KR100567453B1 - 합성석영글래스제조방법 - Google Patents

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Abstract

비점이 높은 규소화합물의 합성로에의 도입량을 제어한다.
액체 원료 봄베(10)에 압송가스를 보내고, 비점이 높은 유기 규소화합물의 원료액(32)을, 액체 매스 플로우 미터(20)를 통과하여, 기화기 (12)에 공급한다. 상기 원료액(32)의 기화기(12)로의 도입량을 액체 매스 플로우 미터(20)로 제어한다. 기화기(12)에 있어서 안개상으로 한 원료액(32)을 담체가스와 혼합하고, 유기 규소화합물의 비점보다 10℃이상 높은 온도로 가열함으로써, 원료가스를 생성하고, 이를 합성로(14)에 도입한다.

Description

합성 석영글래스 제조방법
본 발명은, 합성 석영글래스 제조방법에 관한 것이다.
종래, 반도체장치의 제조과정에서 반도체기판 등에 집적회로의 미세 패턴을 노광·전사하는 광리소그래피기술에 있어서, 스텝퍼라고 불리는 노광장치가 사용되어 왔다. 이 스텝퍼의 광원에는 최근 대규모집적회로(LSI)의 고집적화에 따라 가시광보다도 파장이 짧은 자외역의 광이 이용되게 되었다. 이 때문에, 노광장치의 광학계도, 종래의 광학글래스를 대신하여 자외역의 광을 투과하는 재료로 구성할 필요가 있게 되었다. 자외역의 광의 투과율이 높은 광학재료로서는, 예를 들면, 석영글래스가 알려져 있다.
또한, 노광장치의 광학계는, 수차보정을 위한 렌즈 등 다수의 광학부재로 구성되어 있다. 그러므로 노광장치의 광학계 전체의 투과율을 높이기 위하여는, 개개의 광학부재의 투과율을 높일 필요가 있다. 고순도의 석영글래스가 얻어지는 제조방법으로는, 수염가수분해법(「직접법」또는 「직접 화염가수분해법」이라고도 불린다.)이 알려져 있다.
수염가수분해법에는 4염화 규소(SiCl4) 등의 고순도의 규소화합물을 원료로 사용한다. 또한, 이 원료와 가열 및 가수분해반응을 위한 지연소(支燃燒)가스 및 연소가스(예를 들면 산소 및 수소)를 제조장치의 합성로 내의 타겟을 향하여, 버너로부터 분사한다. 이 타겟은, 합성로내에서 회전, 후퇴를 한다. 버너로부터 분사된 원료는, 산소수소화염으로 가수분해된 석영글래스 미립자를 형성한다. 미립자는, 타겟상에서 퇴적, 용융, 투명화하여 석영글래스의 잉고트를 형성한다. 이와 같이 하여 얻어진 석영글래스는 합성 석영글래스라고 불린다.
한편, 합성 석영글래스 중의 염소농도가 높을수록, 합성 석영글래스의 자외선에 대한 내구성이 저하된다. 이와 같은 합성 석영글래스 중의 염소농도를 낮추기 위하여, 합성 석영글래스의 원료로서, 염소화합물이 아닌 규소화합물을 이용하는 것이 바람직하다.
또한, 염소화합물인 규소화합물을 원료로 이용하면, 합성로에서 부식성 가스인 염화수소가 발생한다. 그러므로 염화수소를 발생시키기 위하여서도, 합성 석영글래스의 원료로서, 염소화합물이 아닌 규소화합물을 이용하는 것이 바람직하다.
이 염소화합물이 아닌 규소화합물로서, 유기 규소화합물을 합성 석영글래스의 원료로서 이용하는 기술의 일례가, 문헌 :「일본특허공개공보 평4-270130호 공보」에 개시되어 있다.
그러나, SiCl4의 비점이 58∼59℃인 것에 대하여, 많은 유기 규소화합물의 비점은, 분자량이 크므로 100℃이상이 된다. 이에 대하여, 가스에 이용되는 시판중인 매스 플로우 미터의 내열온도는, 내열 사양의 것이더라도 겨우 80℃정도이다. 이 때문에, 유기 규소화합물 원료가스가 합성로에 도입되는 양을 제어하기가 곤란하다.
그러므로 비점이 높은 규소화합물의 합성로에의 도입량도 제어할 수 있는 합성 석영글래스의 제조방법의 출현이 요망되고 있다.
