KR100583334B1 - Ⅲ족 질화물계 화합물 반도체 발광 장치 - Google Patents

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Abstract

Ⅲ족 질화물계 화합물 반도체 발광 장치는 InGaN 우물층과 AlGaN 배리어층을 포함하는 양자 우물 구조를 구비하는 다중층을 포함한다. 우물층으로서 InGaN 층의 막 두께, 성장율 및 성장 온도와, 배리어층으로서의 AlGaN의 막 두께는 발광 장치를 최적화하도록 제어되고, 이에 따라 발광 장치의 출력을 향상시키게 된다.
Ⅲ족 질화물계 화합물 반도체 발광 장치, 다중층, InGaN 우물층, AlGaN 배리어층, 양자 우물 구조, 성장율, 성장 온도

Description

Ⅲ족 질화물계 화합물 반도체 발광 장치{Ⅲ GROUP NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR LUMINESCENT ELEMENT}
본 발명은 Ⅲ족 질화물계 화합물 반도체 발광 장치에 관한 것이다. 특히, 상대적으로 단파장에서 광을 방출하는 Ⅲ족 질화물계 화합물 반도체 발광 장치에 관한 것이다.
Ⅲ족 질화물계 화합물 반도체 발광 장치는 블루에서 그린에 이르는 광을 방출하는 발광 다이오드로 알려져 있다. Ⅲ족 질화물계 화합물 반도체 발광 장치는 가시광의 파장보다 짧은 파장에서 (근자외로부터 자외의 범위에서) 광을 방출하는 발광 다이오드로서 또한 사용된다.
이러한 단파장에서 광을 방출하는 Ⅲ족 질화물계 화합물 반도체 발광 장치가 이전에 알려져 있지만, 더 높은 발광 효율 및 출력이 최근 발광 장치에게 요구되어지고 있다.
본 발명은 단파장에서 광을 방출하는 Ⅲ족 질화물계 화합물 반도체 발광 장치를 향상시키기 위한 열성적인 실험에서 이루어졌다. 결과적으로, 다음의 구성을 구비하는 발광 장치가 고려되었다. 즉, InGaN 우물층 및 AlGaN 배리어층을 구비하 는 양자 우물 구조를 포함하는 다중층과, 다중층의 아래에 배치되고 InGaN 우물층보다 두꺼운 InGaN의 중간층을 포함하는 Ⅲ족 질화물계 화합물 반도체 발광 장치가 제공된다.
상기 설명된바와 같이 구성된 Ⅲ족 질화물계 화합물 반도체 발광 장치에 따르면, 단파장, 예를 들어 360 내지 550 nm의 파장에서 광이 종래 장치와 비교할 때 고출력으로 방출될 수 있다.
또한, InGaN 우물층 및 AlGaN 배리어층을 구비하는 양자 우물 구조를 포함하는 다중층이 채용되고, 우물층들로서 각각의 InGaN층의 막 두께, 성장율 및 성장 온도와, 배리어층으로서 각각의 AlGaN 층의 막 두께가 최적화되도록 제어된다. 따라서, Ⅲ족 질화물계 화합물 반도체 발광 장치의 출력이 향상된다.
또한, 다중층에 대하여 하부층으로서 기능을 하는 중간층이 또한 최적화된다. 또한 이러한 관점에서, Ⅲ족 질화물계 화합물 반도체 발광 장치의 출력에서의 향상이 달성된다.
본 발명은 이하에서 상세하게 설명될 것이다.
본 발명의 일 태양에 따르면, 발광 출력을 향상시키고자 하는 파장 범위는 360 내지 550 nm이지만, 그 파장 범위는 특별하게 한정되지는 않는다. 본 발명에서 발광 출력을 향상시키고자 하는 파장 범위는 더 양호하게는 360 내지 520 nm, 더 양호하게는 360 내지 490 nm, 더 양호하게는 360 내지 460 nm, 가장 양호하게는 360 내지 430 nm이다.
이러한 설명에서, 각각의 Ⅲ족 질화물계 화합물 반도체는 소위 AlN, GaN 및 InN과 같은 2성분 화합물 및 AlxGa1-xN, AlxIn1-xN 및 Gax In1-xN(이상에 있어서 0<x<1)과 같은 3성분 화합물을 포함하는 일반적인 공식 AlxGayIn1-x-yN(0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)에 의해 표현된다. Ⅲ족 원소들은 붕소(B), 탈륨(Tl)등으로 적어도 부분적으로 대체될 수 있다. 질소(N)는 인(P), 비소(As), 안티몬(Sb), 비스무트(Bi)등으로 적어도 부분적으로 대체될 수 있다. 각각의 Ⅲ족 질화물계 화합물 반도체 층은 선택적으로 도펀트를 함유할 수 있다. Si, Ge, Se, Te, C등은 n형 불순물들로서 이용될 수 있다. Mg, Zn, Be, Ca, Sr, Ba등은 p형 불순물들로서 이용될 수 있다. 부수적으로, p형 불순물들이 첨가된 후, Ⅲ족 질화물계 화합물 반도체는 전자 비임 조사, 플라즈마 조사 또는 노에 의한 가열 상태에 놓여질 수 있지만, 이러한 공정이 필수적인 것은 아니다. Ⅲ족 질화물계 화합물 반도체층을 형성하기 위한 방법은 특정하게 한정되지 않는다. 금속 유기 화학 증착법(MOCVD 방법) 외에도, Ⅲ족 질화물계 화합물 반도체층은 분자선 에피택시 방법(MBE 방법;Molecular Beam Epitaxy), 할로겐화물 기상 에피택시(HVPE 방법), 스퍼터링 방법, 이온 도금 방법 또는 전자 샤워 방법과 같은 공지 방법으로 형성될 수 있다.
본 발명에서, 특정 Ⅲ족 질화물계 화합물 반도체들은 각각의 특정 층들을 형성하는데 이용된다.
본 발명에서, 다중층은 발광층인 InGaN 우물층과 AlGaN 배리어층을 포함한다. 다중층은 각각의 InGaN 우물층이 AlGaN 층들 사이에 끼워지는 적층 구조를 구비한다.
