 1 1 r 接 至 該 靜 電 夾 盤 12 應 瞭 解 該 晶 圓 翹 曲 量 潮 工 具 20係 被 I 1 用 屋 測 在 該 晶 圓 14 中 之 一 固 有 彎 曲 或 翹 曲 j 旦 經 由 m 線 1 2 2 供 寒 如 此 的 固 有 晶 國 m 曲 7 或 翹 曲 資 料 至 該 靜 電 夾 盤 軟 1 1 1 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(2I0X 297公釐) A7 B7 經濟部中央標隼局員工消費合作社印製 五、發明説明 (y ) 1 i 體 控 制 1 8 更 有 甚 者 1 該 晶 圓 翔 曲 量 測 通 常 偽 在 晶 圓 14 1 f 於 靜 電 夾 盤 上 處 理 前 加 以 執 行 對 於 一 晶 圓 1 4所 得 之 此 1 Ί 固 有 彎 曲 及 m 曲 資 料 可 由 靜 電 夾 盤 軟 體 控 制 i 8加 以 使 用 y>~V 請 1 先 1 而 用 於 決 定 及 儲 存 對 該 晶 圓 14之 記 憶 m 1 9中 之 最 小 夾 閱 讀 緊 電 m 俏 〇 此 在 記 憶 體 1 9中 所 儲 存 之 此 最 小 夾 緊 電 壓 值 背 面 ί ί 之 J - 在 該 晶 圓 1 4 之 後 餹 處 理 期 間 U 由 靜 電 夾 盤 電 壓 供 應 1 G ί 1 I 所 欲 施 加 牵 該 靜 電 夾 盤 1 2之 夾 m 電 m 值 1 如 此 取 小 的 夾 事 項 再 1 1 緊 電 m 偽 被 用 於 充 分 地 夾 緊 該 晶 圓 14 至 靜 電 夾 盤 1 2之 座 填 本 -V、 1 3 以 容 許 位 於 該 晶 圓 1 4 及 靜 電 夾 盤 1 2 間 之 高 熱 傳 導 9 此 頁 Ν_-· 1 I 舉 避 了 過 黡 的 晶 圓 14 之 背 制 磨 損 及 刮 傷 該 晶 圓 翹 曲 1 鼠 潮 工 具 2 0可 包 含 任 何 適 當 的 配 置 * 其 將 量 m 在 一 晶 圓 1 1 中 之 固 有 的 彎 曲 或 翹 曲 該 晶 圖 饉 曲 置 測 I 具 2 0 之 範 例 1 訂 配 置 將 參 考 第 3 及 4 圖 加 以 討 m 於 後 〇 1 現 參 考 第 2 圖 此 處 顯 示 了 靜 電 夾 盤 (E -夾盤)電 壓 對 1 1 晶 圓 翹 曲 之 一 範 例 圖 表 在 晶 圓 (像是晶圓1 〇 之 一 例 行 1 I (生産} 處 理 被 執 行 之 刖 1 像 是第2 圖中所顯示的範例曲線30 1 I 9 3 1 或 3 2m 被 制 定 9 該 檫 準 曲 線 像 是 30 (線性略_ >, 3 1 1 (顯示如- -虛線之向下彎曲略圖) 或 3 2 (顯示如- -虛線之 1 I 向 上 m 曲 略 圖 )偽依像是K -夾盤溫度之特定參數而定, ! 像 曰 疋 曲 線 30 ? 3 1 或 3 2之 曲 線 俗 在 不 同 晶 圓 之 例 行 處 理 前 1 1 經 式 地 加 以 制 定 J 此 等 曲 線 俗 被 儲 存 於 該 記 億 體 19 中 1 I 目. U 由 靜 電 夾 盤 軟 體 控 制 1 8可 加 以 存 取 t 該 曲 線 建 立 了 1 1 該 關 偽 , 由 此 針 對 將 被 例 行 處 理 之 一 恃 定 受 制 晶 圓 之 晶 1 Γ 圓 翹 曲 被 制 定 時 9 該 E ^ 8 夾 緊 電 壓 設 定 點 係 可 加 以 選 1 1 1 ί 1 1 本紙張尺廋適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 416182 a? B7 五、發明説明(7 ) 擇,用於獲得像是曲線30, 31或32之曲線的一種技術傺 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁〕 如下,藉由像是此後針對第3或4圖之一所敘述之任何適當 技術以預先量測其翹曲之一晶圓僳被置放於該靜電夾盤 12之上且自靜電夾盤電壓供應16施加一高夾緊電壓,一 預定壓力下之一氣體接箸僳被施加(藉由第1圃内未顯示的 裝置)於由受測晶圓之一背倒表面,該座13之一内表面 ,及該靜電夾盤12之一上表面所限制的區域内。如此加 壓之氣體俗被於決定是否該受測晶圓傺適當地被夾緊至 靜電夾盤12,該受測晶圖充分被夾緊至該靜電夾盤12 時,該背壓實質上保持地相當地穩定。被施加至靜電夾 盤12之該夾緊電壓接箸偽被緩慢地降低至該氣壓急遽地 改變為零止,此急遽的改變指示了一臨界電壓,其中該 靜電夾盤夾緊力已被該受測晶圚之背倒氣壓所超過,高 於臨界電壓之任何夾緊電壓值可被用作欲被儲存於該記 億體19中之一最小夾緊電β,此方法對於_試晶圓之最 小夾緊電壓制定了在第2圖之一單一曲線30, 31或32上之單 一點,為了經驗式地測定其他點以制定該樣準曲線30, 31或32,對其它不同翹曲之其它受潮晶圓且對於不同處 理條件重複此程序。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 現回復到第1圖,一旦該最小夾緊電壓及標準曲線30 ,31或32已如前述加以決定時,對於任何晶圓14之例行 (生産)處理規定随後的順序,該晶圓1 4藉由例如針對第 3及4画所敘述於後之任何適當配置加以量測其翹曲, 從第2圖中所獲得之該曲線可使該靜電夾盤軟體控制18 -9 -本紙張尺度適用中國國家標準(CMS ) Α4規格(2ΙΟΧ297公釐) 416182 ,; 五、發明説明(友) 轉換晶圓橋曲倌成為一特定晶圓1 4 (基於翹曲)之一夾緊 電壓值,且儲存伴隨該晶圓14之一關辭鑑定(例如一数 字,一條碼等)及在該晶圓14被例行地處理時所施加的 最小靜電夾緊電吊至該記憶體19中,當該晶圓14被置放 於靜電夾盤之座上時,其已被加熱至一穩定的預定溫 度,則該靜電夾盤軟體控制1 8對例行地加以處理之晶圓 14進行鑑定及從該記憶體19取得針對該晶圓14之預定最 小夾緊電壓,該靜電夾盤軟體控制18經由一或多痼導線 傳避控制信號至靜電夾盤電壓供應1G以産生由該記億體 取出在晶圓]4的處理期間被施加至該靜電夾盤1 2之最小 夾緊電Ρ。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 現參考第3圖,此處顯示了輿本發明一致用於量_一 晶圓14之固有翹曲或彎曲之一範例光學晶圓翹曲鼍測工 具20,該光學晶圓翹曲1潮工具20包含用於産生一狹窄 雷射光束4 8 (二光束傺以不同的角度加以顯示)之一雷射 以及一光檢潮器陣列4 fi,於操作中,欲加以量測之一晶 圓14像被置放於像是一台或座之一平的物體38上以使該 雷射可將該狹窄雷射光束掃描橫越晶圓14之受曝露表面 ,該雷射44貫注能鼍巨造成以一預定模式用狹窄雷射光 束48掃描横越晶圓丨4之受曝露表面,在雷射光束48中之 光線從光束48衝轚晶圓14之受曝露表而之各點處被反射 牵該光檢潮器陣列4 fi之一分別點上,該光束4 8衝擊光檢 測器陣列4 fi之該點偽依光束4 8衝繫晶圓1 4之點處的晶圓 14翹曲景而定,換言之從該晶圓14之受曝露表面之一或 -1 0 -本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 416182 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明 ( 9 ) 1 i 多 値 預 定 點 所 反 射 的 光 