KR100577127B1 - 반도체 가공에 적합한 구조 웨이퍼 수정용 작동 액체 및방법 - Google Patents

반도체 가공에 적합한 구조 웨이퍼 수정용 작동 액체 및방법 Download PDF

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Abstract

반도체 가공을 위한 웨이퍼의 노출된 표면을 수정하는데 유용한 일 군의 작동 액체가 이 일 군의 작동 액체를 이용하는 반도체 가공용 웨이퍼의 노출된 표면의 수정 방법 및 이 방법에 따라 제조된 반도체 웨이퍼와 함께 제공된다. 본 발명의 작동 액체는 산화제; 이온 완충제; 패시베이션제; 이미노디아세트산 및 그의 염으로부터 선택된 킬레이트제; 및 물을 포함하는 초기 성분들의 용액이다. 본 발명의 방법은 a) 패턴을 형성하도록 에칭된 표면을 갖는 제1 물질 및 제1 물질의 표면 상에 전개된 제2 물질을 포함하는 웨이퍼를 제공하는 단계; b) 웨이퍼의 제2 물질을 작동 액체 존재하에 연마제와 접촉시키는 단계; 및 c) 웨이퍼의 노출된 표면이 평면이고 하나 이상의 노출된 제1 물질 영역 및 하나 이상의 노출된 제2 물질 영역을 포함할 때까지 제2 물질이 연마제와 접촉하고 있도록 하면서 웨이퍼를 상대적으로 이동시키는 단계를 포함한다.
구조 웨이퍼, 작동 액체, 편평화, 산화제, 이온 완충제, 패시베이션제, 킬레이트제

Description

반도체 가공에 적합한 구조 웨이퍼 수정용 작동 액체 및 방법 {Working Liquids and Methods for Modifying Structured Wafers Suited for Semiconductor Fabrication}
본 발명은 반도체 가공용 구조 웨이퍼의 노출된 중간 표면을 수정하는데 유용한 일 군의 작동 액체, 상기 일 군의 작동 액체를 이용하는 반도체 가공용 구조 웨이퍼의 노출된 중간 표면의 수정 방법, 및 상기 방법에 따라 제조된 반도체 웨이퍼에 관한 것이다.
집적 회로 제조 동안에, 반도체 가공에 사용된 반도체 웨이퍼는 전형적으로 침착, 패턴화 및 에칭 단계를 포함하는 수많은 가공 단계들을 거친다. 이들 반도체 웨이퍼 제조 단계들의 상세한 설명은 톤 쇼프 (Tonshoff) 등의 문헌 ["Abrasive Machining of Silicon", published in the Annals of the International Institution for Production Engineering Research, (Volume 39/2/1990), pp. 621-635]에 보고되어 있다. 각 제조 단계에서, 웨이퍼를 후속되는 가공 또는 제조 단계들에 대해 준비시키기 위하여 종종 웨이퍼의 노출된 표면을 수정하거나 또는 정련시키는 것이 필수적이거나 또는 바람직하다.
EP-A-846 742는 구리 지지체에 유용한 것으로 말해지는 화학 기계적 연마 슬러리에 관한 것이다. 화학 기계적 연마 슬러리 조성물은 연마제, 1종 이상의 산화제, 예를 들면 과산화수소 우레아, 착화제 및 피막 형성제를 포함한다.
US-A-5,709,588 역시 연마 슬러리에 관한 것이다. 이 슬러리는 1종 이상의 카르복실기 함유 물질, 아미노기 함유 물질 및 술폰산기 함유 물질을 갖는 표면 마무리처리제로 처리한 연마 입자를 포함한다.
수성 열 전달 시스템의 부식을 억제하기 위한 조성물이 US-A-4,642,221에 기재되어 있다. 구리 또는 구리 합금 냉각수 시스템 중에서의 금속 표면의 부식은 소량의 방향족 트리아졸 및 이미노디카르복실산 또는 이들의 유도체를 냉각수 시스템에 첨가함으로써 억제되는 것으로 말해진다.
종래의 반도체 장치 가공 체계에서, 편평한 기판 실리콘 웨이퍼는, 함께 다층 구조로 되는 것 중의 1개의 층을 형성하는 2종 이상의 별개의 물질들로 된 균일 한 층들을 침착시키는 일련의 가공 단계들을 거친다. 이 방법에서, 당 업계에서 일반적으로 사용되는 임의의 수단에 의해 중간 구성물의 기존의 층에 또는 웨이퍼 그 자체에 제1 물질의 균일한 층을 도포하고, 그 층내에 또는 그 층을 통해 피트 (pit)를 에칭시킨 다음, 그 피트를 제2 물질로 충전시키는 것이 일반적이다. 별법으로는, 제1 물질을 포함하는 대략 균일한 두께의 특징부 (features)가 일반적으로 마스크를 통해 웨이퍼 상에 또는 웨이퍼의 이전에 가공된 층 상에 침착될 수 있고, 이어서 그 특징부에 인접한 영역이 제2 물질로 충전되어 층을 완결시킬 수 있다. 침착 단계 후, 웨이퍼 표면 상에 침착된 물질 또는 층은 일반적으로 추가의 침착 또는 후속되는 가공이 일어나기 전에 추가의 가공처리를 필요로 한다. 완결되었을 때, 외부 표면은 실질적으로 전체적으로 평면이고, 기판 실리콘 웨이퍼 표면과 평행하다. 상기 방법의 구체적인 예가 금속 다마센 (Damascene) 방법이다.
다마센 방법에서는, 패턴이 산화물 유전체 (예를 들면 이산화규소) 층 내에 에칭된다. 에칭 후, 전체 표면 위에 임의적인 접착/차단 층들이 침착된다. 대표적인 차단층은 예를 들면 탄탈륨, 질화탄탈륨, 질화티타늄 또는 티타늄을 포함할 수 있다. 다음으로, 금속 (예를 들면, 구리)이 접착/차단 층의 상부에 또는 그 위에 침착된다. 이어서 침착된 금속 층을 유전체 표면 상의 접착/차단 층의 영역 및 침착된 금속을 제거함으로써, 수정시키고, 정련시키거나 또는 마무리처리한다. 전형적으로는, 웨이퍼의 외부 노출된 표면이 금속 및 산화물 유전 물질을 모두 포함하도록 표면 금속을 충분히 제거한다. 노출된 웨이퍼 표면의 상면도는 에칭된 패턴에 대응하는 금속 및 이 금속에 인접한 유전 물질을 갖는 평면 표면을 나타내게 된다. 웨이퍼의 수정된 표면 상에 위치하는 금속 및 산화물 유전 물질은 고유적으로 상이한 물리적 특성, 예를 들면 상이한 경도 값을 갖는다. 다마센 방법에 의해 제조된 웨이퍼를 수정하는데 사용된 연마제 처리는 금속 및 유전 물질을 그의 표면을 스크래칭 (scratching)하지 않고서 동시에 수정하도록 디자인되어야 한다. 연마제 처리는 금속의 노출된 영역 및 유전 물질의 노출된 영역을 갖는 웨이퍼 상의 외부 노출된 평면 표면을 생성시켜야 한다.
산화물 유전 물질이 웨이퍼 외부 표면 상에 노출될 때까지 침착된 금속 층을 수정하는 상기 방법은 웨이퍼 표면 상에 위치하는 금속 특징부의 미크론이하 치수 때문에 오차의 여지를 거의 남기지 않는다. 침착된 금속의 제거율은 제조 비용을 최소화시키기 위하여 상대적으로 빨라야 하고, 금속은 에칭되지 않은 영역으로부터 완전히 제거되어야 한다. 에칭된 영역 내에 남아있는 금속은 별개의 영역 또는 대역으로 한정되면서 그 영역 또는 대역 내에서는 적절한 전도율을 확실하게 갖도록 하기 위하여 연속적이어야 한다. 간략히, 금속 수정 방법은 균일해야 하고, 조절되어야 하며, 미크론이하 치수 규모로 재생가능해야 한다.
구조 웨이퍼의 노출된 표면을 수정 또는 정련시키는 한 종래의 방법은 액체 중에 분산된 다수의 느슨한 연마 입자를 함유하는 슬러리로 웨이퍼 표면을 처리하는 방법을 사용한다. 전형적으로, 이 슬러리를 연마 패드에 도포하고, 이어서 웨이퍼 표면으로부터 물질을 제거하기 위하여 웨이퍼 표면을 분쇄시키거나 또는 패드에 대하여 움직인다. 일반적으로, 슬러리는 또한 웨이퍼 표면과 반응하는 화학 약품을 함유할 수도 있다. 이러한 타입의 방법은 일반적으로 화학-기계적 편평화 (CMP) 방법으로 언급된다.
CMP 슬러리 방법에 대한 최근의 대체 방법은 반도체 표면을 수정하거나 또는 정련시키기 위해 연마 용품을 사용하여 상기한 슬러리에 대한 요구를 없앤다. 이 대체 CMP 방법은 1997년 3월 27일에 공개된 국제 특허 제 WO 97/11484호에 보고되어 있다. 보고된 연마 용품은 결합제 중에 분산된 연마 입자를 포함하는 텍스쳐된 침착된 연마 표면을 갖는다. 사용시, 연마 용품을 종종 작동 액체 존재 하에, 웨이퍼 상의 1개의 물질 층을 수정하여 평면의 균일한 웨이퍼 표면을 제공하도록 채택된 운동과 함께 반도체 웨이퍼 표면과 접촉시킨다. 작동 액체는 연마 용품의 작용 하에 웨이퍼의 표면을 화학적으로 수정시키거나 또는 다르게는 웨이퍼의 표면으로부터 물질의 제거를 용이하게 하기 위해 웨이퍼의 표면에 가해진다.
상기한 슬러리 또는 연마 용품과 함께, 상기한 방법에 유용한 작동 액체는 전형적으로는 착화제, 산화제, 패시베이션제, 계면활성제, 습윤제, 완충제, 방청 첨가제, 윤활제, 비누 또는 이들 첨가제들의 혼합물을 포함하는 각종 첨가제들의 수용액이다. 첨가제는 또한 웨이퍼 표면 상의 제2 물질, 예를 들면 금속 또는 금속 합금 전도체와 반응성인 약제, 예를 들면 산화제, 환원제, 패시베이션제 또는 착화제를 포함할 수 있다. 상기 작동 액체의 예는 예를 들면 미국 특허 제6,194,317호에서 찾아볼 수 있다.
상기한 CMP 방법에서, 디싱 성능 (dishing performance) 및 제거율이 연마 성능의 척도이다. 이들 성능 측정은 상기한 작동 액체의 사용에 의존할 수 있다. 디싱은 블랭킷 (blanket) 구리 또는 구리 + 차단층의 제거 후에 구리와 차단 또는 유전체층의 상부 사이의 높이 차이로 정의되는 바와 같이, 중간 웨이퍼 표면의 평면 아래의 접착 패드 (bond pad) 또는 와이어 트레이스 (wire traces)로부터 금속, 예를 들면 구리가 얼마나 많이 제거되는지의 척도이다. 제거율은 단위 시간 당 제거된 물질의 양을 말한다. 분 당 적어도 약 1000 Å (100 nm/분)보다 큰 제거율이 바람직하다. 분 당 수 백 옹스트롬 (Å/분; nm/분) 또는 그 미만과 같이 보다 낮은 제거율은, 웨이퍼 제조와 관련된 전체 제조 비용을 증가시키기 쉽기 때문에 덜 바람직하다.
반도체 가공용 구조 웨이퍼의 노출된 중간 표면을 수정시키는데 유용한 작동 액체를 제공함으로써 편평화 방법에서의 개선 및 상기한 군의 작동 액체를 이용하고 바람직하게는 지속적인 개선된 금속 제거율로 반도체 가공용 웨이퍼의 노출된 중간 표면을 수정시키는 방법을 제공하는 것이 바람직하다. 상기한 방법에 유용하여 개선된 디싱 특성을 갖도록 금속 함유 구조 웨이퍼를 가공시킬 수 있는 작동 액체를 제공하는 것이 특히 바람직하다.
<발명의 요약>
본 발명은 반도체 가공에 적합한 구조 웨이퍼의 중간 표면을 수정하거나 또는 정련시키는데 사용하기 위한 일 군의 작동 액체를 제공한다. 본 발명은 또한 상기 웨이퍼의 중간 표면을 수정시키기 위한 상기 작동 액체의 이용 방법도 제공한다. 본 명세서에서 사용된 바와 같이, 구조 웨이퍼의 중간 표면은 전형적으로 패턴 또는 디자인을 형성하도록 에칭된 표면을 갖는 제1 물질 및 제1 물질의 표면 상에 전개된 제2 물질을 포함한다.
한 면에서, 본 발명은, 산화제, 이온 완충제, 패시베이션제(passivating agent), 이미노디아세트산 및 그의 염으로부터 선택된 킬레이트제, 및 물을 포함하는 초기 성분들의 용액인, 반도체 장치의 가공에 적합한 웨이퍼의 표면을 수정하는데 유용한 작동 액체를 제공한다. 작동 액체의 패시베이션제는 아졸 유도체, 바람직하게는 벤조트리아졸, 톨릴트리아졸 또는 이들의 혼합물로부터 선택된 것일 수 있다. 바람직하게는 작동 액체는 산화제로서 과산화수소, 이온 완충제로서 인산수소암모늄, 및 패시베이션제로서 톨릴트리아졸을 포함한다.
본 발명의 일면들을 언급하는데 있어서, 특정 용어들은 하기하는 의미를 갖는 것으로 이해되어야 할 것이다.