이 출원에 관한 발명자는, 여러 가지 실험 및 검토를 거듭한 결과, 비점이 높은 규소화합물의 유량을 비점이하 온도의 액체상태시에 액체 매스 플로우 미터를 이용하여 제어하는데 상도하였다.
이 때, 본 발명의 합성 석영글래스 제조방법에 따르면, 규소화합물로 구성되는 원료액을 기화기에 도입하고, 이 기화기에 있어서 원료액을 기화시켜 원료가스를 생성하고, 이 원료가스를 합성로에 도입함에 있어서,
원료액의 기화기에의 도입량을 액체 매스 플로우 미터로 제어하는 것을 특징으로 한다.
이와 같이, 규소화합물로 구성되는 원료액의 온도는, 규소화합물(예를 들면, 유기규소화합물)의 비점보다도 낮다. 이 때문에, 원료액의 유량은, 액체 매스 플로우 미터로 제어할 수 있다. 따라서, 원료액의 기화기에의 도입량을 제어함에 있어서, 원료가스의 합성로의 도입량을 간접적으로 제어할 수 있다.
또한, 원료액 중에 불순물(예를 들면, 탄화수소)이 혼입되어 있는 경우, 기화기에 있어서, 규소화합물보다도 비점이 낮은 불순물은 기화되지 않는다. 기화되지않는 불순물은 기화기에 잔류한다. 이 때문에 기화기에 있어서, 원료가스로부터 불순물의 분리를 꾀할 수 있다.
또한, 본 발명의 합성 석영글래스 제조방법에 있어서, 바람직하게는 기화기에 있어서 안개상으로 한 원료액을 담체가스와 혼합하여 가열함으로써, 원료가스를 생성하는 것이 좋다.
이와 같이, 원료액을 일단, 안개상으로 (미립자화)한 후에, 담체가스와 혼합하면, 원료액이 담체가스의 운동에너지를 효율 높게 받을 수 있다. 따라서 안개상의 원료액을 기화기내에 넘치거나 편중됨이 없이 확산시킬 수 있다. 그 결과, 원료액을 효율적으로 기화시킬 수 있다.
그러나, 원료가스의 온도가 원료인 규소화합물의 비점 정도이면, 일단 기화한 원료가스가 합성로에 도입되기 전에, 재액화될 염려가 있다.
이때, 본 발명의 합성 석영글래스 제조방법에 있어서, 바람직하게는, 기화기에 있어서, 원료가스의 온도를 상기 규소화합물의 비점보다 10℃이상 높은 온도로 가열하는 것이 좋다.
이와 같이, 원료가스의 온도를, 원료의 규소화합물의 비점보다도 10℃이상 높은 온도로 하면, 원료가스의 재액화에 대한 염려를 줄일 수 있다.
한편, 원료의 규소화합물의 비점이 예를 들어 50℃미만인 경우에는, 원료가 기화되기 쉬우므로, 원료의 취급이 곤란하게 된다. 또한, 원료의 규소화합물의 비점이 예를 들어, 140℃보다 높은 경우에는, 원료가스를 합성로에 도입하는 배관 중에서, 원료가스의 온도가 비점보다도 저하될 염려가 커진다. 그 결과 원료가스가 재액화될 염려가 높아진다.
이 때, 본 발명의 합성 석영글래스 제조방법에 있어서, 바람직하게는 규소화합물의 비점은 50℃이상 140℃이하인 것이 바람직하다.
또한, 본 발명의 실시에 있어서, 바람직하게는 규소화합물로서, 알콕시실란을 이용하는 것이 바람직하다.
또한, 본 발명의 실시에 있어서, 바람직하게는, 규소화합물로서, 알킬시클로실록산을 이용하는 것이 바람직하다.
또한, 본 발명의 실시에 있어서, 바람직하게는, 규소화합물로서, 알킬실록산을 이용하는 것이 바람직하다.
이하, 도를 참조하여, 본 발명의 합성 석영글래스 제조방법의 예에 대하여 설명한다. 또한 참조하는 도는, 본 발명이 이해할 수 있는 정도로 각 구성성분의 크기, 형상 및 배치관계를 개략적으로 도시하고 있는데 지나지 않는다. 따라서, 본 발명은, 도시예에만 한정되는 것은 아니다.