線 將 依 晶 圓 1 4 中 之 固 有 翹 曲 量 加 1 1 以 反 射 至 光 檢 m 器 陣 列 4 G之 不 同 點 > 此 資 訊 傜 經 由 導 線 1 1 2 2從 該 光 檢 測 器 陣 列 4 6被 傳 遞 至 靜 電 夾 盤 軟 體 控 制 18 > 請 1 先 1 該 靜 電 夾 盤 軟 體 控 制 18 白 光 檢 m 器 陣 列 4 6找 出 與 晶 圓 m 閲 ik 曲 數 儐 相 m 的 資 訊 S a 於 該 晶 m 之 後 鑛 處 理 期 間 從 如 此 背 i 1 之 1 數 價 決 定 應 施 加 至 靜 電 夾 盤 1 2 之 最 小 夾 緊 電 壓 (於第 ί 1 1 1 圖 中 所 顯 示 者 ), 由 靜 電 夾 盤 軟 體 控 制 18所 決 定 之 此 最 事 項 I I 再 小 夾 緊 電 m 以 及 經 p 式 地 加 以 測 試 之 該 R 圓 1 4 之 一 鑑 定 填 寫 未 ·〆·*> 係 被 儲 存 於 靜 電 夾 盤 軟 體 控 制 1 8之 記 億 體 3¾ V9内 之 一 檢 査 頁 >—-· 1 I 表 (来顯示) 内 1 該 靜 電 夾 盤 -ΟΤΙ. 軟 體 控 制 18餻 定 該 受 處 理 晶 ί 圆 ]4 a 針 對 該 晶 圔 14獲 得 先 * 1 刖 儲 存 於 記 憶 體 1 9 中 之 最 小 1 1 夾 緊 電 Μ 該 靜 罨 夾 盤 軟 體 控 制 1 8送 出 ^-· 對 trtrr 的 控 制 信 Ί 訂 號 牵 靜 電 電 供 應 以 便 在 該 晶 團 受 到 處 理 時 造 成 靜 電 夾 1 盤 夾 緊 電 m 被 設 定 至 所 指 示 的 曰 取 小 夾 緊 電 壓 應 瞭 解 第 ] 1 3 圖 之 光 學 晶 圓 翹 曲 置 潮 工 具 2 0僳 可 被 用 於 第 1 圖 之 晶 1 I 圓 翹 曲 虽 測 工 具 20 之 一 範 例 配 置 〇 i I 現 參 考 第 4 圖 S 此 處 顯 示 了 非 常 近 似 於 第 1 圖 之 % 統 1 1 0 之 靜 電 夾 盤 % 統 1 0 〇之- -圖目提供了與本發明- -致用 1 1 於 決 定 晶 圓 翹 曲 在 第 1 _ 之 晶 圓 翹 曲 最 m 工 具 2 0 之 一 範 l 1 例 W 容 配 置 之 持 定 具 體 實 例 輿 % 统 1 0 之 元 件 相 同 的 1 % 統 It) 0之元件偽具備相同的指定碼, 該条統1 0 0包 含 __, 1 1 靜 電 夾 盤 12 Η , -靜電夾盤電壓供應1 β, 以及包括- -記 1 1 億 體 1 9 之 靜 電 夾 盤 軟 體 控 制 1 8 » 該 靜電夾 盤 illL 1 2 〇偽 1 Γ 為 糸 統 10 之 夾 盤 ΛΠ, 12 之 改 -1 良 1 - 販 且 包 含 座 13 〇 , 其上置 1 1 i 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Μ規格(210X 297公釐) 416182 A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明说明 (、 〇 ) 1 1 放 一 晶 圓 1 4 一 第 —1 電 極 40及 一 第 二 電 極 4】 在從靜 電 夾 1 1 盤 電 m 供 應 ]f·所 施 加 時 用 於 在 晶 圓 1 4 之 上 提 供一夾 緊 力 ! 1 靜 電 夾 盤 1 2 〇之電楝4 0及Ί 1之配置俱為眾所周知且 請 1 先 1 被 顯 示 於 例 如 於 1994 年 (5月2 8曰所公佈之美國專利號碼 閲 讀 5 , 2 5, 2C 1 ( Η 〇 r私 i t Z )中 者 * 其 % 針 對 所 有 的從此 m 由 背 面 1 [ 之 J- 參 考 加 以 紐 合 於 此 * 該 靜 罨 夾 盤 1 2 0 , 靜電夾盤電壓供 注 意 1 章 1 盼· m 1 0 靜 電 夾 盤 軟 體 控 制 18與 記 億 體 1 9分 別 針對如 第 1 項 1 m 之 元 件 1 2 1 G 3 8及 1 9所 ti 之 相 同 方 式 作 用。 填 % 本 -V'- 該 % 统 1 00亦包栝- -晶圓翹曲量測配置, 其形成第1 頁 1 I 阖 之 晶 圓 翹 曲 罱 X 具 而 包 含 電 容 量 m 裝 置 50,及 在 由 1 隔 開 絶 m 器 5 2之 靜 電 夾 盤 J3SX 1 20之第- -及第二電楝4 0及4 1 1 1 之 * 上 表 而 上 於 預 定 點 處 加 以 置 放 的 複 數 宿 金屬層 54 '! 訂 該 金 屬 m S 4 偽 電 氣 式 地 經 由 _. 電 線 或 m 流 排 之隔開 導 绵 1 加 以 連 接 » E 該 電 容 最 潮 裝 置 50# m 由 ~* 導 線59加 以 連 1 1 接 至 靜 電 夾 盤 軟 aigl m 控 制 18 〇 1 於 操 作 中 一 晶 圓 14 偽 被 定 位 於 該 座 13 〇, 且位於晶 1 1 圓 1 4之 背 m 表 面 及 在 第 一 或 第 二 電 m 4 0或 4 1上之一 金 屬 1 層 5 4 之 下 間 位 於 所 有 點 處 之 一 電 容 56係 被 産 生,與 金 屬 1 1 S 4 所 關 聯 的 所 有 電 容 5(5傈 由 電 容 量 測 裝 置 5f)加以 量 測 1 » 該 電 容 星 潮 裝 置 5 0 轉 化 雷 容 罱 m 成 為 對 應 的電氣 控 制 1 I 信 m 卞 其 偽 經 由 線 5 9被 傳 遞 牵 靜 電 夾 盤 軟 體控制 18 ♦ 1 I 該 靜 電 夾 盤 軟 _ 梓 制 1 8接 收 從 電 容 鼠 m 裝 置 5 0來之 電 容 1 1 測 1 η 轉 化 m 電 容 屋 測 成 為 對 應 的 晶 圓 翹 曲倌, 該 靜 1 I 電 夾 盤 軟 餺 控 制 1 8 使 用 受 1 測 的 晶 圓 翹 曲 去 播得欲 針 對 ί 1 -1 2 - 1 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210 X 297公釐) 416182 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明 ( U ) 1 I 晶 圓 1 4所 使 用 一 最 小 夾 緊 電 m a 儲 存 如 此 曰 取 小 夾 緊 電 1 1 m 與 晶 圓 1 4之 - 鑑 定 於 記 憶 體 1 f 中 * 於 該 晶 圓 1 4 之 後 1 1 m 處 理 期 間 ·> 靜 電 夾 盤 軟 m 控 制 1 8使 用 晶 圓 1 4 之 鑑 定 以 請 1 先 1 θ 記 憶 m 1 S 處 獲 得 欲 輿 晶 圓 1 4 起 使 用 之 最 小 夾 緊 電 壓 閲 讀 i 該 靜 電 夾 盤 軟 體 W 制 1 8送 出 一 對 應 的 捽 制 fe 號 至 靜 電 背 i 之 電 供 m 以 诰 成 靜 電 電 壓 供 m 1 f , 目. 