다른 태양에서, 다중층은 AlGaN 층과 InGaN 우물층의 적층체로 된 유닛 쌍이 적층되거나 또는 2개 이상의 유닛 쌍들이 적층되도록 구성되고, AlGaN층 또는 GaN층이 최종적으로 적층된다. 즉, p형 층쪽 최상단층은 AlGaN 층 또는 GaN 층이다. 반면에, 중간층쪽 최하단층은 또한 AlGaN 층 또는 GaN 층이다. AlGaN의 최상단층과 AlGaN의 최하단층의 조합, AlGaN의 최상단층과 GaN의 최하단층의 조합 또는 GaN의 최상단층과 GaN의 최하단층의 조합이 바람직하다.
유닛 쌍들의 수는 양호하게는 1 내지 10, 더 양호하게는 2 내지 8, 더 양호하게는 3 내지 7, 더 양호하게는 3 내지 6, 가장 양호하게는 3.5이다.
방출된 광의 파장은 InGaN 우물층의 In과 Ga의 조성비에 전적으로 달려있다.
단파장의 광을 방출하기 위해, In의 조성비는 양호하게는 1 내지 20%, 더 양호하게는 1 내지 15%, 더 양호하게는 1 내지 10%, 가장 양호하게는 1 내지 8%로 선택된다.
도1은 우물층으로서의 각각의 InGaN 층의 막 두께와 20 mA의 발광 장치의 발광 강도(이후부터는, 발광 장치의 발광 강도는 특별한 지시가 없으면 20 mA의 적용 시점에서의 발광 강도를 나타낸다) 사이의 관계를 도시한다. 도1의 결과는 다중층을 형성하는 각각의 InGaN 우물층의 두께가 실시예들에 도시된 발광 장치(1)에서의 수평축에 도시된 바와 같이 변화될 때 얻어진다(도6 및 도7 참조).
각각의 InGaN 우물층의 막 두께는 양호하게는 90 내지 200 Å(9.0 내지 20.0 nm), 더 양호하게는 100 내지 175 Å(10.0 내지 17.5 nm)로 선택된다는 것이 도1의 결과로부터 명확해진다.
도2는 각각의 InGaN 우물층의 성장율과 발광 장치의 발광 강도사이의 관계를 도시한다.
도2의 결과는 다중층을 형성하는 각각의 InGaN 우물층의 성장율이 실시예들에 도시된 발광 장치에서의 수평축에 도시된 바와 같이 변화될 때 얻어진다.
각각의 InGaN 우물층의 성장율은 양호하게는 0.25 내지 0.35 Å/s(0.025 내지 0.035 nm/s)로 선택된다는 것이 도2의 결과로부터 명확해진다.
도2의 결과를 얻기 위해, 재료 가스(TMG, TMI, 암모니아)의 유량은 성장율을 제어하도록 변화된다.
도3은 각각의 InGaN 우물층의 성장 온도와 발광 장치의 발광 강도 사이의 관계를 도시한다.
도3의 결과는 다중층을 형성하는 각각의 InGaN 우물층의 성장 온도가 실시예들에 도시된 발광 장치에서의 수평축에 도시된 바와 같이 변화될 때 얻어진다.
도3의 결과로부터, 각각의 InGaN 우물층의 성장 온도는 양호하게는 770 내지 790℃, 더 양호하게는 777 내지 783℃가 선택된다.
도4는 배리어층으로서의 각각의 AlGaN 층의 막 두께와 발광 장치의 발광 강도 사이의 관계를 도시한다. 도4의 결과는 각각의 AlGaN 층의 두께가 실시예들에 도시된 발광 장치에서의 수평축에 도시된 바와 같이 변화될 때 얻어진다.
각각의 AlGaN 층의 막 두께가 양호하게는 50 내지 125 Å(5.0 내지 12.5 nm)로 선택된다는 것이 도4의 결과로부터 명확해진다.
부수적으로, 최상단층은 캡 층으로서 기능을 하기 때문에, 다중층에서의 최 상단층은 다른 배리어층들보다 10 내지 30% 더 두껍게 양호하게는 형성된다.
본 발명의 추가적인 태양에서는, 다중층 아래의 중간층에 주목된다. 중간층은 InGaN의 제1 중간층, GaN의 제2 중간층 및 AlGaN의 제3 중간층을 연속적으로 적층함으로써 얻어진다. 양호하게는, 각각의 제1, 제2 및 제3 중간층은 불순물이 첨가되지 않는다. AlGaN의 제3 중간층은 생략될 수 있다. GaN의 제2 중간층이 생략되면, AlGaN의 제3 중간층은 제2 중간층이 된다. 제2 중간층은 GaN 층과 AlGaN 층의 적층체로서 또한 간주될 수 있다.
도5는 InGaN의 제1 중간층의 성장 온도와 발광 장치의 발광 강도 사이의 관계를 도시한다.
도5의 결과는 InGaN의 제1 중간층의 성장 온도가 실시예들에 도시된 발광 장치에서의 수평축에 도시된 바와 같이 변화될 때 얻어진다.
도5의 결과로부터, InGaN의 제1 중간층의 성장 온도는 양호하게는 770 내지 875℃, 더 양호하게는 800 내지 850℃로 선택된다.
발명자들의 추가적인 연구에 따르면, 양호한 발광 출력은 InGaN 우물층들과 AlGaN 배리어층들이 다음 조건들로 제공될 때 또한 얻어진다는 것이 발견되었다. 즉, 도10, 도11 및 도12에 도시된 조건들에서, 양호한 발광 출력은 360 내지 430 nm의 파장에서 특히 얻어진다.
도10의 결과는 다중층을 형성하는 각각의 InGaN 우물층의 두께가 실시예들에 도시된 발광 장치(1)에서의 수평축에 도시된 바와 같이 변화될 때 얻어진다(도6 및 도7 참조). 각각의 InGaN 우물층의 막 두께가 양호하게는 20 내지 60 Å(2.0 내지 6.0 nm), 더 양호하게는 35 내지 50 Å(3.5 내지 5.0 nm)로 선택된다는 것이 도10의 결과로부터 명확해진다.
도11의 결과는 다중층을 형성하는 각각의 InGaN 우물층의 성장율이 실시예들에 도시된 발광 장치에서의 수평축에 도시된 바와 같이 변화될 때 얻어진다. 각각의 InGaN 우물층의 성장율은 양호하게는 0.08 내지 0.18 Å/s(0.008 내지 0.018 nm/s)로 선택된다는 것이 도11의 결과로부터 명확해진다. 도11의 결과를 얻기 위해, 재료 가스(TMG, TMI, 암모니아)의 유량은 성장율을 제어하도록 변화된다.
도12의 결과는 각각의 AlGaN 층들의 두께가 실시예들에 도시된 발광 장치에서의 수평축에 도시된 바와 같이 변화될 때 얻어진다. 각각의 AlGaN의 막 두께는 양호하게는 75 내지 135 Å(7.5 내지 13.5 nm)로 선택된다는 것이 도12의 결과로부터 명확해진다. 본 발명의 일 태양에서, 각각의 배리어층은 각각의 우물층보다 더 두껍게 양호하게는 형성된다.
도1은 우물층으로서의 각각의 InGaN층의 막 두께와 발광 장치의 발광 강도 사이의 관계를 도시한다.
도2는 각각의 InGaN 우물층의 성장율과 발광 장치의 발광 강도 사이의 관계를 도시한다.
도3은 각각의 InGaN 우물층의 성장 온도와 발광 장치의 발광 강도 사이의 관계를 도시한다.
도4는 배리어층으로서의 각각의 AlGaN층의 막 두께와 발광 장치의 발광 강도 사이의 관계를 도시한다.
도5는 InGaN의 제1 중간층의 성장 온도와 발광 장치의 발광 강도 사이의 관계를 도시한다.
도6은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 장치의 Ⅲ족 질화물계 화합물 반도체층들을 도시한다.
도7은 본 발명의 본 실시예에 따른 발광 장치의 구성을 도시한다.
도8은 다른 실시예에 따른 발광 장치의 Ⅲ족 질화물계 화합물 반도체층들을 도시한다.
도9는 추가적인 실시예에 따른 발광 장치의 Ⅲ족 질화물계 화합물 반도체층들을 도시한다.
도10은 우물층으로서의 각각의 InGaN층의 막 두께와 발광 장치의 발광 강도 사이의 관계를 도시한다.
도11은 각각의 InGaN 우물층의 성장율과 발광 장치의 발광 강도 사이의 관계를 도시한다.
도12는 배리어층으로서의 각각의 AlGaN층의 막 두께와 발광 장치의 발광 강도 사이의 관계를 도시한다.
본 발명의 실시예들이 이하에 설명될 것이다.
제1 실시예
도6은 본 실시예에 따른 발광 다이오드(1)의 반도체 적층 구조를 도시한다.
각각의 층의 사양은 다음과 같다.
층 :조성:도펀트 (두께)
제2 p-형 층(17) :p-Al0.02Ga0.98N:Mg (75 nm)
제1 p-형 층(16) :p-Al0.10-0.45Ga0.90-0.55N:Mg (70 nm 미만)
다중층(15)
최상단층(15d) :Al0.04-0.10Ga0.96-0.90N (5 내지 10.5 nm)
배리어층(15c) :Al0.04-0.10Ga0.96-0.90N (5 내지 10.5 nm)
우물층(15b) :In0.01-0.07Ga0.99-0.93N (3.5 내지 5 nm)
최하단층(15a) :Al0.04-0.10Ga0.96-0.90N (5 내지 10.5 nm)
제3 중간층(14c) :Al0.10-0.45Ga0.90-0.55N (10 nm)
제2 중간층(14b) :GaN (10 nm)
제1 중간층(14a) :In0.01-0.10Ga0.99-0.90N (200 nm)
n-형 층(13) :n-GaN:Si (4 ㎛)
버퍼층(12) :AlN (20 nm)
기판(11) :사파이어 (면 a) (350 ㎛)
부수적으로, 캐리어 농도는 다음과 같다.
제2 p-형 층(17)에서의 캐리어 농도는 1 ×1017/cm3 이상이다.
제1 p-형 층(16)에서의 캐리어 농도는 0.5 내지 2.0 ×1017/cm3이다.
중간층(14a 내지 14c)들은 실질적으로 불순물이 첨가되지 않는다.
n-형 층(13)에서의 캐리어 농도는 1 ×1018/cm3 이상이다.
n-형 층(13), 제1 p-형 층(16) 및 제2 p-형 층(17)의 기판 온도(성장 온도)는 1000℃ 이상으로 선택된다. 소위 저온 버퍼층이 버퍼층으로서 사용될 수 있을지라도, 고온 버퍼층이 본 실시예에서 이용된다(일본 특허 공개 제2001-015443호 참조).
상기 설명된 바와 같이 구성된 발광 다이오드는 다음과 같이 제조된다.
먼저, 수소 가스가 MOCVD 장치의 반응기내로 순환되는 동안, 사파이어 기판(11)은 표면(면 a)이 세척되도록 1130 ℃로 가열된다.
이후, 기판 온도에서, TMA 및 NH3가 주입되고, AlN의 버퍼층(12)은 MOCVD 방법에 의해 성장된다.
이후, 기판 온도가 1130 ℃로 유지되는 상태에서, n-형 층(13)이 형성되고, n-형 층(13)을 따르는 Ⅲ족 질화물계 화합물 반도체층(14 내지 17)들이 통상적인 방법(MOCVD 방법)에 따라 형성된다.
MOCVD 방법에서, 암모니아 가스 및 트리메틸갈륨(TMG), 트리메틸알루미늄(TMA) 및 트리메틸인듐(TMI)과 같은 Ⅲ족 원소 알킬 화합물들의 가스들이 적절한 온도로 가열된 기판 상으로 공급되고, 열 분해 반응에 놓여지게 되어 기판 상에 소정의 결정을 성장시킨다. 실란 또는 디실란이 불순물들로서 실 리콘(Si)을 도입시키도록 사용된다. (RC5H4)2Mg가 불순물들로서 마그네슘(Mg)을 도입하도록 사용된다.
상기 설명된 바와 같이, 제1 중간층(14a)을 성장시키기 위한 기판 온도는 770 내지 875 ℃로 양호하게는 선택된다(도5 참조). 본 실시예에서, 기판 온도는 800 ℃로 선택된다.
다중층(15)에서의 각각의 InGaN 우물층(15b)을 성장시키기 위한 기판 온도는 도3에 도시된 바와 같이 770 내지 790 ℃로 양호하게는 선택된다. 본 실시예에서, 기판 온도는 780 ℃로 선택된다.
다중층(15)에서의 AlGaN 층(15a)의 성장 온도는 인듐(In)을 함유하는 우물층이 이러한 온도에서 제거되지 않으면 특정하게 한정되지 않는다. 본 실시예에서, 기판 온도는 885 ℃로 선택된다.
제1 p-형 층(16) 및 제2 p-형 층(17)의 기판 온도는 1000 ℃로 유지된다.
이후, Ti/Ni가 마스크로서 이용될 때, 반도체층들은 반응 이온 에칭에 의해 부분적으로 제거되고, 이에 따라 n-전극 패드(21)가 형성되는 n-형 층(13)을 표출시킨다(도7 참조).
포토 레지스트가 반도체 표면 상에 균일하게 인가된다. 포토 레지스트는 포토리소그래피에 의해 제2 p-형 층(17) 상의 전극 형성부로부터 제거되어서, 제2 p-형 층(17)의 일부를 노출시킨다. Au-Co 투광성 전극층(19)은 증착 장치에 의해, 노출된 제2 p-형 층(17) 상에 형성된다.
이후, p-형 전극 패드(20) 및 n-형 전극 패드(21)는 상기 설명된 것과 동일한 방식으로 증착된다.
382 nm의 피크 파장을 갖는 단파장 광이 상기 설명된 바와 같이 구성된 발광 다이오드로부터 효율적으로 방출된다.
제2 실시예
본 실시예는 제1 실시예에 따른 장치에서의 다중층(15)의 최하단층(15a')이 도8에 도시된 바와 같이 GaN으로 제조되는 것을 제외하고는 제1 실시예와 동일한 방식으로 구성된다.
또한 본 실시예에서, 382 nm의 피크 파장을 갖는 단파장 광이 효율적으로 방출된다.
제3 실시예
본 실시예는 제1 실시예에 따른 장치에서의 다중층(15)의 최하단층(15a')이 도8에 도시된 바와 같이 GaN으로 제조되고 그 최상단층(15d')이 도9에 도시된 바와 같이 GaN으로 제조되는 것을 제외하고는 제1 실시예와 동일한 방식으로 구성된다.
또한 본 실시예에서, 382 nm의 피크 파장을 갖는 단파장 광이 효율적으로 방출된다.
제4 실시예
본 실시예에 따른 발광 다이오드의 반도체 구성은 도6에 도시된 바와 같다. 각각의 층들의 사양은 다음과 같다.
층 :조성:도펀트 (두께)
제2 p-형 층(17) :p-Al0.02Ga0.98N:Mg (75 nm)
제1 p-형 층(16) :p-Al0.10-0.45Ga0.90-0.55N:Mg (70 nm 미만)
다중층(15)
최상단층(15d) :Al0.04-0.20Ga0.96-0.80N (5 내지 18.0 nm)
배리어층(15c) :Al0.04-0.20Ga0.96-0.80N (5 내지 13.5 nm)
우물층(15b) :In0.01-0.20Ga0.99-0.80N (2 내지 6 nm)
최하단층(15a) :Al0.04-0.20Ga0.96-0.80N (5 내지 13.5 nm)
제3 중간층(14c) :Al0.10-0.45Ga0.90-0.55N (10 nm)
제2 중간층(14b) :GaN (10 nm)
제1 중간층(14a) :In0.01-0.10Ga0.99-0.90N (200 nm)
n-형 층(13) :n-GaN:Si (4 ㎛)
버퍼층(12) :AlN (20 nm)
기판(11) :사파이어 (면 a) (350 ㎛)
부수적으로, 캐리어 농도는 다음과 같다.
제2 p-형 층(17)에서의 캐리어 농도는 5 ×1016/cm3 이상이다.
제1 p-형 층(16)에서의 캐리어 농도는 0.5 내지 2.0 ×1017/cm3이다.
중간층(14a 내지 14c)들은 실질적으로 불순물이 첨가되지 않는다.
n-형 층(13)에서의 캐리어 농도는 1 ×1018/cm3 이상이다.
본 발명은 발명을 실시하기 위한 모드 및 그 실시예들의 설명에 한정되지 않으며, 특허에 대한 청구범위로부터 벗어나지 않고 본 기술 분야의 당업자에 의해 용이하게 착안될 수 있는 다양한 변형예를 포함한다.
본 출원은 2001년 4월 25일자로 출원된 일본 특허출원(특허출원 제2001-128507호) 및 2001년 6월 4일자로 출원된 일본 특허출원(특허출원 제2001-167589호)에 기초하며, 이는 레퍼런스로 본문에 참조된다.
이하, 다음의 항목을 개시한다.
1. InGaN 우물층 및 AlGaN 배리어층을 구비하는 양자 우물 구조를 포함하는 다중층과, 다중층의 아래에 배치되고 InGaN 우물층보다 두꺼운 InGaN의 중간층을 포함하는 360 내지 550 nm의 파장에서 광을 방출하고, 다음의 조건들 (2) 내지 (5) 중 적어도 하나를 만족시키는 Ⅲ족 질화물계 화합물 반도체 발광 장치.
(2) InGaN 우물층의 막 두께가 9.0 내지 20.0 nm.
(3) InGaN 우물층의 성장율이 0.025 내지 0.035 nm/s.
(4) InGaN 우물층의 성장 온도가 770 내지 790 ℃.
(5) AlGaN 층의 막 두께가 5.0 내지 12.5 nm.
2. InGaN 우물층은 AlGaN 층보다 두꺼운 항목 1에 따른 Ⅲ족 질화물계 화합물 반도체 발광 장치.
2-1. 양자 우물 구조 및 InGaN 중간층 사이에 형성되고 GaN으로 제조되는 제2 중간층을 추가로 포함하는 항목 1 또는 2에 따른 Ⅲ족 질화물계 화합물 반도체 발광 장치.
2-2. 양자 우물 구조 및 InGaN 중간층 사이에 형성되고 GaN 및 AlGaN으로 제조되는 제2 중간층을 추가로 포함하는 항목 1 또는 2에 따른 Ⅲ족 질화물계 화합물 반도체 발광 장치.
2-3. 양자 우물 구조 및 InGaN 중간층 사이에 형성되고 AlGaN으로 제조되는 제2 중간층을 추가로 포함하는 항목 1 또는 2에 따른 Ⅲ족 질화물계 화합물 반도체 발광 장치.
3. InGaN의 제1 중간층, GaN의 제2 중간층 및 AlGaN의 제3 중간층을 연속적으로 적층함으로써 얻어진 중간층이 다중층 아래에 형성되는, 항목 1 또는 2에 따른 Ⅲ족 질화물계 화합물 반도체 발광 장치.
4. 중간층이 어떠한 불순물들도 실질적으로 함유하지 않는 항목 3에 따른 Ⅲ족 질화물계 화합물 반도체 발광 장치.
5. 제3 중간층과 접촉하는 다중층의 최하단층은 AlGaN 또는 GaN으로 제조되고, p-형 층과 접촉하는 다중층의 최상단층은 AlGaN 또는 GaN으로 제조되는, 항목 3 또는 4에 따른 Ⅲ족 질화물계 화합물 반도체 발광 장치.
6. 최하단층은 AlGaN으로 제조되고, 최상단층은 AlGaN으로 제조되는 항목 5에 따른 Ⅲ족 질화물계 화합물 반도체 발광 장치.
7. 최하단층은 GaN으로 제조되고, 최상단층은 GaN으로 제조되는 항목 5에 따른 Ⅲ족 질화물계 화합물 반도체 발광 장치.
8. 최하단층은 GaN으로 제조되고, 최상단층은 AlGaN으로 제조되는 항목 5에 따른 Ⅲ족 질화물계 화합물 반도체 발광 장치.
9. InGaN의 제1 중간층의 성장 온도가 770 내지 875 ℃인, 항목 3 내지 8 중 어느 하나에 따른 Ⅲ족 질화물계 화합물 반도체 발광 장치.
11. 360 내지 550 nm의 파장에서 광을 방출하기 위한 층들로서 InGaN 우물층과 AlGaN 배리어층들을 구비하는 양자 우물 구조를 갖는 다중층을 구비하며, 다음의 조건 (3) 및 (4)중 적어도 하나에서 실행되는 Ⅲ족 질화물계 화합물 반도체 발광 장치를 제조하는 방법.
(3) InGaN 우물층의 성장율이 0.025 내지 0.035 nm/s.
(4) 각각의 InGaN 우물층의 성장 온도가 770 내지 790 ℃.
12. InGaN의 제1 중간층, GaN의 제2 중간층 및 AlGaN의 제3 중간층을 연속적으로 적층함으로써 얻어진 중간층은 InGaN의 제1 중간층이 770 내지 875 ℃의 성장 온도에서 형성되는 상태에서, Ⅲ족 질화물계 화합물 반도체 발광 장치에서의 다중층 아래에 형성되는, 항목 11에 따른 Ⅲ족 질화물계 화합물 반도체 발광 장치를 제조하는 방법.
21. InGaN 우물층 및 AlGaN 배리어층을 구비하는 양자 우물 구조를 포함하는 다중층과, 다중층의 아래에 배치되고 InGaN 우물층보다 두꺼운 InGaN의 중간층을 포함하고, 다음의 조건들 (2) 내지 (5) 중 적어도 하나를 만족시키는 Ⅲ족 질화물계 화합물 반도체 발광 장치.
(2) InGaN 우물층의 막 두께가 9.0 내지 20.0 nm.
(3) InGaN 우물층의 성장율이 0.025 내지 0.035 nm/s.
(4) InGaN 우물층의 성장 온도가 770 내지 790 ℃.
(5) AlGaN 층의 막 두께가 5.0 내지 12.5 nm.
22. InGaN 우물층은 AlGaN 층보다 두꺼운 항목 21에 따른 Ⅲ족 질화물계 화합물 반도체 발광 장치.
22-1. 양자 우물 구조 및 InGaN 중간층 사이에 형성되고 GaN으로 제조되는 제2 중간층을 추가로 포함하는 항목 21 또는 22에 따른 Ⅲ족 질화물계 화합물 반도체 발광 장치.
22-2. 양자 우물 구조 및 InGaN 중간층 사이에 형성되고 GaN 및 AlGaN으로 제조되는 제2 중간층을 추가로 포함하는 항목 21 또는 22에 따른 Ⅲ족 질화물계 화합물 반도체 발광 장치.
22-3. 양자 우물 구조 및 InGaN 중간층 사이에 형성되고 AlGaN으로 제조되는 제2 중간층을 추가로 포함하는 항목 21 또는 22에 따른 Ⅲ족 질화물계 화합물 반도체 발광 장치.
23. InGaN의 제1 중간층, GaN의 제2 중간층 및 AlGaN의 제3 중간층을 연속적으로 적층함으로써 얻어진 중간층이 다중층 아래에 형성되는, 항목 21 또는 22에 따른 Ⅲ족 질화물계 화합물 반도체 발광 장치.
24. 중간층이 어떠한 불순물들도 실질적으로 함유하지 않는 항목 23에 따른 Ⅲ족 질화물계 화합물 반도체 발광 장치.
25. 제3 중간층과 접촉하는 다중층의 최하단층은 AlGaN 또는 GaN으로 제조되고, p-형 층과 접촉하는 다중층의 최상단층은 AlGaN 또는 GaN으로 제조되는, 항목 23 또는 24에 따른 Ⅲ족 질화물계 화합물 반도체 발광 장치.
26. 최하단층은 AlGaN으로 제조되고, 최상단층은 AlGaN으로 제조되는 항목 25에 따른 Ⅲ족 질화물계 화합물 반도체 발광 장치.
27. 최하단층은 GaN으로 제조되고, 최상단층은 GaN으로 제조되는 항목 25에 따른 Ⅲ족 질화물계 화합물 반도체 발광 장치.
28. 최하단층은 GaN으로 제조되고, 최상단층은 AlGaN으로 제조되는 항목 25에 따른 Ⅲ족 질화물계 화합물 반도체 발광 장치.
29. InGaN의 제1 중간층의 성장 온도가 770 내지 875 ℃인, 항목 23 내지 28 중 어느 하나에 따른 Ⅲ족 질화물계 화합물 반도체 발광 장치.
31. 다음의 조건들 (2) 내지 (5)중 적어도 하나를 만족시키는 InGaN 우물층과 AlGaN 배리어층들을 갖는 양자 우물 구조를 포함하는 적층체.
(2) InGaN 우물층의 막 두께가 9.0 내지 20.0 nm.
(3) InGaN의 우물층의 성장율이 0.025 내지 0.035 nm/s.
(4) InGaN의 우물층의 성장 온도가 770 내지 990 ℃.
(5) AlGaN 층의 막 두께가 5.0 내지 12.5 nm.
32. InGaN 우물층은 AlGaN 층보다 두꺼운 항목 31에 따른 Ⅲ족 질화물계 화합물 반도체 발광 장치.
32-1. 양자 우물 구조 및 InGaN 중간층 사이에 형성되고 GaN으로 제조되는 제2 중 간층을 추가로 포함하는 항목 31 또는 32에 따른 적층체.
32-2. 양자 우물 구조 및 InGaN 중간층 사이에 형성되고 GaN 및 AlGaN으로 제조되는 제2 중간층을 추가로 포함하는 항목 31 또는 32에 따른 적층체.
32-3. 양자 우물 구조 및 InGaN 중간층 사이에 형성되고 AlGaN으로 제조되는 제2 중간층을 추가로 포함하는 항목 31 또는 32에 따른 적층체.
33. InGaN의 제1 중간층, GaN의 제2 중간층 및 AlGaN의 제3 중간층을 연속적으로 적층함으로써 얻어진 중간층이 다중층 아래에 형성되는, 항목 31 또는 32에 따른 적층체.
34. 중간층이 어떠한 불순물들도 실질적으로 함유하지 않는 항목 33에 따른 적층체.
35. 제3 중간층과 접촉하는 다중층의 최하단층은 AlGaN 또는 GaN으로 제조되고, p-형 층과 접촉하는 다중층의 최상단층은 AlGaN 또는 GaN으로 제조되는, 항목 33 또는 34에 따른 적층체.
36. 최하단층은 AlGaN으로 제조되고, 최상단층은 AlGaN으로 제조되는 항목 35에 따른 적층체.
37. 최하단층은 GaN으로 제조되고, 최상단층은 GaN으로 제조되는 항목 35에 따른 적층체.
38. 최하단층은 GaN으로 제조되고, 최상단층은 AlGaN으로 제조되는 항목 35에 따른 적층체.
39. InGaN의 제1 중간층의 성장 온도가 770 내지 875 ℃인, 항목 33 내지 38 중 어느 하나에 따른 적층체.
40. 다중층이 발광층들을 포함하는 항목 제31 내지 39 중 어느 하나에 따른 적층체.
41. InGaN 우물층과 AlGaN 배리어층들을 구비하는 양자 우물 구조를 갖는 다중층을 구비하며, 다음의 조건 (3) 및 (4)중 적어도 하나에서 실행되는 Ⅲ족 질화물계 화합물 반도체 발광 장치를 제조하는 방법.
(3) InGaN 우물층의 성장율이 0.025 내지 0.035 nm/s.
(4) InGaN 우물층의 성장 온도가 770 내지 790 ℃.
42. InGaN의 제1 중간층, GaN의 제2 중간층 및 AlGaN의 제3 중간층을 연속적으로 적층함으로써 얻어진 중간층은 InGaN의 제1 중간층이 770 내지 875 ℃의 성장 온도에서 형성되는 상태에서, Ⅲ족 질화물계 화합물 반도체 발광 장치에서의 다중층 아래에 형성되는, 항목 41에 따른 Ⅲ족 질화물계 화합물 반도체 발광 장치를 제조하는 방법.
51. InGaN 우물층과 AlGaN 배리어층들을 구비하는 양자 우물 구조를 갖는 다중층을 구비하며, 다음의 조건 (3) 및 (4)중 적어도 하나에서 실행되는 적층체를 제조하는 방법.
(3) InGaN 우물층의 성장율이 0.025 내지 0.035 nm/s.
(4) InGaN 우물층의 성장 온도가 770 내지 790 ℃.
52. InGaN의 제1 중간층, GaN의 제2 중간층 및 AlGaN의 제3 중간층을 연속적으로 적층함으로써 얻어진 중간층은 InGaN의 제1 중간층이 770 내지 875 ℃의 성장 온도 에서 형성되는 상태에서, 다중층 아래에 형성되는, 항목 51에 따른 적층체를 제조하는 방법.
101. InGaN 우물층 및 AlGaN 배리어층을 구비하는 양자 우물 구조를 포함하는 다중층과, 다중층의 아래에 배치되고 InGaN 우물층보다 두꺼운 InGaN의 중간층을 포함하는, 360 내지 430 nm의 파장에서 광을 방출하고, 다음의 조건들 (2) 내지 (5) 중 적어도 하나를 만족시키는 Ⅲ족 질화물계 화합물 반도체 발광 장치.
(2) InGaN 우물층의 막 두께가 2.0 내지 6.0 nm.
(3) InGaN 우물층의 성장율이 0.008 내지 0.018 nm/s.
(4) InGaN 우물층의 성장 온도가 770 내지 790 ℃.
(5) AlGaN 층의 막 두께가 7.5 내지 13.5 nm.
102. AlGaN 층은 InGaN 우물층보다 두꺼운 항목 101에 따른 Ⅲ족 질화물계 화합물 반도체 발광 장치.
102-1. 양자 우물 구조 및 InGaN 중간층 사이에 형성되고 GaN으로 제조되는 제2 중간층을 추가로 포함하는 항목 101 또는 102에 따른 Ⅲ족 질화물계 화합물 반도체 발광 장치.
102-2. 양자 우물 구조 및 InGaN 중간층 사이에 형성되고 GaN 및 AlGaN으로 제조되는 제2 중간층을 추가로 포함하는 항목 101 또는 102에 따른 Ⅲ족 질화물계 화합물 반도체 발광 장치.
102-3. 양자 우물 구조 및 InGaN 중간층 사이에 형성되고 AlGaN으로 제조되는 제2 중간층을 추가로 포함하는 항목 101 또는 102에 따른 Ⅲ족 질화물계 화합물 반 도체 발광 장치.
103. InGaN의 제1 중간층, GaN의 제2 중간층 및 AlGaN의 제3 중간층을 연속적으로 적층함으로써 얻어진 중간층이 다중층 아래에 형성되는, 항목 101 또는 102에 따른 Ⅲ족 질화물계 화합물 반도체 발광 장치.
104. 중간층이 어떠한 불순물들도 실질적으로 함유하지 않는 항목 103에 따른 Ⅲ족 질화물계 화합물 반도체 발광 장치.
105. 제3 중간층과 접촉하는 다중층의 최하단층은 AlGaN 또는 GaN으로 제조되고, p-형 층과 접촉하는 다중층의 최상단층은 AlGaN 또는 GaN으로 제조되는, 항목 103 또는 104에 따른 Ⅲ족 질화물계 화합물 반도체 발광 장치.
106. 최하단층은 AlGaN으로 제조되고, 최상단층은 AlGaN으로 제조되는 항목 105에 따른 Ⅲ족 질화물계 화합물 반도체 발광 장치.
107. 최하단층은 GaN으로 제조되고, 최상단층은 GaN으로 제조되는 항목 105에 따른 Ⅲ족 질화물계 화합물 반도체 발광 장치.
108. 최하단층은 GaN으로 제조되고, 최상단층은 AlGaN으로 제조되는 항목 105에 따른 Ⅲ족 질화물계 화합물 반도체 발광 장치.