먼저, 도 1을 참조하여, 본 발명의 합성 석영글래스 제조방법에 이용되는 합성 석영글래스 제조장치의 구성에 대하여 설명한다. 도 1은, 본 실시의 형태의 합성 석영글래스 제조방법에 이용되는 합성 석영글래스 제조장치의 설명에 이용되는 블록도이다.
이 합성 석영글래스 제조장치는, 액체 원료 봄베(10)와 기화기(12)와 합성로(14)를 구비하고 있다. 액체 원료 봄베(10)에는, 압송 가스용 배관(16)이 접속되어 있다. 또한, 액체 원료 봄베(10)와 기화기(12)와의 사이를, 원료액용 배관(18)으로 이어놓았다. 이 원료액용 배관(18)의 도중에는, 액체 매스 플로우 미터(20)를 설치하였다. 이 때, 액체 매스 플로우 미터 (20)로서는, 일본 아에라주식회사에서 제조한 LX-1200(제품명)을 이용하였다.
또한, 기화기 (12)에는, 담체가스용 배관 (22)도 접속되어 있다. 또한, 담체가스용 배관(22)의 도중에는, 가스 매스 플로우 미터(24)를 설치하고 있다.
또한, 기화기 (12)와 합성로(14)의 사이를, 원료가스용 배관 (26)으로 이어놓았다. 이 원료가스용 배관 (26)의 합성로(14)측의 일단은, 합성로(14)의 버너(28)에 접속해두었다. 또한, 이 합성로 (14)는, 내화물(30)로 에워싸 두었다.
또한, 도 1에 있어서는, 원료가스 이외의 지연(支燃)가스(예를 들면 산소)나 가연가스(예를 들면 수소)를 합성로(14)에 공급하기 위한 구조(예를 들면 배관)의 도시를 생략한다.
또한, 본 발명에서는, 합성 석영 글래스의 제조에 있어서, 먼저 규소화합물로 구성되는 원료액을 액체원료 봄베(10)에 도입한다.
이 때, 본 실시의 형태에 있어서는, 원료액(32)이 저장된 액체 원료 봄베(10)에, 압송가스용 배관(16)으로부터 압송가스를 보낸다. 여기서는, 이 원료액(32)을 액체의 유기규소화합물로 한다. 또한, 이 규소화합물의 비점은, 50℃이상 140℃이하의 것을 이용하여도 된다. 보다 바람직하게는, 규소화합물의 비점은, 70℃∼130℃이하인 것이 바람직하다.
또한, 압송가스에는, 원료액에 잘 녹지 않는 가스를 이용하는 것이 바람직하다. 여기서는 압송가스로서 헬륨을 사용하고 있다. 액체원료 봄베(10)에 압송가스가 보내지면, 액체원료 봄베(10)로부터 원료액(32)이 밀려나온다. 압출된 원료액(32)은, 액체 매스 플로우 미터(20)를 통과하여, 기화기(12)에 공급된다.
이 때, 본 발명에서는, 원료액(32)의 기화기(12)에의 도입량을 액체 매스 플로우 미터(20)로 제어한다. 원료액(32)의 온도는, 비점보다 낮은 실온정도이므로, 통상의 액체 매스 플로우 미터를 이용하여 충분히 제어할 수 있다.
이어서, 본 발명에서는 기화기(12)에 있어서, 원료액을 기화시켜 원료가스를 생성한다.
본 실시형태에 있어서는, 기화기(12)에 있어서 안개상으로 한 원료액(32)을 담체가스와 혼합하여 가열함으로써, 원료가스를 생성한다. 담체가스로는, 불활성가스(질소가스를 포함한다.)를 이용하여도 된다. 여기서는 담체가스로서 헬륨가스를 이용한다. 또한, 압송가스의 종류와 담체가스의 종류를 일치시킬 필요는 없다. 또한, 담체가스는, 예를 들면, 1.5∼2.0SLM(Standard·Little·per·Minute)정도 공급하여도 된다.
이 담체가스의 공급량은, 가스 매스 플로우 미터(24)로 제어된다.
또한, 이 기화기(12)에 있어서 원료가스를 유기규소화합물의 비점보다도 10℃이상 높은 온도로 가열하여도 된다. 이 가열에는, 예를 들면 러버 히터를 이용하여도 된다. 또한 이 가열에는 예를 들면 고주파 유도 코일을 이용하여도 된다.