在 晶 _ 14之 後 注 意 1 I 鵃 ΪΓΪ'Τ 處 理 期 間 施 加 最 小 夾 緊 電 m 靜 電 夾 盤 之 電 m 40及 4 1 » 事 項 1 I 再 1 根 據 本 發 明 9 位 於 一 靜 電 夾 盤 1 2 或 1 2 0上欲在後鑛加 填 % 本 以 處 理 之 各 晶 _ 1 4 中 之 固 有 翹 曲 偽 受 到 最 測 , 目' 在 該 晶 頁 1 1 圓 1 4 被 處 理 時 從 用 於 後 m 用 途 所 測 的 翹 曲 來 決 定 9 用 1 於 個 晶 圓 之 取 小 夾 緊 電 俗 被 儲 存 於 靜 電 夾 盤 軟 體 控 制 1 l 1 8 及 用 於 晶 圓 1 4 之 —* 預 定 鑑 定 的 一 掴 記 億 m 1ΙΛΛ 1 9 内 1 當 該 Ί 訂 晶 圓 】4後 m 傜 於 靜 電 夾 盤 1 2或 1 2 0上加以處理時, 該晶 1 圓 1 4之 鑑 定 傜 為 靜 電 夾 盤 Jjtk 軟 體 控 制 18所 用 以 存 取 記 憶 體 1 1 1 9 讀 出 針 對 晶 _ 1 4所 儲 存 的 最 小 夾 緊 電 壓 此 夾 緊 電 1 I 接 m 在 晶 圓 1 4 之 處 理 期 間 被 施 加 至 靜 電 夾 盤 1 2或 12 〇c 1 1 m 明 瞭 及 瞭 解 敘 述 於 上 本 發 明 之 待 定 具 體 實 例 僅 為 1 該 發 明 的 通 刖 之 擧 例 説 明 > 不 同 的 改 善 可 由 熟 習 於 此 而 1 1 1 所 π 明 的 規 則 —- 致 技 m 者 所 作 成 例 如 從 上 逑 之 光 學 1 及 m 容 法 而 在 先 前 技 U 内 為 人 所 知 的 仟 何 其 他 適 當 的 光 1 ί 學 或 其 他 的 m 曲 鼠 测 配 置 可 她 俄 用 於第1 圖之晶圓翹曲量 1 1 m 工 具 〇 1 1 應 明 瞭 m 靜 電 夾 盤 軟 體 控 制 ]8 及 靜 電 夾 盤 電 m 供 應' 1 I 1 (5 可 以 動 地 設 定 在 靜 電 夾 盤 上 之 夾 緊 電 壓 牵 一 最 小 值 1 1 ^ 1 3- t 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(2丨OX 297公釐) 416182 at B7 五、發明説明(^ ) 而用於適當地將一晶圓夾緊至靜電夾盤,然而如果在晶 圓14處理期間熱與氣頰之特定參數稍撤變化時,在實用 丄建諶將夾緊電壓設定於稍為在受指示的最小雷險值之 上以保證晶圓Η對靜電夾盤〗2或1 2 0之適當夾緊,如此用 於一特殊晶圓1 4之略增的最小夾緊電顒可被儲存於記憶 體]3内以取代經驗式所量測最小夾緊電壓。 t請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部中央橾準局員工消費合作社印製 -14- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X2?7公釐) 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 416182 A7 B7 五'發明説明(4) 元件對照表 10,100.....靜電夾盤糸統 1 2 τ 1 Zfl.....靜電夾盤 14......晶圓 1「>......靜電夾盤電壓供應 1 8......靜電夾盤軟體控制 t 9......記憶體 2 0,5 0,5 2 , 5 4 .....晶圓翹曲星測工具 2 2,24,26,59.....導線 3 (1 , :U . 3 2.....範例曲線 38......物體 4 0......第一電搔 4 1......第二電極 4 4......雷射 4 «1......光檢測器陣列 48......雷射光束 52......隔開絶緣器 5 4......金屬層 5 0......雷容 1 mi.....m -1 5 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) (請先鬩讀背面之注意事項再填寫本頁)
Claims (1)
- 416182 A8 Β8 C8 D8 經濟部中央標準局員工消費合作社印策 六、申請專利範圍 1 1 1 .- -種用於處理半導體晶圓及類似裝置之裝置 其特徵爲其包含 : 1 1 — 靜 電 夾 盤 其 包 含 » 夾 緊 表 面 用 於 藉 作 用 在 該 晶 1 1' 圆 上 之 一 夾 緊 力 來 夾 緊 晶 圃 於 彼 1 該 夾 緊 力 視 被 施 請 1 先 1 加 該 m 電 夾 盤 處 之 夾 緊 電 m 而 定 5 以 及 閱 讀 I — 捽 制 配 置 用 以 潮 品 圓 内 之 —^ 固 有 翹 曲 * 且 背 面 1 | 之 1 使 用 m. 測 所 得 之 固 有 晶 圓 m 曲 以 便 在 被 置 放 於 夾 緊 注 意 1 I 表 而 上 的 該 晶 圓 之 處 理 期 間 測 定 欲 被 施 加 於 靜 電 夾 盤 举 項 1 1 再 I 之 _.. 最 小 夾 緊 電 壓 * 而 得 以 避 免 在 將 該 晶 圓 牢 牢 地 夾 4 % 本 1 緊 牵 夾 緊 表 而 時 該 晶 圓 之 過 度 翹 曲 及 背 側 磨 損 〇 頁 1 1 2 .如申請專利範圍第1項 之 裝 置 ,其中該控制配置包含: 1 1 -一 m 曲 最 m 配 置 7 用 於 暈 測 m 越 該 晶 圓 之 一 表 面 處 1 I 之 — 固 有 _ 曲 肇: 目 産 生 代 表 受 1: m 晶 圖 翹 曲 量 之 輪 1 訂 出 梓 制 信 號 ; 以 及 1 ~. 控 制 器 > 對 從 該 蜃 測 配 置 得 到 之 輸 出 控 制 信 號 反 1 I m > 以 m 得 用 於 該 RH 圓 之 一 預 定 白 取 小 夾 緊 電 f 其 取 1 1 1 決 於 受 1 m 的 固 有 晶 m m 曲 » a 在 該 晶 圓 之 後 壤 處 理 1 1 期 間 用 於 施 加 所 m 得 的 最 小 夾 緊 電 m 至 該 靜 電 夾 盤 〇 锊 1 3 .如申謓專利範圍第2 項之裝置, 其中該量測配置包 \ \ 含 一 電 容 晶 圓 翹 曲 鼍 潮 工 具 用 於 I- 測 跨 越 該 晶 圓 之 一 1 1 表 而 之 預 定 點 處 之 電 容 1比 處 位 於 該 預 定 點 間 電 容 之 1 1 改 偽 根 據 該 晶 圓 内 题 曲 之 改 而 定 〇 1 1 4 .如申請專f j範_第:i 項之裝置, 其中: 1 ! £c:· ηψ 霄 夾 盤 j 包 含 被 連 接 至 控 制 配 置 之 至 少 —1 電 極 t ί | 其 用 於 對 置 放 於 該 夾 m 表 面 上 之 RR 圓 産 生 夾 緊 力 1 以 1 1 -1 e- 1 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家標牟(CNS ) Α4規格(210 X 297公釐) ABCD 416182 六、申請專利範園 及 電容晶圓翹曲鼠制工具,包含: (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 複數個絶緣分隔金屬層,其被置放於至少一電極上 ,毎一層提供與該晶圓之郯近表而之一分別的電容; 以及 一電容圍測裝置,用於最測在複數橱金屬層之每一 層鼠測該電容,民對該控制器提供一分別對應的控制 信號而在該晶圓之一後孃處理過程用於測定提供 給該靜電夾盤之最小夾緊電阸。 π.如申請專利範圍第;ί項之裝置,其中該翹曲羃:測配 菁包含一光學晶圓翹曲肇:測配置用於匿測在該晶圓中 之固有翹曲。 .如申請專利範圍第5項之裝置,其中該光學翹曲量測 配置包含: 一雷射,用於以一狹窄雷射光束掃描橫越該晶圓之 一曝露表而;以及 一光檢測器陣列,被配置用來截斷從該晶圓之曝露 表商所反射之雷射光束及對於該控制器提供一控制信 猇以顯示該晶圖之一翹曲最。 