"디싱"은 특징부의 연부들에 의해 형성된 평면으로부터 특징부의 중심의 벗어남을 말한다. 시험 목적으로, 위에 놓여지는 제2 물질 (예를 들면, 구리)이 CMP 공정 동안에 제1 물질 (예를 들면, 유전 물질)로부터 제거되어 제1 유전 물질 내에서 에칭된 영역과 같은 한정된 별도의 영역들 내에만 제2 물질의 영역이 남도록 한 후에 디싱을 측정하는데 있어서 100 또는 120 평방 μm 접착 패드가 일반적으로 사용된다. 본 명세서에서 달리 나타내지 않는 한, 디싱 측정은 전형적으로는 구리로 이루어진 영역인 제2 물질의 영역 상의 디싱을 말한다. 본 명세서에 사용된 바와 같이, 디싱은 명시된 웨이퍼 영역 내의 구조 웨이퍼의 평면도의 척도인, "TIR" 또는 "전체 표시 유출액 (Total Indicated Runout)"으로 보고된다. TIR 값은 전형적으로 미국 캘리포니아주 마운틴 뷰 소재의 텐코 (TENCOR)로부터 입수할 수 있는, 텐코 (TENCOR) P-22 롱 스캔 프로필로미터 (Long Scan Profilometer)와 같은 기구를 사용하여 반도체 웨이퍼의 명시된 영역 내의 선을 따라 측정된다. 측정은 반도체 웨이퍼의 표면의 최고점을 가로지르거나 또는 접하는 한 평면과 고찰 영역 내의 반도체 웨이퍼 표면의 최저점을 가로지르거나 또는 접하는 다른 평면인 2개의 가상의 평행한 평면 사이의 거리를 나타낸다.
"균일성"은 구리의 제거율이 웨이퍼의 표면 전체에 걸쳐 얼마나 균일한지의 척도이다.
"제거율"은 금속 필름이 웨이퍼로부터 제거되는 비율, 즉 단위 시간 당 제거된 두께이다. 제거율은 웨이퍼 상의 상이한 지점에서 초기 구리 두께로부터 최종 구리 두께를 감하여 측정된다. 차이의 표준 편차를 차이의 평균으로 나눈 값이 균일성 ％로 보고된다. 균일성의 경우 낮은 값 (예를 들면, 2 내지 3 ％)이 바람직하다.
"3차원" 연마 용품은 편평화 동안에 입자들의 일부를 제거하여 편평화 기능을 수행할 수 있는 추가의 연마 입자를 노출시키도록 그의 두께의 적어도 일부분에 걸쳐 퍼져있는 수많은 연마 입자들을 갖는 연마 용품이다.
다른 일면에서, 본 발명은
a) 패턴을 형성하도록 에칭된 표면을 갖는 제1 물질 및 제1 물질의 표면 상에 전개된 제2 물질을 포함하는 웨이퍼를 제공하는 단계,
b) 웨이퍼의 제2 물질을 상기한 작동 액체 존재하에 연마제와 접촉시키는 단계, 및
c) 웨이퍼의 노출된 표면이 평면이고 하나 이상의 노출된 제1 물질 영역 및 하나 이상의 노출된 제2 물질 영역을 포함할 때까지 제2 물질이 연마제와 접촉하고 있도록 하면서 웨이퍼를 상대적으로 이동시키는 단계
를 포함하는, 반도체 장치의 가공에 적합한 웨이퍼 표면의 수정 방법을 제공한다.
이 일면에서, 작동 액체는 상기한 바와 같다. 연마제는 용품을 포함하고, 연마 용품과 웨이퍼 사이의 이동은 약 0.1 내지 약 25 psi (약 689 내지 약 172369 Pa)의 일반적인 범위, 바람직하게는 약 0.2 내지 약 15 psi (약 1379 내지 약 103421 Pa)의 범위, 가장 바람직하게는 약 1 내지 약 6 psi (약 6895 내지 약 41369 Pa)의 범위 내의 압력 하에서 일어난다. 웨이퍼 및 연마 용품은 회전할 수 있고(있거나) 서로에 대하여 원형 방식, 나선형 방식, 균일하지 않은 방식, 숫자 8과 같은 타원 방식 또는 무작위 운동 방식으로 움직일 수 있다. 웨이퍼 홀더 또는 기판도 또한, 예를 들면 홀더 또는 기판을 통하여 초음파 진동을 전달시킴으로써, 변동 또는 진동할 수 있다. 예를 들면, 연마 용품 또는 웨이퍼, 또는 연마 용품 및 웨이퍼 모두 서로에 대하여 상대적으로 회전할 뿐만 아니라 웨이퍼 및 연마 용품의 상대적 중심을 따라 직선으로 이동한다. 웨이퍼 및 연마 용품 사이의 회전 속도 또는 회전 운동은 1 rpm 내지 10,000 rpm 사이일 수 있다. 연마 용품에 대한 바람직한 회전 속도는 연마 용품이 10 rpm 내지 1,000 rpm, 보다 바람직하게는 10 rpm 내지 250 rpm, 및 가장 바람직하게는 10 rpm 내지 60 rpm 사이의 속도로 회전할 때이다. 웨이퍼에 대한 바람직한 회전 속도는 웨이퍼가 2 rpm 내지 1,000 rpm, 보다 바람직하게는 5 rpm 내지 500 rpm, 및 더욱 더 바람직하게는 10 rpm 내지 100 rpm 사이의 속도로 회전할 때이다. 상기한 방법에 사용된 바람직한 연마제는 연마 용품에 고정된 3차원 연마 복합체를 포함하고, 이 복합체는 결합제 중에 분산되고 고정된 다수의 연마 입자를 포함한다. 연마 용품이 지지체를 추가로 포함하는 것이 바람직하며, 보다 바람직하게는 이 지지체는 중합체 필름이다. 이 지지체는 전면(front surface) 및 후면(back surface)을 갖게 된다. 지지체는 종이, 부직포, 포, 처리된 포, 중합체 필름 및 하도된(primed) 중합체 필름과 같이 연마 용품에 사용되어 온 물질의 군으로부터 선택될 수 있다. 바람직한 실시태양에서, 지지체는 하도된 폴리에스테르 필름이다. 추가로, 상기 연마제는 폴리카보네이트 시트 및 폴리우레탄 포옴의 라미네이트로 이루어진 서브패드 (subpad)에 고정되거나 또는 다르게는 이 서브패드에 의해 지지된다. 서브패드는 전형적으로는 전면 및 후면을 갖게 되고, 연마제는 서브패드의 전면 위에 존재할 수 있다. 연마 용품을 서브패드에 고정시키기 위하여 연마제의 지지체의 후면 상에 감압 접착제가 도포될 수 있다.
별법으로는, 연마제는 연마 패드와 함께 사용된 연마제 또는 연마 슬러리를 포함할 수 있으며, 상기 슬러리는 액체 (예를 들면, 물) 중에 분산된 다수의 느슨한 연마 입자를 포함하며, 슬러리는 연마 패드의 적용에 의해 웨이퍼의 제2 물질과 접촉한다. 슬러리 및 연마 패드가 연마제로서 사용된 경우, 슬러리는 그의 일부분으로서 상기한 작동 액체를 포함하게 된다.
본 방법은 바람직하게는 구조 웨이퍼의 중간 표면을 수정시키는 것에 관한 것이다. 제1 물질은 전형적으로는 중간 물질 또는 접착/차단 층이 그 위에 도포되어 있는 유전 물질이다. 몇몇 적합한 중간 물질 또는 접착/차단 층은 탄탈륨, 티타늄, 질화탄탈륨, 질화티타늄을 포함한다. 다른 적합한 중간 물질 또는 접착/차단 층은 금속, 질화물 및 규화물을 포함한다. 제1 물질과 관련된 디자인은 패턴화된 영역, 홈이있는 영역 및 바이어스, 뿐만 아니라 완성된 반도체 장치를 구성하는 다른 구조를 포함한다. 제2 물질은 전형적으로 티타늄, 은, 알루미늄, 텅스텐, 구리 또는 그의 합금으로부터 선택된 전도성 물질이다. 본 발명의 방법은 특히, 전형적으로 약 0.1 ohm-cm 미만의 저항율 값을 갖는 물질의 전도성 표면을 수정시키는데 적용된다. 일반적으로, 바람직한 유전 물질은 약 5 미만의 유전 상수를 갖게 된다.
이 방법에서는, 웨이퍼의 노출된 표면이 평면이고 하나 이상의 노출된 제2 또는 전도성 물질의 영역 및 하나 이상의 노출된 제1 또는 유전 물질의 영역을 포함할 때까지 연마제와 전도성 물질 사이에 접촉 및 운동이 유지되며, 전도성 물질의 노출된 영역 및 유전 물질의 노출된 영역은 하나의 평면 내에 놓여진다. 유전 물질은 접착/차단 층과 같은 1종 이상의 중간 물질에 의해 피복될 수 있다. 전형적으로는, 노출된 유전 물질 표면은 과량의 전도성 물질의 제거 후에 본질적으로 중간 물질이 없다. 별법으로는, 전도성 물질의 제거가 단지 중간 물질 및 전도성 물질의 표면만을 노출시킬 수 있다. 이어서 수정을 계속하여 웨이퍼 표면 상에 유전 물질 및 전도성 물질을 노출시킬 수 있다.
본 발명의 이들 및 다른 면들은 바람직한 실시태양의 상세한 설명 및 첨부된 특허 청구의 범위를 포함하는 본 명세서의 나머지 부분을 살펴본 후에, 당 업계의 통상의 숙련인들에 의해 이해될 수 있을 것이다.
도 1은 표면 수정 전의 구조 웨이퍼의 일부분의 개략적 횡단면도이다.
도 2는 표면 수정 후의 구조 웨이퍼의 일부분의 개략적 횡단면도이다.
도 3은 반도체 가공에 사용된 웨이퍼의 표면을 수정시키기 위한 장치의 부분적인 개략적 측면도이다.
본 발명을 그의 바람직한 실시태양을 참고로 하여 설명하고자 한다. 본 상세한 설명에서는, 특정 특징부가 도면 부호로 식별되고, 동일한 숫자가 같은 특징부를 나타내는 각종 도면을 참고로 하게 된다.
도 1은 본 발명의 방법에 사용하기 적합한 패턴화 웨이퍼 (10)의 대표적인 도면이다. 명료함을 위하여, 공지된 특징부, 예를 들면 도핑된 영역, 활성 소자, 에피택셜 층, 캐리어 (carrier) 및 현장 산화물 층은 생략하였다. 웨이퍼 (10)은 기판 (11) 및 전형적으로는 임의의 적합한 물질, 예를 들면 단결정 실리콘, 비소화갈륨, 및 당 업계에 공지된 다른 물질로부터 제조된 다수의 지형적 특징부를 갖는다. 차단 또는 접착 층 (13), 전형적으로는 질화티타늄, 티타늄, 탄탈륨, 질화탄탈륨 또는 질화규소가 기판 층 (11) 및 기판 특징부를 덮는다.
금속 전도체 층 (14)는 차단층 (13)의 전면 및 기판 특징부를 덮는다. 각종 금속 또는 금속 합금, 예를 들면 티타늄, 알루미늄, 구리, 알루미늄 구리 합금, 텅스텐 또는 은이 사용될 수 있다. 금속 층은 전형적으로는 차단 층 (13) 상에 연속적인 금속 층을 침착시킴으로써 가해진다. 이어서 과량의 금속을 제거하여 도 2에 예시한 바와 같은 원하는 패턴의 금속 상호연결부 (interconnect) (15)를 형성시킨다. 금속 제거는 바람직하게는 스크래치 또는 완성된 반도체 장치의 작업성을 방해할 수 있는 다른 결함이 없는 평면 표면을 제공하는 불연속 금속 상호연결부 표 면 (15) 및 불연속 특징부 표면 (16)을 제공한다.
도 3은 본 발명의 방법에 유용한 웨이퍼 수정용 장치를 개략적으로 예시한다. 이 기계의 변형 및(또는) 수많은 다른 기계들이 본 발명에 유용할 수 있다. 이러한 타입의 장치 및 많은 변형장치 및 다른 타입의 장치들은 연마 패드 및 느슨한 연마 슬러리와 함께 사용되는 것으로 당 업계에 알려져 있다. 상업적으로 입수할 수 있는 적합한 장치의 한 예는 미국 애리조나주 피닉스 소재의 아이펙/웨스테크 (IPEC/WESTECH)로부터 입수할 수 있는 CMP (화학 기계적 방법) 기계이다. 대체용 CMP 기계는 스트라스바우 (STRASBAUGH) 또는 스피드팸 (SPEEDFAM)으로부터 입수할 수 있다. 장치 (30)은 모터 (나타나 있지 않음)에 연결된 헤드 유닛 (31)을 포함한다. 척 (32)은 헤드 유닛 (31)로부터 연장되며, 상기 척의 한 예는 짐발 척이다. 척 (32)의 디자인은 바람직하게는 상이한 힘들을 수용하여 연마 용품이 웨이퍼 상에 바람직한 표면 마무리처리 및 평면도를 제공하도록 피봇운동한다. 그러나, 척은 편평화 동안에 웨이퍼가 피봇운동하도록 할 수 있거나 또는 그렇지 않을 수 있다.
척 (32)의 단부에는 웨이퍼 (34)를 헤드 유닛 (31)에 고정시켜, 웨이퍼가 가공처리 동안에 움직이게 되는 것을 막는 웨이퍼 홀더 (33)이 있다. 웨이퍼 홀더는 웨이퍼를 수용하도록 디자인되고, 예를 들면 원형, 타원형, 직사각형, 사각형, 팔각형, 육각형, 또는 오각형일 수 있다. 몇몇 경우에, 웨이퍼 홀더는 2개의 부분, 즉 임의적인 보유 고리 및 웨이퍼 지지체 패드를 포함한다. 보유 고리는 일반적으로 반도체 웨이퍼의 둘레 주위에 맞는 일반적으로 원형의 장치일 수 있다. 웨이퍼 지지체 패드는 하나 이상의 구성원, 예를 들면 폴리우레탄 포옴으로부터 제조될 수 있다. 웨이퍼 홀더 (33)은 고리부 (35)에서 반도체 웨이퍼 (34)와 나란히 연장된다. 임의적인 고리부는 별개의 조각일 수 있거나 또는 홀더 (33)과 일체식일 수 있다. 몇몇 경우에, 웨이퍼 홀더 (33)은 웨이퍼 홀더 (33)이 연마 용품 (41)과 만나거나 또는 접촉하지 않도록 웨이퍼 (34)를 지나 연장되지 않게 된다. 다른 경우에, 웨이퍼 홀더 (33)은 웨이퍼 홀더가 연마 복합체와 만나거나 또는 접촉하도록 웨이퍼 (34)를 지나 연장되며, 이 경우 웨이퍼 홀더는 연마 복합체의 특성에 영향을 미칠 수 있다. 예를 들면, 웨이퍼 홀더 (33)은 연마 용품을 "컨디셔닝하고", 가공처리 동안에 연마 용품의 표면의 최외곽부를 제거할 수 있다. 웨이퍼 홀더 또는 보유 고리는 연마 용품이 웨이퍼에 원하는 정도의 수정을 부여할 수 있도록 하는 임의의 디자인 또는 물질의 것일 수 있다. 적합한 물질의 예로는 중합체 물질을 들 수 있다.