이어서, 본 발명에서는 원료가스를 합성로(14)에 도입한다. 기화기(12)에서 생성된 원료가스는, 담체가스와 함께, 합성로(14)의 버너(28)에 공급된다. 버너(28)에 공급된 원료가스는, 이 버너(28)로부터 합성로(14) 내부의 타겟(34)상에 형성되어 있는 합성석영글래스의 잉고트(36)를 향하여 분사한다.
(실시예)
다음으로, 실시예 1 내지 4로서, 원료로서 여러 가지 유기규소화합물을 이용하여 합성 석영글래스를 제조한 예에 대하여 설명한다.
또한, 각 실시예 모두, 합성 석영글래스의 제조에 있어서는, 지연가스로서의 산소가스(O2) 및 가연가스로서의 수소가스(H2)를 속도 2.6 내지 50m/s 버너(28)의 각각의 분사구로부터 분사한다. 또한, 가스의 유량은, 분사구마다 다르다. 또한, 산소 가스/산소 가스의 유량의 비율은, 버너 전체로서 0.35로 한다.
버너(28)로부터 분사된 원료가스는, 미립자를 형성한다. 이 미립자는, 합성 석영글래스의 잉고트(36)의 합성면에 퇴적된다. 석영글래스의 합성시에는, 잉고트(36)의 합성면의 온도를 균일화하기 위하여, 잉고트(36)를 실은 타겟(34)을 일정주기로 회전 및 요동시킨다. 또한, 잉고트(36)의 합성면과 버너(28)의 선단과의 거리를 일정하게 유지하면서, 타겟(34)을 서서히 강하시킨다. 이와 같이 하여, 직경 240mm, 길이 600mm의 합성 석영글래스의 잉고트를 얻었다.
(실시예 1)
실시예 1에서는, 원료로서, 알콕시실란의 일종인 테트라메톡시실란(TMOS)을 이용한다. TMOS의 비점은 132℃이다. 또한, 액체원료 봄베(10)으로부터 기화기(12)에의, 원료액 TMOS의 공급량을, 액체 매스 플로우 미터(20)에서 제어한다. 실시예 1에서는, 원료액의 공급량을 5g/분으로 제어한다. 이 공급량은 예를 들면 염화규소(SiCl4)의 12 내지 13g/분 정도의 유량에 상당한다.
이 때, 기화기(12)에 도입된 원료액을 기화기(12)에 있어서 비점보다 18℃ 높은 150℃의 온도로 가열한다. 또한, 기화한 원료가스를 합성로(14)에 공급한다.
실시예 1에 있어서 제조된 잉고트를 육안으로 관찰하였더니 잉고트 중에 기포는 발견되지 않았다.
또한, 실시예 1에 있어서 제조된 잉고트의 포착율은 65%였다.
이 포착율이 높을수록, 합성로에 도입된 원료가 잘 기화된다. 포착율은, 도입된 원료인 SiO2 환산 질량에 대한 잉고트의 질량의 비율로 얻어진다.
또한, 실시예 1 에 있어서 제조된 잉고트중의 불순물인 탄소의 함유량을 종래 주지의 연소법을 이용하여 측정하였더니, 탄소함유율(잔존탄소농도)은, 검출한계미만인 10ppm미만이었다.
또한, 실시예 1에 있어서 제조된 잉고트의 파장 193nm의 자외선의 투과율을 측정하였더니, 투과율은 99.9%보다 높았다. 따라서, 이 잉고트로부터 얻어진 광학소자는 자외선용 광학소자로서 이용되기에 매우 적합하다는 것을 알았다.
(실시예 2)
다음으로 실시예 2에 있어서는, 원료로서, 알킬시클로실록산의 일종인 헥사메틸디실록산(HMDS)을 이용한다. HMDS의 비점은 99℃이다. 또한 액체원료 봄베(10)로부터 기화기(12)로의 원료액의 HMDS의 공급량을 액체 매스 플로우 미터(20)로 제어한다. 실시예 2에서는 원료액의 공급량을 5g/분으로 제어한다.
기화기(12)에 도입된 원료액을 기화기 (12)에 있어서 비점보다 16℃ 높은 115℃정도로 가열한다. 또한 기화한 원료가스를 합성로(14)에 공급한다.