經濟部中央橾隼局員工消費合作社印製 7 .如申請專利範園第丨項之裝置,其中該控制配置包 含: 一翹曲鼠削配詈,用於1測跨越該晶圓之一固有翹 曲雇及库生代表所1測到的晶圖·曲之一輪出控制倍 猇;以及 -1 7 - 本紙張尺度適用中國國家樣準(CNS ) Α4規格(210 X 297公釐) 416182 鉍 C8 D8 經濟.邱中央標準局員工消f合作社印装 六、申請專利範圍 1 1 一 軟 體 W. 制 > 包 含 1 1 記 億 BM 體 ) 用 於 儲 存 有 關 對 於 各 晶 圓 之 一 最 小 夾 緊 ! 1 電 m. 及 對 於 在 該 靜 電 夾 盤 上 後 m 欲 被 處 理 之 各 晶 圓 之 請 1 先 1 一 各 別 鑑 定 的 資 料 以 及 閱 讀 1 — 捽 制 器 對 從 該 m. 曲 鼠 m 配 置 得 到 之 輸 出 控 制 信 背 面 1 I 之 1 猇 應 1 以 潮 定 與 儲 存 欲 被 用 在 根 據 所 擊: m 的 晶 圖 翹 注 意 1 1 曲 之 各 受 辨 ΐ»ΪΛ 晶 _ 之 該 m 小 夾 緊 電 於 記 憶 m 中 月. 事 項 1 I 再 1 用 於 針 對 被 處 理 之 一 晶 圓 白 該 記 億 體 讀 出 欲 被 施 加 在 填 士 1 裝 1 | 該 靜 電 夾 盤 上 之 曰 小 夾 緊 電 m 〇 本 頁 8 + — -種用於處理半導體晶圓及類似裝置之裝置, 其特徵爲其包含 1 i — 靜 電 夾 盤 1 其 包 含 夾 緊 表 而 闬 於 置 放 該 晶 圖 於 1 | 其 丄 1 訂 夾 m 雷 Μ 産 生 裝 置 對 控 制 信 號 反 m 以 對 於 該 1 靜 雷 夾 盤 産 生 一 m 擇 性 的 夾 緊 電 壓 而 對 —" 置 放 於 該 夾 1 I 表 而 上 之 晶 圓 提 供 對 腠 的 夾 緊 力 ; 以 及 1 I 一 制 配 置 用 m 潮 該 晶 國 内 之 一 固 有 m 曲 * 且 從 1 1 1 m 所 得 之 固 有 翹 曲 決 定 對 於 該 晶 圓 之 一 最 小 夾 緊 電 絲 I m * 'Ϊ; η 産 生 一 輪 出 控 制 信 號 以 顯 示 一 潮 定 之 曰 取 小 夾 1 i 緊 電 m 以 便 傳 送 夾 緊 /Vf3* m 産 生 裝 置 以 在 晶 圓 處 理 過 1 1 稈 中 對 nr 電 夾 盤 0. 生 曰 取 小 夾 緊 電 m 1 此 處 之 該 最 小 夾 1 I 緊 雷 m 具 有 . 數 if S 其 可 m 在 牢 牢 地 夾 緊 該 晶 圓 於 1 1 夾 緊 表 而 丄 時 該 晶 圓 之 過 度 翹 曲 及 背 倒 磨 損 〇 ί j 9 . ίί| Ί申譆專利範圍第8 項之裝置, 其中該控制配置包 1 1 : 1 1 -t 8 - 1 1 1 1 本紙張足度適用中國國家梂準(CNS ) A4規格(2I0X297公釐) A8 416182 ll D8 六、申請專利範圍 一翹曲量測配置,用於量測跨越該晶圓之一表面處 之一固有翹曲量且産生代表受量測晶圓翹曲量之一輸 出控制倍號;以及 一控制器,對從該翹曲量測配置得到之輪出控制信 號反瞜以獲得用於該晶圓之一預定最小夾緊電壓,其 取決於受量測的固有晶圓翹曲,且在該晶圓之一後績 處理期間將所獲得的最小夾緊電壓施加至該靜電夾盤。 10.如申請專利範圍第9項之裝置,其中該翹曲量測配 置包含一電容晶圓翘曲量测工具用於量測跨越該晶圓 之一表面之預定點處之一電容,此處位於該預定黏間 電容上之一改變是稂據該晶圓内翹曲之改變而定。 Π.如申請專利範圍第10項之裝置,其中: 詼靜電夾盤包含被連接至控制配置之至少一電棰共 用於對受裝設於該夾緊表面上之晶圓産生夾緊力;以 及 該電容晶圓翹曲量測工具包含: 複數傾被裝設於至少一電搔上之絶緣分隔金屬層以 與該晶圓之鄰近表面提供一分別的電容;以及 經濟部中央標準局—工消费合作社印製 «^^^1 n nn pl^^i n^i ^^^^1 1 .J. (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 一電容量測裝置,用於量測在各別複數個金屬層之 每一層量測該電容,且對該控制器提供一分別的對應 控制信號而在該晶圓之一後缠處理過程用於測定欲波 提供至該靜電夾盤之最小夾緊電壓。 12.如申請專利範圍第9項之裝置,其中該翹曲量測配 置包含一光學晶圓翹曲量測配置用於量測在該晶圓中 -1 9-本紙張尺度逋用中國國家標準< CNS ) A4規格(2IOX297公釐) A8 416182 晋 D8 六、申請專利範圍 之固有翹曲。 13.如申請專利範圍第12項之裝置,其中該光學翹曲量 測配置包含: 一雷射用於以一狹窄雷射光束掃描跨越該晶圓之一 曝露表面;以及 一光檢測器陣列,被設置用來截斷從該晶圓之曝露 表而所反射之雷射光束及對於該控制器提供一控制信 號以指示該晶圓之一翹曲量》 1 4 如申請專利範圍第8項之裝置,其中該控制配置包 含: 一翹曲量測配置,用於量制跨越該晶圓之一固有翹 曲量及産生代表所量測到的晶圓翹曲之一輸出控制信 號;以及 一軟體控制包含: 一記億體,用於儲存關於使用於各晶圓之最小夾緊 電壓及使用於各晶圓在該靜電夾盤上作後缠處理時作 分別辨認;以及 經濟部中央標準局員工消費合作社印裂 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 一控制器,對從該翹曲量測配置得到之输出控制信 號反應以決定與儲存於記億體中基於所量測的晶圓翹 曲而使用於每一個被辨識晶圓之最小夾緊電壓,且用 於針對被處理之一晶圓自該記憶體讀出欲施加於該靜 電夾盤上之最小夾緊電壓》 15. —種用於處理半導體晶圓及類似裝置之裝置,其特徵爲其包含: 一靜電夾盤,其包含一夾緊表面及一夾緊電壓産生 -2 0 -本紙張凡度適用中國國家標牟(CNS ) A4洗格{ 210X25>7公釐) ABCD 416182 經濟部中央橾隼局B工消資合作社印製 六、申請專利範 圍 1 1 裝 置 用 於 産 生 一 m 擇 性 的 夾 緊 電 壓 以 對 裝 設 於 該 夾 緊 1 1 表 面 上 之 一 晶 圓 提 供 對 應 的 夾 緊 力 ; 1 1 一 翹 曲 量 測 配 置 用 於 量 測 在 該 靜 電 夾 盤 上 欲 加 以 請 1 先 1 處 理 之 該 晶 圓 内 之 一 固 有 翹 曲 i 旦 用 於 産 生 代 表 受 量 閲 讀 I m 翹 曲 量 之 一 輸 出 信 號 » 以 及 背 ιέ 1 I 之 1 - 控 制 配 置 > 對 從 該 翹 曲 量 測 配 置 所 輸 出 之 信 號 反 注 意 1 I 應 以 決 定 一 取 小 夾 緊 電 Μ » 其 牢 牢 地 夾 緊 該 晶 圓 於 夾 項 1 1 緊 表 面 且 基 於 由 翹 曲 量 測 配 置 所 量 m 所 量 測 的 晶 圓 翹 填 寫 本 1 A 曲 量 可 避 免 該 晶 圓 之 過 度 翹 曲 及 苛 倒 磨 損 » 以 及 用 於 頁 1 I 對 該 夾 緊 電 壓 産 生 裝 置 産 生 一 輸 出 控 制 信 號 以 便 在 詼 1 1 晶 圓 之 一 後 續 處 理 期 間 使 得 曰 取 小 夾 緊 電 壓 被 施 加 至 詼 1 I 靜 電 夾 盤 〇 1 訂 1 6 .