109. InGaN의 제1 중간층의 성장 온도가 770 내지 875 ℃인, 항목 103 내지 108 중 어느 하나에 따른 Ⅲ족 질화물계 화합물 반도체 발광 장치.
111. 360 내지 430 nm의 파장에서 광을 방출하기 위한 층들로서 InGaN 우물층과 AlGaN 배리어층들을 구비하는 양자 우물 구조를 갖는 다중층을 구비하며, 다음의 조건 (3) 및 (4)중 적어도 하나에서 실행되는 Ⅲ족 질화물계 화합물 반도체 발광 장치를 제조하는 방법.
(3) InGaN 우물층의 성장율이 0.008 내지 0.018 nm/s.
(4) 각각의 InGaN 우물층의 성장 온도가 770 내지 790 ℃.
112. InGaN의 제1 중간층, GaN의 제2 중간층 및 AlGaN의 제3 중간층을 연속적으로 적층함으로써 얻어진 중간층은 InGaN의 제1 중간층이 770 내지 875 ℃의 성장 온도에서 형성되는 상태에서, Ⅲ족 질화물계 화합물 반도체 발광 장치에서의 다중층 아래에 형성되는, 항목 111에 따른 Ⅲ족 질화물계 화합물 반도체 발광 장치를 제조하는 방법.
121. InGaN 우물층 및 AlGaN 배리어층을 구비하는 양자 우물 구조를 포함하는 다중층과, 다중층의 아래에 배치되고 InGaN 우물층보다 두꺼운 InGaN의 중간층을 포함하고, 다음의 조건들 (2) 내지 (5) 중 적어도 하나를 만족시키는 Ⅲ족 질화물계 화합물 반도체 발광 장치.
(2) InGaN 우물층의 막 두께가 2.0 내지 6.0 nm.
(3) InGaN 우물층의 성장율이 0.008 내지 0.018 nm/s.
(4) InGaN 우물층의 성장 온도가 770 내지 790 ℃.
(5) AlGaN 층의 막 두께가 7.5 내지 13.5 nm.
122. AlGaN 층은 InGaN 우물층보다 두꺼운 항목 121에 따른 Ⅲ족 질화물계 화합물 반도체 발광 장치.
122-1. 양자 우물 구조 및 InGaN 중간층 사이에 형성되고 GaN으로 제조되는 제2 중간층을 추가로 포함하는 항목 121 또는 122에 따른 Ⅲ족 질화물계 화합물 반 도체 발광 장치.
122-2. 양자 우물 구조 및 InGaN 중간층 사이에 형성되고 GaN 및 AlGaN으로 제조되는 제2 중간층을 추가로 포함하는 항목 121 또는 122에 따른 Ⅲ족 질화물계 화합물 반도체 발광 장치.
122-3. 양자 우물 구조 및 InGaN 중간층 사이에 형성되고 AlGaN으로 제조되는 제2 중간층을 추가로 포함하는 항목 121 또는 122에 따른 Ⅲ족 질화물계 화합물 반도체 발광 장치.
123. InGaN의 제1 중간층, GaN의 제2 중간층 및 AlGaN의 제3 중간층을 연속적으로 적층함으로써 얻어진 중간층이 다중층 아래에 형성되는, 항목 121 또는 122에 따른 Ⅲ족 질화물계 화합물 반도체 발광 장치.
124. 중간층이 어떠한 불순물들도 실질적으로 함유하지 않는 항목 123에 따른 Ⅲ족 질화물계 화합물 반도체 발광 장치.
125. 제3 중간층과 접촉하는 다중층의 최하단층은 AlGaN 또는 GaN으로 제조되고, p-형 층과 접촉하는 다중층의 최상단층은 AlGaN 또는 GaN으로 제조되는, 항목 123 또는 124에 따른 Ⅲ족 질화물계 화합물 반도체 발광 장치.
126. 최하단층은 AlGaN으로 제조되고, 최상단층은 AlGaN으로 제조되는 항목 125에 따른 Ⅲ족 질화물계 화합물 반도체 발광 장치.
127. 최하단층은 GaN으로 제조되고, 최상단층은 GaN으로 제조되는 항목 125에 따른 Ⅲ족 질화물계 화합물 반도체 발광 장치.
128. 최하단층은 GaN으로 제조되고, 최상단층은 AlGaN으로 제조되는 항목 125에 따른 Ⅲ족 질화물계 화합물 반도체 발광 장치.
129. InGaN의 제1 중간층의 성장 온도가 770 내지 875 ℃인, 항목 123 내지 128 중 어느 하나에 따른 Ⅲ족 질화물계 화합물 반도체 발광 장치.
131. 다음의 조건들 (2) 내지 (5)중 적어도 하나를 만족시키는 InGaN 우물층과 AlGaN 배리어층들을 갖는 양자 우물 구조를 포함하는 적층체.
(2) InGaN 우물층의 막 두께가 2.0 내지 6.0 nm.
(3) InGaN의 우물층의 성장율이 0.008 내지 0.018 nm/s.
(4) InGaN의 우물층의 성장 온도가 770 내지 790 ℃.
(5) AlGaN 층의 막 두께가 7.5 내지 13.5 nm.
132. AlGaN 층은 InGaN 우물층보다 두꺼운 항목 131에 따른 Ⅲ족 질화물계 화합물 반도체 발광 장치.
132-1. 양자 우물 구조 및 InGaN 중간층 사이에 형성되고 GaN으로 제조되는 제2 중간층을 추가로 포함하는 항목 131 또는 132에 따른 적층체.
132-2. 양자 우물 구조 및 InGaN 중간층 사이에 형성되고 GaN 및 AlGaN으로 제조되는 제2 중간층을 추가로 포함하는 항목 131 또는 132에 따른 적층체.
132-3. 양자 우물 구조 및 InGaN 중간층 사이에 형성되고 AlGaN으로 제조되는 제2 중간층을 추가로 포함하는 항목 131 또는 132에 따른 적층체.
133. InGaN의 제1 중간층, GaN의 제2 중간층 및 AlGaN의 제3 중간층을 연속적으로 적층함으로써 얻어진 중간층이 다중층 아래에 형성되는, 항목 131 또는 132에 따른 적층체.
134. 중간층이 어떠한 불순물들도 실질적으로 함유하지 않는 항목 133에 따른 적층체.