실시예 2에 있어서 제조된 잉고트를 육안으로 관찰한 결과, 잉고트 중의 기포는 발견되지 않았다. 이 잉고트의 포착률은 75%였다. 이 잉고트의 탄소함유율(잔존탄소농도)은, 검출한계 미만인 10ppm미만이었다. 또한 이 잉고트의 파장193nm의 자외선의 투과율은 99.9%보다 높았다. 따라서, 이 잉고트로부터 얻은 광학소자는, 자외선용의 광학소자로서 이용하기에 적합하다는 것을 알았다.
헥사메틸디실록산을 비롯한 디실록산은, 1 분자 당 실리콘(Si)원자를 두 원자 포함하고 있으므로 합성 석영글래스의 원료로서 이용하기에 적절하였다.
(실시예 3)
다음으로 실시예 3에 있어서는, 알콕시실란의 일종인 메틸트리메톡시실란(MTMS)을 사용한다. MTMS의 비점은 103℃이다. 액체 원료 봄베(10)로부터 기화기(12)의 원료액인 MTMS의 공급량을 액체 매스 플로우 미터(20)로 제어한다. 실시예 3에서는 원료액의 공급량을 5g/분으로 제어한다.
또한, 기화기 (12)에 도입된 원료액을 기화기 (12)에 있어서, 비점보다 12℃ 높은 115℃온도로 가열된다. 기화한 원료가스를 합성로(14)에 도입한다.
실시예 3에 있어서 제조된 잉고트를 육안으로 관찰한 결과, 잉고트 중에 기포는 발견되지 않았다 또한 잉고트의 포착율은, 70%이었다. 잉고트 중의 탄소함유율(잔존 탄소농도)은, 검출한도미만 10ppm미만이었다. 또한 이 잉고트의 파장 193nm의 자외선의 투과율을 측정한 결과, 투과율은 99.9%보다 높았다. 이 잉고트로부터 얻은 광학소자는, 자외선용의 광학소자로서 이용하기에 적합한 것임을 알 수 있었다.
(실시예 4)
실시예 4에 있어서는, 원료로서, 알킬실록산의 일종인 2, 4, 6, 8 테트라메틸시클로테트라실록산(TMCTS)을 이용한다. TMCTS의 비점은 135℃이다. 또한 액체원료 봄베(10)로부터 기화기(12)에의 원료액의 TMCTS의 공급량을 액체 매스 플로우 미터(20)로 제어한다. 실시예 4에서는 원료액의 공급량을 5g/분으로 제어한다.
기화기(12)에 도입된 원료액을 기화기 (12)에서, 비점보다10℃높은 145℃의 온도로 가열한다. 기화한 원료가스를 합성로(14)에 공급한다.
실시예 4에 있어서 제조된 잉고트를 육안으로 관찰한 결과, 잉고트 중의 기포는 발견되지 않았다. 또한 이 잉고트의 포착율은 65%였다. 또한 이 잉고트 중의 탄소함유율(잔존 탄소농도)은, 검출한계 미만인 10ppm미만이었다. 또한 이 잉고트의 파장193nm의 자외선의 투광율을 특정한 결과, 투과율은 99.9%보다 높았다. 따라서, 이 잉고트로부터 얻은 광학소자는, 자외선용의 광학소자로 이용하기에 적합하다는 것을 알 수 있었다.
다음으로 비교예에 대하여 설명한다. 비교예에 있어서는, 원료의 종류 및 가열온도를 제외하고는, 상술한 각 실시예와 동일한 조건으로 합성 석영글래스를 제조한다.
(비교예 1)
비교예 1에 있어서는, 원료로서 알킬시클로실록산의 일종인 헥사메틸디실록산(HMDS)을 이용한다. HMDS의 비점은 99℃이다. 또한 액체원료 봄베(10)으로부터 기화기(12)에의 원료액의 HMDS의 공급량을 액체 매스 플로우 미터(20)로 제어한다. 비교예 1에서는, 원료액의 공급량을 5g/분으로 제어한다.
비교예 1에서는 기화기(12)에 도입된 원료액을 기화기(12)에 있어서, 비점과 동일한 정도인 100℃의 온도로 가열하였다. 또한 기화한 원료가스를 합성로(14)에 공급한다.
비교예 1에 있어서 제조된 잉고트를 육안으로 관찰한 결과, 잉고트 중에 다수의 기포가 발견되었다. 또한 이 잉고트 포착율은 5%였다. 이 포착율로 합성로에 공급된 원료가스는 가열온도가 낮으므로, 원료가스용 배관(26)에 있어서 재액화되어 버린 것으로 생각된다.