如申請專利範圍第1 5項之裝置, 其中該翹曲量測配 1 置 包 含 一 電 容 晶 圓 翹 曲 量 測 工 具 用 於 量 測 跨 越 該 晶 團 1 I 之 一 表 商 之 預 定 點 處 之 電 容 * 此 處 位 於 該 預 定 點 間 電 1 I 容 上 之 改 變 偽 根 據 該 晶 圔 内 m 曲 之 改 變 而 定 〇 1 f 17. 如 申 請 專 利 範 圍 第 16項 之 裝 置 9 其 中 ; W ] 該 靜 電 夾 盤 包 含 被 連 接 至 控 制 配 置 之 至 少 一 電 極 其 1 1 用 於 對 裝 設 於 該 夾 緊 表 面 上 之 晶 圓 産 生 夾 緊 力 ; 以 及 1 1 該 電 容 晶 圓 翹 曲 量 m 工 具 包 含 1 I 複 數 値 被 裝 設 於 至 少 — 電 極 上 之 绝 緣 分 隔 金 m 層 以 1 1 提 供 與 該 晶 圓 之 鄰 近 表 面 之 一 分 別 的 電 容 以 及 1 1 一 電 容 量 測 裝 置 s 用 於 量 潮 在 複 數 個 金 展 層 之 每 — I 層 置 m 該 電 容 I 且 對 該 控 制 器 提 供 一 分 別 對 m 的 控 制 1 1 -Z 1 - 1 1 [ 1 本紙張尺度適用中國國家橾準(CNS ) A4说格(210X297公釐) ABCD 416182 六、申請專利範圍 倍號,而在該晶圓之一後續處理過程中用於決定欲被 提供給該靜雷夾盤之最小夾緊電壓。 ί 8 .如申譆專利範圍第1 5項之裝置,其中該翹曲量測配 置包含一光學晶圓翹曲量測配置用於景測在該晶圓中 之固有翹曲。 19.如申請專利範圍第18項之裝置,其中該光學翘曲垦 剷配置包含: 一雷射,用於以一狹窄當射光束掃描跨越該晶_之 一曝露表而;以及 一光檢測器陣列,被設置用來截斷從該晶圓之曝露 表而所反射之雷射光束及對該控制器提供一控制信號 以指示該晶圓之一翹曲鼍。 2 ί).如申請專利範圍第1 5項之裝置,其中該控制配置包 含一軟體控制,其包含: 一記億體,用於儲存關於各晶圓之一最小夾緊電壓 及對在該靜電夾盤上後續被處理之各晶圓之一分別辨 識資料;以及 一控制器,對從該翹曲量測配置得到之輸出控制信 號反應以決定儲存於記憶體中之被用在基於所量測的 晶圓翹曲之各被辨試之晶圓之該最小夾緊電壓,且用 於針對被處理之一晶圓自該記億體謖出藉由該夾緊電 壓産生裝置施加在該靜電夾盤上之最小夾緊電壓。 21.—種處理半導體晶圓及類似裝置之方法,其特徵爲其包含: 置放一晶圓於一預定表而上; -2 2 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210Χ297公釐) ---------I------,玎-------^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部4-央標率局貝工消費合作社印裝 A8 DO416182 gj六、申請專利範圍 使 將 定 決 曲 翹 之 圓 曰RH及 該以 S ; 量壓 前電 之緊 理夾 處小 被最 圓之 晶圓 該晶 於於 用 電地 靜固 對牢 並壓 上電 面緊 表夾 緊小 夾最 一 之 之處 盤此 夾 , 電壓 靜電 一 緊 於夾 圓小 晶最 該加 放施 置盤 夾 磨 側 背 及 曲 翹 度 過 圖 晶 了 免 避 且 面 表 緊 夾 至 緊 夾 該 。 將損 曲 翹 之 圓 晶 該 中 其 法 方 之 項 1 2 第 圍 範 利 專 請 ¢ 固 圓 晶 該 測 量 具 工 測 量 曲 翹 圓 晶 學 光 用 使 含 。 包曲 測翹 量 有 曲 翹 之 圓 晶 該 中 其 法 方 之 項 1 2 第 圍 範 利 專 請 串 如 固 圓 晶 該 0 量 具 Η 測 量 曲 翹 圓 晶 容 電 1 用 使 含 0 包曲 測翹 量有 夾 小 最 該 定 決 中 其 法 方 之 項 1 2 第 圍 範 利 專 0 申 如 含 包 壓 eBl 緊 待 獨 1 及之: 以圓含 ; 晶包 壓用放 電使置 緊所之 夾及圓 小壓晶 最電該 之緊中 用夾其 使小而 所最中 圓的體 晶定憶 該決記 對所一 定存於 決儲識 辨 (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 r 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 上 面 表 緊 夾 之 盤 夾 電 靜 在 定 決 以及 圓以 晶 -, 的壓 用電 使緊 所夾 放小 置最 之 壓 電 緊 夾 小 最 之 存 儲 。 所壓 圓電 晶緊 該夾 為小 出最 讀加 處施 體盤 億夾 記電 該靜 從對 及 本紙張尺度適用中國國家標率(CNS ) A4規格(210X297公釐)
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US08/996,576 US5872694A (en) | 1997-12-23 | 1997-12-23 | Method and apparatus for determining wafer warpage for optimized electrostatic chuck clamping voltage |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW416182B true TW416182B (en) | 2000-12-21 |
Family
ID=25543076
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW087121521A TW416182B (en) | 1997-12-23 | 1999-01-19 | Method and apparatus for determining wafer warpage for optimized electrostatic chuck clamping voltage |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5872694A (zh) |
EP (1) | EP0926708A3 (zh) |
JP (1) | JPH11251420A (zh) |
KR (1) | KR100592524B1 (zh) |
CN (1) | CN1150608C (zh) |
TW (1) | TW416182B (zh) |
Families Citing this family (47)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6113165A (en) * | 1998-10-02 | 2000-09-05 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Self-sensing wafer holder and method of using |
US6452291B1 (en) * | 1999-07-01 | 2002-09-17 | Voyan Technology | Reduction of switching transients via large signal/small signal thresholding |
JP2002009140A (ja) * | 2000-06-22 | 2002-01-11 | Mitsubishi Electric Corp | 静電チャック装置 |