135. 제3 중간층과 접촉하는 다중층의 최하단층은 AlGaN 또는 GaN으로 제조되고, p-형 층과 접촉하는 다중층의 최상단층은 AlGaN 또는 GaN으로 제조되는, 항목 133 또는 134에 따른 적층체.
136. 최하단층은 AlGaN으로 제조되고, 최상단층은 AlGaN으로 제조되는 항목 135에 따른 적층체.
137. 최하단층은 GaN으로 제조되고, 최상단층은 GaN으로 제조되는 항목 135에 따른 적층체.
138. 최하단층은 GaN으로 제조되고, 최상단층은 AlGaN으로 제조되는 항목 135에 따른 적층체.
139. InGaN의 제1 중간층의 성장 온도가 770 내지 875 ℃인, 항목 133 내지 138 중 어느 하나에 따른 적층체.
140. 다중층이 발광층들을 포함하는 항목 제131 내지 139 중 어느 하나에 따른 적층체.
141. InGaN 우물층과 AlGaN 배리어층들을 구비하는 양자 우물 구조를 갖는 다중층을 구비하며, 다음의 조건 (3) 및 (4)중 적어도 하나에서 실행되는 Ⅲ족 질화물계 화합물 반도체 발광 장치를 제조하는 방법.
(3) InGaN 우물층의 성장율이 0.008 내지 0.018 nm/s.
(4) InGaN 우물층의 성장 온도가 770 내지 790 ℃.
142. InGaN의 제1 중간층, GaN의 제2 중간층 및 AlGaN의 제3 중간층을 연속적으로 적층함으로써 얻어진 중간층은 InGaN의 제1 중간층이 770 내지 875 ℃의 성장 온도에서 형성되는 상태에서, Ⅲ족 질화물계 화합물 반도체 발광 장치에서의 다중층 아래에 형성되는, 항목 141에 따른 Ⅲ족 질화물계 화합물 반도체 발광 장치를 제조하는 방법.
151. InGaN 우물층과 AlGaN 배리어층들을 구비하는 양자 우물 구조를 갖는 다중층을 구비하며, 다음의 조건 (3) 및 (4)중 적어도 하나에서 실행되는 적층체를 제조하는 방법.
(3) InGaN 우물층의 성장율이 0.008 내지 0.018 nm/s.
(4) InGaN 우물층의 성장 온도가 770 내지 790 ℃.
152. InGaN의 제1 중간층, GaN의 제2 중간층 및 AlGaN의 제3 중간층을 연속적으로 적층함으로써 얻어진 중간층은 InGaN의 제1 중간층이 770 내지 875 ℃의 성장 온도에서 형성되는 상태에서, 다중층 아래에 형성되는, 항목 151에 따른 적층체를 제조하는 방법.

Claims (15)

  1. InGaN 우물층과 AlGaN 배리어층을 포함하는 양자 우물 구조를 구비하는 다중층과,
    상기 다중충 아래의 중간층을 포함하며,
    상기 중간층은 상기 InGaN 우물층보다 두껍고 불순물을 함유하지 않는 InGaN의 제1 중간층과, 상기 제1 중간층 상에 있으며 불순물을 함유하지 않는 제2 중간층을 포함하는 Ⅲ족 질화물계 화합물 반도체 발광 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제2 중간층은 GaN을 포함하는 Ⅲ족 질화물계 화합물 반도체 발광 장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 제2 중간층은 AlGaN을 포함하는 Ⅲ족 질화물계 화합물 반도체 발광 장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 제2 중간층은 GaN 층 및 AlGaN 층의 적층체를 포함하는 Ⅲ족 질화물계 화합물 반도체 발광 장치.
  5. 제1항에 있어서, 상기 중간층은 InGaN의 상기 제1 중간층, GaN의 제2 중간층 및 AlGaN의 제3 중간층을 연속적으로 적층시킴으로써 얻어지고, 상기 다중층의 아래에 형성되는 Ⅲ족 질화물계 화합물 반도체 발광 장치.
  6. 삭제
  7. 삭제
  8. 삭제
  9. 제4항에 있어서, 각각의 상기 제1 중간층 및 제2 중간층은 불순물을 함유하지 않는 Ⅲ족 질화물계 화합물 반도체 발광 장치.
  10. 제5항에 있어서, 각각의 상기 제1 중간층, 제2 중간층 및 제3 중간층은 불순물을 함유하지 않는 Ⅲ족 질화물계 화합물 반도체 발광 장치.
  11. 제5항에 있어서, 상기 제3 중간층과 접촉하는 상기 다중층의 최하단층은 AlGaN 및 GaN 중 하나로 제조되고, p-형 층과 접촉하는 상기 다중층의 최상단층은 AlGaN 및 GaN 중 하나로 제조되는 Ⅲ족 질화물계 화합물 반도체 발광 장치.
  12. 제1항에 있어서, InGaN의 상기 제1 중간층의 성장 온도는 770 내지 875 ℃인 Ⅲ족 질화물계 화합물 반도체 발광 장치.
  13. InGaN 우물층과 AlGaN 배리어층을 포함하는 양자 우물 구조를 구비하는 다중층을 포함하는 Ⅲ족 질화물계 화합물 반도체 발광 장치를 제조하는 방법이며,
    InGaN의 제1 중간층이 770 내지 875℃의 성장 온도에서 형성되는 상태로 상기 다중층의 아래에 InGaN의 상기 제1 중간층을 형성하는 단계를 포함하며,
    상기 제1 중간층은 불순물을 함유하지 않는 Ⅲ족 질화물계 화합물 반도체 발광 장치 제조 방법.
  14. InGaN 우물층과 AlGaN 배리어층을 포함하는 양자 우물 구조를 구비하는 다중층을 포함하는 Ⅲ족 질화물계 화합물 반도체 발광 장치를 제조하는 방법이며,
    InGaN의 제1 중간층이 770 내지 875℃의 성장 온도에서 형성되는 상태로 상기 다중층의 아래에 InGaN의 제1 중간층, GaN의 제2 중간층 및 AlGaN의 제3 중간층을 중간층으로서 연속적으로 적층하는 단계를 포함하며,
    상기 제1 중간층, 제2 중간층 및 제3 중간층은 불순물을 함유하지 않은 Ⅲ족 질화물계 화합물 반도체 발광 장치 제조 방법.
  15. 제1항에 있어서, 상기 중간층은, 상기 제2 중간층 상에 불순물을 포함하지 않은 AlGaN으로 이루어지는 제3 중간층을 더 포함하는 Ⅲ족 질화물계 화합물 반도체 발광 장치.
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