KR100589587B1 - 방향족 아민유도체, 가용성 도전성 화합물 및 전계발광소자 - Google Patents

방향족 아민유도체, 가용성 도전성 화합물 및 전계발광소자 Download PDF

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Abstract

전계발광소자의 캐리어 수송 보조층 등에 유용되게되는 하기 화학식 1로 표시되는 방향족 아민유도체.
(화학식 1)
Figure 112001021234333-pct00032
(R1은 1가 탄화수소기 또는 오르가노옥시기를 나타내고, A 및 B는 화학식 2 또는 화학식 3을 나타낸다.)
(화학식 2)
Figure 112001021234333-pct00033
(화학식 3)
Figure 112001021234333-pct00034
전계발광소자, 캐리어 수송 보조층, 방향족 아민 유도체, 폴리머재료, 대전방지, 전자파 실드.

Description

방향족 아민유도체, 가용성 도전성 화합물 및 전계발광소자{AROMATIC AMINE DERIVATIVES, SOLUBLE CONDUCTIVE COMPOUND, AND ELECTROLUMINESCENT ELEMENT}
본 발명은 신규한 방향족 아민유도체 및 그 유도체가 전자수용성 도팬트와 염을 형성하여 이루어지는 가용성 도전성 화합물에 관한다. 본 발명의 가용성 도전성 화합물은 높은 용해성을 나타내기때문에 대전방지피막, 전자파 실드재 등에 유용하다.
또, 본 발명은 양극과 음극사이에 발광재료층을 포함하는 한층 또는 복수층의 전계방광용 유기층이 개재되고, 상기 양 극 사이에 전압을 인가함으로써, 상기 발광재료층의 발광을 가져오는 전계발광소자에 관한다.
종래, 대전방지나 저 저항화의 방법으로서는 몇가지 방법이 시도되고 있다. 예를들면, 금속가루 혹은 도전성 금속산화물을 특정의 비도전성 폴리머에 혼입하는 방법이나, 이온계 계면활성제를 사용하는 방법등을 들 수 있다.
그러나, 이들의 방법에서는 예를들면 균일한 도막을 얻을 수 없거나, 투명성이 손상되거나 혹은 이온성 불순물이 많아지거나 하여, 전자디바이스 용도에는 적합하지 않는 등의 문제가 있었다.
한편, 저저항인 폴리머재료로서는 폴리아닐린, 폴리피롤, 폴리티오펜 등으로 대표되는 소위 도전성 폴리머를 들 수 있다.
이와같은 도전성 폴리머는 아닐린, 피롤, 티오펜 또는 그 유도체를 모노머원료로 하고, 산화제에 의하여 화학산화 중합하든가, 또는 전기화학적으로 중합하는 수법에 의하여 얻을 수가 있다. 이와같은 수법에 의하여 얻어진 도전성 폴리머 재료는 일반적으로는 루이스산 등의 산을 도핑함으로써 높은 도전성을 나타내는 것이 알려져 있다. 이렇게하여 얻어진 도전성 고분자는 대전방지제, 전자파실드제등에 응용할 수가 있다.
그러나, 상기의 방법으로 중합된 도전성 폴리머 재료는 일반적으로 용제에의 용해성이 낮기 때문에 유기용제에 용해 또는 분산한 와니스를 사용한 필름은 무르고, 기계적 강도가 작고, 강인한 도막을 얻는 것은 곤란하였다.
즉, 이와같은 소위 도전성 폴리머는 저저항이기 때문에 실용상, 우수한 대전방지능을 갖고, 또 전하의 축적 등의 면에서도 우수한 성능을 갖는다. 그러나, 용액의 용해성 혹은 도막성상의 면에서 반드시 만족할 수 있는 것은 아니고, 용해성이 낮고, 부형성에 문제가 생기는 경우가 있었다. 이 때문에, 종래부터 도전성 고분자가 갖는 여러가지 특징을 보유하면서, 보다 유기용제에 대하여 가용이고, 게다가 높은 전기전도성을 나타내는 고분자 재료가 요구되고 있었다.
또, 도전성의 고분자재료는 최근 전계발광소자의 캐리어 수송을 위한 재료로서도 주목되고 있지만, 당초, 유기재료의 전계발광현상은 안트라센 단결정에 의하여 관측되어 있다(J. Chem. Phys. 38(1963) 2042). 그후, 주입효율이 좋은 용액 전극을 사용함으로써, 비교적 강한 발광현상을 관측하기에 이르렀다(Phys. Rev. Lett. 14(1965) 229). 그후, 정력적으로 공액의 유기호스트 물질과 축합벤젠고리를 갖는 공액의 유기활성제에서 유기발광성물질을 형성한 연구가 행해졌다(USP 3,172,862, USP 3,710,167, J. Chem. Phys. 44(1966) 2902, J. Chem. Phys. 50(1969) 14364). 그러나, 여기에 열거된 유기발광물질은 어느것이나 막두께가 두껍고, 발광에 필요한 전계가 높아진다라는 결점이 있었다.
이에 대하여 증착법에 의한 박막소자의 연구가 행해지고, 구동전압저감에는 효과가 나타났다. 그러나, 실용레벨의 휘도를 얻는데에는 이르지 못하였다(Polymer 24(1983) 748, Jpn. J. Appl. Phys. 25(1986) L773).
근년에, 이스트만 코닥사로부터 전극사이에 전하 수송층과 발광층을 증착법으로 형성한 소자가 제안되고, 저 구동전압에서의 고휘도가 실현되기에 이르렀다(Appl. Phys. Lett. 51(1987) 913, USP 4,356,429). 그후, 연구는 더욱더 활발화하고, 캐리어 수송과 발광기를 분리한 3층형 소자 등이 검토되고, 유기 일렉트로루미네센스 소자는 실용단계에의 검토에 들어갔다(Jpn. J. Appl. Phys. 27(1988) L269, L713).
그러나, 이 발광수명은 수백칸델라로, 빠른 것으로는 3000시간, 긴 것으로도 수만시간으로 제품수명의 점에서 큰 문제를 안고 있다.
본 발명의 제1의 목적은, 용액으로서는 용해성이 높고, 도포성, 용액안정성이 우수하고, 대전방지 혹은 전하축적이 작은 도전성 고분자필름 혹은 도막을 형성할 수 있는 가용성 도전성 화합물 및 그 원료의 방향족 아민유도체를 제공하는 것 에 있다.
본 발명의 제2 목적은, 이들 유기 일렉트로루미네센스 소자의 내구성을 향상시키기 위하여 도포성이 우수한 전계발광소자용 캐리어 수송 보조층 재료를 사용한 전계발광소자를 제공하는 것에 있다.
본 발명은, 상기 목적을 달성하기 위하여, 하기 화학식 1로 표시되는 반복단위를 갖는 수평균 분자량이 250 내지 100,000의 방향족 아민유도체를 제공한다.
Figure 112001021234333-pct00001
(식중, R1은 비치환 또는 치환의 1가 탄화수소기 또는 오르가노옥시기를 나타내고, A 및 B는 각각 독립하여 화학식 2 또는 화학식 3
Figure 112001021234333-pct00002
Figure 112001021234333-pct00003
으로 표시되는 2가의 기이고, R2 내지 R11은 각각 독립하여 수소원자, 수산기, 비치환 또는 치환의 1가 탄화수소기 또는 오르가노옥시기, 아실기, 또는 술폰산기이다. m 및 n은 각각 독립하여 1 이상의 정수로 m + n = 3 내지 3,000을 만족한다.)
또, 본 발명은 상기 방향족 아민유도체가 전자수용성 도팬트와 염을 형성하여 이루어지는 가용성 도전성 화합물을 제공한다.
본 발명의 방향족 아민중합체는 염가한 원료인 아닐린 유도체를 원료로 하고, 이것을 산화중합하여 얻어지는 유기용제에 가용인 고분자 도전성 화합물이고, 각종 전자디바이스용 코트제로서 유용하다. 또 유기 일렉트로루미네센스 소자의 발광재료로서도 유용하다.
더욱더, 본 발명은 양극 및 음극과, 이들 사이에 개재된 1층 또는 복수층으로 이루어지는 전계발광용 유기층을 구비하고, 상기 양극 및 음극과의 사이에 전압을 인가함으로써 상기 유기층중의 발광재료의 발광이 생기는 전계발광소자에 있어서, 상기 양극과 유기층과의 사이에 상기 화학식 1로 표시되는 반복단위를 갖는 수평균 분자량이 250 내지 100,000의 방향족아민 유도체, 특히 이것과 전자수용성 도팬트로 염을 형성하여 이루어지는 가용성 도전성 화합물을 포함하는 캐리어 수송 보조층을 형성하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 전계발광소자를 제공한다.
즉, 본 발명자들은 양극과 음극과의 사이에 1층 또는 복수층의 전계발광용 유기층을 개재한 전계발광소자, 특히 양극의 무기전극(ITO전극 등)뒤에 유기 홀 수송층 및 발광재료층이 차례로 적층되고, 그 위에 음극이 적층된 전계발광소자에 있 어서, 상기 양극과 유기층과의 사이(상기 무기전극과 유기 홀 수송층과의 사이)에 캐리어 수송 보조층을 설치하는 일, 이 캐리어 수송 보조층을 상기 화학식 1로 표시되는 방향족아민 유도체를 주성분으로하고, 특히 이것과 도팬트로 형성되는 가용성 도전성 화합물(고분자)로 형성함으로써 홀 주입효율이 향상하고, 내구성에 대하여 극히 효과적인 것을 발견한 것이다.
도 1은 실시예 8에서 제조한 발광소자에서의 발광휘도의 전압의존성을 나타내는 그래프이다.
도 2는 실시예 8에서 제조한 발광소자에서의 전류밀도의 전압의존성을 도시하는 그래프이다.
발명을 실시하기 위한 최량의 형태
본 발명의 방향족아민 유도체는 하기 화학식 1로 표시되는 반복단위를 갖는 것이다.
(화학식 1)
Figure 112001021234333-pct00004
(식중, R1은 비치환 또는 치환의 1가 탄화수소기 또는 오르가노옥시기를 나타내고, A 및 B는 각각 독립하여 하기 화학식 2 또는 화학식 3으로 표시되는 2가의 기이고, m 및 n은 각각 독립하여 1이상의 정수로, m + n = 3 내지 3,000을 만족한 다.
(화학식 2)
Figure 112001021234333-pct00005
(화학식 3)
Figure 112001021234333-pct00006
(식중, R2 내지 R11은 각각 독립하여 수소원자, 수산기, 비치환 또는 치환의 1가 탄화수소기 또는 오르가노옥시기, 아실기 또는 술폰산기이다.)
여기서, 화학식 1에 있어서, R1은 비치환 또는 치환의 1가 탄화수소기 또는 오르가노옥시기이다. 이 1가 탄화수소기, 오르가노옥시기로서는 탄소수가 1 내지 20, 특히 1 내지 5의 것이 바람직하다.
1가 탄화수소기로서 구체적으로는 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, 부틸기, sec-부틸기, tert-부틸기, 펜틸기, 헥실기, 옥틸기, 데실기 등의 알킬기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기 등의 시클로알킬기, 비시클로헥실기 등의 비시클로알킬기, 비닐기, 1-프로페닐기, 2-프로페닐기, 이소프로페닐기, 1-메틸-2-프로페닐기, 1 또는 2 또는 3-부테닐기, 헥세닐기 등의 알케닐기, 페닐기, 크실릴기, 톨릴 기, 비페닐기, 나프틸기 등의 아릴기, 벤질기, 페닐에틸기, 페닐시클로헥실 기 등의 아랄킬기 등이나, 이들의 1가 탄화수소기의 수소원자의 일부 또는 전부가 할로겐원자, 수산기, 알콕시기 등으로 치환된 것을 예시할 수가 있다. 또, 오르가노옥시기로서는 알콕시기, 알케닐옥시기, 아릴옥시기 등을 들 수 있고, 이들의 알킬기, 알케닐기, 아릴기로서는 상기 예시한 것과 동일한 것을 들 수 있다.
바람직하게는, R1으로서는, 탄소수 1 내지 20, 보다 바람직하게는 탄소수 1 내지 4의 알킬기 또는 알콕시기, 혹은 각각 탄소수 1 내지 4의 알킬기 또는 알콕시기의 치환기를 갖고 있어도 좋고, 페닐기, 시클로헥실기, 시클로펜틸기, 비페닐기, 비시클로헥실기 또는 페닐시클로헥실기를 들 수 있고, 특히 알킬기 또는 알콕시기이다.
또, A,B는 각각 독립하여 하기 화학식 2 또는 화학식 3으로 표시되는 2가의 기이다.
(화학식 2)
Figure 112001021234333-pct00007
(화학식3)
Figure 112001021234333-pct00008
상기 화학식 2, 화학식 3에 있어서, R2 내지 R11은 각각 독립하여 수소원자, 수산기, 비치환 또는 치환의 1가 탄화수소기 또는 오르가노옥시기, 아실기 또는 술폰산기이고, 비치환 또는 치환 1가 탄화수소기 또는 오르가노옥시기로서는, 탄소수 1 내지 20의 R1 에서 설명한 것과 동일한 것을 들 수 있다. 또 아실기로서는 탄소수 2 내지 10의 것, 예를들면 아세틸기, 프로피오닐기, 부티릴기, 이소부티릴기, 벤조일기 등을 들 수 있다.
R2 내지 R11로서 바람직하게는 수소원자, 알킬기, 알콕시기, 알콕시알킬기, 알케닐기, 아실기, 술폰산기, 수산기, 각각 탄소수 1 내지 4의 알킬기 또는 알콕시기의 치환기를 갖고 있어도 좋은 페닐기, 시클로헥실기, 시클로펜틸기, 비페닐기, 비시클로헥실기 또는 페닐시클로헥실기이다.
보다 바람직하게는, R2 내지 R11로서는 수소원자, 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 탄소수 1 내지 20의 알콕시기, 알콕시기의 탄소수가 1 내지 20이고 알킬기의 탄소수가 1 내지 20인 알콕시알킬기, 탄소수 2 내지 4의 알케닐기, 탄소수 2 내지 4의 아실기, 벤조일기, 술폰산기, 수산기, 각각 치환기(그 치환기는 탄소수 1 내지 4의 알킬기 또는 탄소수 1 내지 4의 알콕시기이다)를 갖고 있어도 좋은 페닐기, 시클로헥실기, 시클로펜틸기, 비페닐기, 비시클로헥실기 또는 페닐시클로헥실기를 들 수 있고, 특히 수소원자, 탄소수 1 내지 4의 알킬기, 탄소수 1 내지 4의 알콕시기, 알콕시기의 탄소수가 1 내지 4이고 알킬기의 탄소수가 1 내지 4인 알콕시알킬기, 비닐기, 2-프로페닐기, 아세틸기, 벤조일기, 술폰산기, 수산기, 각각 치환기(그 치환기는 탄소수가 1 내지 4의 알킬기 또는 탄소수가 1 내지 4의 알콕시기이다)를 갖고 있어도 좋은 페닐기, 시클로헥실기, 비페닐기, 비시클로헥실기 또는 페닐시클로헥실기를 들 수 있다.
더욱이, 상기의 탄소수 1 내지 4의 알킬기는, 구체적으로는 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, 부틸기, s-부틸기 및 t-부틸기이고, 탄소수 1 내지 4의 알콕시기는 메톡시기, 에톡시기, 프로폭시기, 이소프로폭시기, 부톡시기, s-부톡시기 및 t-부톡시기이다.
상기 R2 내지 R11은 서로 동일하거나 다르더라도 좋다.
상기 화학식 1에 있어서, m 및 n는 각각 독립하여 1 이상의 양수로 m + n = 3 내지 3,000을 만족한다. 또, 화학식 1에서 표시되는 방향족아민 유도체의 수평균 분자량은 250 내지 100,000이다.
상기 화학식 1의 반복단위를 갖는 방향족아민 유도체로서는 구체적으로 하기 화학식 1a 내지 화학식 1d로 표시되는 반복단위를 갖는 것을 들 수 있다.
Figure 112001021234333-pct00009
Figure 112001021234333-pct00010
Figure 112001021234333-pct00011
Figure 112001021234333-pct00012
(식중, R1 내지 R11, m,n는 상기와 같은 의미를 나타낸다.)
여기서, 상기 화학식 1a로 표시되는 방향족아민 유도체 및 그것을 사용한 가용성 도전성 화합물의 합성방법은 특별히 한정되는 것은 아니지만, 예를들면 이하에 설명하는 방법에 의하여 합성할 수가 있다.
즉, 증류 등으로 산화방지제 등의 불순물을 제거한, 충분히 정제된 원료인 아닐린 유도체와 N치환 아닐린 유도체를 혼합하고, 이들 원료의 1 내지 3배량의 산에 의하여 염을 형성시킨다. 이 경우의 아닐린 유도체와 N치환 아닐린 유도체의 혼합비율은 특별히 한정하지 않지만 통상, 몰비로 1:99 내지 99:1이다.
여기서 얻어지는 염은 물에 가용하기 때문에 원료의 2 내지 10 배량의 물에 용해시킨다. 이것을 25℃로 유지한 후, 산화제로서 과황산암모늄, 황산세륨, 염화철 또는 염화구리를 가한다. 산화제의 첨가량은 가해진 원료에 대하여 0.5 내지 4배몰, 바람직하게는 1 내지 2배 몰이다. 산화제를 가하여 10 내지 50시간 반응시킨후 여과하고 그 여과물을 아세톤, 메탄올, 에탄올 또는 이소프로판올 등의 저비점의 수용성 유기용제로 충분히 세척하고, 가용성 도전성 화합물을 얻을 수 있다. 여기서 사용하는 산으로서는 방향족아민 유도체의 전자수용성 도팬트로 되는 것으로 특별히 한정되는 것은 아니다. 전자수용성 도팬트로서는 루이스산, 프로톤산, 천이금속화합물, 전해질 염, 할로겐화합물을 들 수 있다.
루이스산으로서는 FeCl3, PF5, AsF5, SbF5, BF5, BCl3, BBr3 등을 들 수 있다.
프로톤산으로서는 HF, HCl, HNO5, H2SO4, HClO4 등의 무기산, 벤젠술폰산, p- 톨루엔술폰산, 도데실벤젠술폰산, 폴리비닐술폰산, 메탄술폰산, 1-부탄술폰산, 비닐페닐술폰산, 캄퍼술폰산 등의 유기산을 들 수 있다.
천이금속화합물로서는 FeOCl, TiCl4, ZrCl4, HfCl4, NbF5, NbCl 5, TaCl5, MoF5등을 들 수 있다.
전해질염으로서는 LiSbF6, LiAsF6, NaAsF6, NaSbF6, KAsF6 , KSbF6, [(n-Bu)4N]AsF6, [(n-Bu)4N]SbF6, [(n-Et)4N]AsF6 , [(n-Et)4N] SbF6 등을 들 수 있다.
할로겐 화합물로서는 Cl2, Br2, I2, ICl, ICl3, IBr, IF등을 들 수 있다.
이들의 전자수용성 도팬트중에서 바람직한 것은 루이스산으로서는 염화 제2철, 프로톤산으로서는 염산, 과염소산 등의 무기산, p-톨루엔술폰산, 캄퍼술폰산 등의 유기산을 들 수 있다.
도팬트를 갖지않는 방향족아민 유도체의 경우, 앞서 설명한 방법으로 얻어진 가용성 도전성 화합물을 알칼리로 세척함으로써, 목적하는 방향족아민 유도체가 얻어진다. 여기서 알칼리는 특별히 한정되는 것은 아니지만, 암모니아, 탄산수소나트륨 등이 바람직하다.
이와같이 본 발명의 방향족아민 유도체는 가용성 도전성 화합물을 알칼리 처리함으로써 용이하게 얻을수가 있다.
이와같이하여 얻어진 방향족아민 유도체는 앞서 기재한 전자수용성 도팬트로서 루이스산, 프로톤산, 천이금속화합물, 전해질염을 도프함으로써, 용이하게 가용성 도전성 화합물(고분자 도전성 화합물)로 할 수가 있다.
도팬트를 형성시키는 전자수용체의 첨가량은 일반적으로 염기성원자로서 질소를 포함하는 공액계 구조의 반복 단위에 있어서 질소원자 1개에 대하여 1개 이하의 도팬트로 되도록 첨가하는 것이 바람직하다.
더욱더, 본 발명의 방향족아민 유도체의 도막을 형성한후, 염산증기에 바래거나 요드 증기에 바래거나 하여 도핑을 행할 수도 있다.
더욱더, 화학식 1a의 방향족아민 유도체에 있어서, m,n는 각각 독립하여 1이상, 바람직하게는 2 이상, 특히 4 이상인 것이 바람직하고, m + n는 3 내지 3,000, 바람직하게는 4 내지 3,000, 보다 바람직하게는 8 내지 2,000 이고, 또 수평균 분자량은 250 내지 100,000, 바람직하게는 600 내지 70,000, 보다 바람직하게는 1,000 내지 70,000 이다.
또 화학식 1b, 1c, 1d 로 표시되는 방향족아민 유도체 및 이 방향족아민 유도체로부터 가용성 도전성 화합물을 얻는 방법도, 상기 화학식 1a의 방향족아민 유도체의 경우와 동일하고, m,n의 범위는 알맞는 범위를 포함하며, 화학식 1a으로 표시되는 방향족아민 유도체의 경우와 동일하지만, 화학식 1b, 1c로 표시되는 방향족아민 유도체의 수평균 분자량은 300 내지 100,000, 바람직하게는 700 내지 80,000, 보다 바람직하게는 1,600 내지 70,000이고, 화학식 1d의 유도체의 수평균 분자량은 350 내지 100,000, 바람직하게는 800 내지 80,000, 보다 바람직하게는 1,600 내지 70,000이다.
이와같이 하여 얻어진 본 발명의 가용성 도전성 화합물은 일반적인 유기용제로서, 예를들면 클로로포름, 디클로로에탄, 클로로벤젠 등의 염소계 용제, N,N-디 메틸포름아미드, N,N-디메틸아세트아미드 등의 아미드계 용제, 페놀계 용제 등의 극성용제에 대하여 2 내지 10 중량%의 비율로 가용하다. 그러나, 겔화하지 않고 충분히 안정한 와니스를 얻기 위해서는 N,N-디메틸 포름아미드가 가장 바람직하다. 이 경우, 용해도는 통상 5 내지 7 중량%이다.
더욱이, 단독으로 균일용매를 얻을수 없는 용매일지라도 균일용매가 얻어지는 범위에서 다른 용매를 가하여 사용하더라도 좋다. 그 예로서는 에틸셀로솔브, 부틸셀로솔브, 에틸카르비톨, 부틸카르비톨, 에틸카르비톨 아세테이트 및 에틸렌 글리콜 등을 들 수 있다.
또, 기재위에 가용성 도전성 화합물 도막을 형성시키는 경우, 가용성 도전성 화합물막과 기재의 밀착성을 더욱더 향상시키는 목적으로, 얻어진 가용성 도전성 화합물의 용액에 커플링제 등의 첨가제를 가하는 것은 물론 바람직하다.
본 발명의 가용성 도전성 화합물 박막을 형성하는 경우의 도포방법으로서는 딥법, 스핀코트법, 전사인쇄법, 롤코트법, 브러시 코트법 등을 들 수 있지만, 특별히 한정되는 것은 아니다. 그의 막두께는 특별히 한정되는 것은 아니지만, 외부 발광효율을 향상시키기 위하여, 될 수 있는대로 얇은 것이 바람직하고, 통상 100 내지 1000Å이 바람직하다.
이 용액을 기재위에 도포하고, 용매를 증발시킴으로써, 기재위에 본 발명의 방향족아민 유도체, 및 그것을 사용한 도전성 화합물 도막을 형성시킬수가 있다. 이 경우의 온도는 용매가 증발하면 좋고, 통상은 80 내지 150℃로 충분하다.
다음에, 본 발명의 전계발광소자에 대하여 설명한다.
본 발명의 전계발광소자는 양극과 음극과 이들 사이에 개재된 전계발광용 유기층을 구비한 것이다.
여기서, 양극, 음극으로서는 공지의 것을 사용할 수가 있고, 예를들면 양극으로서는 글라스기판위에 형성된 ITO 등의 무기전극(투명전극)을 사용할 수 있고, 음극으로서는 알루미늄, MgAg 합금 등의 금속제 전극 등을 사용할 수가 있다.
또, 상기 전계발광용 유기층은 발광재료층을 갖는 것으로, 그 구체적인 구성으로서는 공지의 구성으로 할 수가 있고, 전형적으로는 음극측에서 차례로 홀 수송층, 발광재료층, 캐리어 수송층을 적층한 구성으로 할 수 있지만, 이에 한정되는 것은 아니다.