JP4634581B2 (ja) * | 2000-07-06 | 2011-02-16 | キヤノンアネルバ株式会社 | スパッタリング方法、表面処理方法、スパッタリング装置及び表面処理装置 |
EP1184894B1 (en) * | 2000-08-29 | 2007-11-21 | Qimonda Dresden GmbH & Co. oHG | Method of operating a susceptor for semiconductor wafers |
US6403322B1 (en) | 2001-03-27 | 2002-06-11 | Lam Research Corporation | Acoustic detection of dechucking and apparatus therefor |
JP3639546B2 (ja) * | 2001-07-25 | 2005-04-20 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置及び半導体装置の製造方法 |
US7198276B2 (en) * | 2003-10-24 | 2007-04-03 | International Business Machines Corporation | Adaptive electrostatic pin chuck |
US6950176B1 (en) * | 2004-01-12 | 2005-09-27 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method and system for monitoring EUV lithography mask flatness |
US20050174665A1 (en) * | 2004-02-09 | 2005-08-11 | Xiaofeng Zhang | Electrical current measurements at head-disk interface |
JP2005353988A (ja) * | 2004-06-14 | 2005-12-22 | Canon Inc | 板状体搬送方法、搬送装置及び露光装置 |
US7452793B2 (en) * | 2005-03-30 | 2008-11-18 | Tokyo Electron Limited | Wafer curvature estimation, monitoring, and compensation |
US7292428B2 (en) * | 2005-04-26 | 2007-11-06 | Applied Materials, Inc. | Electrostatic chuck with smart lift-pin mechanism for a plasma reactor |
CN100383413C (zh) * | 2006-04-21 | 2008-04-23 | 上海大学 | 单体太阳电池在线测试用防碎、防粘连移栽吸盘 |
US20080084650A1 (en) * | 2006-10-04 | 2008-04-10 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method for substrate clamping in a plasma chamber |
JP2008116354A (ja) * | 2006-11-06 | 2008-05-22 | Nec Electronics Corp | 反り測定システム、成膜システム、及び反り測定方法 |
DE102006057075A1 (de) * | 2006-11-30 | 2008-06-05 | Friedrich-Schiller-Universität Jena | Verfahren und Vorrichtung zur Messung der Form eines Wafer-Chucks |
US8149562B2 (en) * | 2007-03-09 | 2012-04-03 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | System for decharging a wafer or substrate after dechucking from an electrostatic chuck |
US7957827B2 (en) * | 2007-12-27 | 2011-06-07 | United Microelectronics Corp. | Method of controlling statuses of wafers |
US7558045B1 (en) * | 2008-03-20 | 2009-07-07 | Novellus Systems, Inc. | Electrostatic chuck assembly with capacitive sense feature, and related operating method |
JP2010123810A (ja) * | 2008-11-20 | 2010-06-03 | Ulvac Japan Ltd | 基板保持装置及び基板温度制御方法 |
US7957118B2 (en) * | 2009-04-30 | 2011-06-07 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Multi-zone electrostatic chuck and chucking method |
JP5412270B2 (ja) | 2009-12-28 | 2014-02-12 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 走査電子顕微鏡 |
CN103065997B (zh) * | 2011-10-19 | 2015-08-05 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 晶圆承载设备及晶圆承载的方法 |
CN103066000B (zh) * | 2011-10-19 | 2015-11-25 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 晶圆承载设备及晶圆承载的方法 |
US8709528B2 (en) * | 2011-12-28 | 2014-04-29 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Wafer processing method and system using multi-zone chuck |
KR101273921B1 (ko) | 2013-01-16 | 2013-06-12 | (주)코셈 | 정전용량 센서 어레이 패널을 이용한 콜렛의 수평도 및 압력 측정 시스템 |
JP6180909B2 (ja) * | 2013-12-06 | 2017-08-16 | 東京エレクトロン株式会社 | 距離を求める方法、静電チャックを除電する方法、及び、処理装置 |
US9891266B2 (en) | 2014-02-25 | 2018-02-13 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Test circuit and method |