웨이퍼 홀더 (33)가 회전하는 속도는 특정 장치, 가공처리 조건, 연마 용품, 및 바람직한 웨이퍼 수정 기준에 의존하게 된다. 그러나, 일반적으로는 웨이퍼 홀더 (33)은 약 2 내지 약 1,000 rpm, 전형적으로는 약 5 내지 약 500 rpm, 바람직하게는 약 10 내지 약 300 rpm, 및 보다 바람직하게는 약 20 내지 약 100 rpm으로 회전한다. 웨이퍼 홀더가 너무 느리거나 또는 너무 빠르게 회전한다면, 바람직한 제거율이 달성되지 않을 수 있다.
웨이퍼 홀더 (33) 및(또는) 기판 (42)는 원형 방식, 나선형 방식, 균일하지 않은 방식, 숫자 8과 같은 타원 방식 또는 무작위 운동 방식으로 회전할 수 있다. 웨이퍼 홀더 또는 기판은 또한, 예를 들면 홀더 또는 기판을 통하여 초음파 진동을 전달시킴으로써, 변동 또는 진동할 수 있다.
언급한 바와 같이, 본 발명에 사용된 연마제는 전형적으로는 연마 슬러리와 함께 사용되는 패드이거나 또는 본 명세서에서 참고문헌으로 인용하고 있는, 1997년 12월 2일에 출원되고 발명의 명칭이 "Abrasive Construction For Semiconductor Wafer Modification"인 브룩스보어트 (Bruxvoort) 등의 미국 특허 제5,692,950호에 일반적으로 기재되어 있는 타입의 3차원 연마 용품이다.
본 명세서에서 사용된 바와 같이, "용품" 또는 "연마 용품"은 연마 슬러리와 함께 사용하기 위한 연마 패드 또는 3차원 형태의 연마 용품을 말하는 것으로 이해되어야 할 것이다. 바람직하게는, 연마제는 3차원 형태의 연마 용품이다. 용품은 약 10 내지 1000 mm, 바람직하게는 약 25 내지 850 mm 사이의 직경을 갖게 될 것이다. 용품은 약 5 내지 약 10,000 rpm, 전형적으로는 약 10 내지 약 1,000 rpm, 약 10 내지 약 250 rpm, 및 바람직하게는 약 10 내지 약 60 rpm으로 회전할 수 있다. 그러나, 웨이퍼 및 용품은 또한 반대 방향으로 회전할 수 있다.
웨이퍼 표면 (34) 및 웨이퍼 홀더 (33) 사이의 계면은 바람직하게는 원하는 편평화 정도를 달성할 수 있도록 비교적 편평하고 균일해야 한다. 작동 액체 (39)는 저장조 (37) 내에 보유되어 튜브 (38)을 통해 웨이퍼 표면과 용품 (41) 사이의 계면으로 펌핑된다. 편평화 동안에, 용품과 웨이퍼 표면 사이의 계면으로 작동 액체의 일정한 흐름이 있는 것이 바람직하다. 전형적으로는, 작동 액체를 먼저 외부 또는 노출된 웨이퍼 표면 (34)에 가하여 그 표면 상의 물질들 중의 1종 이상과 반 응하도록 한다. 이어서, 웨이퍼의 표면에 연마제를 가하여 웨이퍼 물질 및 작동 액체의 반응 생성물을 제거시킨다. 별법으로는, 금속을 먼저 기계적으로 제거한 다음, 작동 유체 중의 성분들과 반응시킬 수 있다. 작동 액체의 유속은 부분적으로는 바람직한 편평화 기준 (제거율, 표면 마무리처리 및 평면성), 구체적인 웨이퍼 구성, 노출된 금속 화학, 및 연마 용품의 표면 형태에 의존할 수 있다. 작동 액체를 분산시키기 위한 유속은 전형적으로는 약 10 내지 1,000 밀리리터/분, 바람직하게는 10 내지 500 밀리리터/분, 및 보다 바람직하게는 약 25 내지 250 밀리리터/분 범위이다.
본 발명의 작동 액체는 구조 웨이퍼의 금속 함유 중간 표면의 CMP 방법, 특히 구리 함유 표면에 대한 CMP 방법에 유용하다. 작동 액체는 구리와 반응하여 산화구리의 표면층을 형성하는 산화제와 같은 화학 에칭제를 포함하는 수용액이다. 이어서 산화물 층을 연마제를 가하여 웨이퍼 표면으로부터 용이하게 제거할 수 있다. 산화제 외에, 유용한 화학 에칭제는 연마제의 기계적 작용에 의해 보다 용이하게 제거되는 층을 생성시키도록 상기한 산화제와 유사한 방식으로 작용할 수 있는 착화제를 포함한다. 적합한 화학 에칭제로는 황산, 과산화수소, 염화구리, 암모늄, 나트륨 및 칼륨의 과황산염, 염화철, 크롬산-황산, 페리시안화 칼륨, 질산 및 이들의 조합물을 들 수 있다. 적합한 착화제의 예로는 알칼리성 암모니아, 예를 들면 수산화암모늄과 염화암모늄 및 다른 암모늄염 및 첨가제, 탄산암모늄, 질산철 및 이들의 조합물을 들 수 있다. 수많은 첨가제들이 안정성, 표면 처리를 위해 및 에칭 속도 조절제로 첨가될 수 있다. 에칭제는 전형적으로 등방성 에칭을 제공, 즉 모든 방향에서 동일한 에칭률 또는 제거율을 제공한다.
작동 유체 내로 혼입될 수 있는 적합한 산화제 또는 표백제는 전이 금속 착체, 예를 들면 시안화철, 암모늄 철 EDTA, 시트르산제일철암모늄, 시트르산철, 옥살산철암모늄, 시트르산구리, 옥살산구리, 글루콘산구리, 글리신산구리, 주석산구리 등일 수 있으며, 이 때 착화제는 전형적으로는 여러자리배위 아민, 카르복실산, 또는 이들 2가지의 혼합물이다. 수많은 배위 화합물이 문헌 [Cotton ＆ Wilkinson, Advanced Inorganic Chemistry, 5 th Ed.]에 기재되어 있다. 구리 금속 및(또는) 산화구리의 산화에 적합한 산화 잠재력을 갖는 것, 예를 들면 바나듐, 크롬, 망간, 코발트, 몰리브데늄 및 텅스텐을 포함하는 배위 화합물이 사용될 수 있다. 다른 적합한 산화제는 할로겐의 옥소산 및 그의 염, 예를 들면 알칼리 금속 염을 포함한다. 이들 산은 문헌 [Cotton ＆ Wilkinson, Advanced Inorganic Chemistry, 5 th Ed.]에 기재되어 있다. 이들 산의 음이온은 전형적으로 할로겐화물 원자, 예를 들면 염소, 브롬 또는 요오드를 함유한다. 이들 할로겐화물은 1개, 2개, 3개 또는 4개의 산소 원자에 결합된다. 예로는 염소산 (HOClO2), 아염소산 (HOClO), 차아염소산 (HOCl), 및 그의 대표적인 나트륨염을 들 수 있다. 예를 들면, 염소산나트륨, 아염소산나트륨 및 차아염소산나트륨을 들 수 있다. 유사한 브롬 및 요오드 유사물도 공지되어 있다.
구리를 함유하는 구조 웨이퍼의 중간 표면의 가공처리의 경우, 바람직한 산화제로는 질산, 시안화철칼륨을 들 수 있으며, 과산화수소가 가장 바람직하다. 다른 적합한 산화제들은 문헌 [웨스트 (West) 등, Copper and Its Alloys, (1982); 및 라이드하이저 (Leidheiser), The Corrosion of Copper, Tin, and Their Alloys, (1971)]에 열거되어 있다. 탈이온수 중의 산화제의 농도는 약 0.01 내지 50 중량％, 바람직하게는 0.02 내지 40 중량％ 범위일 수 있다. 과산화수소가 산화제로 사용되는 경우, 전형적으로는 약 0.5％ 내지 약 12.5％, 바람직하게는 약 1.0％ 내지 약 7.5％ 및 가장 바람직하게는 약 1.0％ 내지 약 5.0％ 범위 내의 농도 (중량％)로 수용액 중에 존재한다.
구리의 산화 및 용해는 문헌 [Cotton ＆ Wilkinson; and Hathaway in Comprehensive Coordination Chemistry, Vol. 5; Wilkinson, Gillard, McCleverty, Eds.]에 일반적으로 기재되어 있는 바와 같이 물 중의 구리 금속 또는 산화구리의 용해도를 증가시키기 위하여 구리에 결합되는 착화제의 첨가에 의해 향상된다. 본 발명의 작동 액체 중에서, 착화제는 항상 탈이온수 중에서 약 0.01 내지 50 중량％의 농도로 존재한다. 구리를 함유하는 구조 웨이퍼의 중간 표면의 가공처리에 있어서, 착화제는 이미노디아세트산 (IDA) 및 그의 염이고, IDA는 전형적으로 작동 액체 내에서 약 0.5％ 내지 약 5.0％, 바람직하게는 약 0.5％ 내지 약 2.0％, 및 가장 바람직하게는 약 0.75％ 내지 약 1.5％ 범위 내의 농도로 존재한다.
금속, 특히 강 및 아연 도금 강에 대한 부식 억제제 또는 패시베이션제가 공지되어 있다. 구리에 대한 가장 잘 알려진 및 가장 널리 사용되는 억제제는 벤조트리아졸 및 아졸 유도체로 공지된 그의 유도체이다. 구리는 특히 중성 또는 약알칼리성 pH에서 산화구리에 의해 다소 표면안정화되는 것으로 알려져 있다. 작동 액체에 패시베이션제를 첨가하는 것은 연마 용품과 아직 접촉하지 않은 금속 표면 영역이 에칭제에 의해 과도하게 조기 제거되는 것을 막거나 또는 얼마나 많은 산화제가 노출된 금속 표면과 반응하는지를 조절할 수 있다. 다른 패시베이션제는 문헌 [라이드하이저, The Corrosion of Copper, Tin, and Their Alloys, (1971), pp. 119-123]에 열거되어 있다. 패시베이션제의 양 및 타입은 부분적으로는 바람직한 편평화 기준 (제거율, 표면 마무리처리 및 평면성)에 의존하게 된다.
본 발명에 따른 구리 함유 웨이퍼의 가공처리에 있어서, 적합한 패시베이션제는 작동 액체 중에서 약 0.025 ％ 내지 약 0.20％, 바람직하게는 약 0.050％ 내지 약 0.15％ 및 더욱 바람직하게는 약 0.050％ 내지 약 0.10％ 범위내의 농도의 특정 아졸 유도체, 바람직하게는 톨릴트리아졸, 벤조트리아졸 및 톨릴트리아졸 및 벤조트리아졸의 조합물을 포함한다.
pH를 조절하여 헹굼물로부터의 미미한 희석에 의해 야기된 pH 변화 및(또는) 공급원에 따른 탈이온수의 pH 차이를 경감시키기 위하여 완충제를 작동 액체에 첨가할 수 있다. 상기에서 언급한 바와 같이, pH는 구리 표면의 성질 및 구리 제거율에 중요한 영향을 미칠 수 있다. 가장 바람직한 완충제는 반도체의 후CMP 클리닝 요구에 적합할 뿐만 아니라 감소된 잠재적 불순물, 예를 들면 알칼리 금속을 갖는 것이다. 또한, 가장 바람직한 완충제는 산성으로부터 거의 중성 내지 염기성까지의 pH 범위에 걸쳐서 조절될 수 있다. 다양성자산이 완충제로서 작용하며, 수산화암모늄으로 완전히 또는 부분적으로 중화되어 암모늄염을 형성할 때, 이들이 바람직하다. 대표적인 예들로는 인산-인산암모늄; 인산수소암모늄; 다인산-다인산암 모늄; 붕산-사붕산암모늄; 붕산-오붕산암모늄 계를 들 수 있다. 다른 트리- 및 다양성자산 양성자이전반응 생성물 및 그의 염, 특히 암모늄염이 바람직하다. 이들은 모두 7보다 큰 하나 이상의 pKa를 갖는 아스파르트산, 글루탐산, 히스티딘, 라이신, 아르기닌, 오르니틴, 시스테인, 티로신, 및 카르노신과 같은 양성자이전반응 생성물 기재 암모늄 이온 완충제 시스템을 포함할 수 있다.
작동 액체는 또한 첨가제, 예를 들면 계면활성제, 점도 개질제, 습윤제, 완충제, 방청 억제제, 윤활제, 비누 등을 함유할 수 있다. 이들 첨가제들은 아래에 놓여지는 반도체 웨이퍼 표면에 해를 끼치지 않고서 바람직한 이익을 제공하도록 선택된다. 예를 들면 편평화 동안에 연마 용품과 반도체 웨이퍼 표면 사이의 마찰을 감소시킬 목적으로 작동 액체 중에 윤활제를 첨가할 수 있다.