홀 수송 재료는 특별히 한정되는 것은 아니지만, 일반적으로 3차 방향족 아민인 N,N,-트리스 (p-톨루일) 아민(TPD), 1,1-비스[(디-4-톨루일아민)페닐]시클로헥산, N,N-디페닐-N,N'-비스(3-메틸페닐)(1,1'-비페닐)4,4'-디아민, N,N,N',N'-테트라키스(4-메틸페닐)(1,1'-비페닐)-4,4'-디아민, N,N'-비스(1-나프틸)-N,N'-디페닐-1,1'-비스페닐-4,4'-디아민, 4,4',4"-트리스(3-메틸페닐아미노)트리페닐아민 등을 들 수 있다. 이외에도 피라졸린유도체가 사용된다.
캐리어 수송재료에 관해서도 특별히 한정되는 것은 아니지만, 일반적으로 방향족축합 고리계 화합물이나 금속착체 화합물이 사용되는 경우가 많다. 예를들면 트리스(8-히드록시퀴놀린) 알루미늄 (Alq3), 비스(10-히드록시벤조[h] 퀴놀레이트)베릴륨(BeBq2) 등의 금속착체계나, 1,3,4-옥사티아졸 유도체, 1,2,4-트리아졸유도체, 페릴렌디카르복시이미드의 비스(벤즈이미다졸) 유도체, 티오피란술폰 유도체 등을 들 수 있다.
더욱더 발광재료로서는 금속착체계로서, Alq3, 트리스(5-시아노-8-히드록시퀴놀린) 알루미늄(Al(Q-CN))등을 들 수 있고 색소로서 옥사티아졸계, 예를들면 비페닐-p-(t-부틸)페닐-1,3,4-옥사티아졸이나 트리아졸류, 아릴렌류, 쿠마린류 등을 들 수 있지만 특별히 한정되는 것은 아니다.
본 발명의 전계발광소자는 상기 양극과 유기층과의 사이에 즉 유기층이 복수층의 경우는 양극과 이에 가장 가까운 층, 전형적으로 홀 수송층과의 사이에 전하수송을 보조하는 캐리어 수송 보조층을 개재시킬 것이다.
이 캐리어 수송 보조층은 상기 화학식 1로 표시되는 반복단위를 갖는 방향족아민 유도체를 주성분으로 하는 것이고, 그 내용은 상술한 바와같다.
이 경우, 이 방향족아민 유도체는 전자수용성 도팬트와 염을 형성하여 가용성 도전성 화합물의 박막으로서 사용하는 것이 유효하다.
또, 상술한 방향족아민 유도체로서는 휘도의 향상 및 구동전압의 저하에 대하여 화학식 1로 표시되는 공중합 조성으로서는 A유닛이 50몰% 이상 포함되는 것이 더욱더 바람직하다.
본 발명의 전계발광소자를 제조하는 방법으로서는 특별히 제한되는 것은 아니지만, 전형적으로는 상기 방향족아민 유도체 및 그것을 사용한 도전성화합물 박막을, 우선 무기전극인 ITO위에 형성한다. 이때, 일반적으로 ITO는 역스퍼터링, 오존처리 등의 세척처리를 행하고, 표면의 유기물 등의 이물질을 제거한 것이 사용된다. 상기 방향족아민 유도체 및 그것을 사용한 도전성 화합물 박막의 형성방법 은 특별히 한정되는 것은 아니지만, 바람직하게는 스핀코트법, 증착법이 사용된다. 보다 바람직하게는 스핀코트 법이 사용된다.
이와같이 하여 얻어진 전극부착 기판에 전계발광용 유기재료를 적층한다. 이 적층구조에는 여러가지 형이 있고, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 일반적으로 증착법에 의하여 홀 수송층, 발광층 캐리어 수송층의 순으로 적층한 소자가 사용되고, 이들 재료는 차례로 진공증착법에 의하여 적층되고, 그 상부에 음극으로서 예를들면 MgAg합금이 증착된다. 이와같이하여 얻어진 소자에 전계를 인가함으로써, 특정파장의 발광을 나타내는 전계발광소자가 얻어진다.
이하, 실시예와 비교예를 나타내고, 본 발명을 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 하기의 실시예에 한정되는 것은 아니다.
(실시예 1)
(페네티딘과 N-부틸아닐린의 공중합)
500㎖ 플라스크에 페네티딘 6.86g(0.05 mol), N-부틸아닐린 7.46g(0.05mol)을 가하여, 여기에 염산 11.0g를 서서히 첨가하였다. 여기에 다시 물 110g를 가하여 천천히 뒤섞으면서 페네티딘과 N-부틸아닐린염산염을 용해시켰다.
이것들이 용해한 시점에 물 50g에 용해한 과황산암모늄 22.82g(0.1mol)을 첨가하고, 24시간 교반하고 반응시켰다.
반응종료후, 반응물을 1000cc의 아세톤에 넣어 미반응물을 씻어 떨어뜨리고, 고형물을 여별하여 아세톤으로 세척한후, 80℃에서 감압 건조하고, 녹색의 분말 4.61g를 얻었다.
얻어진 가용성 도전성 화합물을 암모니아수(5%) 300cc에 분산하고, 충분히 뒤섞고, 도프되어 있는 염산을 제거하고, 본 발명의 방향족 아민 유도체인 화합물을 얻었다. 이것의 N,N-디메틸포름아미드용액(0.3중량%)를 겔 퍼미에이션 크로마토그래프(GPC)에 의하여 분자량을 측정한 즉, 수평균 분자량 12,000 이었다. 또, 얻어진 화합물(분말)은, IR에 의하여 목적하는 공중합체인 방향족아민 유도체인 것이 확인되었다.
또, NMR에 의하여, 분자중의 N-부틸아닐린과 페네티딘의 비는 1:3이었다. 더욱더, 열분해 가스크로마토그래피에 의하여, N-부틸아닐린과 페네티딘의 피크가 확인되었다.
IR : 3350cm-1 (νNH), 1320cm-1 (νCN), 1220cm-1 (νCO), 820cm-1 (1,4 2치환벤젠)
얻어진 염산도팬트를 갖는 분말의 공중합체를 N,N-디메틸 포름아미드 용액(5중량% 용액)을 사용하여 스핀 코트로 유리기판위에 도막을 형성시켜, 2 단자법으로 표면 저항값을 측정한 결과는 3.0 × 109 Ω/□ 이었다.
또 도프되어있는 염산을 제거한 화합물을 염화 제2철 1몰 용액에 분산하고, 재차 도프하고, 상기와 동일하게 작성한 도막의 표면저항값을 측정한 결과는 2.35 × 108 Ω/□ 이었다.
(실시예 2, 3 및 비교예 1,2)
표 1에 표시하는 바와같이 페네티딘과 N-부틸아닐린의 몰비를 변화시켜, 실시예 1과 동일하게 염산도팬트를 갖는 공중합체를 합성한 경우의 수득량 및 얻어진 공중합체의 N,N-디메틸포름아미드 용액을 사용하여 작성한 도막의 표면저항값을 측정하였다. 결과는 표 1에 실시예 1의 결과와 아울러 표시한다.
Figure 112001021234333-pct00046
(실시예 4)
(페네티딘과 N-에틸아닐린의 공중합)
500㎖ 플라스크에 페네티딘 6.86g(0.05 mol), N-에틸아닐린 6.86g(0.05mol)을 가하여, 여기에 염산 11.0g를 서서히 첨가하였다. 여기에 다시 아세토니트릴 110g를 가하여 천천히 뒤섞으면서 페네티딘과 N-에틸아닐린염산염을 용해시켰다.
이것들이 용해한 시점에, 물 50g에 용해한 과황산암모늄 22.82g(0.1mol)을 첨가하고, 40시간 교반하고 반응시켰다.
반응종료후 반응물을 1000cc의 아세톤에 넣어 미반응물을 씻어 떨어뜨렸다. 그후 여별하고, 다시 한번 더 아세톤으로 세척하고, 고형분을 여별하여, 80℃에서 감압 건조하고, 녹색의 분말 6.20g를 얻었다.
실시예 1과 마찬가지로 염산도팬트를 제외한 것을 얻고, 수평균 분자량을 측정한 즉, 21,000이고, IR에 의하여 이 분말은 목적하는 공중합체(방향족아민 유도체)임이 확인되었다.
또, NMR에 의하여, 분자중의 N-에틸아닐린과 페네티딘의 비는 1:3이었다. 더욱더, 열분해 가스 크로마토그래피에 의하여 N-에틸 아닐린과 페네티딘의 피크가 확인되었다.
IR : 3350cm-1 (νNH), 1320cm-1 (νCN), 1220cm-1 (νCO), 820cm-1 (1,4 2치환벤젠)
(실시예 5, 6 및 비교예 3, 4)
표 2에 표시하는 바와같이 페네티딘과 N-에틸아닐린의 몰비를 변화시켜, 실시예 1과 동일하게 염산도팬트를 갖는 공중합체를 합성한 경우의 수득량 및 얻어진 공중합체의 N,N-디메틸포름아미드 용액을 사용하여 작성한 필름의 표면저항값을 측정하였다. 결과는 표 2에 실시예 4의 결과와 아울러 표시한다.
Figure 112001021234333-pct00047
(실시예 7)
(페네티딘과 N-부틸아닐린의 공중합)
500㎖ 플라스크에 페네티딘 6.86g(0.05mol), N-부틸아닐린 7.46g(0.05mol)을 가하여, 여기에 염산 11.0g를 서서히 첨가하였다. 여기에 다시 물 300g를 가하여 천천히 뒤섞으면서 페네티딘과 N-부틸아닐린염산염을 용해시켰다.
이것들이 용해한 시점에 물 50g에 용해한 과황산암모늄 22.82g(0.1mol)을 첨가하고, 반응온도 35℃에서 12시간 교반하고 반응시켰다.
반응종료후, 반응물을 1000cc의 아세톤에 넣어 미반응물을 씻어 떨어버렸다. 그후 여별하여, 아세톤으로 세척하고 고형분을 여별하고, 80℃에서 감압 건조하고, 녹색의 분말 3.38g를 얻었다.
얻어진 화합물은 IR, FDMASS에 의하여 양 말단을 N-부틸아닐린으로 하는 n + m이 4,5,6,7,8 량체로 이루어지는 공중합체의 화합물이다.
IR : 3350cm-1 (νNH), 1320cm-1 (νCN), 1220cm-1 (νCO), 820cm-1 (1,4 2치환벤젠)
(실시예 8)
N-부틸아닐린 0.09 mol (13.48g), o-페네티딘 0.01mol (1.38g)에 35% 염산 25.71g (0.25mol)을 가하고, 더욱더 물 200㎖을 붓고, 2시간 비점에서 교반하였다. 그후, 30℃까지 냉각하고, 여기에 과황산암모늄 0.2mol를 물 100㎖에 용해시킨 것을 반응온도 30 내지 32℃ 사이에 적하하였다. 적하종료후, 더욱더 24시간, 반응온도 30 내지 32℃에서 교반하였다. 반응종료후, 생성물을 대량의 아세톤에 쏟고 세척, 여과하였다. 이 조작을 여액의 색이 없어질때까지 충분히 행하였다.
여기서 얻어진 화합물은 GPC 및 IR에 의하여 목적물인 것이 확인되었다.
IR : 3350cm-1 (νNH), 1320cm-1 (νCN), 1220cm-1 (νCO), 820cm-1 (1,4 치환벤젠)
GPC : 수평균 분자량 2,655,
다분산도(Mw/Mn) 58.40
(측정조건: 용리액 DMF, 액속도 1.0㎖/min. 폴리스티렌환산, 컬럼 KD 805 쇼와 덴코 제)
또, 공중합비는 NMR에 의하여 산출하고, 거의 혼합비대로 9:1이었다.
얻어진 화합물 2g를 용제 N,N-디메틸포름아미드 98g에 용해하고, 여기에 도팬트로서 5-술포살리실산 2.99g를 첨가하고, 1주야 실온에서 교반하였다. 제작한 와니스는 0.2 미크론필터로 여과하고, 불용성분을 제거하였다.
얻어진 와니스를 사용한 박막형성은 스핀코트법을 사용하였다. 이 도전성 화합물막의 막두께 100Å으로 되는 조건으로 이하의 전계발광소자의 제작을 행하였다.
ITO부착 유리는 ITO의 두께를 1000Å로 하였다. 이 기반을 아세톤, 이소프로필 알코올을 사용하여 초음파 세척하고, 더욱더 오존처리를 실시하였다. 이 처리된 기반에 상기에서 얻어진 와니스를 스핀코트하고, 두께 100Å의 박막을 형성시켰다. 이 기반에 TPD 400Å, Alq600Å, MgAg2000Å을 진공 증착법으로 형성시켰다.
이와같이 작성된 소자에 전압을 부여하고, 그 발광특성을 측정하였다. 발광휘도의 전압의존성을 도 1에, 전압-전류밀도의 관계를 도 2에 도시한다.
더욱이, 도 1,2에 있어서, ○ 및
Figure 112001021234333-pct00042
은 각각 캐소드/캐리어 수송 보조층/홀 수송층/발광재료층/애노드로 이루어지는 구성의 전계발광소자, △는 캐소드/홀 수송층/발광재료층/애노드로 이루어지는 구성의 전계발광소자의 결과이고, 각층의 구성성분은 하기와 같다.
캐소드: 산화인듐주석
캐리어 수송 보조층:
○: 위에서 얻어진 공중합체 : 5-술포살리실산 = 1:1
Figure 112001021234333-pct00043
: 위에서 얻어진 공중합체: 5-술포살리실산 = 1:2
홀 수송층:
N,N'-디페닐-N,N'-비스(3-메틸페닐)(1,1'-비스페닐) 4,4'-디아민
발광재료층: 알루미늄 8-히드로퀴놀린 착체
애노드: 마그네슘 은합금
(실시예 9 내지 11)
실시예 8과 동일한 방법에 의하여, N-부틸아닐린, o-페네티딘 혼합비를 바꾸어서 중합을 행하고, 각각의 DMF 와니스를 제작한후, 전계발광소자를 제작하고, 그 특성을 평가하였다. 이하, 실험 조건 및 분자량을 표 3에 나타낸다. 도팬트로서는 5-술포살리실산을 사용하였다.
제작한 전계발광소자의 특성을 표 4에 나타낸다.
Figure 112001021234333-pct00048
Figure 112001021234333-pct00049
(실시예 12 내지 16)
실시예 8과 동일한 방법에 의하여, N-부틸아닐린, o-페네티딘 혼합비를 바꾸어서 중합을 행하고, 각각의 DMF 와니스를 제작한 후, 전계발광소자를 제작하고, 그 특성을 평가하였다. 도팬트로서는 염산을 사용하였다.
제작한 전계발광소자의 특성을 표 5에 나타낸다.
Figure 112001021234333-pct00050
비교예 5
아닐린 0.2mol (18.6g)에 35% 염산 30.86g (0.3mol)를 가하고, 다시 물 200㎖를 붓고, 2시간 비점에서 교반하였다. 그후 5℃까지 냉각하고, 이에 과황산암모 늄 0.2mol를 물 100㎖에 용해시킨 것을 반응온도 0 내지 5℃ 사이에서 적하하였다. 적하종료후, 다시 24시간, 반응온도 0 내지 5℃로 교반하였다. 반응종료후, 생성물은 대량의 아세톤에 쏟고 세척하고 여과하였다. 이 조작을 여액의 색이 없어질때까지 충분히 행하였다.
여기서 얻어진 화합물은 GPC 및 IR에 의하여 목적물인 것이 확인되었다.
IR : 3350cm-1 (νNH), 1320cm-1 (νCN), 1220cm-1 (νCO), 820cm-1 (1,4 치환벤젠)
GPC : 수평균 분자량 8,650,
다분산도(Mw/Mn) 6.55
(측정조건: 용리액 DMF, 액속도 1.0㎖/min. 폴리스티렌환산, 컬럼 KD 805 쇼와 덴코 제)
얻어진 화합물 2g를 용제 N,N-디메틸포름아미드 98g에 분산하고, 이에 도팬트로서 5-술포살리실산 0.015 mol (3.27g)을 첨가하고, 1주야 실온에서 교반하였다. 제작한 와니스는 0.2 미크론 필터로 여과하고, 불용성분을 제거하려고 하였지만, 여과할 수 없었다. 더욱더, 이 미여과의 와니스로 박막을 형성한 즉, 2000Å를 초과하는 요철이 확인되었다.
이 와니스를 사용하여 전계발광소자를 제작하였지만, 2000Å을 초과하는 요철에 의한 쇼트때문에 특성을 평가할 수 없었다.
상기 실시예 8 내지 16은 도포성이 우수한 전계발광소자용 캐리어 수송 보조 층 재료를 사용한 것으로, 전계발광소자를 효율적으로 안정하게 제조할 수 있음이 인정된다.

Claims (16)

  1. 하기 화학식 1로 표시되는 반복단위를 갖는 수평균 분자량이 600 내지 80,000인 방향족아민 유도체.
    (화학식 1)
    Figure 112006006308434-pct00018
    (식중, R1은 비치환 또는 치환의 1가 탄화수소기 또는 오르가노옥시기를 나타내고, A 및 B는 각각 독립하여 하기 화학식 2 또는 화학식 3
    (화학식 2)
    Figure 112006006308434-pct00019
    (화학식 3)
    Figure 112006006308434-pct00020
    으로 표시되는 2가의 기이고, R2 내지 R11은 각각 독립하여 수소원자, 수산기, 비치환 또는 치환의 1가 탄화수소기 또는 오르가노옥시기, 아실기, 또는 술폰산기이다. m 및 n은 각각 독립하여 1 이상의 정수로 m + n = 3 내지 3,000을 만족한다.)
  2. 제 1 항에 있어서, 방향족아민 유도체가, 하기 화학식 1a로 표시되는 수평균 분자량이 600 내지 70,000인 것을 특징으로 하는 방향족아민 유도체.
    (화학식 1a)
    Figure 112006006308434-pct00021
    (식중, R1 내지 R5, m,n는 상기와 같은 의미를 나타낸다.)
  3. 제 2 항에 있어서, R1 이 탄소수 1 내지 20의 알킬기 또는 탄소수 1 내지 20의 알콕시기인 것을 특징으로 하는 방향족아민 유도체.
  4. 제 2 항 또는 제 3 항에 있어서, R2 내지 R5 이 각각 독립하여 수소원자, 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 탄소수 1 내지 20의 알콕시기, 알콕시기의 탄소수가 1 내지 20이고 알킬기의 탄소수가 1 내지 20인 알콕시알킬기, 탄소수 2 내지 4의 알케닐기, 탄소수 2 내지 4의 아실기, 벤조일기, 술폰산기, 수산기, 각각 치환기(그 치환기는 탄소수 1 내지 4의 알킬기 또는 탄소수 1 내지 4의 알콕시기를 나타낸다)를 갖고있어도 좋은 페닐기, 시클로헥실기, 시클로펜틸기, 비페닐기, 비시클로헥실기, 또는 페닐시클로헥실기인 것을 특징으로 하는 방향족아민 유도체.
  5. 제 1 항에 있어서, 방향족아민 유도체가, 하기 화학식 1b 또는 1c로 표시되는 수평균 분자량이 700 내지 80,000 인 것을 특징으로 하는 방향족아민 유도체.
    (화학식 1b)
    Figure 112006006308434-pct00022
    또는
    (화학식 1c)
    Figure 112006006308434-pct00023
    (식중, R1 내지 R11, m,n는 상기와 같은 의미를 나타낸다.)
  6. 제 5 항에 있어서, R1 이 탄소수 1 내지 20의 알킬기 또는 탄소수 1 내지 20의 알콕시기인 것을 특징으로 하는 방향족아민 유도체.
  7. 제 5 항 또는 제 6 항에 있어서, R2 내지 R11이 각각 독립하여 수소원자, 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 탄소수 1 내지 20의 알콕시기, 알콕시기의 탄소수가 1 내지 20이고 알킬기의 탄소수가 1 내지 20인 알콕시알킬기, 탄소수 2 내지 4의 알케닐기, 탄소수 2 내지 4의 아실기, 벤조일기, 술폰산기, 수산기, 각각 치환기(그 치환기는 탄소수 1 내지 4의 알킬기 또는 탄소수 1 내지 4의 알콕시기를 나타낸다.)를 갖고 있어도 좋은 페닐기, 시클로헥실기,시클로펜틸기, 비페닐기, 비시클로헥실기, 또는 페닐시클로헥실기인 것을 특징으로 하는 방향족아민 유도체.
  8. 제 1 항에 있어서, 방향족 아민유도체가, 하기 화학식 1d로 표시되는 수평균 분자량이 800 내지 80,000인 것을 특징으로 하는 방향족아민 유도체.
    (화학식 1d)
    Figure 112006006308434-pct00024
    (식중, R1,R6 내지 R11, m,n은 상기와 같은 의미를 나타낸다.)
  9. 제 8 항에 있어서, R1 이 탄소수 1 내지 20의 알킬기 또는 탄소수 1 내지 20의 알콕시기인 것을 특징으로 하는 방향족아민 유도체.
  10. 제 8 항 또는 제 9 항에 있어서, R6 내지 R11이 각각 독립하여 수소원자, 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 탄소수 1 내지 20의 알콕시기, 알콕시기의 탄소수가 1 내지 20이고 알킬기의 탄소수가 1 내지 20인 알콕시알킬기, 탄소수 2 내지 4의 알케닐기, 탄소수 2 내지 4의 아실기, 벤조일기, 술폰산기, 수산기, 각각 치환기(그 치환기는 탄소수 1 내지 4의 알킬기 또는 탄소수 1 내지 4의 알콕시기를 나타낸다.)를 갖고 있어도 좋은 페닐기, 시클로헥실기, 시클로펜틸기, 비페닐기, 비시클로헥실기, 또는 페닐시클로헥실기인 것을 특징으로 하는 방향족아민 유도체.
  11. 제 1 항 내지 제 3 항, 제 5 항, 제 6 항, 제 8 항 및 제 9 항 중 어느 한 항에 있어서, 방향족아민 유도체가 전자수용성 도팬트와 염을 형성하여 이루어지는 가용성 도전성 화합물.
  12. 제 11 항에 있어서, 전자수용성 도팬트가 루이스산, 프로톤산, 천이금속화합물, 전해질염 및 할로겐화합물로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 가용성 도전성 화합물.
  13. 양극 및 음극과, 이들 사이에 개재된 1 층 또는 복수층으로 이루어지는 전계 발광용 유기층을 구비하고, 상기 양극 및 음극과의 사이에 전압을 인가함으로써 상기 유기층중의 발광재료의 발광이 생기는 전계발광소자에 있어서, 상기 양극과 유기층과의 사이에 하기 화학식 1로 표시되는 반복 단위를 갖는 수평균 분자량이 250 내지 100,000의 방향족아민 유도체를 포함하는 캐리어 수송 보조층을 형성하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 전계발광소자.
    (화학식 1)
    Figure 112001021234333-pct00025
    (식중, R1은 비치환 또는 치환의 1가 탄화수소기 또는 오르가노옥시기를 나타내고, A 및 B는 각각 독립하여 하기 화학식 2 또는 화학식 3
    (화학식 2)
    Figure 112001021234333-pct00026
    (화학식 3)
    Figure 112001021234333-pct00027
    로 표시되는 2가의 기이고, R2 내지 R11은 각각 독립하여 수소원자, 수산기, 비치환 또는 치환의 1가 탄화수소기 또는 오르가노옥시기, 아실기, 또는 술폰산기이다. m 및 n은 각각 독립하여 1 이상의 정수로 m + n = 3 내지 3,000을 만족한다.)
  14. 제 13 항에 있어서, 방향족아민 유도체가 하기 화학식 1a, 1b, 1c 또는 1d로 표시되는 것을 특징으로 하는 전계발광소자.
    (화학식 1a)
    Figure 112006006308434-pct00028
    (화학식 1b)
    Figure 112006006308434-pct00029
    (화학식 1c)
    Figure 112006006308434-pct00030
    또는
    (화학식 1d)
    Figure 112006006308434-pct00031
    (식중, R1 내지 R11, m,n는 상기와 같은 의미를 나타낸다.)
  15. 제 13 항 또는 제 14 항에 있어서, 상기 캐리어 수송 보조층이, 상기 방향족아민 유도체와 전자수용성 도팬트로 염을 형성하여 이루어지는 가용성 도전성 화합물에 의하여 형성된 것을 특징으로 하는 전계발광소자.
  16. 제 15 항에 있어서, 전자수용성 도팬트가 루이스산, 프로톤산, 천이금속화합물, 전해질염 또는 할로겐 화합물인 것을 특징으로 하는 전계발광소자.
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