CN106255924B (zh) | 2014-05-06 | 2019-12-10 | Asml荷兰有限公司 | 衬底支座、用于在衬底支撑位置上加载衬底的方法、光刻设备和器件制造方法 |
CN104900576A (zh) * | 2015-05-27 | 2015-09-09 | 上海华力微电子有限公司 | 一种静电吸盘静电吸力分布的调节方法 |
CN108604568B (zh) * | 2016-01-19 | 2023-10-10 | 因特瓦克公司 | 用于基板处理的图案化卡盘 |
JP6462614B2 (ja) * | 2016-03-16 | 2019-01-30 | 東芝メモリ株式会社 | パターン精度検出装置及び加工システム |
KR102644272B1 (ko) | 2016-10-31 | 2024-03-06 | 삼성전자주식회사 | 정전척 어셈블리 |
US10879094B2 (en) * | 2016-11-23 | 2020-12-29 | Applied Materials, Inc. | Electrostatic chucking force measurement tool for process chamber carriers |
US11114327B2 (en) * | 2017-08-29 | 2021-09-07 | Applied Materials, Inc. | ESC substrate support with chucking force control |
US10692749B2 (en) | 2017-12-05 | 2020-06-23 | Axcelis Technologies, Inc. | Method to provide consistent electrostatic clamping through real time control of electrostatic charge deposition in an electrostatic chuck |
JP7101029B2 (ja) * | 2018-04-12 | 2022-07-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 静電チャック、基板処理装置、及び、基板保持方法 |
JP7246154B2 (ja) * | 2018-10-02 | 2023-03-27 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置及び静電吸着方法 |
WO2020126963A1 (en) | 2018-12-20 | 2020-06-25 | Asml Netherlands B.V. | Object table comprising an electrostatic clamp |
WO2020163073A1 (en) * | 2019-02-06 | 2020-08-13 | Applied Materials, Inc. | Method and tool for electrostatic chucking |
JP2022524034A (ja) | 2019-03-08 | 2022-04-27 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 基板処理チャンバ向けのチャッキングのプロセス及びシステム |
JP7108585B2 (ja) * | 2019-08-16 | 2022-07-28 | 日本特殊陶業株式会社 | 保持装置 |
CN110556332B (zh) * | 2019-10-14 | 2022-11-08 | 长江存储科技有限责任公司 | 静电吸附装置及晶圆吸附方法 |
JP7449198B2 (ja) | 2020-08-20 | 2024-03-13 | 株式会社日立ハイテク | 荷電粒子ビーム装置 |
JP6902215B1 (ja) * | 2020-12-14 | 2021-07-14 | 日新イオン機器株式会社 | イオン注入装置 |
US11562918B2 (en) * | 2021-01-07 | 2023-01-24 | Advanced Energy Industries, Inc. | Wafer chucking monitor using high frequency injected AC signal |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5732629A (en) * | 1980-08-07 | 1982-02-22 | Seiko Epson Corp | Mask aligner |
JPS59208741A (ja) * | 1983-05-12 | 1984-11-27 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体ウエ−ハ用吸着チヤツク装置 |
WO1988009054A1 (en) * | 1987-05-06 | 1988-11-17 | Labtam Limited | Electrostatic chuck using ac field excitation |
US5325261A (en) * | 1991-05-17 | 1994-06-28 | Unisearch Limited | Electrostatic chuck with improved release |
US5202748A (en) * | 1991-06-07 | 1993-04-13 | Litel Instruments | In situ process control system for steppers |
JPH06163674A (ja) * | 1992-11-18 | 1994-06-10 | Hitachi Ltd | 試料保持装置のモニタ方法 |
US5436790A (en) * | 1993-01-15 | 1995-07-25 | Eaton Corporation | Wafer sensing and clamping monitor |
JPH07211768A (ja) * | 1994-01-13 | 1995-08-11 | Hitachi Ltd | 静電吸着装置の保持状態確認方法 |
US5642298A (en) * | 1994-02-16 | 1997-06-24 | Ade Corporation | Wafer testing and self-calibration system |
US5535090A (en) * | 1994-03-03 | 1996-07-09 | Sherman; Arthur | Electrostatic chuck |
US5515167A (en) * | 1994-09-13 | 1996-05-07 | Hughes Aircraft Company | Transparent optical chuck incorporating optical monitoring |
JPH08191098A (ja) * | 1995-01-09 | 1996-07-23 | Hitachi Ltd | 静電吸着装置 |