무기 입자들도 또한 작동 액체 중에 포함될 수 있다. 이들 무기 입자들을 사용하여 금속 및(또는) 유전체의 제거율을 증가시킬 수 있다. 상기 무기 입자들의 예로는 실리카, 지르코니아, 탄산칼슘, 크로미아, 세리아, 세륨염 (예를 들면, 질산세륨), 석류석, 실리케이트 및 이산화티탄을 들 수 있다. 이들 무기 입자들의 평균 입도는 약 1,000 Å (100 nm) 미만, 바람직하게는 약 500 Å (50 nm) 미만, 및 보다 바람직하게는 약 250 Å (25 nm) 미만이어야 한다. 비록 입자들이 작동 액체에 첨가될 수 있지만, 연마 용품에 고정된 상기한 3차원 연마 복합체를 이용하는 CMP 방법은 바람직하게는 무기 입자, 예를 들면 연마 용품과 결합되지 않은 느슨한 연마 입자가 실질적으로 없는 작동 액체를 사용한다. 바람직하게는, 작동 액체는 1 중량％ 미만, 바람직하게는 0.1 중량％ 미만, 및 보다 바람직하게는 0 중량％의 무기 입자들을 함유한다. 구조 웨이퍼의 중간 표면으로부터 구리의 제거에 효과적인 작동 액체는 이미노디아세트산 및 그의 염으로부터 선택된 킬레이트제, 산화제, 이온 완충제, 패시베이션제 및 물을 포함한다. 바람직한 작동 액체는 약 0.5％ 내지 약 12.5％, 바람직하게는 약 1.0％ 내지 약 7.5％, 보다 바람직하게는 약 1.0％ 내지 약 5.0％, 및 가장 바람직하게는 약 3.3％ 농도의 과산화수소; 약 1.0％ 내지 약 8.0％, 바람직하게는 약 2.0％ 내지 약 6.0％, 보다 바람직하게는 약 2.0％ 내지 약 4.0％, 가장 바람직하게는 약 3.0％ 농도의 인산수소암모늄; 약 0.5％ 내지 약 5.0％, 바람직하게는 약 0.5％ 내지 약 2.0％, 보다 바람직하게는 약 0.75％ 내지 약 1.5％, 가장 바람직하게는 약 1.0％ 농도의 이미노디아세트산; 전형적으로는 약 0.025％ 내지 약 0.2％, 바람직하게는 약 0.05％ 내지 약 0.15％, 가장 바람직하게는 약 0.05％ 농도의 톨릴트리아졸; 및 나머지 (92.65％) 양의 물 (중량％)을 포함할 수 있다. 당 업계의 통상의 숙련인들은 특정 응용분야에서 필요로 할 때 계면활성제, 점도 개질제 및 다른 공지된 첨가제들이 작동 액체에 첨가될 수 있음을 알 수 있을 것이다.
웨이퍼 표면에 가해진 작동 액체의 양은 바람직하게는 표면으로부터 금속 또는 금속 산화물 침착물의 제거에 도움을 주기에 충분한 양이다. 많은 경우에, 염기성 작동 액체 및(또는) 화학 에칭제로부터 충분한 액체가 존재한다. 또한, 몇몇 연마 분야는 제1 작동 액체 외에 제2 액체가 편평화 계면에 존재할 필요가 있음을 알 수 있을 것이다. 이 제2 액체는 제1 액체와 동일하거나 또는 상이할 수 있다.
본 발명의 작동 액체는 또한 종래의 연마 슬러리 중에 사용될 수 있다. 당 업계에 공지되어 있는 바와 같이, 상기 슬러리는 전형적으로는 액체 매질, 전형적 으로는 물 중의 1종 이상의 타입의 연마 입자를 포함한다. 입자는 액체 중의 전체 입자 중의 약 2％ 내지 약 10 중량％ 농도의 슬러리 중의 연마제 농도로 1종 이상의 실리카, 알루미나, 지르코니아 및 세리아를 포함할 수 있다. 본 발명의 작동 액체가 슬러리 중에 포함되는 경우, 상기한 개개의 성분들은 바람직하게는 앞에서 나타낸 중량％로 슬러리의 액체 부분 내에 존재한다. 연마 입자를 작동 액체 전체에 걸쳐 분산시켜 안정한 슬러리를 형성하는 것을 돕기 위하여 바람직하게는 미량의 분산제 또는 계면활성제가 슬러리 중에 포함된다. 분산제 및 계면활성제는 당 업계에 공지되어 있고, 특정 분산제 또는 계면활성제의 선택은 연마 입자의 선택 및 그의 특성에 의존하게 된다. 분산제는 예를 들면 문헌 [커크-오트머 (Kirk-Othmer), Encyclopedia of Chemical Technology, 4 th Edition, vol. 8 (John Wiley and Sons) (1993)]에 일반적으로 기재되어 있다. 본 발명에 사용하기 적합할 수 있는 계면활성제는 문헌 [커크-오트머 (Kirk-Othmer), Encyclopedia of Chemical Technology, 4 th Edition, vol. 23 (John Wiley and Sons) (1997)]에 기재되어 있다. 슬러리의 나머지는 전형적으로는 물을 포함한다.
본 발명의 작동 액체는 구리 표면에 대한 및 가능하게는 또한 다른 금속에 대한 감소된 디싱을 제공함으로써 개선된 연마 특성을 제공한다. 구체적으로는, 구리를 함유하고 본 발명의 작동 액체로 처리된 중간 웨이퍼 표면은 약 1000 Å (100 nm) 미만의 구리 영역 내 디싱을 나타낸다. 추가로, 본 발명의 작동 액체를 이용하는 CMP 방법은 부분적으로는, 전형적으로 분 당 약 1000 Å (100 nm)보다 큰 높은 제거율에 의해 특성화된다. 이들 높은 제거율은 일반적으로 작동 액체가 킬레이트제로서의 IDA와 함께 패시베이션제로서의 톨릴트리아졸을 모두 포함할 때 얻어진다. 특히 바람직한 실시태양에서, 작동 액체는 IDA 및 톨릴트리아졸을 포함하고, 이것은 상승작용 방식으로 작용하여 구조 웨이퍼 표면으로부터 구리를 낮은 디싱 및 높은 제거율로 제거하는 작동 액체를 제공하는 것같다.
연마 용품 (41)이 3차원 형태의 연마 용품인 경우, 용품 (41)은 전형적으로는 연마 용품의 지지체에 대한 서브패드 (43)에 고정된다. 부분적으로, 서브패드는 연마 용품이 노출된 웨이퍼 표면을 효과적으로 연마시킬 뿐만 아니라 연마 용품이 노출된 웨이퍼 표면과 일치할 수 있도록 하는 강성을 제공한다. 특정 서브패드 (즉, 서브패드의 물리적 특성)의 선택은 당 업계의 통상의 숙련인의 기술 내에 속하는 것이다. 서브패드 구조는 예를 들면 본 명세서에서 참고문헌으로 인용하고 있는 미국 특허 제6,194,317호에 추가로 기재되어 있다. 상기한 3차원 형태의 연마 용품의 구조에 관한 세부사항들 역시 상기한 '932 출원에서, 뿐만 아니라 1997년 12월 2일에 출원되고 발명의 명칭이 "Abrasive Construction For Semiconductor Wafer Modification"인 브룩스보어트 등의 미국 특허 제5,692,950호에서 발견될 수 있다.
연마되는 물체 표면에 걸쳐 또는 연마 패드의 표면에 걸쳐 균일한 마모율을 생성시키기 위한 방법은 미국 특허 제5,020,283호; 제5,177,908호; 제5,234,867호; 제5,297,364호; 제5,486,129호; 제5,230,184호, 제5,245,790호 및 제5,562,530호에 논의되어 있다. 이들 방법은 본 발명에 사용될 수 있다. 슬러리와 함께 시트 패드 물질의 공급 롤 또는 연속 벨트를 사용하는 웨이퍼 편평화 방법의 편법들은 또한 롤 또는 벨트를 표면모양침착된 3차원 연마 복합체 및 작동 유체로 대체함으로써 사용할 수 있다. 고유적으로 특정 연마 표면과의 상호작용에 의존하지 않는 웨이퍼 캐리어 및 웨이퍼 지지체의 구조/침착 수단과 같은 연마 관련 분야는 본 발명의 표면모양침착된 3차원 연마 복합체를 포함하는 연마 용품과 함께 사용될 수 있다.
웨이퍼 가공처리에 영향을 미칠 수 있는 변수들은 웨이퍼 표면과 연마 용품 사이의 적절한 접촉 압력의 선택, 액체 매질의 타입, 상대 속도 및 웨이퍼 표면과 연마 용품 사이의 상대적 운동, 및 액체 매질의 유속을 포함한다. 이들 변수들은 상호의존적이고, 가공처리되는 개별 웨이퍼 표면에 기초하여 선택된다.
일반적으로, 1개의 반도체 웨이퍼에 대해 수많은 가공 단계들이 있을 수 있기 때문에, 비교적 높은 물질 제거율이 바람직하다. 본 명세서에 기재된 작동 액체의 경우, 제거율은 전형적으로는 분 당 1000 Å (100 nm) 이상, 바람직하게는 분 당 2000 Å (200 nm) 이상, 보다 바람직하게는 분 당 3000 Å (300 nm) 이상, 및 가장 바람직하게는 분 당 4000 Å (400 nm) 이상이다. 연마 용품의 제거율은 기계 조건 및 가공처리되는 웨이퍼 표면의 타입에 의존할 수 있다. 비록 높은 제거율을 갖는 것이 일반적으로 바람직하지만, 제거율은 바람직하게는 바람직한 표면 마무리처리 및(또는) 웨이퍼 표면의 지형에 해를 끼치거나 또는 편평화 공정의 조절을 어렵게 만들 수 있도록 높지는 않아야 한다.
웨이퍼의 표면 마무리처리는 공지된 방법에 의해 평가될 수 있다. 한 바람직한 방법은 "조도(roughness)"의 척도를 제공하고 스크래치 또는 다른 표면 결함을 나타낼 수 있는 웨이퍼 표면의 Rt 값을 측정하는 것이다 [예를 들면, Chapter 2, RST PLUS Technical Reference Manual, 미국 애리조나주 턱슨 소재의 와이코 코포레이션 (Wyko Corp.) 참조]. 웨이퍼 표면은 바람직하게는 약 1000 Å (100 nm) 이하, 보다 바람직하게는 약 100 Å (10 nm) 이하, 더욱 더 바람직하게는 약 50 Å (5 nm) 이하의 Rt 값을 생성시키도록 수정된다.
Rt는 전형적으로는 간섭계, 예를 들면 와이코 코포레이션으로부터 구입한 와이코 RST PLUS 인터페로미터 (Interferometer) 또는 TENCOR 프로필로미터를 사용하여 측정된다. 스크래치 검출은 또한 암시야 현미경에 의해 측정될 수 있다. 스크래치 깊이는 예를 들면 미국 캘리포니아주 산타 바바라 소재의 디지탈 인스트루먼츠 (Digital Instruments)로부터 입수할 수 있는 "디멘션 (Dimension) 5000" 주사 프로브 현미경을 사용하는 원자력 현미경에 의해 측정될 수 있다.
연마 용품과 웨이퍼 표면 사이의 계면 압력 (즉, 접촉 압력)은 전형적으로는 약 30 psi (206843 Pa) 미만, 바람직하게는 약 15 psi (103421 Pa) 미만, 보다 바람직하게는 약 6 psi (41369 Pa) 미만이다. 본 명세서에서 기재된 구조 연마 용품은 본 발명의 방법에 사용될 때, 예시된 계면 압력에서 양호한 제거율을 제공함을 발견하였다. 또한, 편평화 방법 내의 2개 이상의 가공 조건들이 사용될 수 있다. 예를 들면, 제1 가공 세그먼트는 제2 가공 세그먼트보다 높은 계면 압력을 포함할 수 있다. 웨이퍼 및(또는) 연마 용품의 회전 및 병진운동 속도도 또한 편평화 방법 동안에 변화될 수 있다.
연마 용품의 오목부는 작동 액체를 웨이퍼 표면 전체에 걸쳐 분포시키는 것 을 돕는 채널로서 작용할 수 있다. 오목부는 또한 마모된 연마 입자 및 웨이퍼와 연마 용품 계면으로부터의 다른 부스러기들을 제거하는 돕는 채널로서 작용할 수 있다. 오목부는 또한 연마 용품이 웨이퍼 표면에 달라붙거나 또는 박혀 있게 되기 쉬운, 당 업계에 "스틱션 (stiction)"으로 알려져 있는 현상을 예방할 수 있다.
본 발명의 연마 용품은 형태가 원형, 예를 들면 연마 디스크 형태일 수 있다. 원형 연마 디스크의 외부 연부는 바람직하게는 평활하거나 또는 별법으로는 스캘럽무늬로 장식될 수 있다. 연마 용품은 또한 타원형 또는 임의의 다각형, 예를 들면 삼각형, 사각형, 직사각형 등의 형태일 수 있다. 별법으로는, 연마 용품은 전형적으로는 연마제 분야에서 연마 테이프 롤로 언급되는, 롤의 형태 또는 벨트의 형태일 수 있다. 연마 테이프 롤은 수정 과정 동안에 색인을 달 수 있다. 연마 용품은 천공되어 연마제 코팅 및(또는) 지지체를 관통하는 개구부를 제공하여 사용 전, 사용 동안 또는 사용 후에 액체 매질의 통과를 가능하게 할 수 있다.
상기한 내용은 본 발명의 작동 액체와 함께 사용하기 적합한 연마 용품의 예이다. 본 발명의 작동 액체와 함께 사용된 연마 용품은 일반적으로, 연마 용품이 일반적으로 상태조정을 다시 할 필요 없이 2개 이상, 바람직하게는 5개 이상, 보다 바람직하게는 20개 이상, 및 가장 바람직하게는 30개 이상의 구리 함유 웨이퍼들을 완결시킬 수 있다는 점에서 보다 긴 유효 수명을 나타내게 된다.
본 발명은 아래에 기재되는 비제한적인 실시예에서 추가로 예시된다. 달리 언급하지 않는 한, 농도는 중량％로 제공된다.
본 명세서에서 언급되는 시험에서 하기 방법들을 사용하였다.
방법 I
복합 미세구조 고정 연마제를 사용하는 다수의 연마 용액의 웨이퍼 표면으로부터 금속을 제거할 수 있는 능력을 웨이퍼 표면의 가공처리를 모의한 본 방법 I에 따라 측정하였다. 이 시험 방법에 대한 웨이퍼 표면은 구리 표면을 갖는 이산화규소 코팅된 실리콘 기판 웨이퍼이었다. 블랭킷 웨이퍼는 편평하고, 편평하고 평활한 금속 코팅을 갖는 한편, 패턴화 웨이퍼는 구리가 일치하게 코팅되어 있는 표면 지형 내의 특징부를 갖는다.
구리 코팅된 블랭킷 웨이퍼를 미국 캘리포니아주 산호세 소재의 웨이퍼넷 (WaferNet) 또는 실리콘 밸리 마이크로일엑트로닉스 (Silicon Valley Microelectronics)로부터 구입한, 직경 100 mm 및 두께 약 0.5 mm를 갖는 단결정 실리콘 기판 유닛으로부터 제조하였다. 금속층의 침착 전에, 대략적으로 5,000 Å (500 nm) 두께의 이산화규소 층을 실리콘 웨이퍼상에서 생성시켰다. 티타늄 접착/차단층은 금속 침착 전에 이산화규소 층 상에 침착시켰다. Ti의 두께는 전형적으로 200 Å (20 nm)이지만, 100 내지 300 Å (10 내지 30 nm) 범위일 수 있다. 이어서 물리적 증착법 (PVD)를 사용하여 실리콘 기탄 위에 Cu의 균일한 층을 침착시켰다. 금속층의 두께는 11,000 내지 12,000 Å (1100 내지 1200 nm)이었고 미국 캘리포니아주 산타 클라라 소재의 텐코 인스트루먼츠 (Prometrix Division)의 옴니멥 (Omnimap) NC110 비접촉 금속 모니터링 시스템으로 측정하였다.
구리 패턴화 웨이퍼를 100 mm 실리콘 웨이퍼의 표면상에 열 침착 기술을 사용하여 열 이산화규소 10,000 Å (1000 nm)을 먼저 형성시켜 제조하였다. 건식 에칭 기술로 일련의 100 평방 μm 특징부를 약 7,000 Å (700 nm)의 깊이로 에칭시켜 웨이퍼를 패턴화하였다. 이어서 웨이퍼를, 이산화물의 상부에 TiN의 400 Å (40 nm) 코팅 및 TiN 차단층 상의 PVD 구리의 12,000 Å (1200 nm) 코팅을 위하여 미국 캘리포니아 산호세 소재의 웨이퍼넷으로 보냈다.
시험 기계는 도 3에 기재한 장치와 유사한 변형된 스트라스바우 랩핑 머쉰 (Strasbaugh Lapping Machine), 모델 (Model) 6Y-1이었다. 웨이퍼 가공물을 미국 델라웨어주 뉴워크 소재의 로델 (Rodel)로부터 상표명 "DF200" 하에 입수할 수 있는 포옴 지지체 상에 두고, 조립체를 스프링 부하된 플라스틱 보유 고리 내에 위치시켰다. 실시예의 연마 용품을 미국 미네소타주 세인트 폴 소재의 3M으로부터 얻은 3M 접착제 442 DL 또는 9671LE와 함께, 미국 메사추세츠추 로렌스 소재의 세끼스이 아메리카 코포레이션 (Sekisui America Corp.)의 계열사인 볼텍 (Voltek)으로부터의 90 mil (2286 μm) 에틸렌 비닐 아세테이트 독립 기포 포옴에 적층된, 미국 뉴욕주 쉐넥터디 소재의 제너럴 일렉트릭 스트럭쳐드 플라스틱스, 제너럴 일렉트릭 코포레이션 (General Electric Structured Plastics, General Electric Corp.)으로부터 얻은 20 mil (508 μm) "PCF20" 폴리카보네이트 시트를 포함하는 지지체 패드에 침착시키고, 패드를 스트라스바우의 플래튼 (platen)에 고정시켰다.
웨이퍼를 보유하는 캐리어 헤드를 본 명세서의 방법 III에 따라 제조된 연마 용품과 접촉시켰다. 웨이퍼를 약 40 또는 60 rpm으로 회전시키고, 플래튼을 캐리어 헤드와 동일한 속도로 회전시켰다. 웨이퍼 및 연마 용품 모두 시계방향으로 회전되었다. 회전 외에, 웨이퍼는 연마 용품의 연부로부터 약 13 mm에서 출발하는 호 (약 31 mm, 9초 주기)를 통해 이동하였다. 플래튼은 직경이 12 인치 (30 cm)이었다. 달리 언급하지 않는 한, 연마 용품 및 캐리어 헤드를 약 350 kPa (50 파운드)의 아랫방향 힘으로 서로 접촉시켰다. 작동 액체를 웨이퍼와 접촉 전에 연마 용품 상으로 펌핑하였다. 연마 동안, 작동 액체를 약 40 ml/분의 유속으로 웨이퍼 및 연마제 계면 상으로 펌핑하였다. 연마 용품을 사용하여 1분 (60초) 사이클 동안 블랭킷 웨이퍼를 연마시켰다. 연마 사이클 후에, 웨이퍼를 홀더로부터 제거하여, 탈이온수로 헹궜다.
금속 제거율은 금속 필름 두께의 변화를 측정하여 계산하였다. 초기 (즉, 연마 전) 및 최종 (즉, 연마 후) 측정을 NC110 상에서 동일한 위치에서 하였다. 5회의 판독값을 평균하여 제거율을 분 당 옹스트롬 (Å/분) 또는 nm/분 단위로 측정하였다. 블랭킷 금속 코팅된 웨이퍼를 사용하여 금속 필름 두께 제거율을 측정하였다.
패턴화 웨이퍼를 사용하여 디싱의 정도를 측정하였다. 100 평방 μm 특징부가 연마 동안에 노출되었을 때, 웨이퍼 상의 특징부를 측정하여 구리가 제거되어 이산화규소 스톱 (stop) 층 또는 차단 층 금속 스톱 층을 노출시킨 표면 상의 영역 내의 디싱 정도를 알아보았다. TENCOR P-22 자동 표면 프로필로미터 (미국 캘리포니아주 산타 클라라 소재 텐코 인스트루먼츠)를 사용하여 디싱을 측정하였다.
방법 II
복합 미세구조 고정 연마제를 사용하는 다수의 연마 용액의 웨이퍼 표면으로 부터 금속을 제거할 수 있는 능력을 방법 II에 따라 측정하였다. 이 시험 방법에 대한 웨이퍼 표면은 구리 표면을 갖는 이산화규소 코팅된 실리콘 기판 블랭킷 웨이퍼이었다. 블랭킷 웨이퍼는 편평하고, 편평하고 평활한 금속 코팅을 갖는 한편, 패턴화 웨이퍼는 구리가 일치하게 코팅되어 있는 표면 지형 내의 특징부를 갖는다.
구리 코팅된 블랭킷 웨이퍼를 미국 캘리포니아주 산호세 소재의 웨이퍼넷으로부터 구입한, 직경 200 mm 및 두께 약 0.5 mm를 갖는 단결정 실리콘 기판 유닛으로부터 제조하였다. 실리콘 웨이퍼 상의 층의 침착을 웨이퍼넷 (WaferNet)에 의해 수행하였다. 금속 층의 침착 전에, 이산화규소 층을 실리콘 웨이퍼 상에 생성시켰다. 이 층은 대략적으로 5,000 Å (500 nm) 두께이었다. 티타늄 접착 층을 차단 층 금속 침착 전에 이산화규소 층 상에 침착시켰다. Ti의 두께는 200 Å (20 nm) 인 것으로 명시되었다. 질화티타늄 (TiN) 차단 층을 금속 침착 전에 Ti 층 상에 침착시켰다. TiN의 두께 역시 200 Å (20 nm)인 것으로 명시되었다. 이어서 물리적 증착법 (PVD)를 사용하여 실리콘 기판 위에 Cu의 균일한 층을 침착시켰다. 금속 층의 두께는 전형적으로는 11,000 내지 12,000 Å (1100 내지 1200 nm)이었고 미국 캘리포니아주 산타 클라라 소재의 텐코 인스트루먼츠 (Prometrix Division)의 옴니멥 NC110 비접촉 금속 모니터링 시스템으로 측정하였다.
200 mm 직경 구리 패턴화 웨이퍼를 미국 캘리포니아주 로스 알토스 소재의 에스케이더블유 어소시에이츠 (SKW Associates)로부터 구입하였다. 패턴화 웨이퍼는 구리 다마센 CMP 특성화 웨이퍼인 SKW 6-1로 명시되었다. 웨이퍼는 하기하는 층들이 순서대로 코팅된 단결정 실리콘이다: 플라즈마 증강 테트라에틸오르토실리케이트 (PETEOS)로부터 침착된 8000 Å (800 nm) 이산화규소, 500 Å (50 nm) 탄탈륨 (Ta) 차단 층, 500 Å (50 nm) 구리 시드 층, 및 15,000 Å (1500 nm) 전기도금된 구리. 약 8,000 Å (800 nm)의 깊이로 이산화규소 중에 에칭된 패턴은 디싱 측정에 사용된 120 평방 μm 접착 패드의 배열을 포함한다.
시험 기계는 도 3에 기재한 장치와 유사한 미국 애리조나주 피닉스 소재의 웨스테크 시스템즈, 인크 (Westech Systems, Inc) 모델 (Model) 372-01001 자동 웨이퍼 연마기이었다. 웨이퍼 가공물을 캐리어 헤드 내의, 미국 델라웨어주 뉴워크 소재의 로델로부터 상표명 "DF200" 하에 입수할 수 있는 포옴 지지체 상에 두었다. 실시예의 연마 용품을 미국 미네소타주 세인트 폴 소재의 3M으로부터 얻은 3M 접착제 442 DL 또는 9671LE와 함께, 미국 메사추세츠추 로렌스 소재의 세끼스이 아메리카 코포레이션의 계열사인 볼텍으로부터의 90 mil (2286 μm) 에틸렌 비닐 아세테이트 독립 기포 포옴에 적층된, 미국 뉴욕주 쉐넥터디 소재의 제너럴 일렉트릭 스트럭쳐드 플라스틱스, 제너럴 일렉트릭 코포레이션으로부터 얻은 20 mil (508 μm) "PCF20" 폴리카보네이트 시트를 포함하는 지지체 패드에 침착시키고, 패드를 웨스테크 (Westech) 372의 플래튼에 고정시켰다.
웨이퍼를 보유하는 캐리어 헤드를 본 명세서의 방법 III에 따라 제조된 연마 용품과 접촉시켰다. 웨이퍼를 약 20 또는 30 또는 40 rpm으로 회전시키고, 플래튼을 캐리어 헤드와 동일한 속도 + 1, 즉 21 또는 31 또는 41 rpm으로 회전시켰다. 웨이퍼 및 연마 용품 모두 시계방향으로 회전되었다. 플래튼은 직경이 22.5 인치 (57 cm)이었다. 회전 외에, 웨이퍼 캐리어를 연마 용품의 연부로부터 약 13 mm에서 출발하는 호 (약 48 mm 길이, 10 mm/초의 속도)를 통해 진동시켰다. 연마 용품 및 캐리어 헤드를 실시예에서 명시한 바와 같이, 0.7 psi (4826 Pa)의 아랫방향 힘으로 10 초 동안 서로 접촉시킨 다음, 압력을 약 10초에 걸쳐 최대 3 또는 4 psi (20684 또는 27579 Pa)로 급속하게 상승시켰다. 작동 액체를 웨이퍼와 접촉 전에 연마 용품 상으로 펌핑하였다. 연마 동안, 작동 액체를 약 225 ml/분의 유속으로 웨이퍼 및 연마제 계면 상으로 펌핑하였다. 연마 용품을 사용하여 1분 (60초) 사이클 동안 블랭킷 웨이퍼를 연마시켰다. 60초 연마 사이클 후에, 압력을 5 초 동안 감소시킨 다음 웨이퍼를 홀더로부터 제거하여, 탈이온수로 헹궜다.
금속 제거율을 금속 필름 두께의 변화를 측정하여 계산하였다. 초기 (즉, 연마 전) 및 최종 (즉, 연마 후) 측정을 NC110을 사용하여 동일한 위치에서 하였다. 49회의 판독값을 평균하여 제거율을 분 당 옹스트롬 (Å/분) 또는 nm/분 단위로 측정하였다. 블랭킷 금속 코팅된 웨이퍼를 사용하여 금속 필름 두께 제거율을 측정하였다.
패턴화 웨이퍼를 사용하여 디싱의 정도를 측정하였다. 120 평방 μm 특징부가 연마 동안에 노출되었을 때, 웨이퍼 상의 특징부들을 측정하여 구리가 제거되어 이산화규소 스톱 층 또는 차단 층 금속 스톱 층을 노출시킨 표면 상의 영역 내의 디싱 정도를 알아보았다. TENCOR P-22 자동 표면 프로필로미터 (미국 캘리포니아주 산타 클라라 소재 텐코 인스트루먼츠)를 사용하여 디싱을 측정하였다.
방법 III (연마 용품 제조를 위한 일반적인 방법)
연마 용품의 제조를 설명하는데 있어서 하기 물질 명칭을 사용한다.
물질 명칭
명칭 물질
SR339 2-페녹시 에틸 아크릴레이트, 사르토머 캄파니 인크. (Sartomer Co. Inc.)로부터 상표명 "사르토머 (Sartomer) SR339" 하에 상업적으로 입수할 수 있음
SR9003 사르토머로부터의 프로폭실화 네오펜틸 글리콜 디아크릴레이트
LR8893 2,4,6-트리메틸벤조일-디페닐-포스핀 옥시드 액체 광개시제, 미국 노쓰 캐롤라이나주 샤롯테 소재의 바스프 (BASF)로부터 상표명 "루시린 (LUCIRIN) 8893" 하에 상업적으로 입수할 수 있음
DISPERBYK 111 분산제, 미국 컨넥티컷주 월링포드 소재의 바이크 케미 (Byk Chemie)로부터 상표명 "디스퍼바이크 (DISPERBYK) 111" 하에 상업적으로 입수할 수 있음
TRS2039 약 0.2 μm의 평균 입도를 갖는 대부분 알파 알루미나 입자, 미국 뉴욕주 펜 얀 소재의 페로 코포레이션 (Ferro Corporation)으로부터 입수할 수 있음
실시예에 사용된 연마 용품을 하기하는 바와 같이 제조하였다:
인접하는 원통형 기둥 (post)들의 컬렉션으로 이루어진 주조 표면을 갖는 금속 마스터 공구 (tool) 상에서 폴리프로필렌 물질을 주조함으로써 폴리프로필렌 제조 공구를 제조하였다. 원통형 패턴은 인접하는 밑면들이 원하는 겉보기 지지 (bearing) 영역을 제공하도록 선택된 기둥내 간격을 갖는 삼각형 배열로 배치된 것이다. 생성된 제조 공구는 원통형 공동을 함유하였다.
200-18 μm 기둥 패턴은 200 μm의 직경, 40 μm의 높이를 갖고, 중심 대 중심의 간격이 486 μm인 원통형 기둥들의 삼각형 배열이다. 200-25 μm 기둥 패턴은 200 μm의 직경, 56 μm의 높이를 갖고, 중심 대 중심의 간격이 373 μm인 원통형 기둥들의 삼각형 배열이다.
제조 공구를 마스킹 테이프 감압 접착제 테이프를 사용하여 금속 캐리어 플레이트에 고정시켰다. 9.99％ SR 9003; 14.99％ SR 339; 2.51％ Dysperbyk 111; 0.80％ LR8893 X; 및 71.71％ TRS 2093으로 이루어진 연마 슬러리를 균질해질 때까지 고전단 혼합기를 사용하여 혼합하였다. 이어서 연마 슬러리를 80 μm 필터 및 60 μm 필터를 통해 순차적으로 여과시켰다. 이어서 이 연마 슬러리를 스퀴지 (squeegee)를 사용하여 제조 공구의 공동 내로 코팅시킨 후, 듀퐁 (Du Pont)으로부터의 5 mil (127 μm) 폴리에스테르 필름, 멜리넥스 (Melinex) 61을 제조 공구의 공동 내에 함유된 연마 슬러리와 접촉시켰다. 이어서 용품을 켐 인스트루먼츠 (Chem Instruments)로부터 상업적으로 입수할 수 있는 벤치 톱 (bench top) 실험실 라미네이터, 모델 #001998을 통해 통과시켰다. 용품을 약 280-560 KPa (40-80 psi) 사이의 압력 및 약 2 내지 7의 속도 셋팅으로 2개의 고무 롤러 사이에 연속적으로 공급하였다. 석영판을 용품 위에 위치시켰다. 공구를 지지체 및 연마 슬러리와 함께, 약 157.5 와트/cm (400 Watts/인치)로 작동되는 2개의 철 도핑된 램프 [어메리칸 울트라바이올렛 캄파니 (American Ultraviolet Company)로부터 상업적으로 입수할 수 있음] 또는 2개의 자외선 ("V" 전구) [퓨전 시스템즈, 인크. (Fusion Systems, Inc.)로부터 상업적으로 입수할 수 있음] 아래를 통과시켜 용품을 경화시켰다. 방사선이 필름 지지체를 통과하였다. 속도는 약 10.2 내지 13.7 미터/분 (15-45 피트/분) 사이이었고, 샘플을 최대 2회 통과시켰다.
방법 IV (작동 액체)
올린 코포레이션 (Olin Corp.) (미국 컨넥티컷주 노어워크 소재)으로부터 30％ 용액으로 얻어서 필요에 따라 희석시킨 반도체 등급 과산화수소를 사용하여 작동 액체를 제조하였다. 인산수소암모늄 (ACS 시약 등급), 이미노디아세트산, 시트르산암모늄, 톨릴트리아졸(5-메틸-1-H-벤조트리아졸), 및 1-H-벤조트리아졸을 미국 위스콘신주 밀워키 소재의 알드리히 케미칼 캄파니 (Aldrich Chemical Company)로부터 입수하였다.
모든 용액은 탈이온수를 사용하였다. 고상물들을 별도로 무게를 재어, 물 중에 용해시키고, 30％ 과산화수소를 마지막에 첨가하여 적절한 희석액을 얻었다. 하기하는 실시예의 경우, 모든 용액은 3.0％ 인산수소암모늄 및 3.3％ 과산화수소를 갖는다. 킬레이트제인 이미노디아세트산 또는 시트르산암모늄, 및 패시베이션제인 톨릴트리아졸 또는 벤조트리아졸은 상이한 실시예의 경우에 상이하다. 각 용액의 나머지는 탈이온수이었다.
3.3％ 과산화수소, 3.0％ 인산수소암모늄, 1.0％ 이미노디아세트산 및 0.05％ 톨릴트리아졸을 갖는 실험실 규모 제조의 경우 시약 및 양은 다음과 같다:
전체 용액 100 g (∼1 L)
시약 (ACS 시약 등급)
(1) 인산수소암모늄 (s) 30 g
(2) 이미노디아세트산 (s) 10.0 g
(3) 톨릴트리아졸 (s) 0.50 g
(4) 물 (l) 849.5 g
(5) 30％ 과산화수소 (d=1.1), (l) 110 g (100 mL)
<비교예 A>
방법 I을 사용하여, 패턴화 웨이퍼의 경우 접착/차단 층이 200 Å (20 nm) Ti이고, 구리 코팅이 약 10,000 Å (1000 nm)이고, 접착 패드의 에칭 깊이가 약 5,000 Å (500 nm)인 것을 제외하고는 본 명세서에서 기재한 바와 같이 연마 용품을 시험하였다. 플래튼 속도는 67 rpm이었고, 캐리어 속도는 100 rpm이었으며, 유속은 80 ml/분이었다. 본 명세서의 방법 III에 따라 제조된, 200-25의 기둥 패턴을 갖는 연마 용품을 사용하였다.
0.50％ 시트르산암모늄을 킬레이트제로서 및 0.10％ 벤조트리아졸을 패시베이션제로서 갖는 작동 액체를 방법 IV에 따라 제조하였다. 용액을 방법 I에 따라 시험하였다. 웨이퍼의 상당한 영역이 웨이퍼의 표면으로부터 구리 및 티타늄이 제거되어, 에칭된 100 평방 μm 특징부 및 다른 에칭된 특징부에서를 제외하고는 이산화규소 스톱 층을 노출시켰다. 웨이퍼 상의 100 평방 μm 특징부의 프로필을 측정하여 구리가 제거되어 이산화규소 스톱 층을 노출시킨 영역 내의 디싱 정도를 측정하였다. TENCOR P-22 프로필로미터를 사용하여 디싱을 측정하였다. 웨이퍼 상의 4개의 상이한 부위를 측정하였다. 측정치를 표 1에서 보고하였다.
부위 디싱(TIR,Å) (nm)
1 1990 199
2 1880 188
3 1390 139
4 1080 108
<비교예 B>
접착/차단 층이 300 내지 600 Å (약 30 내지 60 nm) 두께의 TiN이고, 접착 패드가 100 평방 μm이고, 도랑이 약 5,000 Å (500 nm)으로 에칭되고, 구리가 약 12,000 Å (1200 nm) 두께인 것을 제외하고는 방법 II를 사용하였다. 웨이퍼를 에스케이더블유 어소시에이츠로부터의 웨이퍼와 반드시 동일할 필요는 없지만 유사한 방식으로 제조하였다.
본 명세서의 방법 III에 따라 제조된, 200-25의 기둥 패턴을 갖는 연마 용품을 사용하였다. 0.50％ 시트르산암모늄을 킬레이트제로서 및 0.10％ 톨릴트리아졸을 패시베이션제로서 갖는 작동 액체를 방법 IV에 따라 제조하였다. 웨이퍼 상의 압력을 4 psi (27579 Pa)로 설정하고 1 psi (6895 Pa)의 배압을 갖도록 하여 방법 II에 따라 작동 액체를 시험하였다. 플래튼 및 캐리어 속도는 각각 30 및 31 rpm이었다. 2개의 제1 블랭킷 웨이퍼에 대한 1분 연마에 대한 제거율은 3928 및 4159 Å/분 (393 및 416 nm/분)이고, 약 35 내지 40%의 균일성을 가졌다. 패턴화 웨이퍼에 앞서 블랭킷 웨이퍼에 대한 1분 연마 작업에 대한 제거율은 3658 Å/분 (366 nm/분)이었다. 패턴화 웨이퍼를 동일한 조건 하에서 2.0분 동안 실시하여 대략적인 제거율을 점검하였는데, 균일성 프로필은 중심이 느렸고, 따라서 최종 2분의 연마를 3 psi (20684 Pa)의 배압으로 실시하였다. 웨이퍼는 웨이퍼의 바깥쪽에 대해서는 실질적으로 제거되었지만, 중심에 약 4 인치 (10 cm) 직경의 구리가 남아있었다. TENCOR P-22 프로필로미터를 사용하여 디싱을 측정하였다. 웨이퍼 상의 4개의 상이한 부위를 측정하였다. 측정치를 표 2에서 보고하였다.
부위 디싱(TIR,Å) nm
1 500 50
2 1200 120
3 1600 160
4 2100 210
<실시예 1>
본 명세서의 방법 III에 따라 제조된, 200-18의 기둥 패턴을 갖는 연마 용품을 제조하였다. 1.0％ 이미노디아세트산을 킬레이트제로서 및 0.10％ 벤조트리아졸을 패시베이션제로서 갖는 작동 액체를 방법 IV에 따라 제조하였다. 플래튼 및 캐리어 속도가 40 rpm인 것을 제외하고는 방법 I에 따라 작동 액체의 화학을 시험하였다. 패턴화 웨이퍼에 앞서 1분 동안 연마한 블랭킷 웨이퍼는 388 Å/분 (39 nm/분)의 제거율을 가졌는데, 이것은 전형적으로는 너무 낮아서 유용하다고 간주될 수 없다. 12분 후에 패턴화 웨이퍼가 바로 연부에서 제거되기 시작하여, 이어서 매 2분 마다 점검하였다. 패턴화 특징부는 약 18분 후에 웨이퍼의 바깥쪽 주위에서 제거되기 시작하였다. 23분 후에는, 중심에 작은 구리 원이 남아 있었고, 차단 층이 바깥쪽으로부터 제거되었다. 25분 후에 웨이퍼의 중심부 근처에서 차단 층 스톱으로까지 아래로 및 웨이퍼의 바깥쪽 근처에서 산화물 스톱으로까지 아래로 연마가 완결되었다. TENCOR P-22 프로필로미터를 사용하여 디싱을 측정하였다. 웨이퍼 상의 9개의 상이한 부위를 측정하였다. 측정치를 표 3에서 보고하였다.
부위 위치 디싱(TIR,Å) (nm)
1 연부 540 54
2 연부 800 80
3 연부 800 80
4 연부 850 85
5 내부 410 41
6 내부 500 50
7 내부 520 52
8 내부 520 52
9 중앙 500 50
<실시예 2>
본 명세서의 방법 III에 따라, 200-25의 기둥 패턴을 갖는 연마 용품을 제조하였다. 1.0％ 이미노디아세트산을 킬레이트제로서 및 0.05％ 톨릴트리아졸을 패시베이션제로서 갖는 작동 액체를 방법 IV에 따라 제조하였다. 플래튼 및 캐리어 속도를 60 rpm으로 한 방법 I에 따라 작동 액체의 화학을 시험하였다. 패턴화 웨이퍼에 앞서 블랭킷 웨이퍼에 대해 측정한 제거율은 1700 Å/분 (170 nm/분)이었다. 패턴화 웨이퍼를 5.0분 동안 연마하였더니 블랭킷 외관을 가졌다. 패턴화 웨이퍼를 다시 연마기 상에 둬서 2.0분 동안 연마시켰다. 총 7분 후에, 웨이퍼는 TiN 차단 층으로까지 완전히 제거되게 되었다. 차단 층은 균일한 색을 갖지 않았으며, 이것은 부분적으로 제거되었을 수 있음을 나타낸다. TENCOR P-22 프로필로미터를 사용하여 디싱을 측정하였다. 웨이퍼 상의 9개의 상이한 부위를 측정하였다. 측정치를 표 4에서 보고하였다.
부위 디싱(TIR,Å) (nm)
1 350 35
2 550 55
3 570 57
4 580 58
5 600 60
6 600 60
7 600 60
8 610 61
9 620 62
<실시예 3>
본 명세서의 방법 III에 따라, 200-18의 기둥 패턴을 갖는 연마 용품을 제조하였다. 1.0％ 이미노디아세트산을 킬레이트제로서 및 0.05％ 톨릴트리아졸을 패시베이션제로서 갖는 작동 액체를 본 명세서의 방법 IV에 따라 제조하였다. 작동 액체의 성능을 방법 I에 따라 시험하였다. 플래튼 및 캐리어 속도는 40 rpm이었다. 패턴화 웨이퍼에 앞서 블랭킷 웨이퍼에 대해 측정한 제거율은 1755 Å/분 (176 nm/분)이었다. 패턴화 웨이퍼를 6.0분 동안 연마하였더니 웨이퍼의 중심에서 약 60 내지 70％ 제거되게 되었다. 웨이퍼를 다시 연마기 상에 둬서 30초 이상 동안 연마시켜 한 작은 영역을 제외하고는 TiN 차단층으로까지 전체 웨이퍼를 본질적으로 제거하였다. 이어서, TENCOR P-22 상에서 웨이퍼의 디싱을 측정하였다. 관찰한 9개의 부위는 웨이퍼에 걸쳐있는 2개의 수직 직경 상에 있다. 4개의 연부 부위는 적당하게 제거되었다고 간주될 수 있는 반면에, 5개의 내부 부위는 30초의 과연마를 가진 것으로 간주되었다. 디싱 값은 아래 표 5의 컬럼 3에 열거한다. 패턴화 웨이퍼를 명시야 광학 현미경 중에서 차단층 제거에 대해 관찰하였다. 차단층은 구리 충전된 도랑의 밀도가 높은 웨이퍼 영역에서 부분적으로 제거되었지만, 패턴이 발견되지 않은 영역에서는 제거되지 않았다.
다른 날에 새로운 연마 용품 및 새로운 배치 화학을 이용하지만, 동일한 조건 하에서 행한 별도의 실험에서, 동일한 패턴화 웨이퍼를 다시 연마하여 TiN 층이 제거될 수 있는지 여부를 관찰하였다. 패턴화 웨이퍼를 1.0분 동안 연마시킨 다음 30초 더 연마시켰다. 처음의 추가 1분 후에 차단층은 구리가 방금 제거된 작은 영역을 제외하고는, 웨이퍼의 균일한 색으로 나타내어지는 바와 같이 이산화규소 스톱으로까지 제거되었다. 차단층 제거는 광학 현미경으로 확인하였다. 마지막 30초는 마지막 제거된 구리 부위에서 대부분의 잔류 차단층을 제거하였다. TENCOR P-22 상에서, 그 부위에서의 접착 패드가 정확히 동일한 것은 아니지만 대응하는 부위에서 디싱을 다시 측정하였다. 디싱 값을 표 5의 마지막 칼럼에 열거한다.
부위 위치 디싱(TIR) (Å) (nm) 1.5분 과연마후 디싱 (Å) (nm)
1 연부 제거되지 않음 600 60
2 연부 340 34 700 70
3 연부 700 70 820 82
4 연부 750 75 700 70
5 내부 750 75 950 95
6 내부 800 80 1000 100
7 중앙 800 80 980 98
8 내부 850 85 1030 103
9 내부 900 90 1100 110
<실시예 4>
본 명세서의 방법 III에 따라, 200-18의 기둥 패턴을 갖는 연마 용품을 제조하였다. 1.0％ 이미노디아세트산을 킬레이트제로서 및 0.05％ 톨릴트리아졸을 패시베이션제로서 갖는 작동 액체를 방법 IV에 따라 제조하였다. 웨이퍼 상의 배압 없이 방법 II에 따라 작동 액체의 화학을 시험하였다. 제1 블랭킷 속도 웨이퍼를 3 psi (20684 Pa)에서 플래튼 및 캐리어 속도가 각각 40 및 41으로 하여 실시하였고, 제거율은 2679 Å/분 (268 nm/분)이었고 균일성은 5.84%였다. 제2 블랭킷 속도 웨이퍼를 4 psi (27579 Pa)에서 플래튼 및 캐리어 속도가 각각 40 및 41으로 하여 실시하였고, 제거율은 2638 Å/분 (264 nm/분)이었고 균일성은 4.46%였다. 제3 블랭킷 속도 웨이퍼를 3 psi (20684 Pa)에서 플래튼 및 캐리어 속도가 각각 60 및 61으로 하여 실시하였고, 제거율은 2547 Å/분 (255 nm/분)이었고 균일성은 3.42%였다. 패턴화 웨이퍼를 3 psi (20684 Pa)에서 40 및 41의 편평화 및 캐리어 속도로 4 분 (아직 제거되지 않음) + 2.5 분 (이때, 탄탈륨 스톱으로까지 실질적으로 제거되었다) 동안 실시하였다. TENCOR P-22 프로필로미터를 사용하여 디싱을 측정하였다. 웨이퍼 상의 3개의 상이한 부위를 측정하여 표 6에서 보고하였다.
부위 디싱(TIR) (Å) (nm) 대략적인 위치
1 550 55 연부
2 650 65 중앙
3 890 89 중앙과 연부 사이의 중간
이어서 패턴화 웨이퍼를 연마기에 다시 위치시켜 동일한 조건 하에서 30초 동안 더 연마시켰다. 이 연마는 탄탈륨 스톱 상의 마지막 미량의 구리를 제거하였고 과연마된 것으로 간주된다. 표 7은 TENCOR P-22로부터 수집한 동일한 데이타 + 추가의 데이타를 포함한다. 과연마 후에 관찰한 부위는 이전에 측정한 부위와 동일하지 않았다. 중심과 연부 사이의 중간 부위는 웨이퍼의 중심으로부터 상이한 3 개의 반경에 서로 90도로 있다.
부위 디싱(TIR) (Å) (nm) 대략적인 위치 과연마 디싱 (Å) (nm)
1 550 55 연부 520 52
2 650 65 중앙 750 75
3 890 89 중앙과 연부 사이의 중간 1050 105
4 - -- 중앙과 연부 사이의 중간 1000 100
5 - -- 중앙과 연부 사이의 중간 700 70
상기한 실시예들은 좁은 범위의 디싱 값을 나타낸다. 상기한 실시예에 사용된 본 발명의 작동 액체는 비교실시예 A 및 B에 이용된 작동 액체의 경우에 얻은 디싱 값보다 상당히 낮은 구리에 대한 디싱 값을 제공한다. 또한, 추가의 디싱 레벨은 본 실시예의 구조 웨이퍼의 경우에, 웨이퍼가 실질적으로 구리 제거된 (과연마) 후에 웨이퍼를 추가의 시간동안 연마시켰을 때 더 낮다. 과연마에 대한 추가의 디싱 레벨은 균일도가 매우 좋지 않고 웨이퍼의 일부분이 제거된 반면 다른 부분에서는 여전히 구리가 제거되어야 하고 따라서 전체 웨이퍼의 추가의 연마를 필요로 할 때 중요할 수 있다. 비교실시예에서 최대 디싱 값을 갖는 (가장 깊은) 구리 접착 패드가 처음 제거된 다음 잔류 접착 패드가 제거되는 동안에 과연마로 깊어지는 것으로 생각된다. 비록 실시예에서의 디싱 값이 실시예에 따라 약 400 내지 약 1000 Å (약 40 내지 약 100 nm) 범위이지만 당 업계의 통상의 숙련인은 현재 업계의 연마 장치에 대한 공정 최적화를 통해 디싱 값을 상당히 개선시킬 수 있을 것이다.
추가로 본 발명의 실시예 2 내지 4에 대한 결과는 실시예 1과 비교할 때 개선된 물질 제거율을 나타낸다. 이러한 주목되는 성능 개선은 작동 액체 중의 IDA와 톨릴트리아졸 성분 사이의 상승 작용에 기인하는 것으로 생각된다. 실시예 1의 작동 액체 중에서 패시베이션제는 벤조트리아졸이었고 이것은 이 작동 액체에 대한 제거율의 눈에 띄는 감소를 가져왔다.
삭제

Claims (12)

  1. 산화제; 이온 완충제; 벤조트리아졸, 톨릴트리아졸 및 이들의 조합물로 이루어진 군으로부터 임의로 선택되는 패시베이션제(passivating agent); 이미노디아세트산 및 그의 염으로부터 선택된 킬레이트제; 및 물을 포함하는 초기 성분들의 용액인, 반도체 장치의 가공에 적합한 웨이퍼의 표면을 수정하는데 유용한 작동 액체.
  2. 삭제
  3. 제1항에 있어서, 상기 산화제가 과산화수소이고, 이온 완충제가 인산수소암모늄이고, 패시베이션제가 벤조트리아졸, 톨릴트리아졸 및 이들의 조합물로 이루어진 군으로부터 선택된 작동 액체.
  4. 제3항에 있어서, 상기 과산화수소가 0.5 내지 12.5 중량％의 농도로 액체 중에 존재하고, 인산수소암모늄이 1.0 내지 8.0 중량％ 농도로 액체 중에 존재하고, 패시베이션제가 0.025 내지 0.20 중량％ 농도로 액체 중에 존재하고, 킬레이트제가 0.5 내지 5.0 중량％의 농도로 액체 중에 존재하고, 나머지가 물인 작동 액체.
  5. a) 패턴을 형성하도록 에칭된 표면을 갖는 제1 물질 및 제1 물질의 표면 상 에 전개된 제2 물질을 포함하는 웨이퍼를 제공하는 단계,
    b) 웨이퍼의 제2 물질을 제1항 기재의 작동 액체 존재하에 연마제와 접촉시키는 단계, 및
    c) 웨이퍼의 노출된 표면이 평면이고 하나 이상의 노출된 제1 물질 영역 및 하나 이상의 노출된 제2 물질 영역을 포함할 때까지 제2 물질이 연마제와 접촉하고 있도록 하면서 웨이퍼를 상대적으로 이동시키는 단계
    를 포함하는, 반도체 장치의 가공에 적합한 웨이퍼 표면의 수정 방법.
  6. 삭제
  7. 제5항에 있어서, 산화제가 과산화수소이고, 이온 완충제가 인산수소암모늄이고, 패시베이션제가 벤조트리아졸, 톨릴트리아졸 및 이들의 조합물로 이루어진 군으로부터 선택된 방법.
  8. 제7항에 있어서, 상기 과산화수소가 1.0 내지 5.0 중량％의 농도로 액체 중에 존재하고, 인산수소암모늄이 1.0 내지 8.0 중량％ 농도로 액체 중에 존재하고, 패시베이션제가 0.050 내지 0.10 중량％ 농도로 액체 중에 존재하고, 킬레이트제가 0.75 내지 1.5 중량％의 농도로 액체 중에 존재하고, 나머지가 물인 방법.
  9. 제5항에 있어서, 연마제가 연마 용품에 고정된 3차원 연마 복합체를 포함하고, 상기 복합체가 결합제 중에 분산되고 고정된 다수의 연마 입자를 포함하는 방법.
  10. 제5항에 있어서, 상기 연마제가 슬러리 및 연마 패드를 포함하고, 상기 슬러리가 작동 액체 및 액체 중에 분산된 다수의 연마 입자를 포함하고, 슬러리가 연마 패드의 적용에 의해 웨이퍼의 제2 물질과 접촉하는 방법.
  11. 연마 입자, 및 제1항 기재의 작동 액체를 포함하는 연마 슬러리.
  12. 제1항에 있어서, 산화제가
    (a) 황산, 과산화수소, 염화구리, 과황산암모늄, 과황산나트륨, 과황산칼륨, 염화철, 크롬산-황산, 페리시안화 칼륨, 질산 및 이들의 조합물;
    (b) 시안화철, 암모늄 철 EDTA, 시트르산제일철암모늄, 시트르산철, 옥살산철암모늄, 시트르산구리, 옥살산구리, 글루콘산구리, 글리신산구리 및 주석산구리로부터 선택된 전이 금속 착체; 및
    (c) 여러자리배위 아민 전이 금속 착체, 전이 금속 카르복실산 착체 또는 이들 2가지의 조합물
    로 이루어진 군으로부터 선택된 작동 액체.
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Families Citing this family (125)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6245690B1 (en) * 1998-11-04 2001-06-12 Applied Materials, Inc. Method of improving moisture resistance of low dielectric constant films
JP4516176B2 (ja) * 1999-04-20 2010-08-04 関東化学株式会社 電子材料用基板洗浄液
US20020077037A1 (en) * 1999-05-03 2002-06-20 Tietz James V. Fixed abrasive articles
EP1052062A1 (en) * 1999-05-03 2000-11-15 Applied Materials, Inc. Pré-conditioning fixed abrasive articles
US6419554B2 (en) * 1999-06-24 2002-07-16 Micron Technology, Inc. Fixed abrasive chemical-mechanical planarization of titanium nitride
TW501197B (en) * 1999-08-17 2002-09-01 Hitachi Chemical Co Ltd Polishing compound for chemical mechanical polishing and method for polishing substrate
TWI254070B (en) * 1999-08-18 2006-05-01 Jsr Corp Aqueous dispersion for chemical mechanical polishing
US6432826B1 (en) 1999-11-29 2002-08-13 Applied Materials, Inc. Planarized Cu cleaning for reduced defects
US6825117B2 (en) * 1999-12-14 2004-11-30 Intel Corporation High PH slurry for chemical mechanical polishing of copper
US7041599B1 (en) * 1999-12-21 2006-05-09 Applied Materials Inc. High through-put Cu CMP with significantly reduced erosion and dishing
US6638143B2 (en) 1999-12-22 2003-10-28 Applied Materials, Inc. Ion exchange materials for chemical mechanical polishing
US6531071B1 (en) * 2000-01-04 2003-03-11 Micron Technology, Inc. Passivation for cleaning a material
US6962524B2 (en) * 2000-02-17 2005-11-08 Applied Materials, Inc. Conductive polishing article for electrochemical mechanical polishing
US20050092621A1 (en) * 2000-02-17 2005-05-05 Yongqi Hu Composite pad assembly for electrochemical mechanical processing (ECMP)
US20040020789A1 (en) * 2000-02-17 2004-02-05 Applied Materials, Inc. Conductive polishing article for electrochemical mechanical polishing
US7303462B2 (en) * 2000-02-17 2007-12-04 Applied Materials, Inc. Edge bead removal by an electro polishing process
US7670468B2 (en) 2000-02-17 2010-03-02 Applied Materials, Inc. Contact assembly and method for electrochemical mechanical processing
US7303662B2 (en) * 2000-02-17 2007-12-04 Applied Materials, Inc. Contacts for electrochemical processing
US6991528B2 (en) * 2000-02-17 2006-01-31 Applied Materials, Inc. Conductive polishing article for electrochemical mechanical polishing
US7066800B2 (en) * 2000-02-17 2006-06-27 Applied Materials Inc. Conductive polishing article for electrochemical mechanical polishing
US7125477B2 (en) * 2000-02-17 2006-10-24 Applied Materials, Inc. Contacts for electrochemical processing
US6979248B2 (en) * 2002-05-07 2005-12-27 Applied Materials, Inc. Conductive polishing article for electrochemical mechanical polishing
US7059948B2 (en) * 2000-12-22 2006-06-13 Applied Materials Articles for polishing semiconductor substrates
US6537144B1 (en) 2000-02-17 2003-03-25 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for enhanced CMP using metals having reductive properties
US7678245B2 (en) * 2000-02-17 2010-03-16 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for electrochemical mechanical processing
US7029365B2 (en) * 2000-02-17 2006-04-18 Applied Materials Inc. Pad assembly for electrochemical mechanical processing
US6848970B2 (en) * 2002-09-16 2005-02-01 Applied Materials, Inc. Process control in electrochemically assisted planarization
US6451697B1 (en) 2000-04-06 2002-09-17 Applied Materials, Inc. Method for abrasive-free metal CMP in passivation domain
US6710888B1 (en) * 2000-05-23 2004-03-23 Nanometrics Incorporated Method of measuring dishing
US6700670B1 (en) 2000-05-23 2004-03-02 Nanometrics Incorporated Method of measuring dishing using relative height measurements
US6653242B1 (en) 2000-06-30 2003-11-25 Applied Materials, Inc. Solution to metal re-deposition during substrate planarization
US6568290B1 (en) * 2000-08-10 2003-05-27 Nanometrics Incorporated Method of measuring dishing using relative height measurement
US7220322B1 (en) 2000-08-24 2007-05-22 Applied Materials, Inc. Cu CMP polishing pad cleaning
US6702954B1 (en) * 2000-10-19 2004-03-09 Ferro Corporation Chemical-mechanical polishing slurry and method
US6569349B1 (en) * 2000-10-23 2003-05-27 Applied Materials Inc. Additives to CMP slurry to polish dielectric films
US6709316B1 (en) * 2000-10-27 2004-03-23 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for two-step barrier layer polishing
US6524167B1 (en) 2000-10-27 2003-02-25 Applied Materials, Inc. Method and composition for the selective removal of residual materials and barrier materials during substrate planarization
JP3825246B2 (ja) * 2000-11-24 2006-09-27 Ｎｅｃエレクトロニクス株式会社 化学的機械的研磨用スラリー
US6633389B1 (en) 2000-11-28 2003-10-14 Nanometrics Incorporated Profiling method
US20020068454A1 (en) * 2000-12-01 2002-06-06 Applied Materials, Inc. Method and composition for the removal of residual materials during substrate planarization
US6896776B2 (en) * 2000-12-18 2005-05-24 Applied Materials Inc. Method and apparatus for electro-chemical processing
US6530824B2 (en) * 2001-03-09 2003-03-11 Rodel Holdings, Inc. Method and composition for polishing by CMP
US7323416B2 (en) * 2001-03-14 2008-01-29 Applied Materials, Inc. Method and composition for polishing a substrate
US7232514B2 (en) 2001-03-14 2007-06-19 Applied Materials, Inc. Method and composition for polishing a substrate
US20060169597A1 (en) * 2001-03-14 2006-08-03 Applied Materials, Inc. Method and composition for polishing a substrate
US7582564B2 (en) * 2001-03-14 2009-09-01 Applied Materials, Inc. Process and composition for conductive material removal by electrochemical mechanical polishing
US7128825B2 (en) 2001-03-14 2006-10-31 Applied Materials, Inc. Method and composition for polishing a substrate
US7160432B2 (en) 2001-03-14 2007-01-09 Applied Materials, Inc. Method and composition for polishing a substrate
US6811680B2 (en) 2001-03-14 2004-11-02 Applied Materials Inc. Planarization of substrates using electrochemical mechanical polishing
US6899804B2 (en) 2001-12-21 2005-05-31 Applied Materials, Inc. Electrolyte composition and treatment for electrolytic chemical mechanical polishing
US6540935B2 (en) * 2001-04-05 2003-04-01 Samsung Electronics Co., Ltd. Chemical/mechanical polishing slurry, and chemical mechanical polishing process and shallow trench isolation process employing the same
US7344432B2 (en) * 2001-04-24 2008-03-18 Applied Materials, Inc. Conductive pad with ion exchange membrane for electrochemical mechanical polishing
US7137879B2 (en) * 2001-04-24 2006-11-21 Applied Materials, Inc. Conductive polishing article for electrochemical mechanical polishing
US6580515B1 (en) 2001-05-29 2003-06-17 Nanometrics Incorporated Surface profiling using a differential interferometer
US6783432B2 (en) 2001-06-04 2004-08-31 Applied Materials Inc. Additives for pressure sensitive polishing compositions
US6485355B1 (en) * 2001-06-22 2002-11-26 International Business Machines Corporation Method to increase removal rate of oxide using fixed-abrasive
US6592742B2 (en) * 2001-07-13 2003-07-15 Applied Materials Inc. Electrochemically assisted chemical polish
US7104869B2 (en) * 2001-07-13 2006-09-12 Applied Materials, Inc. Barrier removal at low polish pressure
US7008554B2 (en) * 2001-07-13 2006-03-07 Applied Materials, Inc. Dual reduced agents for barrier removal in chemical mechanical polishing
TW583731B (en) * 2001-08-23 2004-04-11 Mykrolis Corp Process, system, and liquid composition for selectively removing a metal film
US6800218B2 (en) * 2001-08-23 2004-10-05 Advanced Technology Materials, Inc. Abrasive free formulations for chemical mechanical polishing of copper and associated materials and method of using same
US6677239B2 (en) 2001-08-24 2004-01-13 Applied Materials Inc. Methods and compositions for chemical mechanical polishing
JP4803625B2 (ja) * 2001-09-04 2011-10-26 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置の製造方法
US20030072639A1 (en) * 2001-10-17 2003-04-17 Applied Materials, Inc. Substrate support
US6705926B2 (en) * 2001-10-24 2004-03-16 Cabot Microelectronics Corporation Boron-containing polishing system and method
JP3692067B2 (ja) 2001-11-30 2005-09-07 株式会社東芝 銅のｃｍｐ用研磨スラリーおよびそれを用いた半導体装置の製造方法
US20070295611A1 (en) * 2001-12-21 2007-12-27 Liu Feng Q Method and composition for polishing a substrate
KR100478483B1 (ko) * 2002-10-02 2005-03-28 동부아남반도체 주식회사 반도체 소자의 제조 방법
US6821309B2 (en) * 2002-02-22 2004-11-23 University Of Florida Chemical-mechanical polishing slurry for polishing of copper or silver films
KR100442873B1 (ko) * 2002-02-28 2004-08-02 삼성전자주식회사 화학적 기계적 폴리싱 슬러리 및 이를 사용한 화학적기계적 폴리싱 방법
US6783690B2 (en) * 2002-03-25 2004-08-31 Donna M. Kologe Method of stripping silver from a printed circuit board
US20050194681A1 (en) * 2002-05-07 2005-09-08 Yongqi Hu Conductive pad with high abrasion
US20030209523A1 (en) * 2002-05-09 2003-11-13 Applied Materials, Inc. Planarization by chemical polishing for ULSI applications
CN1333444C (zh) * 2002-11-12 2007-08-22 阿科玛股份有限公司 使用磺化两性试剂的铜化学机械抛光溶液
CN100509980C (zh) * 2002-12-02 2009-07-08 阿科玛股份有限公司 用于铜化学机械平整化加工的组合物及方法
JP4267331B2 (ja) * 2003-01-14 2009-05-27 株式会社荏原製作所 基板の処理方法及びエッチング液
US7040966B2 (en) * 2003-04-16 2006-05-09 Applied Materials Carbonation of pH controlled KOH solution for improved polishing of oxide films on semiconductor wafers
WO2004101222A2 (en) * 2003-05-12 2004-11-25 Advanced Technology Materials, Inc. Chemical mechanical polishing compositions for step-ii copper liner and other associated materials and method of using same
US7390429B2 (en) * 2003-06-06 2008-06-24 Applied Materials, Inc. Method and composition for electrochemical mechanical polishing processing
US20050092620A1 (en) * 2003-10-01 2005-05-05 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for polishing a substrate
US7278904B2 (en) * 2003-11-26 2007-10-09 3M Innovative Properties Company Method of abrading a workpiece
US7186164B2 (en) * 2003-12-03 2007-03-06 Applied Materials, Inc. Processing pad assembly with zone control
US20050178666A1 (en) * 2004-01-13 2005-08-18 Applied Materials, Inc. Methods for fabrication of a polishing article
US7390744B2 (en) * 2004-01-29 2008-06-24 Applied Materials, Inc. Method and composition for polishing a substrate
WO2006009668A1 (en) * 2004-06-16 2006-01-26 Memc Electronic Materials, Inc. Silicon wafer etching process and composition
US20060030156A1 (en) * 2004-08-05 2006-02-09 Applied Materials, Inc. Abrasive conductive polishing article for electrochemical mechanical polishing
US7210988B2 (en) 2004-08-24 2007-05-01 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for reduced wear polishing pad conditioning
JP2006080388A (ja) * 2004-09-10 2006-03-23 Nitta Haas Inc 金属研磨用組成物
WO2006039436A2 (en) * 2004-10-01 2006-04-13 Applied Materials, Inc. Pad design for electrochemical mechanical polishing
US7520968B2 (en) * 2004-10-05 2009-04-21 Applied Materials, Inc. Conductive pad design modification for better wafer-pad contact
JP2006179845A (ja) 2004-11-26 2006-07-06 Fuji Photo Film Co Ltd 金属用研磨液及び研磨方法
US20060118760A1 (en) * 2004-12-03 2006-06-08 Yang Andy C Slurry composition and methods for chemical mechanical polishing
US20060169674A1 (en) * 2005-01-28 2006-08-03 Daxin Mao Method and composition for polishing a substrate
WO2006081589A2 (en) * 2005-01-28 2006-08-03 Applied Materials, Inc. Tungsten electroprocessing
US7427340B2 (en) * 2005-04-08 2008-09-23 Applied Materials, Inc. Conductive pad
US20060249395A1 (en) * 2005-05-05 2006-11-09 Applied Material, Inc. Process and composition for electrochemical mechanical polishing
US20060249394A1 (en) * 2005-05-05 2006-11-09 Applied Materials, Inc. Process and composition for electrochemical mechanical polishing
US7442319B2 (en) * 2005-06-28 2008-10-28 Micron Technology, Inc. Poly etch without separate oxide decap
KR20080036051A (ko) * 2005-08-04 2008-04-24 아사히 가라스 가부시키가이샤 연마제 조성물 및 연마 방법
JP5026710B2 (ja) * 2005-09-02 2012-09-19 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物
TWI385226B (zh) * 2005-09-08 2013-02-11 羅門哈斯電子材料Ｃｍｐ控股公司 用於移除聚合物阻障之研磨漿液
US7767009B2 (en) * 2005-09-14 2010-08-03 OMG Electronic Chemicals, Inc. Solution and process for improving the solderability of a metal surface
US7435162B2 (en) * 2005-10-24 2008-10-14 3M Innovative Properties Company Polishing fluids and methods for CMP
TW200720493A (en) 2005-10-31 2007-06-01 Applied Materials Inc Electrochemical method for ecmp polishing pad conditioning
KR20070088245A (ko) * 2006-02-24 2007-08-29 후지필름 가부시키가이샤 금속용 연마액
US20070232510A1 (en) * 2006-03-29 2007-10-04 Kucera Alvin A Method and composition for selectively stripping silver from a substrate
US20070254485A1 (en) * 2006-04-28 2007-11-01 Daxin Mao Abrasive composition for electrochemical mechanical polishing
CN100491072C (zh) * 2006-06-09 2009-05-27 河北工业大学 Ulsi多层铜布线化学机械抛光中碟形坑的控制方法
JP2008277723A (ja) 2007-03-30 2008-11-13 Fujifilm Corp 金属用研磨液及び研磨方法
US20080293343A1 (en) * 2007-05-22 2008-11-27 Yuchun Wang Pad with shallow cells for electrochemical mechanical processing
TWI446425B (zh) * 2007-08-29 2014-07-21 Applied Materials Inc 高生產量及低表面形貌的銅化學機械研磨製程
US20090215266A1 (en) * 2008-02-22 2009-08-27 Thomas Terence M Polishing Copper-Containing patterned wafers
US9202709B2 (en) 2008-03-19 2015-12-01 Fujifilm Corporation Polishing liquid for metal and polishing method using the same
JP5385377B2 (ja) * 2008-05-15 2014-01-08 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー 終点窓を持った研磨パッドおよびこれを用いたシステムおよび使用方法
JP5596030B2 (ja) * 2008-06-26 2014-09-24 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー 多孔質エレメントを有する研磨パッド及びその製造方法と使用方法
JP5450622B2 (ja) * 2008-07-18 2014-03-26 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー 浮遊要素を備えた研磨パッド、その製造方法及び使用方法
US9162340B2 (en) 2009-12-30 2015-10-20 3M Innovative Properties Company Polishing pads including phase-separated polymer blend and method of making and using the same
IL204422A0 (en) * 2010-03-11 2010-12-30 J G Systems Inc METHOD AND COMPOSITION TO ENHANCE CORROSION RESISTANCE OF THROUGH HOLE COPPER PLATED PWBs FINISHED WITH AN IMMERSION METAL COATING SUCH AS Ag OR Sn
JPWO2011122415A1 (ja) * 2010-03-29 2013-07-08 旭硝子株式会社 研磨剤、研磨方法および半導体集積回路装置の製造方法
CN102893376A (zh) * 2010-06-01 2013-01-23 应用材料公司 铜晶圆研磨的化学平坦化
WO2012071243A2 (en) 2010-11-22 2012-05-31 3M Innovative Properties Company Assembly and electronic devices including the same
TWI629347B (zh) * 2012-07-17 2018-07-11 福吉米股份有限公司 使用合金材料硏磨用組成物來研磨合金材料的方法
US9388330B2 (en) * 2012-12-17 2016-07-12 Fuji Engineering Co., Ltd. Bag containing blasting material
US10247700B2 (en) * 2015-10-30 2019-04-02 International Business Machines Corporation Embedded noble metal electrodes in microfluidics
KR102275303B1 (ko) * 2016-10-11 2021-07-12 후지필름 일렉트로닉 머티리얼스 유.에스.에이., 아이엔씨. 상승된 온도 cmp 조성물 및 이의 사용 방법

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL149551B (nl) 1964-08-04 1976-05-17 Dow Chemical Co Werkwijze voor het reinigen en passiveren van ijzerhoudende metaaloppervlakken, waarop metallisch koper is afgezet.
US3504457A (en) 1966-07-05 1970-04-07 Geoscience Instr Corp Polishing apparatus
US3499250A (en) 1967-04-07 1970-03-10 Geoscience Instr Corp Polishing apparatus
US4512113A (en) 1982-09-23 1985-04-23 Budinger William D Workpiece holder for polishing operation
US4642221A (en) 1983-07-05 1987-02-10 Atlantic Richfield Company Method and composition for inhibiting corrosion in aqueous heat transfer systems
US4879258A (en) 1988-08-31 1989-11-07 Texas Instruments Incorporated Integrated circuit planarization by mechanical polishing
US5257478A (en) 1990-03-22 1993-11-02 Rodel, Inc. Apparatus for interlayer planarization of semiconductor material
MY114512A (en) * 1992-08-19 2002-11-30 Rodel Inc Polymeric substrate with polymeric microelements
US5575885A (en) * 1993-12-14 1996-11-19 Kabushiki Kaisha Toshiba Copper-based metal polishing solution and method for manufacturing semiconductor device
US5489233A (en) 1994-04-08 1996-02-06 Rodel, Inc. Polishing pads and methods for their use
JP3397501B2 (ja) * 1994-07-12 2003-04-14 株式会社東芝 研磨剤および研磨方法
JPH08207388A (ja) * 1995-02-03 1996-08-13 Brother Ind Ltd プリンタ
US6046110A (en) 1995-06-08 2000-04-04 Kabushiki Kaisha Toshiba Copper-based metal polishing solution and method for manufacturing a semiconductor device
JPH0982668A (ja) 1995-09-20 1997-03-28 Sony Corp 研磨用スラリー及びこの研磨用スラリーを用いる研磨方法
US5700383A (en) * 1995-12-21 1997-12-23 Intel Corporation Slurries and methods for chemical mechanical polish of aluminum and titanium aluminide
JPH09258397A (ja) * 1996-03-19 1997-10-03 Fuji Photo Film Co Ltd ハロゲン化銀感光材料
US6309560B1 (en) 1996-12-09 2001-10-30 Cabot Microelectronics Corporation Chemical mechanical polishing slurry useful for copper substrates
US6083419A (en) 1997-07-28 2000-07-04 Cabot Corporation Polishing composition including an inhibitor of tungsten etching
US5897375A (en) * 1997-10-20 1999-04-27 Motorola, Inc. Chemical mechanical polishing (CMP) slurry for copper and method of use in integrated circuit manufacture

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Publication number Publication date
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