또한 비교예 1에 있어서 제조된 잉고트 중의 불순물인 탄소의 함유량을 종래 주지의 연소법으로 측정한 결과, 탄소함유율(잔존 탄소농도)은 500ppm정도였다.
또한 이 잉고트의 파장193nm의 자외선의 투과율을 측정한 결과, 투과율은 98.5%였다. 투과율이 저하된 것은 잔존 탄소농도가 높았기 때문으로 생각된다.
(비교예 2)
다음으로, 비교예 2에 있어서는, 원료로서 알콕시실란의 일종인 테트라에톡시실란(TEOS)을 이용한다. TEOS의 비점은 168℃이다. 또한 액체원료 봄베(10)로부터 기화기(12)에 공급하는 원료액 TEOS의 공급량을 액체 매스 플로우 미터(20)로 제어한다. 비교예 2에서는, 원료액의 공급량을 5g/분으로 제어한다.
또한, 기화기 (12)에 도입된 원료액을 기화기(12)에 있어서 비점보다 12℃높은 180℃의 온도로 가열된다. 또한 기화한 원료가스를 합성로(14)에 공급한다.
비교예 2에 있어서 제조된 잉고트를 육안으로 관찰한 결과, 잉고트 중에 다수의 기포가 발견되었다. 또한 이 잉고트의 포착율은 5%였다. 이 포착율로부터 합성로에 공급된 원료가스는, 비점이 높았으므로, 원료가스용 배관 (26)에 있어서 재액화되어 버린 것으로 생각된다. 또한, 이 잉고트 중의 불순물인 탄소의 함유량을 연소법을 이용하여 측정한 결과, 탄소함유율(잔존 탄소농도)은 1000ppm정도였다.
또한 이 잉고트 파장 193nm의 자외선 투과율을 측정한 결과, 투과율은 97.5%였다 투과율이 저하된 것은 잔존탄소농도가 높기 때문으로 생각된다.
아래의 표 1에 상기 실시예 1 내지 4 및 비교예 1 및 2의 측정결과의 일람을 도시한다.
[표 1]
상술한 각 실시의 형태에서는, 이들 발명을 특정재료를 이용하여, 특정 조건으로 구성한 예에 대하여만 설명하였으나, 이들 발명은 많은 변경 및 변형을 할 수 있다. 예를 들면, 상술한 실시의 형태에서는, 원료액을 안개상으로 한 후에 담체가스와 혼합하였으나, 본 발명에서는, 원료가스를 안개상으로 하기 전에 담체가스와 혼합하여도 된다.
본 발명의 합성 석영글래스 제조방법에 의하면, 원료액의 기화기에의 도입량을 액체 매스 플로우 미터를 이용하여 제어함으로써, 합성로에 도입되는 원료가스의 도입량을 간접적으로 제어할 수 있다.
도 1은 실시형태의 합성 석영글래스 제조방법에 이용하는 합성 석영글래스 제조장치의 구성의 설명에 필요한 블록도이다.
도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
10 액체원료 봄베 12 기화기
14 합성로 16 압송가스용 배관
18 원료액용 배관 20 액체 매스 플로우 미터
22 담체가스용 배관 24 가스 매스 플로우 미터
26 원료가스용 배관 28 버너
30 내화물 32 원료액
34 타겟 36 잉고트

Claims (3)

  1. 액체상 규소 화합물을 기화기에 도입하고, 상기 기화기에 있어서 상기 액체상 규소 화합물을 기화시킨 원료 가스를 합성로에 도입함에 있어서,
    상기 액체상 규소 화합물의 상기 기화기에의 도입량을 액체 매스 플로우 미터로 제어하는 합성 석영 글래스 제조방법으로서,
    상기 액체상 규소 화합물이 알콕시실란, 알킬시클로실록산 또는 알킬실록산 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 합성 석영 글래스 제조 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 기화기에 있어서 안개상으로 한 상기 액체상 규소 화합물을 담체 가스와 혼합하여 가열함으로써, 상기 원료 가스를 생성하는 것을 특징으로 하는 s합성 석영 글래스 제조 방법.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 기화기에 있어서, 상기 원료 가스를 상기 액체상 규소 화합물의 비점보다 10℃ 이상 높은 온도로 가열하는 것을 특징으로 하는 합성 석영 글래스 제조 방법.
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