US6075375A (en) * | 1997-06-11 | 2000-06-13 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for wafer detection |
-
1997
- 1997-12-23 US US08/996,576 patent/US5872694A/en not_active Expired - Fee Related
-
1998
- 1998-12-22 JP JP10365077A patent/JPH11251420A/ja active Pending
- 1998-12-23 CN CNB981116620A patent/CN1150608C/zh not_active Expired - Fee Related
- 1998-12-23 KR KR1019980057480A patent/KR100592524B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1998-12-23 EP EP98310683A patent/EP0926708A3/en not_active Withdrawn
-
1999
- 1999-01-19 TW TW087121521A patent/TW416182B/zh not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH11251420A (ja) | 1999-09-17 |
CN1230774A (zh) | 1999-10-06 |
CN1150608C (zh) | 2004-05-19 |
KR19990063358A (ko) | 1999-07-26 |
KR100592524B1 (ko) | 2006-08-30 |
EP0926708A2 (en) | 1999-06-30 |
EP0926708A3 (en) | 2003-08-20 |
US5872694A (en) | 1999-02-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TW416182B (en) | Method and apparatus for determining wafer warpage for optimized electrostatic chuck clamping voltage | |
TW445566B (en) | Classification method for failure signature on chip | |
CN101978466B (zh) | 具有电容敏感特性的静电卡盘装置,以及相关的操作方法 | |
TW383417B (en) | A method and an apparatus for offsetting plasma bias voltage in bi-polar electro-static chucks | |
TW442878B (en) | Mechanism and method for cleaning probe needles | |
TW442354B (en) | Method and apparatus for clamping a substrate | |
TW407332B (en) | Method and apparatus for wafer detection | |
TWI223072B (en) | Vertical probe card | |
US5781017A (en) | Capacitive charge generation apparatus and method for testing circuits | |
US20020141134A1 (en) | Electrostatic wafer clamp | |
TW201232694A (en) | Polar regions for electrostatic de-chucking with lift pins | |
US5948986A (en) | Monitoring of wafer presence and position in semiconductor processing operations | |
TW201039405A (en) | A method for processing a semiconductor wafer, a semiconductor fabrication tool and a computer readable storage medium using the same | |
TW436953B (en) | Inspection method and apparatus for semiconductor integrated circuit, and vacuum contactor mechanish | |
TW472288B (en) | Method and apparatus for balancing an electrostatic force produced by an electrostatic chuck | |
TW432464B (en) | Unbalanced bipolar electrostatic chuck power supplies and methods therefor | |
KR101645046B1 (ko) | 켈빈 프로브 분석으로 정전척을 검사하는 방법 | |
TW494518B (en) | Method for inspecting a polishing pad in semiconductor manufacturing process, apparatus for performing the method and polishing device adopting the apparatus | |
US5917327A (en) | Technique and apparatus for testing electrostatic chucks | |
JP2976861B2 (ja) | 静電チャック及びその製造方法 | |
EP0620953A1 (en) | Electrostatic wafer clamp | |
CN106813718B (zh) | 一种测量薄膜应变与热导率的装置及方法 | |
TW200413735A (en) | Method and apparatus for determining defect and impurity concentration in semiconducting material of a semiconductor wafer | |
JP2965176B2 (ja) | 静電チャックの過渡特性評価方法 | |
CN217786788U (zh) | 用于电池片的测试装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
GD4A | Issue of patent certificate for granted invention patent | ||
MM4A | Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees |